JP5050045B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図2は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置に用いられる半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
図1に表したように、本実施形態に係る発光装置210は、半導体発光素子10と、実装部材20と、第1波長変換層30と、第2波長変換層80と、第2波長変換層側透光層60と、を備える。
なお、第1波長変換粒子31は、1種類の材料に限らず、2種類以上の材料を含むことができる。
第2波長変換粒子は、1種類の材料に限らず、2種類以上の材料を含むことができる。
図3に表したように、半導体発光素子10の発光層103で放出された第1光L1の一部は、p型半導体層の側の第1主面10a(上面)に向かって進行し、第2波長変換層側透光層60及び第2波長変換層80を通過して、発光装置210の外部に取り出される。
このように、発光装置210によれば、発光効率の高い発光装置を提供できる。
図4は、第1比較例の発光装置の構成を示す模式的断面図である。
図4に表したように、第1比較例の発光装置219aにおいては、第2波長変換層側透光層60が設けられず、第2波長変換層80が半導体発光素子10の上に直接設けられている。そして、実装部材20の上にシリコーン系透明ダイボンド材層41(ダイボンド用接着材)が設けられ、その上に第1波長変換層30が設けられ、さらにその上に半導体発光素子10が設けられている。この構成は、特許文献1に記載されている構成に相当する。
図5は、第2比較例の発光装置の構成を示す模式的断面図である。
図5に表したように、第2比較例の発光装置219bにおいては、本実施形態に係る発光装置210において、実装部材20と第1波長変換層30との間にシリコーン系透明ダイボンド材層41が設けられている。
図6は、第3比較例の発光装置の構成を示す模式的断面図である。
図6に表したように、第3比較例の発光装置219cにおいては、第1波長変換層30が設けられないものである。そして、半導体発光素子10は、シリコーン系透明ダイボンド材層41によって実装部材20に接着されている。そして、第2波長変換層側透光層60の上に第2波長変換層80cが設けられている。
図7は、第4比較例の発光装置の構成を示す模式的断面図である。
図7に表したように、第4比較例の発光装置219dにおいては、半導体発光素子10と実装部材20との間に第1波長変換層30が設けられず、シリコーン系透明ダイボンド材層41が設けられている。そして、第2波長変換層側透光層60と第2波長変換層80とが設けられている。そして、第2波長変換層側透光層60の内側に、内側波長変換層80dが設けられ、内側波長変換層80dと半導体発光素子10との間に内側透光層60dが設けられている。
(M1−x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1・・・組成式(1)
を用いることが好ましい。ここで、Mは、Si及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca及びSrの少なくとも一方が望ましい。Rは、発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1及びd1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7。
組成式(1)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
(M1−x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2・・・組成式(2)
を用いることが好ましい。ここで、Mは、Si及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特にCa及びSrの少なくとも一方が望ましい。Rは、発光中心元素であり、特にEuが望ましい。x、a2、b2、c2及びd2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11。
組成式(2)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
本実施形態に係る第1実施例の発光装置の特性について比較例と比較しながら説明する。第1実施例の発光装置210aは、半導体発光素子10から放出される第1光L1が青色光であり、第1波長変換層30及び第2波長変換層80から放出される光(第2光L2及び第3光L3)が共に黄色光である例である。
実装部材20として、AlN製の実装基板を用いた。すなわち、実装部材20は、AlN材を成型加工することにより製作される。
このようにして、第1実施例の発光装置210aが作製された。
このように、本実施形態によれば、発光効率の高い発光装置が提供できる。
図8は、本発明の第2の実施形態に係る発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図8に表したように、第2の実施形態に係る発光装置220は、第1波長変換層側透光層40をさらに備える。第1波長変換層側透光層40は、半導体発光素子10と第1波長変換層30との間に設けられ、半導体発光素子10及び第1波長変換層30に接する。第1波長変換層側透光層40は、第1光L1及び第2光L2に対して透光性を有する。
図9に表したように、第1波長変換層30で放出された第2光L2は、半導体発光素子10に入射する前に、第1波長変換層側透光層40に入射する。そして、第2光L2は、第1波長変換層側透光層40の中を伝搬し、第1波長変換層側透光層40の側面から外界へ取り出される。
第2の実施形態に係る第2実施例の発光装置220aは、図8に例示した発光装置220と同様の構成を有している。第2実施例の発光装置220aは、半導体発光素子10から放出される第1光L1が青色光であり、第1波長変換層30及び第2波長変換層80から放出される光(第2光L2及び第3光L3)が共に黄色光である例である。発光装置220aは、以下のようにして作製された。
なお、第2実施例の発光装置220aの発光色の色度座標も(0.34、0.35)であり、発光装置220aの発光色は白色光である。
第2の実施形態に係る第3実施例の発光装置220bは、図8に例示した発光装置220と同様の構成を有している。ただし、第3実施例の発光装置220bにおいては、半導体発光素子10から放出される第1光L1が青色光であり、第1波長変換層30から放出される第2光L2が赤色光であり、第2波長変換層80から放出される第3光L3が緑色光である例である。
第2実施例と同様の方法で、半導体発光素子10の下面(第2主面10b)に、シリコーン樹脂の第1波長変換層側透光層40を形成した。
このようにして、第3実施例の発光装置220bが作製された。
図10(a)、図10(b)及び図10(c)は、本発明の第3の実施形態に係る発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図10(a)に表したように、本実施形態に係る発光装置214においては、半導体発光素子10の基板90(及びバッファ層101)が除去されており、半導体発光素子のn型半導体層(n型コンタクト層102)が、第1波長変換層側透光層40に接触し、第1波長変換層側透光層40と実装部材20との間に第1波長変換層30が設けられている。このように、本発明の実施形態に係る発光装置に用いられる半導体発光素子10は、n型半導体層(例えばn型コンタクト層102)と、p型半導体層(例えばp型コンタクト層105)との間に、発光層103が設けられる構成であれば良く、例えば基板90等は必要に応じて省略される。
図11(a)に表したように、本実施形態に係る発光装置218においては、半導体発光素子10の基板90(及びバッファ層101)が除去されており、半導体発光素子10のn型半導体層(n型コンタクト層102)の側の第2主面10bにn側電極108が設けられている。n側電極108として、例えば、透明電極を用いることができる。なお、p型半導体層(p型コンタクト層105)の側の第1主面10aにp側電極107が設けられている。そして、半導体発光素子10のn側電極108が、n側バンプ108bにより、実装部材20のn側基板電極108eに電気的に接続されており、半導体発光素子10のp側電極107は、p側配線107wにより、実装部材20のp側基板電極107eに電気的に接続されている。
なお、この構造において、第1波長変換層側透光層40は省略しても良く、この場合には、半導体発光素子10のn型半導体層(n型コンタクト層102)が、第1波長変換層30に接する。n側電極108として、例えば、透明電極を用いる場合には、n側電極108が第1波長変換層30に接する構造とすることができる。
なお、この構造において、第1波長変換層側透光層40は省略しても良く、この場合には、半導体発光素子10の基板90が、第1波長変換層30に接する。n側電極108として、例えば、透明電極を用いる場合には、n側電極108が第1波長変換層30に接する構造とすることができる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (5)
- 半導体発光素子と、
実装部材と、
前記半導体発光素子と前記実装部材との間に設けられ、前記実装部材に接し、前記半導体発光素子から放出される第1光を吸収して前記第1光の波長よりも長い波長を有する第2光を放出する第1波長変換層と、
前記半導体発光素子の前記第1波長変換層とは反対の側に設けられ、前記第1光を吸収して前記第1光の波長よりも長い波長を有する第3光を放出する第2波長変換層と、
前記半導体発光素子と前記第2波長変換層との間に設けられ、前記第1光、前記第2光及び前記第3光に対して透光性を有する第2波長変換層側透光層と、
を備え、
前記第2波長変換層は、前記第2波長変換層側透光層により前記第1波長変換層から離されており、
前記第2波長変換層の端部は、前記実装部材に接し、
前記第2波長変換層側透光層の端部は、前記実装部材に接することを特徴とする発光装置。 - 前記第3光の波長は、前記第2光の前記波長以下であることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記半導体発光素子と前記第1波長変換層との間に設けられ、前記半導体発光素子及び前記第1波長変換層に接し、前記第1光及び前記第2光に対して透光性を有する第1波長変換層側透光層をさらに備えたことを特徴とする請求項2記載の発光装置。
- 前記半導体発光素子の前記第1波長変換層側透光層に接する部分の屈折率は、前記第1波長変換層側透光層の屈折率よりも大きく、
前記第1波長変換層の前記第1波長変換層側透光層に接する部分の屈折率は、前記第1波長変換層側透光層の前記屈折率以下であることを特徴とする請求項3記載の発光装置。 - 前記第1波長変換層は、前記第1光を吸収して前記第2光を放出する第1波長変換粒子と、前記第1波長変換粒子が分散された樹脂と、を有し、
前記第1波長変換粒子の粒子径は、1マイクロメートル以上、50マイクロメートル以下であることを特徴とする請求項4記載の発光装置。
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