CN1233045C - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

在有限的空间中高效率地配置多个芯片，以消除导线键合的不良为目的。通过把开口部分设置成大致椭圆形或者大致扁平圆形，可以高效率地在有限的空间中配置多个芯片。此外，通过在键合导线处和安装芯片处之间设置缺口部分，可以防止粘接剂的溢出，并消除键合不良。

Description

发光器件
技术领域
本发明涉及发光器件，特别涉及组装2个以上的芯片，例如，2个半导体发光元件，或者半导体发光元件和保护用的二极管等的发光器件。
背景技术
安装有LED(发光二极管)等的半导体发光元件的发光器件，作为便宜且长寿命的发光器件受到注目，作为各种指示器、光源、平面显示装置，或者液晶显示器的背照光等被广泛使用。
作为这种发光器件的典型，有在树脂管座上安装半导体发光元件的例子。
图14是展示以往的发光器件的典型例子。即，同一图(a)是展示其主要部分构成的平面图，同一图(b)是其断面图。
同一图所示的发光器件，是被称为“表面安装型”，包含：封装(树脂管座)800、半导体发光元件802、由树脂构成的密封体804。
树脂管座800，具有用由热可塑性树脂构成的树脂部分803，模压由引线框形成的一对引线805、806成型的构造。而后，在树脂部分803上形成开口部分801，在其中装入半导体发光元件802。而后，用环氧树脂804密封，使其包封半导体发光元件802。
半导体发光元件802，被安装在引线806之上。而后，半导体发光元件802的电极(未图示)和引线805，用导线809连接。在通过2条引线805、806向半导体发光元件802提供电力时，半导体发光元件发光，光通过环氧树脂804，从光射出面812射出。
可是，在图14所示的发光器件中，有在开口部分801中装入2个以上的芯片的情况。
例如，如果装入同一发光波长的2个以上的半导体发光元件，则可以增强输出。
此外，如果装入发光波长相互不同的2个以上的半导体发光元件，则可以得到它们的混合色，可以使颜色表现多样化。这种情况下，例如，使用补色关系的2种颜色，也可以发出白光。
此外，还有在同一封装中装入半导体发光元件、用于保护该发光元件的元件的情况。具体地说，在使用氮化物半导体发光元件的情况下，为了保护不受静电(ESD)等影响，大多需要反向并联连接齐纳二极管。
但是，在如图14所示的发光器件的情况下，没有安装芯片的充分的空间，此外，键合导线的空间也不够大。进而，当在狭窄的开口部分2中硬塞进2个芯片时，发光元件的光轴大幅度偏离开口部分的中心，发出的光强度分布，即配光特性为非对称状态。于是，不能满足例如在液晶显示器的背照光等的用途中，要求均匀的发光图案。
图15是展示本发明人在本发明的过程中试制的发光器件的平面构成的概念图。
即，此图所示的发光器件，在树脂部分903上设置大致长方形的开口901，在其底面上相对的引线905、906上，分别安装芯片902A、902B。而后，从这些芯片902A、902B，分别向相对的引线906、905连接导线909A、909B。
发明内容
但是，试制评价该发光器件的结果，判明存在以下问题。
第1个问题，在安装芯片902A、902B时，溢出的粘接剂成问题，导线909A、909B的键合不充分。即，在把芯片902A、902B安装在引线上时，通常，大多使用银(Ag)膏等的膏类，和金锡(AuSu)和金锗(AuGe)等的焊锡。
但是，在安装时，这些粘接剂大多在引线905、906上溢出。如果该“溢出”到达导线的键合区域，则热压接，或者超声波热压接导线909A、909B变得困难。例如，如果附着有银膏，则产生所谓的“析出”，导线的键合困难。此外，即使可以键合，大多数情况下，导线的附着强度大幅度降低。
如果为了防止这种情况，把键合导线的位置设置在偏离芯片的位置上，则需要增大开口部分901，与尺寸上的限制相违。
第2个问题，如果如图所示把开口部分901设置成大致长方形，则树脂部分903的侧壁厚度变得一样薄，机械强度不够。这个问题，在填充到开口部分中的密封体是柔软的树脂时尤其显著。例如，如果使用硅酮树脂等作为填充的密封体，则和使用环氧树脂的情况相比，可以降低残留应力，大幅度降低密封体的裂纹和导线的断引线等。但是，因为硅酮树脂比较柔软，所以在树脂部分903的侧壁薄时，存在横向的外力影响到芯片和导线的问题。例如，如果为了装配和检验等，而从侧面夹着发光器件挑拣时，该力会波及到芯片和导线，有发生导线变形等的现象。
第3个问题，如果如图所示把开口部分901设置成大致长方形，则填充到其中的树脂量增加，树脂应力增大。即，被填充到开口部分901中的树脂，在其硬化时，或者由于在其后的升温和冷却等产生应力。该应力根据被填充的树脂量而变化，填充量越多，树脂应力也越大。根据其结果判明，如图所示，如果在大致正方形的开口部分901中填充密封树脂，则树脂应力增大，容易产生芯片902A、902B的剥离、导线909A、909B的变形或者断引线这些问题。
如上所述，如果要在发光器件中装入2个以上的芯片，则产生违反器件的其他要求的问题。
本发明就是基于上述问题而提出的。即，其目的在于提供一种紧凑地组装2个以上的半导体发光元件，或者半导体发光元件和保护用二极管等的大量生产性以及再现性高的发光器件。
为了实现上述目的，本发明的发光器件的特征在于：包含引线；填埋上述引线的至少一部分的树脂部分；在设置于上述树脂部分上的开口部分中，安装有导线的第1半导体发光元件；在上述开口部分中，被安装在上述引线上的半导体元件；连接上述第1半导体发光元件和上述引线的导线，
在上述引线中，在安装上述第1半导体发光元件的部分和连接上述导线的部分之间设置缺口。
通过这样设置缺口，可以防止发光元件和半导体元件的安装的粘接剂溢出，确保可靠的导线键合。
或者，本发明的发光器件的特征在于：包含第1引线；第2引线；埋入上述第1以及第2引线的至少一部分的树脂部分；在被设置在上述树脂部分上的开口部分中，安装在上述第1引线上的第1半导体发光元件；在上述开口部分中，安装于上述第2引线上的半导体元件；连接上述第1半导体发光元件和上述第2引线的第1导线；连接上述半导体元件和上述第1引线的第2导线，
在上述第1引线中，在安装有上述第1半导体发光元件的部分和连接上述第2电引线的部分之间设置有第1缺口，在上述第2引线中，在安装有上述半导体元件的部分和连接有上述第1导线的部分之间设置第2缺口。
把2个元件安装在各自的引线上，在各自的引线上连接导线时，可以可靠并且容易地实施导线键合。
在此，如果把上述第1半导体发光元件配置在上述开口部分的中央，则可以提高光的配光特性和亮度。在此，所谓“配置在中央”，只要半导体发光元件的某一部分在开口部分的中心轴上即可。
此外，如果把上述开口部分的开口形状设置成大致椭圆形或者大致扁平圆形，则可以高效率地配置多个芯片，还可以抑制由于填充树脂量的增大引线起的树脂应力，可以确保对来自树脂部分的横向应力的机械强度。
在此，所谓“扁平圆形”，是指一对曲引线部分用一对大致直引线部分连接的形状，曲引线部分可以是圆弧形状，也可以非完全圆弧形状。
另一方面，本发明的第3发光器件的特征在于：包含第1引线；第2引线；填埋上述第1引线以及上述第2引线的至少一部分的树脂部分；在被设置在上述树脂部分上的开口部分中，在被安装在上述第1引线上的第1半导体发光器件；在上述开口部分中，被安装在上述第1引线上的半导体元件；连接上述第1半导体发光元件和上述第2引线的第1导线；连接上述半导体元件和上述第2引线的第2导线，
上述开口部分的开口形状，是大致椭圆形或者大致扁平圆形，上述第1半导体发光元件和上述半导体元件，被沿着上述椭圆形状或者大致扁平圆形状的长轴方向配置。
即使在同一引线上安装多个芯片，也可以有效的配置。
此外，本发明的第4发光器件的特征在于：包含第1引线；第2引线；填埋上述第1引线以及上述第2引线的至少一部分的树脂部分；在被设置在上述树脂部分上的开口部分中，被安装在上述第1引线上的第1半导体发光器件；在上述开口部分中，被安装在上述第1引线上的半导体元件；连接上述第1半导体发光元件和上述第2半导体发光元件的第1导线；连接上述半导体元件和上述第2引线的第2导线，
上述开口部分的开口形状，是大致椭圆形或者大致扁平圆形，上述第1半导体发光元件和上述半导体元件，被沿着上述椭圆形状或者大致扁平圆形状的短轴方向配置。
即使采用这种构成，也可以在同一引线上安装多各芯片，高效率的配置。
在此，在上述第3以及第4发光器件中，进一步包含连接上述第1半导体发光元件和上述第1引线的第3导线，在上述第1引线中，如果在安装有上述第1半导体发光元件的部分和连接上述第3导线的部分之间设置缺口部分，则如由氮化物半导体组成的发光元件那样，可以可靠并且容易地装入形成于绝缘衬底上的发光元件。
此外，作为半导体元件，如果使用第2半导体发光元件，则可以增强光输出，或者得到混合色。
在此，上述第1半导体发光元件和上述第2半导体发光元件，如果发出相互不同峰值波长的光，则可以得到混合色。
此外，上述第1半导体发光元件，具有由氮化物半导体构成的发光层，上述半导体元件，如果是上述保护用二极管，则可以得到对于静电等可靠性高的发光器件。
此外，如果进一步具备吸收从上述第1半导体发光元件发出的光后，发出和其不同波长的光的荧光体，则可以可靠并且容易实现任意的发光色。
此外，进一步具备被填充在上述开口部分中的密封体，上述荧光体，如果被混合在密封体中，则容易实现荧光体变换型的发光装置。
进而，在本申请中，所谓荧光体，包含具有波长变换作用的物质，例如，不只包含无机荧光体，还包含有机荧光体或者具有波长变换作用的有机色素。
此外，在本申请中，所谓“氮化物半导体”，包含BxInyAlzGa(1-x-y-z)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤x+y+z≤1)的III-V族化合物半导体，进而，作为V族元素，除了N(氮)外，还包含有磷(P)和砷(As)等的混合晶体。
附图说明
图1是展示本发明的实施方案1的发光器件的主要构成的模式图。
图2是展示实施方案1的第1变形例子的平面图。
图3是模式化展示在紫外引线至绿色波长范围内使用可以强发光的氮化物半导体的半导体发光元件的构造的断面图。
图4是展示实施方案1的第2变形例子的平面图。
图5是展示半导体发光元件106D的构造的一例的断面图。
图6是展示实施方案1的第3变形例子的平面图。
图7是展示实施方案1的第4变形例子的平面图。
图8是展示实施方案1的第5变形例子的平面图。
图9是模式化展示本发明的实施方案2的发光器件的主要构成的平面图。
图10是展示实施方案2的变形例子的平面图。
图11是模式化展示本发明的实施方案3的发光器件的主要构成的平面图。
图12是展示实施方案3的变形例子的平面图。
图13概示了本发明实施方案4的发光器件的主要构成的平面图。
图14是展示以往的发光器件的典型例子的概念图，同一图(a)是展示其主要构成的平面图，同一图(b)是其断面图。
图15是展示本发明人在实现本发明的过程中试制的发光装置的平面构成的概念图。
具体实施方式
(实施方案1)
图1是展示本发明的实施方案1的发光器件的主要构成的模式图。即，同一图(a)是其平面图，同一图(b)是其A-A引线断面图。
本实施方案的发光器件1A包含：树脂管座100；被安装在其上的半导体发光元件106A；保护用齐纳二极管106B；用于被覆它们而设置的密封体111。
密封树脂管座100包含：由引线框形成的引线101、102；和它们形成一体的树脂部分103。引线101、102被配置成各自的一端接近相对。引线101、102的另一端，在相互相反方向上延伸，从树脂部分103引线出到外部。
在树脂部分103上设置开口部分105，半导体发光元件106A以及二极管106B，被安装在其底面。开口部分105的平面形状，是如图所示的大致椭圆形状或者大致扁平圆形状。而后，包围元件106A、106B的树脂部分103的内壁面，向光出射方向倾斜，作为反射光的反射面104起作用。
在本实施方案中，引线101和引线102分开，此外，在被分开的引线101的前端附近设置缺口101G，分成区域101A和101B。同样，在被分开的引线102的开头附近设置102G，分成区域102A和102B。
而后，发光元件106A，用银(Ag)膏等的粘接剂107，安装在区域101A上，二极管106B，同样也用银(Ag)膏等的粘接剂107安装在区域102B上。
进而，从被设置在发光元件106A上的电极(未图示)向相对的区域102A连接导线109A，从被设置在二极管106B上的电极(未图示)向相对的区域101B连接导线109B。
通过以上说明的构成，可以得到以下的作用效果。
首先，如果采用本发明，则通过在引线101、102的前端附近设置缺口101G、102G，分离安装芯片106A以及106B的部分(101A，102B)和键合导线109A以及109B的部分(101B，102A)。由此，即使在安装芯片时银膏等溢出，也可以保持键合导线的部分清洁，可以消除导线键合不良。
此外，如果采用本发明，则如在图1(a)中用虚引线P示例的那样，通过把以往大致圆形的开口部分，作成长轴方向的长度比短轴方向的长度还长的形状，例如大致椭圆形状或者大致扁平圆形状，就可以有效地增加开口部分的面积，可以安装2个以上的芯片，并且确保从这些芯片键合导线的空间。
进而，如果采用本发明，则通过把开口部分设置成大致椭圆形状或者大致扁平圆形状，容易在尽可能接近开口部分的中心附近配置发光元件。
进而，如果采用本发明，通过把开口部分设置成大致椭圆形状或者大致扁平圆形状，在树脂部分103的侧壁中，可以增加角部分103C的壁厚。其结果，可以维持发光器件的机械强度，即使在装配和检验时从横向施加力，也可以抑制导线的变形等的损伤。
进而，如果采用本发明，通过把开口部分设置成大致椭圆形状或者大致扁平圆形状，可以抑制填充到内部的树脂量增大，可以抑制树脂应力。即，如前面图15所述，如果填充的树脂量增加，则树脂应力增大。但是，如果采用本发明，则可以把树脂量的增大抑制在最小限度，可以确保配置多个芯片的空间。其结果，可以抑制由于树脂应力增大引线起的芯片剥离、导线变形或者断引线这些问题。
此外，如果采用本发明，因为在紧凑地维持发光装置的外径的同时，可以装入多个芯片，所以，例如，通过把保护用的二极管106B和发光元件106A并列反向连接，就可以提高可靠性。此外，通过组合不同的发光波长的发光元件，可以实现在以往困难的白色发光和其他颜色的发光。
进而，如果采用本发明，则通过在引线101、102上设置缺口101G、102G，在芯片的安装工序和导线的键合工序时，在开口部分的内部容易确认引线图案的角部分。其结果，与以往相比还可以提高芯片的安装位置精度、导线的键合位置精度。
接着，介绍本实施方案的几个变形例子。
图2是展示本实施方案的第1变形例子的平面图。在图中和图1所述的相同要素上使用相同的符号，并省略详细说明。
本变形例子的发光器件，装入2个半导体发光元件106A、106C。在按照图中的配置图案并联连接2个元件时，使元件106A以及106C的导电类型反转即可。即，把某一方设置成n侧向下构成，把另一方设置成p侧向下即可。
在本变形例子中，作为2个发光元件106A、106C，当使用发光波长相同的元件时，可以使光输出成倍增加。此外，在设置成相互不同的发光波长的情况下，可以得到混合颜色光。这时，例如，如果组合有颜色互补关系的蓝色发光元件和黄色发光元件时，可以得到白色的光。此外，即使组合红色的发光元件和蓝绿色的发光元件，也可以得到白色的光。
图3是模式化展示在紫外引线至绿色波长范围中，使用可以发出强光的氮化物半导体的半导体发光元件的构造断面图。如果对此构造简单说明，则同一图所示的发光元件106A(或者106C)，在导电性衬底121上顺序形成由AIN组成的缓冲层122，n型GaN接触层123，发光层124，p型GaAIN包层125，p型GaN接触层126。
发光层124，具有交替叠层GaN势垒层和InGa阱层的量子阱构造。
此外，导电性衬底121，例如，可以设置成由n型GaN和SiC等组成的衬底。
在衬底121背面上，设置n侧电极127。另一方面，在p型GaN接触层126上，设置由厚度几十纳米的Ni/Au薄膜组成的透光性的p侧电极128，以及由与它连接的金(Au)组成的键合焊盘129。进而，元件表面用由SiO2组成的保护膜130被覆。
如果在这种发光元件106A(106C)的n侧电极127和p侧电极128上施加电压，则在发光层124中发出的光，从表面131射出。
在本发明中，使用由这种氮化物半导体组成的半导体发光元件，就可以实现各种颜色的发光。
图4是展示本实施方案的第2变形例子的平面图。在同一图中，和图1至图3所述相同的要素标注相同的符号，并省略详细说明。
本变形例子的发光装置包含：保护用二极管106B、半导体发光元件106D。发光元件106D，具有形成在绝缘衬底上的构造，在其表面一侧具有p侧以及n侧电极(未图示)。而后，用导线109B以及109C，从这些电极分别连接到引线101B和102A。保护用二极管106B和发光元件106D被反向并联连接。
图5是展示半导体发光元件106D的构造的一例的断面图。即，同一图所示的例子，是在蓝宝石衬底133上形成氮化物半导体层的例子，在蓝宝石衬底133上顺序形成由AIN组成的缓冲层122、n型GaN接触层123、发光层124、p型GaAIN包层125、p型GaN接触层126。发光层124，具有交替叠层GaN势垒层和InGaAIN阱层的量子阱构造。
在从表面蚀刻除去该叠层构造体露出的n型GaN接触层123上，例如设置由Ti/Al组成的n侧电极127。另一方面，在p型GaN接触层126上，例如设置由厚度几十纳米的Ni/Au薄膜组成的透光性的p侧电极128，以及由与之接触的金(Au)组成的键合焊盘129。进而，元件表面用由SiO2组成的保护膜130被覆。
如果在这种发光元件106D的n侧电极127和p侧电极128上施加电压，则根据发光层124的组成和构造，可以在紫外引线至绿色的范围中得到强的发光。
如果采用图4所示的变形例子，则在有限的空间中紧凑地收容由这种氮化物半导体组成的半导体发光元件106D和保护用二极管，可以可靠并且容易键合规定的导线109A～109C。而且，因为这些芯片和导线的键合部分，由缺口101G、102G分开，所以还可以消除由粘接剂的“溢出”引线起的键合不良。
图6是展示本实施方案的第3变形例子的平面图。在同一图中，在与图1至图4所述相同的要素上标注相同的符号，并省略详细说明。
本变形例子的发光装置，也具有保护用二极管106B、半导体发光元件106D。但是，在本变形例子中，开口部分105不是椭圆形而是大致扁平圆形，即，开口部分105，具有被设置在左右上的大致圆弧形状的曲引线部分用上下大致直引线部分连接的形状。
在树脂部分103中形成开口部分105时，如果设置成这种大致扁平圆形状，则加工变得容易。而且，因为4个角部分103C壁厚，所以即使对于来自横方向的应力，也可以确保充分的机械强度。
此外，在本变形例子中，一对引线101、102的前端形状相互非对称。即，形成安装发光元件106D的部分102B，使其向着开口部分105的中心突出。如果这样形成，则可以把发光元件106D配置在开口部分105的中央，可以使发光的强度分布，即配光特性均匀直至接近对称。此外，可以提高亮度。在此，所谓“配置在中央”，是指发光元件106D的某一部分位于开口部分105的中心轴上。
进而，在本变形例子中代替发光元件106D，也可以使用采用导电性衬底的发光元件106A(或者106C)是肯定的。
图7是展示本实施方案的第4变形例子的平面图。在同一图中，在和图1至图6所述相同的要素上标注相同的符号，并省略详细说明。
本变形例子的发光器件包含：保护用二极管106B、半导体发光元件106D。但是，在本变形例子中，一对引线101、102相对的前端部分不是“相互不同形状”，而以直引线形状对齐。而后，二极管106B和发光元件106D，分别被安装在对角位置上。
进而，形成发光元件106D，使其比二极管106B更接近开口部分105的中心。即，通过使光轴接近开口部分105的中心，可以得到更均匀的配光特性。
图8是展示本实施方案的第5变形例子的平面图。在同一图中，在和前面的图1至图7所述相同要素上标注同一符号，并省略详细说明。
本变形例子的发光器件包含：保护用二极管106B、半导体发光元件106D。而后，一对引线101、102的相对的前端部分不是“相互不同形状”，而以直引线形状对齐。但是，在本变形例子中，缺口101G和102G偏离成“相互不同形状”形成。这样也可以使发光元件106D接近开口部分105的中心。
(实施方案2)
以下，说明本发明的实施方案2。
图9是模式化展示本实施方案的发光器件的主要构成部分的平面图。在同一图中，在图1至图8所述相同的要素上标注相同的符号，并省略详细说明。
在本实施方案中，在同一引线上安装2个芯片。进而，这2个芯片在大致椭圆形状或者大致扁平圆形状的开口部分105中，被排列在沿着开口的长方向上。
在图9所示的具体例子中，半导体发光元件106A和106C，被安装在引线101上，在横方向上并列。而后，在被相对配置在开口部分105的短轴方向上的引线102上，连接各自的导线109A、109B。
在大致椭圆形或者大致扁平圆形状的开口部分105中，如果沿着这样的长轴方向即长方向配置，则可以有效地利用有限的空间。
图10是展示本实施方案的变形例子的平面图。
在同一图所示的具体例子的情况下，需要把来自发光元件106D的第2导线109C连接在引线101上。因而，在引线101上设置缺口101G，跨过该缺口101G连接导线109C。如果这样，就可以从发光元件106D和二极管106B的安装时的粘接剂“溢出”中，分离键合区域。
(实施方案3)
以下，说明本发明的实施方案3。
图11是模式化展示本实施方案的发光器件的主要部分构成的平面图。在同一图中，在和图1至图10所述相同的要素上标注相同的符号，并省略详细说明。
即使在本实施方案中，也可以在同一引线上安装2个芯片。但是，这2个芯片，在大致椭圆形状或者大致扁平圆形状的开口部分105上，被沿着开口的短轴方向排列。而后，在与开口部分105的长轴方向相对配置的引线102上，连接各自的导线109A、109B。
在大致椭圆形状或者大致扁平圆形状的开口部分105上，即使把多个芯片配置在这样的短轴方向上，也可以有效地利用有限的空间。
图12是展示本实施方案的变形例子的平面图。
在同一图所示的具体例子的情况下，需要在引线101上连接来自发光元件106D的第2导线109C。因而，在引线101上设置缺口101G，跨过该缺口101G连接导线109C。如果这样，就可以从二极管106B和发光元件106的安装时的粘接剂的“溢出”中，分离键合区域。
(实施方案4)
以下，说明本发明的实施方案4。
图13是模式化展示本实施方案的发光器件的主要部分构成的断面图。在同一图中，在和图1至图12所述相同的要素上，附加同一符号并省略详细说明。
在本实施方案中，在如图1至图12所示那样具有多个芯片的发光器件中，用荧光体波长变换并取出从发光元件106发射出的光。
如果说明图13所示的具体例子，则发光元件106，和未图示的保护用二极管并联连接。这些芯片以及引线101、102配置图案，是图1至图12所述的哪个图案都可以。
而后，被设置在树脂部分103上的大致椭圆形状或者大致扁平圆形状的开口部分105，用含有荧光体110的密封体111填充。但是，除了图示的以外，密封体11还可以填埋开口部分105的一部分。
包含在密封体111中的荧光体110，吸收从发光元件106发射出的1次光，放射出规定波长的光。
例如，作为发光元件106，使用紫外引线，具体地说，使用放射出峰值波长不足400nm的光的发光元件；作为荧光体，组合吸收该短波长光，放射出规定波长的光的荧光体。如果组合吸收来自发光元件106的1次光，放射出红色光的第1荧光体110A、放射出绿色光的第2荧光体110B、放射出蓝光的第3荧光体110C，则作为这些颜色的混合颜色，可以得到白色光。
当从发光元件106放射出的光是紫外引线那样的短波长光的情况下，作为密封体111的材料，与以往的环氧树脂相比，希望使用硅酮树脂。环氧树脂，对短波长的光产生劣化，新的时是透明的，而后变为黄色，茶色，茶褐色，最终变为黑色，光透过率大幅度降低。当使用硅酮树脂的情况下，几乎不产生这种劣化。
进而，在本申请中，所谓“硅酮树脂”，是指把具有烷基和丙烯基等的有机基的硅原子与氧元素交替结合的构造作为骨架的树脂。当然，在该骨架上赋予其他添加元素的材料也包含在“硅酮树脂”中。
为了激励荧光体，希望是短波长的光源。作为这种光源，可以使用图3以及图5所述的氮化物半导体的光源。但是，在使用采用了氮化物半导体的发光元件的情况下，希望组装针对静电等的保护用二极管(齐纳二极管等)。而且，需要把这2个芯片收纳在有限的空间中，还需要进行可靠的导线键合。
如果采用本发明，则可以确实地对应此要求。即，如果采用本发明，则如实施方案1至3所述，可以有效地配置多个芯片，而且清晰地分离导线键合区域，消除键合不良。作为其结果，可以实现组合使用图13示例的氮化物半导体的半导体发光元件106和荧光体110的高性能的发光器件。
以上，参照具体例子说明本发明的实施方案。但是，本发明并不限于这些具体例子。
例如，装入发光器件的芯片的组合，不限于图示的情况，也可以是发光元件10A(或者106C)和二极管106B、发光元件106A(或者106C)之间，或者发光元件106A(或者106C)和发光元件106D的某个组合。
此外，装入开口部分的芯片的数并不限于2个，也可以装入3个以上的芯片。
另一方面，对于开口部分105的形状，可以是大致椭圆形状，也可以大致扁平圆形状。
进而，对于引线的具体的形状和尺寸关系，进行个别适宜的确定也属于本发明的范围。
此外，在本发明中使用的发光元件106A、106C、106D，并不限于使用氮化物的发光元件，除此以外，以GaAs/AlGaAs系列、InP/InGaAs系列、InGaAIP系列、ZnSe系列、ZnS系列为主，采用各种材料的发光元件也同样可以使用。对于二极管106B也一样。
其他，对于荧光体的材质、发光元件的具体的构造、引线和密封体111的形状、各要素的尺寸关系等，经专业人员适当改变设计的结果也包含在本发明的范围中。
如以上详细所述，如果采用本发明，则可以在有限的空间中有效地配置多个芯片，而且可以清晰地分离导线键合区域，还可以消除键合不良。其结果，可以实现组合多个发光元件，或者组合发光元件和其他元件，具有高性能并且高可靠性的发光器件，产业上优点突出。

Claims (12)

1、一种发光器件，其特征在于：包含
具有第1部分、第2部分以及第3部分的引线；
填埋上述引线的至少一部分的树脂部分；
在设置于上述树脂部分上的开口部分中，被安装在上述引线的第1部分上的第1半导体发光元件；
在上述开口部分中，被安装在上述引线的第2部分上的半导体元件；
连接上述第1半导体发光元件和上述引线的第3部分的导线，
在上述引线中，在上述第1部分和上述第3部分之间设置有缺口。
2、一种发光器件，其特征在于：包含
第1引线；
第2引线；
填埋上述第1以及第2引线的至少一部分的树脂部分；
在设置于上述树脂部分上的开口部分中，被安装在上述第1引线上的第1半导体发光元件；
在上述开口部分中，安装于上述第2引线上的半导体元件；
连接上述第1半导体发光元件和上述第2引线的第1导线；
连接上述半导体元件和上述第1引线的第2导线，
在上述第1引线中，在安装有上述第1半导体发光元件的部分和连接上述第2导线的部分之间设置有第1缺口，
在上述第2引线中，在安装有上述半导体元件的部分和连接上述第1导线的部分之间设置有第2缺口。
3、权利要求1或者2所述的发光器件，其特征在于：上述第1半导体发光元件，被配置在上述开口部分的中央。
4、权利要求1或者2所述的发光器件，其特征在于：上述开口部分的开口形状，是大致椭圆形状或者大致扁平圆形状。
5、一种发光器件，其特征在于：包含
第1引线；
第2引线；
填埋上述第1以及第2引线的至少一部分的树脂部分；
在设置于上述树脂部分上的开口部分中，被安装在上述第1引线上的第1半导体发光元件；
在上述开口部分中，安装于上述第1引线上的半导体元件；
连接上述第1半导体发光元件和上述第2引线的第1导线；
连接上述半导体元件和上述第2引线的第2导线，
上述开口部分的开口形状，是大致椭圆形或者大致扁平圆形，
上述第1半导体发光元件和上述半导体元件，被沿着上述大致椭圆形或者大致扁平圆形的长轴方向配置。
6、一种发光器件，其特征在于：包含
第1引线；
第2引线；
填埋上述第1以及第2引线的至少一部分的树脂部分；
在设置于上述树脂部分上的开口部分中，被安装在上述第1引线上的第1半导体发光元件；
在上述开口部分中，安装有上述第1引线的半导体元件；
连接上述第1半导体发光元件和上述第2引线的第1导线；
连接上述半导体元件和上述第2引线的第2导线，
上述开口部分的开口形状，是大致椭圆形或者大致扁平圆形状，
上述第1半导体发光元件和上述半导体元件，被沿着上述大致椭圆形或者大致扁平圆形的短轴方向配置。
7、权利要求5或者6所述的发光器件，其特征在于：
进一步包含连接上述第1半导体发光元件和上述第1引线的第3导线，
在上述第1引线中，在安装有上述第1半导体发光元件的部分和连接上述第3导线的部分之间设置有缺口。
8、权利要求1、2、5或者6所述的发光器件，其特征在于：上述半导体元件是第2半导体发光元件。
9、权利要求8所述的发光器件，其特征在于：上述第1半导体发光元件和上述第2半导体发光元件，发射出相互不同峰值波长的光。
10、权利要求1、2、5或者6所述的发光器件，其特征在于：
上述第1半导体发光元件，具有由氮化物半导体组成的发光层，
上述半导体元件是保护用二极管。
11、权利要求1、2、5或者6所述的发光器件，其特征在于：进一步包含荧光体，它吸收从上述第1半导体发光元件发射出的光，发射出和其不同波长的光。
12、权利要求11所述的发光器件，其特征在于：
进一步具备被填充在上述开口部分中的密封体，
上述荧光体，被混合在上述密封体中。
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