JP2008071793A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】個々の光半導体装置において出射される光の色度のばらつきがなく、また、光の出射方向による色度のばらつきのない光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置において、凹部3を有する外囲器2と、凹部3内に収容されて通電部4、5に接続される発光素子6と、凹部3内に収容されて発光素子6を封止する複数の透光性樹脂層9a、9b、9cとを備え、複数の透光性樹脂層9a、9b、9cは、発光素子6に接する透光性樹脂10を有する第1透光性樹脂層9aと、第1透光性樹脂層9aに積層されて光散乱粒子11とこの光散乱粒子11が混合される透光性樹脂12とを有する第2透光性樹脂層9bと、第2透光性樹脂層9bに積層されて蛍光体粒子13とこの蛍光体粒子13が混合される透光性樹脂15とを有する第3透光性樹脂層9cとを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、光半導体装置及びその製造方法に関し、特に、LED等の発光素子を光源とする光半導体装置及びその製造方法に関する。
下記特許文献1に記載されているように、LED等の発光素子から出射される光と、この光により励起されてLED等から出射された光と異なる色の光を出射する蛍光体粒子とを用い、所望する色の光を得るようにした光半導体装置の発明が知られている。
蛍光体粒子は透光性樹脂中に混合され、蛍光体粒子が混合された透光性樹脂により発光素子が封止されている。
この発明によれば、発光素子として青色光を出射するLEDを用い、青色光により励起されて黄色光を出射する蛍光体粒子を用いることにより、青色光と黄色光とが混合されて白色光を得ることができる。
特開2005−235847号公報
しかしながら、上述した光半導体装置においては、以下の点について配慮がなされていない。
上記特許文献に記載された光半導体装置によれば、蛍光体粒子は透光性樹脂の中に均等に混合されていることを前提としているが、実際には、蛍光体粒子が自重によりって沈降し、透光性樹脂中での混合状態がばらつきを生じる。具体的には、図4に示すような状態が発生する。図4に示した光半導体装置の構造について、以下に説明する。
外囲器100の中央部に凹部101が形成され、この凹部101内に発光素子であるLED102が収容されている。なお、外囲器100の凹部101の底部には、リードフレームのリード端子103、104が通電部として配置されている。LED102は、一方のリード端子103に銀ペースト105により接続され、他方のリード端子104に金ワイヤ106により接続されている。
凹部101内には透光性樹脂107が収容され、この透光性樹脂107によってLED102が封止されている。透光性樹脂107の中には、蛍光体粒子108が混合されている。
蛍光体粒子108は、透光性樹脂107の中に均等に混合されていることが望ましい。しかし、透光性樹脂107が凹部101に収容されてから加熱されて硬化されるまでの間に、自重により沈降し、LED102の周囲に集まる。これにより、LED102に対する蛍光体粒子108の配置状態が、個々の光半導体装置によりばらつきを生じる。
このため、個々の光半導体装置において、LED102に対する蛍光体粒子108の配置状態がばらつくことにより、LED102から出射された光により励起されて蛍光体粒子108から出射される光が各光半導体装置においてばらつきを生じる。これにより、LED102から出射された光と蛍光体粒子108から出射された光とを混合して得られる光の色度が、各光半導体装置においてばらつきを生じ、光半導体装置の歩留まりが低下する。
また、LED102の周囲における蛍光体粒子108の配置状態を制御することができないため、光半導体装置から出射される光の色度が、出射方向により変化するという問題が生じる。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、その目的は、個々の光半導体装置において出射される光の色度のばらつきがなく、また、光の出射方向による色度のばらつきのない光半導体装置及びその製造方法を提供することである。
本発明の実施の形態に係る第1の特徴は、光半導体装置において、凹部を有する外囲器と、前記凹部内に収容され、通電部に接続される発光素子と、前記凹部内に収容され、前記発光素子を封止する複数の透光性樹脂層と、を備え、前記複数の透光性樹脂層は、前記発光素子に接する透光性樹脂を有する第1透光性樹脂層と、前記第1透光性樹脂層に積層され、光散乱粒子とこの光散乱粒子が混合される透光性樹脂とを有する第2透光性樹脂層と、前記第2透光性樹脂層に積層され、蛍光体粒子とこの蛍光体粒子が混合される透光性樹脂とを有する第3透光性樹脂層と、を備えることである。
本発明の実施の形態に係る第2の特徴は、光半導体装置の製造方法において、外囲器の凹部内に発光素子を収容して通電部に接続する工程と、前記凹部内に透光性樹脂を収容して前記発光素子と前記通電部とを封止する第1透光性樹脂層を形成する工程と、前記第1透光性樹脂層を仮硬化させる工程と、仮硬化された前記第1透光性樹脂層の上に、光散乱粒子とこの光散乱粒子が混合される透光性樹脂とを有する第2透光性樹脂層を積層する工程と、前記第2透光性樹脂層を仮硬化させる工程と、仮硬化された前記第2透光性樹脂層の上に、蛍光体粒子とこの蛍光体粒子が混合される透光性樹脂とを有する第3透光性樹脂層を積層する工程と、前記第3透光性樹脂層を仮硬化させる工程と、仮硬化された前記第1透光性樹脂層と前記第2透光性樹脂層と前記第3透光性樹脂層とを一括して完全硬化させる工程と、を備えることである。
本発明によれば、出射される光の色度のばらつきがなく、しかも、光の出射方向による色度のばらつきのない光半導体装置を提供することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面を用いて説明する。
本発明の一実施の形態に係る光半導体装置1は、図1に示すように、非透光性の樹脂により成型された外囲器2を有し、外囲器2の中央部には凹部3が形成されている。凹部3の底部には、通電部として機能するリードフレームのリード端子4、5と、これらのリード端子4、5に接続された発光素子であるLED6とが収容されている。LED6は、一方のリード端子4に銀ペースト7により接続され、他方のリード端子5に金ワイヤ8により接続されている。LED6としては、様々な色の光を出射するものを使用することが可能であり、その一例として、この実施の形態では青色光を出射するLEDが使用されている。
凹部3には、リード端子4、5とLED6とを封止する複数の透光性樹脂層(第1透光性樹脂層9a、第2透光性樹脂層9b、第3透光性樹脂層9c)とが収容されている。
第1透光性樹脂層9aは、透光性樹脂10のみから成る。透光性樹脂10は、LED6とリード端子4、5とに接し、これらのLED6とリード端子4、5とを気密状態に覆っている。
透光性樹脂10は、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂に含まれるC−H結合における水素原子の一部を、フッ素以外のハロゲン原子で置換した透光性樹脂、若しくは、フェニル基を含有しない熱硬化性エポキシ樹脂が使用されている。
第2透光性樹脂層8bは、第1透光性樹脂層8aの上に積層して形成され、光散乱粒子11とこの光散乱粒子11が混合される透光性樹脂12とから成る。
光散乱粒子11は、LED6から出射された光を散乱させる働きを有し、透光性樹脂12の中に均等に分散した状態で配置されている。光散乱粒子11は、平均粒子径が0.5〜5μmであり、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニア等の透光性樹脂12の屈折率より高い屈折率を有する金属酸化物粒子が使用されている。
透光性樹脂12は、熱硬化性シリコーン樹脂、若しくはフェニル基を含有しない熱硬化性エポキシ樹脂が使用されている。
第3透光性樹脂層8cは、第2透光性樹脂層8bの上に積層して形成され、蛍光体粒子13と、フィラー粒子14と、これらの蛍光体粒子13とフィラー粒子14とが混合される透光性樹脂15とから成る。
蛍光体粒子13は、LED6から出射された光により励起されてLED6から出射される光と異なる色の光を出射する粒子であり、この実施の形態ではLED6から出射される青色光により励起されて黄色光を出射するものが使用されている。蛍光体粒子13は、平均粒子径が10〜30μmのものが使用されている。蛍光体粒子13は、第3透光性樹脂層8c内で沈降し、第2透光性樹脂層8bとの界面付近に堆積している。
フィラー粒子14は、第3透光性樹脂層8cの粘度を高める粘度調整剤である。フィラー粒子14としては、平均粒子径が5〜50nmの物質、例えば、二酸化炭素珪素が使用されている。フィラー粒子14は、シランカップリング剤で表面処理を行い、表面処理前に表面に存在している親水性基の50%以上をシランカップリング剤で置換して疎水化したものを使用することが好適である。この疎水化処理を行うことにより、粘度上昇を効果的に達成することができる。なお、この実施の形態では、フィラー粒子14を透光性樹脂15に混合する場合を例に挙げて説明しているが、透光性樹脂10、12に混合させることにより粘度調整を行っていもよい。
各透光性樹脂層9a、9b、9cの透光性樹脂10、12、15の屈折率は、“大気≦第3透光性樹脂層9cの透光性樹脂15≦第2透光性樹脂層9bの透光性樹脂12≦第1透光性樹脂層9aの透光性樹脂10”の関係を有している。
光半導体装置1の製造は、以下に説明する工程を経て行われる。まず、外囲器2が成型される(S1)。外囲器2の成型時には、目的とする形状に折り曲げたリードフレームのリード端子4、5が組み込まれる。リード端子4、5は、外囲器2の凹部3の底部に露出した状態とされている。
リード端子4、5を組み込んだ外囲器2が成型された後、一方のリード端子4にLED6が銀ペースト7を用いてダイボンディングされる(S2)。ついで、他方のリード端子5とLED6とが金ワイヤ8を用いてワイヤボンディングされる(S3)。以上のステップS2、S3の工程により、外囲器2の凹部3内にLED6を収容して通電部であるリード端子4、5に接続する工程が終了する。
つぎに、凹部3内に透光性樹脂10が収容され、LED6とリード端子4、5とを封止する第1透光性樹脂層9aが形成される(S4)。この第1透光性樹脂層9aの形成は、透光性樹脂10をポッティング用シリンダヘッドに充填し、一定量の透光性樹脂10をポッティング用シリンダヘッドから凹部3内に吐出させることにより行われる。
第1透光性樹脂層9aが形成された後、この第1透光性樹脂層9aに対して仮硬化処理が行われる(S5)。この仮硬化処理は、第1透光性樹脂層9aが形成された外囲器2をホットプレートに載せ、90〜110℃で加熱することにより行われる。
第1透光性樹脂層9aの仮硬化処理が終了した後、仮硬化された第1透光性樹脂層9aの上に、光散乱粒子11とこの光散乱粒子11が混合される透光性樹脂12とを有する第2透光性樹脂層9bが積層して形成される(S6)。この第2透光性樹脂層9bの形成は、光散乱粒子11を混合した透光性樹脂12をポッティング用シリンダヘッドに充填し、光散乱粒子11を混合した一定量の透光性樹脂12をポッティング用シリンダヘッドから凹部3内に吐出させることにより行われる。
第2透光性樹脂層9bが形成された後、この第2透光性樹脂層9bに対して仮硬化処理が行われる(S7)。この仮硬化処理は、第2透光性樹脂層9bが形成された外囲器2をホットプレートに載せ、90〜110℃で加熱することにより行われる。
第2透光性樹脂層9bの仮硬化処理が終了した後、仮硬化された第2透光性樹脂層9bの上に、蛍光体粒子13と、フィラー粒子14と、これらの蛍光体粒子13とフィラー粒子と14とが混合される透光性樹脂15とを有する第3透光性樹脂層9cが積層して形成される(S8)。この第3透光性樹脂層9cの形成は、蛍光体粒子13とフィラー粒子14とを混合した透光性樹脂15をポッティング用シリンダヘッドに充填し、蛍光体粒子13とフィラー粒子14とを混合した一定量の透光性樹脂15をポッティング用シリンダヘッドから凹部3内に吐出させることにより行われる。
第3透光性樹脂層9cが形成された後、この第3透光性樹脂層9cに対して仮硬化処理が行われる(S9)。この仮硬化処理は、第3透光性樹脂層9cが形成された外囲器2をホットプレートに載せ、90〜110℃で加熱することにより行われる。第3透光性樹脂層9cが形成されてから仮硬化処理が終了するまでの間に、蛍光体粒子13の沈降が進行する。
第3透光性樹脂層9cに対する仮硬化処理が行われた後、仮硬化された第1透光性樹脂層9aと第2透光性樹脂層9bと第3透光性樹脂層9cとを一括して完全硬化させる処理が行われる(S10)。この完全硬化の処理は、第3透光性樹脂層9cが形成された外囲器2をトレイに載せ、熱風式オーブン内に入れて140〜180℃で加熱することにより行われる。
このような構成において、LED6から出射された青色光は凹部3の開口側に向けて進行し、第1透光性樹脂層9aを透過した後、第2透光性樹脂層9b内の光散乱粒子11に当って散乱する。散乱した青色光は第2透光性樹脂層9bを透過した後、第3透光性樹脂層9c内の蛍光体粒子13に当り、蛍光体粒子13が励起されて蛍光体粒子13から黄色光が出射される。光半導体装置1から出射される光は、LED6から出射された青色光と蛍光体粒子13から出射された黄色光とが混合されて白色光となる。
ここで、蛍光体粒子13は第3透光性樹脂層9c内で沈降されることにより、第3透光性樹脂層9c内における蛍光体粒子13の層厚について、各光半導体装置1において均一化を図ることができる。このため、LED6から出射される青色光により励起されて蛍光体粒子13から出射される黄色光の量を各光半導体装置1において均等にすることができる。このため、LED6から出射された青色光と蛍光体粒子13から出射される黄色光とが混合して得られる白色光の色度のばらつきが、個々の光半導体装置1において生じなくなる。
また、LED6から出射された青色光は、第2透光性樹脂層9b内の光散乱粒子11に当って散乱された後に、第3透光性樹脂層9c内の蛍光体粒子13に当る。このため、LED6から出射された青色光が全ての蛍光体粒子13に対して当るようになり、全ての蛍光体粒子13から均等に黄色光が出射される状態を得ることができる。これにより、青色光と黄色光とがともに全ての方向に均等に放射される状態を得ることができ、青色光と黄色光とが混合して得られる白色光の色度が、出射方向によってばらつくということを防止することができる。
3層に分けられた透光性樹脂層9a、9b、9cでは、各透光性樹脂層9a、9b、9cを構成する透光性樹脂10、12、15の屈折率が、“大気≦第3透光性樹脂層9cの透光性樹脂15≦第2透光性樹脂層9bの透光性樹脂12≦第1透光性樹脂層9aの透光性樹脂10”の関係を有する。このため、各層の境界における光の全反射を抑制することができ、3層の透光性樹脂層9a、9b、9cを用いても光半導体装置1からの光の取り出し効率を向上させることができ、輝度を高めることができる。また、光半導体装置1からの光の取り出し効率が高くなることにより、全反射されて光半導体装置1から取り出せなかった光が熱に変換され、その熱が原因となるLED6や蛍光体粒子13や透光性樹脂10、12、15の劣化を抑制することができる。
光半導体装置1の製造工程において、第1透光性樹脂層9aを仮硬化した上に第2透光性樹脂層9bを形成し(S5、S6)、第2透光性樹脂層9bを仮硬化した上に第3透光性樹脂層9cを形成している(S7、S8)。これにより、上の層(例えば、第2透光性樹脂層9b)を仮硬化するために加熱した場合に下の層(例えば、第1透光性樹脂層9a)が一時的に粘度が低下するため、第1透光性樹脂層9aと第2透光性樹脂層9bとの密着性、及び、第2透光性樹脂層9bと第3透光性樹脂層9cとの密着性を向上させることができる。これにより、各層がはがれにくくなり、かつ、各層間の光の通過性が向上し、光半導体装置1から出射される光のロスが少なくなり、光半導体装置1の輝度低下を抑制することができる。
さらに、各透光性樹脂層9a、9b、9cを完全硬化させる場合には、全ての透光性樹脂層9a、9b、9cを一度に完全硬化処理するため、各透光性樹脂層9a、9b、9b間での内部応力差を減少させることができ、光半導体装置1の品質向上を図ることができる。
本発明の一実施の形態の光半導体装置の全体構造を示す縦断正面図である。 透光性樹脂層の層構造を拡大して示す縦断正面図である。 光半導体装置の製造工程を説明するフローチャートである。 従来例の光半導体装置の全体構造を示す縦断正面図である。
符号の説明
1…光半導体装置、2…外囲器、3…凹部、4、5…通電部、6…発光素子、9a…第1透光性樹脂層、9b…第2透光性樹脂層、9c…第3透光性樹脂層、10…透光性樹脂、11…光散乱粒子、12…透光性樹脂、13…蛍光体粒子、14…フィラー粒子、15…透光性樹脂

Claims (5)

  1. 凹部を有する外囲器と、
    前記凹部内に収容され、通電部に接続される発光素子と、
    前記凹部内に収容され、前記発光素子を封止する複数の透光性樹脂層と、
    を備え、
    前記複数の透光性樹脂層は、
    前記発光素子に接する透光性樹脂を有する第1透光性樹脂層と、
    前記第1透光性樹脂層に積層され、光散乱粒子とこの光散乱粒子が混合される透光性樹脂とを有する第2透光性樹脂層と、
    前記第2透光性樹脂層に積層され、蛍光体粒子とこの蛍光体粒子が混合される透光性樹脂とを有する第3透光性樹脂層と、
    を備えることを特徴とする光半導体装置。
  2. 前記第3透光性樹脂層に粘度調整用のフィラー粒子が混合されていることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
  3. 前記透光性樹脂層の前記透光性樹脂の屈折率が、“大気≦第3透光性樹脂層の透光性樹脂≦第2透光性樹脂層の透光性樹脂≦第1透光性樹脂層の透光性樹脂”の関係を有することを特徴とする請求項1又は2記載の光半導体装置。
  4. 外囲器の凹部内に発光素子を収容して通電部に接続する工程と、
    前記凹部内に透光性樹脂を収容して前記発光素子と前記通電部とを封止する第1透光性樹脂層を形成する工程と、
    前記第1透光性樹脂層を仮硬化させる工程と、
    仮硬化された前記第1透光性樹脂層の上に、光散乱粒子とこの光散乱粒子が混合される透光性樹脂とを有する第2透光性樹脂層を積層する工程と、
    前記第2透光性樹脂層を仮硬化させる工程と、
    仮硬化された前記第2透光性樹脂層の上に、蛍光体粒子とこの蛍光体粒子が混合される透光性樹脂とを有する第3透光性樹脂層を積層する工程と、
    前記第3透光性樹脂層を仮硬化させる工程と、
    仮硬化された前記第1透光性樹脂層と前記第2透光性樹脂層と前記第3透光性樹脂層とを一括して完全硬化させる工程と、
    を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
  5. 前記透光性樹脂は、親水性基が疎水化処理された粘度調整用のフィラー粒子を含むことを特徴とする請求項4記載の光半導体装置の製造方法。
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