JP7057513B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態1に係る発光装置1000を図1Aから図7Bに基づいて説明する。内部の構造を示すため、図1A、図4Aおいて、被覆部材70は透明な部材として示している。
樹脂パッケージ10は、発光素子を載置する部材である。樹脂パッケージ10は、少なくともリード20と、樹脂部30と、を備える。
リード20は、導電性を有し、発光素子に給電するための部材である。リード20の母材としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、鉄、ニッケル、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などの金属を用いることができる。これらは単層であってもよいし、積層構造(例えば、クラッド材)であってもよい。特に、母材には安価で放熱性が高い銅を用いることが好ましい。また、リード20は、母材の表面に金属層を有していてもよい。金属層は、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などを含む。なお、金属層は、リード20の全面に設けられていてもよいし、部分的に設けられていてもよい。また、金属層は、リードの上面に形成される領域と、リードの下面に形成される領域とで異なる層にすることができる。例えば、リードの上面に形成される金属層は、ニッケルおよび銀の金属層を含む複数層からなる金属層であり、リードの下面に形成される金属層は、ニッケルの金属層を含まない金属層である。また、例えば、リードの上面に形成される銀等の金属層は、リードの下面に形成される銀等の金属層よりも厚くすることができる。
樹脂部30は、第1リード21と第2リード22を保持する部材である。樹脂部30は、母材となる樹脂材料として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物等の硬化体、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂を用いることができる。特に、エポキシ樹脂組成物や変性シリコーン樹脂組成物の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
発光素子は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を適用できる。発光素子としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子は、少なくとも半導体層を備え、多くの場合に素子基板をさらに備える。上面視において、発光素子は矩形、特に、正方形状又は第1方向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の六角形形状等の多角形形状であってもよい。発光素子は、上面に正負電極を有する。正負電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。このほか、InAlGaAs系半導体、InAlGaP系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子の素子基板は、主として半導体積層体を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。素子基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば0.02mm以上1mm以下であり、素子基板の強度及び/若しくは発光装置の厚さの観点において、0.05mm以上0.3mm以下であることが好ましい。
ワイヤ60は、発光素子とリードを電気的に接続するための部材である。ワイヤ60としては、例えば、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム等の金属またはこれらの1種以上を含む合金のワイヤを用いることができる。ワイヤ60の材料が金を含んでいると、熱抵抗等に優れ、被覆部材70からの応力による破断が生じにくいワイヤが得られ、ワイヤ60の材料が銀を含んでいると、高い光反射率を示すワイヤが得られるので有利である。特に、金および銀の双方を含むワイヤを用いると有益である。ワイヤ60が金および銀の双方を含むワイヤである場合、銀の含有比率を例えば15%以上20%以下、45%以上55%以下、70%以上90%以下または95%%以上99%以下の範囲とすることができる。特に、銀の含有比率が45%以上55%以下である場合、高い光反射率を得ながら、硫化の可能性を低減し得る。ワイヤの線径は、適宜選択でき、例えば5μm以上50μm以下とすることができる。ワイヤの線径は、10μm以上40μm以下であるとより好ましく、15μm以上30μm以下であるとよりいっそう好ましい。
被覆部材70は、発光素子を外部応力から保護する部材である。被覆部材70としては、公知の樹脂材料を用いることができる。被覆部材70の材料としては例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるので好ましい。
保護素子80は、静電耐圧を向上させるため部材である。保護素子には、一般的な発光装置に搭載される種々の保護素子を用いることができる。例えば、保護素子としてツェナーダイオードを用いることができる。発光装置において、保護素子および発光素子は、並列に接続される。
第1反射部材81は凹部内に配置される部材である。第1反射部材は樹脂部と同様に母材となる樹脂材料に、光反射性物質を含有することが好ましい。第1反射部材の材料としては樹脂部と同様の材料を用いることができる。
第2反射部材82は凹部内に配置される部材である。第2反射部材は樹脂部と同様に母材となる樹脂材料に、光反射性物質を含有することが好ましい。第2反射部材の材料としては樹脂部と同様の材料を用いることができる。
10、10A、10B、10C 樹脂パッケージ
20 リード
21 第1リード
22 第2リード
30 樹脂部
42A 第1長側壁
42A1 第1部
42A2 第2部
42B 第2長側壁
42B1 第3部
42B2 第4部
42C 第1短側壁
42D 第2短側壁
50 発光素子
60 ワイヤ
70 被覆部材
80 保護素子
81 第1反射部材
82 第2反射部材
Claims (12)
- 第1リード及び第2リードを含むリードと、前記リードを保持する樹脂部と、を有し、前記第1リード、前記第2リード及び前記樹脂部の一部を底面とし、前記樹脂部の一部を側壁とする凹部を有する長方形の樹脂パッケージと、
前記凹部の底面において前記第1リードに配置される発光素子と、を備え、
上面視において、前記側壁は、第1方向に延び互いに対向する第1長側壁及び第2長側壁と、前記第1方向と直交する第2方向に延び互いに対向する第1短側壁及び第2短側壁と、を有し、
前記第1長側壁は、前記第1リード上に配置される第1部と、前記第1リード及び前記第2リード上に配置される第2部と、を有し、
前記第2方向において、前記第2部の下端における幅は前記第1部の下端における幅よりも大きく、
前記凹部の底面において、前記第1部の下端と前記第2部の下端は前記第1方向に延び、
前記第1リードは上面に前記発光素子を囲む溝部を有する発光装置。 - 前記第1リード及び/又は前記第2リードは貫通孔を有し、前記樹脂部の一部が前記貫通孔内に配置される請求項1に記載の発光装置。
- 上面視において、前記溝部の一部は前記発光素子と重なる請求項1又は2に記載の発光装置。
- 第1リード及び第2リードを含むリードと、前記リードを保持する樹脂部と、を有し、前記第1リード、前記第2リード及び前記樹脂部の一部を底面とし、前記樹脂部の一部を側壁とする凹部を有する長方形の樹脂パッケージと、
前記凹部の底面において前記第1リードに配置される発光素子と、を備え、
上面視において、前記側壁は、第1方向に延び互いに対向する第1長側壁及び第2長側壁と、前記第1方向と直交する第2方向に延び互いに対向する第1短側壁及び第2短側壁と、を有し、
前記第1長側壁は、前記第1リード上に配置される第1部と、前記第1リード及び前記第2リード上に配置される第2部と、を有し、
前記第2方向において、前記第2部の下端における幅は前記第1部の下端における幅よりも大きく、
前記凹部の底面において、前記第1部の下端と前記第2部の下端は前記第1方向に延び、
前記第1リード及び/又は前記第2リードは貫通孔を有し、前記樹脂部の一部が前記貫通孔内に配置される発光装置。 - 前記第2長側壁は、前記第1リード上に配置される第3部と、前記第1リード及び前記第2リード上に配置される第4部と、を有し、
前記第2方向において、前記第4部の下端における幅は前記第3部の下端における幅よりも大きく、
前記凹部の底面において、前記第3部の下端と前記第4部の下端は前記第1方向に延びる請求項1~4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第2部の下端は前記底面に位置する前記樹脂部上において前記第1方向に延びる請求項1~5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第2方向において、前記第2部の下端における幅が前記第1部の下端における幅の1.1倍以上3倍以下である請求項1~6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 内側面に位置する前記第1部の上端と、内側面に位置する前記第2部の上端と、は同一直線上に位置する請求項1~7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記凹部内において、前記発光素子から離れて前記側壁を覆う第1反射部材を有する請求項1~8のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記凹部内において、前記発光素子と接する第2反射部材を有する請求項1~9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第2反射部材が前記溝部内に位置する請求項1~3のいずれか1項に従属する請求項10に記載の発光装置。
- 前記凹部内において、前記樹脂部が前記第1リード及び/又は前記第2リードの上面の一部を覆う請求項1~11のいずれか1項に記載の発光装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005136378A (ja) | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体及び半導体装置 |
JP2008103606A (ja) | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 半導体発光装置用のリードフレーム、半導体発光装置及びその製造方法 |
US20120080711A1 (en) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2015070134A (ja) | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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DE202016008796U1 (de) * | 2015-07-16 | 2019-10-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtungseinheit |
KR20180000971A (ko) * | 2016-06-24 | 2018-01-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005136378A (ja) | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体及び半導体装置 |
JP2008103606A (ja) | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 半導体発光装置用のリードフレーム、半導体発光装置及びその製造方法 |
US20120080711A1 (en) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2012079723A (ja) | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
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