JP2015070134A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
表面に金属を有する基体と、
該基体の表面に搭載された発光素子と、
該発光素子と金属とを接続するワイヤと、
前記金属を被覆する光反射部材とを備え、
前記ワイヤは、前記金属の表面に配置された第1ボンディングボール部と、該第1ボンディングボール部からその上方に延長する延伸部を有し、
前記光反射部材は、前記第1ボンディングボール部上に突出部を有することを特徴とする。
発光装置は、通常、発光素子を搭載するための基体を備えている。
基体は、通常、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性材料、絶縁性材料と金属部材との複合材料等によって構成される。耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙げられ、これらのセラミックス材料に、例えば、BTレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせてもよい。
このような基体は、当該分野で公知であり、発光素子等が実装されるために使用される基体のいずれをも用いることができる。
なお、金属は、発光素子と電気的に接続されるもののみならず、発光素子又は保護素子を載置するか、放熱性を向上させる、保護素子と電気的に接続されるなど、他の機能を付与するために利用することができる。
また、基体の表面に有する金属とは、配線パターンとして有する場合は金属膜と言い換えられるが、本発明これに限定されるものではなく、リードフレームタイプの発光装置も含む。つまり、発光素子が載置される基体として、リードと樹脂とからなる基体を用いると、そのリードは基体の表面に露出しており、リードが基体の表面に有する金属に相当する。
壁部の表面は、後述するような発光素子から出射される光に対する反射性を有するものが好ましい。
本発明で用いられる発光素子は、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子を意味する。なかでも、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体による発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。ただし、最終的に、基板が除去されたものであってもよい。
対向する面にそれぞれ正及び負の電極を有する発光素子の場合には、発光素子を基体の金属上に載置し、一方の電極(以下、第1電極ということがある)が形成された一方の面(以下、第1面又は裏面ということがある)は、接合部材として、銀、金、パラジウムなどを含有した導電性ペースト等によって固定することが好ましい。これによって、裏面に配置された第1電極を導電性ペーストによって、基体の金属に電気的に接続することができる。
ワイヤは、上述したように、発光素子と基体の金属とを電気的に接続する導電部材である。ワイヤは、発光素子の表面に形成された電極と電気的に接続されている。そのため、ワイヤは、発光素子の電極とのオーミック性が良好であるか、機械的接続性が良好であるか、電気伝導性及び熱伝導性が良好なものであることが好ましい。熱伝導率としては、0.01cal/S・cm2・℃/cm程度以上が好ましく、さらに0.5cal/S・cm2・℃/cm程度以上がより好ましい。作業性などを考慮すると、ワイヤの直径は、1μm〜45μm程度であることが好ましい。このようなワイヤの材料としては、例えば、金、銅、白金、アルミニウム、銀等の金属及びそれらの合金が挙げられる。なかでも、接合信頼性、接合後の応力緩和等の観点から、金が好ましい。
ここで、ファーストボンドとは、ポイント間のワイヤでの接続において、始点としてまず接合する部位を意味し、第1ボンディングボール部を有する部位と言い換えることができる。また、後述するセカンドボンドとは、ポイント間のワイヤでの接続において、終点として次に接合する部位を意味する。
これにより、基体における金属が薄膜であっても、ボンディングのボールがパッド電極の役割を果たして、ワイヤボンドを形成する部位に与えられる押圧等のダメージを軽減又は緩和することができる。その結果、安定した接合を可能とする。
第1ボンディングボール部の高さは、ワイヤの直径、ワイヤの供給量(通常、治具から繰り出すワイヤの長さ)、ワイヤの先端に負荷する接合温度、圧着する際のボールの荷重等の条件を適宜設定することにより、調整することができる。例えば、ワイヤの直径の1倍から3倍程度が好ましい。具体的には、10〜30μm程度が好ましく、15〜20μm程度がより好ましい。
第1ボンディングボール部の金属との接合面積は、後述する光反射部材の形態によって適宜調整することができる。例えば、ワイヤの直径の1倍から3倍程度又はボールの直径の1/3〜1倍程度が好ましい。
また、別の観点から、基体が発光素子を取り囲む壁を有している場合には、第1ボンディングボール部は、発光素子と壁との中間領域に配置されていることが好ましい。ここでの中間領域とは、発光素子と壁との中央±発光素子と壁との距離の±15%程度の領域を意味する。
このような範囲とすることにより、通常のワイヤボンディングにおいて、ワイヤ自体が発光装置の他の部位、例えば、発光素子の上縁等に接触することなく、ワイヤのダメージを回避することができる。また、後述する光反射部材の極薄膜化を確実に防止することができる。
まず、金属上に、ワイヤの溶融により形成されたボールを圧着し、この圧着ボールから、若干上方に移動させた後又は移動させずに、キャピラリを任意の方向に水平移動させる。この場合の任意の方向は、例えば、接続を意図する発光素子の特定部位を0度の位置とすると、150〜210度程度の範囲が挙げられる。つまり、接続を意図する発光素子の略反対の方向である。この際のキャピラリの移動距離は、10〜100μm程度とすることが適している。その後、キャピラリを上昇させる。続いて、キャピラリを第1ボンディングボール部直上に水平移動させ、その後、下降させることにより、第1ボンディングボール部上にキャピラリを圧着させて、第1ボンディングボール部から延長するワイヤの別の部位を第1ボンディングボール部上に圧着させる。第1ボンディングボール部上にワイヤの別の部位を圧着させる際、超音波を印加しながら圧着してもよいが、印加せずに圧着することが好ましい。このように、2度の圧着を行うことにより、第1ボンディングボール部表面を平坦とすることができ、第1ボンディングボール部の高さ及び金属との接触面積の調整をより確実に行うことができる。
まず、金属上に、上述したように、ワイヤによって第1ボンディングボール部を形成する。そして、ワイヤを繰り出しながらキャピラリを第1ボンディングボール部から上昇させる。その後、キャピラリを発光素子の接続を意図する電極とは反対の方向に水平移動させる。次いで、キャピラリを上昇させ、その後、キャピラリを降下させながら、発光素子の接続を意図する電極に向かって移動させ、発光素子の電極表面に、ワイヤを押し付けることが好ましい。この際、熱、荷重及び/又は超音波を加えて、ワイヤを変形させることにより、発光素子の電極上に、いわゆるセカンドボンドとして、ボンディングステッチを形成することができる。なお、意図するワイヤループ形状に応じて、キャピラリの水平移動、上昇及び降下の順序及び程度は適宜変更することができる。
金属は、その表面の一部が光反射部材で被覆されており、その全部が被覆されていることが好ましい。これにより、発光素子から出射された光が金属によって吸収されることを阻止することができる。その結果、初期明るさをも向上させることが可能となる。
一方、平坦な表面の上に、上述した基体の凹部の壁、発光素子の側面等の凸部が存在すると、その凸部に沿って樹脂溶液等が這い上がる。
近年の発光装置は、非常に微小であるため、光反射部材として使用される樹脂溶液等の使用量は極少量であり、その微調整が困難な状況である。
反射性材料は、例えば、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等により形成することができるが、なかでも、任意の形状に容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ましい。
樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。具体的には、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。
透光部材は、発光素子から出射される光を通過させる部材であり、発光素子及び/又は光反射部材を被覆するように配置されていることが好ましい。
蛍光体としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al2O3−SiO2)、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)2SiO4)などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。特に、青色発光素子に組み合わせて白色発光させる蛍光体としては、青色で励起されて黄色のブロードな発光を示す蛍光体を用いることが好ましい。例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)系、BOS(Barium ortho-Silicate)系等が好ましい。このような蛍光体が透光部材に含有される場合、蛍光体の濃度を、例えば5〜50%程度とすることが好ましい。
また、黄色蛍光体の他に、Si6−ZAlZOZN8−Z:Eu、Lu3Al5O12:Ce、BaMgAl10O17:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Zn,Cd)Zn:Cu、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu,Mn、(Sr,Ca)2Si5N8:Eu、CaAlSiBXN3+X:Eu、K2SiF6:Mn及びCaAlSiN3:Euなどの蛍光体を用いて演色性や、色再現性を調整することもできる。
透光部材は、ポッティング、スクリーン印刷等によって形成することができる。
実施形態1
この実施形態の発光装置10は、図1A及び1Bに示すように、
表面に金属12を有する基体11と、基体11の表面に搭載された発光素子15と、発光素子15と金属12とを電気的に接続するワイヤ16と、金属12を被覆する光反射部材13とを備える。また、発光素子15と光反射部材13とを被覆する透光部材14を備えている。
基体11上の金属12表面には、Au−Sn共晶などの半田やエポキシ、シリコーン等の樹脂による接合部材17によって、発光素子15がフェイスアップ実装されている。
発光素子15は、例えば、青色(波長430nm〜490nmの光)又は緑色(波長490nm〜570nmの光)の発光素子として、窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)によって形成されている。
光反射部材13は、基体11上の金属12の全面を被覆しており、その表面張力によって、第1ボンディングボール部16a上におよぶ突出部13aを有する。
突出部13aは、第1ボンディングボール部16aの露出した表面の全てを被覆しており、第1ボンディングボール部16a上に及び、さらに延長部16bの下方の一部の周囲も被覆している。
突出部13aは、光反射部材13を形成する際の樹脂溶液等の粘度等によって、その高さが調整されており、第1ボンディングボール部16aに向かって漸次高くなっている。突出部13aの最も高い(厚い)部位は、金属12の表面から100μm程度の高さ(厚み)である。光反射部材13の最も薄い部位の厚みは、10μm程度である。
また、光反射部材13は、その表面張力によって、発光素子15の全側面と、段差を有する基体11の壁11aの全面とを被覆している。
透光部材14は、シリコーン樹脂に蛍光体としてYAGを、透光部材14の全重量の5〜10重量%で含有して形成されている。蛍光体18は、シリコーン樹脂内で沈降しており、光反射部材13側に堆積している。
これによって、樹脂溶液等の粘度を調整するという簡便な方法によって、非常に困難である1つの発光装置への樹脂溶液等の極少量の使用量の微調整を不要とし、確実に上記効果を発揮させることができる。
この実施形態の発光装置20は、図2に示すように、
発光素子15を、直列接続によって2つ備えており、それに対応する基体21及び金属22のパターンを用いている以外は、実質的に実施形態1の発光装置10と同様の構成を有する。
この場合、発光素子15間を接続するために、一方の発光素子15の電極上で、ボールスティッチオンボールが形成されている。
このような実施形態の発光装置においては、実施形態1と同様の効果を発揮させることができる。
11 基体
11a 壁
12 金属
13 光反射部材
13a 突出部
14 透光部材
15 発光素子
16 ワイヤ
16a 第1ボンディングボール部
16b 延長部
16c 方向を変える部位
16d 発光素子に接続される部位
17 接合部材
18 蛍光体
A ワイヤの最も高い部位
Claims (10)
- 表面に金属を有する基体と、
該基体の表面に搭載された発光素子と、
該発光素子と金属とを接続するワイヤと、
前記金属を被覆する光反射部材とを備え、
前記ワイヤは、前記金属の表面に配置された第1ボンディングボール部と、該第1ボンディングボール部の上方に延長する延長部を有し、
前記光反射部材は、前記第1ボンディングボール部上に突出部を有することを特徴とする発光装置。 - 前記延長部は、前記金属の表面に対して垂直に延長する請求項1に記載の発光装置。
- 前記光反射部材は、前記発光素子の側面の少なくとも一部を被覆する請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記光反射部材は、前記突出部に向かって漸次高さが異なる請求項1から3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記基体は、前記発光素子を取り囲む壁を備え、前記光反射部材は、前記壁の少なくとも一部を被覆する請求項1から4のいずれか1つに記載の発光装置。
- さらに、少なくとも前記発光素子又は前記光反射部材を被覆する透光部材が配置されている請求項1から5のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記透光部材は、蛍光体を含有する請求項6に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、基体の表面にフェイスアップ実装されており、前記ワイヤは、前記発光素子を構成する電極と金属とを電気的に接続する請求項1から7のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記光反射部材は、前記発光素子の全側面を被覆し、かつ全上面を露出させる請求項1から8のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記ワイヤは、最も高い部位が、前記発光素子と第1ボンディングボール部との間であって、前記発光素子が載置されていない金属の上方に位置する請求項1から9のいずれか1つに記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013203704A JP6523597B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 発光装置 |
US14/492,513 US9373767B2 (en) | 2013-09-30 | 2014-09-22 | Light emitting device with light reflecting member having protrusion over bonding ball of wire |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013203704A JP6523597B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015070134A true JP2015070134A (ja) | 2015-04-13 |
JP6523597B2 JP6523597B2 (ja) | 2019-06-05 |
Family
ID=52739987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013203704A Active JP6523597B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9373767B2 (ja) |
JP (1) | JP6523597B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017188278A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2018088485A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020508565A (ja) * | 2017-03-03 | 2020-03-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
JP2021044414A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6424738B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2018-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
CN106486590A (zh) * | 2015-08-26 | 2017-03-08 | 深圳市斯迈得半导体有限公司 | 一种通用于应用线材焊线技术中的混合焊线装置 |
JP2017157593A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法 |
WO2024061878A1 (en) * | 2022-09-21 | 2024-03-28 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelectronic device, mold for producing a molded body for an optoelectronic device and method for producing an optoelectronic device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11284234A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2001015542A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002151745A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2006203080A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP2012234955A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | Ledパッケージ及びその製造方法 |
JP2013534733A (ja) * | 2010-07-15 | 2013-09-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体モジュール |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5328079A (en) * | 1993-03-19 | 1994-07-12 | National Semiconductor Corporation | Method of and arrangement for bond wire connecting together certain integrated circuit components |
JP2002043625A (ja) | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Koha Co Ltd | Led装置 |
TW465064B (en) * | 2000-12-22 | 2001-11-21 | Advanced Semiconductor Eng | Bonding process and the structure thereof |
JP4774201B2 (ja) | 2003-10-08 | 2011-09-14 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体及び半導体装置 |
JP2006314082A (ja) | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置 |
JP2009295892A (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2010199547A (ja) | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP5223116B2 (ja) | 2009-03-25 | 2013-06-26 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5326837B2 (ja) | 2009-06-08 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
EP2613371B1 (en) | 2010-08-31 | 2019-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing same |
JP5644352B2 (ja) | 2010-10-15 | 2014-12-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5638922B2 (ja) | 2010-11-17 | 2014-12-10 | パナソニック株式会社 | 発光装置および発光装置を備える照明装置 |
JP5720995B2 (ja) | 2011-03-22 | 2015-05-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
JP6176101B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂パッケージ及び発光装置 |
JP6149727B2 (ja) * | 2013-12-28 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013203704A patent/JP6523597B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-22 US US14/492,513 patent/US9373767B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11284234A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2001015542A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002151745A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2006203080A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP2013534733A (ja) * | 2010-07-15 | 2013-09-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体モジュール |
JP2012234955A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | Ledパッケージ及びその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017188278A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JPWO2017188278A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2019-02-28 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US10559722B2 (en) | 2016-04-26 | 2020-02-11 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP7046796B2 (ja) | 2016-04-26 | 2022-04-04 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2018088485A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020508565A (ja) * | 2017-03-03 | 2020-03-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
JP7030826B2 (ja) | 2017-03-03 | 2022-03-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
JP2021044414A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7057513B2 (ja) | 2019-09-12 | 2022-04-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6523597B2 (ja) | 2019-06-05 |
US9373767B2 (en) | 2016-06-21 |
US20150092414A1 (en) | 2015-04-02 |
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