CN1773738A - Led的制造方法 - Google Patents

Led的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1773738A
CN1773738A CNA2005101172311A CN200510117231A CN1773738A CN 1773738 A CN1773738 A CN 1773738A CN A2005101172311 A CNA2005101172311 A CN A2005101172311A CN 200510117231 A CN200510117231 A CN 200510117231A CN 1773738 A CN1773738 A CN 1773738A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
led
cover
resin
mentioned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005101172311A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100474644C (zh
Inventor
田中稔
田中智久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Publication of CN1773738A publication Critical patent/CN1773738A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100474644C publication Critical patent/CN100474644C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/0055—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated overflow cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C39/10—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. casting around inserts or for coating articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0026—Transparent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • B29L2011/0016—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

LED的制造方法。本发明的目的在于，提供通过将从LED芯片发出的光与从LED芯片发出并经荧光物质进行了波长转换的光的组合的加色混合，发出任意色调的光，而且光取出效率良好的高发光强度的LED的制造方法。在绝缘体(1)上形成了一对导体图形(2a)、(2b)的基板(3)上，形成以同一平面作为底面的第一罩(4)与第二罩(6)，在与一个导体图形(2a)连接的第一罩(4)底面的管芯焊接区(7)上安装LED芯片(10)，通过焊丝(11)连接LED芯片(10)的上侧电极与从另一导体图形(2b)延伸的引线焊接区(8)。而且，从第二罩(6)注入在透光性树脂中混入了荧光物质的荧光树脂(12)，充填到第一罩(4)内及第二罩(6)内，在各LED芯片(10)的上方形成由透光性树脂构成的透镜(14)。

Description

LED的制造方法
技术领域
本发明涉及LED的制造方法，详细地说，涉及通过将从LED芯片发出的光与从LED芯片发出并经荧光物质进行了波长转换的光的组合的加法混色，从而发出任意色调的光的LED的制造方法。
背景技术
为了实现以发出具有陡峻光谱分布的光的LED芯片作为光源来发射白色光的LED装置，通过将从LED芯片发出的光与被从LED芯片发出的光激发的荧光物质所发出的进行了波长转换的光的加法混色是可能的。
例如，在LED芯片所发出的光是蓝色光的情况下，通过使用被蓝色光激发、进行波长转换得到蓝色的补色的黄色光的荧光物质，通过从LED芯片发出的蓝色光与被从LED芯片发出的蓝色光激发的荧光物质所发出的进行了波长转换的黄色光的加法混色，能够得到白色光。
同样地，在LED芯片所发出的光是蓝色光的情况下，通过混合使用被蓝色光激发、进行波长转换分别得到绿色光及红色光的2种荧光物质，通过从LED芯片发出的蓝色光与被从LED芯片发出的蓝色光激发的2种荧光物质所发出的进行了波长转换的绿色光及红色光的加法混色，能够得到白色光。
此外，在LED芯片发出的光是紫外线的情况下，通过混合使用被紫外线激发、分别进行波长转换得到蓝色光、绿色光及红色光的3种荧光物质，通过被从LED芯片发出的紫外线激发的3种荧光物质发出的波长转换了的蓝色光、绿色光及红色光的加法混色，能够得到白色光。
进而，通过将从LED芯片发出的发光色与成为波长转换构件的荧光物质适当组合，能够得到白色光以外的各种色调的光。
如上所述，在用从光源发出的光激发荧光物质进行波长转换，发射与从光源发出的光不同色调的光的LED中；有例如图4所示的LED。这是在绝缘基板的表面上形成有一对导体图形50、51的两面通孔基板52上形成研钵形状的凹部53，一个导体图形50在形成上述凹部53的底面54的同时，构成背面侧的一个电极部，在表面侧形成的另一导体图形51通过通孔55绕进到背面侧，构成背面侧的另一个电极部。
而且，通过导电性粘结剂将LED芯片56安装在凹部53的底面54的导体图形50上，实现LED芯片56的下侧电极与导体图形50的电导通，通过焊丝57连接LED芯片56的上侧电极与导体图形51，实现LED芯片56的上侧电极与导体图形51的电导通。
进而，在安装了LED芯片56的凹部53内，充填混入了由荧光物质构成的波长转换用材料的第1树脂58，掩埋并密封LED芯片56，用以环氧系的透光性树脂为主成分的第二树脂59，对包含上述凹部53的两面通孔基板52的上方进行树脂密封，在中央部一体形成半球形状的聚光透镜60(例如，参照专利文献1)。
此外，还有在专利文献2中作为现有技术所记述的方法。这如图5所示，通过银粘结剂膏将LED芯片73安装在绝缘基板的表面、形成有从上述绝缘基板的表面侧通过侧面绕进到背面侧的一对导体图形70、71的布线基板72的一个导体图形70上。而且，通过焊丝74连接在LED芯片73的上侧形成的一对电极中的一方与安装了上述LED芯片73的导体图形70，以实现电导通，通过焊丝75连接在LED芯片73的上侧形成的一对电极中的另一个与导体图形71，以实现电导通。而且，通过在由环氧树脂等构成的透光性树脂中包含了荧光物质76的密封树脂77，密封LED芯片73及焊丝74、75(例如，参照专利文献2)
[专利文献1]特开2002-324917号公报
[专利文献2]特开2003-258310号公报
在上述结构的现有的LED中，前者通过将混入了波长变换用材料的第1树脂充填到上述凹部内以掩埋并密封安装在凹部内的LED芯片。因此，LED芯片的光出射面与第1树脂直接接触，因LED芯片的光出射面上的第1树脂的厚度不同，从LED芯片发出并在第1树脂内被导光的光的色调直接地发生变化。因此，为了确保从LED芯片发射的光的色调均匀而且再现性良好，在凹部充填的第1树脂的量的控制就成为重要的因素。
但是，在LED中一般要求的要件之一可举出小型化。因此，试图竭力减小安装LED芯片的凹部的尺寸，但在这种情况下，充填到凹部内的第1树脂的量极少，充填量的控制及再现性非常难。
此外，作为在凹部内充填第1树脂的方法，一般使用配制器等液体定量排出装置，将从其喷嘴排出的一定量的树脂充填到凹部内，而在安装在凹部的大致中心处的LED芯片上，设置有延伸到凹部的开口部的上方并横截上述开口部的焊丝，因此，从液体定量排出装置的喷嘴排出的树脂受焊丝阻碍，向凹部的注入变得不可靠，其注入量不得不成为不稳定的量。
另一方面，后者在加热固化密封树脂时，由于构成密封树脂的透光性树脂与荧光物质的比重差，比重比透光性树脂大的荧光物质沉降下来，难以使密封树脂内的荧光物质均匀分散，此外，也难以高精度地且再现性良好地确保构成密封树脂的透光性树脂与荧光物质的混合比率。其结果是，作为LED，向外部(大气中)发射的光的色调的均匀性受到损害，在LED产品之间也产生色调偏差。
在这样结构的LED中，在LED芯片的光轴上的光出射面上形成凸状聚光透镜的情况下，由于从LED芯片发出的光被混入密封树脂的荧光物质漫射，因而得不到透镜的聚光效应。
发明内容
因此，本发明是鉴于上述问题而首创的，在于提供产品之间色调偏差少、光取出效率良好、高发光强度的LED的制造方法。
为解决上述课题，本发明第1方面记述的发明的特征在于，包含：准备以规定的间隔设置多个凹状的罩，通过空间连通区使相互邻接的上述罩在空间上连通获取多个罩的基板的工序；将LED芯片安装在上述罩内的工序；将混入了荧光物质的透光性树脂从上述空间连通区的至少一个以上部位注入，充填到上述罩及空间连通区中，掩埋安装在上述罩内的LED芯片的工序；以及用透光性树脂在上述基板上以规定的形状进行树脂密封的工序。
此外，本发明第2方面记述的发明的特征在于：在上述第1方面中，在沿与上述基板平行的面切割上述罩时，该罩的剖面略呈圆形。
此外，本发明第3方面记述的发明的特征在于：在上述第1或者第2方面的任何一项中，在沿与上述基板平行的面切割上述空间连通区时，该空间连通区的剖面略呈圆形。
此外，本发明第4方面记述的发明的特征在于：在上述第1至3方面的任何一项中，上述树脂密封是在上述LED芯片的辐射方向上形成以该各LED芯片的光轴为大致中心的凸状的透镜。
此外，本发明第5方面记述的发明的特征在于：在上述第4方面中，上述透镜是球面透镜及非球面透镜中的一种。
本发明的LED的制造方法为，在安装LED芯片的基板中，避开安装了LED芯片的凹状的罩的上方，从空间上连通了相互邻接的罩的空间连通区，注入在透光性树脂中混入了荧光物质的荧光树脂，通过树脂的自然流动来掩埋并密封LED芯片。
其结果是，荧光树脂的注入不受焊丝妨碍，能够可靠地对安装在罩内的LED芯片进行树脂密封。
此外，由于荧光树脂从空间连通区自然流动，向各罩及整个空间连通区扩散，树脂的高度在整体上被均匀化。因此，在各罩内定量地充填荧光树脂，安装在各罩内的各LED芯片的光出射面上的荧光树脂的厚度也变得均匀，起到实现产品之间的色调偏差少的LED的作用。
此外，由于所有的罩及空间连通区连接起来，作为整体荧光树脂的充填容积增大，即使荧光物质的注入量产生若干误差，由于被分散到全体上，对充填到各罩中的树脂量的误差几乎没有影响。就是说，能够容易地提高对罩的荧光树脂充填量的误差精度，而且，同样地也能够容易地提高各罩间的充填量的误差精度。因此，能够起到实现产品之间色调偏差少的LED的作用，同时，也能够在各个LED中以良好的精度实现所希望的色调的光。
此外，由于从空间连通区注入的荧光树脂通过自然流动扩散到各罩及空间连通区罩的全体中，通过一次注入就将荧光树脂充填到所有的罩内，因此，可通过改善工作效率来实现生产率的提高。
进而，通过在安装了LED芯片的罩的上方形成由透光性树脂构成的聚光透镜，使从LED芯片射出、发射到LED的外部(大气中)的光在一个方向上聚集，具有提高LED的轴上发光强度，同时，能够得到规定的发光强度分布等优点。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的LED的制造方法的工序图。
图2是用俯视图表示图1所示的LED的制造工序的图，(a)是图1(a)的工序的俯视图，(b)是图1(b)的工序的俯视图。
图3是用本发明的实施方式的LED的制造方法制造的LED的透视图。
图4是表示用现有的制造方法制造的LED的透视图。
图5是表示用现有的其他制造方法制造的LED的纵剖面图。
其中：
1         绝缘体
2a、2b    导体图形
3         基板
4         第1罩
5         底面
6         第2罩
7         管芯焊接区
8         引线焊接区
9         导电性粘结剂
10        LED芯片
11        焊丝
12        荧光树脂
13        喷嘴
14        透镜
15        树脂密封
具体实施方式
以下，参照图1至图3，详细说明本发明的优选的实施方式(对同一部分标注相同符号)。再有，由于以下所述的实施方式是本发明的优选的具体例子，因而在技术上带有种种优选的限定，但在以下的说明中，本发明的范围只要没有特别限定本发明的宗旨的记述，就不限于这些实施方式。
图1(a)～(e)是表示本发明的LED制造工序的剖面图。图2(a)是图1(a)的工序的俯视图，图2(b)是图1(b)的工序的俯视图。
首先，准备具有多个LED区域的如图1(a)及图2(a)所示的可获取多个LED的基板。该基板3在由绝缘构件构成的绝缘部1的表面上形成对置的一对导体图形2a、2b，各导体图形2a、2b被形成为沿基板3的表面侧的长边方向从边缘部经侧面侧绕进到背面侧的状态。
此外，在基板的表面侧，在被对置形成的一对导体图形2a、2b夹持且沿基板3的长边方向的位置上，保持恒定的间隔形成大致为同一形状及大致为同一尺寸的多个凹状的第一罩4。
而且，在相互邻接的第一罩4之间，形成使底面5的深度与第一罩4大致相同的凹状的第二罩6，第一罩4与第二罩6通过底面连结起来。
进而，至少在各第一罩4的底面5上形成由导体图形构成的管芯焊接区7，通过从在基板3的表面侧的边缘部形成的一对导体图形2a、2b中的一方的导体图形2a延伸的导体图形2c连接起来。从一对导体图形2a、2b中的另一方的导体图形2b，形成向着大致为第一罩4方向延伸的引线焊接区8。
接着，如图1(b)及图2(b)所示，通过导电性粘结剂9将LED芯片10安装在形成于上述基板3上的各第一罩4底面5的管芯焊接区7上，使LED芯片10的下侧电极与在罩底面上形成的管芯焊接区7电导通。LED芯片10的上侧电极通过焊丝11与引线焊接区8连接，使LED芯片10的上侧电极与引线焊接区8电连接。
接着，如图1(c)所示，使用配制器等液体定量排出装置(没有图示)，将在透光性树脂中混入了荧光物质的荧光树脂12充填在安装了LED芯片的第一罩4内及第二罩6内。在这种情况下，排出荧光树脂12的液体定量排出装置的喷嘴13并不在安装了LED芯片10的第一罩4的上方，而是插入并位于在成为荧光树脂12的注入口的第二罩6内的前端部，通过从第二罩6内注入荧光树脂12，从第二罩6内通过自然流动缓慢扩散到整体。而且，在用荧光树脂12按规定的量填满所有的第一罩4及第二罩6的时刻，停止荧光树脂12的注入，然后进行加热固化。
该工序是用于将荧光树脂12充填到包封了LED芯片10的第一罩4内，并用荧光树脂12掩埋并密封LED芯片的工序。一般来说，采用将荧光树脂12直接注入到第一罩4内的方法，但在安装于第一罩4的大致中心处的LED芯片10中，配置延伸到罩的开口部的上方、横截上述开口部的焊丝11，因此，从液体定量排出装置的喷嘴13排出的荧光树脂受焊丝11阻碍，向第一罩4内的注入变得不可靠，注入量不得不成为不稳定的量。
因此，在本发明的实施方式中，使排出荧光树脂12的喷嘴13避开包封了LED芯片10的第一罩4上方，而将喷嘴13的前端部插入到其底面5与第一罩4连结起来的第二罩6内，使荧光树脂12从第二罩6内注入，通过自然流动从第二罩6内扩散到全体。其结果是，没有受焊丝11阻碍，能够可靠地对LED芯片进行树脂密封。
此外，由于从第二罩6内注入的荧光树脂12通过自然流动扩散，树脂的高度整体上变得均匀。因此，荧光树脂12被定量地充填到各第一罩4内，安装在各第一罩4内的各LED芯片10的光射出面上的荧光树脂12的厚度也变得均匀，起到实现了产品之间色调偏差少的LED的作用。
进而，由于所有的第一罩4及第二罩6连结，在整体上荧光树脂的充填容积增大，即使荧光树脂12的注入量产生若干误差，由于被分散到全体，对充填到各第一罩4中的树脂量的误差几乎没有影响。也就是说，容易提高对各第一罩4的荧光树脂12的充填量的误差精度，而且，各第一罩4之间的充填量的误差精度也同样地容易提高。因此，与上述同样地，在起到实现了产品之间的色调偏差少的LED的作用的同时，对各个LED来说，也能够以良好的精度实现所希望的色调的光。
接着，如图1(d)所示，用透光性树脂在各LED芯片10的辐射方向上，形成以各LED芯片10的光轴为大致中心的凸状的聚光透镜14，对焊丝11进行树脂密封15，然后进行加热固化。
聚光透镜是球面透镜及非球面透镜中的一种，进行适当选择和设计，使得从LED发射的光能够实现所要求的发光强度分布。
用透光性树脂对焊丝11进行树脂密封的目的是保护焊丝免受机械的振动和冲击等外部应力的影响，用透光性树脂形成聚光透镜的目的是，使从LED芯片射出并发射到LED的外部(大气中)的光聚集到一个方向上，以提高LED的轴发光强度，同时，能够得到规定的发光强度分布。
最后，如图1(e)所示，通过切割或者划片，将以可获取多个LED的基板为基础而被多个连结在一起设置并完成的LED切断，分离成各个LED。
图3是表示分离后的1个LED的透视图。在绝缘体1的表面上形成从表面侧经侧面侧绕进到背面侧的一对导体图形2a、2b，在与一对导体图形2a、2b的一个导体图形2a连接的第一罩4底面的管芯焊接区7上，安装LED芯片10，通过焊丝11连接LED芯片10的上侧电极与从一对导体图形2a、2b的另一导体图形2b延伸出来的引线焊接区8。而且，在安装了LED芯片10的第一罩4内及底面5与第一罩4连结起来的第二罩6内，充填在透光性树脂中混入了荧光物质的荧光树脂12，在其上方形成以各LED芯片10的光轴为大致中心的凸状的聚光透镜14，通过透光性树脂进行树脂密封15。
再有，在本实施方式中，使设置在相互邻接的第一罩之间的第二罩沿与基板面平行的面切断的剖面形成为大致的圆形，但只要相互邻接的第一罩之间的底面连结起来，对形状不作限定，将相互邻接的第一罩彼此之间连结起来的部分在沿与基板面平行的面切断该部分的剖面形状是在考虑了基板的制造方法、第一罩的尺寸、液体定量排出装置的喷嘴直径、荧光树脂的粘度等后，从一条或者多条曲线的组合以及/或者是一条或者多条直线的组合中进行选择、设计的剖面形状。
此外，注入荧光树脂的液体定量排出装置的喷嘴数目不限定于一个，也能够配置多个喷嘴同时从多个部位进行注入。通过这样做，能够实现缩短注入时间，提高工作效率。
如上所述，按照本发明的LED的制造方法，在具有多个LED区域的可获取多个LED的基板上，形成包封LED芯片的多个第一罩，在第一罩之间形成第二罩，使得相互邻接的第一罩的底面连结起来。而且，在将液体定量排出装置的喷嘴前端插入到第二罩内的状态下，注入在透光性树脂中混入了荧光物质的荧光树脂。
其结果是，由于避免从包封了LED芯片的第一罩上方注入荧光树脂而从第二罩内注入，通过自然流动从第二罩内扩散到全体，因而，荧光树脂的注入不受焊丝阻碍，能够可靠地对安装在第一罩中的LED芯片进行树脂密封。
此外，由于从第二罩注入的荧光树脂通过自然流动扩散到所有各第一罩及第二罩中，树脂的高度在整体上变得均匀。因此，向各第一罩内定量地充填荧光树脂，安装在各第一罩内的各LED芯片的光射出面上的荧光树脂的厚度也变得均匀，起到实现产品之间的色调偏差少的LED的作用。
此外，由于所有的第一罩4及第二罩连结，所以在整体上荧光树脂的充填容积增大，即使荧光树脂的注入量产生若干误差，由于被分散到全体，对充填到各第一罩中的树脂量的误差几乎不产生影响。也就是说，能够容易地提高对第一罩的荧光树脂的充填量的误差精度，而且，也能够同样容易地提高各第一罩之间的充填量的误差精度。因此，起到用于实现产品之间的色调偏差少的LED的作用，同时，对各个LED来说，也能够以良好的精度实现所希望的色调的光。
此外，由于从第二罩注入的荧光树脂通过自然流动扩散到所有第一罩及第二罩中，通过一次注入就将荧光树脂充填到所有的第一罩内，因此，能够通过改善工作效率实现提高生产率。
通过在安装了LED芯片的第一罩上方形成透光性树脂的聚光透镜，将从LED芯片射出并发射到LED外部(大气中)的光集中到一个方向上，起到能够提高LED的轴发光强度、同时得到规定的发光强度分布等卓越的效果。

Claims (5)

1.一种LED的制造方法，其特征在于：
包含下述工序：
准备以规定的间隔设置多个凹状的罩，通过空间连通区使相互邻接的上述罩在空间上连通的获取多个罩的基板的工序；
将LED芯片安装在上述罩内的工序；
将混入了荧光物质的透光性树脂从上述空间连通区的至少一个以上部位注入，充填到上述罩及空间连通区中，掩埋安装在上述罩内的LED芯片的工序；以及
用透光性树脂在上述基板上以规定的形状进行树脂密封的工序。
2.如权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于：
在沿与上述基板平行的面切割上述罩时，该罩的剖面略呈圆形。
3.如权利要求1或者2中的任何一项所述的LED的制造方法，其特征在于：
在沿与上述基板平行的面切割上述空间连通区时，该空间连通区的剖面略呈圆形。
4.如权利要求1至3中的任何一项所述的LED的制造方法，其特征在于：
上述树脂密封是在上述LED芯片的辐射方向上形成以该各LED芯片的光轴为大致中心的凸状的透镜。
5.如权利要求4所述的LED的制造方法，其特征在于：
上述透镜是球面透镜及非球面透镜中的一种。
CNB2005101172311A 2004-11-10 2005-10-31 Led的制造方法 Expired - Fee Related CN100474644C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004326276 2004-11-10
JP2004326276A JP4627177B2 (ja) 2004-11-10 2004-11-10 Ｌｅｄの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1773738A true CN1773738A (zh) 2006-05-17
CN100474644C CN100474644C (zh) 2009-04-01

Family

ID=36385557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101172311A Expired - Fee Related CN100474644C (zh) 2004-11-10 2005-10-31 Led的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7300326B2 (zh)
JP (1) JP4627177B2 (zh)
KR (1) KR101217660B1 (zh)
CN (1) CN100474644C (zh)
DE (1) DE102005053217A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101900264A (zh) * 2010-03-11 2010-12-01 陕西科技大学 一种高散热型大功率led一体化封装灯具
CN101567365B (zh) * 2008-04-24 2011-03-30 宏齐科技股份有限公司 具有高效率散热基板的发光芯片封装结构及其封装方法
US8039848B2 (en) 2006-08-21 2011-10-18 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device substrate strips and packaged semiconductor light emitting devices
CN102810622A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 三星电子株式会社 发光装置透镜、发光装置模块及发光装置模块的制造方法
TWI560909B (zh) * 2013-05-17 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh
CN110391326A (zh) * 2018-04-17 2019-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 侧面发光型发光二极管封装结构

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201403859A (zh) 2005-02-18 2014-01-16 Nichia Corp 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
JP5157357B2 (ja) * 2007-10-10 2013-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージの集合構造体およびその製造方法、ならびに発光装置の製造方法
JP5340583B2 (ja) * 2007-11-26 2013-11-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR100986211B1 (ko) 2008-01-04 2010-10-07 주식회사 이츠웰 금속기판과 금속기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한표면실장형 엘이디 패키지
CN101752468B (zh) * 2008-12-17 2011-05-25 四川柏狮光电技术有限公司 Led荧光粉悬浮制造工艺
JP5406540B2 (ja) * 2009-01-23 2014-02-05 株式会社小糸製作所 光源モジュール、車輌用灯具及び光源モジュールの製造方法
JP5582048B2 (ja) 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN102446671B (zh) * 2011-12-20 2014-08-27 安徽华东光电技术研究所 电真空器件的灌封工艺
CN103943768A (zh) * 2013-01-22 2014-07-23 立诚光电股份有限公司 发光二极管装置及散热基板的制造方法
KR102145920B1 (ko) * 2014-06-05 2020-08-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102285432B1 (ko) * 2014-11-18 2021-08-04 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
USD758977S1 (en) * 2015-06-05 2016-06-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
USD845252S1 (en) * 2017-02-24 2019-04-09 Citizen Electronics Co., Ltd. Switch
USD810035S1 (en) * 2017-03-10 2018-02-13 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
CN108807652B (zh) * 2017-04-28 2023-03-21 日亚化学工业株式会社 发光装置
DE102018104382A1 (de) 2018-02-27 2019-08-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und herstellungsverfahren

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US831311A (en) * 1906-01-26 1906-09-18 Gregory Strootman Lamp shade and protector.
DE723479C (de) 1937-03-06 1942-08-05 Der Kohlenwertstoff Verbaende Kuehlvorrichtung fuer in einem Glaskoerper eingeschlossene Lichtquelle
US5055892A (en) * 1989-08-29 1991-10-08 Hewlett-Packard Company High efficiency lamp or light accepter
JP2981370B2 (ja) * 1993-07-16 1999-11-22 シャープ株式会社 Ｍｉｄチップ型発光素子
JP2994219B2 (ja) * 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1993152B1 (de) * 1996-06-26 2014-05-21 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6613247B1 (en) * 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
JP3065263B2 (ja) 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器
JP3367096B2 (ja) * 1999-02-02 2003-01-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP3447604B2 (ja) * 1999-02-25 2003-09-16 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP3604298B2 (ja) * 1999-02-25 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
WO2001008452A1 (de) * 1999-07-23 2001-02-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle
JP2001127346A (ja) 1999-10-22 2001-05-11 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2001168400A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
JP2001196639A (ja) 2000-01-12 2001-07-19 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光素子及びその製造方法
JP2001210872A (ja) 2000-01-26 2001-08-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2001345483A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
JP2002324917A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4789350B2 (ja) * 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP4039552B2 (ja) 2002-03-01 2008-01-30 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオードの製造方法
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
US6599768B1 (en) * 2002-08-20 2003-07-29 United Epitaxy Co., Ltd. Surface mounting method for high power light emitting diode
WO2004081140A1 (ja) * 2003-03-13 2004-09-23 Nichia Corporation 発光膜、発光装置、発光膜の製造方法および発光装置の製造方法
US20070001177A1 (en) 2003-05-08 2007-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated light-emitting diode system
CN101392887A (zh) 2004-07-27 2009-03-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括灯单元和反射器的照明设备

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8039848B2 (en) 2006-08-21 2011-10-18 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device substrate strips and packaged semiconductor light emitting devices
CN101132044B (zh) * 2006-08-21 2012-05-23 克里公司 半导体发光器件封装方法以及模制的半导体发光器件条
US8410491B2 (en) 2006-08-21 2013-04-02 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device substrate strips and packaged semiconductor light emitting devices
CN101567365B (zh) * 2008-04-24 2011-03-30 宏齐科技股份有限公司 具有高效率散热基板的发光芯片封装结构及其封装方法
CN101900264A (zh) * 2010-03-11 2010-12-01 陕西科技大学 一种高散热型大功率led一体化封装灯具
CN102810622A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 三星电子株式会社 发光装置透镜、发光装置模块及发光装置模块的制造方法
TWI560909B (zh) * 2013-05-17 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh
CN110391326A (zh) * 2018-04-17 2019-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 侧面发光型发光二极管封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
KR101217660B1 (ko) 2013-01-02
JP4627177B2 (ja) 2011-02-09
US7300326B2 (en) 2007-11-27
CN100474644C (zh) 2009-04-01
JP2006140197A (ja) 2006-06-01
US20060103302A1 (en) 2006-05-18
DE102005053217A1 (de) 2006-06-14
KR20060049335A (ko) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1773738A (zh) Led的制造方法
KR101204115B1 (ko) 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
CN1237631C (zh) Led器件
CN100514687C (zh) 带有荧光变换元件的辐射半导体组件
US6834977B2 (en) Light emitting device
CN101944567B (zh) 发光装置
US6936852B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
CN1929159B (zh) 半导体发光装置
US20060193121A1 (en) Light-emitting diode device and method of manufacturing thereof
CN1871714A (zh) 半导体光发射装置及其制造方法
CN1523683A (zh) 发光装置
JP5947478B2 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
CN102468417B (zh) 发光装置封装件及其制造方法
JP6276557B2 (ja) Ｌｅｄ発光装置
CN102057508B (zh) 带有球冠状颜色转换层的发光二极管模块
CN1969369A (zh) 发光二极管元件
US20080031009A1 (en) Light emitting apparatus
KR20100004889A (ko) 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
JP2003234511A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
CN102201504A (zh) 发光器件和具有发光器件的照明单元
US20100276713A1 (en) Led device and packaging method thereof
KR20080055549A (ko) Ｌｅｄ 패키지 제조방법
JP2008071793A (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP4858867B2 (ja) Ｌｅｄ及びその製造方法
CN101064301A (zh) 半导体发光设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090401

Termination date: 20181031

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee