CN102104106B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求2009年12月22日提交的在先的日本专利申请2009-290553的优先权，在此引入其整个内容作为参考。
技术领域
在此说明的实施例一般而言涉及发光器件。
背景技术
通过组合荧光剂与诸如蓝光LED的半导体发光元件而发射白光的白光LED发光器件已被开发作为具有低功率消耗的小发光器件。
JP-A 2001-210874(特开)公开了这样一种结构，其中将包括衬底和预先设置在基底下面上的荧光剂层的LED芯片安装在引线框上，并将荧光剂涂覆到LED芯片的表面上。然而，这样的结构不能充分提高效率。此外，由于在LED芯片与引线框之间设置有荧光剂层和管芯接合粘合剂，因此散热性差；由于发热，发光效能降低；并且可靠性不希望地降低。
虽然对更高效率的发光器件的需求日益增加，但通过常规技术不能充分地提高效率。
发明内容
总的来说，根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层、以及第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对于所述第一光和所述第二光是透明的。
附图说明
图1是示例出发光器件的示意性截面图；
图2是在发光器件中使用的半导体发光元件的示意性截面图；
图3是示例出发光器件的操作的示意图；
图4是示例出比较例的发光器件的示意性截面图；
图5是示例出比较例的发光器件的示意性截面图；
图6是示例出发光器件的示意性截面图；
图7是示例出比较例的发光器件的示意性截面图；
图8是示例出比较例的发光器件的示意性截面图；
图9是示例出比较例的发光器件的示意性截面图；
图10是示例出比较例的发光器件的示意性截面图；
图11A、图11B和图11C是示例出发光器件的示意性截面图；
图12A、图12B和图12C是示例出发光器件的示意性截面图；
图13A和图13B是示例出发光器件的示意性截面图；以及
图14A和14B是示例出发光器件的示意性截面图。
具体实施方式
下面将参考附图更详细地说明本发明的示例性实施例。
附图是示意性的或概念性的；并且各部分的厚度与宽度之间的关系、各部分之间的尺寸的比例等等未必与其实际值相同。此外，各附图之间，甚至对于相同的部分，尺寸和比例可以被不同地示例。
在本申请的说明书和附图中，用相似的参考标号标记与关于上述附图描述的内容相似的部件，并且在适当时省略详细的描述。
第一实施例
图1是示例出根据本发明的第一实施例的发光器件的结构的示意性截面图。
图2是示例出在根据本发明的第一实施例的发光器件中使用的半导体发光元件的结构的示意性截面图。
如图1所示，根据该实施例的发光器件210包括半导体发光元件10、安装构件20、第一波长转换层30、以及第一透明层40。
第一波长转换层30被设置在半导体发光元件10与安装构件20之间且与安装构件20接触。第一波长转换层30吸收从半导体发光元件10发射的第一光并发射第二光，该第二光的波长大于第一光的波长。换言之，第二光的波长带大于第一光的波长带。例如，第二光的波长带的最小波长大于第一光的波长带的最小波长。例如，第二光的波长带的最大波长大于第一光的波长带的最大波长。例如，第二光的波长带的最小波长大于第一光的波长带的最大波长。例如，第二光的峰值波长大于第一光的峰值波长。
第一透明层40被设置在半导体发光元件10与第一波长转换层30之间且与半导体发光元件10和第一波长转换层30接触。第一透明层40对第一光和第二光透明。
如图2所示，半导体发光元件10包括层叠的结构体，该层叠的结构体包括依次层叠在衬底90上的缓冲层101、n型接触层102、发光层103、p型电子阻挡层104、以及p型接触层105。缓冲层101可以包括，例如，多晶GaN；n型接触层102可以包括，例如，掺杂有Si的GaN。发光层103可以具有，例如，量子阱结构，在该量子阱结构中，多重地交替层叠势垒层和阱层。势垒层可以包括，例如，GaN；以及阱层可以包括，例如，InGaN。p型电子阻挡层104可以包括，例如，掺杂有Mg的AlGaN。p型接触层105可以包括，例如，掺杂有Mg的GaN。
在该具体实例的半导体发光元件10的层叠结构体中，去除n型接触层102的一部分、以及发光层103、p型电子阻挡层104和p型接触层105的一部分；暴露n型接触层102的一部分。还将n侧电极108设置为连接到n型接触层102；并且还将p侧电极107设置为连接到p型接触层105。换言之，p侧电极107被设置在半导体发光元件10的位于p型半导体层(p型接触层105)侧的第一主表面10a上且与p型半导体层(p型接触层105)接触。半导体发光元件10的位于n型半导体层(n型接触层102)侧的第二主表面10b是与安装构件20相对的一侧的面。
半导体发光元件10的每一个半导体层都可包括氮化物半导体。换言之，半导体发光元件10可包括，例如，蓝光发光二极管(LED)、蓝紫光LED、紫光LED、紫外光LED等等。然而，本发明的实施例不限于此。可以使用任何半导体发光元件10。
在如图1所示的该具体实例中，在安装构件20上设置p侧基底电极107e和n侧基底电极108e。p侧基底电极107e和n侧基底电极108e分别通过p侧互连107w和n侧互连108w而连接到半导体发光元件10的p侧电极107和n侧电极108。然而，上述描述是一个实例；本发明的实施例不限于此。可以对电连接的形式以及半导体发光元件10和安装构件20的配置进行各种修改。
虽然在该具体实例中安装构件20是具有在其上安装半导体发光元件10的杯状结构的构件，但只要该安装构件20是可以在其上安装半导体发光元件10的部件就足够了。安装构件20的结构是任意的。安装构件20可以包括任何材料，例如，无机材料、有机材料等等。
安装构件20的在半导体发光元件10侧(第一波长转换层30侧)的面可以是具有高反射率的面。例如，可以在安装构件20的在半导体发光元件10侧的面上，即，安装构件20的安装面(在其上安装半导体发光元件10的面)上，设置由Ag等等构成的反射膜(未示出)。
第一波长转换层30可以包括分散在第一树脂32中的第一波长转换颗粒31，其中第一波长转换颗粒31吸收第一光并发射第二光。
第一波长转换颗粒31可以包括，例如，荧光剂细颗粒、氮化物半导体细颗粒等等。氮化物半导体可以包括AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，且x+y≤1)。对于这样的氮化物半导体，可以通过改变上述x和y的值来改变所发射的波长。在上述氮化物半导体中，可以用B、Tl等等替代III族元素中的一部分。可以用P、As、Sb、Bi等等替代N的一部分。
第一波长转换颗粒31不限于一种类型的材料，可以包括两种或更多种类型的材料。
例如，可以使用基于硅氧烷(silicone)的树脂等等作为第一波长转换层30的第一树脂32。
第一波长转换层30可以具有通过第一透明层40而将半导体发光元件10接合到安装构件20的接合功能。换言之，可以使用具有接合功能的材料作为第一树脂32。从而，可以将半导体发光元件10(以及第一透明层40)固定到安装构件20而不设置单独的接合剂；可以抑制由单独地设置接合剂引起的发光效能的降低；并且可以简化工艺。
第一透明层40可以包括对第一光和第二光透明的任何材料。换言之，第一透明层40对在半导体发光元件10的发光波长附近的波长以及比该波长更长的波长区域中的波长基本上透明。第一透明层40可包括，例如，诸如基于硅氧烷的树脂的任何有机材料以及任何无机材料，所述无机材料包括诸如SiO2的氧化物、诸如SiN的氮化物、以及诸如SiON的氧氮化物。
图3是示例出根据本发明的第一实施例的发光器件的操作的示意图。
如图3所示，由半导体发光元件10的发光层103发射的第一光L1的一部分朝向p型半导体层侧的第一主表面10a(上面)传播，并被提取到发光器件210的外部。第一光L1的另一部分朝向n型半导体层(n型接触层102)侧的第二主表面10b(下面)传播，穿过第一透明层40，并进入第一波长转换层30。在第一波长转换层30中吸收第一光L1；并且发射具有与第一光L1不同的波长特性(具有大于第一光L1的波长的波长特性)的第二光L2。
在未设置第一波长转换层30的情况下，由于从半导体发光元件10发射到安装构件20侧的第一光L1被安装构件20反射、返回到半导体发光元件10的内部且被不希望地再吸收(特别地，被半导体发光元件10的发光层103再吸收)，效率降低。
相反地，通过设置第一波长转换层30，从半导体发光元件10发射到安装构件20侧的第一光L1被转换成具有大于第一光L1的波长的第二光L2。从而，即使在第二光L2被安装构件20反射、返回到半导体发光元件10的内部且进入半导体发光元件10(特别地，进入发光层103)的情况下，由于第二光L2的波长大于第一光L1的波长，半导体发光元件10(特别地，发光层103)也不会容易地再吸收第二光L2。因此，第二光L2容易地从半导体发光元件10发射到外部；从而损耗低。
通过根据该实施例在发光器件210中设置第一透明层40，将被安装构件20反射的光直接发射到外部而不返回到半导体发光元件10中；从而光提取效率进一步提高。
换言之，由第一波长转换层30发射的第二光L2在入射到半导体发光元件10之前进入第一透明层。然后，第二光L2传播通过第一透明层40并从第一透明层40的侧面提取到外部环境。
例如，通过被在第一透明层40与半导体发光元件10的第一透明层40侧的第二主表面10b之间的界面以及在第一透明层40与第一波长转换层30之间的界面反射、或者被在第一透明层40与第二主表面10b之间的界面以及在第一波长转换层30与安装构件20之间的界面反射，第二光L2传播通过第一透明层40。
从而，第二光L2基本上不进入半导体发光元件10的内部(特别地，不进入发光层103)；因而抑制了由于在半导体发光元件10的内部(特别地，发光层103)中吸收第二光L2而引起的损耗。从而，效率进一步提高。
从半导体发光元件10发射的第一光L1还可以传播通过第一透明层40，从而从第一透明层40的侧面提取到外部环境。
例如，通过被第一透明层40与半导体发光元件10的第一透明层40侧的第二主表面10b之间的界面以及在第一透明层40与第一波长转换层30之间的界面反射、或者被在第一透明层40与第二主表面10b之间的界面以及在第一波长转换层30与安装构件20之间的界面反射，第一光L1传播通过第一透明层40。
从而，第一光L1基本上不从安装构件20侧进入半导体发光元件10的内部(特别地，不进入发光层103)；因而抑制了由于在半导体发光元件10的内部(特别地，发光层103)中吸收第一光L1而引起的损耗。从而，效率进一步提高。
为了促进第一光L1和第二光L2传播通过第一透明层40，希望适当地设定第一透明层40、第一波长转换层30和半导体发光元件10(特别地，第一透明层40侧的部分)的折射率。
换言之，希望半导体发光元件10的接触第一透明层40的部分(即，第二主表面10b侧的部分，在该具体实例中，衬底90)的折射率(第一折射率n1)大于第一透明层40的折射率(第二折射率n2)。希望第一波长转换层30的接触第一透明层40的部分的折射率(第三折射率n3)不大于第一透明层40的折射率(第二折射率n2)。换言之，希望n3≤n2＜n1。
通过将第一折射率n1设定为大于第二折射率n2，可以将从第一透明层40朝向半导体发光元件10传播的第二光L2高效地反射到第一透明层40侧。此外，可以使进入第一透明层40的第一光L1高效地传播通过第一透明层40。
通过将第三折射率n3设定为不大于第二折射率n2，第二光L2高效地从第一波长转换层30进入第一透明层40。此外，从第一透明层40朝向第一波长转换层30传播的第二光L2可以被在第一透明层40与第一波长转换层30之间的界面反射；并且第二光L2可以高效地传播通过第一透明层40。
在第三折射率n3等于第二折射率n2的情况下，从第一透明层40朝向第一波长转换层30传播的第一光L1无损耗地穿过在第一透明层40与第一波长转换层30之间的界面；并且第一波长转换层30高效地发射第二光L2。此外，被安装构件20的在第一波长转换层30侧的面反射的第二光L2可以高效地进入第一透明层40；并且第二光L2可以高效地传播通过第一透明层40。此外，进入第一透明层40的第一光L1可以高效地传播通过第一透明层40。
例如，在该具体实例中，使用蓝宝石作为衬底90，其是半导体发光元件10的接触第一透明层40侧(第二主表面10b侧)的部分。在该情况下，第一折射率n1为约1.8。在半导体发光元件10的接触第一透明层40侧(第二主表面10b侧)的部分是n型接触层102(例如，GaN层)的情况下，第一折射率n1为约2.5。
另一方面，可以使用例如基于硅氧烷的树脂作为第一透明层40；并且第二折射率n2可以为约1.5。第一波长转换层30可以包括分散在第一树脂32中的第一波长转换颗粒31；可以使用基于硅氧烷的树脂作为第一树脂32；并且第三折射率n3可为约1.4。由此，可以实现关系n3≤n2＜n1。
通过将折射率设定为该关系，第一光L1和第二光L2被第一透明层40的半导体发光元件10侧的界面和第一透明层40的第一波长转换层30侧的界面高效地反射(即，经历全内反射)。从而，第一光L1和第二光L2可以高效地传播通过第一透明层40；该光可以被发射到外部而不进入半导体发光元件10；可以提高光提取效率；从而可以提高效率。
由此，通过控制第一折射率n1、第二折射率n2和第三折射率n3之间的相互关系，进一步提高了效率。
希望第一波长转换颗粒31的颗粒尺寸不小于1微米(μm)且不大于50μm。在第一波长转换颗粒31的颗粒尺寸不小于1μm且不大于50μm的情况下，第一波长转换层30的波长转换效率提高；从而发光效能提高。在第一波长转换颗粒31的颗粒尺寸小于1μm的情况下，第一光L1在第一波长转换层30中的吸收率降低；从而发光效能容易降低。在第一波长转换颗粒31的颗粒尺寸大于50μm的情况下，散热性差；从而发光效能会降低。在一些情况下，第一波长转换层30的接合强度会降低；从而发光器件的可靠性劣化。
第一波长转换层30可包括多个层。例如，第一波长转换层30可包括，例如，包含红光荧光剂的红光荧光剂层和层叠在红光荧光剂层上的包含黄光荧光剂的黄光荧光剂层。第一波长转换层30可进一步包括设置在上述黄光荧光剂层与上述红光荧光剂层之间的透明层。从而，可以进一步改善光学特性和制造容易性二者。
第一实例
下面将与比较例对比地描述根据该实施例的第一实例的发光器件的特性。
第一实例的发光器件210a具有与图1所示的发光器件210的结构相似的结构。如下构造发光器件210a。
使用由AlN制成的安装基底作为安装构件20。换言之，通过模制AlN材料来构造安装构件20。
另一方面，作为半导体发光元件10，使用具有包含InGaN化合物半导体的发光层103的蓝光LED芯片。半导体发光元件10的发光波长(第一光L1的波长)的峰值为450nm(纳米)。
在半导体发光元件10的下面(第二主表面10b)上形成第一透明层40。使用透明硅氧烷树脂作为第一透明层40。换言之，通过在半导体发光元件10的下面(第二主表面10b)上涂覆硅氧烷树脂并在大气压力下使硅氧烷树脂在150℃下干燥10分钟到90分钟，获得第一透明层40。硅氧烷树脂的折射率(第二折射率n2)为1.54，其大于下述第一波长转换层30的1.41的折射率(第三折射率n3)且小于半导体发光元件10的衬底90的1.78的折射率(第一折射率n1)。
另一方面，在安装构件20的安装面上形成第一波长转换层30。使用具有560nm的发光峰值的基于硅酸盐的黄光荧光剂(具有(Sr，Ca，Ba)2SiO4:Eu的组成)作为第一波长转换层30的第一波长转换颗粒31。使用基于硅氧烷的透明管芯接合材料作为第一树脂32。以50wt％(重量百分比)的浓度将具有约10μm的颗粒尺寸的第一波长转换颗粒31分散在第一树脂32中，然后将其涂覆到安装构件20的安装面上，从而形成第一波长转换层30。
通过第一波长转换层30将半导体发光元件10接合到安装构件20，并通过将包括第一透明层40的半导体发光元件10置于第一波长转换层30上并干燥第一波长转换层30，进行固定。随后，分别通过p侧互连107w和n侧互连108w而将安装构件20的p侧基底电极107e和n侧基底电极108e电连接到半导体发光元件10的p侧电极107和n侧电极108。
由此，构造出第一实例的发光器件210a。
测量发光器件210a的发光特性。当被20mA的电流驱动时，发光效能为40.7(lm/W)；获得高效率。
第一比较例
图4是示例出第一比较例的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图4所示的第一比较例的发光器件219a中，第一波长转换层30被设置为与半导体发光元件10的第二主表面10b接触；并且基于硅氧烷的透明管芯接合材料层41被设置在第一波长转换层30与安装构件20之间。基于硅氧烷的透明管芯接合材料层41为具有与第一实例的第一透明层相似的特性的层。换言之，发光器件219a具有这样的结构，其中第一波长转换层30的位置与第一实例的发光器件210a的第一透明层40的位置彼此互换。
具有该结构的发光器件219a在被20mA的电流驱动时具有38.2(lm/W)的发光效能；获得低效率。
第二比较例
图5是示例出第二比较例的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图5所示的第二比较例的发光器件219b中，未设置第一透明层40。换言之，发光器件219b对应于这样的结构，其中在第一实例的发光器件210a中未设置第一透明层40。
具有该结构的发光器件219b在被20mA的电流驱动时具有38.8(lm/W)的发光效能。虽然与第一比较例的发光器件219a相比改善了效率，但改善程度(与第一比较例的效率的比率)为约1.02；改善程度很低。
相反地，如上所述，第一实例的发光器件210a的发光效能高于第一比较例和第二比较例的发光效能。此外，第一实例中的效率的改善程度(与第一比较例的效率的比率)为约1.06；第一实例的改善程度极高。
认为第一比较例的效率很低的原因在于，第一波长转换层30直接接触半导体发光元件10，由第一波长转换层30发射的第二光L2并非容易地直接被提取到外部，并且许多第二光L2进入半导体发光元件10且不希望地在半导体发光元件10的内部被吸收。此外，因为在第一波长转换层30与安装构件20之间设置有基于硅氧烷的透明管芯接合材料层41，由半导体发光元件10和第一波长转换层30产生的热不容易被传导到安装构件20且不容易被散逸。认为半导体发光元件10的温度由此容易地升高，半导体发光元件10的发光效能降低，因而效率进一步降低。
在第二比较例中，同样地，认为效率很低的原因在于，第一波长转换层30直接接触半导体发光元件10，由第一波长转换层30发射的第二光L2并非容易地直接被提取到外部，并且许多第二光L2进入半导体发光元件10且不希望地在半导体发光元件10的内部被吸收。认为第二比较例的效率高于第一比较例的效率的原因在于，第一波长转换层30直接接触安装构件20，在第一波长转换层30中产生的热容易被传导到安装构件20，抑制了热产生，从而抑制了半导体发光元件10的温度升高。
相反地，通过在第一实例的发光器件210a中在半导体发光元件10与第一波长转换层30之间设置第一透明层40，可以将被安装构件20反射的光(第一光L1和第二光L2)直接发射到外部而不会返回到半导体发光元件10；因而提高了光提取效率。另外，第一波长转换层30直接接触安装构件20。因此，在第一波长转换层30中产生的热被高效地传导到安装构件20；抑制了热产生；抑制了半导体发光元件10的温度升高；抑制了半导体发光元件10的发光效能降低；因而发光效能提高。
由此，根据第一实施例的发光器件210的形式可被应用于第一实例的发光器件210a，从而提供具有高效率的发光器件。
在第一比较例的发光器件219a中，在进行元件分离并在元件分离之前在半导体发光元件10的衬底90的下面上预先形成用于形成第一波长转换层30的荧光层的情况下，荧光层容易从半导体发光元件10剥离，并且会不希望地发生光发射的不均匀色彩和亮度波动。
假设进一步设置下述第二波长转换层，上述发光器件210a、219a和219b被调整为不发射白光，而使发射蓝光。换言之，发光器件210a、219a和219b的发光波长的色度坐标为(0.18，0.10)。对于相同色度的光发射，第一实例的发光器件210a所实现的效率高于如上所述的第一比较例和第二比较例的发光器件219a和219b所实现的效率。
第二实施例
图6是示例出根据本发明的第二实施例的发光器件的结构的示意性截面图。
如图6所示，除了上述半导体发光元件10、安装构件20、第一波长转换层30和第一透明层40之外，根据第二实施例的发光器件220还包括第二波长转换层80和第二透明层60。
第二波长转换层80被设置在半导体发光元件10的与第一透明层40相反的一侧。第二波长转换层80吸收第一光L1并发射第三光，第三光的波长特性不同于第一光L1的波长特性。第三光可具有不同于第二光L2的波长特性；第三光可具有与第二光L2基本相同的波长特性。第二波长转换层80还吸收第二光L2；并且从第二波长转换层80发射的第三光可具有与第一光L1和第二光L2不同的波长特性。
第二透明层60被设置在半导体发光元件10与第二波长转换层80之间。第二透明层60对第一光L1、第二光L2和第三光透明。
换言之，例如，透明树脂层可以被设置为第二透明层60，例如，其外表面具有向上突起的弯曲结构以覆盖半导体发光元件10。例如，可以使用硅氧烷树脂作为第二透明层60。具有向上突起结构的弯曲表面的截面的曲线可以具有任何结构，例如，半圆弧状结构、抛物线结构等等。
在该具体实例中，第二透明层60的端部接触安装构件20。由此，通过将第二透明层60设置为覆盖半导体发光元件10，第二透明层60可以保护半导体发光元件10；并且发光器件220的可靠性提高。然而，本发明的实施例不限于此。在一些情况下，第二透明层60的至少部分端部可以被设置为从安装构件20分离。
第二波长转换层80被设置在第二透明层60上。第二波长转换层80可以包括第二波长转换颗粒(未示出)和将第二波长转换颗粒分散在其中的第二树脂(未示出)。例如，第二波长转换层80可以包括荧光剂颗粒和将该荧光剂颗粒分散在其中的第二树脂(第二树脂)。第二波长转换颗粒不限于一种类型的材料，其可以包含两种或更多种类型的材料。
可以基于由半导体发光元件10发射的第一光L1的发光特性(例如，发光波长)和由第一波长转换层30发射的第二光L2的发光特性(例如，发光波长)来适当地设定由第二波长转换层80发射的第三光的发光特性(例如，发光波长)。
在第二波长转换层80中发射光(第三光)的情况下，第二波长转换层80产生热。在其中第二波长转换层80被直接设置在半导体发光元件10周围的比较例中，由于第二波长转换层80的热产生而使得半导体发光元件10的温度升高；从而半导体发光元件10的发光效能降低。
相反地，在根据该实施例的发光器件220中，第二透明层60被设置为覆盖半导体发光元件10，并且第二波长转换层80被设置在第二透明层60上。因此，即使在第二波长转换层80产生热的情况下，也可以抑制在第二波长转换层80与半导体发光元件10之间的热传导；可以抑制半导体发光元件10的温度的升高；并且可以保持半导体发光元件10的发光效能的高值。
换言之，因为第一波长转换层30将第一光L1转换成具有大于第一光L1的波长的第二光L2，可以通过在抑制了由被安装构件20反射的光返回到半导体发光元件10的内部且被半导体发光元件10的发光层103再吸收的同时利用第一透明层40将光(第一光L1和第二光L2)导引到外部，发光器件220可以提高效率。此外，通过在第二波长转换层80与半导体发光元件10之间设置第二透明层60，可以抑制由在第二波长转换层80的波长转换期间的发热引起的半导体发光元件10的温度升高；并且，可以抑制由半导体发光元件10的温度升高引起的发光效能的降低。而且，通过在第二波长转换层80与半导体发光元件10之间设置第二透明层60，可以容易地调整第二波长转换层80的膜厚度；并且可以通过最优地调整膜厚度来抑制在第二波长转换层80中对第二光L2的再吸收。从而，可以获得具有高发光效能的发光器件。
例如，可以将第二波长转换层80的端部设置为接触安装构件20。从而，由第二波长转换层80产生的热可以被高效地传导到安装构件20；可以进一步降低半导体发光元件10的温度升高；可以提高半导体发光元件10的发光效能；从而可以进一步提高发光器件220的效率。
然而，本发明的实施例不限于此。在第二波长转换层80几乎不产生热的情况下、在半导体发光元件10的温度不会容易地升高的情况下、在即使半导体发光元件10的温度升高时发光效能也不会容易地降低的情况下，可以将第二波长转换层80的至少部分端部设置为从安装构件20分离。
第二透明层60可以包括包含气体(包括空气)的层。从而，由第二波长转换层80产生的热不会被容易地传导到半导体发光元件10；从而效率提高。在第二透明层60为例如气体(包括空气)层的情况下，可以使用模具(die)形成第二波长转换层80，以使第二波长转换层80保持器自身的形状；并且所形成的第二波长转换层80可被设置在半导体发光元件10上以覆盖半导体发光元件10。
通过多重地设置波长转换层(例如第一波长转换层30和第二波长转换层80)，更易于控制由发光器件220发射的光的波长特性；并且更易于实现具有高色彩再现性的希望的光发射。
在根据该实施例的发光器件220中，第三光的波长大于第一光L1的波长且不大于第二光L2的波长。第三光的波长带大于第一光L1的波长带且不大于第二光L2的波长带。例如，第三光的波长带的最小波长大于第一光L1的波长带的最小波长。例如，第三光的波长带的最大波长大于第一光L1的波长带的最大波长。例如，第三光的波长带的最小波长大于第一光L1的波长带的最大波长。此外，例如，第三光的波长带的最小波长不大于第二光L2的波长带的最小波长。例如，第三光的波长带的最大波长不大于第二光L2的波长带的最大波长。第三光的波长带的最大波长可以等于或小于第二光L2的波长带的最小波长。
由于第三光的波长大于第一光L1的波长，抑制了特别地通过半导体发光元件10的发光层103对第三光的再吸收；从而提高了效率。
在第二光L2的波长小于第三光的波长的情况下，当第二光经过第二波长转换层80时，第二光被第二波长转换层80吸收；效率容易降低。然而，通过提供其波长不大于第二光L2的波长的第三光，抑制了第二光L2在第二波长转换层80中的吸收；从而效率提高。
例如，在第一光L1是蓝光的情况下，第二光L2可以是黄光，且第三光也可以是黄光。此外，例如，在第一光L1是蓝光的情况下，第二光L2可以是红光，且第三光可以是绿光。在例如第一光L1是近紫外光的情况下，第二光L2可以是红光，且第三光可以是蓝光和绿光。
例如，在从半导体发光元件10发射的第一光L1为具有蓝色区中的发光峰的光的情况下，第一波长转换层30发射黄色的第二光L2(例如，荧光)；并且第二波长转换层80也发射黄色的第三光。从而，发光器件220可以发射白光。
此外，在从半导体发光元件10发射的第一光L1为具有蓝色区中的发光峰的光的情况下，第一波长转换层30发射红色的第二光L2(例如，荧光)；并且第二波长转换层80发射绿色的第三光。从而，发光器件220发射红色、绿色和蓝色三种颜色的光，从而可以发射白光。
在从半导体发光元件10发射的第一光L1为具有近紫外区中的发光峰的光的情况下，第一波长转换层30可发射红色的第二光L2(例如，荧光)；并且第二波长转换层80可发射绿色和蓝色的第三光。从而，发光器件220发射红色、绿色和蓝色三种颜色的光，从而可以发射白光。
由此，例如，可以使用黄光荧光剂作为第一波长转换层30的第一波长转换颗粒31；并且可以在第二波长转换层80中也使用黄光荧光剂。此外，例如，可以使用红光荧光剂作为第一波长转换层30的第一波长转换颗粒31；并且可以使用绿光荧光剂作为第二波长转换层80中的第二波长转换颗粒。此外，可以使用红光荧光剂作为第一波长转换层30的第一波长转换颗粒31；并且可以使用蓝光荧光剂和绿光荧光剂的两种类型荧光剂作为第二波长转换层80中的第二波长转换颗粒。
然而，以上描述是在发光器件210发射白光的情况下的结构的实例。第一光L1、第二光L2和第三光的发光特性的组合是任意的。可以基于发光器件所要发射的光的规格来适当地设定第一光L1、第二光L2和第三光的发光特性。
例如，在该实施例中，可以在第一波长转换层30和第二波长转换层80中使用红光荧光剂层、黄光荧光剂层、绿光荧光剂层和蓝光荧光剂层中的任何荧光剂层。
红光荧光剂层可以发射例如600nm到780nm的波长范围内的光。黄光荧光剂层可以发射例如550nm到590nm的波长范围内的光。绿光荧光剂层可以发射例如475nm到520nm的波长范围内的光。蓝光荧光剂层可以发射例如430nm到575nm的波长范围内的光。
红光荧光剂层可以包含，例如，CaAlSiN3:Eu的基于氮化物的荧光剂、或者基于赛隆(sialon)的荧光剂。特别地，在使用基于赛隆的荧光剂的情况下，希望使用
(M1-x，Rx)a1AlSib1Oc1Nd1    组合物化学式(1)
其中M为除了Si和Al的金属元素中的至少一种，特别地希望M为选自Ca和Sr的至少一种；R为发光中心元素，特别地希望R为Eu；并且x、a1、b1、c1和d1满足以下关系：0＜x≤1，0.6＜a1＜0.95，2＜b1＜3.9，0.25＜c1＜0.45，以及4＜d1＜5.7。
通过使用组合物化学式(1)的基于赛隆的荧光剂，可以改善波长转换效率的温度特性；并且可以进一步提高在大电流密度区域中的效率。
黄光荧光剂层可以包含，例如，(Sr，Ca，Ba)2SiO4:Eu的基于硅酸盐的荧光剂。
绿光荧光剂层可以包含，例如，(Ba，Ca，Mg)10(PO4)6·Cl2:Eu的基于含卤磷酸盐(halophosphate)的荧光剂或者基于赛隆的荧光剂。特别地，在使用基于赛隆的荧光剂的情况下，优选使用
(M1-x，Rx)a2AlSib2Oc2Nd2    组合物化学式(2)
其中M为除了Si和Al的金属元素中的至少一种，特别地希望M为选自Ca和Sr的至少一种；R为发光中心元素，特别地希望R为Eu；并且x、a2、b2、c2和d2满足以下关系：0＜x≤1，0.93＜a2＜1.3，4.0＜b2＜5.8，0.6＜c2＜1，以及6＜d2＜11。通过使用组合物化学式(2)的基于赛隆的荧光剂，可以改善波长转换效率的温度特性；并且可以进一步提高在大电流密度区域中的效率。
蓝光荧光剂可以包含，例如，BaMgAl10O17:Eu的基于氧化物的荧光剂。
作为在第一波长转换层30和第二波长转换层80中使用的树脂(第一树脂32和第二树脂)，可以使用任何树脂，而不论其类型如何，只要该树脂对在由半导体发光元件10发射的第一光L1的发光波长附近的波长以及大于该波长的波长区域中的波长基本透明即可。这样的树脂包括，例如，硅氧烷树脂、环氧树脂、具有环氧基团的聚二甲基硅氧烷衍生物、氧杂环丁烷(oxetane)树脂、丙烯酸树脂、环烯烃(cycloolefin)树脂、尿素树脂、碳氟化合物树脂、聚酰亚胺树脂等等。
第二波长转换层80可以具有这样的结构，其中层叠具有不同发光波长的多个荧光剂层。在该情况下，优选将多个荧光剂层层叠为使得具有较大波长的荧光剂层设置为比具有较小波长的荧光剂层更加朝向半导体发光元件10侧。
优选在第二波长转换层80的外侧(与半导体发光元件10相反的一侧)进一步设置第三透明层。通过设置第三透明层，被提取到外部的光的比例增大；并且效率进一步提高。换言之，抑制了由荧光剂颗粒的凹陷和凸起引起的在第二波长转换层80与外部介质(例如，空气)之间的界面处发生的反射和散射；降低了第二波长转换层80的再吸收；增大了被提取到外部的光的比例；从而提高效率。此外，通过设置第三透明层，可以提高可靠性。
该第三透明层可以由具有不同折射率的多个层形成。在该情况下，优选将这些层层叠为使其折射率从第二波长转换层80侧朝向外侧降低。由此，抑制了在第二波长转换层80与外部介质(例如，空气)之间的界面处的反射和散射；从而提高效率。
第一波长转换层30和第二波长转换层80中的至少一者可包括多个层。例如，第二波长转换层80可包括，例如，包含绿光荧光剂的绿光荧光剂层和层叠在绿光荧光剂层上的包含蓝光荧光剂的蓝光荧光剂层。第二波长转换层80可进一步包括设置在上述绿光荧光剂层与上述蓝光荧光剂层之间的透明层。从而，可以进一步改善光学特性和制造容易性二者。
第二实例
下面将与比较例对比地描述根据该实施例的第二实例的发光器件的特性。
第二实例的发光器件220a具有与图6所示的发光器件220的结构相似的结构。如下构造发光器件220a。
在构造第一实例的发光器件210a之后，在半导体发光元件100上形成用于形成第二透明层60的硅氧烷树脂层。换言之，使用分配器涂覆硅氧烷树脂以覆盖半导体发光元件10，同时在大气压下在环境空气中将安装构件20加热到150℃的温度。硅氧烷树脂在顶部处的厚度与在端面处的厚度的比率基本上为1∶1，并且硅氧烷树脂被涂覆为向上突起的弯曲结构。然后，在大气压力下使硅氧烷树脂在150℃下干燥60分钟；从而形成第二透明层60。
另一方面，通过将基于硅酸盐的黄光荧光剂(具有(Sr，Ca，Ba)2SiO4:Eu的组成)分散在基于硅氧烷的透明树脂中，制备用于形成第二波长转换层80的黄光荧光剂分散树脂。使用分配器涂覆该黄光荧光剂分散树脂以覆盖整个第二透明层60，同时在环境空气中在大气压力下降安装构件20加热到150℃。黄光荧光剂分散树脂的膜厚度基本上均匀；并且该黄光荧光剂分散树脂的结构具有向上突起的弯曲结构以与第二透明层60的结构相符。随后，在大气压力下使黄光荧光剂分散树脂在150℃下干燥60分钟；从而形成第二波长转换层80。第二波长转换层80在顶部处的厚度与在端面处的厚度的比率基本上为1∶1。
由此，构造出第一实例的发光器件220a。第一实例的发光器件220a是这样的实例，其中从半导体发光元件10发射的第一光L1是蓝光，并且从第一波长转换层30和第二波长转换层80发射的光(第二光L2和第三光)都是黄光。
第三比较例
图7是示例出第三比较例的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图7所示例的第三比较例的发光器件229a中，在第一比较例的发光器件219a中进一步设置第二透明层60和第二波长转换层80。换言之，第三比较例的发光器件229a具有这样的结构，其中第二实例的发光器件220a中的第一波长转换层30和第一透明层40的位置互换。否则，发光器件229a类似于第二实例的发光器件220a。
第四比较例
图8是示例出第四比较例的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图8所示例的第四比较例的发光器件229b中，在第二比较例的发光器件219b中进一步设置第二透明层60和第二波长转换层80。换言之，第四比较例的发光器件229b的结构对应于其中未设置第一透明层40的第二实例的发光器件220a的结构。否则，发光器件229b类似于第二实例的发光器件220a。
第五实施例
图9是示例出第五比较例的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图9所示例的第五比较例的发光器件229c中，未设置第一波长转换层30，同时，在半导体发光元件10与安装构件20之间设置了基于硅氧烷的透明管芯接合材料层41。还设置了第二透明层60和第二波长转换层80c。发光器件229c的第二波长转换层80c的规格被调整为使得发光器件229c的发光颜色匹配第二实例的发光器件220a的发光颜色。换言之，发光器件229c的第二波长转换层80c的厚度大于第二实例的发光器件220a的第二波长转换层80的厚度。
评估诸如上述的第二实例的发光器件220a以及第三到第五比较例的发光器件229a到229c的光学特性。
发光器件220a以及发光器件229a到229c的发光颜色的色度坐标为(0.34，0.35)；因而这些发光器件中的每一个都发射白光。
当被20mA的电流驱动时，第二实例的发光器件220a的发光效能为87.7(lm/W)；获得高效率。
另一方面，当被20mA的电流驱动时，第三比较例的发光器件229a的发光效能为83.8(lm/W)；获得低效率。当被20mA的电流驱动时，第四比较例的发光器件229b的发光效能为84.9(lm/W)，虽然与第三比较例的效率相比有所改善，但改善程度低。换言之，第四比较例的效率的改善程度(与第三比较例的效率的比率)为约1.01；改善程度低。当被20mA的电流驱动时，第五比较例的发光器件229c的发光效能为80.7(lm/W)；效率低；第五比较例的效率低于第三比较例的效率。
由此，第二实例的发光器件实现了高于第三到第五比较例的发光器件229a到229c的效率。换言之，第二实例的发光器件220a的改善程度(与第三比较例的效率的比率)为约1.05；从而即使与第四比较例相比，效率的改善效果也极高。
认为第五比较例的效率低的原因在于未设置第一波长转换层30，因而从由半导体发光元件10发射到安装构件20侧的第一光L1被安装构件20反射，返回到半导体发光元件10的内部，并且不希望地特别地被半导体发光元件10的发光层103吸收。
相反地，在第二实例的发光器件220a中，因为第一波长转换层30将第一光L1转换成第二光L2，抑制了由被安装构件20反射的光返回到半导体发光元件10的内部且特别地被半导体发光元件10的发光层103再吸收而引起的效率降低；通过利用第一透明层40将光(第一光L1和第二光L2)导引到外部，提高了效率；通过在第二波长转换层80与半导体发光元件10之间设置第二透明层60，抑制了由第二波长转换层80的发热引起的半导体发光元件10的温度升高；因而抑制了半导体发光元件10的发光效能的降低。从而，获得了具有高发光效能的发光器件。
由此，根据该实施例的发光器件220的形式可被应用于第二实例的发光元件220a，从而提供具有高效率的发射白光的发光器件。
可以设想使用这样的结构，其中在图7所示例的第四比较例的发光器件229a中未设置第二透明层60，并且直接在半导体发光元件10上设置第二波长转换层80。该结构对应于在JP-A 2001-210874(特开)中公开的结构。在这样的结构中，因为半导体发光元件10直接接触第二波长转换层80，由第二波长转换层80的发热导致半导体发光元件10的温度升高；从而半导体发光元件10的发光效能降低。此外，难以调整第二波长转换层80的膜厚度；第二波长转换层80中的再吸收增加；发光效能降低；并且发生亮度波动和不均匀的颜色。因此，认为这样的结构具有比第四比较例更低的效率。
第三实例
第三实例的发光器件230a具有与图6所示的发光器件220相似的结构。然而，第三实例的发光器件230a是这样的实例，其中从半导体发光元件10发射的第一光L1为蓝光；从第一波长转换层30发射的第二光L2为红光；并且从第二波长转换层80发射的第三光为绿光。
如下构造发光器件230a。
通过与第一实例相似的方法在半导体发光元件10的下面(第二主表面10b)上形成由硅氧烷树脂构成的第一透明层40。
另一方面，在安装构件20的安装面上形成第一波长转换层30。使用具有620nm的发光峰值的基于赛隆的红光荧光剂(具有Sr2Si7Al3ON13:Eu2+的组成)作为第一波长转换层30的第一波长转换颗粒31；并且使用基于硅氧烷的透明管芯接合材料作为第一树脂32。通过以50wt％(重量百分比)的浓度将第一波长转换颗粒31分散在第一树脂32中并在安装构件20的安装面上涂覆第一树脂32，形成第一波长转换层30。然后，通过与第一实例相似的方法，将半导体发光元件10接合到安装构件20并进行固定；并且，分别通过p侧互连107w和n侧互连108w而将p侧基底电极107e和n侧基底电极108e电连接到半导体发光元件10的p侧电极107和n侧电极108。
随后，在通过与第二实例的发光器件220a相似的方法在半导体发光元件10上形成第二透明层60之后，在第二透明层60上形成绿光第二波长转换层80。换言之，通过将具有520nm的发光峰值的基于赛隆的绿光荧光剂(具有Sr3Si13Al3O2N21:Eu2+的组成)分散在基于硅氧烷的透明树脂中，制备用于形成第二波长转换层80的绿光荧光剂分散树脂。然后，通过与第二实例相似的方法涂覆该绿光荧光剂分散树脂以覆盖整个第二透明层60。绿光荧光剂分散树脂的膜厚度基本上均匀；并且该绿光荧光剂分散树脂的结构是向上突起的弯曲结构以与第二透明层60的结构相符。随后，通过在大气压力下使绿光荧光剂分散树脂在150℃下干燥60分钟，形成第二波长转换层80。在该情况下，同样地，第二波长转换层80在顶部处的厚度与在端面处的厚度的比率基本上为1∶1。
第六比较例
第六比较例的具有这样的结构，其中在第三实例的发光器件230a中未设置第一透明层40。否则，发光器件239b类似于第三实例的发光器件230a。换言之，第六比较例的发光器件239b的结构对应于图8所示例的第四比较例的发光器件229b的结构，其中使用包含基于赛隆的红光荧光剂(具有Sr2Si7Al3ON13:Eu2+的组成)的红光荧光剂层作为第一波长转换层30，并且使用包含基于赛隆的绿光荧光剂(具有Sr3Si13Al3O2N21:Eu2+的组成)的绿光荧光剂层作为第二波长转换层80。
第七比较例
图10是示例出第七比较例的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图10所示的第七比较例的发光器件239d中，未设置第一波长转换层30，同时，在半导体发光元件10与安装构件20之间设置了基于硅氧烷的透明管芯接合材料层41。还设置了第二透明层60和第二波长转换层80。在第二透明层60的内侧设置内波长转换层80d；并且在内波长转换层80d与半导体发光元件10之间设置内透明层60d。
使用与第三实例的发光器件230a的第二透明层60中使用的材料相似的材料作为第七比较例的发光器件239d的第二透明层60。第七比较例的发光器件239d的第二波长转换层80具有与第三实例的发光器件230a的第二波长转换层80相似的规格，其为包含基于赛隆的绿光荧光剂(具有Sr3Si13Al3O2N21:Eu2+的组成)的绿光荧光剂层。
另一方面，在第七比较例的发光器件239d的内透明层60d中使用与第三实例的发光器件230a的第一透明层40相似的透明硅氧烷树脂。使用与第三实例的发光器件230a的第一波长转换层30相似的材料作为第七比较例的发光器件239d的内波长转换层80d的材料；该内波长转换层80d为包含基于赛隆的红光荧光剂(具有Sr2Si7Al3ON13:Eu2+的组成)的红光荧光剂层。
换言之，第七比较例的发光器件239d的结构对应于其中在绿光第二波长转换层80与半导体发光元件10之间设置有红光第一波长转换层30的第三实例的发光器件230a。
如下构造发光器件239d。
在使用基于硅氧烷的透明管芯接合材料层41将半导体发光元件10安装在安装构件20上之后进行电连接；并且通过使用与第二透明层60相似的方法形成透明硅氧烷树脂来形成内透明层60d。随后，通过使用与第二波长转换层80相似的方法将包含基于赛隆的红光荧光剂(具有Sr2Si7Al3ON13:Eu2+的组成)的红光荧光剂层形成为覆盖内透明层60d，形成内波长转换层80d。随后，通过与第三实例相似的方法，将第二透明层60形成为覆盖内波长转换层80d；并且通过将包含基于赛隆的绿光荧光剂(具有Sr3Si13Al3O2N21:Eu2+的组成)的绿光荧光剂层形成为覆盖第二透明层60而形成第二波长转换层80。由此，构造出图10所示的第七比较例的发光器件239d。
评估诸如上述第三实例的发光器件230a以及第六和第七比较例的发光器件239b和239d的光学特性。
发光器件230a以及发光器件239b和239d的发光颜色的色度坐标为(0.34，0.35)；因而这些发光器件中的每一个都发射白光。
当被20mA的电流驱动时，第三实例的发光器件230a的发光效能为69.4(lm/W)；获得高效率。
另一方面，当被20mA的电流驱动时，第六比较例的发光器件239b的发光效能为66.1(lm/W)；效率低。当被20mA的电流驱动时，第七比较例的发光器件239d的发光效能为60.1(lm/W)；获得更低的效率。
由于在第六比较例的发光器件239b中未设置第一透明层40，由红光第一波长转换层30发射的第二光L2(红光)未被直接提取到外部，而是通过半导体发光元件10发射到半导体发光元件10的外部。认为发光效能降低的原因在于，虽然部分第二光L2被发射到半导体发光元件10的外部，但剩余的第二光L2不希望地在半导体发光元件10的内部被捕获和再吸收；损耗高；通过再吸收产生热。
在第七比较例的发光器件239d的情况下，内波长转换层80d的红光荧光剂层被设置为接近第二波长转换层80的绿光荧光剂层。因此，作为由第二波长转换层80发射的绿光荧光的第三光容易在内波长转换层80d中被吸收。虽然内波长转换层80d被来自半导体发光元件10的第一光L1直接激发且可高效地发光，但外侧的第二波长转换层80被来自半导体发光元件10的第一光L1直接激发且被通过内波长转换层80d反射或散射的第一光L1激发。因此，第二波长转换层80的发光效率降低，降低量为由于被内波长转换层80d反射或散射而发生的损耗的量。从而，认为效率降低。此外，在发光器件239d的情况下，未设置第一波长转换层30。因此，从半导体发光元件10朝向安装构件20发射的第一光L1被安装构件20反射且再次进入半导体发光元件10；发生由于第一光L1特别地被半导体发光元件10的发光层103再吸收而导致的损耗；从而效率降低。
另一方面，在其中设置了第一透明层40的第三实例的发光器件230a中，由红光第一波长转换层30发射的第二光L2(红光)没有进入半导体发光元件10的内部，而是传播通过第一透明层40，并且被直接提取到外部；抑制了由特别地半导体发光元件10的发光层103引起的再吸收损耗；抑制了由再吸收引起的发热；从而效率提高。
在第三实例的发光器件230a中，在半导体发光元件10与安装构件20之间设置了第一波长转换层30的红光荧光剂层；并且第一波长转换层30被设置在第二波长转换层80的绿光荧光剂层的远端。因此，作为由第二波长转换层80发射的绿色荧光的第三光基本上没有到达第一波长转换层30。从而，由第二波长转换层80发射的绿色第三光的更大部分被发射到外部而未在第一波长转换层30和半导体发光元件10中被吸收；从而获得高效率。
由此，根据该实施例的发光器件220的形式可被应用于第三实例的发光器件230a，从而提供高效率地发射白光的发光器件。
第三实施例
图11A、图11B和图11C是示例出根据本发明的第三实施例的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图11A所示的根据该实施例的发光器件211中，去除了半导体发光元件10的衬底90(以及缓冲层101)；半导体发光元件10的n型半导体层(n型接触层102)接触第一透明层40；并且在第一透明层40与安装构件20之间设置第一波长转换层30。由此，在根据本发明的实施例的发光器件中使用的半导体发光元件10具有包括设置在n型半导体层(例如，n型接触层102)与p型半导体层(例如，p型接触层105)之间的发光层103的结构就足够了；并且，必要时，可以省略例如衬底90等等。在发光器件211中，同样地，通过设置第一波长转换层30和第一透明层40，提高了效率。
在如图11B所示的根据该实施例的发光器件212中，将半导体发光元件10安装在安装构件20上，以使半导体发光元件10的p侧电极107和n侧电极108与安装构件20相对。换言之，半导体发光元件10的p型半导体层(p型接触层105)侧的第一主表面10a与安装构件20相对。通过p侧凸起107b将半导体发光元件10的p侧电极107电连接到安装构件20的p侧基底电极107e；并且通过n侧凸起108b将半导体发光元件10的n侧电极108电连接到安装构件20的n侧基底电极108e。在使用例如透明电极作为n侧电极108的情况下，可以使用其中n侧电极108接触第一透明层40的结构。
在如图11C所示的根据该实施例的另一发光器件213中，去除了半导体发光元件10的衬底90(以及缓冲层101)；并且将半导体发光元件10安装在安装构件20上，以使半导体发光元件10的p侧电极107和n侧电极108与安装构件20相对。在使用例如透明电极作为n侧电极108的情况下，可以使用其中n侧电极108接触第一透明层40的结构。
在发光器件212和213中，即使在以倒装芯片结构将半导体发光元件10安装在安装构件20上的情况下，也可以与上述描述相似地提高效率。
图12A、图12B和图12C是示例出根据本发明的第三实施例的另外的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图12A、图12B和图12C所示的根据该实施例的发光器件214、215和216中，分别在发光器件212、213和214中进一步设置关于图6描述的第二波长转换层80和第二透明层60。由此，通过进一步设置第二波长转换层80和第二透明层60，获得了与关于图6描述的高效率相似的高效率。通过设置多个波长转换层(第一波长转换层30和第二波长转换层80)，可以容易地控制由发光器件220发射的光的波长特性；并且可以更容易地实现具有高色彩再现性的所希望的发光。
在采用倒装芯片结构的发光器件215和216中提供的优点在于，由于不需要引线(p侧互连107w和n侧互连108w)，可以提高发光器件的可靠性，并且不会发生由第二透明层60等等中的应力而发生的引线的断裂故障等等。
图13A和13B是示例出根据本发明的第三实施例的另外的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图13A所示的根据该实施例的发光器件217中，去除了半导体发光元件10的衬底90(以及缓冲层101)；并且将n侧电极108设置在半导体发光元件10的n型半导体层(n型接触层102)侧的第二主表面10b上。例如，使用透明电极作为n侧电极108。将p侧电极107设置在p型半导体层(p型接触层105)侧的第一主表面10a上。通过n侧凸起108b将半导体发光元件10的n侧电极108电连接到安装构件20的n侧基底电极108e；并且通过p侧互连107w将半导体发光元件10的p侧电极107电连接到安装构件20的p侧基底电极107e。
在半导体发光元件10的第二主表面10b侧设置第一透明层40；并且在第一透明层40与安装构件20之间设置第一波长转换层30。在具有这样的结构的发光器件217中，同样地，通过设置第一波长转换层30和第一透明层40，提高了效率。
在如图13B所示的根据该实施例的另一发光器件218中，在发光器件217中进一步设置关于图6描述的第二波长转换层80和第二透明层60。由此，通过进一步设置第二波长转换层80和第二透明层60，获得了与关于图6描述的高效率相似的高效率。通过设置多个波长转换层(第一波长转换层30和第二波长转换层80)，可以容易地控制由发光器件发射的光的波长特性；并且可以更容易地实现具有高色彩再现性的所希望的发光。
图14A和14B是示例出根据本发明的第三实施例的另外的发光器件的结构的示意性截面图。
在如图14A所示的根据该实施例的发光器件217a中，半导体发光元件10的衬底90是导电性的；衬底90接触第一透明层40；并且在第一透明层40与安装构件20之间设置第一波长转换层30。例如，使用SiC衬底作为衬底90。在衬底90侧的第二主表面10b上设置n侧电极108。在该情况下，可以使用透明电极作为n侧电极108。在p型半导体层(p型接触层105)侧的第一主表面10a上设置p侧电极107。通过n侧凸起108b将半导体发光元件10的n侧电极108电连接到安装构件20的n侧基底电极108e；并且通过p侧互连107w将半导体发光元件10的p侧电极107电连接到安装构件20的p侧基底电极107e。
在半导体发光元件10的第二主表面10b侧设置第一透明层40；并且在第一透明层40与安装构件20之间设置第一波长转换层30。在具有这样的结构的发光器件217a中，同样地，通过设置第一波长转换层30和第一透明层40，提高了效率。
在如图14B所示的根据该实施例的另一发光器件218a中，在发光器件217a中进一步设置关于图6描述的第二波长转换层80和第二透明层60。由此，通过进一步设置第二波长转换层80和第二透明层60，获得了与关于图6描述的高效率相似的高效率。通过设置多个波长转换层(第一波长转换层30和第二波长转换层80)，可以容易地控制由发光器件发射的光的波长特性；并且可以更容易地实现具有高色彩再现性的所希望的发光。
由此，在根据本发明的发光器件中，通过使用在半导体发光元件10的下面上设置的第一波长转换层30以进行对从半导体发光元件10发射到安装构件20侧的第一光L1的波长转换并产生具有大于半导体发光元件10的发光波长(第一光L1的波长)的波长的第二光L2，可以抑制由于被安装构件20反射的返回光被半导体发光元件10的发光层103再吸收而导致的损耗。通过在半导体发光元件10与第一波长转换层30之间设置第一透明层40，可以将被安装构件20反射的光(第一光L1和第二光L2)直接发射到外部而不穿过半导体发光元件10。因而提高了光提取效率；从而可以提供具有高效率的发光器件。
上文中，参考具体实例描述了本发明的示例性实施例。然而，本发明不限于这些具体实例。例如，通过从已知技术进行适当选择，本领域技术人员可以类似地实施本发明，包括由本领域技术人员进行的关于在发光器件中包括的部件(例如半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层、第二波长转换层、第一透明层、第二透明层、半导体层、发光层、电极、互连等等)的具体结构的结构、尺寸、材料质量、排列等等的各种修改。这样的实施以与获得相似效果的程度而被包括在本发明的范围中。
此外，具体实例的任何两个或多个部件可以在技术可行性的范围内进行组合，且以包括本发明的主旨的程度而被包括在本发明的范围中。
而且，通过由本领域技术人员基于如以上本发明的实施例所述的发光器件进行的适当设计修改而可实施的所有发光器件也以包括本发明的主旨的程度而被包括在本发明的范围中。
此外，在本发明的精神内的各种修改和改变对于本领域技术人员而言是显而易见的。因此，所有这样的修改和改变应被视为在本发明的范围内。
虽然已经描述了特定实施例，但这些实施例仅仅通过实例给出，并不旨在限制本发明的范围。实际上，在此描述的新颖实施例可以体现为各种其他形式；此外，可以在不脱离本发明的精神的情况下对在此描述的实施例的形式进行各种省略、替代和变化。所附权利要求及其等价物旨在涵盖落在本发明的范围和精神内的这些形式或修改。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
半导体发光元件，其发射第一光，所述半导体发光元件包括衬底以及与所述衬底层叠并接触所述衬底的氮化物半导体层；
安装构件，所述衬底被设置在所述氮化物半导体层与所述安装构件之间；
第一波长转换层，其被设置在所述衬底与所述安装构件之间且与所述安装构件接触，所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长；以及
第一透明层，其被设置在所述衬底与所述第一波长转换层之间且与所述衬底和所述第一波长转换层接触，所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明，
所述氮化物半导体层的折射率高于所述衬底的折射率，
所述衬底的所述折射率高于所述第一透明层的折射率，
所述第一透明层的所述折射率不小于所述第一波长转换层的折射率，并且
所述第一透明层被配置为通过在所述第一透明层和所述衬底之间的界面处和在所述第一透明层和所述第一波长转换层之间的界面处反射所述第二光，而使所述第二光传播通过所述第一透明层并从所述第一透明层的侧面提取到外部环境。
2.根据权利要求1的器件，其中
所述第一波长转换层包括分散在树脂中的第一波长转换颗粒，所述第一波长转换颗粒吸收所述第一光并发射所述第二光；并且
所述第一波长转换颗粒的颗粒尺寸不小于1微米且不大于50微米。
3.根据权利要求1的器件，还包括：
第二波长转换层，所述半导体发光元件被设置在所述第二波长转换层的至少一部分与所述第一透明层之间，所述第二波长转换层吸收所述第一光并发射第三光，所述第三光的波长特性不同于所述第一光的波长特性；以及
第二透明层，其被设置在所述半导体发光元件与所述第二波长转换层之间，所述第二透明层对所述第一光和所述第二光透明。
4.根据权利要求3的器件，其中所述第三光的波长大于所述第一光的波长且不大于所述第二光的波长。
5.根据权利要求2的器件，其中所述第一波长转换颗粒包括选自荧光剂细颗粒和氮化物半导体细颗粒的至少一种。
6.根据权利要求2的器件，其中具有分散在其中的所述第一波长转换颗粒的所述树脂包括基于硅氧烷的树脂。
7.根据权利要求1的器件，其中所述第一波长转换层将所述半导体发光元件的至少一部分接合到所述安装构件的至少一部分。
8.根据权利要求3的器件，其中
所述第二波长转换层包括分散在树脂中的第二波长转换颗粒，所述第二波长转换颗粒吸收所述第一光并发射所述第三光；并且
所述第二波长转换颗粒包括选自荧光剂细颗粒和氮化物半导体细颗粒的至少一种。
9.根据权利要求8的器件，其中所述第二波长转换颗粒被分散于其中的所述树脂包括基于硅氧烷的树脂。
10.根据权利要求3的器件，其中所述第二波长转换层的端部的至少一部分接触所述安装构件。
11.根据权利要求3的器件，其中所述第二透明层覆盖所述半导体发光元件，并且所述第二透明层的外表面具有沿着从所述安装构件朝向所述半导体发光元件的方向突起的弯曲结构。
12.根据权利要求3的器件，其中所述第二透明层的端部的至少一部分接触所述安装构件。
13.根据权利要求3的器件，其中所述第二透明层包括包含气体的层。
14.根据权利要求3的器件，其中选自所述第一波长转换层和所述第二波长转换层的至少一者包括选自硅氧烷树脂、环氧树脂、具有环氧基团的聚二甲基硅氧烷衍生物、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、环烯烃树脂、尿素树脂、碳氟化合物树脂和聚酰亚胺树脂的至少一种。
15.根据权利要求3的器件，其中
所述第二波长转换层包括：
第一荧光剂层；以及
第二荧光剂层，其在所述第一荧光剂层的所述半导体发光元件侧与所述第一荧光剂层层叠，
所述第一荧光剂层的发光波长小于所述第二荧光剂层的发光波长。
16.根据权利要求3的器件，其中所述第一光是蓝光，所述第二光是黄光，所述第三光是黄光。
17.根据权利要求3的器件，其中所述第一光是蓝光，所述第二光是红光，所述第三光是绿光。
18.根据权利要求3的器件，其中所述第一光是近紫外光，所述第二光是红光，所述第三光是蓝光和绿光。
19.根据权利要求1的器件，其中所述安装构件包括反射膜，所述反射膜被设置在所述安装构件的在所述半导体发光元件侧的面上。
20.根据权利要求1的器件，其中所述衬底的所述折射率与所述第一透明层的所述折射率的差的绝对值大于所述第一透明层的所述折射率与所述第一波长转换层的所述折射率的差的绝对值。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5047264B2 (ja) 2009-12-22 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
US8552454B2 (en) * 2010-11-29 2013-10-08 Epistar Corporation Light-emitting device and light mixing device
US8587501B2 (en) * 2011-02-17 2013-11-19 Global Oled Technology Llc Electroluminescent display device with optically communicating chiplets
JP5866870B2 (ja) * 2011-08-26 2016-02-24 三菱化学株式会社 発光装置
WO2013190962A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP5546589B2 (ja) * 2012-07-13 2014-07-09 株式会社東芝 発光装置
KR102000072B1 (ko) * 2012-09-13 2019-07-15 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
TW201418414A (zh) 2012-11-12 2014-05-16 Genesis Photonics Inc 波長轉換物質、波長轉換膠體以及發光裝置
CN103972366A (zh) * 2013-01-24 2014-08-06 新世纪光电股份有限公司 波长转换物质、波长转换胶体以及发光装置
JP2014177592A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Toshiba Corp 蛍光体およびそれを用いた発光装置
TWI651871B (zh) * 2013-06-27 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光組件及製作方法
CN110335932A (zh) * 2013-07-01 2019-10-15 晶元光电股份有限公司 发光二极管组件及制作方法
JP6221456B2 (ja) * 2013-07-23 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及び照明装置
JP6203089B2 (ja) * 2014-03-14 2017-09-27 シャープ株式会社 半導体発光装置
US9911907B2 (en) * 2014-07-28 2018-03-06 Epistar Corporation Light-emitting apparatus
KR101504139B1 (ko) * 2014-12-30 2015-03-19 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지의 제조 방법
CN106784240B (zh) * 2016-12-23 2019-01-01 佛山市国星光电股份有限公司 一种白光led器件的封装方法及其led器件及其led灯
US20180231234A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 Aixia Bian Multi-functional head lamps
KR102334956B1 (ko) * 2018-11-01 2021-12-02 주식회사 엘지화학 차량용 램프 및 이의 제조 방법
WO2021205716A1 (ja) * 2020-04-09 2021-10-14 シャープ株式会社 波長変換素子及び光学機器
CN115188875B (zh) * 2022-09-13 2023-07-04 泉州三安半导体科技有限公司 发光装置及发光元件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1523683A (zh) * 2003-02-20 2004-08-25 ������������ʽ���� 发光装置
CN101124683A (zh) * 2004-12-24 2008-02-13 京瓷株式会社 发光装置以及照明装置
CN101176212A (zh) * 2005-03-14 2008-05-07 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 波长转换的半导体发光器件
CN101208811A (zh) * 2005-08-05 2008-06-25 松下电器产业株式会社 半导体发光装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163527A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Matsushita Electron Corp 面状光源
JP3748355B2 (ja) 2000-01-27 2006-02-22 シャープ株式会社 発光ダイオード
JP2001223388A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP4587675B2 (ja) * 2004-01-23 2010-11-24 京セラ株式会社 発光素子収納パッケージおよび発光装置
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US8106584B2 (en) 2004-12-24 2012-01-31 Kyocera Corporation Light emitting device and illumination apparatus
EP1919000A1 (en) * 2005-08-05 2008-05-07 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
US7514721B2 (en) * 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
JP2007273562A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP5044329B2 (ja) 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
JP2009267289A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP5047264B2 (ja) 2009-12-22 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
JP5050045B2 (ja) * 2009-12-22 2012-10-17 株式会社東芝 発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1523683A (zh) * 2003-02-20 2004-08-25 ������������ʽ���� 发光装置
CN101124683A (zh) * 2004-12-24 2008-02-13 京瓷株式会社 发光装置以及照明装置
CN101176212A (zh) * 2005-03-14 2008-05-07 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 波长转换的半导体发光器件
CN101208811A (zh) * 2005-08-05 2008-06-25 松下电器产业株式会社 半导体发光装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2009-267289A 2009.11.12

Also Published As

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