JP6814774B2 - Ledパッケージ - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 119
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 109
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 49
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H01L33/483—Containers
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- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Description
前記リフレクタの上側空間では前記キャビティの内側に突出し、前記下側空間では前記キャビティの外側に突出する段差を含み得る。
って固定され得る。
前記下部ガラスの上面と前記波長変換シートの底面との間及び前記上部ガラスの底面と前記波長変換シートの上面との間には、ガラス封止材、エポキシ、又はシリコーンを含む固形分が介在することが好ましい。
前記波長変換シートの波長変換材料は、QD(Quantum Dot)蛍光体であることが好ましい。
12 (第1)段差
13 上部壁
14 下部壁
20 波長変換パネル
21a 下部ガラス
21b 上部ガラス
22 波長変換シート
30 LEDチップ
31a、31b 電極パッド
40 樹脂材反射壁
60 メタルシーリング部
62 充填部
70 メタルめっき層
80 樹脂材側面密封部
121 第2段差
201 リセス
Claims (17)
- 内側にキャビティが形成され、前記キャビティの外側となる上部壁で形成された上側空間及び下部壁で形成された下側空間を含むリフレクタと、
前記リフレクタの下側空間に配置されたLEDチップと、
前記LEDチップの上端部を覆い、前記リフレクタの上側空間に形成され、上部ガラス及び下部ガラス、並びに前記上部ガラスと前記下部ガラスとの間に介在する波長変換シートを含む波長変換パネルと、
前記波長変換パネルの側面と前記リフレクタの上部壁との間に介在して、前記波長変換パネルと前記リフレクタとを連結するシーリング部と、を備え、
前記リフレクタは、前記LEDチップが配置され勾配を有する前記下側空間と、前記下側空間に連結されて垂直に延長された前記上側空間と、が前記キャビティを形成し、
前記上部ガラスと前記下部ガラスの面積は同一であり、前記波長変換シートの面積は前記上部ガラス及び前記下部ガラスの面積よりも小さいので、前記波長変換パネルの縁部にリセスが形成され、
前記シーリング部は前記リセスを埋めるように前記縁部を覆っていることを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記LEDチップは、下部に互いに異なる極性を有する一対の電極パッドが形成されたフリップチップ型LEDチップであり、前記一対の電極パッドは、PCB(Printed Circuit Board)上の一対の電極にボンディングされることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- 前記リフレクタの上側空間では前記キャビティの内側に突出し、前記下側空間では前記キャビティの外側に突出する段差を含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- 前記波長変換パネルの前記下部ガラスは、前記段差に接しながら前記シーリング部によって固定されることを特徴とする請求項3に記載のLEDパッケージ。
- 前記リフレクタの上側空間を形成する前記上部壁及び前記下側空間を形成する前記下部壁は、Ni、Cr、Ag、Al、Au、Zn、Sn、Ptのうちの少なくとも一つの金属を含む金属材質であることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- 前記シーリング部は、液状、パウダー又はゲル状の充填された熱伝導性金属が固体状態で固まって形成されたことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- 前記波長変換パネルの上部ガラスは、前記リフレクタの上部壁の上端よりも低い位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- 前記波長変換シートの波長変換材料は、QD(Quantum Dot)蛍光体であることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- 前記下部ガラスの上面と前記波長変換シートの底面との間及び前記上部ガラスの底面と前記波長変換シートの上面との間には、ガラス封止材、エポキシ、又はシリコーンを含む固形分が介在することを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- 内側にキャビティが形成され、前記キャビティの外側となる上部壁で形成された上側空間及び下部壁で形成された下側空間を含むリフレクタと、
前記リフレクタの下側空間に配置されたLEDチップと、
前記LEDチップの上端部を覆い、前記リフレクタの上側空間に形成され、上部ガラス及び下部ガラス、並びに前記上部ガラスと前記下部ガラスとの間に介在する波長変換シートを含む波長変換パネルと、
前記波長変換パネルの側面と前記リフレクタの上部壁との間に介在して、前記波長変換パネルと前記リフレクタとを連結するシーリング部と、を備え、
前記上部ガラスは、前記リフレクタの上部壁の上端よりも低い位置に配置され、前記下部ガラスは、前記リフレクタの下部壁の段差に配置され、
前記上部ガラスと前記下部ガラスの面積は同一であり、前記波長変換シートの面積は前記上部ガラス及び前記下部ガラスの面積よりも小さいので、前記波長変換パネルの縁部にリセスが形成され、
前記シーリング部は前記リセスを埋めるように前記縁部を覆っていることを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記シーリング部は、液状、パウダー又はゲル状の充填された熱伝導性金属が固体状態で固まって形成されたことを特徴とする請求項10に記載のLEDパッケージ。
- 前記リフレクタの上側空間を形成する前記上部壁及び前記下側空間を形成する前記下部壁は、Ni、Cr、Ag、Al、Au、Zn、Sn、Ptのうちの少なくとも一つの金属を含む金属材質であることを特徴とする請求項10に記載のLEDパッケージ。
- 前記LEDチップは、下部に互いに異なる極性を有する一対の電極パッドが形成されたフリップチップ型LEDチップであり、前記一対の電極パッドは、PCB(Printed Circuit Board)上の一対の電極にボンディングされることを特徴とする請求項10に記載のLEDパッケージ。
- 前記波長変換シートの波長変換材料は、QD(Quantum Dot)蛍光体であることを特徴とする請求項10に記載のLEDパッケージ。
- 前記下部ガラスの上面と前記波長変換シートの底面との間及び前記上部ガラスの底面と前記波長変換シートの上面との間には、ガラス封止材、エポキシ、又はシリコーンを含む固形分が介在することを特徴とする請求項10に記載のLEDパッケージ。
- 内側にキャビティが形成され、前記キャビティの外側となる上部壁で形成された上側空間及び下部壁で形成された下側空間を含むリフレクタと、
前記リフレクタの下側空間に配置されたLEDチップと、
前記LEDチップの上端部を覆い、前記リフレクタの上側空間に形成され、上部ガラス及び下部ガラス、並びに前記上部ガラスと前記下部ガラスとの間に介在する波長変換シートを含む波長変換パネルと、
前記波長変換パネルと前記リフレクタとを連結するシーリング部と、を備え、
前記上部ガラスと前記下部ガラスの面積は同一であり、前記波長変換シートの面積は前記上部ガラス及び前記下部ガラスの面積よりも小さいので、前記波長変換パネルの縁部にリセスが形成され、
前記シーリング部は、前記リセスを埋めるように前記縁部を覆い、前記波長変換パネルの側面から前記波長変換パネルの前記下部ガラスの底面まで延長されて形成されたことを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記LEDチップは、下部に互いに異なる極性を有する一対の電極パッドが形成されたフリップチップ型LEDチップであり、前記一対の電極パッドは、PCB(Printed Circuit Board)上の一対の電極にボンディングされることを特徴とする請求項16に記載のLEDパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170146590A KR20190051205A (ko) | 2017-11-06 | 2017-11-06 | 엘이디 패키지 |
KR10-2017-0146590 | 2017-11-06 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018016699A Division JP6415765B1 (ja) | 2017-11-06 | 2018-02-01 | Ledパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019087734A JP2019087734A (ja) | 2019-06-06 |
JP6814774B2 true JP6814774B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=64017165
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018016699A Active JP6415765B1 (ja) | 2017-11-06 | 2018-02-01 | Ledパッケージ |
JP2018187635A Active JP6814774B2 (ja) | 2017-11-06 | 2018-10-02 | Ledパッケージ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018016699A Active JP6415765B1 (ja) | 2017-11-06 | 2018-02-01 | Ledパッケージ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10586897B2 (ja) |
JP (2) | JP6415765B1 (ja) |
KR (1) | KR20190051205A (ja) |
WO (1) | WO2019088439A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109301053B (zh) * | 2018-11-09 | 2024-07-19 | 易美芯光(北京)科技有限公司 | 一种量子点led封装结构及其制造方法 |
JP7370274B2 (ja) * | 2020-02-18 | 2023-10-27 | 日機装株式会社 | 半導体パッケージ及び半導体発光装置 |
CN115188874B (zh) * | 2022-07-12 | 2023-05-09 | 珠海市宏科光电子有限公司 | 一种清晰、明亮的led光源及其制备方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59206869A (ja) | 1983-05-11 | 1984-11-22 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3131354B2 (ja) | 1994-09-02 | 2001-01-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4645071B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
JP2009071005A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sony Corp | 波長変換部材及びその製造方法、並びに、波長変換部材を用いた発光デバイス |
JP5092866B2 (ja) | 2008-04-18 | 2012-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | ディスプレイユニット及びその製造方法 |
TW201034256A (en) * | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
JP5374306B2 (ja) | 2009-09-30 | 2013-12-25 | 三菱電機株式会社 | 画像表示装置 |
JP5433399B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2014-03-05 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
KR101761857B1 (ko) * | 2011-01-25 | 2017-07-26 | 서울반도체 주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
WO2012132232A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
US10356946B2 (en) * | 2012-06-15 | 2019-07-16 | Kaneka Corporation | Heat dissipation structure |
JP6604543B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2019-11-13 | 株式会社タムラ製作所 | 発光装置 |
KR102264061B1 (ko) * | 2013-09-13 | 2021-06-14 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 플립-칩 led를 위한 프레임 기반 패키지 |
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KR101550779B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2015-09-18 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 |
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JP6577874B2 (ja) * | 2016-01-07 | 2019-09-18 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換フィルム |
-
2017
- 2017-11-06 KR KR1020170146590A patent/KR20190051205A/ko unknown
-
2018
- 2018-02-01 JP JP2018016699A patent/JP6415765B1/ja active Active
- 2018-09-05 WO PCT/KR2018/010337 patent/WO2019088439A1/ko active Application Filing
- 2018-10-02 JP JP2018187635A patent/JP6814774B2/ja active Active
- 2018-10-17 US US16/162,745 patent/US10586897B2/en active Active
-
2020
- 2020-01-29 US US16/775,539 patent/US20200168769A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190051205A (ko) | 2019-05-15 |
WO2019088439A1 (ko) | 2019-05-09 |
JP2019087715A (ja) | 2019-06-06 |
JP2019087734A (ja) | 2019-06-06 |
US20190140147A1 (en) | 2019-05-09 |
US20200168769A1 (en) | 2020-05-28 |
JP6415765B1 (ja) | 2018-10-31 |
US10586897B2 (en) | 2020-03-10 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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