JPH08162678A - 発光ダイオード及び発光ダイオードドットマトリックス - Google Patents

発光ダイオード及び発光ダイオードドットマトリックス

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JPH08162678A
JPH08162678A JP6321252A JP32125294A JPH08162678A JP H08162678 A JPH08162678 A JP H08162678A JP 6321252 A JP6321252 A JP 6321252A JP 32125294 A JP32125294 A JP 32125294A JP H08162678 A JPH08162678 A JP H08162678A
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JP
Japan
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light emitting
emitting diode
reflection type
bent
type light
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JP6321252A
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Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
Takashi Sato
敬 佐藤
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Iwasaki Denki KK
Original Assignee
Iwasaki Denki KK
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来の反射型発光ダイオードに比べて基板に
実装する際の配列ピッチを小さくすることができる反射
型発光ダイオードを提供する。 【構成】 発光素子と、発光素子に電力を供給するリー
ドフレーム12a,12b,12cと、発光素子の発光
面に対向するように設けられた正面形状が横長の楕円形
状に形成された凹面状反射面14とを有する発光ダイオ
ード10において、リードフレーム12a〜12cが、
凹面状反射面14の長径φ1 の中央部近傍から短径φ2
の端部に引き出された後、長径φ1 と略平行になるよう
に折曲され、その後、更に後方に折曲されていることを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、反射型発光ダイオード
及び反射型発光ダイオードを用いた発光ダイオードドッ
トマトリックスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下、従来の反射型発光ダイオードにつ
いて図8乃至図10を参照して説明する。図8は従来の
反射型発光ダイオードの概略正面図、図9は図8に示す
反射型発光ダイオードの概略左側面図、図10は図8に
示す反射型発光ダイオードの概略背面図である。
【0003】図8乃至図10に示す反射型発光ダイオー
ド50は、赤色の発光素子51a及び黄緑色の発光素子
51bと、発光素子51a,51bに電力を供給するリ
ードフレーム52a,52b,52cと、光透過性材料
53と、発光素子51a,51bの発光面に対向するよ
うに設けられた、正面形状が横長の楕円形状に形成され
た凹面状反射面54と、発光素子51a,51bの背面
側に設けられた放射面55と、リードフレーム52aと
発光素子51bとを接続するワイヤ56aと、リードフ
レーム52cと発光素子51aとを接続するワイヤ56
bとを有する。光透過性材料53は、発光素子51a,
51bと、リードフレーム52a,52b,52cの先
端部と、ワイヤ56a,56bとを一体的に封止する。
光透過性材料53の四隅は、基板に取り付けて用いる場
合に、前面板、フード等の取り付けネジが当たるのを防
止するためカットされている。リードフレーム52a〜
52cは、凹面状反射面54で反射された光のうちリー
ドフレーム52a〜52cで遮られて外部に放射されな
くなる光を少なくするため、凹面状反射面54の長径φ
1 の中央部近傍から短径φ2 の端部近傍に引き出された
後、短径φ2 と略平行になるように外部に引き出され、
その後、更に後方に折曲されている。凹面状反射面54
の短径φ2 方向の端部には、補強のための肉厚部53a
が設けられている。
【0004】上記構成の反射型発光ダイオード50は、
正面形状が横長の楕円形状に形成された凹面状反射面5
4を、発光素子51a,51bの発光面に対向するよう
に設けたことにより、発光素子51a,51bが発した
光を水平方向には広い配光で、また、垂直方向には比較
的狭い配光で効率よく前方に放射することができる。ま
た、砲弾形状をした所謂レンズ型発光ダイオードに比べ
て発光素子51a,51bが発する光の外部放射効率を
高めることができ、また薄型にすることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
従来の反射型発光ダイオード50では、リードフレーム
52a〜52cの後方への折り曲げは、リードフレーム
52a〜52cの裏面にリード支持用治具を当ててリー
ドフレーム52a〜52cを支持し、リードフレーム5
2a〜52cの表面にリード曲げ用治具を押し当てるこ
とにより行っている。したがって、図9に示すように、
肉厚部53aの端から後方への折曲部までのリードフレ
ーム52a〜52cの長さL1 は、リードフレーム52
a〜52cの裏面にリード支持用治具を当てるスペース
とリードフレーム52a〜52cの厚みとを加算した寸
法より長くなる。
【0006】図11は基板60に上記構成の反射型発光
ダイオード50を実装した様子を示す図である。図11
に示すように、基板60に反射型発光ダイオード50を
実装するには、基板に差し込み孔62を形成する必要が
ある。このため、基板に上記構成の反射型発光ダイオー
ド50を実装する場合、図11に示すように、縦方向の
配列ピッチP(凹面状反射面54の中心軸から隣接する
凹面状反射面54の中心軸までの距離を配列ピッチPと
する)は、リードフレーム52a〜52cの肉厚部53
aの端から後方への折曲部までの長さL1 と、凹面状反
射面54の中心軸から光透過性材料53により封止され
ている端部までの幅L2 と、リードフレーム52a〜5
2cの短径φ2 方向の端から差し込み孔62の端までの
距離L3とを加算した値の2倍の値より大きくしなけれ
ばならない。したがって、上記構成の従来の反射型発光
ダイオード50では、縦方向の配列ピッチが大きく、ド
ット配列する場合の縦方向の間隔が制限される。このた
め、所定の大きさに視認されるドットを所定間隔に配列
することができないという問題がある。
【0007】また、この反射型発光ダイオード50を基
板に実装する場合、上述したように差し込み孔を形成す
る必要がある。このため、配列状態は図11に示すよう
になり、反射型発光ダイオード50の形状は反射型発光
ダイオード50の横方向の寸法を一辺とする正方形(図
11において点線で示す)の範囲内に収まらない。さら
に、たとえば、反射型発光ダイオード50を16×16
の単位でケースに収納し、発光ダイオードドットマトリ
ックスとして用いる場合、ケースを樹脂成形したとする
と、ケースの肉厚として最低でも約1mmは必要であ
る。したがって、ケースの隣接部では約2mmのスペー
スが必要になる。そして、ケースの隣接部以外のドット
間隔もケースの隣接部のドット間隔と等しくする必要が
あるので、、反射型発光ダイオード50の縦方向の配列
ピッチPは、L1 、L2 及びL3 を加算した値の2倍の
値に更に2mmを加えた値より大きくしなければならな
い。したがって、上記構成の従来の反射型発光ダイオー
ド50をドットマトリックスとして用いた場合、反射型
発光ダイオード50の縦方向の配列ピッチが更に長くな
り、表示文字等の品質が低下するという問題もある。
尚、レンズ型発光ダイオードでは、リードフレームは裏
面から外部に中心軸と略平行になるように引き出されて
いるので、レンズ型発光ダイオードを正面から見た場
合、リードフレームはレンズ面の外側に引き出されてい
ない。したがって、上記構成の従来の反射型発光ダイオ
ード50に比べて、縦方向の配列ピッチを密にすること
ができる。
【0008】尚、上記では反射型発光ダイオード50を
ディスクリートで基板実装する場合について説明した
が、反射型発光ダイオード50を表面実装する場合は、
リードフレーム52a〜52cの端部を外側に曲げると
更に配列ピッチが長くなるので、リードフレーム52a
〜52cの端部を内側に曲げる必要がある。しかし、内
曲げでは、半田検査が容易でなく、実装精度が低下する
という問題がある。
【0009】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、従来の反射型発光ダイオードに比べて基板に実
装する際の配列ピッチを小さくすることができる反射型
発光ダイオードを提供することを目的とするものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1記載の発明の発光ダイオードは、発光素子
と、前記発光素子に電力を供給するリードと、前記発光
素子の発光面に対向するように設けられた正面形状が非
軸対称形状に形成された凹面状反射面とを有する発光ダ
イオードにおいて、前記リードが、前記凹面状反射面の
長径の中央部近傍から短径の端部近傍に引き出された
後、前記長径と略平行になるように折曲され、その後、
更に後方に折曲されていることを特徴とするものであ
る。
【0011】請求項2記載の発明の発光ダイオードは、
請求項1記載の発明において、前記リードが、前記長径
方向の長さを一辺とする正方形に収まる範囲内で後方に
折曲されていることを特徴とするものである。
【0012】請求項3記載の発明の発光ダイオードは、
請求項1又は2記載の発明において、前記リードの後方
に折曲された部分に、前記凹面状反射面の短径方向の内
側方向に略クランク状に曲げられている部分があること
を特徴とするものである。
【0013】請求項4記載の発明の発光ダイオードドッ
トマトリックスは、請求項1,2又は3記載の発光ダイ
オードを用いたことを特徴とするものである。
【0014】
【作用】請求項1記載の発明の発光ダイオードは、リー
ドを凹面状反射面の長径の中央部近傍から短径の端部近
傍に引き出した後、長径と略平行になるように折曲した
ことにより、基板に実装する場合、従来の反射型発光ダ
イオードに比べて縦方向の配列ピッチを小さくすること
ができる。
【0015】請求項2記載の発明の発光ダイオードは、
リードを凹面状反射面の長径方向の長さを一辺とする正
方形に収まる範囲内で後方に折曲したことにより、基板
に縦横等ピッチで密に実装することができる。
【0016】請求項3記載の発明の発光ダイオードは、
リードの後方に折曲した部分に、凹面状反射面の短径方
向の内側方向に略クランク状に曲げた部分を設けたこと
により、基板に密に配列する場合でも、リードを挿入す
るための差し込み孔周辺の導電部を十分な大きさで形成
することができる。
【0017】請求項4記載の発明の発光ダイオードドッ
トマトリックスは、請求項1乃至3記載の発光ダイオー
ドを用いたことにより、従来の反射型発光ダイオードを
用いてドットマトリックスを作製した場合に比べて、縦
方向の配列ピッチを小さくすることができ、したがっ
て、表示文字等の品質を向上させることができる。
【0018】
【実施例】以下、本発明の第一実施例である反射型発光
ダイオードについて図1乃至図3を参照して説明する。
図1は本発明の第一実施例である反射型発光ダイオード
の概略正面図、図2は図1に示す反射型発光ダイオード
の概略左側面図、図3は図1に示す反射型発光ダイオー
ドの概略背面図である。
【0019】図1乃至図3に示す反射型発光ダイオード
10は、赤色の発光素子11a及び黄緑色の発光素子1
1bと、発光素子11a,11bに電力を供給するリー
ドフレーム12a,12b,12cと、光透過性材料1
3と、発光素子11a,11bの発光面に対向するよう
に設けられた、正面形状が横長の楕円形状に形成された
凹面状反射面14と、発光素子11a,11bの背面側
に設けられた放射面15と、リードフレーム12aと発
光素子11bとを接続するワイヤ16aと、リードフレ
ーム12cと発光素子11aとを接続するワイヤ16b
とを有する。光透過性材料13は、発光素子11a,1
1bと、リードフレーム12a,12b,12cの先端
部と、ワイヤ16a,16bとを一体的に封止する。光
透過性材料13の四隅は、基板に取り付けて用いる場合
に、放射面15以外の部分が外光により反射し、点灯時
と消灯時とのコントラストが小さくなるのを防止する前
面板や放射面15に太陽光があたるのを防ぐフード等を
基板に取り付けるためのネジが当たるのを防止するため
カットされている。リードフレーム12a〜12cは、
凹面状反射面14で反射された光のうちリードフレーム
12a〜12cで遮られて外部に放射されなくなる光を
少なくするため、凹面状反射面14の長径φ1 の中央部
近傍から短径φ2 の端部近傍に引き出された後、長径φ
1 と略平行になるように折曲され、その後、更に後方に
折曲されている。凹面状反射面14の短径φ2 方向の端
部には、補強のための肉厚部13aが形成されている。
【0020】上記構成の反射型発光ダイオード10は、
正面形状が横長の楕円形状に形成された凹面状反射面1
4を発光素子11a,11bの発光面に対向するように
設けたことにより、発光素子11a,11bが発した光
を水平方向には広い配光で、また垂直方向には比較的狭
い配光で効率よく前方に放射することができる。また、
砲弾形状をした所謂レンズ型発光ダイオードに比べて発
光素子51a,51bが発する光の外部放射効率を高め
ることができ、また薄型にすることができる。
【0021】本発明の第一実施例によれば、リードフレ
ーム12a〜12cを凹面状反射面14の長径φ1 の中
央部近傍から短径φ2 の端部近傍に引き出した後、長径
φ1と略平行になるように折曲したことにより、基板に
実装する場合、図4に示すように、縦方向の配列ピッチ
P(凹面状反射面14の中心軸から隣接する凹面状反射
面14の中心軸までの距離を配列ピッチPとする)は、
凹面状反射面14の中心軸から光透過性材料13により
封止されている端部までの幅L2 の2倍の値より大きく
すればよい。尚、図4において、30は基板、32は基
板に形成されたリードフレーム12a〜12cの差し込
み孔である。このため、本発明の第一実施例によれば、
従来の反射型発光ダイオードに比べて縦方向の配列ピッ
チを小さくすることができる。また、反射型発光ダイオ
ード10の形状は、反射型発光ダイオード10の長径φ
1 方向の寸法を一辺とする正方形(図4において点線で
示す)の範囲内に収めることができる。これにより、基
板に反射型発光ダイオード10を縦横等ピッチで密に実
装することができる。
【0022】さらに、たとえば、上記構成の反射型発光
ダイオード10を16×16の単位で樹脂成形されたケ
ースに収納し、発光ダイオードドットマトリックスとし
て用いる場合、本実施例の反射型発光ダイオード10
は、リードフレーム12a〜12cの外部に引き出した
部分を凹面状反射面14の長径φ1 と略平行になるよう
に折曲しているので、反射型発光ダイオード10の縦方
向の配列ピッチPは、上述したケースの隣接部において
必要とされる約2mmのスペースに肉厚部13aの幅L
2 の2倍の値を加えた値より大きくすればよい。したが
って、上記構成の反射型発光ダイオード10をドットマ
トリックスとして用いた場合、従来の反射型発光ダイオ
ードを用いてドットマトリックスを作製した場合に比べ
て、縦方向の配列ピッチを小さくすることができ、した
がって、表示文字等の品質を向上させることができる。
【0023】次に、本発明の第二実施例について図5乃
至図7を参照して説明する。図5は本発明の第二実施例
である反射型発光ダイオードの概略正面図、図6は図5
に示す反射型発光ダイオードの概略左側面図、図7は図
5に示す反射型発光ダイオードの概略背面図である。
【0024】図5乃至図7に示す第二実施例の反射型発
光ダイオード20が第一実施例の反射型発光ダイオード
10と異なる点は、リードフレーム12a,12b,1
2cに代えてリードフレーム22a,22b,22cを
用いたことである。その他の構成は第一実施例と同様で
ある。尚、第二実施例において第一実施例と同様の機能
を有するものは、同一の符号又は対応する符号を付すこ
とにより、その詳細な説明を省略する。
【0025】リードフレーム22a〜22cがリードフ
レーム12a〜12cと異なる点は、後方に折曲した部
分に凹面状反射面14の短径φ2 方向の内側方向に略ク
ランク状に曲げた部分を形成したことである。その他に
ついてはリードフレーム12a〜12cと同様である。
尚、短径φ2 方向の内側方向への曲げは、打ち抜きやエ
ッチングによりリードフレームを作製する際に形成すれ
ばよい。
【0026】本発明の第二実施例によれば、リードフレ
ーム22a〜22cの後方に折曲した部分に、凹面状反
射面14の短径φ2 方向の内側方向に略クランク状に曲
げた部分を設けたことにより、基板に密に配列する場合
でも、リードフレーム22a〜22cを挿入するための
差し込み孔周辺の導電部を十分な大きさで形成すること
ができる。その他の効果は、第一実施例のものと同様で
ある。
【0027】本発明は、上記の各実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で様々な変形が可能であ
る。たとえば、上記の各実施例では、ディスクリートで
基板実装する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、表面実装するものでもよい。
この場合、リードフレームの端部を外側に曲げて半田付
けしても、前面板、フード等の取り付けに支障のない範
囲内で十分に対応することができる。
【0028】また、上記の各実施例では、凹面状反射面
として、正面形状が横長の楕円形状のものについて説明
したが、本発明はこれに限定されるものではない。凹面
状反射面は、正面形状が非軸対称形状のものであればよ
い。たとえば、本発明者等が先に出願した特願平6−2
11747に記載したように、凹面状反射面は、中央部
に形成された、水平方向において発光素子が発した光を
中心軸に略平行な方向を含む広い範囲に反射する第一の
反射面と、水平方向側の両端部に設けられた、水平方向
において発光素子が発した光を中心軸に略平行な方向及
び/又は中心軸に対し内側の方向に反射する第二の反射
面とを有するものであってもよい。この場合、第一の反
射面の正面形状及び中心軸に垂直な平面による断面形状
は、水平方向の径が鉛直方向の径より長い楕円面状に形
成され、第二の反射面は、球面状に形成されていること
が望ましい。
【0029】さらに、上記の各実施例では、赤色の発光
素子11aと黄緑色の発光素子11bとを用いたものに
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。また、発光素子の数は2個に限定されるものでは
ない。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
によれば、リードを凹面状反射面の長径の中央部近傍か
ら短径の端部近傍に引き出した後、長径と略平行になる
ように折曲したことにより、基板に実装する場合、従来
の反射型発光ダイオードに比べて縦方向の配列ピッチを
小さくすることができる反射型発光ダイオードを提供す
ることができる。
【0031】請求項2記載の発明によれば、リードを凹
面状反射面の長径方向の長さを一辺とする正方形に収ま
る範囲内で後方に折曲したことにより、基板に縦横等ピ
ッチで密に実装することができる反射型発光ダイオード
を提供することができる。
【0032】請求項3記載の発明によれば、リードの後
方に折曲した部分に、凹面状反射面の短径方向の内側方
向に略クランク状に曲げた部分を設けたことにより、基
板に密に配列する場合でも、リードを挿入するための差
し込み孔周辺の導電部を十分な大きさで形成することが
できる反射型発光ダイオードを提供することができる。
【0033】請求項4記載の発明によれば、請求項1乃
至3記載の発光ダイオードを用いたことにより、従来の
反射型発光ダイオードを用いてドットマトリックスを作
製した場合に比べて、縦方向の配列ピッチを小さくする
ことができ、したがって、表示文字等の品質を向上させ
ることができる発光ダイオードドットマトリックスを提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例である反射型発光ダイオー
ドの概略正面図である。
【図2】図1に示す反射型発光ダイオードの概略左側面
図である。
【図3】図1に示す反射型発光ダイオードの概略背面図
である。
【図4】基板に第一実施例の反射型発光ダイオードを実
装した様子を示す図である。
【図5】本発明の第二実施例である反射型発光ダイオー
ドの概略正面図である。
【図6】図5に示す反射型発光ダイオードの概略左側面
図である。
【図7】図5に示す反射型発光ダイオードの概略背面図
である。
【図8】従来の反射型発光ダイオードの概略正面図であ
る。
【図9】図8に示す反射型発光ダイオードの概略左側面
図である。
【図10】図8に示す反射型発光ダイオードの概略背面
図である。
【図11】基板に従来の反射型発光ダイオードを実装し
た様子を示す図である。
【符号の説明】
10,20 反射型発光ダイオード 11a,11b 発光素子 12a,12b,12c,22a,22b,22c
リードフレーム 13 光透過性材料 13a 補強部 14 凹面状反射面 15 放射面 16a,16b ワイヤ 30 基板 32 差し込み孔

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
    するリードと、前記発光素子の発光面に対向するように
    設けられた非軸対称形状に形成された凹面状反射面とを
    有する発光ダイオードにおいて、 前記リードは、前記凹面状反射面の長径の中央部近傍か
    ら短径の端部近傍に引き出された後、前記長径と略平行
    になるように折曲され、その後、更に後方に折曲されて
    いることを特徴とする発光ダイオード。
  2. 【請求項2】 前記リードは、前記長径方向の長さを一
    辺とする正方形に収まる範囲内で後方に折曲されている
    ことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
  3. 【請求項3】 前記リードは、後方に折曲された部分に
    前記凹面状反射面の短径方向の内側方向に略クランク状
    に曲げられている部分があることを特徴とする請求項1
    又は2記載の発光ダイオード。
  4. 【請求項4】 請求項1,2又は3記載の発光ダイオー
    ドを用いたことを特徴とする発光ダイオードドットマト
    リックス。
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EP1249876A2 (en) 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
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