TW201411894A - 發光裝置 - Google Patents
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Abstract
一種發光裝置，其包括基板、接墊、發光二極體及限流結構。接墊形成於基板上。發光二極體設置於基板上並電性連接接墊。限流結構係鄰接接墊而形成於基板上，或形成於接墊之邊緣。
Description
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種具有限流結構之發光裝置。
發光二極體元件藉由接合製程(bonding)接合於一基板之接墊上。然而，在接合製程中，常會發生接合劑溢流出接合區外的現象。更嚴重者，接合劑溢流至鄰近接墊而污染到此鄰近接墊。
本發明係有關於一種發光裝置，可改善溢流之接合劑汙染到鄰近接墊的問題。
根據本發明之一實施例，提出一種發光裝置。發光裝置包括一基板、一第一接墊、一發光二極體及一限流結構。第一接墊形成於基板上。發光二極體設置於基板上並電性連接第一接墊。限流結構係鄰接第一接墊而形成於基板上，或形成於第一接墊之邊緣。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
請參照第1圖，其繪示依照本發明一實施例之發光裝
置的剖視圖。發光裝置100包括基板110、第一接墊120、第二接墊130、發光二極體140及第一限流結構150。
基板110具有相對之上表面110u與下表面110b。基板110例如是金屬基板、陶瓷基板、單層/多層電路板或其它合適基板。
第一接墊120形成於基板110之上表面110u上，且具有第一側面120s1。本實施例中，第一接墊120的橫剖面形狀係矩形，然亦可為圓形、橢圓形或多邊形，其中多邊形例如是三角形、梯形或其它多邊形。
第二接墊130具有第二側面130s1，其與第一接墊120之第一側面120s1係相面對。第二接墊130的橫剖面形狀可相似於第一接墊120，容此不再贅述。
發光二極體140透過接合劑160設於基板110上並電性連接第一接墊120及第二接墊130。
第一限流結構150例如是凹陷結構，其鄰接第一接墊120及第二接墊130而形成於基板110上。舉例來說，第一限流結構150鄰接第一接墊120及第二接墊130而形成於基板110上，並從上表面110u往下表面110b的方向延伸一距離，此距離小於基板的厚度，即第一限流結構150未貫穿基板110。
由於第一限流結構150位於第一側面120s1與第二側面130s1之間，故當發光二極體140透過接合劑160與基板110之第一接墊120及第二接墊130接合後，多餘接合劑160會溢流至第一限流結構150內，而避免多餘的接合劑160溢流至鄰近之接墊而污染到鄰近之接墊。此外，藉
由設計第一限流結構150的尺寸，可獲得預期之容納溢流接合劑160的空間。
請參照第2圖，其繪示第1圖之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。第一限流結構150僅鄰接於第一接墊120之第一側面120s1及第二接墊130之第二側面130s1，然此非用以限制本發明實施例，以下係舉例說明。
請參照第3圖，其繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。本實施例中，第一接墊120更具有第三側面120s2，第一側面120s1與第三側面120s2共同定義第一接墊120之整個邊界，第一限流結構150沿第一側面120s1及第三側面120s2環繞第一接墊120，使第一限流結構150如同一完全封閉的環槽。另一實施例中，第一限流結構150可僅沿第一側面120s1及部分之第三側面120s2繞著第一接墊120，在此設計下，第一限流結構150未環繞第一接墊120之整個邊界。
相似地，第二接墊130更具有第四側面130s2，第二側面130s1與第四側面130s2共同定義第二接墊130之整個邊界，第一限流結構150沿第二側面130s1及第四側面130s2環繞第二接墊130，使第一限流結構150如同一完全封閉的環槽。另一實施例中，第一限流結構150可僅沿第二側面130s1及部分之第四側面130s2繞著第二接墊130，在此設計下，第一限流結構150未環繞第二接墊130之整個邊界。
雖然上述實施例之第一限流結構150同時環繞第一接墊120之整個邊界與第二接墊130之整個邊界，然亦可僅
環繞第一接墊120之整個邊界或第二接墊130之整個邊界。
請參照第4圖，其繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。第一限流結構150往基板110之側向局部地凹陷形成凹陷部111，此凹陷部111的橫剖面形狀呈矩形，然亦可呈圓形之至少一部分、橢圓形之至少一部分、其它多邊形或其組合，其中圓形之至少一部分例如是半圓形，而橢圓形之至少一部分例如是半橢圓形。由於第一限流結構150往基板110之側向局部地凹陷，故可增加第一限流結構150的容納空間，以容納更多溢流的接合劑160(未繪示)。此外，藉由設計凹陷部111的橫剖面形狀，可獲得預期之容納溢流接合劑160的空間。
雖然第4圖的數個凹陷部111沿第一接墊120之整個邊緣及第二接墊130之整個邊緣分布，然亦可僅沿第一接墊120之部分邊緣及/或第二接墊130之部分邊緣延伸。
如第4圖所示，第一接墊120的邊緣形成有第二限流結構250，其從第一側面120s1及第三側面120s2往第一接墊120之內部延伸。相似地，第二接墊130的邊緣形成有第二限流結構250，其從第二側面130s1及第四側面130s2往第二接墊130之內部延伸。
請參照第5圖，其繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。本實施例中，第一限流結構150鄰接第一接墊120形成於基板110上，而第二限流結構250形成於第二接墊130之邊緣，例如其從第二側面130s1往第二接墊130之內部延伸而形成至少一突部。
請參照第6及7圖，第6圖繪示發光二極體接合至第
5圖之第一接墊及第二接墊的剖視圖，且第6圖之基板、第一接墊及第二接墊係第5圖之基板、第一接墊及第二接墊沿方向6-6’的剖視圖，而第7圖繪示第6圖之第二接墊、接合劑及限流結構的局部立體圖。
發光二極體140透過接合劑160與基板110之第一接墊120及第二接墊130接合，由於第二限流結構250的設計，使第二接墊130的表面積增加也同時增加第二接墊130與接合劑160的接觸面積，當在接合製程過程中，接合劑160因受到溫度與壓力的影響會轉變成流動的狀態，當接合劑流動到第二限流結構時，會因為第二接墊130表面積變大進而增加可以附著接合劑的表面積，而使得接合劑160被侷限在第二限流結構中。如此一來，接合劑160便不容易溢流至鄰近的接墊。
第二限流結構250的橫剖面形狀例如是矩形，然亦可為圓形的至少一部分、橢圓形的至少一部分、其它多邊形或其組合，其中圓形之至少一部分例如是半圓形，而橢圓形之至少一部分例如是半橢圓形。
請參照第8圖，其繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。第二限流結構250從第二接墊130之第二側面130s1及第四側面130s2往第二接墊130之內部延伸，而形成於第二接墊130的整個邊界。此外，第二限流結構250亦可從第二接墊130之第二側面130s1及部分之第四側面130s2往第二接墊130之內部延伸。第二限流結構250的分布區域愈大，則接合劑160被保留於接墊上的量就愈多，可避免更多溢流量流向鄰近接
墊。
請參照第9圖，其繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。第8圖之第二限流結構250亦可形成於第一接墊120之邊緣，且從第一接墊120之第一側面120s1往第一接墊120之內部延伸。
雖然圖未繪示，然第二限流結構250亦可從第一接墊120之第一側面120s1及第三側面120s2往第一接墊120之內部延伸，而形成於第一接墊120的整個邊界。或者，第二限流結構250亦可從第一接墊120之第一側面120s1及部分之第三側面120s2往第一接墊120之內部延伸。
綜合上述，限流結構可形成於基板、第一接墊及/或第二接墊上。當第一限流結構形成於基板上時，其可鄰接第一接墊之第一側面及/或鄰接第二接墊之第二側面，然亦可鄰接第一接墊之第一側面與第三側面及/或鄰接第二接墊之第二側面與第四側面。當第二限流結構形成於第一接墊上時，其可從第一接墊之第一側面或往內延伸，或者從第一接墊之第一側面及至少部分之第三側面往內延伸。相似地，第二限流結構形成於第二接墊上的特徵相似於第二限流結構形成於第一接墊上的特徵，容此不再贅述。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧發光裝置
110‧‧‧基板
110u‧‧‧上表面
110b‧‧‧下表面
111‧‧‧凹陷部
120‧‧‧第一接墊
120s1‧‧‧第一側面
120s2‧‧‧第三側面
130‧‧‧第二接墊
130s1‧‧‧第二側面
130s2‧‧‧第四側面
140‧‧‧發光二極體
150‧‧‧第一限流結構
250‧‧‧第二限流結構
160‧‧‧接合劑
第1圖繪示依照本發明一實施例之發光裝置的剖視圖。
第2圖繪示第1圖之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。
第3圖繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。
第4圖繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。
第5圖繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。
第6圖繪示發光二極體接合至第5圖之第一接墊及第二接墊的剖視圖。
第7圖繪示第6圖之第二接墊、接合劑及限流結構的局部立體圖。
第8圖繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。
第9圖繪示依照本發明另一實施例之基板、第一接墊及第二接墊的俯視圖。
100‧‧‧發光裝置
110‧‧‧基板
110u‧‧‧上表面
110b‧‧‧下表面
120‧‧‧第一接墊
120s1‧‧‧第一側面
130‧‧‧第二接墊
130s1‧‧‧第二側面
140‧‧‧發光二極體
150‧‧‧第一限流結構
160‧‧‧接合劑
Claims (10)
- 一種發光裝置，包括：一基板；一第一接墊，形成於該基板上；一發光二極體，設置於該基板上並電性連接該第一接墊；以及一限流結構，係鄰接該第一接墊而形成於該基板上，或形成於該第一接墊之邊緣。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該基板具有相對之一上表面與一下表面，該第一接墊係設於該上表面，且該限流結構係鄰接該第一接墊而形成於該基板上，並從該上表面往該下表面的方向延伸。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中該第一接墊具有一第一側面，且該發光裝置更包括：一第二接墊，具有一第二側面，該第二側面與該第一側面相對；其中，該限流結構位於該第一側面與該第二側面之間。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置，其中該第一接墊更具有一第三側面，該第一側面與該第三側面定義該第一接墊之整個邊界，該限流結構沿該第一側面及該第三側面環繞該第一接墊。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置，其中該第二接墊更具有一第四側面，該第二側面與該第四側面定義該第二接墊之整個邊界，該限流結構沿該第二側面及該第四側面環繞該第二接墊。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一接墊具有一第一側面，且該限流結構從該第一側面往該第一接墊之內部延伸。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中該第一接墊更具有一第三側面，該第一側面與該第三側面定義該第一接墊之整個邊界，該限流結構從該第一側面及該第三側面往該第一接墊之內部延伸。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，更包括一第二接墊，形成於該基板上且具有一第二側面，且該限流結構從該第二側面往該第二接墊之內部延伸。
- 如申請專利範圍第8項所述之發光裝置，其中該第二接墊更具有一第四側面，該第二側面與該第四側面定義該第二接墊之整個邊界，且該限流結構從該第二側面及該第四側面往該第二接墊之內部延伸。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中該限流結構使該第一接墊邊緣之至少一部分的橫剖面形狀呈 半圓形、半橢圓形、多邊形或其組合。
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|---|---|---|---|
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