CN1523683A - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1523683A
CN1523683A CNA2004100053698A CN200410005369A CN1523683A CN 1523683 A CN1523683 A CN 1523683A CN A2004100053698 A CNA2004100053698 A CN A2004100053698A CN 200410005369 A CN200410005369 A CN 200410005369A CN 1523683 A CN1523683 A CN 1523683A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting device
transparent configuration
emitting
optical transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100053698A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100411198C (zh
Inventor
�ϴ忡Ҳ
上村俊也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Publication of CN1523683A publication Critical patent/CN1523683A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100411198C publication Critical patent/CN100411198C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23C—MILLING
    • B23C3/00—Milling particular work; Special milling operations; Machines therefor
    • B23C3/002—Milling elongated workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23C—MILLING
    • B23C5/00—Milling-cutters
    • B23C5/02—Milling-cutters characterised by the shape of the cutter
    • B23C5/10—Shank-type cutters, i.e. with an integral shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23C—MILLING
    • B23C2220/00—Details of milling processes
    • B23C2220/24—Production of elliptical holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05023—Disposition the whole internal layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/06102—Disposition the bonding areas being at different heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1701—Structure
    • H01L2224/1703—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

一种发光装置，具有：半导体发光元件，该半导体发光元件从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面发射光；引线框，该引线框通过导线与形成在电极形成表面上的电极电连接；透明结构，该透明结构与发光表面光连接，并具有基于其三维形状的光分布特性；以及光传输树脂，该光传输树脂密封半导体发光元件和透明结构。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，更具体地说，涉及一种利用半导体发光元件(倒装片粘合式LED芯片，flip-chip bonding type LED chip)从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面发射光。
背景技术
日本专利申请公开号JP10-190065(以下称作现有技术1)中公开了一种发光装置，其中利用磷光体对发自LED芯片的光进行波长转换(参见上述专利文献1的图2)。
图1所示的剖视图表示现有技术1中公开的发光装置20。该发光装置20包括：容纳在封装(package)21的凹陷部22中的LED芯片23；由光传输树脂制成并嵌入在凹陷部22中的第一涂敷层24和第二涂敷层25；暴露在封装21外部的外部电极26；以及电连接外部电极26和LED芯片23的接合导线27。第二涂敷层25内含磷光体25A，以吸收发自LED芯片23的可见光，并从此发射经波长转换的光。因此，利用发自LED芯片23的波长转换光，可获得不同色彩的可见光。例如，当发自蓝LED芯片23的蓝光穿过内含吸收蓝光的磷光体25A的第二涂敷层25、并随后发射黄光时，蓝光和经波长转换的黄光就混合在一起，由此可获得作为补色的光。
日本专利申请公开号JP2000-22222(如下称作现有技术2)中公开了另一种发光装置，其中光从与电极形成表面相对的透明衬底侧发射(参见上述专利文献2的图1)。
图2所示的剖视图表示现有技术2中公开的发光装置30。该发光装置30包括：一对具有反射角部(reflection horn)31A和31B的引线框31；LED芯片32，其中在诸如蓝宝石之类的透明衬底32A上形成GaN系统发光层32B；设置成与LED芯片32的透明衬底32A接触的波长转换元件33；以及被模制的透明密封材料34，用于覆盖引线框31、LED芯片32和波长转换元件33。
反射角部31A和31B具有接合爪31c和31d，以把波长转换元件33固定在反射框架的整个内圆周上。它们利用接合爪31c和31d压住波长转换元件33的片状基膜34A，以将其牢固地固定。
LED芯片32具有通过凸起(未示出)与反射角部31A和31B的底部表面31a和31b电连接的电极32a和32b。
波长转换元件33包括基膜33A和形成在基膜33A上的波长转换层33B，该波长转换层33B是通过将波长转换材料与树脂粘合剂均匀混合、涂覆在基膜33A上、之后再硬化而制成的。波长转换元件33设置在反射角部31A和31B中，以使波长转换层33B接触LED芯片32的透明衬底32A。
在这种发光装置中，可通过从LED芯片的透明衬底侧取出光来提高光提取效率。进一步地，把波长转换材料制成层，可提高波长转换的均衡性和效率。因此，显著地降低了由于波长转换的非均匀性而引起的发射色彩不均匀。
但是，传统的发光装置存在下列问题：
(1)在现有技术1所公开的发光装置20中，第二涂敷层25的中心部分制作得比边缘部分厚。因此，磷光体阻碍了光的发射。还有，形成在LED芯片23上的电极(未示出)阻碍光的发射。这样，在导线接合(wire-bonding)结构中，由于光提取效率低，因此难于获得充足的亮度。
(2)在现有技术2所公开的发光装置30中，在安装LED芯片过程中，需要形成凸起、颠倒粘合表面和定位的步骤。因此，制造过程复杂，而且形成凸起以及定位的步骤需要很高的精度。进一步地，需要昂贵的倒装片粘合剂进行该工艺过程。提高了制造成本。
因此，现有技术1公开的导线接合结构在制造方面具有优势。但是，现有技术1(导线接合结构)的问题在于，由于降低了光提取效率，而难于获得充足的亮度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光装置，该发光装置能够提供很高的光提取效率，同时还具有导线接合结构。
根据本发明的一个方面，一种发光装置包括：
半导体发光元件，该半导体发光元件从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面发射光；
引线框，该引线框通过导线与形成在电极形成表面上的电极电连接；
透明结构，该透明结构与发光表面光连接，并具有基于其三维形状的光分布特性；以及
光传输树脂，该光传输树脂密封半导体发光元件和透明结构。
根据本发明的另一方面，一种发光装置包括：
半导体发光元件，该半导体发光元件从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面发射光；
引线框，该引线框通过导线与形成在电极形成表面上的电极电连接；
透明结构，该透明结构与发光表面光连接，并具有基于其三维形状的光分布特性；以及
光传输树脂，该光传输树脂密封半导体发光元件和透明结构，该光传输树脂包括磷光体，以对发自该半导体发光元件的光进行波长转换。
附图说明
下面参照附图说明根据本发明所述的优选实施例，其中：
图1所示的横向剖视图表示现有技术1中公开的传统发光装置；
图2所示的横向剖视图表示现有技术2中公开的另一种发光装置；
图3所示的横向剖视图表示本发明的第一优选实施例所述的发光装置1。
图4所示的横向剖视图表示第一实施例中所述的部分发光装置。
图5所示的横向剖视图表示本发明的第二优选实施例中所述的部分发光装置。
图6所示的横向剖视图表示本发明的第三优选实施例中所述的部分发光装置。
图7所示的横向剖视图表示本发明的第四优选实施例中所述的部分发光装置。
图8所示的横向剖视图表示本发明的第五优选实施例中所述的部分发光装置。
图9所示的横向剖视图表示本发明的第六优选实施例中所述的部分发光装置。
图10所示的横向剖视图表示本发明的第七优选实施例中所述的部分发光装置。
图11所示的横向剖视图表示本发明的第八优选实施例中所述的部分发光装置。
图12所示的横向剖视图表示本发明的第九优选实施例中所述的部分发光装置。
图13A和13B所示的俯视图表示本发明的第十优选实施例所述的部分发光装置。
图14所示的横向剖视图表示本发明的第十一优选实施例所述的部分发光装置。
具体实施方式
图3所示的横向剖视图表示本发明的第一优选实施例所述的发光装置1。该发光装置1包括：由金属材料制成的引线框2A和2C；形成在引线框2A的顶部、以容纳LED芯片3的杯形体2B；通过光传输粘合层4粘合到LED芯片3的透明结构5；把透明结构5固定到杯形体2B底部的银膏(Ag paste)6；电连接在LED芯片3的电极和引线框2A和2C之间的接合导线7；填充在杯形体2B内、以密封LED芯片3和透明结构5的光传输树脂8；以及将引线框2A、2C和接合导线7一体模制的透明环氧树脂9。
引线框2A和2C由诸如具有良好导热性的铜合金之类的金属材料制成。杯形体2B具有形成在其内表面上的反射表面2a。
例如，LED芯片3为诸如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(GaAlN)、氮化镓铟(InGaN)以及氮化铝镓铟(InGaAlN)之类的氮化镓系统化合物的半导体或者为ZnSe(硒化锌)，并发射波长为450至480nm的蓝色系统的光。LED芯片3为倒装片粘合式的LED，其中光主要发自位于电极形成表面相对侧上的蓝宝石衬底。透明结构5通过粘合层4粘结到蓝宝石衬底。
粘合层4用于利用粘合剂使LED芯片3与透明结构5光连接。该粘合层4可以是诸如硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂和陶瓷膏之类的透明粘合剂。
透明结构5形成矩形实心体(solid)，并是诸如SiO2、Al2O3、SiC、Si3N4、AlN、ZrO2、硼硅玻璃以及铝硅酸盐玻璃之类的光传输材料。其尺寸大于LED芯片3。其厚度范围优选为晶片厚度的一半至晶片较短侧长度的两倍。透明结构5可以是除矩形实心体以外的另一种三维形状。
光传输树脂8由环氧树脂制成，并含有Ce:YAG(镱-铝-石榴石)作为黄色磷光体。光传输树脂8也可以由硅树脂制成，而不是由环氧树脂制成，该硅树脂在硬化之后变得透明。
模制透明环氧树脂9，以具有灯的形状，从而会聚从LED芯片3和杯形体2B向上发射的光。
图4所示的横向剖视图表示第一实施例中的部分发光装置。图4中，环绕LED芯片3的光传输树脂8被省略。该LED芯片3包括：蓝宝石衬底3A；铝缓冲层3B；n型半导体层3C；n电极3D；p型半导体层3E；包括发光层的多层3F；以及p电极3G。接合导线7接合到n电极3D和p电极3G。n电极3D和p电极3G都具有不能使光穿过的厚度。
在制造发光装置1的过程中，首先，冲压铜合金金属材料，以形成引线框2A和2C的形状；之后，采用压痕法在引线框2A上形成杯形体2B。之后，把透明结构5通过银膏6粘合到杯形体2B。之后，通过提供在其间的粘合层4将LED芯片3粘结到透明结构5。之后，接合接合导线7，以在n电极3D和引线框2A、以及p电极3G和引线框2C之间进行电连接。之后，通过把包括磷光体的环氧树脂注入杯形体2B、并将其硬化，形成光传输树脂8。之后，将光传输树脂8向上移动到金属铸型，在此形成透明环氧树脂9，同时保持引线框2A和2C。之后，在把引线框2A和2C定位到金属铸型、并将其插入金属铸型之后，把透明环氧树脂9注入金属铸型中。环氧树脂硬化之后，将光传输装置1从金属铸型中取出。
在把LED芯片3安装在引线框2A上的过程中，可预先把LED芯片3粘合到透明结构5。例如，如果通过切割片晶片状的基部而形成透明结构5，则LED芯片3就可结合到基部。在此情况下，通过把基部切成预定大小的片，就可获得具有结合为一体的LED芯片3和透明结构5的芯片部分。该芯片部分利用银膏6粘合到引线框2A。在此方式下，可通过一个步骤把LED芯片3和透明结构5同时安装在引线框2A上。
下面说明第一实施例所述发光装置的工作过程。
驱动部分(未示出)向LED芯片3的n电极3D和p电极3G提供驱动电压。多层3F根据驱动电压的大小采用平面发射方式发光。从多层3F发射的光主要穿过蓝宝石衬底3A，进入透明结构5。透明结构5反射进入其内的部分光，之后，将这部分光从其侧部表面和靠近粘合表面的上表面射(discharging)到LED芯片3。从透明结构5射出的部分光作用到光传输树脂8内的磷光体上。磷光体被所提供的光激发，并发射出波成为550至580nm的被激发的光。这种被激发的光与从透明结构5发射出的光混合，以提供白光。白光在杯形体2B的反射表面2a上被反射，并随后向上发射到透明环氧树脂9。
第一实施例中的上述发光装置具有如下效果。
(1)由于矩形实心体的透明结构5利用粘合层4粘合到蓝宝石衬底，并被固定到杯形体2B，因此可很容易地通过接合导线7将LED芯片3连接到引线框2A和2C。进一步地，由于在倒装片粘合的情况下并不需要在凸起形成步骤或者LED芯片安装步骤中所要求的准确定位，因此可以简化制造过程。采用这种简化的制造过程，可降低制造成本，并且可以提高生产率。
(2)由于通过透明结构5发射光，因此可降低发光密度，并且光本身可以获得不同于LED芯片3的光分布特性的光分布特性。因此，可将光有效地提供到光传输树脂8中的磷光体。正因如此，使经波长转换的黄光与蓝光均匀混合，从而可避免发射色彩不均匀。
(3)由于发光区域因透明结构5而放大，因此降低了由于磷光体覆盖LED芯片而引起的光屏蔽效应，进而提高了亮度。
尽管在上述第一实施例中，发光装置1使用不透明的n电极3D和p电极3G，然而，n电极3D和p电极3G也可以是透明的，而且LED芯片3可设有透明衬底。
图5所示的横向剖视图表示本发明的第二优选实施例中的部分发光装置。与第一实施例所述的发光装置1不同，第二实施例所述的发光装置1是这样组成的，即透明结构5利用粘合层4A(包括粘合树脂)粘合到杯形体2B，同时铝等白色填充物4a混合作为光漫射材料。由第一实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其说明。
在第二实施例中，除第一实施例的效果之外，还可利用混合到粘合层4A中的光漫射材料改变位于透明结构5底部处的光漫射特性。更进一步地，通过使用具有混合在其内的白色填充物的粘合树脂(白色膏)或者透明粘合树脂(透明膏)代替银膏6，而实现长期稳定的亮度。这是因为，在使用银膏的情况下，银填充物由于加热或者由于发自LED的光而被氧化，而且反射率随时间而衰退。
图6所示的横向剖视图表示本发明的第三优选实施例中所述的部分发光装置。与第二实施例所述的发光装置1不同，第三实施例所述的发光装置1是这样组成的，即透明结构5利用具有黄色磷光体4b的粘合层4A(包括粘合树脂)而被粘合到杯形体2B，该黄色磷光体4b与包含在混合于其内的光传输树脂8中的类型相同。由第二实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其的说明。
在第三实施例中，除了达到第一实施例的效果之外，还可以从粘合层4A中的黄色磷光体4b发射被激发的光。因此，可减少混合在光传输树脂8中的磷光体的量，并进而进一步提高光提取(extraction)效率，以增加亮度。这是因为可减少由混合在光传输树脂8中的磷光体引起的光屏蔽效应。进一步地，可进一步地提高在透明结构5底部处的光漫射特性。
图7所示的横向剖视图表示本发明的第四优选实施例中所述的部分发光装置。与第二实施例所述的发光装置1不同，第四实施例所述的发光装置1是这样组成的，即LED芯片3发射波长大约为380nm的紫外光，将被紫外光激发的红色磷光体4c、蓝色磷光体4d和绿色磷光体4e用于发射白光，红色磷光体4c混合在粘合层4中，而蓝色磷光体4d和绿色磷光体混合在光传输树脂8内。由第一和第二实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其的说明。
红色磷光体4c例如是Y(P，V)O4:Eu或者Y2O2S:Eu。
蓝色磷光体4d例如是(Ba，Ca，Mg)10(PO4)6C12:Eu或者Sr2P2O7:Eu。
绿色磷光体4e例如是(Ba，Mg)2Al16C27:Eu或者BaMgAl16C27:Eu。
在第四实施例中，除了达到第一实施例的效果之外，通过将具有最低激发效率的红色磷光体4c混合到粘合层4A中，可降低混合在光传输树脂8中的磷光体的量，从而进一步提高光提取(extraction)效率，以增加亮度。对于磷光体的沉积，可有选择地把红色、蓝色和绿色磷光体中的至少一种混合到粘合层4A中，而其余的磷光体混合到光传输树脂8。并且，红色、蓝色和绿色磷光体可混合到光传输树脂8中。
图8所示的横向剖视图表示本发明的第五优选实施例中所述的部分发光装置。与第一实施例所述的发光装置1不同，第五实施例所述的发光装置1是这样组成的，即透明结构5具有形成在底部处的微观的不平坦表面5A，并提供厚度大约为1500埃的反射膜5B作为铝膜。由第一实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其的说明。
在第五实施例中，除了达到第一实施例的效果之外，还可根据微观不平坦表面5A和光反射膜5B的形状，进一步提高透明结构5底部的光漫射特性和反射率。进一步地，由于透明结构5具有光漫射结构和光反光膜，因此可使用银膏把透明结构5粘合到杯形体2B。
图9所示的横向剖视图表示本发明的第六优选实施例中所述的部分发光装置。与第一实施例所述的发光装置1不同，第六实施例所述的发光装置1是这样组成的，即透明结构5具有四个倾斜面5a，这些倾斜面5a具有梯形横截面，以在前、后、左、右方向上扩大其底部部分。由第一实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其的说明。
在第六实施例中，除了达到第一实施例的效果之外，还可根据倾斜面5a的形状，在水平和垂直方向上有效地发射光。就像第三实施例中描述的那样，透明结构5可在底部具有微观不平坦表面和光反射表面。
图10所示的横向剖视图表示本发明的第七优选实施例中所述的部分发光装置。与第六实施例所述的发光装置1不同，第七实施例所述的发光装置1是这样组成的，即透明结构5具有四个倾斜面5a，这些倾斜面5a具有倒置的梯形横截面，以在前、后、左、右方向上扩大其顶部部分。由第六实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其的说明。
在第七实施例中，除了达到第一实施例的效果之外，通过使反射光传输穿过在倾斜面5a上的透明结构5，可向上有效地发射光。就像第三实施例中所述的那样，透明结构5可在底部处具有微观不平坦表面和光反射表面。
图11所示的横向剖视图表示本发明的第八优选实施例中所述的部分发光装置。与第六实施例所述的发光装置1不同，第八实施例所述的发光装置1是这样组成的，即透明结构5具有四个倾斜面5b和5c，这些倾斜面具有五边形横截面，以在前、后、左、右方向上扩大其中心部分。由第六实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其的说明。
在第八实施例中，除了达到第一实施例的效果之外，还可根据倾斜面5b和5c的形状，在水平和垂直方向上有效地发射光。就像第三实施例所描述的那样，透明结构5可在底部处具有微观不平坦表面和光反射表面。
图12所示的横向剖视图表示本发明的第九优选实施例中所述的部分发光装置。与第一实施例所述的发光装置1不同，第九实施例所述的发光装置1是这样组成的，即透明结构5具有位于底部中心的凹陷表面和形成在凹陷表面上的反射膜5B。由第一实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其的说明。
反射膜5B例如为采用沉积方法形成的铝膜，并优选具有有效的反射率和不平坦度，以漫射光。
在第九实施例中，除了达到第一实施例的效果之外，还可通过使反射光进入反射膜5B上的透明结构5，而使光可有效地从透明结构5的侧部表面向上反射。就像第四和第五实施例所述的那样，可使透明结构5形成为具有梯形的横截面，从而可提高水平和垂直方向上的光提取效率。
图13A至13C所示的俯视图表示本发明的第十优选实施例所述的部分发光装置。尽管在第一至第九实施例中，透明结构5具有矩形实心形状或梯形横截面，如图13A所示，但也可以具有其他形状。例如，可以是如图13B所示的圆形或者如图13C所示的八边形，或者根据所需的光分布特性或用途而具有另一种形状。
图14所示的横向剖视图表示本发明的第十一优选实施例所述的部分发光装置。在第十一实施例中，LED芯片3通过粘合层4粘合到透明结构5，而且LED芯片3通过金凸起(bump)11A和11B采用倒装片方式安装在辅助安装(submount)元件10上。采用设置在上述LED芯片3之上的透明结构5，可提高光提取效率。由第一实施例中使用的相同附图标记表示相同的部件，而且在下面省略了对其的说明。
辅助安装件10为n型硅衬底，并作为齐纳(Zener)二极管工作，以保护LED芯片3免于静电干扰。该辅助安装件10还包括：通过金凸起11A与p电极3G连接的n电极10A；p型半导体层10B；通过金凸起11B与n电极3D连接的p电极10C；通过银膏6与杯形体2B电连接的n电极10D；以及n型半导体层10E。
在第十一实施例中，LED芯片3的光射出(discharging)表面采用倒装片粘合方式设置在杯形体2B的开口侧，而透明结构5粘合到蓝宝石衬底3A的表面，作为光射出表面。因此，可从透明结构5的侧表面、底表面和顶表面取出光，并由此可扩大光射出面积。
在具有经倒装片粘合的LED芯片3的发光装置中，由于粘合到LED芯片3的光射出表面的透明结构5，可减少由于磷光体覆盖光源而引起的光屏蔽效应。透明结构5可形成为在其上部具有灯形状，以提供将光向上垂直会聚的特性。
尽管在上述实施例中，发光装置1安装在引线框上，但它也可以安装在衬底(电路板)上。
磷光体可包含在透明环氧树脂9中，而不是包含在光传输树脂8中。可供选择地，磷光体可以不包含在任何透明环氧树脂9和光传输树脂8中。
LED芯片3可发射除蓝色以外的红色或绿色可见光、或者紫外光。可根据将被发射的光，选择将被激发的磷光体。
尽管为完整而清楚地描述其内容，已参照具体实施例说明了本发明，但是，随附权利要求并不受这种限制，对于本领域的技术人员来说，这些权利要求将被解释为包括合理地落入本文的上述基本教导之内的所有改进和可选的结构。

Claims (9)

1、一种发光装置，包括：
半导体发光元件，该半导体发光元件从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面发射光；
引线框，该引线框通过导线与形成在电极形成表面上的电极电连接；
透明结构，该透明结构与发光表面光连接，并具有基于其三维形状的光分布特性；以及
光传输树脂，该光传输树脂密封半导体发光元件和透明结构。
2、如权利要求1所述的发光装置，其中：
所述透明结构在水平方向上的长度大于半导体发光元件的长度。
3、如权利要求1所述的发光装置，其中：
所述透明结构的厚度为所述半导体发光元件厚度的一半到所述半导体发光元件的较短侧长度的两倍。
4、如权利要求1所述的发光装置，其中：
所述透明结构具有微观不平坦表面，以漫反射光。
5、如权利要求1所述的发光装置，其中：
所述透明结构具有形成于其表面上的反射层。
6、如权利要求1所述的发光装置，其中：
其中一个引线框具有杯形体部分，而且
所述透明结构利用其内混合光漫射材料的粘合树脂固定到杯形体部分。
7、如权利要求1所述的发光装置，其中：
所述电极不传输光。
8、一种发光装置，包括：
半导体发光元件，该半导体发光元件从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面辐射光；
引线框，该引线框通过导线与形成在电极形成表面上的电极电连接；
透明结构，该透明结构与发光表面光连接，并具有基于其三维形状的光分布特性；以及
光传输树脂，该光传输树脂密封半导体发光元件和透明结构，该光传输树脂包括磷光体，以对发自该半导体发光元件的光进行波长转换。
9、如权利要求8所述的发光装置，其中：
所述光传输树脂包含两种或者多种类型的磷光体。
CNB2004100053698A 2003-02-20 2004-02-11 发光装置 Expired - Fee Related CN100411198C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003043109 2003-02-20
JP2003043109A JP4254266B2 (ja) 2003-02-20 2003-02-20 発光装置及び発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1523683A true CN1523683A (zh) 2004-08-25
CN100411198C CN100411198C (zh) 2008-08-13

Family

ID=32866451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100053698A Expired - Fee Related CN100411198C (zh) 2003-02-20 2004-02-11 发光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20040164311A1 (zh)
JP (1) JP4254266B2 (zh)
KR (1) KR100710102B1 (zh)
CN (1) CN100411198C (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007036162A1 (fr) * 2005-09-30 2007-04-05 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Dispositif electroluminescent a semi-conducteur
CN100416871C (zh) * 2004-12-09 2008-09-03 璨圆光电股份有限公司 发光二极管封装结构
CN102104107A (zh) * 2009-12-22 2011-06-22 株式会社东芝 发光器件
CN102104106A (zh) * 2009-12-22 2011-06-22 株式会社东芝 发光器件
CN103918093A (zh) * 2012-06-18 2014-07-09 夏普株式会社 半导体发光装置
CN104037313A (zh) * 2013-03-06 2014-09-10 株式会社迪思科 发光二极管
CN104733588A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 株式会社迪思科 发光芯片
CN111917001A (zh) * 2019-05-07 2020-11-10 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
US11205731B2 (en) 2019-05-07 2021-12-21 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source package structure

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI249148B (en) * 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
US7880182B2 (en) * 2002-07-15 2011-02-01 Epistar Corporation Light-emitting element array
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4516337B2 (ja) * 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US6849876B1 (en) * 2004-05-31 2005-02-01 Excel Cell Electronic Co., Ltd. Light emitting device
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US8860051B2 (en) * 2006-11-15 2014-10-14 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US7304425B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US20060091412A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Wheatley John A Polarized LED
US20060091414A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J LED package with front surface heat extractor
TWI252597B (en) * 2004-12-02 2006-04-01 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode package
US20060131708A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Ng Kee Y Packaged electronic devices, and method for making same
KR100638666B1 (ko) * 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI352437B (en) 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
US7598663B2 (en) * 2005-08-04 2009-10-06 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. Multi-wavelength LED provided with combined fluorescent materials positioned over and underneath the LED component
WO2007034803A1 (ja) * 2005-09-20 2007-03-29 Matsushita Electric Works, Ltd. Ｌｅｄ照明器具
US20070080636A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. White multi-wavelength LED & its manufacturing process
KR100713180B1 (ko) * 2005-11-21 2007-05-04 (주)루멘스 측면 발광형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US20070141749A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-21 Yi-Fong Lin Die attachment method for LED chip and structure thereof
DE102006005042A1 (de) * 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
US7586125B2 (en) * 2006-02-20 2009-09-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure and fabricating method thereof
DE102006042061A1 (de) * 2006-09-05 2008-03-27 Noctron Holding S.A. Leuchtelement
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US7953293B2 (en) * 2006-05-02 2011-05-31 Ati Technologies Ulc Field sequence detector, method and video device
US7525126B2 (en) 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
WO2008011377A2 (en) * 2006-07-17 2008-01-24 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
US20080042157A1 (en) * 2006-08-16 2008-02-21 Formosa Epitaxy Incorporation Surface mount light emitting diode package
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
JP5372766B2 (ja) * 2006-11-15 2013-12-18 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 光取り出し効率の高い球形ｌｅｄ
DE202006017583U1 (de) 2006-11-17 2008-03-27 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungsvorrichtung
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
KR101334314B1 (ko) * 2006-12-28 2013-11-28 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 램프 및 그것을 제조하는 방법
US20080173890A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Wen-Kung Sung Multidirectional light-emitting diode
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20080246044A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Siew It Pang LED device with combined Reflector and Spherical Lens
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP5183247B2 (ja) * 2008-02-25 2013-04-17 京セラ株式会社 発光装置
KR100903280B1 (ko) * 2008-10-13 2009-06-17 최운용 리던던시 전극을 갖는 엘이디 어셈블리 및 그 제조 방법
CN102341923B (zh) * 2008-10-13 2013-09-18 崔云龙 具有冗余电极的led装置及其制造方法
KR101585102B1 (ko) * 2009-04-16 2016-01-13 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN105244422B (zh) 2010-05-31 2018-09-04 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
KR20120088130A (ko) * 2011-01-31 2012-08-08 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US20120256205A1 (en) * 2011-04-06 2012-10-11 Tek Beng Low Led lighting module with uniform light output
KR101772588B1 (ko) 2011-08-22 2017-09-13 한국전자통신연구원 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 ｍｉｔ 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치
KR101294711B1 (ko) 2012-03-02 2013-08-08 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
CN104205371B (zh) * 2012-05-31 2017-03-01 松下知识产权经营株式会社 Led模块和制备led模块的方法、照明装置
JP2014225636A (ja) * 2013-04-16 2014-12-04 株式会社ディスコ 発光デバイス
JP2015008274A (ja) * 2013-05-31 2015-01-15 株式会社ディスコ 発光チップ
JP2015012212A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 株式会社ディスコ 発光チップ
KR20150096198A (ko) * 2014-02-14 2015-08-24 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP7226146B2 (ja) * 2019-07-03 2023-02-21 豊田合成株式会社 イルミネーション装置
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19600306C1 (de) * 1996-01-05 1997-04-10 Siemens Ag Halbleiter-Bauelement, insb. mit einer optoelektronischen Schaltung bzw. Anordnung
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
JP3505405B2 (ja) * 1998-10-22 2004-03-08 三洋電機株式会社 半導体素子及びその製造方法
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP2001007389A (ja) 1999-06-21 2001-01-12 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
CN1196203C (zh) * 1999-07-29 2005-04-06 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
TW465123B (en) * 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
JP4066620B2 (ja) * 2000-07-21 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
JP2002176201A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Okaya Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US20020117672A1 (en) 2001-02-23 2002-08-29 Ming-Sung Chu High-brightness blue-light emitting crystalline structure
TW525278B (en) * 2001-03-15 2003-03-21 Opto Tech Corp Package structure of high-efficiency electro-optical device and the forming method thereof
TW480749B (en) * 2001-03-15 2002-03-21 Opto Tech Corp Structure and fabrication method for electro-optics device
JP2002299698A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
US6571033B2 (en) * 2001-09-28 2003-05-27 Corning Incorporated Optical signal device
KR100554453B1 (ko) * 2002-08-21 2006-03-03 서울반도체 주식회사 백색 발광 소자

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100416871C (zh) * 2004-12-09 2008-09-03 璨圆光电股份有限公司 发光二极管封装结构
WO2007036162A1 (fr) * 2005-09-30 2007-04-05 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Dispositif electroluminescent a semi-conducteur
US8637890B2 (en) 2009-12-22 2014-01-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
CN103474560B (zh) * 2009-12-22 2016-01-20 株式会社东芝 发光器件
US8368104B2 (en) 2009-12-22 2013-02-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
US8395169B2 (en) 2009-12-22 2013-03-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
CN102104107B (zh) * 2009-12-22 2013-09-25 株式会社东芝 发光器件
CN102104106B (zh) * 2009-12-22 2013-10-09 株式会社东芝 发光器件
US8592850B2 (en) 2009-12-22 2013-11-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
CN103474560A (zh) * 2009-12-22 2013-12-25 株式会社东芝 发光器件
CN102104107A (zh) * 2009-12-22 2011-06-22 株式会社东芝 发光器件
CN102104106A (zh) * 2009-12-22 2011-06-22 株式会社东芝 发光器件
CN103918093A (zh) * 2012-06-18 2014-07-09 夏普株式会社 半导体发光装置
US9437787B2 (en) 2012-06-18 2016-09-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
CN103918093B (zh) * 2012-06-18 2017-02-22 夏普株式会社 半导体发光装置
CN104037313A (zh) * 2013-03-06 2014-09-10 株式会社迪思科 发光二极管
CN104733588A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 株式会社迪思科 发光芯片
CN104733588B (zh) * 2013-12-20 2018-09-11 株式会社迪思科 发光芯片
CN111917001A (zh) * 2019-05-07 2020-11-10 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
CN111917001B (zh) * 2019-05-07 2021-07-23 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
US11205731B2 (en) 2019-05-07 2021-12-21 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source package structure

Also Published As

Publication number Publication date
CN100411198C (zh) 2008-08-13
US20040164311A1 (en) 2004-08-26
JP4254266B2 (ja) 2009-04-15
KR20040075738A (ko) 2004-08-30
JP2004253651A (ja) 2004-09-09
KR100710102B1 (ko) 2007-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100411198C (zh) 发光装置
US7842526B2 (en) Light emitting device and method of producing same
JP6519311B2 (ja) 発光装置
CN100511732C (zh) 发光器件
JP5290368B2 (ja) ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子およびその製造方法、ｌｅｄ照明装置、光源
CN1233045C (zh) 发光器件
JP5262054B2 (ja) 発光装置の製造方法
TWI419372B (zh) 發光二極體的封裝結構與封裝製程
US20130093313A1 (en) Light-emitting device
JP4771800B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
WO2007135707A1 (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
CN1929159A (zh) 半导体发光装置
CN1941441A (zh) 发光装置
CN1934721A (zh) 发光装置和照明装置
JP5598323B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP2007329219A (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4661032B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2007165787A (ja) 発光装置及びその製造方法
CN102820404A (zh) 发光二极管封装
EP3447810B1 (en) Light emitting device
KR20140004505U (ko) 광혼합식 발광 다이오드의 구조
JP4661031B2 (ja) 発光装置
JP5294741B2 (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JPH10233533A (ja) 発光装置の形成方法及び形成装置
JP2004103814A (ja) 発光ダイオード、その製造方法および白色照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080813

Termination date: 20100211