JP4835104B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
本形態の基材は、アルミ、鉄入り銅を主な材料とするリードフレームや、そのようなリードフレームを樹脂にインサート成型させたパッケージとすることができる。
本形態における導電体は、樹脂にインサート成型されたリードフレームや、基材に設けられた導体配線である。
本形態における接着部材には、熱硬化性樹脂などを挙げることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂などが挙げられる。また、ダイボンドすると共に電気的接続を行うには、Agペースト、カーボンペーストなどを用いることができる。
本形態における半導体素子は、発光ダイオードやレーザダイオードなどの発光素子、および、受光素子、およびそれらの半導体素子を過電圧による破壊から守る保護素子(例えば、ツェナーダイオードやコンデンサー)などである。
本形態における発光素子は、発光ダイオードやレーザダイオードなど、発光装置の光源となり得るものである。
本形態において、発光素子の電極と、基材上の導電体を接続する導電性ワイヤは、導電体とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度としては0.01cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤの直径は、好ましくは、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。このような導電性ワイヤとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。このような導電性ワイヤは、導電体に形成させたボンディング部と、発光素子の電極と、をワイヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。
101・・・基材
102・・・発光素子
103・・・保護素子
104・・・導体配線
105・・・導電性ワイヤ
106・・・導体配線
107・・・段差(凸部)
201・・・セラミック素地部
202・・・セラミック素地部
203・・・セラミック素地部
204・・・ビア
205・・・ビア
300・・・半導体発光装置
Claims (6)
- 発光素子が載置された基材と、
前記基材に施され、連続して設けられた第一の部位および第二の部位を有する導体配線と、
前記導体配線の背面側に設けられた電極と、
前記導体配線と前記電極とを電気的に接続するビアと、
前記発光素子とは別に、接着部材を介して前記第一の部位に載置された半導体素子と、
を備え、
前記第二の部位には、前記発光素子に接続された導電性ワイヤのボンディング部が設けられており、前記導体配線は、前記第一の部位と前記第二の部位の間に、段差を有し、さらに、その導体配線の面積が一方の部位から他方の部位の方向に小さくなっており、
前記段差は前記ビアにより形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記基材は凹部を有し、前記凹部の底に前記導体配線が形成され、
前記凹部の開口方向から見て、前記導体配線の少なくとも一部が、前記凹部の内壁に沿って設けられている請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記導体配線は、前記第1の部位と第2の部位の両側から、前記第1の部位と第2の部位の間に向かって小さくなる請求項1または請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前記段差から前記半導体素子の中央部までの距離が、前記段差から前記ボンディング部までの距離よりも短い請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記段差は凹凸形状によって設けられている請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記導体配線が湾曲形状である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
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