JPH10163527A - 面状光源 - Google Patents
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Abstract
プの面状光源を提供することを目的とする。 【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体と、窒化ガリウ
ム系化合物半導体の上面または下面の一方に形成される
p電極及びn電極と、p電極及びn電極が外部に露呈す
るように窒化ガリウム系化合物半導体と一体的に形成さ
れ、かつ窒化ガリウム系化合物半導体が発する光に対し
て補色の関係にある光を発する蛍光物質を含む蛍光膜層
とを有し、かつ白色に自発光する発光素子を内蔵する発
光ダイオード20と、発光素子の光を透過して外部へ向
けて面状に発光する導光体24と、導光体の周囲に設け
られ発光素子の光を反射する反射部21〜23を備えて
いる。
Description
光源に関するものである。
イトを当てるために、白色発光する面状光源が用いられ
ている。そして現状では、このような面状光源は、EL
又は冷陰極管で構成されることが多い。
て、面状光源を構成しようとする試みもある。そして、
この種の技術として、特開平7−176794号公報記
載の第1技術と、特開平8−7614号公報記載の第2
技術とが、提案されている。
においても、発光ダイオードとして青色に発光するもの
を使用している。そして、青色発光ダイオードを光を透
過する導光体に側方から水平に挿入し、導光体の上面を
露呈させるとともに、側面及び底面を反射層で包囲して
いる。
間に、蛍光散乱層を設けている。そして、この蛍光散乱
層には、励起されると、青色に対して補色の関係にある
色に発光する蛍光物質が含まれている。したがって、外
部から観察すると、見かけ上白色に面状発光できるよう
になっている。
すい画面を提供する目的で使用されるものである。した
がって、これにバックライトを当てる面状光源は、でき
るだけ薄くコンパクトに構成されていることが望まし
い。
においても、導光体や反射層の他に、ある厚さを有する
蛍光散乱層を設けることが、必須の要件になっており、
より薄く構成したいとする要請に、対応しづらいという
問題点があった。
LEDを用いたタイプの面状光源を提供することを目的
とする。
化ガリウム系化合物半導体と、窒化ガリウム系化合物半
導体の上面または下面の一方に形成されるp電極及びn
電極と、p電極及びn電極が外部に露呈するように窒化
ガリウム系化合物半導体と一体的に形成され、かつ窒化
ガリウム系化合物半導体が発する光に対して補色の関係
にある光を発する蛍光物質を含む蛍光膜層とを有し、か
つ白色に自発光する発光素子と、発光素子の光を透過し
て外部へ向けて面状に発光する導光体と、導光体の周囲
に設けられ発光素子の光を反射する反射部とを備えてい
る。
ガリウム系化合物半導体と、窒化ガリウム系化合物半導
体の上面または下面の一方に形成されるp電極及びn電
極と、p電極及びn電極が外部に露呈するように窒化ガ
リウム系化合物半導体と一体的に形成され、かつ窒化ガ
リウム系化合物半導体が発する光に対して補色の関係に
ある光を発する蛍光物質を含む蛍光膜層とを有し、かつ
白色に自発光する発光素子と、発光素子の光を透過して
外部へ向けて面状に発光する導光体と、導光体の周囲に
設けられ発光素子の光を反射する反射部とを備えてい
る。
層を有し、発光素子そのものが、白色に発光するように
なっているので、導光体の上下に蛍光散乱層などを設け
る必要がない。即ち、蛍光散乱層の厚さだけ、面状光源
の厚さを薄くでき、コンパクトに構成できる。そして、
導光体と反射部によって、発光素子そのものの白色の光
の光路を、導光体の上面から外部に向けてやるだけでよ
いのである。
形態について説明する。まず、本形態では、それ自身で
白色に発光する発光素子Cを用いる。そこで、次に図
1、図2を用いて、この発光素子Cの製造プロセスを説
明する。
ファイア基板1の上面に、GaNバッファ層2を形成す
る。さらに、n型GaN層3、InGaN活性層4、p
型AlGaN層5、p型GaN層6を順に積層してい
き、ダブルヘテロ構造を構成する。
ングなどによる電極形成工程を行う。
4、p型AlGaN層5、p型GaN層6をエッチング
して、n型GaN層3とp型GaN層6を上方に露呈さ
せる。
成し、p型GaN層6上にp電極9を形成する。なお本
形態では、n電極7とp電極9とは、発光素子Cの上面
側に位置している。また、n電極7をTiとAlから、
p電極9をNiとAuから構成した。このようにする
と、ワイヤボンディング中の接合性が良好となる。
ヤボンディング法に限定されるものではなく、バンプ法
など他の工法によってもよい。
に、蛍光膜層を形成する。即ち、サファイア基板1の下
面上に第1蛍光膜層10を形成し、p型GaN層6とn
型GaN層3との上に第2蛍光膜層11を形成する。そ
して、適当なレジストなどを用いて、図1に示すよう
に、n電極7とp電極9とが外部に露呈するようにす
る。
成してもよいし、両方形成してもよい。どのように構成
するかは、発光素子Cとしての発光色(白色)のバラン
スを考慮して決定する。勿論、第1蛍光膜層10のみを
形成する方が、両電極7、9を露呈させるために蛍光膜
の除去を行う必要がないから、より好ましい。
脂またはポリイミドなどの透光性のバインダーを主材と
し、主材中には、蛍光膜層が無い状態での発光素子Cの
発光色(青色)に対して補色の関係にある蛍光色を呈す
る蛍光物質が、一定の分布になるように分散している。
ピナーで塗布して硬化させるものである。したがって、
厚さH1、H2を正確に規定できる。このため、蛍光物
質の量と、蛍光膜層がない状態での発光素子Cの発色と
のバランスを厳格にとることができ、発光素子C単体で
色ずれが少なく正確な白色発光ができる。
素子Cを得ることができる。次に、この発光素子Cを用
いて、図3に示すように、発光ダイオード20を製造す
る。
して、そのカップ(凹部)14に発光素子Cを実装し、
カップ14、リード15と、p電極9、n電極7とを、
ワイヤボンディングして電気的に接続する。
とを、透光性を備えた樹脂ケース16で包囲して、白色
に自発光する発光ダイオード20とする。
る。第1の実施の形態に係る面状光源は、図4(a)の
ような縦断面を有する。
備えた単一の樹脂から形成されている)を、矩形の板状
にカットして、導光体24とする。
状の反射部21、22、23をはり合わせる。このう
ち、反射部21については、表面を粗面加工して光を散
乱させる。そして、導光体24は、上面が面状に発光す
るようになっており、反射部21、22、23は、導光
体24の側面及び底面を取り囲むように導光体24に接
している。
部に入り込む穴を開け、この穴に、上述の発光ダイオー
ド20を挿入する。即ち、発光ダイオード20内の発光
素子Cは、反射部22の側面から、発光素子Cが導光体
24の中央を向くように、水平横向きに挿入される。
光源を得ることができる。ここで、図4(a)から明ら
かなように、この面状光源には、蛍光散乱層は存在せ
ず、その厚さは、反射部21の厚さと導光体24の厚さ
を足したものであり、従来の面状光源よりも、薄くコン
パクトに構成できる。
と、導光体24内を矢印で示すように、白色の光が、反
射部21、22、23で反射して光路をかえながら飛び
かい、導光体24の上面に至った白色の光のみが、外部
に放射される。これにより、導光体24が、白色に面発
光するものである。
ドから放射され蛍光散乱層に達していない青色の光も、
導光体の内部を飛びかっているため、導光体が青みがか
ってしまうこともあり得る。
が発する光そのものが、白色であり、当然、導光体24
の内部を通過する光は、白色のものしかなく、面状発光
する導光体24が青みがかるというようなことはない。
光源を示している。このものでは、縦断面が弓状に湾曲
する曲面を有する反射部25を用いた。そして、反射部
25の内部に、透明な樹脂を流し込み、硬化させて、導
光体26を構成する。
用効果を得ることができる。しかも、導光体24に反射
部21、22、23をはり合わせる必要はなく、金型を
用いた量産に適している。
20の一部として使用する例を説明したが、本発明は、
これに限定されるものではなく、はだかの発光素子C
を、そのまま面状光源の導光体24に埋め込んで、使用
しても差し支えない。
導光体の上下に蛍光散乱層などを設ける必要がなく、そ
れだけ薄くコンパクトに構成できる。しかも、導光体内
を白色の光のみが透過するため、導光体が青みがかると
いうことはない。
図
の断面図
の断面図 (b)本発明の他の実施の形態における面状光源の断面
図
Claims (5)
- 【請求項1】窒化ガリウム系化合物半導体と、前記窒化
ガリウム系化合物半導体の上面または下面の一方に形成
されるp電極及びn電極と、前記p電極及びn電極が外
部に露呈するように前記窒化ガリウム系化合物半導体と
一体的に形成され、かつ前記窒化ガリウム系化合物半導
体が発する光に対して補色の関係にある光を発する蛍光
物質を含む蛍光膜層とを有し、かつ白色に自発光する発
光素子と、 前記発光素子の光を透過して外部へ向けて面状に発光す
る導光体と、 前記導光体の周囲に設けられ前記発光素子の光を反射す
る反射部とを備えたことを特徴とする面状光源。 - 【請求項2】前記導光体は、透明で透光性を備えた単一
の樹脂から形成されていることを特徴とする請求項1記
載の面状光源。 - 【請求項3】前記導光体は矩形の板状に形成され上面が
面状に発光するようになっており、前記反射部は前記導
光体の側面及び底面を取り囲むように前記導光体に接し
ていることを特徴とする請求項1記載の面状光源。 - 【請求項4】前記反射部は、縦断面が弓状に湾曲する曲
面を有していることを特徴とする請求項1記載の面状光
源。 - 【請求項5】前記発光素子は、発光ダイオードの一部と
して構成され、前記発光ダイオードは、前記反射部の側
面に、前記発光素子が前記導光体の中央を向くように、
水平横向きに挿入されていることを特徴とする請求項1
記載の面状光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31597296A JPH10163527A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 面状光源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31597296A JPH10163527A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 面状光源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10163527A true JPH10163527A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18071804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31597296A Pending JPH10163527A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 面状光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10163527A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001004967A1 (fr) * | 1999-07-09 | 2001-01-18 | Baybright Ltd. | Dispositif d'affichage à source lumineuse |
DE10140058A1 (de) * | 2001-08-16 | 2002-10-24 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines Kraftstoffhochdruckspeichers |
JP2006302607A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Koizumi Sangyo Corp | 複層導光体及び、該複層導光体を用いた照明装置 |
WO2007018222A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Ube Industries, Ltd. | 発光ダイオード用基板及び発光ダイオード |
US7775680B2 (en) | 2007-04-20 | 2010-08-17 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | LED lamp assembly |
JP2011134761A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2011134762A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2011222642A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2018017555A (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | シーシーエス株式会社 | 照明装置 |
-
1996
- 1996-11-27 JP JP31597296A patent/JPH10163527A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001004967A1 (fr) * | 1999-07-09 | 2001-01-18 | Baybright Ltd. | Dispositif d'affichage à source lumineuse |
DE10140058A1 (de) * | 2001-08-16 | 2002-10-24 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines Kraftstoffhochdruckspeichers |
JP2006302607A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Koizumi Sangyo Corp | 複層導光体及び、該複層導光体を用いた照明装置 |
JP4643345B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-03-02 | 小泉産業株式会社 | 複層導光体及び、該複層導光体を用いた照明装置 |
WO2007018222A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Ube Industries, Ltd. | 発光ダイオード用基板及び発光ダイオード |
US7863636B2 (en) | 2005-08-10 | 2011-01-04 | Ube Industries, Ltd. | Substrate for light-emitting diode, and light-emitting diode |
US7775680B2 (en) | 2007-04-20 | 2010-08-17 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | LED lamp assembly |
JP2011134761A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2011134762A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2011222642A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2018017555A (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | シーシーエス株式会社 | 照明装置 |
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