JP2016004954A - 発光デバイス、波長変換部材及び波長変換部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】数種類の量子ドットを用いた発光デバイスであって、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくし得る構成を有する発光デバイスを提供する。【解決手段】第１の波長変換ユニット２１は、第１の基板２１ａと、第１の波長変換部２１ｂとを有する。第１の波長変換部２１ｂは、量子ドットを含む。第２の波長変換ユニット２２は、第２の基板２２ａと、第２の波長変換部２２ｂとを有し、第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとが対向するように配されている。第２の波長変換部２２ｂは、第１の波長変換部２１ｂに含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む。光源１１は、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂのそれぞれに対して量子ドットの励起光を出射するように構成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、発光デバイス、波長変換部材及び波長変換部材の製造方法に関する。

近年、発光ダイオードを用いた発光デバイスの進歩が目覚しく、液晶のバックライト、大型ディスプレイ等に採用されている。特に、短波長光の発光素子の半導体材料の発展により、短波長の光を得られるようになってきたため、これを用いて蛍光体を励起してより多様な波長の光を得ることができるようになった。

従来より、量子ドットを用いた発光デバイスが知られている。例えば、特許文献１には、発光波長が相互に異なる２種の量子ドットが混合して分散してなる波長変換部材を備えた発光デバイスが開示されている。

特開２０１１−２０２１４８号公報

特許文献１に記載のように、２種の量子ドットを混合して用いた発光デバイスからは、一の量子ドットの発光と、他の量子ドットの発光とを含む光が出射される。このような発光デバイスの出射光の色調は、量子ドットの配合割合や、各量子ドットの発光効率等により変化する。このため、複数種類の量子ドットを用いた発光デバイスにおいては、個々の発光デバイス間における出射光の色調のばらつきが生じ得るという、１種の量子ドットのみを用いた発光デバイスにおいては生じ得ない特有の問題が生じる。

本発明の主な目的は、複数種類の量子ドットを用いた発光デバイスであって、個々の発光デバイス間における出射光の色調のばらつきを小さくし得る構成を有する発光デバイスを提供することにある。

本発明に係る発光デバイスは、第１の基板と、第１の基板の上に設けられ、量子ドットを含む第１の波長変換部とを有する第１の波長変換ユニットと、第２の基板と、第２の基板の上に設けられ、第１の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第２の波長変換部とを有し、第１の波長変換部と第２の波長変換部とが対向するように配された第２の波長変換ユニットと、第１及び第２の波長変換部のそれぞれに対して前記量子ドットの励起光を出射する光源と、を備える。

本発明に係る発光デバイスでは、第１の波長変換部と第２の波長変換部とが異なる基板の上に設けられている。このため、第１の波長変換部からの発光波長及び発光強度と、第２の波長変換部からの発光波長及び発光強度を予め確かめた上で、第１及び第２の波長変換ユニットを組み立てることができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくし得る。

本発明に係る発光デバイスは、第１の基板と第２の基板とを接続しており、第１及び第２の基板と共にセルを構成している側壁部をさらに備えていてもよい。第１及び第２の波長変換部は、セル内に配されていてもよい。この構成によれば、第１及び第２の波長変換部と、水分や酸素とが接触することを抑制することができる。よって、第１及び第２の波長変換部の水分や酸素に伴う劣化を抑制することができる。

また、本発明に係る波長変換部材は、第１の基板と、第１の基板の上に設けられており、量子ドットを含む第１の波長変換部とを有する第１の波長変換ユニットと、第２の基板と、第２の基板の上に設けられており、第１の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第２の波長変換部とを有し、第１の波長変換部と第２の波長変換部とが対向するように配された第２の波長変換ユニットと、を備える。

本発明に係る波長変換部材では、第１の波長変換部と第２の波長変換部とが異なる基板の上に設けられている。このため、第１の波長変換部からの発光波長及び発光強度と、第２の波長変換部からの発光波長及び発光強度を予め確かめた上で、第１及び第２の波長変換ユニットを組み立てることができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくし得る。

また、本発明に係る発光デバイスの製造方法は、波長変換部材と、波長変換部材に対して光を出射する光源とを備える発光デバイスの製造方法であって、第１の基板と、第１の基板の上に設けられており、量子ドットを含む第１の波長変換部とを有する第１の波長変換ユニットを用意する工程と、第２の基板と、第２の基板の上に設けられており、第１の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第２の波長変換部とを有する第２の波長変換ユニットを用意する工程と、第１及び第２の波長変換ユニットを第１の波長変換部と第２の波長変換部とが対向するように配して、波長変換部材を作製する作製工程と、を備える。

本発明に係る発光デバイスの製造方法では、作製工程に先立って、第１及び第２の波長変換ユニットの少なくとも一方を複数用意し、各波長変換ユニットの発光強度を測定する工程と、測定された発光強度に基づいて、複数の第１及び第２の波長変換ユニットのなかから、作製工程において組み合わせる第１及び第２の波長変換ユニットを決定する工程とをさらに備えていてもよい。この場合、所望する波長の出射光が得られる第１及び第２の波長変換ユニットを選択することができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを抑制し得る。

本発明に係る発光デバイスの製造方法では、作製工程に先立って、少なくともひとつの波長変換ユニットのエージングを行う工程をさらに備えていてもよい。この場合、エージングに伴う波長変換部の発光波長や発光強度の変化に起因する個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを抑制することができる。

本発明に係る発光デバイスの製造方法では、作製工程に先立って、第１及び第２の波長変換ユニットの少なくとも一方を複数用意し、複数の波長変換ユニットの少なくともひとつに対してエージングを行う工程と、エージング工程の後に、各波長変換ユニットの発光強度を測定する工程と、測定された発光強度に基づいて、複数の第１及び第２の波長変換ユニットの中から、作製工程において組み合わせる第１及び第２の波長変換ユニットを決定する工程とをさらに備えていてもよい。この場合、エージングに伴う波長変換部の発光波長や発光強度の変化に起因する個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきをより効果的に抑制することができる。

本発明によれば、複数種類の量子ドットを用いた発光デバイスであって、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくし得る構成を有する発光デバイスを提供することができる。

第１の実施形態に係る発光デバイスの模式的断面図である。 第２の実施形態に係る発光デバイスの模式的断面図である。 第３の実施形態に係る発光デバイスの模式的断面図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光デバイス１の模式的断面図である。

図１に示すように、発光デバイス１は、波長変換部材１０と、光源１１とを備えている。波長変換部材１０は、励起光が入射したときに、励起光とは波長が異なる波長の光を出射する部材である。

波長変換部材１０は、複数の波長変換ユニットを備えている。具体的には、波長変換部材１０は、第１の波長変換ユニット２１と、第２の波長変換ユニット２２とを備えている。

第１の波長変換ユニット２１と第２の波長変換ユニット２２とは、互いに間隔をおいて対向している。第１の波長変換ユニット２１は、第１の基板２１ａを有する。第１の基板２１ａは、例えば、ガラス板、セラミック板、樹脂板等により構成することができる。なかでも、第１の基板２１ａは、ガラス板又はセラミック板等の無機材料からなる板により構成されていることが好ましい。このように、第１の基板２１ａをガラス板又はセラミック板等の無機材料からなる板とすることで、光源１１からの出射される光や外部の雰囲気に対して劣化しにくく、透明性が低下することを抑えることができ、長期間に亘って変換効率を維持することができる。

第１の基板２１ａの上には、層状の第１の波長変換部２１ｂが配されている。具体的には、第１の基板２１ａの第２の波長変換ユニット２２側の表面の上に第１の波長変換部２１ｂが配されている。第１の波長変換部２１ｂは、第１の基板２１ａの周縁部を除いた実質的に全体の上に配されている。第１の基板２１ａの周縁部は、第１の波長変換部２１ｂから露出している。

第１の波長変換部２１ｂには、少なくとも１種の量子ドットが含まれている。第１の波長変換部２１ｂにおいて、量子ドットは、樹脂等の分散媒中に分散している。第１の波長変換部２１ｂは、量子ドット及び分散媒に加え、光散乱剤等のフィラーをさらに含んでいてもよい。光散乱剤の具体例としては、例えば、アルミナ粒子、チタニア粒子、シリカ粒子などの高反射無機化合物粒子及び高反射白色樹脂粒子等が挙げられる。このように、第１の波長変換部２１ｂに光散乱剤を含有させることで、波長変換部材１０における発光強度の面内ばらつきを小さくすることができる。

第１の波長変換ユニット２１の第１の波長変換部２１ｂの上方には、第２の波長変換ユニット２２が配されている。第２の波長変換ユニット２２は、第２の基板２２ａを有する。第２の基板２２ａは、第１の基板２１ａと対向している。第２の基板２２ａは、例えば、ガラス板、セラミック板、樹脂板等により構成することができる。なかでも、第２の基板２２ａは、ガラス板又はセラミック板等の無機材料からなる板により構成されていることが好ましい。このように、第２の基板２２ａをガラス板又はセラミック板等の無機材料からなる板とすることで、光源１１からの出射される光や外部の雰囲気に対して劣化しにくく、透明性が低下することを抑えることができ、長期間に亘って光の取り出し効率を維持することができる。

第２の基板２２ａの上には、第２の波長変換部２２ｂが配されている。具体的には、第２の基板２２ａの第１の波長変換ユニット２１側の表面の上に第２の波長変換部２２ｂが配されている。従って、第１の基板２１ａと第２の基板２２ａとは、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂを介して対向している。第２の波長変換部２２ｂは、第２の基板２２ａの周縁部を除いた実質的に全体の上に配されている。第２の基板２２ａの周縁部は、第２の波長変換部２２ｂから露出している。

本実施形態では、第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとは、相互に間隔をおいて設けられているが、本発明は、この構成に限定されない。第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとは、密着して設けられていてもよい。第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとを密着して設けることで、第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとの界面での反射を抑えることができ、光の取り出し効率を向上させることができる。

第２の波長変換部２２ｂには、少なくとも１種の量子ドットが含まれている。第２の波長変換部２２ｂは、第１の波長変換部２１ｂに含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含んでいる。第２の波長変換部２２ｂに含まれる量子ドットと、第１の波長変換部２１ｂに含まれる量子ドットとでは、発光波長が相互に異なる。すなわち、第１の波長変換部２１ｂには、第２の波長変換部２２ｂに含まれるいずれの量子ドットとも発光波長が異なる量子ドットが含まれている。

なお、「量子ドット」とは、励起光が入射したときに、励起光とは異なる波長の光を出射する。量子ドットから出射される光の波長は、量子ドットの粒子径に依存する。すなわち、量子ドットの粒子径を変化させることにより得られる光の波長を調整することができる。このため、量子ドットの粒子径は、得ようとする光の波長に応じた粒子径とされている。量子ドットの粒子径は、通常、２ｎｍ〜１０ｎｍ程度である。

例えば、波長３００ｎｍ〜４４０ｎｍの紫外〜近紫外の励起光を照射すると青色の可視光（波長４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの蛍光）を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が２．０ｎｍ〜３．０ｎｍ程度のＣｄＳｅ／ＺｎＳの微結晶などが挙げられる。波長３００ｎｍ〜４４０ｎｍの紫外〜近紫外の励起光や波長４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色の励起光を照射すると緑色の可視光（波長が５００ｎｍ〜５４０ｎｍの蛍光）を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が３．０ｎｍ〜３．３ｎｍ程度のＣｄＳｅ／ＺｎＳの微結晶などが挙げられる。波長３００ｎｍ〜４４０ｎｍの紫外〜近紫外の励起光や波長４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色の励起光を照射すると黄色の可視光（波長が５４０ｎｍ〜５９５ｎｍの蛍光）を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が３．３ｎｍ〜４．５ｎｍ程度のＣｄＳｅ／ＺｎＳの微結晶などが挙げられる。波長３００ｎｍ〜４４０ｎｍの紫外〜近紫外の励起光や波長４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色の励起光を照射すると赤色の可視光（波長が６００ｎｍ〜７００ｎｍの蛍光）を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が４．５ｎｍ〜１０ｎｍ程度のＣｄＳｅ／ＺｎＳの微結晶などが挙げられる。

発光デバイス１では、第１の基板２１ａと第２の基板２２ａとは、側壁部２３により接続されている。側壁部２３は、第１の基板２１ａの周縁部と、第２の基板２２ａの周縁部とを接続している。これら側壁部２３並びに第１及び第２の基板２１ａ、２２ａによってセル２４が構成されている。第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとは、セル２４内に配されている。具体的には、セル２４の内部空間２４ａ内に第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂが封止されている。このため、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂと、酸素や水分との接触を抑制することができる。従って、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂの劣化を抑制することができる。

側壁部２３は、例えば、ガラス、セラミックス、金属、ガラスやセラミックスの表面を金属層等でコーティングすることにより構成することができる。

なお、側壁部２３と、第１及び第２の基板２１ａ、２２ｂのそれぞれとは、溶接、陽極接合、半田等の無機接合材を用いた接合等により接合されていてもよい。

発光デバイス１は、光源１１を備えている。光源１１は、第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとに対して、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂの対向方向における一方側に配されている。具体的には、光源１１は、セル２４の外側、より具体的には、セル２４の第１の波長変換ユニット２１の外表面側に配されている。光源１１は、光源１１から出射した光が第１の波長変換ユニット２１を透過し、その後、第２の波長変換ユニット２２に入射するように配されている。

光源１１は、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂのそれぞれに対して量子ドットの励起光を含む光を出射する。光源１１は、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂに含まれる量子ドットの励起波長の光に加え、他の波長の光を含んでいてもよい。

光源１１は、例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）素子等により構成することができる。

発光デバイス１においては、光源１１から第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂに含まれる量子ドットの励起波長の光を含む光が第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂに対して出射される。このため、第１及び第２の波長変換部２１ｂ，２２ｂにおいて、励起光が吸収され、励起波長よりも長い波長の光が出射される。

発光デバイス１は、第１の波長変換部２１ｂに含まれる量子ドットの発光と、第２の波長変換部２２ｂに含まれる量子ドットの発光との混合光を出射してもよいし、第１の波長変換部２１ｂに含まれる量子ドットの発光と、第２の波長変換部２２ｂに含まれる量子ドットの発光と、光源１１から出射され、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂを透過した光との混合光が出射されてもよい。

発光デバイス１の製造方法は、特に限定されない。発光デバイス１は、例えば、以下の要領で製造することができる。

まず、第１の波長変換ユニット２１を用意する。具体的には、第１の基板２１ａの上に、第１の波長変換部２１ｂを形成する。第１の波長変換部２１ｂは、例えば、量子ドットを含むペーストを塗布し、乾燥させることにより形成することができる。

また、第２の波長変換ユニット２２を用意する。具体的には、第２の基板２２ａの上に、第２の波長変換部２２ｂを形成する。第２の波長変換部２２ｂは、例えば、量子ドットを含むペーストを塗布し、乾燥させることにより形成することができる。

次に、第１の波長変換ユニット２１と第２の波長変換ユニット２２とを、第１の基板２１ａと第２の基板２２ａとが対向するように配して、波長変換部材１０を作製する（作製工程）。

ところで、例えば、複数種類の量子ドットを用いた発光デバイスを作製する場合は、ひとつの波長変換部に全ての量子ドットを含ませることが考えられる。形成する波長変換部の数を少なくした方が波長変換部材の製造が容易となるためである。

しかしながら、本発明者らが鋭意研究した結果、ひとつの波長変換部材に全ての種類の量子ドットを含ませた場合は、個々の発光デバイス間における発光デバイスからの出射光の色調のばらつきが大きくなるという問題が生じ得ることが見出された。この原因としては、定かではないが、以下の理由が考えられる。複数種類の量子ドットを含む発光デバイスでは、各種ドットの発光効率が出射光の色調を大きく左右する。量子ドットは、エージングを行うことにより発光効率が変化する。エージングを行うことにより変化する発光効率の割合は、量子ドットの種類によって異なる。従って、複数種類の量子ドットを含む発光デバイスでは、エージングによる発光効率の変化割合をも考慮して複数種類の量子ドットの配合割合等を調整する必要がある。しかしながら、同種の量子ドットであっても、エージングによる発光効率の変化割合が異なる場合がある。従って、複数種類の量子ドットを含む発光デバイスから出射される光の色調を高精度に制御することは困難である。

発光デバイス１では、第１の波長変換部２１ｂが第１の基板２１ａの上に設けられている一方、第２の波長変換部２２ｂが第２の基板２２ａの上に設けられている。第１の波長変換部２１ｂと、第２の波長変換部２２ｂとが別体に設けられている。このため、第１の波長変換部２１ｂから出射される光の色調及び強度を予め測定することができる。また、第２の波長変換部２２ｂから出射される光の色調及び強度を予め推測し、調整することができる。従って、第１の波長変換ユニット２１と第２の波長変換ユニット２２とを組み立てて波長変換部材１０を製造する前に、製造される波長変換部材１０から出射される光の色調を予測することができる。その結果、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくすることができる。

個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきをより小さくする観点から、作製工程に先立って、第１及び第２の波長変換ユニット２１，２２の少なくとも一方を複数用意し、各波長変換ユニット２１，２２の発光強度を測定した後に、測定された発光強度に基づいて、複数の第１及び第２の波長変換ユニット２１，２２の中から、作製工程において組み合わせる第１の波長変換ユニット２１と第２の波長変換ユニット２２とを決定することが好ましい。そうすることによって、例えば、所望する色調の出射光に近い波長の出射光が得られる第１及び第２の波長変換ユニット２１，２２を選択することができる。その結果、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきをより小さくすることができる。

作製工程に先立って、少なくともひとつの波長変換ユニット２１，２２のエージングを行うことが好ましい。予めエージングを行うことによって、波長変換部材１０における波長変換ユニット２１，２２の発光の色調の経時変化を抑制することができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきをさらに小さくすることができる。

なお、「エージング」とは、波長変換ユニットに対して励起波長を含む光を所定の期間にわたって照射することを意味する。

出射光の色調の製造ばらつきをさらに小さくする観点からは、作製工程に先立って波長変換ユニット２１，２２の少なくとも一方を複数用意し、それらの波長変換ユニット２１，２２の少なくともひとつに対してエージング処理を行った後に、各波長変換ユニット２１，２２の発光強度を測定しておくことが好ましい。そうすることによって、発光波長が所望の発光波長域に属するような第１の波長変換ユニット２１と第２の波長変換ユニット２２との組み合わせを決定することができる。

以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態に係る発光デバイス１ａの模式的断面図である。

第１の実施形態では、セル２４の外側に光源１１が配されている例について説明した。ただし、本発明において、光源の配置は、特に限定されない。光源１１は、第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとのそれぞれに対して、第１及び第２の波長変換部２１ｂ、２２ｂの対向方向における一方側に配されていればよい。図２に示すように、例えば、第２の実施形態に係る発光デバイス１ａでは、光源１１は、セル２４内において、第１の基板２１ａと第１の波長変換部２１ｂとの間に配されている。このような場合であっても、第１の波長変換部２１ｂからの出射光の発光強度と、第２の波長変換部２２ｂからの出射光の発光強度とを第１及び第２の波長変換ユニット２１，２２の組み立て前に予め検査することができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを抑制することができる。

（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態に係る発光デバイス１ｂの模式的断面図である。

発光デバイス１ｂでは、第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとが密着している。この場合であっても、第１及び第２の実施形態と同様に、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを抑制することができる。

また、第１の波長変換部２１ｂと第２の波長変換部２２ｂとの間に存在する界面の数を低減することができる。従って、不所望な反射光の発生を抑制できる。その結果、波長変換部材１０からの光の取り出し効率を向上することができる。

１，１ａ，１ｂ 発光デバイス
１０ 波長変換部材
１１ 光源
２１ 第１の波長変換ユニット
２２ 第２の波長変換ユニット
２１ａ 第１の基板
２１ｂ 第１の波長変換部
２２ａ 第２の基板
２２ｂ 第２の波長変換部
２３ 側壁部
２４ セル

Claims (7)

1. 第１の基板と、前記第１の基板の上に設けられ、量子ドットを含む第１の波長変換部とを有する第１の波長変換ユニットと、
   第２の基板と、前記第２の基板の上に設けられ、前記第１の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第２の波長変換部とを有し、前記第１の波長変換部と前記第２の波長変換部とが対向するように配された第２の波長変換ユニットと、
   前記第１及び第２の波長変換部のそれぞれに対して前記量子ドットの励起光を出射する光源と、
   を備える、発光デバイス。
2. 前記第１の基板と前記第２の基板とを接続しており、前記第１及び第２の基板と共にセルを構成している側壁部をさらに備え、
   前記第１及び第２の波長変換部は、前記セル内に配されている、請求項１に記載の発光デバイス。
3. 第１の基板と、前記第１の基板の上に設けられており、量子ドットを含む第１の波長変換部とを有する第１の波長変換ユニットと、
   第２の基板と、前記第２の基板の上に設けられており、前記第１の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第２の波長変換部とを有し、前記第１の波長変換部と前記第２の波長変換部とが対向するように配された第２の波長変換ユニットと、
   を備える、波長変換部材。
4. 波長変換部材と、前記波長変換部材に対して光を出射する光源とを備える発光デバイスの製造方法であって、
   第１の基板と、前記第１の基板の上に設けられており、量子ドットを含む第１の波長変換部とを有する第１の波長変換ユニットを用意する工程と、
   第２の基板と、前記第２の基板の上に設けられており、前記第１の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第２の波長変換部とを有する第２の波長変換ユニットを用意する工程と、
   前記第１及び第２の波長変換ユニットを前記第１の波長変換部と前記第２の波長変換部とが対向するように配して、前記波長変換部材を作製する作製工程と、
   を備える、発光デバイスの製造方法。
5. 前記作製工程に先立って、前記第１及び第２の波長変換ユニットの少なくとも一方を複数用意し、
   前記各波長変換ユニットの発光強度を測定する工程と、
   前記測定された発光強度に基づいて、前記複数の第１及び第２の波長変換ユニットのなかから、前記作製工程において組み合わせる前記第１及び第２の波長変換ユニットを決定する工程と、
   をさらに備える、請求項４に記載の発光デバイスの製造方法。
6. 前記作製工程に先立って、少なくともひとつの前記波長変換ユニットのエージングを行う工程をさらに備える、請求項４又は５に記載の発光デバイスの製造方法。
7. 前記作製工程に先立って、前記第１及び第２の波長変換ユニットの少なくとも一方を複数用意し、前記複数の波長変換ユニットの少なくともひとつに対してエージングを行う工程と、
   前記エージング工程の後に、前記各波長変換ユニットの発光強度を測定する工程と、
   前記測定された発光強度に基づいて、前記複数の第１及び第２の波長変換ユニットのなかから、前記作製工程において組み合わせる前記第１及び第２の波長変換ユニットを決定する工程と、
   をさらに備える、請求項４に記載の発光デバイスの製造方法。

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