JP3420612B2 - Ｌｅｄランプ - Google Patents

Ｌｅｄランプ

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JP3420612B2 JP15517793A JP15517793A JP3420612B2 JP 3420612 B2 JP3420612 B2 JP 3420612B2 JP 15517793 A JP15517793 A JP 15517793A JP 15517793 A JP15517793 A JP 15517793A JP 3420612 B2 JP3420612 B2 JP 3420612B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多色発光のＬＥＤラン
プに関し、特に、高混色性を備え、且つ高光度の多色発
光のＬＥＤランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術によるＬＥＤランプは、図４に
示すように、複数の発光素子１Ｒ及び１Ｇを封止する樹
脂外形１４は、発光素子１Ｒ及び１Ｇの並びに対して平
行方向及び垂直方向で曲率が等しい回転体により構成さ
れているものが一般的である（第１の従来例）。
【０００３】このような外形形状を備えるＬＥＤランプ
の場合、発光素子１Ｒ及び１Ｇから発した光は、各々封
止樹脂外形１４の持つレンズ効果により別々の方向へ取
り出される。これは発光素子１Ｒ及び１Ｇの載置位置が
互いに異なるために生じる現象であり、各々の発光素子
１Ｒ及び１Ｇからの発光を全く同一の方向に取り出すの
は物理的に困難である。
【０００４】このため、第１の従来例のＬＥＤランプで
は、発光素子１Ｒ及び１Ｇより取り出された異なる発光
色の光は各々個別の方向へ放射され、ＬＥＤランプの混
色性を著しく損なうという不具合を生じていた。
【０００５】この混色性の問題を改善する手立ての一つ
として、図５に示すような構造を備えるＬＥＤランプ
（第２の従来例）がある。これは、封止樹脂外形２４の
曲率を小さくし、取り出される光の強度分布の方位依存
性を小さくすることにより、各々の発光素子１Ｒ及び１
Ｇから発する光の混色領域を増やすことにより混色性を
改善するものである。
【０００６】しかしながら、このような外形形状を備え
る第２の従来例の場合、封止樹脂外形２４によるレンズ
効果が小さくなるため、正面方向へ取り出される光の強
度が低下し、結果的に必要な強度が得られないという不
具合を生じていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
多色発光のＬＥＤランプでは、複数の発光素子の載置位
置が互いに異なるために、各々の発光素子から取り出さ
れる異なった発光色は各々個別の方向へ放射され、ＬＥ
Ｄランプの混色性を著しく損なうという問題があった。
【０００８】また、この混色性の問題を改善するため
に、封止樹脂外形の曲率を小さくして取り出される光の
強度分布の方位依存性を小さくした場合には、封止樹脂
外形によるレンズ効果が小さくなるために、正面方向へ
取り出される光の強度が低下して必要な強度が得られな
いという問題があった。
【０００９】本発明は、上記問題点を解決するもので、
その目的は、高混色性を備え、且つ高光度の多色発光の
ＬＥＤランプを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第１の特徴は、図１に示す如く、少なくと
も２色以上を発光する複数の半導体発光素子１Ｒ及び１
Ｇと、前記複数の半導体発光素子１Ｒ及び１Ｇを載置す
るリードフレーム２と、前記複数の半導体発光素子１Ｒ
及び１Ｇを取り囲む光透過性の封止樹脂外形４とを具備
し、前記封止樹脂外形４は、前記複数の半導体発光素子
１Ｒ及び１Ｇの並びに対して平行方向の曲率が、垂直方
向の曲率よりも小さいことである。
【００１１】また、本発明の第２の特徴は、請求項１に
記載のＬＥＤランプにおいて、前記封止樹脂外形４は、
楕円体若しくは楕円体の一部を含む形状で、且つ、前記
複数の半導体発光素子１Ｒ及び１Ｇの並びに対して該楕
円体の長軸が略並行である。
【００１２】また、本発明の第３の特徴は、請求項１ま
たは２に記載のＬＥＤランプにおいて、前記複数の半導
体発光素子は、図２に示す如く、赤色発光、緑色発光、
及び青色発光の半導体発光素子を含む３つ以上の半導体
発光素子１Ｒ，１Ｇ，及び１Ｂを備えることである。
【００１３】更に、本発明の第４の特徴は、請求項１、
２、または３に記載のＬＥＤランプにおいて、前記封止
樹脂外形は、前記複数の半導体発光素子１Ｒ，１Ｇ，及
びまたは１Ｂの並びに対して、垂直方向の径ｂに対する
平行方向の径ａの比が１．２以上である。
【００１４】
【作用】本発明の特徴のＬＥＤランプでは、少なくとも
２色または３色以上を発光する複数の半導体発光素子１
Ｒ及び１Ｇまたは１Ｒ，１Ｇ，及び１Ｂを備え、封止樹
脂外形４を、例えば、楕円体若しくは楕円体の一部を含
む形状で、且つ、複数の半導体発光素子１Ｒ，１Ｇ，及
び１Ｂの並びに対して該楕円体の長軸が略並行となるよ
うにして、複数の半導体発光素子１Ｒ，１Ｇ，及び１Ｂ
の並びに対して平行方向の曲率が、垂直方向の曲率より
も小さくなるようにしている。
【００１５】これにより、複数の半導体発光素子１Ｒ，
１Ｇ，及び１Ｂの並びに対して平行方向では封止樹脂外
形４の曲率が相対的に小さくなっているので、取り出さ
れる光の強度分布の方位依存性を小さくすることがで
き、一方、垂直方向では封止樹脂外形４の曲率が相対的
に大きくなっているので、封止樹脂外形４のレンズ効果
による集束作用をそれほど低下させることなく必要な光
の強度を得ることができる。結果として、高混色性を備
え、且つ高光度の多色発光のＬＥＤランプを実現でき
る。
【００１６】尚、封止樹脂外形４は、複数の半導体発光
素子１Ｒ，１Ｇ，及び１Ｂの並びに対して、垂直方向の
径ｂに対する平行方向の径ａの比を１．２以上とした時
に、上記効果が顕著に現われる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明に係る実施例を図面に基づいて
説明する。
【００１８】図１に本発明の第１の実施例に係るＬＥＤ
ランプの構成図を示す。同図において、図４及び図５
（従来例）と重複する部分には同一の符号を附する。
尚、図１（ｂ）は正面方向の断面図、図１（ａ）は図１
（ｂ）に示す断面形状である楕円の短軸方向の側面図、
図１（ｃ）は図１（ｂ）に示す断面形状である楕円の長
軸方向の側面図である。
【００１９】図１において、本実施例のＬＥＤランプ
は、赤色を発光する半導体発光素子１Ｒ、緑色を発光す
る半導体発光素子１Ｇ、半導体発光素子１Ｒ及び１Ｇを
載置するリードフレーム２、半導体発光素子１Ｒ及び１
Ｇを取り囲む光透過性の封止樹脂外形４とを備え、半導
体発光素子１Ｒ及び１Ｇとリードフレーム２とは金ワイ
ヤ３により結線されている。
【００２０】本実施例のＬＥＤランプは、次のようにし
て作製される。
【００２１】先ず、２つの半導体発光素子１Ｒ及び１Ｇ
を、各々リードフレーム２上に導電性エポキシ樹脂を用
いて載置、固定し、金ワイヤ３により結線する。ここ
で、２つの半導体発光素子１Ｒ及び１Ｇとしては、例え
ば、ＧａＡｌＡｓまたはＧａＡｓＰ等の赤色半導体発光
素子１Ｒ、及びＧａＰまたはＩｎＧａＡｌＰ等の緑色半
導体発光素子１Ｇを用いる。
【００２２】その後、鋳型用治具の中に液状の透明エポ
キシ樹脂を注入し、リードフレーム２の素子載置部を十
分に透明エポキシ樹脂内に挿入した後、透明エポキシ樹
脂を熱硬化させる。この時、鋳型用治具の内壁形状を楕
円面状等に作製しておくことにより、楕円体若しくは楕
円体の一部を含む形状の封止樹脂外形４を成形すること
ができる。
【００２３】鋳型治具より硬化した封止樹脂外形４を離
型し、最後に、製造を容易にするためにつながっていた
リードフレーム２を所定の形状に切断してＬＥＤランプ
を完成させる。
【００２４】本実施例のＬＥＤランプの混色性改善の効
果を図３（ａ）に示すグラフにより説明する。図３
（ａ）は、本実施例のアスペクト比に対する混色領域
（図中、特性Ａ）、本実施例のアスペクト比に対する正
面光度（図中、特性Ｂ）、並びに従来のアスペクト比に
対する正面強度（図中、特性Ｃ）をそれぞれ示してい
る。
【００２５】尚、本実施例のアスペクト比は、半導体発
光素子１Ｒ及び１Ｇの並びに対する平行方向の封止樹脂
外形４の曲率と、垂直方向の封止樹脂外形４の曲率の
比、即ち、図１（ａ）に示す断面形状となる楕円におい
て、半長軸ａ／半短軸ｂである。第２の従来例のアスペ
クト比は、図５（ｂ）に示す断面形状となる円の径と図
１（ａ）に示す断面形状となる楕円の長半軸とを等しく
した時の、円の径（長半軸）と半短軸の比、即ち、図５
（ａ）におけるａ／ｂである。
【００２６】また、混色領域は、図３（ｂ）に示すよう
に、半導体発光素子１Ｒの発光領域を５Ｒ、半導体発光
素子１Ｇの発光領域を５Ｇとした時に形成される混色領
域（２つの色が混色に見える領域）６の角度θ［°］の
大きさで定義している。
【００２７】図３（ａ）において、混色領域を示す特性
Ａからは、アスペクト比が大きくなるにつれて混色領域
６が大幅に増える様子が明確に理解できる。特に、アス
ペクト比＝１．２以上とした時には、ほぼ完全に近い混
色性を示すことが分かる。
【００２８】また正面光度を示す特性Ｂ及び特性Ｃから
は、本実施例における楕円の長半軸に等しい曲率を持つ
球体の封止樹脂外形（第２の従来例）と比較して、本実
施例のＬＥＤランプは大幅な改善効果があることが分か
る。
【００２９】次に、図２に本発明の第２の実施例に係る
ＬＥＤランプの構成図を示す。
【００３０】図２（ｂ）は正面方向の断面図、図２
（ａ）は図２（ｂ）に示す断面形状である楕円の短軸方
向の側面図である。尚、図２（ｂ）に示す断面形状であ
る楕円の長軸方向の側面図については図１（ｃ）と同様
である。
【００３１】図２において、本実施例のＬＥＤランプ
は、赤色を発光する半導体発光素子１Ｒ、緑色を発光す
る半導体発光素子１Ｇ、青色を発光する半導体発光素子
１Ｂ、半導体発光素子１Ｒ、１Ｇ、及び１Ｂを載置する
リードフレーム２、半導体発光素子１Ｒ、１Ｇ、及び１
Ｂを取り囲む光透過性の封止樹脂外形４とを備え、半導
体発光素子１Ｒ、１Ｇ、及び１Ｂとリードフレーム２と
は金ワイヤ３により結線されている。
【００３２】半導体発光素子１Ｒ、１Ｇ、及び１Ｂとし
ては、例えば、ＧａＡｌＡｓまたはＧａＡｓＰ等の赤色
半導体発光素子１Ｒ、ＧａＰまたはＩｎＧａＡｌＰ等の
緑色半導体発光素子１Ｇ、及びＳｉＣ等の青色半導体発
光素子１Ｂを用いる。
【００３３】作製方法、特性等については、第１の実施
例と同様である。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、少なくと
も２色または３色以上を発光する複数の半導体発光素子
を備え、封止樹脂外形を、例えば、楕円体若しくは楕円
体の一部を含む形状で、且つ、複数の半導体発光素子の
並びに対して該楕円体の長軸が略平行となるようにし
て、複数の半導体発光素子の並びに対して平行方向の曲
率が、垂直方向の曲率よりも小さくなることとしたの
で、複数の半導体発光素子の並びに対して平行方向では
封止樹脂外形の曲率が相対的に小さくなり、取り出され
る光の強度分布の方位依存性を小さくすることができ、
一方、垂直方向では封止樹脂外形の曲率が相対的に大き
くなるので、封止樹脂外形のレンズ効果による集束作用
をそれほど低下させることなく必要な光の強度を得るこ
とができる。結果として、高混色性を備え、且つ高光度
の多色発光のＬＥＤランプを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係るＬＥＤランプの構
成図であり、図１（ｂ）は正面方向の断面図、図１
（ａ）は図１（ｂ）に示す断面形状である楕円の短軸方
向の側面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）に示す断面形状で
ある楕円の長軸方向の側面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るＬＥＤランプの構
成図であり、図２（ｂ）は正面方向の断面図、図２
（ａ）は図２（ｂ）に示す断面形状である楕円の短軸方
向の側面図である。
【図３】図３（ａ）は第１の実施例のＬＥＤランプの混
色性改善の効果を示す特性説明図であり、特性Ａは第１
の実施例のアスペクト比に対する混色領域、特性Ｂは第
１の実施例のアスペクト比に対する正面光度、特性Ｃは
第２の従来例のアスペクト比に対する正面強度であり、
また図３（ｂ）は混色領域を説明する図である。
【図４】第１の従来例に係るＬＥＤランプの構成図であ
り、図４（ａ）は側面図、図４（ｂ）は正面方向の断面
図である。
【図５】第２の従来例に係るＬＥＤランプの構成図であ
り、図５（ａ）は側面図、図５（ｂ）は正面方向の断面
図である。
【符号の説明】
１Ｒ 赤色を発光する半導体発光素子 １Ｇ 緑色を発光する半導体発光素子 １Ｂ 青色を発光する半導体発光素子 ２ リードフレーム ３ 金ワイヤ ４ 光透過性の封止樹脂外形 ５Ｒ 半導体発光素子１Ｒの発光領域 ５Ｇ 半導体発光素子１Ｇの発光領域 ６ 混色領域 θ 混色領域の角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−208988（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−37026（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29660（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−38925（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−3762（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−52463（ＪＰ，Ｕ) 実開 平６−79165（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 異なる２色を発光する２つの半導体発光
    素子と、 前記２つの半導体発光素子を載置するリードフレーム
    と、 前記２つの半導体発光素子を取り囲み、前記発光の取り
    出し側に形成された光透過性の封止樹脂外形とを有し、 前記封止樹脂外形は、前記２つの半導体発光素子を通る
    直線を含み［と］発光の主取り出し方向［との両方］に
    平行な切断面が有する曲線の第１の曲率が、前記２つの
    半導体発光素子を通り前記直線に垂直な２つの平面によ
    る２つの切断面が有する２つの曲線の２つの第２の曲率
    よりも小さいことを特徴とするＬＥＤランプ。
  2. 【請求項２】 異なる３色以上を発光し同一直線上に形
    成された３つ以上の半導体発光素子と、 前記３つ以上の半導体発光素子を載置するリードフレー
    ムと、 前記３つ以上の半導体発光素子を取り囲み、前記発光の
    取り出し側に形成された光透過性の封止樹脂外形とを有
    し、 前記封止樹脂外形は、前記直線を含み［と］発光の主取
    り出し方向［との両方］に平行な切断面が有する曲線の
    第１の曲率が、前記３つ以上の半導体発光素子を通り前
    記直線に垂直な平面毎による切断面毎が有する曲線毎の
    第２の曲率よりも小さいことを特徴とするＬＥＤラン
    プ。
  3. 【請求項３】 前記封止樹脂外形は、 楕円体若しくは楕円体の一部を含む形状で、 且つ、前記直線に対して該楕円体の長軸が略平行である
    ことを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤラン
    プ。
  4. 【請求項４】 前記３つ以上の半導体発光素子は、 赤色発光、緑色発光、及び青色発光の半導体発光素子を
    含むことを特徴とする請求項２または３に記載のＬＥＤ
    ランプ。
  5. 【請求項５】 前記２つの半導体発光素子は、 赤色発光と緑色発光の半導体発光素子であることを特徴
    とする請求項１または３に記載のＬＥＤランプ。
  6. 【請求項６】 前記封止樹脂外形は、 前記第１の曲率に対する前記第２の曲率の比が１．２以
    上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１
    つに記載のＬＥＤランプ。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177761B1 (en) * 1996-07-17 2001-01-23 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. LED with light extractor
EP0976589A4 (en) * 1997-03-18 2006-11-08 Acol Technologies S A LUMINESCENT DIODE
US6441943B1 (en) 1997-04-02 2002-08-27 Gentex Corporation Indicators and illuminators using a semiconductor radiation emitter package
JP3741512B2 (ja) * 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ｌｅｄチップ部品
US6093940A (en) * 1997-04-14 2000-07-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting diode chip component and a light-emitting device
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6679608B2 (en) 1999-01-25 2004-01-20 Gentex Corporation Sensor device having an integral anamorphic lens
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US7049761B2 (en) 2000-02-11 2006-05-23 Altair Engineering, Inc. Light tube and power supply circuit
JP2001326390A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
US7279674B2 (en) * 2000-08-17 2007-10-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd Optical encoder module
US7075112B2 (en) * 2001-01-31 2006-07-11 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US6639360B2 (en) 2001-01-31 2003-10-28 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
JP2002314138A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6831268B2 (en) * 2002-01-10 2004-12-14 Gentex Corporation Sensor configuration for substantial spacing from a small aperture
US7543946B2 (en) * 2002-01-10 2009-06-09 Gentex Corporation Dimmable rearview assembly having a glare sensor
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US6897486B2 (en) * 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US7302181B2 (en) * 2003-02-25 2007-11-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single lens multiple light source device
JP2005093712A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
US8070329B1 (en) 2005-02-11 2011-12-06 Gentex Corporation Light emitting optical systems and assemblies and systems incorporating the same
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
WO2007034537A1 (ja) * 2005-09-20 2007-03-29 Renesas Technology Corp. Ｌｅｄ光源およびその製造方法
US7674008B2 (en) 2006-10-19 2010-03-09 Au Optronics Corporation Light emitting device and panel
KR101346342B1 (ko) * 2007-03-30 2013-12-31 서울반도체 주식회사 낮은 열저항을 갖는 발광 다이오드 램프
JP5418746B2 (ja) * 2008-03-10 2014-02-19 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
DE102008022888A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Lok-F Gmbh Leuchtvorrichtung
JP5384871B2 (ja) * 2008-08-07 2014-01-08 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US8214084B2 (en) 2008-10-24 2012-07-03 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting with building controls
US8653984B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting control with emergency notification systems
US7938562B2 (en) 2008-10-24 2011-05-10 Altair Engineering, Inc. Lighting including integral communication apparatus
US8901823B2 (en) 2008-10-24 2014-12-02 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8540401B2 (en) 2010-03-26 2013-09-24 Ilumisys, Inc. LED bulb with internal heat dissipating structures
KR101047778B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
US8620523B2 (en) 2011-06-24 2013-12-31 Gentex Corporation Rearview assembly with multiple ambient light sensors
EP2740003B1 (en) 2011-08-05 2017-06-14 Gentex Corporation Optical assembly for a light sensor
JP2013098416A (ja) * 2011-11-02 2013-05-20 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール、および照明器具
US9271367B2 (en) 2012-07-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. System and method for controlling operation of an LED-based light
US9870753B2 (en) 2013-02-12 2018-01-16 Gentex Corporation Light sensor having partially opaque optic
US9207116B2 (en) 2013-02-12 2015-12-08 Gentex Corporation Light sensor
CN103557459B (zh) * 2013-11-06 2016-03-02 郑州中原显示技术有限公司 发光面不相同的三基色led灯
KR20160111975A (ko) 2014-01-22 2016-09-27 일루미시스, 인크. 어드레스된 led들을 갖는 led 기반 조명
US9510400B2 (en) 2014-05-13 2016-11-29 Ilumisys, Inc. User input systems for an LED-based light
US10161568B2 (en) 2015-06-01 2018-12-25 Ilumisys, Inc. LED-based light with canted outer walls

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5882581A (ja) * 1981-11-11 1983-05-18 Kimura Denki Kk Ｌｅｄランプ
JPS61163673A (ja) * 1985-01-14 1986-07-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオ−ド
JP2884640B2 (ja) * 1989-11-29 1999-04-19 岩崎電気株式会社 発光ダイオード
JPH03179787A (ja) * 1989-12-07 1991-08-05 Mitsui Petrochem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH04137772A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Sharp Corp ３色発光素子及び表示装置
US5266817A (en) * 1992-05-18 1993-11-30 Lin Paul Y S Package structure of multi-chip light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
CN1102467A (zh) 1995-05-10
JPH0715043A (ja) 1995-01-17
US5841177A (en) 1998-11-24
CN1062981C (zh) 2001-03-07

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