WO2004081140A1 - 発光膜、発光装置、発光膜の製造方法および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光膜、発光装置、発光膜の製造方法および発光装置の製造方法 Download PDF

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light emitting
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Hiroto Tamaki
Shinsuke Sofue
Kunihiro Izuno
Junji Takeichi
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Nichia Corporation
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Definitions

  • Light emitting film Light emitting film, light emitting device, method of manufacturing light emitting film, and method of manufacturing light emitting device
  • the present invention relates to a light source for lighting, an LED display, a backlight light source, a traffic light, a lighting switch, a light emitting film used for various sensors and various indicators, a light emitting device, and a method for manufacturing these light emitting films and light emitting devices. .
  • a part of the light from the light-emitting element is wavelength-converted by the phosphor, and the wavelength-converted light and the light from the light-emitting element that are not wavelength-converted are mixed and emitted to emit a different color from the light from the light-emitting element.
  • Light emitting devices have been developed (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-198573).
  • a blue light-emitting diode (hereinafter also referred to as “LED”) using an InGaN-based material is used as a light-emitting element, and its surface is represented by a composition formula of (Y, Gd) a (A 1, Ga) 5 ⁇ 12.
  • White LED light-emitting devices have been put into practical use that are coated with a fluorescent member made of a translucent material such as epoxy resin that contains a yttrium / aluminum / garnet phosphor (hereinafter also referred to as GJ).
  • GJ yttrium / aluminum / garnet phosphor
  • the emission color of the white LED light-emitting device is obtained by the principle of light mixing.
  • the blue light emitted from the LED enters the fluorescent member, is repeatedly absorbed and scattered in the layer, and is emitted outside.
  • the blue light absorbed by the phosphor acts as an excitation source and emits yellow fluorescence.
  • the yellow light of this phosphor and the blue light of the LED are mixed and appear to the human eye as white.
  • LED light emitting device using such an LED is small, has high power efficiency, and emits bright colors. Also, since the LED is a semiconductor element, there is no fear of a broken bulb or the like. They also have excellent initial drive characteristics and are resistant to vibration and repeated on / off lighting. Because of these excellent characteristics, LED light emitting devices are used as various light sources.
  • the conventional white light emitting device uses a large amount of resin, and therefore, there is a problem in that the resin is deteriorated when a light emitting element having a high output and a short wavelength is used.
  • a Painda inorganic particularly when using a cured film using silica gel (S i 0 2), when exposed to high output and ultraviolet, a problem of blackening colored degradation . The reason for this is not clear, but it is presumed that the organic groups contained in the silica sol remain after curing and are reduced by strong photoexcitation.
  • the transmittance of the light emitting film depends on the transmittance of the binder supporting the phosphor in the light emitting film.
  • the transmittance of the luminescent film increases as shown by A in the figure. It is considered.
  • bringing the gel closer to polycrystals requires a higher temperature reaction, which requires more time and energy.
  • the high temperature adversely affects the semiconductor light emitting element and the phosphor.
  • the lead wire to which the LED chip is bonded is damaged by heat or the phosphor deteriorates. Therefore, it is difficult to proceed the sol-gel reaction to improve the light extraction efficiency and to turn the polycrystalline inorganic glass into a vitreous one in terms of the reaction temperature.
  • the light emitting layer is excited using a light emitting element such as an LED
  • a light emitting element such as an LED
  • the deteriorated light emitting layer is colored blackish, so that the original light transmittance is impaired and the light extraction efficiency is deteriorated.
  • the cause of such blackening and coloring deterioration has not been clarified, it is considered to be due to the siliency used in the binder of the light emitting layer.
  • silica is used a light-transmitting binder (S i 0 2) or the like.
  • Silica sol which is a sol-like silica, has good binding properties, excellent translucency, good light extraction efficiency, and is industrially inexpensive and easy to use.
  • the silica binder layer deteriorates in color.
  • the silica binder layer is deteriorated by high light density and heat, and is colored black or black-brown.
  • the present inventors have studied, this cause is presumably to generate the S i O x (x twice as) Silica oxygen deficiency of S i 0 2.
  • Silica binder is in the 2 5 0 ° C below the thermosetting temperature, hydroxyl groups in the S I_ ⁇ 2 backbone is a state of silica gel organic groups remaining part.
  • a main object of the present invention is to provide a light-emitting film, a light-emitting device, a method for manufacturing a light-emitting film, and a method for manufacturing a light-emitting device, which have improved light extraction efficiency and excellent reliability.
  • An object of the present invention is to provide a highly reliable light-emitting device having a film that is hardly deteriorated by light from an element and a method for manufacturing the same.
  • the light-emitting film of the present invention is a light-emitting film composed of at least a filler member containing a light-emitting material and a binder member, wherein the binder member contains at least an oxide hydroxide of a metal element.
  • This light-emitting film can be used as a diffusion layer containing no phosphor.
  • the light-emitting material is an inorganic phosphor
  • the filler member is an inorganic filler
  • the binder member is Is characterized by being an inorganic binder mainly composed of a valence hydroxide of a metal element.
  • the light-emitting film is formed mainly of an inorganic substance, and the metal element constituting the oxide hydroxide has a constant valence, so that the oxidation-reduction reaction of the compound after film formation is suppressed and the light-emitting film becomes stable. In addition, it is possible to obtain a light-emitting film which does not deteriorate even when driven under high light density and high temperature.
  • the light-emitting material is an inorganic phosphor
  • the filler member is an inorganic filler
  • the binder member is a metal.
  • An inorganic binder mainly composed of an oxide hydroxide of an element, wherein the oxide hydroxide of a metal element is an oxide hydroxide of at least a Group II or Group III element.
  • another light-emitting film of the present invention is characterized in that the group II-III group or group IIIB element contains S It is characterized by containing at least one of c, Y, Gd, Lu, or B, A1, Ga, In.
  • another luminescent film of the present invention is characterized in that the oxidized hydroxide of the metal element contained in the binder member is an A1 oxidized hydroxide having at least a boehmite structure or a pseudo-boehmite structure.
  • the binder member is composed of aluminum oxide hydroxide and 0.5 wt% to 50 wt% with respect to the binder member. It is characterized by containing an oxidized hydroxide of a Group III element or a Group IIIB element.
  • another light emitting film of the present invention is characterized in that the binder member contains 0.5% to 50% by weight of boron oxide or boric acid with respect to the binder member.
  • another light emitting film of the present invention is characterized in that the metal element oxide hydroxide contained in the binder member is yttrium oxide hydroxide.
  • the group IIIA is different from the group IIIA in which the binder member is 0.5% by weight to 50% by weight with respect to the oxide hydroxide of yttrium and the binder member. And an oxide hydroxide of an element or a group IIIB element.
  • another light emitting film of the present invention is characterized in that the binder member contains 0.5% to 50% by weight of boron oxide or boric acid with respect to the binder member.
  • the binder member is a porous body in which a crosslinked structure, a network structure, or a polymer structure is formed by an aggregate of particles containing an oxide hydroxide. It is characterized by.
  • the film is made amorphous rather than crystalline to increase the binding force and form a light emitting film with good light extraction efficiency can do.
  • Still another light emitting film of the present invention is characterized in that the binder member is in a gel state filled with inorganic particles containing an oxide hydroxide.
  • another light emitting film of the present invention is characterized in that the light transmittance of the light emitting film is higher than that of a polycrystalline or amorphous material when sintered after the sol-gel reaction. I do.
  • the binder member contains a hydroxyl group or water of crystallization at 10% by weight or less based on the binder member.
  • another light emitting film of the present invention is characterized in that the weight ratio of the filler member and the binder member constituting the light emitting film is 0.05 to 30 for the filler binder.
  • the light emitting device of the present invention includes a light emitting element and a light emitting layer that absorbs at least a part of light from the light emitting element and emits light.
  • This light emitting device is characterized in that the light emitting layer is the light emitting film described above.
  • another light emitting device of the present invention is characterized in that the light emitting layer directly covers the light emitting element.
  • another light-emitting device of the present invention is a light-emitting device including a light-emitting element and a light-emitting layer that absorbs at least a part of light from the light-emitting element and emits light of different wavelengths.
  • This light-emitting device is characterized in that the light-emitting layer includes phosphor particles excited by light from the light-emitting element, and a binder member that carries the phosphor particles dispersed in the layer.
  • another light emitting device of the present invention includes a semiconductor light emitting element having an emission wavelength of 550 nm or less, and a phosphor that emits light by excitation at the wavelength.
  • another light emitting device of the present invention is characterized by comprising a semiconductor light emitting element having an emission wavelength of 410 nm or less, and a phosphor which emits light by excitation at the wavelength.
  • another light emitting device of the present invention is characterized in that light is emitted when the temperature of the light emitting layer is 50 ° C. or higher.
  • the cause of the deterioration of the binder in the light emitting layer is considered to be light or heat or their interaction.
  • the binder is hardly deteriorated by high power driving of visible light, ultraviolet light, high temperature driving, and the like. Therefore, driving with high excitation density is particularly effective.
  • another light emitting device of the present invention is characterized in that the light emitting layer is formed in close contact with the semiconductor light emitting element, and the input power when driving the semiconductor light emitting element is 0.1 W / cm 2 or more. And In particular, it is effective under high input power of 1 W / cm 2 or more.
  • the light emitting wavelength of the semiconductor light emitting element is 410 nm or less, and the semiconductor light emitting element is driven at a power of 1 W / cm 2 or more.
  • the luminance maintaining ratio of the light emitting layer after the time is 80% or more.
  • the phosphor contained in the filler of the light emitting layer of the light emitting device is a blue light emitting phosphor, a blue green light emitting phosphor, a green light emitting phosphor, a yellow green light emitting phosphor. It is characterized by having white or intermediate color light emission including at least one of a yellow light-emitting phosphor, a yellow-red light-emitting phosphor, an orange light-emitting phosphor, and a red light-emitting phosphor.
  • the phosphor contained in the filler of the light emitting layer has a green to yellow-red emission having a peak wavelength in a range from 5100 nm to 600 nm, and at least Ce. Is a rare earth aluminate phosphor. Still further, in another light emitting device of the present invention, the phosphor contained in the filler of the light emitting layer of the light emitting device has a yellow-red to red emission having a peak wavelength of 580 nm to 65 nm. , Characterized in that it is an alkaline earth silicon nitride phosphor to which at least Eu is added.
  • the phosphor contained in the filler of the light emitting layer emits blue-green to yellow-red light having a peak wavelength of 500 nm to 600 nm, and at least E u is the alkaline earth silicon oxynitride phosphor added.
  • another light emitting device of the present invention is a semiconductor light emitting element which emits light at an emission wavelength of 410 nm or less, wherein the phosphor contained in the filler of the light emitting layer has blue light emission, Alkaline earth halogen apatite phosphor suffixed with at least Eu, Alkaline earth haphagen boric acid phosphor suffixed with at least Eu, Al-earth alkaline alumina suffixed with at least Eu It contains one selected from the group consisting of acid phosphors, and further emits white light when mixed with at least a rare earth phosphoric acid phosphor having a green to yellow-red emission and enclosed by Ce. I do.
  • another light emitting device of the present invention is a semiconductor light emitting element which emits light at an emission wavelength of 410 nm or less, wherein the phosphor contained in the filler of the light emitting layer has blue light emission, Alkaline earth halogen apatite phosphor suffixed with at least Eu, Alkaline earth halogen borate phosphor suffixed with at least Eu, and alkaline earth aluminate phosphor suffixed with at least Eu A rare earth aluminate phosphor having at least Ce and emitting green to yellow-red light, and at least Eu having at least Eu having yellow to red emission.
  • the mixture is mixed with an alkaline earth silicon nitride phosphor and emits white light.
  • another light emitting device of the present invention is a semiconductor light emitting element which emits light in a blue region of a light emitting element having a light emission wavelength of 450 nm to 48 O.nm, and a fluorescent light contained in a film of a light emitting layer.
  • the body emits white light when mixed with at least a rare earth aluminate phosphor enclosed by Ce.
  • the light emitting element has an emission wavelength of 450 nm to 4 nm.
  • a semiconductor light-emitting device that emits light in the blue region of 8 O nm, and the phosphor contained in the filler of the light-emitting layer is a rare-earth aluminate phosphor that emits green to yellow-red light and is enclosed by at least Ce.
  • a mixture of at least Eu-containing alkaline earth silicon nitride phosphors having yellow-red to red emission and exhibiting white emission and a method of manufacturing a light-emitting film according to the present invention.
  • Is a method for producing a luminescent film comprising at least a filler member containing a luminescent material and a binder member, wherein a metalloxane sol containing a metal element as a binder member and a filler member are mixed to prepare a slurry.
  • a metalloxane sol containing a metal element as a binder member and a filler member are mixed to prepare a slurry.
  • a step of supporting the filler member with a binder member having the above structure
  • the metalloxane sol is at least an aluminoxane sol or a yttrinoxane sol.
  • Another method for manufacturing a light-emitting device is a method for manufacturing a light-emitting device having a light-emitting element and a light-emitting film covering at least a part of the light-emitting element by the above-described manufacturing method.
  • the step of forming a light emitting element the light emitting element and / or a region separated from the light emitting element is coated with a slurry under heat treatment to form a film.
  • a light-emitting film, a light-emitting device, a method for manufacturing a light-emitting film, and a method for manufacturing a light-emitting device with high light extraction efficiency are realized. This is because the use of an oxide hydroxide in the light-emitting film suppresses the transmittance of the light-emitting film even in a gel state that does not reach the polycrystalline state, and achieves high light extraction efficiency.
  • the present invention since a metal element oxide hydroxide having a constant valence is used, the production of a light-emitting film, a light-emitting device, and a light-emitting device, which has less coloring deterioration due to its use, has high durability, and is excellent in reliability.
  • the method and the manufacturing method of the light emitting device are realized. This is because the present invention does not use a metal element such as silica having a large valence as a binder of the phosphor, so that oxygen deficiency does not occur, and coloring deterioration of the binder layer caused by this is avoided.
  • the light emitting film, the light emitting device, the method for manufacturing the light emitting film, and the method for manufacturing the light emitting device which have excellent heat resistance and improved durability of the phosphor, are realized.
  • the light emitting element in a light emitting device having a light emitting element and a base on which the light emitting element is mounted, the light emitting element is covered with an inorganic binder, and the inorganic binder is covered with a resin.
  • the inorganic binder preferably fills the voids of the inorganic binder layer with a resin.
  • the inorganic binder is such that the resin has at least about 95% of the voids of the inorganic binder layer.
  • the coating of the inorganic binder with the resin is preferably performed by impregnating the inorganic binder with the resin using a potting means or a spraying means.
  • the inorganic binder preferably contains a phosphor.
  • the resin preferably has a resin layer that covers at least a part of the inorganic binder.
  • the surface of the resin layer is preferably smooth.
  • the resin preferably contains at least one of oil, gel, and rubber.
  • the resin is a silicone resin having a dialkylsiloxane skeleton before or after molding.
  • the following chemical formula 1 has a dialkylsiloxane skeleton Is shown.
  • R represents an alkyl group.
  • the resin preferably has dimethylsiloxane in the main chain before molding.
  • Dimethyl siloxane is one form of the dialkyl siloxane skeleton.
  • Formula 2 below shows dimethylsiloxane.
  • the resin preferably has an intensity ratio of C-Si-O bonds to Si-Si-O bonds in the resin composition of at least 1.2 / 1 in the bond absorption intensity of the infrared spectrum. .
  • the present invention provides a first step of mounting a light emitting element on a substrate, a second step of coating the light emitting element with an inorganic binder, and a third step of coating the inorganic binder with a resin.
  • the third step relates to a method for manufacturing a light emitting device in which an inorganic binder is covered by using a resin potting means or a spray atomizing means.
  • the impregnation is preferably performed in a vacuum.
  • the present invention has the following effects.
  • the present invention provides a light emitting device comprising: a light emitting element; and a base on which the light emitting element is mounted, wherein the light emitting element is coated with an inorganic binder, and the inorganic binder is coated with a resin.
  • the coating of the inorganic binder with the resin relates to a light emitting device in which the inorganic binder is impregnated with the resin using a potting means or a spray atomizing means.
  • the inorganic binder covering the light emitting element does not deteriorate, and the light extraction efficiency can be improved. Further, since the entire inorganic binder is impregnated with the resin, the inorganic binder can be prevented from being cracked or chipped, and a film resistant to impact can be formed.
  • Potting means or spray atomizing means is used as a means for filling the gap with resin.
  • Means other than potting means and spray atomizing means such as means in which the resin is injected all over the inorganic binder at once, allow gas released outside to remain in the inorganic binder layer or enter the resin and retain gas. Or The gas present in the inorganic binder layer is confined in the layer, and the gas retained in the layer expands due to heat generated by the light emitting element when the light emitting device is driven. This may cause a decrease in light extraction efficiency.
  • the resin permeates while extruding the gas contained in the pores of the inorganic binder to the outside, so that little gas remains in the pores of the inorganic binder and the pores of the inorganic binder Can be almost completely filled with resin. Therefore, even when the light emitting device is driven, reflection at the interface between the void and the inorganic binder layer is suppressed, and the light extraction efficiency is not reduced, and the coating itself is stable.
  • the inorganic binder has an inorganic binder layer covering at least a part of the light emitting element and the base. This is because the layer structure facilitates impregnation of the voids of the inorganic binder with the resin. Further, from the viewpoint of light extraction, light from the light emitting element can be emitted to the outside almost uniformly. It is preferable that the inorganic binder fills the voids of the inorganic binder layer with a resin. This eliminates voids in the inorganic binder layer and improves light extraction efficiency. Therefore, the resin is used in such an amount as to fill the voids in the inorganic binder layer.
  • the inorganic binder preferably has at least about 95% of the voids of the inorganic binder layer filled with a resin. This is because if only a part of the voids of the inorganic binder layer is filled with the resin, the voids suppress light extraction. When the inorganic binder layer is separated from the light emitting element, heat is not directly transmitted from the light emitting element, so that deterioration due to heat is not particularly taken into consideration. May be. However, since it is necessary to consider light from the light emitting element, it is preferable that the void is almost completely filled with resin.
  • the inorganic binder preferably contains a phosphor.
  • the phosphor absorbs a part of the light from the light emitting element, performs wavelength conversion, emits light different from the light of the light emitting element to the outside, and emits a part of the light from the light emitting element and the fluorescent light.
  • a light-emitting device having a desired color tone can be provided.
  • an inorganic binder layer containing a phosphor a color tone can be easily adjusted, and a light-emitting device that emits uniform light and has a high yield can be provided.
  • the resin has a resin layer that covers at least a part of the inorganic binder.
  • a resin layer that covers at least a part of the inorganic binder.
  • the surface of the resin layer is preferably smooth.
  • the inorganic binder When the inorganic binder is cured, its surface has irregularities. Therefore, when the light emitted from the light emitting element passes through the inorganic binder and is emitted outside, the unevenness of the light causes variations in the directivity of the light. On the other hand, when the resin is impregnated with the inorganic binder, the surface of the coating becomes smooth and the variation in the directivity of light can be reduced.
  • the resin preferably contains at least one of oil, gel, and rubber. This is because the resin is impregnated into the inorganic binder.
  • a light-emitting device with high light extraction efficiency can be provided by impregnating an organic binder with an oil-state resin and gelling by heating or the like.
  • the resin hardness can be easily controlled in a gel or rubber form.
  • the wires for electrically connecting the electrodes provided on the light emitting element and the external electrodes are formed even when the resin is cured. You will not be cut off. Conventionally, when the epoxy resin was cured, the wire was cut due to the difference in the thermal expansion coefficient between the wire and the epoxy resin. However, in the present invention, the resin is in the form of oil, gel, or rubber. The wire is not cut.
  • inorganic binders alone were vulnerable to impact, embedding them with a resin such as a rubber makes the film more flexible and can form a film resistant to impact.
  • the resin is preferably a silicone resin having a dialkylsiloxane skeleton before or after molding.
  • a light-emitting device using a film that can withstand ultraviolet rays or the like for a long time can be provided.
  • the resin preferably has dimethylsiloxane in the main chain before molding. Accordingly, it is possible to provide a light-emitting device using a coating that can suppress deterioration of the resin and withstand ultraviolet light or the like for a long time.
  • the resin has an intensity ratio of C_Si-0 bonds to Si- ⁇ i-Si bonds in the resin composition of at least 1.2 Z1 in the bond absorption intensity of the infrared spectrum. ⁇
  • the resin retains an oily state, a gel state, and a rubber state, so that the stress is relieved and a film that is less likely to crack or chip can be formed.
  • the present invention provides a first step of mounting a light emitting element on a substrate, a second step of coating the light emitting element with an inorganic binder, and a third step of coating the inorganic binder with a resin.
  • a third step relates to a method for manufacturing a light emitting device in which a resin is coated with an inorganic binder by using potting means or spraying means.
  • a potting means or a spray atomizing means with the resin, the voids of the inorganic pinder can be filled.
  • the resin for coating the binder can be evenly and uniformly applied.
  • light extraction efficiency can be improved by using a gel of an oxidized hydroxide such as A1 or Y element which does not change its valence in the sol-gel reaction process and has a stable oxidation state.
  • the third step may be impregnation in a vacuum. This makes it easier to impregnate the voids in the inorganic piner layer with the resin. Although the cause is not clear, it is thought to be due to capillary action.
  • gel refers to a colloidal system consisting of a solid and a liquid whose sol has lost its fluidity.
  • FIG. 1 is a graph showing the progress of the sol-gel reaction and the change in the transmittance of the light emitting film.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a light emitting device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing a light emitting device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG.
  • FIG. 5 is a schematic sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic view illustrating a step of forming the light emitting device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing an apparatus for forming a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view schematically showing a light emitting device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 8 taken along line AA ′.
  • FIG. 10 is a sectional view schematically showing a light emitting device according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the manufacturing process of the light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of the light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 20 is a plan view schematically showing another light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 20 taken along line ⁇ _ ⁇ ′.
  • FIG. 22 is an enlarged sectional view of a main part of the light emitting device of FIG.
  • FIG. 23 is a chromaticity diagram showing the chromaticity of the phosphor according to Examples 15 to 23 of the present invention.
  • FIG. 24 is a graph showing the excitation spectrum of the three-wavelength white phosphor according to Example 23 of the present invention with the LED having a wavelength of 365 nm.
  • FIG. 25 is a graph showing a spectrum obtained by exciting the three-wavelength white phosphor according to Example 19 of the present invention with an LED having a wavelength of 400 nm.
  • FIG. 26 is a graph showing the results of a reliability test of the phosphor according to the example of the present invention.
  • FIG. 27 is a graph showing the results of a reliability test of the phosphor according to the example of the present invention.
  • FIG. 28 is a graph showing the results of a reliability test of the phosphor according to the example of the present invention.
  • FIG. 29 is a graph showing the results of a reliability test of the phosphor according to the example of the present invention.
  • FIG. 30 is a graph showing a result of a reliability test of the phosphor according to the example of the present invention.
  • FIG. 31 is a schematic plan view showing a light emitting device according to Embodiment 6 of the present invention.
  • FIG. 32 (a) is a schematic sectional view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 32 (b) is a schematic sectional view in which a concave portion of a base is enlarged.
  • FIG. 33 is a schematic view showing a part of the manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 34 is a schematic view showing a part of another manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 35 is a schematic view showing a part of still another manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 36 (a) is a schematic cross-sectional view in which the concave portion of the base of the light emitting device according to Embodiment 7 of the present invention is enlarged
  • FIG. 36 (b) is a perspective view showing the light emitting device.
  • FIG. 37 (a) is a schematic cross-sectional view in which the concave portion of the base of the light emitting device according to Embodiment 8 of the present invention is enlarged
  • FIG. 37 (b) is a perspective view showing the light emitting device.
  • FIG. 38 is a schematic sectional view showing a part of the light emitting device according to Embodiment 9 of the present invention.
  • FIG. 39 is a graph showing the results of a durability test of the light emitting device of the example.
  • FIG. 40 is a graph showing the results of the light extraction efficiency of the light emitting device of the example.
  • FIG. 41 is a diagram showing an infrared spectroscopy spectrum of the coating of the example.
  • FIG. 42 is a schematic sectional view showing a light emitting device of a comparative example.
  • FIG. 43 is a diagram showing an infrared spectral spectrum of the film of the comparative example.
  • FIG. 44 is a schematic configuration diagram showing a light emitting device according to Embodiment 10 of the present invention. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • each element constituting the present invention may be configured such that a plurality of elements are configured by the same member, and one member also serves as the plurality of elements.
  • an oxide hydroxide gel is used as a binder.
  • Figure 1 shows the change in the transmittance of the light-emitting film from the sol state to the amorphous or polycrystalline oxide through the gel containing water of crystallization or the oxide hydroxide or oxide as the sol-gel reaction progresses.
  • 5 is a graph showing a change in light extraction efficiency.
  • sol-gel reactions require considerable energy to obtain polycrystals. To separate the hydroxyl groups and organic groups contained in the gel-state structure, it is necessary to raise the temperature considerably, which is not easy.
  • the present inventors have found that high light extraction efficiency can be obtained even in a gel state without increasing the crystallinity of a specific metal element, and have accomplished the present invention.
  • the use of a gel of an oxidized hydroxide such as A1 or Y which does not change its valence during the sol-gel reaction process and has a stable oxidation state, results in a light extraction efficiency in the gel state as shown by B in Fig. 1.
  • the light extraction efficiency tends to be higher than the light extraction efficiency in the polycrystalline state in which the sol-gel reaction has progressed. This is thought to be due to light scattering as one reason in amorphous materials such as yttria.
  • the phases are non-uniform, light is scattered at the phase interface, and the transmittance decreases as a whole. Another reason is probably due to the crystal structure.
  • the density and the refractive index in each region are different due to the coexistence of the crystalline region and the amorphous region based on the formation of spherulites and the like.
  • the hydroxyl group or water of crystallization in the oxidized hydroxide is contained, and it is presumed that the light extraction efficiency also changes depending on this content.
  • the content of hydroxyl groups or water of crystallization is 10% by weight or less of the oxidized hydroxide, higher light extraction efficiency is observed.
  • the quality of the light emitting film and the light emitting layer to be formed can be improved by forming the binder member with the gel of the oxide hydroxide.
  • the binder member containing the oxidized hydroxide becomes a porous body in which the particulate matter is aggregated by a sol-gel method to form a crosslinked structure, a network structure, or a polymer structure.
  • the skeleton structure of the oxidized hydroxide particle aggregate is a network structure having gaps, it becomes a porous structure, so that the flexibility of the light emitting film is improved. Also, when forming the light emitting layer, a film member such as phosphor particles is carried, and even if the object to be coated has a complicated shape, the film can be formed in accordance with the shape, and a light emitting film with high fixability is obtained. be able to. Furthermore, since the oxide hydroxide is used, it is possible to obtain a film that is stable to heat and light and does not change its properties. Deteriorates. The cause of this deterioration is considered to be a reaction caused by light output from the light emitting element and / or heat generation.
  • the light emitting layer obtained by using the trivalent oxide hydroxide obtained in the embodiment of the present invention as a binder is less susceptible to a change such as a redox reaction.
  • Silica (Si 2 ) has been used as a binder to support the phosphor used at high temperatures or under ultraviolet excitation.
  • the fluorescent member 11 that is a mixture of the phosphor 11 a for converting the light emission of the light emitting element 10 and the translucent material 11 b gradually becomes black.
  • the present inventors have studied the causes of such color deterioration and found that oxygen deficiency occurs in the silica binder layer to generate Siox (x ⁇ 2), which is considered to be the cause. .
  • the silica binder At a thermosetting temperature of 250 ° C. or less, the silica binder is in a state of silica gel in which hydroxyl groups and organic groups partially remain in the SiO 2 skeleton.
  • S I_ ⁇ 2 from S i O x (X rather 2: X is 1. 4 to about 1.9.) Is generated. It is considered that blackening occurs due to the coloring of S i ⁇ x .
  • a binder containing an oxide hydroxide or an oxide of a metal element that does not cause a change in valence is used.
  • An example using alumina and yttria will be described below.
  • Specific main materials for the light-emitting film include amorphous metal oxides, ultrafine metal oxides, ultrafine oxides, etc., with a small amount of inorganic acids, organic acids and alkalis as stabilizers, and water or organic solvents.
  • a sol solution uniformly dispersed in the sol is used.
  • starting materials for synthesizing amorphous metal oxides ultrafine metal oxide hydroxides, ultrafine oxides, etc., metal alcoholates, metal diketonates, metal halides, or hydrolysates of metal carboxylates and metal alkyl compounds A mixture obtained by mixing these and hydrolyzing them can be used.
  • a colloid (sol) solution in which metal hydroxide, metal chloride, metal nitrate, and metal oxide fine particles are uniformly dispersed in water, an organic solvent, or a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent.
  • aluminoxanes are collectively referred to as aluminoxanes.
  • Aluminoxane is a skeleton having repeating [A 10] X.
  • Metal alkoxides include aluminum methoxide, aluminum ethoxide, aluminum n-propoxide, aluminum isopropoxide, aluminum dimethyl ⁇ -butoxide, aluminum sec-butoxide, and aluminum methoxide.
  • Metal diketonates include aluminum triacetyl acetate, alkyl acetate aluminum diisopropylate, ethyl acetate acetate aluminum diisopropylate, aluminum monoacetylacetonate bisethyl.
  • Acetate acetate, aluminum trisacetyl acetate, yttrium trisacetyl acetate, yttrium triscetyl acetate, and the like can be used.
  • metal carboxylate aluminum acetate, aluminum propionate,
  • Aluminum 2-ethylhexanoate, yttrium acetate, yttrium propionate, yttrium 2-ethylhexanoate and the like can be used.
  • metal halide aluminum chloride, aluminum bromide, aluminum iodide, yttrium chloride, yttrium bromide, yttrium iodide and the like can be used.
  • Organic solvents include methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, sec-butanol, tert-butanol, tetrahydrofuran, dioxane, acetone, ethylene glycol, methylethyl ketone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and the like can be used.
  • a phosphor or a diffusion particle as a filler may be mixed in addition to the above. Further, these composite materials may have the same coefficient of linear expansion as the coated substrate and the light emitting element.
  • the filter not only mixes the phosphor but emits light, but also has the effect of creating a fine path such as evaporation of moisture during curing, thereby accelerating the curing and drying of the binder. It also has the function of diffusing the light emitted from the phosphor and increasing the adhesive strength and physical strength of the light emitting layer. Note that the light emitting layer and the light emitting film can be used as a diffusion layer containing no phosphor.
  • the composite material used as the binder may contain a small amount of an element having a plurality of valences in addition to the trivalent metal element.
  • the binder member may include an oxide hydroxide as a main compound, and may include a metal oxide, a metal hydroxide, and It works even if these bonds are partially contained.
  • the filler is a filler, and barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide (alumina), yttrium oxide (yttria), silicon oxide, calcium carbonate, and other hydroxide oxides can be used.
  • a filler include metal powders such as alumina and Ag for forming an adhesive layer with the inorganic binder and die-bonding the LED chip.
  • a dense film can be formed at a low temperature by azeotropic dehydration with the lower alcohol during curing.
  • a light stabilizing material, a coloring agent, an ultraviolet absorber, and the like may be contained.
  • boric acid or boron oxide may be added for forming the light emitting film.
  • the addition of boric acid or boron oxide reduces the elasticity of the light emitting film, thereby improving the quality of the film.
  • a dense film can be formed by suppressing generation of cracks in the light-emitting film.
  • boric acid or boron oxide is contained in an amount of 0.5 to 50% by weight based on the binder member.
  • a thickener other than boric acid or boron oxide can be added to the light emitting film.
  • an additive used for controlling the viscosity of the slurry can be contained.
  • the light emitting layer is formed of a slurry solution.
  • the slurry solution is composed of an amorphous metal oxide hydroxide, a particulate metal oxide hydroxide, a metal hydroxide as a main component, and a sol solution in which the amorphous metal oxide and the particulate metal oxide are uniformly dispersed in water. It is prepared by mixing a phosphor and a filler.
  • the weight ratio between the effective solid component and the phosphor in the sol solution, or the weight ratio between the effective solid component in the sol solution, the phosphor and the filler mixture is preferably 0.05 to 30. For example, the ratio is adjusted from 90 g of phosphor to 20 g of sol solution with 15% effective solid component concentration to 4.5 g of phosphor with 600 g of sol solution having 15% effective solid component concentration.
  • Oxide hydroxide yttrium YOOH ⁇ xH 2 0, the oxide yttrium can be represented respectively by the chemical formula such as ⁇ 2 0 3 ⁇ xH 2 0 .
  • Yttria has a property of hardly forming a crystal structure as compared with alumina. Thus, even if it has an amorphous structure with no crystallinity, it is a stable compound, and Y remains trivalent and does not change its valence. In other words, there is a feature that the oxidation-reduction reaction hardly occurs and there is no color deterioration.
  • a light emitting layer is formed in the same manner as in the above alumina.
  • a commercially available inorganic adhesive, ceramic binder, or the like can be used as the sol used as a binder for the phosphor.
  • the material that can be used as the binder is not limited to oxide hydroxides containing A1 and Y elements, such as alumina and yttria, and other group IIIA and IIIB elements such as hydroxides, oxides, and the like. Hydroxides and the like can be used. It is desirable that the selected metal element does not change its valence. In particular, trivalent and stable metal elements are preferable. It is also desirable that it be colorless and transparent.
  • a metal compound containing a metal element such as Gd, Lu, Sc, Ga, and In in addition to A1 and Y can be used, and preferably Sc and Lu can be used.
  • a composite oxide or a composite oxide hydroxide in which a plurality of these elements are combined may be used.
  • various functions such as optical function such as refractive index of light emitting film and film quality such as film flexibility and adhesion The characteristic can be controlled to a desired value.
  • the light-emitting layer formed of the inorganic binder having a constant valence, preferably a trivalent oxide hydroxide gel obtained in the embodiment of the present invention should be a light-emitting layer that is stable and has high light extraction efficiency. Can be.
  • a stable light-emitting layer or a light-emitting film with little change over time can be obtained.
  • the light emitting device according to the first embodiment includes a light emitting element 10, a phosphor 11a, and a light emitting layer 11 made of a translucent binder 11b including the phosphor 11a.
  • the light emitting element 10 composed of a bullet-shaped LED is die-bonded and mounted on substantially the center of the cup arranged above the mount lead 13a.
  • the electrode formed on the light emitting element 10 is conductively connected to the mount lead 13 a and the lead 13 b of the lead frame 13 by the conductive wire 14.
  • the phosphor 11a absorbs at least a part of the light emitted from the light emitting element 10 and emits light having a wavelength different from the absorbed light. And body. Further, the nitride-based phosphor can be coated with a coating material such as a microcapsule.
  • the fluorescent member 11 including the phosphor 11a in the binder 11b is placed in a cup on which the light emitting element 10 is placed.
  • the lead frame 13 on which the light emitting element 10 and the fluorescent member 11 are arranged as described above protects the LED chip and the phosphor from external stress, moisture, dust, etc., and improves the light extraction efficiency with the molding member 1. 5 is molded to form a light emitting device. After forming the light emitting layer including the binder composed of the oxidized hydroxide in this manner, a lens or the like may be formed by molding with a resin.
  • the light-emitting element includes a semiconductor light-emitting element as well as an element for obtaining light emission from vacuum discharge and light emission from thermoluminescence.
  • ultraviolet light by vacuum discharge can be used as the light emitting element.
  • a light-emitting element having a wavelength of 550 nm or less, preferably 460 nm or less, and more preferably 410 nm or less is used as a light-emitting element.
  • an ultraviolet light LED that emits light having a wavelength of 250 nm to 365 nm as ultraviolet light, or a high-pressure mercury lamp having a wavelength of 253.7 nm can be used.
  • the embodiments of the present invention have high durability, and thus have an advantage that a power-based light emitting element having a high output can be used.
  • the light-emitting element 10 is, for example, a GaN buffer layer on a sapphire substrate, where S i is undoped or a first n-type GaN layer having a low Si concentration, S i is doped or S i is doped.
  • the electrodes are formed as shown in FIG. However, it goes without saying that a light emitting element different from this configuration can be used.
  • the p ohmic electrode is formed on almost the entire surface on the p-type contact layer, and a p pad electrode is formed on a part of the p ohmic electrode.
  • the n-electrode is formed on the exposed part by removing the first GaN layer from the p-type contact layer by etching to expose a part of the n-type contact layer.
  • a light emitting layer having a multiple quantum well structure is used.
  • the present invention is not limited to this.
  • a single quantum well structure using InGaN or a multiple quantum well structure may be used.
  • GaN doped with Si or Zn may be used.
  • the main emission peak can be changed in the range of 420 nm to 490 nm by changing the content of In.
  • the emission wavelength is not limited to the above range, and a wavelength having an emission wavelength of 360 nm to 550 nm can be used.
  • a wavelength having an emission wavelength of 360 nm to 550 nm can be used.
  • the absorption and conversion efficiency of excitation light can be increased, and transmitted ultraviolet light can be reduced.
  • the phosphor converts visible light or ultraviolet light emitted from the light emitting element to another emission wavelength. For example, it emits light when excited by light emitted from a semiconductor light emitting layer of an LED.
  • Preferred phosphors include nitride-based phosphors such as YAG-based phosphors and alkaline earth silicon nitride phosphors, and oxynitride-based phosphors such as alkaline earth silicon oxynitride phosphors.
  • a phosphor that is excited by ultraviolet light and generates light of a predetermined color is used as the phosphor. Specifically, the following can be used.
  • white light can be emitted by mixing the respective lights.
  • the light from the LED chip and the light from the phosphor excited and emitted by the LED chip correspond to the three primary colors of light (red, green, and blue), respectively, or when the LED chip emits light. Blue light and the yellow light of the phosphor that is excited by the light to emit light.
  • the emission color of the phosphor excited and emitted by the ultraviolet light can be used independently, so various neutral-color light-emitting devices such as blue-green, yellow-red, red, and pastel colors for signals Is also possible.
  • the emission color of the light-emitting device is adjusted by variously adjusting the ratio of the phosphor to the inorganic binder member such as various resins and glass, which act as a binder for the phosphor, the filler, the sedimentation time of the phosphor, and the shape of the phosphor.
  • the ratio of the phosphor to the inorganic binder member such as various resins and glass, which act as a binder for the phosphor, the filler, the sedimentation time of the phosphor, and the shape of the phosphor.
  • the light emission wavelength of the LED chip it is possible to provide an arbitrary white color tone such as a bulb color. It is preferable that the light from the LED chip and the light from the phosphor efficiently pass through the mold member outside the light emitting device.
  • Representative phosphors include cadmium zinc sulfide enclosed with copper and YAG-based phosphor enclosed with cerium. Especially when using for high brightness and long time
  • Ce phosphor has a garnet structure, so it is strong against heat, light and moisture, and has a peak of excitation spectrum. Can be set to around 470 nm. Also, the emission peak is around 530 nm, and a broad emission spectrum with a tail extending to 720 nm can be provided.
  • the phosphor may be a mixture of two or more phosphors. That, A l, G a, Y , L a, L u and G d and the S content of m is two or more kinds of (R e.-X S m ,) 3 (A 1 Bok y G a. Y ) 5 0, 2: C e phosphor were mixed, can increase the RGB wavelength components. In addition, it is possible to increase the red component by using a nitride phosphor having yellow to red light emission or the like, thereby realizing illumination or a light bulb color LED having a high average color rendering index Ra.
  • the amount of phosphors with different chromaticity points on the chromaticity diagram of the CIE is adjusted and included according to the emission wavelength of the light emitting element, so that the chromaticity diagram connected between the phosphors and the light emitting element Any point above can emit light.
  • a phosphor can be dispersed in a gas phase or a liquid phase and uniformly emitted. Phosphors in the gas or liquid phase settle out under their own weight.
  • a film having a phosphor with higher uniformity can be formed.
  • a desired amount of phosphor is formed by repeating the process a plurality of times as desired.
  • Two or more kinds of the phosphors formed as described above may be present in a single-layer light-emitting layer on the surface of a light-emitting device, or one or two kinds of phosphors may be included in a two-layer light-emitting layer. There may be more than one. In this way, white light is obtained by mixing colors of light from different phosphors. In this case, it is preferable that the average particle diameters and shapes of the phosphors are similar in order to better mix light emitted from the phosphors and reduce color unevenness. In addition, the light emitting layer can be formed in consideration of the sedimentation characteristics depending on the shape.
  • Examples of a method for forming a light emitting layer that is not easily affected by the sedimentation characteristics include a spray method, a screen printing method, and a potting method.
  • the inorganic binder has an effective solid component of 1% to 80%, is capable of adjusting the viscosity over a wide range from 1 cps to 500'0 cps, and is capable of adjusting the thixotropic property. For this reason, the method for forming these light-emitting layers can be used.
  • the weight ratio between the filler and the inorganic binder is preferably in the range of 0.05 to 30 as described above, and the binding force is increased by adjusting the amount of the filler and the particle size.
  • the phosphor used in the present embodiment is a combination of a YAG phosphor and a phosphor capable of emitting red light, in particular, a nitride phosphor such as an alkaline earth silicon nitride phosphor. Can also be used.
  • a nitride phosphor such as an alkaline earth silicon nitride phosphor.
  • These YAG-based phosphors and phosphors may be mixed and contained in the light-emitting layer, or may be separately contained in the light-emitting layer composed of a plurality of layers.
  • each phosphor will be described in detail.
  • the YAG-based phosphor used in the present embodiment includes Y and A1, and at least one selected from Lu, Sc, La, Gd, Tb, Eu and Sm.
  • two or more kinds of yttrium-aluminum oxide-based phosphors having different compositions, which are enclosed by cerium or Pr, are also used.
  • a desired white light emission color display can be performed by displaying a mixture of yellow light and green light and red light.
  • the powder or bulk of the phosphor is contained in various resins such as epoxy resin, acryl resin or silicone resin, or in a light-transmitting inorganic material such as the inorganic binder according to the present embodiment. You can also.
  • the phosphor-containing material can be used in various forms, such as a dot-like material or a layer-like material formed thin enough to transmit light from the LED chip.
  • a dot-like material or a layer-like material formed thin enough to transmit light from the LED chip.
  • a light emitting device capable of emitting light efficiently can be obtained. That is, on a light emitting element having a reflecting member, a color conversion member containing a fluorescent substance having an absorption wavelength on the long wavelength side and capable of emitting light at a long wavelength, that is, a light emitting layer containing the fluorescent substance as a filler, Also, there is an absorption wavelength on the long wavelength side, and reflected light can be used effectively by laminating a color conversion member capable of emitting light of a longer wavelength.
  • the YAG-based phosphor that emits green light which is a yttrium-aluminum oxide-based phosphor that is added with cerium and is used in the present embodiment, has a garnet structure, so it is highly resistant to heat, light, and moisture.
  • the peak wavelength of the vector can be set to around 420 to 470 nm.
  • the emission peak wavelength ⁇ is near 5100 ⁇ m, and has a broad emission spectrum that extends to around 700nm.
  • YAG-based phosphors that can emit red light which is a yttrium-aluminum oxide-based phosphor bounded with cerium, also have a garnet structure that is resistant to heat, light, and moisture, and has an excitation and absorption spectrum.
  • the peak wavelength can be set to around 420 nm to 470 nm.
  • the emission peak wavelength ⁇ p is around 600 nm, and has a broad emission spectrum that extends to around 750 nm.
  • the emission spectrum is shifted to the shorter wavelength side by substituting a part of A1 with G a, and a part of Y in the composition is G d And / or substitution with La shifts the emission spectrum to longer wavelengths.
  • the substitution of Y is less than 20%, the green component is large and the red component is small, and if it is 80% or more, the luminance decreases rapidly although the red component increases.
  • the excitation absorption spectrum by exchanging a part of A1 with G.a in the composition of the YAG phosphor having a garnet structure, the excitation absorption spectrum is shifted to the short wavelength side. By shifting and replacing a part of Y in the composition with Gd and / or La, the excitation absorption spectrum shifts to the longer wavelength side.
  • the peak wavelength of the excitation absorption spectrum of the YAG-based phosphor is preferably shorter than the peak wavelength of the emission spectrum of the light-emitting element.
  • the peak wavelength of the excitation absorption spectrum substantially matches the peak wavelength of the light-emitting spectrum of the light-emitting element, so that the excitation efficiency of the phosphor is not reduced. Further, it is possible to form a light emitting device in which occurrence of chromaticity deviation is suppressed.
  • Such phosphors use oxides or compounds that readily become oxides at high temperatures as raw materials for Y, Gd, Ce, La, Lu, Al, 3111 and 03, and stoichiometric them.
  • Raw materials are obtained by mixing well in stoichiometric ratio.
  • a coprecipitated oxide obtained by calcining a solution obtained by dissolving rare earth elements of Y, Gd, Ce, La, Lu, A1, and Sm in an acid at a stoichiometric ratio and co-precipitating with oxalic acid.
  • aluminum oxide and gallium oxide to obtain a mixed raw material.
  • the first firing step in which a mixture of the mixed raw material obtained by mixing the raw materials of the phosphor and the flux is performed in air or a weak reducing atmosphere; It is preferable to perform baking in two stages, which comprises a second baking step.
  • the weakly reducing atmosphere refers to a weakly reducing atmosphere that is set so as to include at least the amount of oxygen required in a reaction process for forming a desired phosphor from the mixed raw material.
  • the reducing atmosphere in the second firing step refers to a reducing atmosphere that is stronger than a weak reducing atmosphere. Firing in two steps in this way yields a phosphor with high excitation wavelength absorption efficiency. Therefore, when a light emitting device is formed with the phosphor thus formed, the amount of the phosphor required to obtain a desired color tone can be reduced, and a light emitting device with high light extraction efficiency can be formed. be able to.
  • Phosphors used in the present embodiment include, in addition to the yttrium / aluminum / oxide-based phosphors enclosed in the above-mentioned cerium, EUs having an emission wavelength of yellow-red to red or alkalis enclosed in a rare earth element.
  • An earth nitride-based phosphor is preferably used.
  • the phosphor is excited and emits light by absorbing visible light, ultraviolet light emitted from the LED chip, and light emitted from the YAG-based phosphor.
  • the phosphor according to the embodiment of the present invention includes Sr—Ca—Si—N: R, Ca—Si—N: R, Sr_S, N: R, and Sr—CaS.
  • R (L is S r, C a, 31 ". Is any of &?)
  • R is a rare earth element that requires Eu, N is nitrogen, and ⁇ is oxygen.
  • Eu rare earth element Pium Eu mainly has divalent and trivalent energy levels.
  • Eu 2 + is used as a consolidating agent for the base alkaline earth metal-based silicon nitride.
  • Mn may be used as an additive.
  • the phosphor used in the embodiment of the present invention ((S rxC a ⁇ X) 2 S i 5 N 8: Eu) will be described a method of manufacturing is not limited to this manufacturing method.
  • the phosphor contains Mn and O.
  • Sr and Ca as raw materials are preferably used alone, but compounds such as imide compounds and amide compounds can also be used.
  • the average particle size of Sr and Ca obtained by the milling is preferably about 0.1 zm to 15, but is not limited to this range.
  • the purity of Sr and Ca is preferably 2N or more, but is not limited thereto.
  • the raw material Si it is preferable to use a simple substance. However, it is also possible to use a nitride compound, an imide compound, an amide compound and the like.
  • the purity of the raw material Si is preferably 3 N or more. Si also grinds.
  • the average particle size of the Si compound is preferably between about 0.1 m and 15 m.
  • Sr and Ca Nitrogenize Sr and Ca in a nitrogen atmosphere at 600 to 900 ° C for about 5 hours.
  • the Sr and Ca nitrides are preferably of high purity, and commercially available ones can also be used.
  • the raw material Si is nitrided in a nitrogen atmosphere. This reaction formula is shown in the following chemical formula 5.
  • Silicon Si is also nitrided in a nitrogen atmosphere at 800 to 1200 for about 5 hours.
  • high-purity silicon nitride is used, and commercially available ones can also be used.
  • the Eu compound palladium oxide is used, but palladium metal, palladium nitride and the like can also be used.
  • an imido compound or an amide compound can be used as a raw material Eu. It is preferable that the palladium having a high purity is used, and a commercially available one can also be used.
  • the average particle size of the pulverized alkaline earth metal nitride, silicon nitride, and palladium europium oxide is preferably about 0.1 m to 15 m.
  • the raw material may contain at least one selected from the group consisting of Mg, B, Al, Cu, Mn, Cr, O and Ni.
  • the above elements such as Mg, Mn, and B may be mixed in the following mixing step by adjusting the blending amount.
  • composition of the target phosphor can be changed by changing the mixing ratio of the raw materials.
  • the sintering temperature is 1200 ° (: (1700 ° C., but the sintering temperature is preferably 1400 ° (: ⁇ 170 O :.
  • the phosphor material is boron nitride ( ⁇ ⁇ ). the material of the crucible, it is preferable to perform firing using ports. other boron nitride material quality of the crucible, an alumina ( ⁇ 1 2 0 3) can also be used materials of the crucible. the use of the manufacturing method described above Thus, a desired phosphor can be obtained.
  • a nitride phosphor is used in particular as a phosphor that emits reddish light.
  • the above-described YAG phosphor and red light are used.
  • a light emitting device including a phosphor capable of emitting light.
  • Such red-emitting phosphor capable of light of a phosphor wavelength emits light when excited by light of 2 50 nm to 600 nm, for example, Y 2 ⁇ 2 S: E u, L a 2O2 S: Eu, CaS: Eu, Srs: EuZnS: Mn, ZnCds: Ag, A1, ZnCds: Cu, A1, and the like.
  • a phosphor capable of emitting red light together with the YAG-based phosphor, it is possible to improve the color rendering properties of the light emitting device.
  • various phosphors can be used as the phosphor.
  • BaMgA 110 O 17: Eu which is a barium magnesium aluminate-based phosphor with Eu, which emits light in the blue region, emits light in the blue region (Ca, Sr, Ba) 5 (P0 4) 3 C 1 : halo calcium phosphate phosphor Batch Yu port with Piumu represented by E u, emits light in the blue region (C a, S r, B a) 2B5O9C 1: represented by Eu alkaline earth aluminate phosphor Batch with Yu outlet Piumu to emit light in the blue green region (S r, C a, B a) a 1 2 ⁇ 4: Eu, or (S r, C a, B a ) 4 A 1 ⁇ 4 ⁇ 2 5 : Alkaline earth aluminate-based phosphor with Eu-containing Pt, represented by Eu, emits
  • Certain YAG-based phosphors, (Y, La, Gd, Lu) 2O2S which emits light in the red region: represented by Eu ′ The present invention is not limited to these, and the above-described phosphors and other phosphors can also be used in the light emitting layer according to the embodiment of the present invention. Further, a phosphor having a fractured surface with measures against coating deterioration may be used.
  • Examples of the above-mentioned phosphors include an alkaline earth chloroborate-based phosphor with palladium, an alkaline-earth aluminate-based phosphor with palladium, and an earth silicon oxide nitride-based phosphor with palladium.
  • Phosphor, YAG-based phosphor, and alkaline earth silicon nitride-based phosphor with palladium europium, etc. preferably contain B element to improve the crystallinity, increase the particle size, and adjust the crystal shape. . Thereby, the light emission luminance can be improved.
  • These phosphors are also effective as a filler for the phosphor according to the present embodiment.
  • Crystal structure for example, C a 2 S i 5 N 8 is monoclinic, S r 2 S i 5 N 8, (S r 0. 5 C a 0. 5) 2 S r 5 N 8 is orthorhombic, B a 2 S i 5 N 8 takes a monoclinic.
  • the rare earth elements contained in R are Y, La, Ce, Pr, Nd, Gd, 'Tb, Dy,
  • At least one of Ho, Er, and Lu is contained, but Sc, Sm, Tm, and Yb may be contained.
  • B, Mn, and the like have an effect of improving brightness, and may be contained.
  • These rare earth elements are mixed with the raw materials in the form of oxides, imides, amides, etc. in addition to simple substances.
  • Rare earth elements mainly have a stable trivalent electron configuration, but Yb, Sm, etc. have a divalent electron configuration, and Ce, Pr, Tb, etc. also have a tetravalent electron configuration.
  • the participation of oxygen affects the emission characteristics of the phosphor. That is, the emission luminance may be reduced by containing oxygen in some cases.
  • Mn the particle size can be increased by the flux effect of Mn and O, and the emission luminance can be improved.
  • rare-earth element pium Eu is preferably used as a luminescent center.
  • C a 2 rare earth is added further S i 5 Oo.5N 7.
  • the nitride-based phosphor described above absorbs part of the blue light emitted by the light emitting element and emits light in the yellow to red region.
  • a light emitting device is provided in which blue light emitted by a light emitting element and red light of the phosphor are mixed to emit warm white light.
  • the white light emitting device preferably contains a nitride-based phosphor and a yttrium-aluminum oxide phosphor bound with cerium, which is a rare-earth aluminate phosphor.
  • the yttrium-aluminum oxide phosphor attached to the cell can absorb part of the blue light emitted by the light emitting element and emit light in the yellow region.
  • the bluish light emitted by the light emitting element and the color light of the yttrium-aluminum oxide phosphor can be mixed to emit a pale white color. Therefore, by combining the phosphor mixed with the yttrium-aluminum oxide phosphor and the nitride phosphor together with the binder, and the blue light emitted by the light emitting element, a warm white light emitting device can be obtained.
  • This warm white light-emitting device can have an average color rendering index Ra of 75 to 95 and a color temperature of 2000K to 8000K. Particularly preferred are white light emitting devices having a high average color rendering index Ra and having a color temperature on the locus of blackbody radiation in the chromaticity diagram. However, in order to provide a light emitting device having a desired color temperature and an average color rendering index, the compounding amount of the yttrium-aluminum oxide phosphor and the phosphor and the composition ratio of each phosphor can be appropriately changed. This warm white light-emitting device is particularly designed to improve the special color rendering index R9.
  • a conventional light-emitting device that emits white light using a combination of a blue light-emitting element and a yttrium / aluminum oxide phosphor surrounded by cerium has a low special color rendering index R9 and lacks a reddish component. Therefore, increasing the special color rendering index R9 had been a problem to be solved, but the alkaline earth silicon nitride phosphor with Eu was included in the yttrium / aluminum oxide phosphor with cerium. By doing so, the special color rendering index R 9 can be increased to 40 to 70. In addition, it is possible to manufacture an LED light emitting device that emits light of a light bulb color.
  • the light-emitting element (LED chip) 10 is preferably mounted by die-punching substantially at the center of the cup arranged above the mount lead 13a.
  • the lead frame 13 is made of, for example, iron-containing copper.
  • the electrode formed on the light emitting element 10 is conductively connected to the lead frame by the conductive wire 14.
  • Gold is used for the conductive wire 14, and Ni plating is preferably applied to bumps for conductively connecting the electrode and the conductive wire 14.
  • the fluorescent member 11 made into a slurry by sufficiently mixing the above-described phosphor 1 la and the binder 11 b is poured into a cup on which the light emitting element 10 is mounted. Thereafter, the gel containing the phosphor 11a is heated and hardened.
  • the thermosetting of the slurry is preferably from 50 ° C to 500 ° C.
  • the thermosetting temperature of A1 and Y is about 100 ° C to 500 ° C.
  • the thermosetting is performed at 15 Ot: or less.
  • Ultraviolet irradiation can be used for thermal curing of the sol. For example, a mercury ray, VUV, or the like can be used, and a plurality of light sources or heat sources may be used in combination.
  • bonds of organic groups such as carboxylic acid can be efficiently cleaved and the curing reaction can be stabilized.
  • a mixed gas of O 2 and N 2 is flowed, and a part of O 2 reacts with the hydroxyl group or organic group separated by the VUV irradiation to form C.
  • O 2 and H 2 ⁇ may be used to promote the removal of these hydroxyl groups, organic groups, and the like.
  • the combination of irradiation with vacuum ultraviolet light of not less than 254 ⁇ m and heating allows the adhesion between the phosphor and the filler interface during the film formation stage of film curing, and the adhesion on the light emitting element such as an LED.
  • the properties are improved, and a film with few pores can be formed.
  • a fluorescent member 11 made of a binder containing a phosphor is formed on the LED chip 10 and the LED chip 10 is fixed.
  • a translucent epoxy resin is suitably formed as the mold member 15 for the purpose of further protecting the LED chip and the phosphor from external stress, moisture, dust and the like.
  • the mold member 15 is cured by inserting a lead frame 13 having a color conversion member formed therein into a gun-shaped mold, mixing a translucent epoxy resin, and then curing.
  • the fluorescent member 11 can be covered by directly contacting the chip 10 or can be provided with a light-transmitting resin or the like interposed therebetween. In this case, it is needless to say that it is preferable to use a translucent resin having high light resistance.
  • the phosphor according to the embodiment of the present invention can reduce a sharp decrease in luminous efficiency even when exposed to high temperatures such as during reflow of a light emitting device.
  • the phosphor according to the embodiment of the present invention is useful for a light emitting element in which a lead and a fluorescent member come into contact with or approach to each other and heat is easily transmitted to the phosphor via the lead.
  • FIGS. 3 and 4 show schematic plan views and schematic cross-sectional views showing a structure in which an LED of a light emitting element is mounted on a metal package. Show.
  • the package 105 is made of metal and has a recess a at the center. Further, the base portion b surrounding the concave portion ′ has two through holes penetrating in the thickness direction, and the respective through holes are opposed to each other with the concave portion a interposed therebetween. Positive and negative lead electrodes 102 are inserted into the through holes via hard glass as the insulating member 103, respectively.
  • the main surface of the metal package 105 has a translucent window portion 107 and a lid 106 made of a metal portion, and a contact surface between the metal portion and the metal package 105 is welded. As a result, the light emitting element and the like in the package are hermetically sealed together with the nitrogen gas.
  • the LED chip 101 housed in the recess a is a light-emitting element that emits blue light or ultraviolet light
  • the bonding between the LED chip 101 and the metal package 105 is made of a hydrolysis solution of ethyl silicate. This is performed via an adhesive layer 110 obtained by drying and baking.
  • CCA—B 1 ue chemical formula is Ca 1 () (PO 4 ) 6 ClBr, enclosing material Mn, Eu
  • Emitting layer 109 composed of phosphor bound, YAG phosphor bound by ⁇ 1 ⁇ , YOOH, etc.
  • a light emitting layer 108 is formed.
  • the light emitting layer is provided separately from the mold member in a mount / lead cup, an opening in a package, or the like, and is a layer containing a phosphor that converts light emission of the LED chip 101 and a material that binds the phosphor. is there. Further, as shown in FIG. 5, the light emitting layer according to the embodiment of the present invention is formed by the thickness of the light emitting layer 109 A provided on the upper surface, the side surface, and the corner of the LED chip 101 and the thickness of the LED chip 1. The thickness of the light-emitting layer 108A provided on the support other than 01 is substantially equal to the thickness. Further, the light emitting layer is not interrupted even at the corners of the LED chip 101, and the light emitting layer is a continuous layer.
  • the LED chip Due to reflection from the package and the like, high-energy light and the like emitted from the LED chip become dense in the light emitting layer. Further, the light-emitting layer may be reflected and scattered by the phosphor, and may be exposed to high-density high-energy light. Therefore, when a nitride semiconductor that emits high energy and emits high energy is used as an LED chip, A1, Y, Gd, Lu It is preferable to use an oxide hydroxide containing any of the metal elements Sc, Ga, In, and B as a binder or a binder.
  • the oxidized hydroxide is mainly composed of an oxidized hydroxide generated from any of the organometallic compounds of Al, Y, Gd, Lu, Sc, Ga, In, and B.
  • the organometallic compound includes an alkyl group and an aryl group bonded to a metal via an oxygen atom.
  • organic metal compound examples include metal alkyl, metal alkoxide, metal diketonate, metal diketonate complex, and metal carboxylate.
  • organometallic compounds if an organometallic compound that is liquid at room temperature is used, the addition of an organic solvent makes it easy to adjust viscosity in consideration of workability and to prevent the formation of coagulated products such as organometallic compounds. Therefore, workability can be improved.
  • organometallic compound easily causes a chemical reaction such as hydrolysis, it is possible to easily scatter and form a light emitting layer in which a phosphor is bound.
  • the method of using an organometallic compound unlike other methods of forming a light emitting layer on an LED at a high temperature of 350 ° C or higher or under static electricity, lowers the performance of the LED as a light emitting element-
  • the light emitting layer can be easily formed on the LED chip without any problems, and the production yield is improved.
  • the light emitting layer is mainly composed of an inorganic substance, but may have an organic substance mainly composed of a carboxylic acid. It is preferable that the content of the organic substance is 1% by weight or less. It is desirable that the light emitting layer has a translucency of at least 50% in a wavelength region of at least 250 nm to 80 O nm.
  • a 1 OOH will be described as an example of a specific main material contained in the light emitting layer.
  • the light-emitting layer in which the phosphor is bound by Al OOH, contains the phosphor (a powder) in an aluminoxane sol or alumina sol solution obtained by hydrolyzing aluminum alcohol or aluminum alkoxide at a predetermined ratio in an organic solvent. ) Is prepared by preparing a coating solution in which is dispersed uniformly, and an alumina sol solution in which the phosphor is dispersed. Can be formed by spray coating or dispensing over the entire surface of the light emitting element, heating and curing, fixing the phosphors from the A 1 OOH component, and further fixing the phosphors on the surface of the light emitting element.
  • Aluminum alcoholate or aluminum alkoxide is an organic aluminum compound used as a thickener, a gelling agent, a coining agent, a polymerization catalyst, and a dispersant for pigments in paints.
  • Aluminum alcoholate or aluminum isopropoxide, aluminum isopropoxide, aluminum ethoxide, and aluminum dimethylbutoxide are extremely reactive and can convert aluminum hydroxide or alkyl aluminum oxide by moisture in the air.
  • Produces an aluminum oxide hydroxide having a boehmite structure For example, aluminum isopropoxide easily reacts with water as shown in the following chemical formula 7, and ultimately contains aluminum oxide hydroxide as a main component and is crosslinked with 7K aluminum oxide or aluminum oxide (alumina). It becomes a mixture having a bridge structure.
  • the light-emitting layer is formed on the surface of the light-emitting element and on a support other than the surface of the light-emitting element. It can be formed as
  • the light emitting layer in which the phosphor is bound by A1 ⁇ H is not bound by another oxide hydroxide such as Y, Gd, Lu, Sc, Ga, In, or B.
  • Two or more layers may be formed on the same light-emitting element by combining a light-emitting layer with a phosphor bound by A 1 OOH.
  • the phosphor may be contained in both layers, may be contained only in one layer, or may not be contained in both layers. With such a configuration, there are effects such as an increase in light extraction efficiency depending on the refractive index of the light emitting layer.
  • a single-layer light-emitting layer is formed, a sharp change in the refractive index occurs at the interface between the light-emitting layer and the outside air or the nitride semiconductor light-emitting element. At this interface, a part of the light extracted from the light-emitting element is reflected. Is likely to occur, which tends to reduce the light extraction efficiency.
  • a light-emitting layer in which A1 @ H and YOOH are mixed may be formed, and the linear expansion coefficient and the refractive index may be adjusted by this.
  • the light-emitting layer formed by binding the phosphor with A 1 OOH is an inorganic material, and therefore is much less deteriorated by ultraviolet light than the resin, and emits ultraviolet light. It can also be used in combination with elements and high-power LEDs.
  • the LED chip 101 used as a light emitting element in the present embodiment is capable of exciting a phosphor.
  • the LED chip 101 which is a light emitting element, has GaAs, InP, GaA1As, InGaAlP, InN, A1N, GaN, InGaN, AlGaN, In A semiconductor such as G a A 1 N is formed as a light emitting layer.
  • Examples of the structure of the semiconductor include a homo structure having a MIS junction, a PIN junction and a PN junction, a hetero structure, and a double-head structure.
  • Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and its degree of mixed crystal. You.
  • a gallium nitride-based compound semiconductor When a gallium nitride-based compound semiconductor is used, a material such as sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, or GaN is suitably used for the semiconductor substrate. In order to form gallium nitride having good crystallinity, it is more preferable to use a sapphire substrate. When a semiconductor film is grown on a sapphire substrate, it is preferable to form a buffer layer such as GaN or AIN, and form a gallium nitride semiconductor having a PN junction thereon. Further, a GaN single crystal itself selectively grown on a sapphire substrate using Si 2 as a mask can be used as the substrate.
  • a buffer layer such as GaN or AIN
  • the light emitting element and the sapphire substrate can be separated by etching and removing Si 2 after the formation of each semiconductor layer.
  • Gallium nitride-based compound semiconductors exhibit n-type conductivity without doping impurities. Case of forming a desired n-type gallium nitride semiconductor such as improving the luminous efficiency, n-type de one pan Bok as S i, G e, S e , T e, it is preferable to appropriately introduce C like.
  • p-type gallium nitride semiconductor when a p-type gallium nitride semiconductor is formed, p-type dopants such as Zn, Mg, Be, Ca, Sr, and Ba are doped.
  • Gallium nitride-based compound semiconductors are not easily converted into p-type by simply doping p-type dopants.Therefore, after introducing p-type dopants, annealing by heating in a furnace, low-speed electron beam irradiation, plasma irradiation, etc. It is preferable to make it p-type.
  • the specific layer structure of the light-emitting element is as follows: a sapphire substrate having a buffer layer formed of gallium nitride, aluminum nitride, or the like at a low temperature or silicon carbide; an n-type contact layer, which is a gallium nitride semiconductor; N-type cladding layer, an active layer of an indium nitride nitride semiconductor doped with Zn and Si, a p-type cladding layer of an aluminum-gallium nitride semiconductor, and a P-type gallium nitride semiconductor.
  • the one in which the mold contact layers are laminated is preferably exemplified.
  • the LED chip 101 In order to form the LED chip 101, in the case of the LED chip 101 having a sapphire substrate, an exposed surface of the p-type semiconductor and the n- type semiconductor is formed by etching or the like, and then a sputtering method or vacuum is formed on the semiconductor layer. Each electrode having a desired shape is formed by using an evaporation method or the like. In the case of a SiC substrate, a pair of electrodes can be formed using the conductivity of the substrate itself.
  • the formed semiconductor wafer or the like is directly full-forced by a dicing machine in which a blade having a diamond blade is rotated, or a groove having a width larger than the blade width is cut (half cut). Crack the semiconductor wafer.
  • a very thin scribe line (meridian) is drawn on the semiconductor wafer, for example, in a grid pattern using a scriber in which the diamond at the tip reciprocates linearly.
  • the LED chip 101 which is a nitride-based compound semiconductor, can be formed.
  • the main emission wavelength of LED chip 101 is preferably 350 nm or more and 530 nm or less in consideration of the complementary color with the phosphor.
  • the metal package 105 used in the light emitting device includes a concave portion a for housing the light emitting element and a base portion b on which the lead electrode is arranged. work.
  • the bottom surface of the recess and the bottom surface of the lead electrode are located on substantially the same plane.
  • the package be formed of a thin film in consideration of heat radiation and miniaturization.
  • the insulating part provided at the interface with the lead electrode
  • the present inventors have divided the metal package into a portion where the light emitting element is arranged and a portion where the lead electrode is fixed, and set the shape and film thickness in accordance with each region, thereby improving the reliability. Aim.
  • the light emitting device has positive and negative lead electrodes 102 and is inserted through a through hole provided in a base portion of a metal package via an insulating member.
  • the tip of the lead electrode protrudes from the surface of the base, and the bottom surface of the lead electrode is located substantially on the same plane as the bottom surface of the recess on the mounting surface side.
  • the light emitting device has a lid 106 including a translucent window portion 107 and a metal portion on the main surface side of the metal package 105.
  • the window 107 is a light emitting surface of the light emitting device, and is preferably arranged at the center.
  • the window is located on an upper surface of the light emitting element disposed in the recess of the metal package, and has an intersection with an extension of an inner wall of the recess.
  • Light emitted from the end of the light emitting element is reflected and scattered on the side surface of the concave portion and is extracted in the front direction. It is considered that the range of existence of these reflected and scattered light is substantially within the extension of the side surface of the concave portion. Therefore, by adjusting the area of the window, which is the light emitting surface, as described above, the reflected and scattered light is efficiently condensed on the window, and a light emitting device capable of emitting high-luminance light is obtained.
  • the package 114 used in another embodiment of the present invention serves as a support for fixedly protecting the LED chip 101 in the recess.
  • it has an external electrode 102 A that can be electrically connected to the outside.
  • a package 114 having a plurality of openings may be formed according to the number and size of the LED chips 101.
  • the light emission observing surface side of the package 114 be colored in a dark color system such as black or gray so as to have a light shielding function.
  • the package 1 14 may be provided with a molded member 1 13 which is a light-transmitting protective body in addition to the coating layer 1 1 1 1 1 2 to further protect the LED chip 101 from the external environment. it can.
  • the package 114 preferably has high adhesiveness to the coating layer 111 and a mold member 113 and high rigidity. It is desirable that the LED chip 101 has an insulating property in order to electrically disconnect the chip from the outside. Further, when the package 114 is affected by heat from the LED chip 101 or the like, a package having a small coefficient of thermal expansion is preferable in consideration of the adhesion to the mold member 113.
  • the bonding between the LED chip 101 and the package 114 can also be performed using a thermosetting resin or the like.
  • a thermosetting resin or the like include an epoxy resin, an acrylic resin, and an imide resin.
  • the bonding portion between the LED chip 101 and the package 114 is sealed by ultraviolet light or the like emitted from the LED chip. It is also reflected by the resin and the phosphors contained in it, and it becomes particularly dense even in the package. For this reason, it is considered that the resin at the bonding portion is deteriorated by ultraviolet rays, and the luminous efficiency is reduced due to yellowing of the resin, and the life of the light emitting device is reduced due to the reduced bonding strength.
  • a resin containing an ultraviolet absorbent, or more preferably, the inorganic substance according to the embodiment of the present invention is used.
  • the bonding between the LED chip 101 and the package 11.4 is performed by using the inorganic material according to the embodiment of the present invention, and by using Au—Sn or the like. This is also performed by using crystal solder or the like. Therefore, unlike a case where a resin is used for bonding, the bonding portion does not deteriorate even when a light emitting device using an LED chip that emits light including ultraviolet rays is used at a high output.
  • Ag paste, carbon paste in order to place and fix the £ 0 chip 101 and electrically connect with the external electrode 102 A in the package 114.
  • the external electrode 102A as shown in FIG. 5 is used to supply power from outside the package 114 to the LED chip 101 disposed inside. Therefore, there are various types such as a conductive pattern provided on the package 114 and a type using a lead frame. Also, external electrodes 10
  • the external electrode 102A can be formed in various sizes in consideration of heat dissipation, electric conductivity, characteristics of the LED chip 101, and the like. It is preferable that the external electrode 102A has good thermal conductivity in order to dispose the LED chips 101 and radiate the heat emitted from the LED chips 101 to the outside.
  • the specific electric resistance of the external electrode 102A is preferably 300 ⁇ -cm or less, more preferably 3 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the specific thermal conductivity is preferably at least 0.01 cal Z (s) (cm 2 ) (° CZcm), more preferably 0.5 ca 1 / (s) (cm 2 ) C Zcm)
  • an external electrode 102A a copper or phosphor bronze plate whose surface is subjected to metal plating such as silver, palladium or gold, or solder plating is preferably used.
  • a lead frame is used as the outer electrode 102A, it can be variously used depending on electric conductivity and heat conductivity, but from the viewpoint of workability, the plate thickness is preferably from 0.1 mm to 2 mm.
  • a copper foil or a tungsten layer can be formed as the external electrode 102A provided on a support such as a glass epoxy resin ceramic.
  • the thickness of the copper foil or the like is preferably set to 18 m to 70 m. Further, gold, solder plating, or the like may be applied on copper foil or the like.
  • the conductive wire 104 is required to have good uniformity with the electrodes of the LED chip 101, good mechanical connection, good electrical conductivity, and good thermal conductivity.
  • the thermal conductivity is preferably at least 0.01 cal / (s) (cm 2 ) (° C / cm), more preferably 0.5 ca 1 / (s) (cm 2 ) (° C / cm) That is all.
  • the diameter of the conductive wire 104 is preferably ⁇ 10 m or more and ⁇ 70 m or less in consideration of forming a high-output light emitting device, workability, and the like. Specific examples of such a conductive wire 104 include a conductive wire using a metal such as gold, copper, platinum, and aluminum and an alloy thereof. Such a conductive wire 104 can easily connect the electrode of each LED chip 101 to the inner, the lead, the mount, and the lead by a wire bonding device.
  • the molding member 113 includes an LED chip 101, a conductive wire 104, and a coating layer 111, 112 containing phosphor, etc., from the outside according to the application of the light emitting device. It can be provided for protection or to improve light extraction efficiency.
  • the mold member 113 can be formed using various resins, glass, or the like. As a specific material of the mold member 113, a transparent resin excellent in weather resistance such as an epoxy resin, a urine resin, a silicone resin, a fluororesin, or the like, glass, or the like is preferably used. Further, by including a diffusing agent in the mold member, the directivity from the LED chip 101 can be reduced and the viewing angle can be increased.
  • a mold member 113 may use the same material as the binder and the binder of the coating layer, or may use a different material.
  • the mold member 113 is not an essential component of the present invention.
  • a spray device 300 is used, in which nozzles 201 for ejecting the coating liquid 203 are connected by conveying pipes 307, 308, and 309, respectively.
  • a stirrer 304 is attached to the container 301 for storing the coating liquid, and the coating liquid is constantly stirred during the coating operation.
  • the coating solution 203 contained in the container 301 is constantly stirred by the agitator 304, and the phosphors 202 contained in the coating solution 203 are always uniformly dispersed in the solution. are doing.
  • the valve 302 adjusts the flow rate of the coating solution transported from the container 301 through the transport pipe 309 by opening and closing the valve.
  • the circulating pump 303 transports the coating solution from the container 301 through the valve 302 and the compressor 305 to the tip of the nozzle 201 through the transport pipe 309, and then to the nozzle 2
  • the remaining coating solution that is not ejected from 01 is transported to the container 301 through the transport pipe 308.
  • the coating liquid is conveyed from the container 301 by the circulation pump 303 to the tip of the nozzle 201 via the valve 302 via the transfer tube 309, and then transferred to the container 3108 via the transfer tube 308. Since it has been transported to 01, it is always circulating in the spray device. Therefore, the coating liquid is agitated or circulated throughout the spray device, so that the phosphor contained in the coating liquid is always in a uniform dispersion state during the coating operation. +
  • the compressor 305 is installed in the apparatus via the transfer pipe 307 or 309, compresses the air transferred through the transfer pipe 307, and transfers it through the transfer pipe 309.
  • the pressure of the applied coating solution is adjusted.
  • the compressed air and the pressure-adjusted coating liquid are respectively conveyed to the nozzle 201 by the compressor 305.
  • the pressure of the compressed air is monitored by a pressure gauge 303.
  • the coating liquid is ejected at a high speed together with a high-pressure gas to apply the coating liquid on the upper side surface and the corner of the light emitting element.
  • a device in which a coating liquid and a gas (here, air) are helically ejected through a nozzle 201.
  • a gas here, air
  • Several gas outlets are provided around the nozzle of this device, and the direction of the gas ejected from these outlets is set at a certain angle with respect to the surface to be coated. ing. Therefore, when gas is simultaneously fed into those gas outlets that are rotating around the coating liquid outlet, the entire gas flow that collects the gas ejected from each outlet will be swirled.
  • the flow is like a spiral flow, a spiral flow, or an inverted flow of air in a tornado.
  • the nozzle of this device is provided with a coating liquid outlet at the center. When the coating liquid is jetted at the same time as the gas is jetted, the atomized coating liquid flows in a spiral flow or tornado. It spreads along with the gas flow as if the air flow was inverted.
  • the diameter of the entire spiral-sprayed spray increases from the point at which the spray starts above the light emitting element to the surface of the light emitting element.
  • the rotation speed of the spray composed of the coating liquid decreases as approaching the surface of the light emitting element from the injection start point above the light emitting element.
  • the spray spreads conically near the nozzle where the injection starts, but spreads cylindrically away from the nozzle. . Therefore, in this embodiment, it is preferable that the distance from the upper surface of the light emitting element to the lower end of the nozzle is adjusted so that the surface of the light emitting element is located in a state where the spray is spread in a cylindrical shape.
  • the spray rotates in a spiral and the speed decreases.
  • the light can reach the surface of the light emitting element which is shaded by the conductive wire, and can be sufficiently sprayed not only on the entire upper surface of the light emitting element but also on the entire side surface.
  • the work can be performed with the light emitting element or the nozzle fixed.
  • the speed of the spray is weakened in a state where the spray spreads in a columnar shape, when the spray is sprayed on the surface of the light emitting element, the phosphor particles contained therein cause an impact on the surface of the light emitting element. I do not receive it. Also, the yield and workability are improved without deformation or disconnection of the conductive wire.
  • the light-emitting element after application in this embodiment is heated on a heater 205 at a temperature of 50 ° C. or more and 500 ° C. or less.
  • a method for keeping the light emitting element in a heated state a method of heating the light emitting element in a heating device such as an oven may be used. Heating evaporates a small amount of water and solvent contained in ethanol and the hydrolysis solution in the sol state, and removes amorphous A 1 (OH) 3 and A 1 O OH from the coating solution 203 in the sol state. Is obtained.
  • the coating solution 203 in the present embodiment since the viscosity of the coating solution 203 in the present embodiment is adjusted, the coating solution 203 does not flow from the top surface, side surfaces, and corners of the light emitting element, and further from the place where it is sprayed after being sprayed on the surface of the support 204. However, those places are heated immediately after application. Thus, the upper surface, side surfaces, and corners of the light emitting device can be covered with the coating layer in which the phosphor 202 is bound by AIOOH.
  • the light emitting element is die-pounded on the support 204 by keeping the adhesive liquid at a temperature of 50 ° C. or more and 500 ° C. or less.
  • a method for maintaining the heating state in this manner a method in which the light-emitting element is placed on a heater or a method in which the light-emitting element is heated in a heating device such as an oven may be used.
  • Ethanol, water and a small amount of water contained in the hydrolysis solution in the gel state are evaporated by heating, and a large number of particles with a particle size of several nanometers mainly composed of A 1 OOH are concentrated from the adhesive solution in the gel state.
  • an adhesive layer formed is obtained.
  • This adhesive layer is formed by densely packed particles having a diameter of several nanometers mainly composed of an inorganic substance, and there is a gap between the particles.
  • the bonding layer according to this embodiment is largely affected by thermal stress as a whole. No peeling or cracking of the adhesive layer occurs. Therefore, the light emitting device according to the present embodiment can maintain its reliability even as a light emitting device used under a situation where a rapid temperature change is applied.
  • the adhesive liquid is adjusted to have a high viscosity
  • the adhesive liquid is interposed between the substrate surface of the light emitting element and the surface of the support, and further flows from the place where the material is extended to the side surface of the light emitting element. Instead, they are heated and solidified after die pond in those places. -This makes it possible to form a light emitting device in which the light emitting element is not deviated from a position where the light emitting element is initially placed and is die-punched on the surface of the support by AIOOH.
  • the light emitting elements are die-bonded to the respective packages, the electrodes of the light emitting elements are wire-bonded to the external electrodes, and then the coating liquid 203 is applied to the light emitting elements. Spray from above.
  • the side surface of the concave portion of the package is tapered and used as a reflective portion to increase the light extraction efficiency in the front direction of the package, if the coating liquid 203 adheres to the side surface of the concave portion, light is emitted from the light emitting element. The reflected light is diffusely reflected on this side surface, so that the light extraction efficiency in the front direction of the package cannot be improved.
  • the coating liquid 203 is applied onto the surface of the light emitting element from above the mask 206.
  • Spray The mask 206 completely covers the side surface of the concave portion of the package and the external electrodes, and The upper surface, side surfaces and corners of the plate are provided with through holes having a size such that the coating solution 203 can be sprayed thereon, and include a metal mask and a reinforced plastic mask.
  • the adhesive layer 110 used in this embodiment is an amorphous inorganic layer formed after the light-emitting element and the support are brought into close contact with each other via an organic material in a sol state and then heated and dried. . Further, the adhesive layer of this embodiment is a continuous colorless and transparent layer existing between the upper surface of the support and the substrate surface of the light emitting element, and extends to the side surface of the light emitting element.
  • the high-energy light emitted from the LED chip becomes dense in the adhesive layer. Therefore, when a nitride semiconductor that emits high energy light and emits high energy light is used as an LED chip, Si, Al, Ga, It is preferable to use an oxide having one or more of Ti, Ge, P, B, Zr, Y and alkaline earth metal as an adhesive liquid between the light emitting element and the support. Further, the above-described oxidized hydroxide may be used as the adhesive layer.
  • One of the specific main materials of the adhesive layer is S i 0 2 , A 12 O 3, Z r ⁇ 2 , Y 2 O 3, MS i Os (M is Zn, C a , Mg, Ba, Sr, etc.) are preferably used.
  • the light-emitting element is fixed to the support with the substrate surface of the light-emitting element and the support surface facing each other via these translucent inorganic members.
  • An oxide containing one or more elements selected from the group consisting of P, B, Zr, Y and alkaline earth metals is generated by an organometallic compound, as well as a material for forming a coating layer.
  • an organometallic compound that is liquid at room temperature by adding an organic solvent, viscosity can be adjusted in consideration of workability, and the formation of coagulated substances such as organic metal compounds can be easily prevented, thus improving workability. Can be done.
  • an organometallic compound easily undergoes a chemical reaction such as hydrolysis to easily generate an organic substance such as an oxide or a hydroxide, at least Si, A1, Ga, Ti, Ge,
  • An adhesive layer is easily formed from an oxide containing at least one element selected from the group consisting of P, B, Zr, Y and alkaline earth metals without deteriorating the performance as an LED light emitting element. It is possible to do. However, since these elements include those that are easily colored, it is necessary to appropriately select them according to the application. Further, the binder of the oxidized hydroxide according to the present embodiment also has light resistance and heat resistance, and thus may be used as these adhesive layers.
  • the metal solder may include a metal absorbing near-ultraviolet to blue light emitted from the light emitting element.
  • the metal solder may include a metal absorbing near-ultraviolet to blue light emitted from the light emitting element.
  • a light-emitting element is die-bonded with Au-Sn eutectic solder
  • FIG. 8 is a plan view of the light emitting device
  • FIG. 9 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.
  • the fluorescent member used in the light emitting device according to the third embodiment the same fluorescent member as that in the first embodiment can be used.
  • the light-emitting layer a light-emitting element 401 having an InGaN-based semiconductor layer of 460 nm with a light emission peak in a blue region is used.
  • the light emitting element 401 has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer (not shown), and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer have conductive layers connected to the lead electrode 402.
  • a property layer 404 is formed.
  • An insulating sealing material 403 is formed so as to cover the outer periphery of the lead electrode 402, thereby preventing a short circuit.
  • the package 4 A translucent window portion 407 extending from the lid 406 on the upper portion of the sub-portion 05 is provided above the light emitting element 401.
  • a binder 410 containing a phosphor 408 uniformly is applied almost as a light-emitting film 409.
  • the light emitting film 409 containing the phosphor is disposed above the LED chip and separated.
  • the structure is different from that of the light emitting device shown in FIGS. 3 and 4 described above, but the other parts are almost the same, and the same phosphor and binder can be used.
  • the light emitting film may have a multi-layer structure, in which different phosphors are mixed in each layer, or a film in which no phosphor is mixed may be combined.
  • the light-emitting films of FIGS. 8 and 9 can be replaced separately from the light-emitting device, and can be changed whenever the emission color is changed or a deteriorated light-emitting film is replaced.
  • FIG. 10 shows a light emitting device according to Embodiment 4 of the present invention.
  • an LED is disposed as a light emitting element 501, a curved concave portion is formed in a lower package 505, and a light emitting layer 509 is provided on this surface.
  • a multilayer structure including the above-described phosphor and binder can be used.
  • the layer configuration may be a multilayer structure as described above.
  • FIGS. 11 and 22 show a light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • the side where the electrode of the light emitting element is provided is arranged so as to face the substrate.
  • a method for manufacturing the light-emitting device shown in FIG. 19 will be described with reference to FIGS.
  • a conductive member 602 is arranged on the surface of the submount substrate 601. Further, as shown in FIG. 12, a conductive pattern for forming an insulating portion 603 for separating the conductive member 602 connected to the positive electrode and the negative electrode of the light emitting element 600 is provided.
  • the material of the submount substrate 61 is preferably one having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the semiconductor light emitting element, for example, aluminum nitride. By using such a material, the thermal stress generated between the submount substrate 600 and the light emitting element 600 can be reduced.
  • the material of the submount substrate 601 is preferably silicon, which can form the protection element and is inexpensive. It is preferable that silver or gold having high reflectivity be used for the conductive member 62.
  • an underfill 604 is filled in a gap generated between the positive and negative electrodes of the light emitting element 600 and the insulating portion 603. As shown in FIG. 13, an underfill 604 is arranged around the insulating portion 603 of the submount substrate 601.
  • the material of the underfill 604 is, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin.
  • aluminum nitride, aluminum oxide, a composite mixture thereof, or the like may be further mixed into the epoxy resin.
  • the amount of the underfill 604 is an amount capable of filling a gap generated between the positive and negative electrodes of the light emitting element 600 and the submount substrate 601 straddling the insulating portion 603.
  • both the positive and negative electrodes of the light emitting element 600 such as a separately prepared LED chip are opposed to and fixed to the positive and negative electrodes of the conductive pattern.
  • a conductive material 605 is attached to both the positive and negative electrodes of the light emitting element 600.
  • the material of the conductive material 605 is, for example, Au, eutectic solder (Au—Sn), Pb—Sn, lead-free solder, or the like.
  • the underfill 604 is in the softened state, the positive and negative electrodes of the light emitting element 600 are opposed to the positive and negative electrodes of the conductive pattern via the conductive material 605 to form the light emitting element 600.
  • the positive and negative electrodes, the conductive material 605 and the conductive pattern are thermocompression-bonded. At this time, the underfill 604 between the conductive material and the positive and negative electrodes of the conductive pattern is eliminated.
  • the screen plate 600 from the substrate side of the light emitting element 600 Place a metal mask may be arranged at a position where the phosphor layer is not desired to be formed, such as a position where a conductive wire is bonded or a parting line is formed.
  • a phosphor layer forming material 607 in which a phosphor is contained in an alumina sol having thixotropic properties is prepared, and screen printing is performed using a squeegee (spatula) 608.
  • the screen plate is removed, and the phosphor layer forming material 607. is cured. Then, as shown in FIG. 18, when the light-emitting elements are cut along the parting line 609, a light-emitting device 610 with a phosphor layer shown in FIG. 19 is obtained.
  • the light emitting device 610 having such a phosphor layer may be fixed to a support or the like.
  • 20 to 22 show examples of a light emitting device in which a light emitting device 610 with a phosphor layer is fixed to a support 611 having a concave portion 612.
  • 20 is a plan view of the light emitting device
  • FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 20
  • FIG. 22 is an enlarged view of FIG.
  • the light emitting device shown in these figures is obtained by bonding a light emitting device with a phosphor layer 6 10 to the bottom of a concave portion 6 12 provided on a metal substrate 6 15 of a support 6 11 It is fixed with the agent.
  • the exposed lead electrode 613 is connected to a conductive pattern provided on the submount substrate 601 by a conductive wire 614.
  • a phosphor coated or coated with a coating material may be used.
  • the structure of the light emitting device including the light emitting layer including the inorganic binder mainly composed of the oxidized hydroxide and the filler is not limited.
  • the present invention is also applicable to an example in which a light-emitting layer is formed on a tube surface of a high-pressure mercury lamp.
  • a phosphor slurry is prepared using alumina sol and yttrium sol to prepare a phosphor Z sol slurry.
  • a commercially available alumina sol (A1520 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was placed in a 100 ml beaker, and ethanol was added at 50% by weight to the alumina sol and mixed. Then, 10 g of a fluorescent substance, YAG, was added thereto, sufficiently stirred and mixed to obtain a phosphor / sol slurry.
  • Example 6 10 g of a commercially available alumina sol (A1520 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was placed in a 100 ml beaker, and 50% by weight of ethanol was added to the alumina sol and mixed. Then, 10 g of the fluorescent substance SAE was added thereto, sufficiently stirred and mixed to obtain a slurry of the fluorescent substance Z sol. (Example 6)
  • a commercially available alumina sol (A1200, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., A1200) was placed in a 100 ml beaker, and ethanol was added at 70% by weight to the alumina sol and mixed. 1 Og of the fluorescent substance SAE was added thereto, sufficiently stirred and mixed to obtain a phosphor / sol slurry.
  • a commercially available alumina sol (catalyst chemical, Cataroid AS 3) (10 g) was placed in a 10 Oml beaker, and 50% by weight of ethanol was added to the alumina sol and mixed. 1 Og of the fluorescent substance SAE was added thereto, and the mixture was sufficiently stirred and mixed to obtain a slurry of the fluorescent substance Z sol.
  • a commercially available alumina sol (manufactured by Nissan Chemical Co., A1200) was taken in a 100-ml, 100-ml solution, and ethanol was added to the alumina sol at 50% by weight and mixed. Then add 1 Og of phosphor BAM, mix well, and mix to obtain phosphor / sol slurry ⁇ ,
  • Examples 15 to 23 examples of manufacturing LEDs under various conditions are described below as Examples 15 to 23.
  • yttriasol Yttrium oxide sol, manufactured by Taki Kagaku Co., Ltd.
  • yttriasol Yttrium oxide sol, manufactured by Taki Kagaku Co., Ltd.
  • the fluorescent substance YAG is added thereto at a predetermined ratio, sufficiently stirred and mixed to obtain a phosphor sol slurry.
  • an LED that emits white light is obtained in combination with a semiconductor light emitting device having a wavelength of 460 nm.
  • alumina sol (Nissan Chemical's Alumina Sol 200) in a 10 Oml beaker, and add 50% by weight of ethanol to the alumina sol and mix.
  • the fluorescent substance YAG is added thereto in a predetermined ratio, and the mixture is sufficiently stirred and mixed to obtain a phosphor nosol slurry.
  • This is combined with a 460-nm wavelength semiconductor light-emitting device to produce an LED that emits white light.
  • yttriasol Yttrium oxide sol, manufactured by Taki Kagaku Co., Ltd.
  • yttriasol Yttrium oxide sol, manufactured by Taki Kagaku Co., Ltd.
  • the fluorescent substance YAG and calcium silicon nitride with europium are added at a predetermined ratio, sufficiently stirred and mixed to obtain a slurry of the fluorescent substance Z sol.
  • This is combined with a semiconductor light emitting device with a wavelength of 460 nm to produce an LED that emits light of a bulb color.
  • alumina sol (Alumina Sol 200, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) in a 100 ml beaker, and add 50% by weight of ethanol to the alumina sol and mix.
  • the fluorescent substance YAG, europium, and manganese-added lucidum chloroapatite are added at a predetermined ratio, and the mixture is sufficiently stirred and mixed to obtain a phosphor / sol slurry.
  • This is combined with a 400 nm wavelength semiconductor light emitting device to produce an LED that emits white light.
  • yttrium sol Yttrium oxide sol, manufactured by Taki Kagaku Co., Ltd.
  • ethanol 50% by weight of ethanol
  • the fluorescent substance YAG and calcium chloroapatite with europium and manganese are added thereto in a predetermined ratio, sufficiently stirred and mixed to obtain a slurry of the fluorescent substance Z sol.
  • This is combined with a semiconductor light emitting device with a wavelength of 400 nm to produce an LED that emits white light.
  • a commercially available alumina sol (Alumina Sol 200, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) is placed in a 100 ml beaker, and ethanol is added at 50% by weight to the alumina sol and mixed. Then, the fluorescent substances, e.g., calcium chloride apatite with europium, europium, barium magnesium aluminate with manganese, and strontium silicon nitride with europium are added at a predetermined ratio, mixed well, and mixed well. Get Lee. This is combined with a semiconductor light emitting device with a wavelength of 40 Onm to produce an LED that emits white light.
  • alumina sol (Nissan Chemical Co., Alumina Sol 200) in a 10 Oml beaker, add ethanol 50% by weight to the alumina sol and mix.
  • the strontium aluminate with the fluorescent substance europium is added thereto in a predetermined ratio, and the mixture is sufficiently stirred and mixed to obtain a phosphor / sol slurry.
  • This is combined with a 365-nm wavelength semiconductor light-emitting device to produce an LED that emits blue-green light for signals.
  • alumina sol (Alumina Sol 200, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) in a 10 Oml beaker, and add 50% by weight of ethanol to the alumina sol and mix. Thereto is added a predetermined amount of barium silicon nitride with the fluorescent substance europium, and the mixture is sufficiently stirred and mixed to obtain a slurry of the fluorescent substance Z sol. This is combined with a semiconductor light emitting device with a wavelength of 365 nm to produce an LED that emits yellow light for signals.
  • yttria sol Yttrium oxide sol, manufactured by Taki Kagaku Co., Ltd.
  • the fluorescent substance YAG, barium magnesium aluminate with europium, and calcium strontium silicon nitride with europium are added at a predetermined ratio, mixed well, and mixed to obtain a phosphor / sol slurry.
  • This is combined with a semiconductor light emitting device with a wavelength of 365 ⁇ m to produce an LED that emits light of a bulb color.
  • yttria sol Take 100 ml of a commercially available yttria sol (manufactured by Taki Chemical Co., Ltd., yttria sol) and add 50% by weight of ethanol to the yttria sol and mix.
  • the fluorescent substances europium-added calcium chloroapatite, europium, manganese-added barium magnesium aluminate, and europium-added calcium silicon nitride are added at a predetermined ratio, and sufficiently stirred and mixed to obtain a slurry of phosphor Z sol. Combine this with a semiconductor light-emitting device with a wavelength of 365 nm to produce a PD that emits white light.
  • Table 1 shows examples of combinations of phosphors, binders, and LEDs according to Examples 15-1 to 23 above.
  • the emission colors are shown on the chromaticity diagram of FIG.
  • the LEDs according to these examples are as follows: Examples 15-1 and 15-2 are white, Example 16 is light bulb color, Examples 17_1 and 17-2 are high color rendering white, Examples 18 and Reference numeral 22 indicates a light bulb color, Examples 19 and 23 indicate three-wavelength white light, Example 20 indicates a signal blue-green color, and Example 21 indicates a signal yellow color.
  • a high-output light-emitting device can be manufactured.
  • the high-output light-emitting element is suitable for, for example, lighting applications.
  • Table 2 examples of combinations of phosphors, binders, and LEDs for producing LEDs having practically preferable characteristics are shown as Examples 24 to 29.
  • the LED according to these examples is white in Example 24, light-bulb color in Examples 25, 26, and 27, and white light of three wavelengths in Examples 28 and 29, and indicates the respective emission colors (color tones).
  • FIG. 24 and FIG. 25 show the three-wavelength white phosphor spectrum data used in Examples 19 and 23.
  • FIG. 24 shows the spectrum excited by the 365 nm wavelength LED used in Example 23
  • FIG. 25 shows the spectrum excited by the 400 nm wavelength LED used in Example 19, respectively.
  • Comparative Example 1 a sample using silica sol was prepared to obtain comparative data. Take 10 g of a commercial silica sol (HAS10, manufactured by Corcoto) in a 100 ml beaker, add 10 g of CESN as a fluorescent substance to the beaker, mix well, mix well, and mix the phosphor / sol slurry. Got.
  • HAS10 commercial silica sol
  • CESN CESN
  • Comparative Example 2 a sample without using a phosphor was prepared to obtain comparative data. Here, only a 400 nm LED was used.
  • each of the phosphors / sol slurries of Examples 1 to 5 was filled in a cylinder of a spray device (made by Nordson).
  • An LED with a wavelength of 400 nm (9 mm stem package, 0.35 mm chip) is set as a light emitting element below the spray nozzle.
  • the LED chip is masked in advance so that the phosphor / sol slurry is applied only on the LED chip.
  • the phosphor is adhered to the LED chip by the mixed sol, Can be formed.
  • the main hardening was performed at 240 ° C. and 30 min in a nitrogen atmosphere to sufficiently harden.
  • the LED chip was cabbaged in a glove box with nitrogen hermetic sealing to obtain an LED having a phosphor-containing light-emitting layer.
  • Table 3 shows a list of phosphors used as examples.
  • an endurance test was performed to confirm the reliability of the light emitting device. Endurance test .. Using a LED chip with a wavelength of 400 nm, an output of 14.5 mW, and a side length of 350 m, lighting at 60 mA at room temperature, the durability was confirmed. . At this time, the light irradiation density to be introduced into the light emitting layer of the light emission device, assuming half the side surface of the chip of the light is output is about 8 6. 3W / cm_ 2. The junction temperature was about 80 ° C, and the thermal resistance of the entire package was 230 ° C / W.
  • FIG. 26 shows endurance test results of Examples 1 to 4 using a YAG-based phosphor.
  • the phosphor layers coated with the phosphor sol preparations of Examples 1 to 4 were compared in the output before the lighting test and after the elapse of 1000 hours. No output deterioration was observed.
  • Comparative Example 1 the output of the phosphor LED using silica sol gradually decreased, and the output after 1000 hours decreased to 85%.
  • the phosphor was not applied with only the 400 nm LED, and no deterioration was naturally confirmed.
  • Figure 27 shows the endurance test results of Examples 5 to 8 using a strontium aluminate phosphor.
  • the output of the phosphor LED coated with the phosphor / sol preparations of Examples 5 to 8 after 100 hours was 88% in Example 5, and 89% in Example 6 as shown in FIG. %, Example 7 was 92%, and Example 8 was 93%.
  • Example 8 was 93%.
  • the output declined due to the deterioration progressed to 300 hours and decreased to 88%, but no further decrease was observed, and the output was maintained at 88% even in 1000 hours.
  • Fig. 28 shows the endurance test results of Examples 9 to 12 related to ⁇ -wavelength white, which combined an LED in which a light emitting layer containing each of the phosphors of RGB was formed with yttria sol.
  • FIG. 30 show the results of the durability test of Example 14 respectively.
  • the output after 1000 hours of the phosphor ZLED with the phosphor / sol preparation applied was 94% in Example 9 and 94% in Example 1 as shown in FIG. 0 is 88%
  • Example 11 is 94%
  • Example 12 is 94%
  • Example 13 shown in FIG. 29 is 94%
  • Example 14 shown in FIG. 30 is 14%. It was 96%.
  • the output of the phosphor LED coated with the phosphor nosol preparation of Example 13 in FIG. 29 after 100 hours was maintained at 94%.
  • the film was effective as a light emitting film or a light emitting layer used in a wavelength region of 41 Onm or less.
  • a semiconductor light emitting element that emits ultraviolet light is used as a light emitting element, conditions become more severe, and the inorganic binder used in the above embodiment is effective.
  • the inorganic binder according to the above embodiment should be used.
  • a stable and highly reliable light-emitting device can be realized even when used for a long time.
  • the above-described embodiment can be effectively used in a combination of a semiconductor light emitting element and a phosphor formed in close contact with the element, or in a light emitting element having a large input power.
  • FIG. 31 is a schematic plan view showing the light emitting device according to Embodiment 6,
  • FIG. 32 (a) is a schematic sectional view showing the light emitting device according to Embodiment 6, and FIG. 32 (b) is a substrate.
  • the schematic sectional views in which the concave portions are enlarged are shown respectively.
  • Light-emitting device 1 according to Embodiment 6 of the present invention includes light-emitting element 60, base 20 on which light-emitting element 60 is mounted, and lid 26 formed on base 20. .
  • the side on which the light emitting element 60 is mounted is referred to as the main surface, and the back surface is referred to as the back surface.
  • the base 20 is made of metal and has a recess 20a at the center. Further, the base portion surrounding the concave portion 20a has two through holes penetrating in the thickness direction, and the respective through holes are opposed to each other across the concave portion 20a. In the through hole, a metal positive and negative lead electrode 22 is inserted through a hard glass, which is an insulating member 23.
  • the main surface of the base 20 has a lid 26 having a translucent window portion 25 and a lid 24 made of a metal portion.
  • the metal lid 24 and the metal base 2 Welds the contact surface with 0.
  • the light emitting element 60 is hermetically sealed by welding the base 20 and the lid 26. An inert gas such as nitrogen gas is used for hermetic sealing.
  • the light emitting element 60 housed in the recess 20 a emits blue light or ultraviolet light, and the light emitting element 60 is bonded in the recess 20 a of the base 20.
  • the adhesive an adhesive obtained by drying and firing a hydrolysis solution of ethyl silicate can be used.
  • the light emitting element 60 placed in the concave portion 20a of the base 20 is covered with an inorganic binder 30 containing a phosphor.
  • the surface of the inorganic binder 30 is covered with a resin 40.
  • the inorganic binder 30 contains the resin 40.
  • a light emitting device with high light extraction efficiency can be provided.
  • a hydrated hydroxide gel such as A1 or Y element, which is stable in oxidation state and does not change in the sol-gel reaction process, is used, even if the coating has a gel state part, the resin is further impregnated.
  • the inorganic binder 30 by forming the inorganic binder 30 with a gel of an oxide hydroxide, the quality of a formed film can be improved.
  • the inorganic binder member containing an oxide hydroxide becomes a porous body in which a particulate material is aggregated by a sol-gel method to form a crosslinked structure, a network structure, or a polymer structure. If the skeleton structure of the oxidized hydroxide particle aggregate is a network structure having gaps, the structure becomes porous, so that the flexibility of the coating is improved.
  • the inorganic binder 30 when forming the inorganic binder 30, a filler member such as phosphor particles is supported, and even if the object to be coated has a complicated shape, the film can be formed in accordance with the shape, thereby obtaining a film having excellent adhesion. Can be. Furthermore, the use of an oxidized hydroxide makes it possible to obtain a film which is stable to heat and light and does not deteriorate.
  • the coating formed on a conventional light emitting device is deteriorated by the use of the light emitting device because it is exposed to light from the light emitting element.
  • the cause of this deterioration is considered to be a reaction caused by either the light output from the light emitting element and / or heat generation. Therefore, when ultraviolet light having high light energy is used for a large-sized device having large heat generation and thermal resistance value, it is easily deteriorated.
  • an example of the present invention was prepared and a durability test was performed. As a result, it was confirmed that the device had extremely high durability.
  • the light emitting device according to Embodiment 6 of the present invention has the following configuration. Hereinafter, the components of the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
  • the inorganic binder 30 covers the light emitting element 60 provided on the base 20.
  • the inorganic piner 30 covers the surface of the light emitting element 60 and the concave portion 20a by potting, pouring, spraying, or the like in the sol state into the concave portion 20a of the substrate 20.
  • the inorganic binder 30 contains the phosphor 50.
  • the inorganic binder 30 is gelled and cured after spray coating, potting, screen printing, or the like. Due to this curing, voids 31 are generated in the inorganic binder 30. These voids cause the inorganic binder 30 to become brittle and crack or chip.
  • the inorganic binder 30 is provided separately from the mold member in a mount / lead cup, an opening in a base, or the like.
  • the inorganic binder 30 is a phosphor that converts light emission of the light emitting element 60 or a material that binds the phosphor. And the like.
  • the thickness of the inorganic binder layer provided on the upper surface and the side surface of the light emitting element 60 is substantially equal to the thickness of the inorganic binder layer provided on the inner surface of the concave portion 20a.
  • the inorganic binder 30 is a continuous layer without interruption even at the corners of the light emitting element 60.
  • the inorganic binder 30 may be exposed to high-density high-energy light by being reflected and scattered by the phosphor 50. Therefore, when a nitride-based semiconductor having a high luminous intensity and capable of emitting high-energy light is used as the light-emitting element 60, A1, Y, Gd, Lu having light resistance to the high-energy light are used. It is preferable to use an oxide hydroxide containing any one of the metal elements Sc, Ga, In, and B as the inorganic binder 30.
  • One of the specific main materials of the inorganic binder 30 is Al (OH) 3 , Y (OH)
  • the oxidized hydroxide that can be used for the inorganic binder 30 is an organometallic compound of any one of A.l, Y, Gd, Lu, Sc, Ga, In, and B. Formed from the compound mainly composed of oxidized hydroxide Is done.
  • the organometallic compound includes an alkyl group and an aryl group bonded to a metal via an oxygen atom.
  • organometallic compounds examples include metal alkyls, metal alkoxides, metal diketonates, and metal carboxylate.
  • organometallic compounds those having high solubility in organic solvents tend to become uniform sol solutions after hydrolysis.
  • organic metal compound easily causes a chemical reaction such as hydrolysis, it is possible to easily scatter and form an inorganic binder 30 to which the phosphor 50 is bound. Therefore, the method using an organometallic compound • differs from other methods in which an organic binder 30 is formed in the light-emitting element 60 at a high temperature of 35 or more or in a state where static electricity is applied.
  • the inorganic binder 30 can be easily formed on the light emitting element 60 without lowering the manufacturing cost, and the production yield is improved.
  • the inorganic binder 30 forms a layer structure in a thin film state. This is because the phosphor 50 contained in the inorganic binder 30 can emit light uniformly by forming the layer structure. In addition, since it is a thin film, the resin 40 can easily permeate the inorganic binder 30.
  • a potting means, a spray atomizing means, or the like can be used as a means for forming the inorganic binder 30 layer.
  • the inorganic binder 30 can take a form other than a thin film state.
  • alumina, yttria, silica, or a composite thereof can be used as the inorganic binder 30, alumina, yttria, silica, or a composite thereof can be used. These can be formed into various shapes by dispersing them in water or the like rather than in a solid state to form a sol-gel state. Further, the phosphor can be uniformly dispersed in the inorganic binder 30.
  • alumina and yttria will be described as examples of the inorganic binder 30, but the present invention is not limited thereto.
  • an inorganic binder has been used for the coating.
  • alumina sol which is obtained by uniformly dispersing amorphous alumina or fine-particle aluminum oxide hydroxide in water, as a binder
  • the alumina sol is heated and hardened to form stable boehmite-structured aluminum oxide hydroxide.
  • Boehmite crystal structure of oxide aluminum hydroxide A 1_Rei_OH and A 1 2 O 3 ⁇ H 2_Rei pseudo base one chromite structure of oxide aluminum hydroxide (A 1_Rei_rei_ita) ⁇ x H 2 ⁇ or A 1 It can be represented by a chemical formula such as 2 O 3-2 H 2 ⁇ .
  • a light emitting film is formed using alumina sol having such properties as a binder.
  • Specific main materials of the inorganic binder 30 include amorphous metal oxides, ultra-fine metal oxides and hydroxides, ultra-fine oxides, and a small amount of inorganic acids, organic acids and alkalis as stabilizers.
  • a sol solution uniformly dispersed in water or an organic solvent is used.
  • As starting materials for synthesizing amorphous metal oxides, ultrafine metal oxide hydroxides, ultrafine oxides, etc., metal alcoholates, metal diketonates, metal halides, or hydrolysates of metal carboxylate and metal alkyl compounds A mixture obtained by mixing these and hydrolyzing them can be used.
  • a colloid in which metal hydroxide, metal chloride, metal nitrate, and metal oxide fine particles are uniformly dispersed in water, an organic solvent, or a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent.
  • Aluminoxanes is a skeleton having repeating [A 1 ⁇ ] X.
  • metal alcoholates include aluminum methoxide, aluminum ethoxide, aluminum n-propoxide, aluminum isopropoxide, aluminum dimethyl n-butoxide, aluminum sec-butoxide, aluminum iso-propoxide, and aluminum tert-butoxide. , Yttrium methoxide, yttrium ethoxide, yttrium-n-propoxide, yttrium-isopropoxide, yttrium-n-butoxide, yttrium-sec-butoxide, yttrium-iso-propoxide, yttrium-tert-butoxide, etc. it can.
  • Metal diketonates include aluminum triacetyl acetate, alkyl acetate aluminum diisopropylate, ethyl acetate sodium aluminum diisopropylate, aluminum monoacetylacetonate bisethyl Acetate acetate, aluminum trisacetyl acetate, yttrium trisacetyl acetate, yttrium triscetyl acetate, and the like can be used.
  • metal carboxylate aluminum acetate, aluminum propionate, aluminum 2-ethylhexanoate, yttrium acetate, yttrium propionate, yttrium 2-ethylhexanoate and the like can be used.
  • Aluminum chloride, aluminum bromide, aluminum iodide, yttrium chloride, yttrium bromide, yttrium iodide, and the like can be used as metal octapentide.
  • Organic solvents include methanol, ethanol, ⁇ -propanol, iso-propanol n-butanol, sec-butanol, tert-butanol tetrahydrofuran, dioxane, acetone, ethylene glycol, methylethylketone, N, N— Dimethylformamide, N, N dimethylacetamide and the like can be used.
  • the inorganic binder 30 may be replaced with, or in addition to, the phosphor 50, by mixing a filler or diffused particles. Further, these composite materials may have the same coefficient of linear expansion as the coated substrate and the light emitting element.
  • the filter has an effect of not only mixing the phosphor 50 to emit light but also forming a fine path such as evaporation of water during curing to speed up the curing and drying of the binder. Further, it also has a function of diffusing light emission of the phosphor 50 and increasing an adhesive strength and a physical strength of the inorganic binder 30.
  • the inorganic binder 30 layer and the inorganic binder 30 film can also be used as a diffusion layer containing no phosphor.
  • the composite material used as the binder may contain a small amount of an element having a plurality of valences in addition to the trivalent metal element.
  • the binder member only needs to include an oxide hydroxide as a main compound, and even if a metal oxide, a metal hydroxide, and a bond thereof are partially contained, the binder member operates. I do.
  • A100H of alumina will be described as an example of a specific main material contained in the inorganic binder 30.
  • the inorganic binder 30 in which the phosphor 50 is bound by AIO OH is an aluminoxane sol or an alumina sol solution obtained by hydrolyzing aluminum alcoholate or aluminum alkoxide at a predetermined ratio in an organic solvent.
  • fireflies prepare a coating solution in which the optical body 50 (powder) is uniformly dispersed. Potting, spray coating, dispense, or the like is performed on the alumina sol solution in which the phosphor 50 is dispersed so as to cover the entire surface of the light emitting element 60. Thereafter, heating and curing are performed, and the phosphors are fixed to each other by the AIOOH component, and further, are fixed to the surface of the light emitting element 60, thereby being able to form.
  • Aluminum alcoholate or aluminum alkoxide is an organic aluminum compound used as a thickener, a gelling agent, a coining agent, a polymerization catalyst, and a dispersant for pigments in paints.
  • Aluminum alkoxide, or a kind of aluminum alkoxide, aluminum isopropoxide, aluminum ethoxide, and aluminum butoxide are very reactive and produce aluminum hydroxide or alkylaluminate by moisture in the air. Produces aluminum oxide hydroxide having a single-mite structure.
  • aluminum isopropoxide easily reacts with water as shown in the following chemical formula 8, and finally contains aluminum oxide hydroxide as a main component and aluminum hydroxide or aluminum oxide 4 (alumina). It becomes a mixture having a crosslinked structure.
  • the inorganic binder 30 to which 0 is bound can be formed as the inorganic binder 30 on the surface of the light emitting element 60 and on a support other than the surface of the light emitting element 60.
  • Phosphor inorganic binder 3 0 phosphors 5 0 is formed by Paindo the Y 3 ⁇ 4 G d, L u, S c 3 ⁇ 4 G a, the other oxide hydroxides I n 3 ⁇ 4 B by more than A 1 O 0 H
  • Two or more layers are formed on the same light emitting element 60 by combining an inorganic binder 30 in which 50 is bound and an inorganic binder 30 in which phosphor 50 is bound by A1 OOH. You may let it.
  • the method of forming inorganic binder 30 by spraying means in the present embodiment it is also possible to control the thickness of the two layers, so that inorganic binder 30 having the same shape can be easily formed. .
  • the phosphor 50 may be included in both the two layers, may be included in only one layer, or may not be included in both the two layers.
  • the light extraction efficiency is increased depending on the refractive index of the inorganic binder 3.0.
  • the inorganic binder 30 composed of one layer
  • a sharp change in the refractive index occurs at the interface between the inorganic binder 30 and the outside air or the nitride semiconductor light emitting element, and the interface is taken out from the light emitting element 60 at this interface. Since part of the reflected light can occur, the light extraction efficiency tends to be reduced.
  • an inorganic binder 30 in which AIOOH and Y ⁇ H are mixed may be formed to adjust the linear expansion coefficient and the refractive index.
  • the inorganic binder 30 formed by binding the phosphor 50 with A 1 ⁇ H thus formed is an inorganic material, unlike the conventional case where only epoxy resin is used for sealing, and therefore, the ultraviolet light is not applied to the binder. Deterioration is extremely small compared to epoxy resin, and it can be used in combination with a light-emitting element that emits ultraviolet light or a high-power light-emitting element.
  • Oxide hydroxide yttrium YOOH ⁇ x H 2 0, oxidation of yttrium can be represented respectively by the chemical formula such as Upsilon 2 ⁇ 3 ⁇ x H 2 0.
  • the intermediate forms ⁇ ⁇ ⁇ x CH 3 CO OH ⁇ y H 2 ⁇ or Y 2 ⁇ 3 ⁇ x CH 3 COO ⁇ ⁇ y H 2 ⁇ and then forms yttrium oxide hydroxide or yttrium oxide.
  • Yttria forms a stable film even in such a gel state. This is probably because each component has a crosslinked structure and is stabilized.
  • Yttria has a property of hardly forming a crystal structure as compared with alumina. As described above, even if it has an amorphous structure without crystallinity, it is a stable compound, and Y does not change its valence even if it is trivalent. In other words, there is a feature that the oxidation-reduction reaction hardly occurs and there is no color deterioration.
  • the inorganic binder 30 is formed in the same manner as in the case of the above alumina.
  • the sol used as the binder of the phosphor may be a commercially available inorganic adhesive, a ceramic binder, or the like.
  • the material that can be used as the binder is not limited to oxide hydroxides containing A1 and Y elements, such as alumina nitride, and hydroxides and oxides of other Group IIIA and Group II elements. , Hydroxide and the like can be used. It is desirable that the selected metal element does not change its valence. In particular, trivalent and stable metal elements are preferable. It is also desirable that it be colorless and transparent.
  • a metal compound containing a metal element such as Gd, Lu, Sc, Ga, In in addition to A1 and Y can be used, and preferably Sc and Lu can be used.
  • a composite oxide or a composite oxide hydroxide obtained by combining a plurality of these elements may be used.
  • the inorganic binder 30 having a constant valence, preferably a trivalent oxidized hydroxide gel, obtained in the embodiment of the present invention can be a stable inorganic binder 30 having high light extraction efficiency.
  • a stable inorganic binder layer or inorganic binder film with little change over time can be obtained.
  • the resin 40 covers the surface of the inorganic binder 30. This coating forms a resin 40 layer on the surface of the inorganic binder 30 layer.
  • the inorganic binder 30 may be coated by filling the resin 40 into the base 20 having the concave portion 20a.
  • various coating methods can be adopted, as long as the inorganic binder 30 is impregnated with the resin 40. Impregnation refers to impregnating the resin 40 into the inorganic binder 30. If the viscosity of the resin 40 before curing is too high, the resin does not flow and a uniform film cannot be formed.
  • the viscosity of the resin 40 before curing is too low, the resin stays in the recessed portion and the resin does not remain in the convex portion, so that a uniform film cannot be formed. Therefore, it is preferable to use a resin having a predetermined viscosity.
  • the resin 40 preferably has a layered structure. With the layer structure, it is possible to improve the efficiency of extracting light emitted from the light emitting element 60, control the directivity, and the like. Further, heat generated from the light emitting element 60 can be easily released to the outside without being stored in the resin 40.
  • the resin 40 is preferably in a gel state.
  • the gel can relieve the stress generated by thermal expansion, so that the wire 121 extending from the light emitting element 60 can be prevented from being cut.
  • the resin 40 may be an oily resin.
  • the surface of the resin 40 coated with the inorganic binder 30 is smooth.
  • the surface of the inorganic binder 30 is formed with granular irregularities, the surface area of the resin 40 is increased, and the adhesion at the interface between the resin 40 and the inorganic binder 30 is increased. Has the effect of
  • Resin 40 has a gas content of 3% by volume or less under normal pressure. It is preferably at most 1% by volume, more preferably at most 0.01%.
  • the void 31 of the inorganic binder 30 contains gas such as air. This gas is released to the outside when the resin 40 is impregnated. At this time, since the surface of the inorganic binder 30 is coated with the resin 40, the gas in the void 31 may be dissolved in the resin 40 in some cases. By dissolving the gas in the resin 40, the gas is contained in the resin 40.
  • the gas contained in the resin 40 thermally expands due to heat generated by driving the light emitting element 60. Bubbles may be generated in the resin 40 due to thermal expansion. The light emitted from the light emitting element 60 is reflected by the air bubbles, which may lower the light extraction efficiency. Therefore, the amount of gas contained in the resin 40 is preferably as small as possible.
  • the material of the resin 40 penetrates into the inorganic binder 30 and preferably has excellent heat resistance, light resistance, and weather resistance.
  • the resin 40 needs to be a heat-resistant resin that can withstand the temperature, since the heat generated from the light emitting element 60 is extremely high as 120 t: or more. Further, the resin 40 needs to be a light-resistant resin because light having high emission intensity such as blue light or ultraviolet light is irradiated and transmitted. On the other hand, resins having low water absorption and low moisture absorption are preferred.
  • Examples of the organic resin material to be impregnated in the inorganic piner 30 layer to which the phosphor 50 is fixed include silicone resin, acrylic resin, and epoxy resin.
  • a silicone resin is preferable.
  • Silicone resin has chemically stable properties such as heat resistance, weather resistance, and light resistance.
  • the composition of the silicone resin has a Si-0-Si skeleton.
  • the Si— ⁇ siloxane bond is stable because of its high binding energy, and is excellent in transparency to light in the visible to ultraviolet range. Therefore, it is considered that the resin 40 itself does not absorb these lights, and thus is hardly deteriorated.
  • some silicone resins have a low surface tension and a low viscosity, and have good permeability, and penetrate evenly into the details of the inorganic binder 30.
  • Silicone resins include addition-curable, UV-curable, $ bind-reaction, and UV-cationic-polymerizable types, with the addition-curable type being preferred.
  • the resin has almost no volatile components and hardly undergoes volume shrinkage after thermosetting. Since volume shrinkage does not occur, cracks caused by volume shrinkage do not occur. Also, no separation occurs at the interface between the resin 40 and the inorganic binder 30. Since resin 40 has almost no volatile components, • Even when used in a hermetically sealed base, there is no fear of breakage of the base due to an increase in internal pressure due to heat generation of the light emitting element 60. It is preferable that the resin 40 after curing has a resin state of a soft gel or a rubber having a lower hardness than a hard resin. When the resin 40 exists in a soft state, stress on the resin 40 and external pressure due to heat and impact are alleviated, and the flexibility of the resin 40 increases.
  • the resin 40 a silicone resin having a dialkyl siloxane skeleton before or after molding can be used.
  • the silicone resin is crosslinked to have a gel-like or rubber-like structure.
  • the resin 40 preferably has dimethylsiloxane in the main chain before molding.
  • dimethylsiloxane not limited to dimethylsiloxane, but phenyl-methylsiloxane can also be used.
  • the inorganic piner 30 is not completely oxide crystal or polycrystal, but is kept in a porous gel state.
  • the UV-curable resin 40 Since the UV-curable resin 40 has an organic functional group that absorbs UV light, the resin 40 absorbs excitation light and emitted light, so that light extraction is reduced.
  • the filler (not shown) is a filler, and barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide (alumina), yttrium oxide (yttria), silicon oxide, calcium carbonate, and other hydroxide oxides can be used.
  • a colorless oxide hydroxide containing at least one element selected from the group consisting of at least Ga, Ti, Ge, P, B, Zr, Y or an alkaline earth metal, or at least Si A having fillers having higher thermal conductivity than oxides containing one or more elements selected from the group of A, Ga, Ti, Ge, P, B, Zr, Y or alkaline earth metals. Is also good.
  • a filler include metal powders such as alumina and Ag when the light emitting element 60 is die-bonded by forming an adhesive layer with the inorganic binder 30.
  • the inorganic binder 30 may contain a light stabilizing material, a coloring agent, an ultraviolet absorber, and the like.
  • the inorganic binder 30 is formed of a slurry solution.
  • the slurry solution is composed of an amorphous metal oxide, a particulate metal oxide, and a metal hydroxide as a main component, and is further converted into a sol solution in which the amorphous metal oxide and the particulate metal oxide are uniformly dispersed in water. It is prepared by mixing the phosphor 50 and the filler. It is preferable that the weight ratio between the effective solid component in the sol solution and the phosphor 50 or the weight ratio between the effective solid component in the sol solution, the phosphor 50 and the mixture of the filler is 0.05 to 30. For example, adjust the ratio from 90 g of phosphor to 20 g of sol solution with 15% effective solid component concentration to 4.5 g of phosphor with 600 g of sol solution with 15% effective solid component concentration.
  • the light emitting element 60 is not limited to a device capable of emitting visible light, but may be a device capable of emitting ultraviolet light. Further, the light emitting element 60 can be used in combination with the phosphor 50. That is, the light emitted by the light emitting element 60 can be irradiated on the phosphor 50 to excite the phosphor 50 and emit light different from the light emitting element 60.
  • the light emitting element 60 is a semiconductor such as GaAs, InP, GaAlAs, InGaA1P, InN, A1N, GaN, InGaN, A1GaN, InGaA IN, etc. Is formed as a light emitting layer.
  • Examples of the semiconductor structure include a homo structure, a hetero structure, and a double hetero structure having a MIS junction, a PIN junction, a PN junction, and the like.
  • Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and the degree of mixed crystal thereof.
  • a single quantum well structure or a multiple quantum well structure in which the semiconductor active layer is formed in a thin film in which a quantum effect occurs can be used.
  • a gallium nitride-based compound semiconductor is used for the light emitting element 60
  • a material such as sapphire, spinel, SiC, Si, Zn ⁇ , or GaN is suitably used for the semiconductor substrate.
  • a sapphire substrate is more preferably used.
  • a buffer layer such as GaN or A 1 N is formed, and a gallium nitride semiconductor having a PN junction is formed thereon.
  • a GaN single crystal itself selectively grown on a sapphire substrate using Si 2 as a mask can be used as the substrate.
  • the light emitting element and the sapphire substrate can be separated by etching and removing Si 2 after the formation of each semiconductor layer.
  • Gallium nitride-based compound semiconductors exhibit n-type conductivity without doping impurities.
  • a desired n-type gallium nitride semiconductor is formed, for example, to improve luminous efficiency, it is preferable to appropriately introduce Si, Ge, Se, Te, C, or the like as an n-type dopant.
  • p-type dopants such as Zn, Mg, Be, Ca, Sr, and Ba are dropped.
  • Gallium nitride-based compound semiconductors are difficult to become p-type by doping with only p-type dopants, so after introducing the p-type dopant, it can be turned into p-type by annealing in a furnace, low-speed electron beam irradiation, plasma irradiation, etc. preferable.
  • the specific layer structure of the light-emitting element is as follows: a n-type contact layer, which is a gallium nitride semiconductor, aluminum nitride, on a sapphire substrate or silicon carbide having a buffer layer formed of gallium nitride, aluminum nitride, or the like at a low temperature.
  • a laminate having a stack of metal layers is preferably used.
  • the sputtering method or the vacuum evaporation method is performed on the semiconductor layer.
  • Each electrode having a desired shape is formed using the method described above.
  • a pair of electrodes can be formed using the conductivity of the substrate itself.
  • the formed semiconductor wafer or the like is directly full-cut by a dicing machine in which a blade having a diamond cutting edge rotates, or a groove having a width wider than the cutting edge width is cut (half cut). Crack the wafer.
  • a dicing machine in which a blade having a diamond cutting edge rotates, or a groove having a width wider than the cutting edge width is cut (half cut).
  • an extremely thin scribe line (meridian) is drawn on the semiconductor wafer, for example, in a checkerboard pattern using a scriber with a diamond needle at the tip reciprocating linearly, and then the wafer is split by an external force into chips from the semiconductor wafer. To cut.
  • the light emitting device 60 that is a nitride-based compound semiconductor can be formed.
  • the main emission wavelength of the light emitting element 60 is preferably 350 nm or more and 5300 nm or less in consideration of the complementary color with the phosphor.
  • the light-emitting element 60 includes, in addition to a semiconductor light-emitting element, an element for obtaining light emission from vacuum discharge or heat emission.
  • ultraviolet light by vacuum discharge can be used as the light emitting element.
  • a light-emitting element having a wavelength of 55 nm or less, preferably 460 nm or less, more preferably 410 nm or less is used as a light-emitting element, but is not limited thereto.
  • the embodiments of the present invention have high durability, there is an advantage that a high power output light emitting device can be used.
  • the light-emitting element 60 is, for example, a first n-type GaN layer in which Si is undoped or in which Si concentration is low, Si is doped or Si concentration is reduced through a GaN buffer layer on a sapphire substrate.
  • N-type contact layer made of n-type GaN higher than the first n-type GaN layer, ground or second GaN layer having a lower Si concentration than the n-type contact layer, multiple Light emitting layer with quantum well structure (Quantum well structure with GaN barrier layer In GaN well layer), ⁇ cladding composed of p-type GaN with ⁇ -type GaN doped with Mg Layer, consisting of Mg-doped p-type GaN! ) -Type contact layers are sequentially laminated, and the electrodes are formed as follows. However, a light emitting element different from this configuration can be used.
  • the P ohmic electrode is formed on almost the entire surface of the p-type contact layer, and a P pad electrode is formed on a part of the P ohmic electrode.
  • the n-electrode is formed on the exposed portion by removing the first GaN layer from the p-type contact layer by etching to expose a part of the n-type contact layer.
  • a light emitting layer having a multiple quantum well structure is used.
  • the present invention is not limited to this.
  • a single quantum well structure or a multiple quantum well structure using InGaN may be used, or GaN doped with Si or Zn may be used.
  • the main emission peak can be changed in the range of 420 nm to 490 nm by changing the content of In.
  • the emission wavelength is not limited to the above range, and a wavelength having an emission wavelength of 360 nm to 550 nm can be used.
  • the light emitting device of the present invention is applied to an ultraviolet LED light emitting device, the absorption and conversion efficiency of excitation light can be increased, and transmitted ultraviolet light can be reduced.
  • the phosphor 50 converts visible light or ultraviolet light emitted from the light emitting element 60 into an emission wavelength different from that of the light emitting element 60.
  • the light is excited by light emitted from the semiconductor light emitting layer of the light emitting element 60 to emit light.
  • Preferable phosphors include rare earth garnet phosphors activated with at least Ce, for example, yttrium aluminum garnet (hereinafter referred to as “YAG”) phosphors, alkaline earth silicon nitride phosphors, and the like. Oxynitride-based phosphors such as ride-based phosphors and alkaline earth silicon oxynitride phosphors can be used.
  • a phosphor that is excited by ultraviolet light and generates light of a predetermined color is used as the phosphor 50. Specifically, the following can be used.
  • M 2 S i 0 4 Eu (where, M has the S r, C a, B a , one alkaline earth metal even without least selected from Mg.)
  • a YAG-based phosphor which is a rare earth aluminate represented by (Y, Gd) 3 (A 1, Ga) 5 O 12: Ce or the like which emits light in a yellow region can be used.
  • the light emitting element 60 and the light emitted by the phosphor 50 have a complementary color relationship or the like, white light can be emitted by mixing the respective lights.
  • the light emitting element 60 and the phosphor 50 that emit white light specifically, the light from the light emitting element 60 and the light of the phosphor 50 that emits light when excited by the light are three primary colors (red , Green, and blue), blue light emitted by the light emitting element 60, and yellow light of the phosphor 50 excited and emitted by the light.
  • the emission color of the light-emitting device 601 is the ratio of the phosphor 50 to the inorganic binder such as a resin or glass that works as a binder for the phosphor 50, a filler, etc., the sedimentation time of the phosphor 50, the shape of the phosphor.
  • Various white tones, such as a bulb color can be provided by variously adjusting the color and the like and selecting the emission wavelength of the LED chip. It is preferable that the light from the light emitting element 60 and the light from the phosphor 50 pass through the mold member efficiently outside the light emitting device 601.
  • a YAG-based phosphor bound with copper sulphide dozinc zinc / cerium is included.
  • the phosphor 50 may be a mixture of two or more phosphors. That is, Al, Ga, Y, La, Lu, Tb,?
  • the wavelength components of RGB can be increased by mixing two or more (RehSm 3 (A 1.- y Ga y ) 5O.2: Ce phosphors with different contents of 1 "and 001 ⁇ 3 m.
  • it is possible to increase the reddish component by using a nitride phosphor having yellow to red light emission or the like, thereby realizing a lighting / bulb color light emitting device having a high average color rendering index Ra.
  • the phosphor 50 can be dispersed and dispersed uniformly in the inorganic binder 30.
  • the phosphor 50 in the inorganic binder 30 sinks or floats by its own weight.
  • Two or more kinds of the phosphors 50 formed as described above may be present in the single-layer inorganic binder 30 on the surface of the light-emitting device 601 or may be included in the two-layer inorganic binder 30 respectively. Types or two or more types may exist. Further, one kind or two or more kinds of phosphors 50 may be present in the resin 40. In this way, white light is obtained by mixing colors of light from different phosphors 50. In this case, it is preferable that the average particle diameters and shapes of the respective phosphors 50 are similar in order to better mix light emitted from the respective phosphors 50 and reduce color unevenness. In addition, the inorganic binder 30 can be formed in consideration of the sedimentation characteristics depending on the shape.
  • Examples of a method for forming the inorganic binder 30 that is not easily affected by the sedimentation characteristics include a spray method, a screen printing method, and a potting method.
  • the inorganic binder has an effective solid content of 1 to 80%, and can adjust the viscosity over a wide range from lcps to 5000 cps.- The thixotropic property can be adjusted. It can also respond to the formation method.
  • the weight ratio of the filler to the inorganic pinder is preferably in the range of 0.05 to 30, and the binding strength is increased by adjusting the blending amount and particle size of the filler.
  • the phosphor used in the present embodiment is a combination of a YAG phosphor and a phosphor capable of emitting red light, particularly a nitride phosphor such as an alkaline earth silicon nitride phosphor. Can also be used. These YAG-based phosphors and phosphors may be mixed and contained in the inorganic binder, or may be contained separately in the inorganic binder composed of a plurality of layers.
  • the YAG-based phosphor used in the present embodiment refers to at least one element containing Y and A1, and selected from Lu, Sc, La, Gd, Tb, Pr, Eu and Sm.
  • two or more kinds of yttrium / aluminum oxide-based phosphors having different compositions, which are enclosed by cerium, Tb or Pr, are also used.
  • a desired white light emission color display can be performed by mixing and displaying more yellow light and more green light and more red light.
  • the light emitting device mixes the phosphor powder or the pearl with various resins such as an epoxy resin, an acrylic resin, or a silicone resin, or in a translucent inorganic material such as the inorganic binder according to the present embodiment. It can also be contained.
  • the phosphor-containing material can be variously used depending on the application, such as a dot-like material or a layer-like material which is formed thin enough to transmit light from the light-emitting element.
  • a dot-like material or a layer-like material which is formed thin enough to transmit light from the light-emitting element.
  • a light emitting device capable of emitting light efficiently can be obtained. That is, on a light emitting element having a reflecting member, a color conversion member containing a fluorescent substance having an absorption wavelength on the long wavelength side and capable of emitting light at a long wavelength, that is, an inorganic binder containing the fluorescent substance as a filler, There is an absorption wavelength on the longer wavelength side, and the reflected light can be used effectively by laminating a color conversion member capable of emitting light of a longer wavelength.
  • the YAG-based phosphor capable of emitting green light which is a yttrium aluminum oxide-based phosphor used in the present embodiment, is strong against heat, light, and moisture because of its garnet structure.
  • the peak wavelength of the excitation absorption spectrum can be set to around 420 to 470 nm.
  • the emission peak wavelength ⁇ p is around 501 nm, and has a broad emission spectrum with a tail extending to around 700 nm.
  • a YAG phosphor capable of emitting red light which is a yttrium / aluminum oxide phosphor bound with cerium, has a garnet structure, is resistant to heat, light and moisture, and has an excitation absorption spectrum.
  • the peak wavelength can be around 420 nm to 470 nm. It also has a light emission spectrum with a peak emission wavelength ⁇ p near 600 nm and a tail extending to around 750 nm.
  • the emission spectrum shifts to the shorter wavelength side, and a part of Y in the composition
  • Substitution with Gd and / or La shifts the emission spectrum to the longer wavelength side.
  • the emission color can be continuously adjusted. Therefore, there is an ideal condition for conversion to white light emission using blue light emission of an equal nitride semiconductor in which the intensity on the long wavelength side can be continuously changed by the composition ratio of Gd. If the substitution of Y is less than 20%, the green component is large and the red component is small, and if it is 80% or more, the luminance decreases rapidly although the red component increases.
  • the excitation absorption spectrum by exchanging part of A1 with Ga in the composition of the YA-based phosphor having a ganet structure, the excitation absorption spectrum is shifted to the shorter wavelength side.
  • the peak wavelength of the excitation absorption spectrum of the YAG-based phosphor is preferably shorter than the peak wavelength of the light emission spectrum of the light emitting device.
  • Such phosphors can be converted to oxides as raw materials for Y, Gd, Tb, Pr, Ce, La, Lu, Al, Sm, and Ga, or easily converted to oxides at high temperatures. And using them in a stoichiometric ratio to obtain raw materials. Or Y, Gd, Ce, La, L u, A, and co-precipitated oxide obtained by calcining a solution obtained by dissolving a rare earth element of Sm in an acid at a stoichiometric ratio with oxalic acid, and mixing and mixing aluminum oxide and gallium oxide Get the raw materials.
  • a phosphor in which a mixture of a mixed raw material obtained by mixing the raw materials of the phosphor and a flux is carried out in the atmosphere or a weakly reducing atmosphere is provided; The firing is preferably performed in two stages, including a second firing step performed in an atmosphere.
  • the weak reducing atmosphere refers to a weak reducing atmosphere that is set so as to include at least an amount of oxygen required in a reaction process for forming a desired phosphor from the mixed raw material.
  • the reducing atmosphere in the second firing step refers to a reducing atmosphere that is stronger than a weak reducing atmosphere.
  • the yttrium / aluminum oxide-based phosphors which are bounded by two or more kinds of cells having different compositions may be used as a mixture or may be independently arranged.
  • the phosphors are arranged independently of each other, it is preferable to arrange the phosphors that absorb light from the light emitting element on the shorter wavelength side more easily and emit light on the longer wavelength side more easily. This allows efficient absorption and emission of light.
  • the phosphor used in the present embodiment in addition to the yttrium / aluminum / oxide-based phosphors added with the above-mentioned cerium, Eu or a rare earth having an emission wavelength of yellow red to red is added.
  • An alkaline earth nitride-based phosphor is preferably used.
  • the phosphor is excited and emits light by absorbing visible light, ultraviolet light emitted from the LED chip, and light emitted from the YAG-based phosphor.
  • the phosphor according to the embodiment of the present invention includes Sr—Ca_Si—N: R, Ca—Si—N: R, Sr—Si—N: R, and Sr—CaS.
  • i-1-1 N R, Ca-S i-1-1 N: R, Sr-S i--1 N: R-based silicon nitride.
  • the basic constituent elements of this phosphor are represented by the general formula L X S i
  • R is a rare earth element that requires Eu, ⁇ is nitrogen, and ⁇ is oxygen.
  • L is S r, C a, or any of S r and C a. 3 1 "and & can change the mixing ratio as desired.
  • Eu rare earth element Pium Eu mainly used is Eu rare earth element Pium Eu.
  • Europium has mainly divalent and trivalent energy levels.
  • Eu 2 + is used as an enclosing agent for the alkaline earth metal-based silicon nitride of the base material.
  • Mn may be used as an additive.
  • the phosphor used in the embodiment of the present invention ((S rxCai-x) 2 S i 5 Ns: E The production method of u) will be described, but the production method is not limited to this.
  • the phosphor contains Mn and ⁇ .
  • a nitride-based phosphor is used as the phosphor that emits reddish light.
  • the above-described YAG-based phosphor and the red-based light are emitted.
  • Such red-emitting phosphor capable of light of a phosphor wavelength emits light when excited by light of 250 nm ⁇ 600 nm, for example, Y 2 0 2 S: Eu , La 2 ⁇ 2 S : Eu, CaS: Eu, SrS: Eu, ZnS: Mn, ZnCdS: Ag, Al, ZnCdS: Cu, Al and the like.
  • BaMgA 11 ( ) 0 17 which emits light in the blue region, is a barium magnesium aluminate-based phosphor with Eu, and emits light in the blue region (Ca, Sr, Ba) 5 (P ⁇ 4 ) 3 C 1: Eu halo-containing calcium halophosphate based phosphor expressed by Eu, emits light in the blue region (Ca, Sr, Ba) 2B5O9C 1: Expressed by Eu that Yu port Piumu with Batch alkaline earth aluminate phosphor, the blue green region emission at (S r, C a, B a) a 1 2 ⁇ 4: Eu, or (S r, C a, B a) 4 A 1 14 ⁇ 25 : Alkaline earth aluminate-based phosphor with Eu-containing Pt, represented by Eu, emits light in the green region (
  • C a, S r) 2 S i 0 4 Yu port represented by E u Al force Li earth magnesium silicate one preparative phosphor Batch with um, emits light in the yellow range (Y, G d) 3 ( A l, Ga) 5 0 12: rare earth aluminate represented by C e, etc.
  • YAG-based phosphor which is a salt
  • (Y, La, Gd, Lu) 2O2 S which emits light in the red region: Eu-based rare earth oxycargugenite-based phosphor represented by Eu
  • the present invention is not limited thereto, and the above-mentioned phosphors and other phosphors can also be used in the inorganic binder of the present invention. Further, a phosphor having a fractured surface that has been subjected to coating deterioration measures may be used.
  • Examples of the above-mentioned phosphors include alkaline earth chloroborate-based phosphors with europium, alkaline earth aluminate phosphors with europium, and lithium earth silicon oxide nitrite with europium.
  • Ride phosphors, YAG phosphors, and palladium europium alkaline earth silicon nitride phosphors, etc. contain B element, improve crystallinity, increase particle size, and adjust crystal shape Is preferred. Thereby, the emission luminance can be improved.
  • These phosphors are also effective as fillers of the phosphor according to the present embodiment.
  • the crystal structure is, for example, C a 2 S i 5 N S is monoclinic, S r 2 S i 5 N 8 , (S r .. 5 Ca 0 .- 5 ) 2 S r 5 N 8 is orthorhombic Ba 2 Si 5 N 8 is monoclinic.
  • the rare earth element contained in R preferably contains at least one of Y, La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, and Lu. Sm, Tm, and Yb may be contained.
  • B, Mn, and the like have an effect of improving brightness, and may be contained.
  • These rare earth elements are In addition, it is mixed with the raw materials in the form of oxides, imides, amides and the like.
  • Rare earth elements mainly have a stable trivalent electron configuration, but Yb, Sm, etc. have divalent, and Ce, Pr, T'b, etc. have a tetravalent electron configuration.
  • the participation of oxygen affects the emission characteristics of the phosphor. That is, the emission luminance may be reduced by containing oxygen in some cases.
  • Mn the particle size can be increased by the flux effect of Mn and ⁇ , and the emission luminance can be improved.
  • rare-earth element pium Eu is preferably used as a luminescent center.
  • basic constituent elements Mn, C a 2 S i 5 Oo which B is added iNr 9:.. Eu, S r 2 S i sOo 1N7 9:.. EU, (C a . x S r i- x) 2 S i 5 Oo iN 7 9:. Eu, C a S i rOo sNg 5:.. Eu, C a 2 S i 5 ⁇ which is further added rare earth. . 5 N 7 9:. E u, S r 2 S i sOo 5N7 7:.. Eu, (C a x S r had x) 2 S i 5 O 0. 1N7 9:. Eu Ru Hitoshigaa.
  • the nitride-based phosphor described above absorbs part of the blue light emitted by the light emitting element and emits light in the yellow to red region.
  • a light emitting device is provided in which blue light emitted by a light emitting element and red light of the phosphor are mixed to emit warm white light.
  • the white light emitting device preferably contains a nitride-based phosphor and a yttrium-aluminum oxide phosphor bound with cerium, which is a rare-earth aluminate phosphor.
  • a warm white light emitting device is provided by combining the phosphor obtained by mixing the yttrium aluminum oxide phosphor and the nitride phosphor together with a binder and the blue light emitted by the light emitting element. can do.
  • This warm white light-emitting device can have an average color rendering index Ra of 75 to 95 and a color temperature of 2000K to 8000K. Particularly preferred are white light emitting devices having a high average color rendering index Ra and having a color temperature on the locus of blackbody radiation in the chromaticity diagram. However, in order to provide a light emitting device having a desired color temperature and an average color rendering index, the compounding amounts of the yttrium, aluminum oxide phosphors and the phosphors, and the composition ratios of the phosphors can be appropriately changed. This warm white light-emitting device is particularly designed to improve the special color rendering index R9.
  • a conventional light-emitting device that emits white light which is a combination of a blue light-emitting element and a yttrium-aluminum oxide phosphor bound with cerium, has a low special color rendering index R9 and lacks a reddish component. Therefore, increasing the special color rendering index R9 had been a problem to be solved. -By doing so, the special color rendering index R9 can be increased to 40-70. In addition, it is possible to manufacture an LED light emitting device that emits light of a bulb color.
  • the base 20 includes a concave portion 20 a for housing the light emitting element 60 and a base portion on which the lead electrode 22 is arranged, and functions as a support for the light emitting element 60. It is preferable that the bottom surface of the recess 20a and the bottom surface of the lead electrode are located substantially on the same plane.
  • the base 20 is preferably made of metal, but may be made of resin in view of workability, productivity and the like.
  • the base 20 can be formed into various shapes such as a substantially square, a substantially rectangular, a substantially circular, and a substantially elliptical shape as viewed from the light extraction surface side.
  • the portion on which the light emitting element 60 is mounted is preferably formed with a concave portion 20a.
  • the base 20 is thin in consideration of heat dissipation and miniaturization. It is preferable to be formed.
  • a base 20 having a plurality of openings may be provided according to the number and size of the light emitting elements 60.
  • the substrate is colored in a dark color system such as black or gray to have a light shielding function, or the light emission observation surface side of the substrate 20 is colored in a dark system.
  • the base 20 may be provided with a mold member which is a light-transmitting protective body in addition to the coating layer. Further, when the base 20 is affected by heat from the light emitting element 60, it is preferable that the base 20 has a small coefficient of thermal expansion in consideration of the adhesion to the mold member.
  • the light emitting element 60 and the base 20 can be bonded to each other with a thermosetting resin or the like.
  • a thermosetting resin or the like include an epoxy resin, an acrylic resin, and an imide resin.
  • the bonding portion between the light-emitting element 60 and the base 20 is formed by the ultraviolet light emitted from the light-emitting element 60.
  • the like are also reflected by the inorganic binder 30 of the sealing member or the phosphor 50 contained therein, so that the density becomes particularly high even in the base 20.
  • a resin containing an ultraviolet absorbent, or more preferably an inorganic substance according to the present invention is used.
  • the light emitting element 60 and the base 20 are bonded to each other by using an inorganic substance according to the present invention, or by using a eutectic solder such as Au-Sn. Even done. Therefore, unlike the case where a resin is used for bonding, the bonded portion does not deteriorate even when the light emitting device 61 using the light emitting element 60 that emits light including ultraviolet rays is used at a high output.
  • an Ag paste, a carbon paste, an ITO paste, a metal bump, or the like is suitably used.
  • the light emitting device 60 1 has positive and negative lead electrodes 22, and is inserted into a through hole provided in a base portion of the metal base 20 via an insulating member 23.
  • the tip of the lead electrode 22 protrudes from the surface of the pace portion, and the bottom surface of the lead electrode 22 is located on substantially the same plane as the bottom surface of the recess on the mounting surface side.
  • the light emitting device 600 has a lid 26 having a translucent window portion 25 and a lid 24 made of a metal portion on the main surface side of the base 20.
  • the window 25 is a light-emitting surface of the light-emitting device 601, and is preferably arranged at the center.
  • the window part 25 is located on the upper surface of the light emitting element 60 arranged in the concave part 20a of the base 20 and has an intersection with an extension of the inner wall of the concave part 20a.
  • the light emitted from the end of the light emitting element 60 is reflected and scattered on the side surface of the concave portion 20a, and is taken out in the front direction.
  • the range of existence of these reflected and scattered light is considered to be substantially within the extension of the side surface of the concave portion 20a. Therefore, by adjusting the area of the window portion 25, which is the light emitting surface, as described above, the reflected scattered light is efficiently condensed on the window portion 25, and the light emission capable of emitting high-intensity light is provided. 'The device 600 is obtained.
  • the window 25 has translucency.
  • the phosphor 25 may be contained in the window 25, and a phosphor 50 film may be attached to the window 25.
  • window portion 25 Various materials such as glass, epoxy resin, and polypropylene can be used for the window portion 25, but glass is preferable from the viewpoint of heat resistance.
  • the lid 26 is provided on the base 20 and hermetically seals. By hermetically sealing, it is possible to prevent moisture from entering the light-emitting device 6.01.
  • the wire 21 is required to have good homogeneity with the electrode of the light emitting element 60, good mechanical connectivity, good electrical conductivity, and good thermal conductivity.
  • wire 2 1 Examples thereof include conductive wires using metals such as gold, copper, platinum, and aluminum and alloys thereof. Such a wire 21 can easily connect the electrode of each light emitting element 60 to the inner lead, the mount lead, and the like by a wire bonding device.
  • FIG. 31 is a schematic plan view of a light-emitting device according to Embodiment 6 of the present invention as described above.
  • FIG. 32 (a) is a schematic cross-sectional view of the same light-emitting device, and FIG. FIG. 4 is a schematic sectional view in which a concave portion of a base is enlarged.
  • FIG. 33 is a schematic diagram showing a part of a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment of the present invention, and
  • FIG. 34 is a schematic diagram showing a part of another manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 35 are schematic views each showing a part of still another manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 34 is a schematic view showing a method of forming the inorganic binder layer 30 or the resin 40 by spraying means
  • FIG. 35 is a schematic view showing the inorganic binder layer 30 or the resin 40 by screen printing means.
  • the method of forming 0 is shown.
  • a method for manufacturing the light emitting device will be described with reference to these drawings. However, the following process is one embodiment, and the present invention is not limited to this.
  • the light emitting element 60 is mounted on the base 20.
  • the base 20 has a recess 20a formed thereon, and the light emitting element 60 is placed in the recess 20a.
  • the light emitting element 60 is die-bonded using an adhesive such as an epoxy resin. After mounting the light emitting element 60, the electrode of the light emitting element 60 and the lead electrode 22 are electrically connected via the wire 21.
  • the light emitting element 60 is covered with the inorganic binder 30. It is preferable that the inorganic binder 30 contains the phosphor 50 in advance. The phosphor 50 is mixed and dispersed uniformly in the inorganic binder 30.
  • the inorganic piner 30 can employ a potting means, a spray atomizing means, a screen printing means, a pouring means and the like, but a potting means or a spray atomizing means is preferable.
  • the inorganic binder 30 covers the entire top and side surfaces of the light emitting element 60. Further, the bottom and side surfaces of the concave portion 20a on which the light emitting element 60 is mounted are covered.
  • the inorganic binder 30 forms a layer structure of a thin film.
  • the third step is performed. Before the curing, the third step may be performed to simultaneously cure the resin 40 and the inorganic binder 30.
  • the light emitting element 60 is coated with the inorganic binder 30 using a screen printing means.
  • a screen plate 97 having a pattern in a desired shape such as a stripe shape, a lattice shape, a concentric shape, a spiral shape, a triangle shape, a dot shape, etc. is prepared.
  • the light emitting element 60 is mounted face down on the conductive member 91 disposed on the upper surface of the submount substrate 92. At this time, a predetermined groove is provided in the submount substrate 92 so that the positive electrode and the negative electrode do not short-circuit.
  • the light emitting element 60 is mounted on the upper surface of the submount substrate 92 via bumps 96. Die bonding. Thereafter, the inorganic binder material 99 containing the phosphor is screen-printed using a squeegee 98. As a result, the light emitting element 60 coated with the inorganic binder 30 having a constant thickness can be formed. Thereafter, the submount substrate 92 is cut along the parting 93. This step is preferably performed in a vacuum, but may be performed in an inert gas atmosphere.
  • the inorganic binder 30 is coated with the resin 40.
  • the resin 40 may contain the phosphor 50 in advance.
  • the resin 40 can employ a potting means, a spray spraying means, a screen printing means, a pouring means, etc., but the potting means or the spray spraying means is preferred.
  • Resin 40 is the surface of inorganic binder 30 Is coated.
  • the resin 40 preferably forms a thin film layer structure.
  • the resin 40 permeates the inorganic binder 30 and fills the voids of the inorganic binder 30 with the resin 40.
  • This step is preferably performed in a vacuum, but may be performed in an inert gas atmosphere.
  • FIG. 33 is a schematic view showing a part of the manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment of the present invention.
  • potting means a known potting means can be used.
  • the sol of 40 is potted on the upper surface of the inorganic piner 30 as the target. At this time, it is preferable that the resin 40 to be potted does not touch the wire 21.
  • the resin 40 is potted from the upper surface of the light emitting element 60, and penetrates into the inorganic binder 30 from the potted portion. At this time, the resin 40 is impregnated into the voids of the inorganic binder 30, and the gas present in the voids escapes from the side surface of the resin 40 that is easily released to the outside.
  • the resin 40 flows slowly around the light emitting element 60. At this time, the resin 40 flows while extruding the gas present in the voids of the inorganic binder 30 around the light emitting element 60 to the outside.
  • the light-emitting element 60 crawls from the peripheral portion to the concave portion 20a side surface. This is due to capillary action. Also at this time, the resin 40 extrudes the substrate in the gap 31 to the outside, and it is possible to prevent gas from entering the resin 40.
  • a resin 40 layer covering the inorganic binder 30 layer can be formed.
  • the resin 40 layer has a substantially uniform film thickness.
  • the surface of the resin 40 layer is smooth.
  • FIG. 34 is a schematic view showing a part of another manufacturing process of the light emitting device according to the present invention.
  • a known spraying means can be used.
  • a stirrer (not shown) is attached to the container that stores the coating liquid, and the coating liquid is constantly stirred during the coating operation.
  • the coating solution contained in the container is constantly stirred by a stirrer, and when the coating solution contains a phosphor, the phosphor contained in the coating solution is always uniformly dispersed in the solution. I have.
  • the valve is transported from the container through the transport tube: The flow rate of the coating solution coming in is adjusted by opening and closing the valve.
  • the circulating pump conveys the coating solution from the container via the valve and the compressor to the tip of the nozzle 70 through the transfer pipe, and then transfers the coating liquid that has not been ejected from the nozzle 70 to the container through the transfer pipe.
  • the coating liquid is conveyed from the container to the tip of the nozzle via the circulating pump via a valve via a valve, and is then conveyed to the container via the conveying tube. is there. Therefore, since the coating solution is agitated or circulated throughout the spray device, the phosphor contained in the coating solution is always in a uniformly dispersed state during the coating operation.
  • the compressor is installed in the apparatus through a transport pipe, compresses air transported through the transport pipe, and regulates the pressure of the coating solution transported through the transport pipe. Compressed air by compressor
  • the gas and pressure-adjusted coating liquid are respectively conveyed to the nozzle 70.
  • the pressure of the compressed air is monitored by a pressure gauge.
  • the coating liquid is ejected at a high speed together with a high-pressure gas to apply the coating liquid to the upper surface, the side surface, and the inner surface of the recess.
  • a device in which the coating liquid and gas (air in this embodiment) are spirally ejected through the nozzle 70 is used.
  • Several outlets of gas are provided around the nozzle of this device, and the direction of the gas ejected from these outlets is set at a certain angle to the surface to be coated. Has been. Therefore, when gas is simultaneously fed into those gas outlets that rotate around the coating liquid outlet, the overall gas flow that collects the gas ejected from each outlet becomes a spiral flow.
  • a coating liquid ejection port is provided at the center of the nozzle of this device, and when the coating liquid is ejected at the same time as the gas is ejected, the atomized coating liquid flows in a spiral flow or air in a tornado. It spreads on the flow of gas that is upside down.
  • the overall diameter of the spray that is spirally diffused increases from the injection start point above the light emitting element toward the surface of the light emitting element.
  • the rotation speed of the spray made of the coating liquid decreases as approaching the surface of the light emitting element from the injection start point above the light emitting element.
  • the spray spreads conically near the nozzle where the spray is started, but spreads cylindrically away from the nozzle. . Therefore, in the present embodiment, it is preferable to adjust the distance from the upper surface of the light emitting element to the lower end of the nozzle so that the surface of the light emitting element comes to a place where the spray is spread in a cylindrical shape.
  • the spray rotates helically and its speed is weakened, so that the spray wraps around the light emitting element surface, which is shaded by the conductive wire, and is sufficiently sprayed not only on the entire light emitting element upper surface but also on the entire side surface.
  • the work can be performed with the light emitting element or the nozzle fixed.
  • the spray is sprayed on the surface of the light-emitting element, the surface of the light-emitting element is impacted by the phosphor particles contained in the area where the spray spreads in a cylindrical shape because the spray speed is reduced. None. Further, the yield and workability are improved without deformation or disconnection of the conductive wire.
  • the light emitting device is heated on a heater at a temperature of 50 ° C. or more and 500 ° C. or less.
  • a method for keeping the light emitting element in a heated state a method of heating the light emitting element in a heating device such as an oven may be used. Heating evaporates a small amount of water and solvent contained in the ethanol and hydrolyzed solution in the sol state, and removes amorphous A 1 (OH) 3 and A 1 ⁇ H from the sol state coating solution. Is obtained.
  • the coating solution does not flow out of the top surface, side surfaces, and corners of the light emitting element, and does not flow out of the sprayed place after being sprayed on the support surface. Is heated immediately after application.
  • the top, side, and corner portions of the light emitting element can be covered with the coating layer in which the phosphor is bound by A100H.
  • the light emitting element 60 in a state where a plurality of bases 20 are arranged, the light emitting element 60 is die-pounded on the base 20, and the electrode of the light emitting element 60 is connected to the lead electrode 22 and the wire by one pound. Then, the light emitting element 60 is covered with the inorganic binder 30, and the resin 40 is sprayed from above the inorganic binder 30.
  • the resin 40 is sprayed from above the mask 80 onto the surface of the inorganic binder 30 in order to prevent the resin 40 from adhering to places other than the predetermined places, for example, other than the inner surface of the recess 20a.
  • the mask 80 is a plate that completely covers the outside of the recess 20a of the base 20 and is provided with a through-hole sized to allow the resin 40 to be sprayed thereon, such as a metal mask or a reinforced plastic mask. There is.
  • the spraying means When the spraying means is used, the resin 40 is sprayed in a granular form, so that the gas present in the void 31 is released to the outside from the gap between the particles. Therefore, the amount of gas dissolved in the resin 40 is reduced, and the gas content in the resin 40 can be reduced.
  • FIG. 36 (a) is an enlarged schematic cross-sectional view of the concave portion of the base of the light emitting device according to Embodiment 7, and FIG. 36 (b) is a perspective view showing the light emitting device.
  • the light-emitting device shown in these figures is, specifically, a shell-type light-emitting device.
  • the light-emitting device 700 includes a light-emitting element 7100, a lead frame (base) 720 on which the light-emitting element 710 is mounted, an inorganic binder 730 that covers the light-emitting element 7100, and an inorganic binder.
  • a phosphor 750 included in 730 a resin 740 covering the inorganic binder 730, and a mold member 760.
  • voids 731 are generated by curing the inorganic binder 730. In the case where it has the same function as described above, the description is omitted.
  • the light-emitting element 7100 composed of the gun-shaped light-emitting device 700 is mounted in a die-pound manner substantially at the center of a concave portion 720a arranged above the mount-lead as a base.
  • the electrodes formed on the light emitting element 710 are conductively connected to the mount lead 720 and the inner lead 720b of the lead frame 720 by a wire 721.
  • the phosphor 750 absorbs at least a part of the light emitted from the light emitting element 710 and emits light having a wavelength different from the absorbed light. Light body. Further, the nitride-based phosphor can be coated with a coating material such as a microphone opening capsule.
  • the phosphor 750 is uniformly dispersed in the inorganic binder 730.
  • the inorganic binder 730 including the phosphor 750 is disposed in the recess where the light emitting element 710 is mounted.
  • the lead frame 720 on which the light emitting element 710 and the phosphor 7500 are arranged as described above protects the light emitting element 710 and the phosphor 7500 from external stress, moisture, dust, and the like.
  • the light emitting device 700 is formed by molding with a mold member 760. A lens or the like is formed by a mold member, and fc is good.
  • the resin 740 covers the inorganic binder 730 and the light emitting element 710 by using a spray atomizing means or a potting means.
  • the resin 740 fills the recess 720 a of the lead frame 720. By making the surface of the resin 740 flat, the directivity can be controlled and the light extraction efficiency can be improved.
  • the mold member 760 is made of a light emitting element 71 1 (conductive wire 72 1) an inorganic binder 730 containing a phosphor 750 and a resin 7, depending on the intended use of the light emitting device 700. It can be provided to protect 40 from the outside or to improve the light extraction efficiency Mold member 760 can be formed using various resins, glass, etc. Mold member 7 6 As a specific material of 0, a transparent resin excellent in weather resistance, such as an epoxy resin, a urine resin, a silicone resin, and a fluororesin, a glass, or the like is preferably used, and a diffusing agent is contained in the mold member. Accordingly, the directivity from the light emitting element 7100 can be reduced and the viewing angle can be increased. Such a mold member 760 may be made of the same material as the resin 740 or as a different material. Good-no.
  • FIG. 37 (a) is a schematic cross-sectional view in which the concave portion of the base of the light emitting device is enlarged
  • FIG. 37 (b) is a perspective view of the light emitting device.
  • the light emitting device is specifically a gun-shaped light emitting device 800.
  • the light-emitting device 800 includes a light-emitting element 8100, a lead frame (base) 820 on which the light-emitting element 810 is mounted, an inorganic binder 230 covering the light-emitting element 8100, A phosphor 850 included in the binder 830, a resin 840 covering the inorganic binder 830, and a cap 826 are provided.
  • voids 831 are generated by the hardening of the inorganic binder 830.
  • the electrode is electrically connected to the lead frame 8 20 by a wire 8 21. In the case where it has the same function as the seventh embodiment, the description is omitted.
  • the light-emitting device 800 is mounted on the lead frame 820 on which the light-emitting element 810 is mounted. Sealed with 826. This sealing is preferably hermetic sealing.
  • a window 825 is provided on the upper surface of the cap 826 to transmit light from the light emitting element 810.
  • the lid 824 supports the window 825.
  • FIG. 38 is a schematic sectional view showing a part of the light emitting device.
  • FIG. 36 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of a light emitting element 60 coated with an inorganic binder 30 and a resin 40 using the screen printing means shown in FIG.
  • the light emitting element 60 is mounted face-down on the sub-mount substrate 92, and the inorganic binder 30 is provided on the surface of the light emitting element 60 using screen printing means.
  • the submount substrate 92 on which the light emitting element 60 is mounted is attached to the light emitting device, and the wire 21 is bonded to the conductive member 91.
  • the inorganic binder 30 is impregnated with a resin 40 by using a potting means or the like.
  • a light emitting device in which the surface of the inorganic binder 30 is impregnated with the resin 40 can be provided.
  • the wire 21 may be bonded.
  • Embodiments 30 and 31 are shell type light emitting devices.
  • FIG. 33 is a schematic view illustrating a part of the manufacturing process of the light emitting devices according to Examples 30 and 31.
  • FIG. 34 is a schematic view showing a part of the manufacturing process of the light emitting device according to Examples 30 and 31.
  • FIG. 37 (a) is a schematic cross-sectional view in which the concave portions of the base bodies of Examples 30 and 31 are enlarged.
  • FIG. 37 (b) is a perspective view showing a light emitting device 800 according to Examples 30 and 31.
  • FIG. 42 is a schematic sectional view showing a light emitting device according to Comparative Example 3.
  • Examples 30 and 31 have the following configurations.
  • As the light emitting element 810 a 0.35 mm square dice having a main emission wavelength at 00 nm was used.
  • the wire 821 used was mainly composed of Au.
  • As the inorganic binder 830 yttrium oxide sol (yttrium oxide sol manufactured by Taki Kagaku) was used.
  • Resin 840 is silicone resin for impregnation (product name: KJF 816, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) in Example 30, and silicone resin for impregnation (product name: KJ F816L, Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) Made by the company).
  • the basic physical properties of the silicone resin for impregnation in Example 30 are: viscosity 100 (mm sec), specific gravity (25 ° C) 0.97, volatile matter (105: / 3 hours) 0.5, cured state is rubber-like film
  • the hardness (force C) is 60.
  • the basic physical properties of the silicone resin for impregnation of Example 31 are: viscosity 60 (mm sec), specific gravity (25 ° C) 0.97, volatile matter (105 3 hours) 0.5, cured state is rubber-like
  • the film has a hardness (Aussie force C) of 60.
  • the light emitting element 810 was mounted on a lead frame (base) 820.
  • the lead frame 820 has a concave portion 820a having a wide opening, and the light emitting element 810 is mounted on the bottom surface of the concave portion 820a.
  • Die bonding was performed so that the substrate side of the light emitting element 810 was in contact with the bottom surface of the concave portion 820a.
  • the light emitting element 810 was die-bonded using an adhesive such as eutectic solder such as Au-Sn. After mounting the light emitting element 810, the electrode of the light emitting element 810 and the lead electrode were electrically connected via the wire 821.
  • a predetermined amount of the phosphor 850 was charged into a predetermined amount of the inorganic binder 830, and mixed uniformly. More specifically, 10 g of each of the yttrium oxide sol and the YAG phosphor was placed in a 100 ml beaker, and 50% by weight of ethanol was added to the yttriazol oxide and mixed well with stirring to obtain a phosphor / sol slurry.
  • the inorganic binder 830 is spray-sprayed on the light emitting element 810 mounted on the lead frame 820 by using a spray spraying means, and the inorganic binder 830 is fixed.
  • the inorganic binder 830 By fixing the inorganic binder 830 by using a spraying means, the top and side surfaces of the light emitting element 8100 and the bottom and side surfaces of the concave portion 8200a of the lead frame 820 have substantially uniform thickness. Thus, the inorganic binder 830 layer can be formed.
  • a mask 80 was provided and sprayed so as to prevent the inorganic binder 830 from sticking to a place other than a predetermined place. After fixing the inorganic piner 830 by spraying, it was thermally cured for about 240 t for 30 minutes.
  • a resin 840 was potted on the surface of the inorganic binder 840 layer using a potting tool.
  • the potting of the resin 840 was carried out by dropping it almost directly above the light emitting element 810 and almost at the center of the inorganic binder 830 layer.
  • the resin 840 quickly permeates from the center of the surface of the inorganic binder 830 layer and spreads toward the outer peripheral portion, thereby filling the voids inside the inorganic binder 830.
  • the entire surface of the inorganic binder 830 layer was coated with a resin 840 until the surface was lustrous.
  • the rise of the resin 840 on the surface of the inorganic binder layer 830 on the side surface of the concave portion of the lead frame 820 is caused by the capillary phenomenon.
  • a uniform and thin resin layer 840 was formed on the surface of the inorganic binder 840 layer.
  • the lead frame 820 was sealed with a cap 826 in a nitrogen gas atmosphere.
  • the inside of the cap 826 is filled with nitrogen gas.
  • a recess 820a of the lead frame 820 is arranged below the window 825 of the cap 826.
  • FIG. 39 is a graph showing the results of the durability tests of the light emitting devices of Examples 30 and 31 and Comparative Example 3.
  • the light-emitting element 8100 was not covered with the inorganic binder 830 and the resin 840, and only the light-emitting element 810 was placed in the recess 820a of the lead frame 820. Have been. Other than that, it is the same as Example 30.
  • the light emitting devices of Examples 30 and 31 were put into a driving test at room temperature and at 100 mA. Assuming that the output at 0 hours immediately after the injection was 100%, the outputs at 100 hours, 200 hours, 350 hours, 50,000 hours, and 700 hours later were measured. As a result, in each of the light emitting devices of Examples 30 and 31 and Comparative Example 3, high output was maintained even after elapse of 700 hours.
  • FIG. 40 is a graph showing the results of the light extraction efficiency of the light emitting devices of Examples 30 and 31 and Comparative Example 4.
  • FIG. 42 is a schematic sectional view showing the light emitting device of Comparative Example 4.
  • the inorganic binder was not coated with the resin, and only the inorganic binder 330 was used.
  • the inorganic binder 330 of Comparative Example 4 the same YAG phosphor 850 as that of Example 30 was used.
  • the upper surface of the light emitting element 310 is covered with the inorganic binder 330.
  • This inorganic binder 330 contains many voids 331.
  • Example 30 A predetermined current was applied to the light emitting devices of Examples 30 and 31 and Comparative Example 4, and the light output was measured. As a result, it was found that the light extraction efficiency of Example 30 was 1.91 times higher than that of Comparative Example 4. In Example 31, improvement in light extraction efficiency was found to be 1.75 times that in Comparative Example 4. This is presumably because the voids 331 included in the inorganic binder layer 330 of Comparative Example 4 reflected light from the light emitting element 310. In other words, the air gap 331 contains air such as nitrogen, and the difference in the refractive index between the inorganic binder 330 and air causes reflection at the interface between the air and the inorganic binder 330. It is. Thus, the light emitting devices of Examples 30 and 31 can provide light emitting devices with high durability and high light extraction efficiency. (Measurement result of infrared spectroscopy spectrum)
  • the infrared spectroscopy spectrum of the silicone resin for impregnation of Example 30 was measured.
  • the infrared spectrum of the silicone resin of Comparative Example 5 was measured.
  • FIG. 41 is a diagram showing an infrared spectrum of the coating of Example 30.
  • FIG. 43 is a diagram showing an infrared spectrum of the coating of Comparative Example 5.
  • This infrared spectroscopy spectrum is the result of measurement using Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR).
  • FT-IR Fourier transform infrared spectroscopy
  • Nexus 870 ⁇ main body> and Continuum ⁇ microscope> both manufactured by Nireco Japan Co., Ltd.
  • the light emitting device using the silicone resin for impregnation of Example 30 is superior to the light emitting device using the silicone resin of Comparative Example 5 in light extraction efficiency, heat resistance, durability, and the like.
  • promotion of resin degradation is also suppressed. This is attributed to the fact that the ratio of C-Si-O bonds is lower than the ratio of Si- ⁇ -Si bonds. In other words, if the ratio of C—Si—O bonds is small, a three-dimensional network bond having a low crosslink density is formed, and a rubber-like or gel-like resin film having relatively high flexibility can be formed. Conceivable.
  • the use of a rubber-like film or gel promotes relaxation of internal stress and prevents peeling due to thermal expansion.
  • the coating of Comparative Example 5 had an intensity ratio of C—Si 10 bond to Si—O—Si bond in the resin composition of 1.16 / 1. In contrast, that of the coating of Example 30 is 2.2 1/1.
  • the silicone resin of Comparative Example 5 is a general silicone resin.
  • Example 32 is a gun-type light emitting device.
  • FIG. 35 is a schematic view showing a part of the manufacturing process of the light emitting device according to Example 32.
  • FIG. 38 is a schematic sectional view showing a part of the light emitting device according to Embodiment 9 of the present invention.
  • FIG. 35 is a schematic cross-sectional view in a step of covering the light emitting element 60 with the phosphor-containing inorganic binder material 99 using the screen printing means shown in FIG.
  • FIG. 38 a schematic cross-sectional view around the light-emitting element 60 when the inorganic binder 30 is coated on the light-emitting element 60 and the surface of the inorganic binder 30 is impregnated with the resin 40. It is.
  • Example 32 has substantially the same configuration except that the mounting state of the light emitting element 810 of Examples 30 and 31 is different.
  • Fig. 37 (a) and b) are perspective views showing the light emitting devices of Examples 30 and 31. Although the reference numerals are different from those of Example 32, the same configuration as that of Example 32 is shown. I have. Hereinafter, a description will be given of a portion of the embodiment 32 mainly different from the embodiments 30 and 31.
  • alumina sol (trade name: A1_520) manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd. is used. By treating this alumina sol with an ion exchange resin, the concentration of the nitrate ion as a stabilizer can be reduced. To 10 g of this alumina sol, 20 g of (Y0.sG do. 2 ) 3A15O12: Ce YAG phosphor is added, and the mixture is sufficiently mixed and stirred. Using the phosphor paste thus adjusted, a phosphor layer is formed on a dice wafer by screen printing using screen printing means.
  • Resin 40 is made of a silicone resin for impregnation (trade name: KJF 816, Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) or a silicone resin for impregnation (trade name: KJF 816 L, Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) Power
  • the light emitting element 60 of the embodiment 32 is mounted face down on the upper surface of the submount substrate 92.
  • An inorganic binder 30 is provided on the surface of the light emitting element 60 mounted face down using screen printing means.
  • the submount substrate 92 on which the light emitting element 60 is mounted is electrically connected via the conductive member 91 and the bumps 96, and is bonded by wires 21 via the submount substrate 92. Have been.
  • the surface of the inorganic binder 30 is impregnated with the resin 40.
  • the surface of the inorganic binder 30 after impregnation with the resin 40 is glossy.
  • the conductive member 91 is placed on the surface of the submount substrate 92, and The conductive pattern has an insulating portion 94 for separating the negative electrode from the negative electrode.
  • the material of the submount substrate 92 has substantially the same thermal expansion coefficient as that of the semiconductor light emitting device, and is preferably, for example, aluminum nitride for the nitride semiconductor light emitting device. By using such a material, thermal stress generated between the submount substrate 92 and the light emitting element 60 can be reduced.
  • the material of the submount substrate 92 can be formed as a protective element having a P-type semiconductor region and an n-type semiconductor region, and is preferably silicon which has relatively good heat dissipation and is inexpensive.
  • the conductive member 91 use silver, gold, or aluminum having high reflectance.
  • an underfill material 95 is arranged around the insulating portion 94 of the submount substrate 92.
  • the underfill material 95 is a thermosetting resin such as a silicone resin or an epoxy resin.
  • aluminum nitride, aluminum oxide, a composite mixture thereof, or the like may be further mixed into the epoxy resin.
  • the amount of underfill is an amount that can fill a gap generated between the positive and negative electrodes of the light emitting element and the submount substrate 92.
  • the positive and negative electrodes of the light emitting element 60 are opposed to the positive and negative electrodes of the conductive pattern provided on the submount substrate 92, respectively, and bonded and fixed by bumps 96.
  • the submount is a protection element
  • the positive electrode and the negative electrode of the light emitting element are connected to the n-type semiconductor region and the p-type semiconductor region of the protection element, respectively.
  • bumps 96 which are conductive members, are formed on both the positive and negative electrodes of the light emitting element 60. Note that bumps 96 may be formed on both the positive and negative electrodes of the conductive pattern of the submount substrate 92.
  • the positive and negative electrodes of the light emitting element 60 are connected via the bumps 96 to the positive and negative electrodes of the conductive pattern. Is opposed.
  • the positive and negative electrodes of the light emitting element, the bumps 96 and the conductive pattern are thermocompression-bonded by load, heat and ultrasonic waves. At this time, underfill between the bump 96 and the positive and negative electrodes of the conductive pattern is eliminated, and conduction between the electrode of the light emitting element and the conductive pattern is achieved.
  • the material of the bump 96 as the conductive member is, for example, Au, eutectic solder (Au—Sn) 3 ⁇ 4Pb- Sn3 ⁇ 4lead- free solder, or the like.
  • the screen plate 97 is arranged from the substrate side of the light emitting element 60. In place of the screen plate 97, a metal mask may be disposed at a position where the inorganic binder containing the phosphor is not formed, such as a conductive wire pole bonding position or a parting line forming position.
  • a material in which a phosphor is contained in an alumina sol having thixotropic properties is prepared, and screen printing is performed using a squeegee (spatula) 98.
  • the material containing the phosphor is cured, and the light is applied to each light emitting element along the parting line, whereby the light emitting element 60 having the inorganic binder material containing the phosphor is completed.
  • the light emitting element 60 is fixed to the bottom of the concave portion of the package using an Ag paste as an adhesive, and a lead electrode partially exposed to the bottom of the concave portion by a conductive wire and a conductive pattern provided on the submount substrate.
  • a lead electrode partially exposed to the bottom of the concave portion by a conductive wire and a conductive pattern provided on the submount substrate.
  • the lens for controlling the light distribution of the light emitting device and the heat radiation of the light emitting element are improved, and the bottom of the concave portion for mounting the light emitting element is partially formed.
  • Those having a metal substrate to be formed can also be used.
  • a mold member such as a silicone resin in a gap between the lower surface of the lens and the inner wall surface of the concave portion of the package.
  • Embodiment 32 which has substantially the same configuration as those of Embodiments 30 and 31, will be omitted.
  • the light emitting element 60 is mounted face down on the submount substrate 92.
  • the paint substrate 92 and the light emitting element 60 are electrically connected via a bump 96.
  • the submount substrate 92 is provided with a groove so as to be a heterogeneous electrode, and an insulating portion flows into the groove to prevent a short circuit between the heterogeneous electrodes.
  • a phosphor-containing inorganic binder material 99 is used for the 30 inorganic binder layers used for screen printing. However, an inorganic binder material 99 containing no phosphor can be used.
  • a screen printing means a uniform inorganic binder 30 layer is formed on the upper surface and the side surface of the light emitting element 60.
  • the phosphor-containing inorganic binder material 99 is obtained by adding 20 g of a YAG phosphor to 10 g of alumina sol, sufficiently mixing and stirring.
  • the inorganic binder 30 After forming the inorganic binder 30 on the upper surface and the side surface of the light emitting element 60, in a nitrogen atmosphere, under a heating condition of about 80 for 30 minutes, about 150 ° C for 30 minutes, and about 240 ° C for 30 minutes, The inorganic binder 30 is cured. This is for removing an organic component contained in the inorganic binder 30.
  • the heating condition is not particularly limited. After heating at about 100 ° C for 30 minutes, the heating may be performed at 240 £ for 1 hour.
  • the light emitting element 60 (210) face-down mounted on the submount substrate 92 is mounted on a lead frame (base) 820.
  • the lead frame 820 has a concave portion 820a having a wide opening, and the light emitting element 60 (210) is mounted on the bottom surface of the concave portion 820a. Die bonding is performed so that the substrate side of the light emitting element 60 (210) is in contact with the bottom surface of the recess 820a.
  • the light emitting element 60 (210) is die-bonded using an adhesive such as eutectic solder such as Au-Sn. After mounting the light emitting element 60 (210), the conductive member 91 of the submount substrate 92 and the lead electrode are electrically connected via the wire 821.
  • the resin 40 (240) is potted on the surface of the inorganic binder 30 (230) layer using a potting tool.
  • the potting of the resin 40 (240) is dropped almost right above the light emitting element 60 (210) and almost at the center of the inorganic binder 30 (230) layer.
  • the resin 40 (240) quickly penetrates from the center of the surface of the inorganic binder 30 (230) layer and spreads toward the outer periphery, filling the voids inside the inorganic binder 30 (230).
  • the entire surface of the inorganic piner 30 (230) layer is coated until the resin 40 (240) shines.
  • a uniform and thin resin 40 (240) layer was formed on the surface of the inorganic binder 30 (230) layer.
  • the light emitting element 60 (210) is covered with the inorganic binder 30 (230) layer and the resin 40 (240) layer, and the lead frame 820 on which the light emitting element 60 (210) is mounted is heated at about 150 ° C. Heat for about 3 hours to cure resin 840.
  • the silicone resin used is a silicone resin for impregnation (trade name: KJ F 816, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.).
  • the lead frame 820 was sealed with a cap 826 in a nitrogen gas atmosphere.
  • the cap 826 is filled with nitrogen gas.
  • a recess 820a of the lead frame 820 is arranged.
  • FIG. 44 is a schematic configuration diagram of a light emitting device 1000 having a light emitting film according to the tenth embodiment.
  • the light emitting device 1000 includes an excitation light source 44 that emits the excitation light 42, a light emitting material 54 that absorbs the excitation light 42 emitted from the excitation light source 44, converts the wavelength, and emits illumination light 43 in a predetermined wavelength range.
  • An excitation light source 44 is provided at one end, and a light-emitting material 54 is provided at the other end.
  • the excitation light 42 emitted from the excitation light source 44 with a higher refractive index at the center (core) of the cross section than at the periphery (cladding) is provided.
  • an optical fiber 46 led out to a light emitting material 54.
  • the excitation light source 44 includes a light emitting element 47, and emits light emitted from the light emitting element 47 to an emission unit 4.
  • the optical fiber is led out from 8 to an optical fiber 46.
  • a lens 49 is provided between the light emitting element 47 and the emitting section 48.
  • the output section 52 has a light emitting material 54.
  • an inorganic phosphor 55 is used as the light emitting material 54.
  • the luminescent material 54 absorbs the excitation light 42 emitted from the excitation light source 44, converts the wavelength, and emits illumination light 43 in a predetermined wavelength range.
  • the phosphor 55 is preliminarily mixed with the filler member 56 and the binder member 57, and the filler member 56 and the binder member 57 are arranged in the output section 52. The amount of the phosphor 55 can be adjusted by the amount of the filler member 56 and the binder member 57.
  • the filler member 56 is an inorganic filler
  • the binder member 57 is an inorganic compound containing at least an oxidized hydroxide of a metal element.
  • the metal element oxide hydroxide contained in the binder member 57 an A1, Y oxide hydroxide having a boehmite structure or a pseudo-boehmite structure can be used.
  • a light-emitting element 47 having an emission peak wavelength near 400 nm in a short wavelength region of visible light, and a phosphor 55 mixed with a phosphor emitting blue light and a phosphor emitting yellow light are used.
  • the white light emitted from the phosphor 5 ′ 5 is mainly the illumination light 43. Since light near 40 On m is difficult to see, blue light, yellow light, and white light that are easily seen are illumination light 43.
  • a light emitting element 47 having an emission peak wavelength near 460 nm in a visible light short wavelength region, a phosphor emitting yellow light, and a phosphor emitting red light When a light emitting element 47 having an emission peak wavelength near 460 nm in a visible light short wavelength region, a phosphor emitting yellow light, and a phosphor emitting red light are used, light is emitted from the light emitting element 47.
  • the mixed color light of the excited excitation light 42 and the light emitted from the phosphor 55 is led out as illumination light 43 to the outside.
  • the illumination light 43 becomes reddish white light.
  • a light-emitting element 47 having an emission peak wavelength near 365 nm in the ultraviolet region and a phosphor 55 mixed with a phosphor emitting blue light and a phosphor emitting yellow light are used.
  • the light emitted from the body 55 becomes the illumination light 43. Since the ultraviolet light is invisible to the human eye, only the light emitted from the
  • the phosphors 55 are conceivable, for example, when obtaining a wide range of colors using the three primary colors of light (blue, green, and red), or in a complementary color relationship between blue and yellow, blue-green and red, and green.
  • various colors are obtained using two colors such as red and blue, violet and yellow-green.
  • the complementary color means that when light having one emission peak wavelength and light having the other emission peak wavelength are mixed, light in a white region is obtained.
  • the relationship between the color name and the wavelength range takes JIS Z8110 into consideration.
  • the phosphor 55 may be variously combined in order to obtain high color rendering properties.
  • Color rendering is the-property of a light source that determines the appearance of the color of the object illuminated by that light source.
  • the color temperature is a psychophysical expression of the color of the light source itself, and is expressed as the absolute temperature (K) of a perfect radiator with chromaticity equal to the chromaticity of a certain light source. Generally, it is represented by how different the appearance of the object color seen under a certain light source is from the appearance of the object color seen under a reference light having the same color temperature.
  • the average color rendering index (R a) is determined based on the average value of the color shift when eight types of color chips are illuminated by the sample light source and the reference light source, respectively.
  • the special color rendering index is calculated based on the individual color shifts of the other seven types of color patches other than the above eight types of color patches, and is not the average of the seven types.
  • R 9 shows red color.
  • the light emitting device 100 is used in medical fields such as an endoscope that irradiates a subject and captures an image of the subject, an illumination device that realizes various colors using a plurality of excitation light sources 44, a display, and the like. be able to.
  • the light emitted from the light emitting device 1000 is directly viewed by a human, and may be imaged by a CCD camera or the like.
  • the excitation light source 44 and the phosphor 55 are appropriately selected according to the sensitivity of a receiver such as a CCD camera.
  • the excitation light 42 emitted from the light emitting element 47 provided in the excitation light source 44 is transmitted through the lens 49 and guided to the emission section 48.
  • the lens 49 focuses the excitation light 42 emitted from the light emitting element 47 on the emission part 48.
  • the excitation light 42 emitted from the emission section 48 is guided to the optical fiber 46.
  • the pump light 42 is guided to the output section 52 at the other end while repeating total reflection in the optical fiber 46.
  • the derived excitation light 42 is applied to the phosphor 55, which is a luminescent material 54 provided in the output section 52. At least a part of the excitation light 42 is absorbed by the phosphor 55 and converted into a wavelength to emit light in a predetermined wavelength range. This light is emitted as illumination light 43.
  • the illumination light 43 obtained by mixing the light emitted from the phosphor 55 and the excitation light 42 is led out.
  • the output section 52 light is absorbed and scattered by the phosphor 55, so that the light density is high. Therefore, it is necessary to provide a member having excellent heat resistance and light resistance using the inorganic filler 32 and the binder member 57.
  • white light can be obtained with at least one light emitting element 47. Further, since white light can be obtained with only one light emitting element 47, a light emitting device with little color tone variation and high color reproducibility can be provided. Further, since the light emitting element 47 and the phosphor 55 are used, it is possible to provide a light emitting device that easily mixes colors and has high color rendering properties. Further, a light-emitting device with high emission intensity can be provided. Since the phosphor 55 is not applied to the light emitting element 47, the phosphor 55 does not deteriorate due to heat generated by driving the light emitting element 47.
  • the excitation light source 44 when a laser diode element is used as the excitation light source 44, the light density becomes extremely high, so that a resin mixed with the phosphor 55 cannot be used for the output section 52.
  • a binder member 57 such as an alumina sol to be mixed with the phosphor 55 is used for the output section 52, the light resistance and heat resistance are extremely excellent, so that even a relatively high light density can be obtained.
  • a light-emitting device having excellent weather resistance without deterioration can be provided.
  • the excitation light source 44 only needs to be able to emit light for exciting the phosphor 55, and a semiconductor light emitting element, a lamp, an electron beam, plasma, EL, or the like can be used as an energy source. Although not particularly limited, it is preferable to use the light emitting element 47 because of its small size and high light emission intensity.
  • a light emitting diode element (LED), a laser diode element (LD), or the like can be used.
  • the light emitting material 54 is not particularly limited as long as it absorbs the excitation light emitted from the excitation light source 44 and converts the wavelength to emit illumination light in a predetermined wavelength range. Can be The light emission spectrum of the excitation light source 44 and the light emission spectrum of the light emitting material 54 are different. Since the light emitted from the excitation light source 44 is used as the excitation light, the light emitting material 54 has an emission peak wavelength longer than the emission peak wavelength of the excitation light source 44. In particular, even when a laser diode element is used as the light emitting element 47, the illuminating light becomes a broad light emitting spectrum with a wide half-value width, so that the visibility becomes easy.
  • the above-described phosphor 55, filler member 56, and binder member 57 can be used.
  • the coating method for the output section 52 is as follows.
  • the phosphor 55, the filler member 56, and the binder member 57 are mixed, placed in a predetermined container, sealed with glass or a transparent resin, and sealed.
  • the phosphor 55, the filler member 56, and the binder member 57 can be mixed and placed in a predetermined container to be impregnated with a resin.
  • a light-transmitting inorganic filler having good heat conductivity can be provided to enhance heat dissipation.
  • the optical fiber 46 only needs to have an operation of guiding light emitted from the excitation light source 44 to the light emitting material 54.
  • a combination of a member having a high refractive index and a member having a low refractive index, or a member using a member having a high reflectance can be used.
  • use optical fiber 4 6 be able to.
  • the optical fiber 46 is an extremely thin Dallas fiber used as a light transmission path when transmitting light.
  • quartz glass or plastic as the material and making the refractive index at the center (core) of the cross section higher than that at the periphery (cladding), the optical signal can be transmitted without attenuation.
  • the optical fiber 46 is movable, the desired position can be irradiated with the illumination light 43. Also, the optical fiber 46 can be bent into a curve.
  • the optical fiber 46 can be a single fiber.
  • the core diameter of the single fiber is preferably 400 or less.
  • a blocking member that blocks 90% or more of the light from the excitation light source may be used.
  • an ultraviolet absorber can be used as a blocking member to block the ultraviolet rays.
  • a predetermined filter can be provided in the output unit 52 to block a predetermined wavelength.
  • the light-emitting film, the light-emitting device, the method for manufacturing the light-emitting film, and the method for manufacturing the light-emitting device according to the present invention include a lighting light source, an LED display, a backlight light source, a traffic light, an illuminated switch, various sensors, It can be used for various indicators.

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Abstract

蛍光体が経年により黒化するのを防止し、長寿命で信頼性の高い蛍光体等を提供する。発光装置は、発光素子と蛍光体層を備え、蛍光体層は発光素子からの光で励起される蛍光体と、蛍光体を担持するバインダとを備える。バインダはAl、Y、Gd、Lu、Sc、Ga、In、Bのいずれかの金属元素を含むゾルを混合した酸化水酸化物のゾルを硬化させた酸化水酸化物ゲルである。酸化水酸化物のゲル状態における透過率は、ゾル−ゲル反応を進行させた多結晶状態における透過率よりも高い。また、酸化水酸化物中の水酸基又は結晶水の含有量は10重量%以下である。

Description

明 細 書
発光膜、 発光装置、 発光膜の製造方法および発光装置の製造方法
技術分野
本発明は、 照明用光源、 LEDディスプレイ、 バックライト光源、 信号機、 照明 式スィッチ、 各種センサおよび各種インジケータ等に利用される発光膜、 発光装 置、 およびこれらの発光膜、 発光装置の製造方法に関する。
背景技術
発光素子の光の一部を蛍光体により波長変換し、 波長変換された光と波長変換さ れない発光素子の光とを混合して放出することにより、 発光素子の光と異なる発光 色を発光する発光装置が開発されている (例えば特開 2002— 198573号公 報) 。 例えば、 発光素子として I nGaN系材料を使った青色発光ダイオード (以 下 「LED」 ともいう) を用い、 その表面に (Y, Gd) a (A 1 , Ga) 512の 組成式で表されるィットリゥム ·アルミニウム ·ガーネット系蛍光体 (以下 ΓΥΑ GJ ともいう) を含むエポキシ樹脂等の透光性材料からなる蛍光部材をコ一ティン グした白色 LED発光装置が実用化されている。 白色 LED発光装置の発光色は、 光の混色の原理によって得られる。 LEDから放出された青色光は、 蛍光部材の中 へ入射した後、 層内で吸収と散乱を繰り返した後、 外へ放出される。 一方、 蛍光体 に吸収された青色光は励起源として働き、 黄色の蛍光を発する。 この蛍光体の黄色 光と LEDの青色光とが混ぜ合わされて、 人間の目には白色として見える。
このような LEDを用いた LED発光装置は、 小型で電力効率が高く鮮やかな色 の発光をする。 また、 LEDは半導体素子であるため球切れ等の心配がない。 さら に初期駆動特性が優れ、 振動やオン ·オフ点灯の繰り返しに強いという特徴を有す る。 このような優れた特性を有するため、 L E D発光装置は各種の光源として利用 されている。
しかしながら、 従来の白色発光装置は、 樹脂を多く使用しているため、 高出力 や波長の短い発光素子を用いると、 樹脂が劣化するという問題があった。 また、 無機系のパインダを用いる場合、 特にシリカゲル (S i 02) を用いた硬化膜を使 用する場合は、 高出力や紫外線に晒されると、 着色劣化し黒化するという問題が あった。 この原因は明らかでないが、 シリカゾルに含まれる有機基が硬化後も残 存し、 強い光励起により還元されるためと思われる。
また発光装置の光の取り出し効率を改善するためには、 発光膜の透過率を高く することが考えられる。 発光膜の透過率は、 発光膜において蛍光体を担持するバ ィンダの透過率に依存する。 バインダにゾルを熱硬化させたゲルを使用する場 合、 一般には図 1に示すようにゾルーゲル反応を進行させて多結晶に近づける 程、 図において Aで示すように発光膜の透過率が上昇すると考えられている。 しかしながら、 ゲルを多結晶に近づけようとすれば高温での反応となるため、 より多くの時間とエネルギーを必要とする。 さらに高温のため半導体発光素子や 蛍光体に悪影響を及ぼすという問題がある。 例えば LEDチップをボンディング したリード線が熱で破損したり、 蛍光体が劣化する。 したがって、 光取り出し効 率を向上させるためにゾルーゲル反応を進行させて多結晶の無機ガラス化するこ とは、 反応温度の面から困難が伴う。
さらに、 ゾルーゲル反応を進行させて無機ガラス化したとしても、 発光膜と発 光素子との界面で様々な問題が生じる。 例えばガラス化された界面で全反射が生 じ、 光の取り出し効率が低下したり、 あるいは硬化されて発光素子や蛍光体との 界面で空間層が形成され、 空間層が障壁となって光の取り出しが困難になるとい つた問題が生じる。
さらにまた、 LED等の発光素子を用いて発光層を励起する構成においては、 L E Dの励起光の強いエネルギーに晒されて、 発光層が劣化するという問題もあ る。 劣化した発光層は黒っぽく着色されるので本来の透光性が損なわれ、 光の取 り出し効率が悪化する。 このような黒化する着色劣化の原因は明らかにされてい ないが、 発光層のバインダに使用されるシリ力が原因と考えられる。
蛍光体を発光層に封止する封止材として、 一般的な樹脂を利用しょうとして も、 強い光に晒されて著しく劣化するため、 封止材に樹脂を使用することは困難 である。 このため、 シリカ (S i 02) 等の透光性のバインダを使用している。 ゾ ル状のシリカであるシリカゾルは結着性が良好で、 透光性にも優れており、 光の取 り出し効率が良く、 また工業的にも安価であるので利用し易い。
しかしながら、 長期間 L E Dの強い光に晒されると、 シリカバインダ層が着色劣 化する。 特に高出力の発光装置においては、 高光密度、 熱によってシリカバイン ダ層が劣化し、 黒又は黒褐色に着色される。 本発明者らが研究した結果、 この原 因は S i 02のシリカが酸素欠損により S i Ox ( xく 2 ) を生成することにあると 推測される。 シリカバインダは、 2 5 0 °C以下の熱硬化温度では、 S i〇2骨格中 に水酸基、 有機基が一部残存しているシリカゲルの状態である。 このようなシリ 力ゲルの状態中に L E Dから高密度の光が入射すると、 酸素欠損が起こり、 S i 02が S i O x ( xく 2 ) を生成する。 このように、 S iが酸化還元され易いため に、 シリカゲルが酸素欠損を生じて着色劣化することが原因と考えられる。 着色 劣化が生じると、 発光素子からの光出力が低下するという問題が生じる。
さらに近年、 高出力の発光素子を用いた発光装置が開発されており、 発光素子か らの光により樹脂の劣化が促進される傾向にある。 また、 青色から可視光の短波長 領域、 さらには紫外領域と、 波長の短い発光素子の開発が進んでいる一方で、 これ らの紫外線等に長時間耐えうる被膜は知られていない。 一般的な樹脂を利用しょう としても、 強い光に晒されて著しく劣化するため、 被膜に樹脂を使用することは困 奠佳であっ
本発明は、 このような問題点を解決するためになされたものである。 本発明の主 な目的は、 光の取り出し効率を改善し、 また信頼性に優れた発光膜、 発光装置、 発 光膜の製造方法および発光装置の製造方法を提供し、 さらには紫外線等による発光 素子からの光により劣化し難い被膜を有する信頼性の高い発光装置及びその製造方 法を提供することにある。
発明の開示
本発明の発光膜は、 少なくとも発光材料を含むフィラー部材とバインダ部材で構 成される発光膜であって、 バインダ部材は少なくとも金属元素の酸化水酸化物を 含有する。 この発光膜は、 蛍光体を含まない拡散層として使用することもでき また、 本発明の他の発光膜は、 発光材料が無機蛍光体であり、 フイラ一部材が ' 無機フィラーであり、 バインダ部材がー定価数の金属元素の酸化水酸化物を主体 とする無機バインダであることを特徴とする。
発光膜は無機物を主体として形成され、 また酸化水酸化物を構成する金属元素 ' がー定価数を有することで、 成膜後の化合物の酸化還元反応が抑制されて発光膜 が安定となるため、 高光密度、 高温下の駆動でも劣化しない発光膜を得ることが さらに、 本発明の他の発光膜は、 発光材料が無機蛍光体であり、 フイラ一部材 が無機フィラーであり、 パインダ部材が金属元素の酸化水酸化物を主体とする無 機バインダであり、 金属元素の酸化水酸化物が、 少なくとも I I Ι Α族又は I I I Β·族元素の酸化水酸化物であることを特徴とする。
3価の金属元素を使用することで、 酸化還元反応の抑制効果が大きく、 より安 定した発光膜を得ることができる
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 I I Ι Α族又は I I I B族元素が、 S c、 Y、 G d、 L u、 又は B、 A 1、 G a、 I nの少なくとも 1種を含有するこ とを特徴とする。
これらの元素は、 酸化水酸化物の透明性が高く、 また安定であり入手も比較的 容易である。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 パインダ部材に含有される金属元素の酸 化水酸化物が、 少なくともベーマイト構造、 もしくは擬ベーマイト構造を有する A 1の酸化水酸化物であることを特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 バインダ部材が、 アルミニウムの酸化水 酸化物と、 バインダ部材に対して、 0 . 5重量%〜5 0重量%である、 アルミ二 ゥムと異なる I I I A族元素又は I I I B族元素の酸化水酸化物とを含むことを 特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 バインダ部材が、 バインダ部材に対し て、 0 . 5重量%〜 5 0重量%の酸化ホウ素、 もしくはホウ酸を含むことを特徴 とする。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 バインダ部材に含有される金属元素の酸 化水酸化物が、 イツトリウムの酸化水酸化物であることを特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 バインダ部材が、 イットリウムの酸化水 酸化物と、 バインダ部材に対して、 0 . 5重量%〜5 0重量%である、 イツトリ ゥムと異なる I I I A族元素又は I I I B族元素の酸化水酸化物と、 を含むこと を特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 バインダ部材が、 バインダ部材に対し て、 0 . 5重量%〜 5 0重量%の酸化ホウ素、 もしくはホウ酸を含むことを特徴 ォる
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 バインダ部材が、 酸化水酸化物を含有す る粒子の集合体により、 架橋構造、 網目体構造、 又はポリマー構造を形成した多 孔質体であることを特徴とする。
発光膜のバインダ部材の脱水、 硬化を酸化物の状態まで完全に行わないことに より、 膜を結晶質よりも非晶質化して結着力を増し、 光取り出し効率の良好な発 光膜を形成することができる。
さらにまた 本発明の他の発光膜は、 バインダ部材が 酸化水酸化物を含有す る無機粒子が充填されたゲル状であることを特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 発光膜の光透過率が、 ゾル—ゲル反応後 に焼結させた場合の多結晶体もしくは非晶質体における透過率よりも高いことを 特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 バインダ部材が、 水酸基もしくは結晶水 を、 バインダ部材に対して 1 0重量%以下含有することを特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光膜は、 発光膜を構成するフイラ一部材とバイン ダ部材との重量比が、 フィラーノバインダについて 0 . 0 5〜3 0であることを 特徴とする。
また、 本発明の発光装置は、 発光素子と、 発光素子からの光の少なくとも一部 を吸収し発光する発光層とを備える。 この発光装置は、 発光層が上述した発光膜 であることを特徴とする。
さらに、 本発明の他の発光装置は、 発光層が発光素子を直接被覆することを特 徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光素子と、 発光素子からの光の少な くとも一部を吸収し異なる波長の光を発光する発光層とを備える発光装置であ る。 この発光装置は、 発光層が、 発光素子の光で励起される蛍光体粒子と、 蛍光 体粒子を該層内で分散して担持するパインダ部材とを有することを特徴とする。 さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 5 5 0 n m以下の発光波長を有する半 導体発光素子と、 波長で励起発光する蛍光体とを備えることを特徴とする。 さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 4 1 0 n m以下の発光波長を有する半 導体発光素子と、 波長で励起発光する蛍光体とを備えることを特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光層の温度が 5 0 °C以上で発光する ことを特徴とする。
発光層のバインダが劣化する原因は、 光又は熱あるいはこれらの相互作用と考 えられる。 上記構成の発光装置では可視光のハイパワー駆動や、 紫外光、 高温駆 動等でもバインダが劣化し難いので、 これら励起密度の高い駆動で特に有効であ る。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光層が半導体発光素子に密着形成さ れてなり、 半導体発光素子の駆動時の投入電力が、 0 . l W/ c m2以上であるこ とを特徴とする。 特に 1 W/ c m2以上の高い投入電力下で有効である。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 半導体発光素子の発光波長が 4 1 0 n m以下であり、 半導体発光素子を 1 W/ c m2以上の投入電力で駆動させた際の 1 0 0 0時間後の発光層の輝度維持率が 8 0 %以上であることを特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光装置の発光層のフイラ一に含有さ れる蛍光体が、 青色発光蛍光体、 青緑色発光蛍光体、 緑色発光蛍光体、 黄緑色発 光蛍光体、 黄色発光蛍光体、'黄赤色発光蛍光体、 橙色発光蛍光体、 赤色発光蛍光 体の少なくとも一種を含む白色系、 又は中間色系の発光を有することを特徵とす る。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光層のフィラーに含有される蛍光体 が、 5 1 0 n m〜6 0 0 n mにピーク波長を有する緑色から黄赤色発光を有し、 少なくとも C eが付括された希土類アルミン酸蛍光体であることを特徴とする。 さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光装置の発光層のフィラーに含有さ れる蛍光体が、 5 8 0 n m〜6 5 0 n mにピーク波長を有する黄赤色から赤色発 光を有し、 少なくとも E uが付括されたアル力リ土類窒化珪素蛍光体であること を特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光層のフィラーに含有される蛍光体 が、 5 0 0 n m〜6 0 0 n mにピーク波長を有する青緑色から黄赤色発光を有 し、 少なくとも E uが付括されたアルカリ土類酸化窒化珪素蛍光体であることを 特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光素子の発光波長が 4 1 0 n m以下 で発光する半導体発光素子であり、 発光層のフィラ一に含有される蛍光体が青色 発光を有し、 少なくとも E uで付括されたアルカリ土類ハロゲンァパタイト蛍光 体、 少なくとも E uで付括されたアルカリ土類ハ口ゲン硼酸蛍光体、 少なくとも E uで付括されたアル力リ土類アルミン酸蛍光体よりなる群から選ばれる一つを 含み、 さらに緑色から黄赤色発光を有する少なくとも C eで付括された希土類ァ ルミン酸蛍光体と混合されて白色系の発光を示すことを特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光素子の発光波長が 4 1 0 n m以下 で発光する半導体発光素子であり、 発光層のフィラ一に含有される蛍光体が青色 発光を有し、 少なくとも E uで付括されたアルカリ土類ハロゲンァパタイト蛍光 体、 少なくとも E uで付括されたアルカリ土類ハロゲン硼酸蛍光体、 少なくとも E uで付括されたアル力リ土類アルミン酸蛍光体よりなる群から選ばれる一つを 含み、 さらに緑色から黄赤色発光を有する少なくとも C eで付括された希土類ァ ルミン酸蛍光体と、 黄赤から赤色発光を有する少なくとも E uで付括されたアル カリ土類窒化珪素蛍光体が混合されて白色系の発光を示すことを特徴とする。 さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光素子の発光波長が 4 4 0 n m〜 4 8 O. n mの青色領域で発光する半導体発光素子であり、 発光層のフイラ一に含有 される蛍光体が、 少なくとも C eで付括された希土類アルミン酸蛍光体と混合さ れて白色系の発光を示すことを特徴とする。
さらにまた、 本発明の他の発光装置は、 発光素子の発光波長が 4 4 0 n m〜 4 8 O n mの青色領域で発光する半導体発光素子であり、 発光層のフィラーに含有 される蛍光体が、 緑色から黄赤色発光を有する少なくとも C eで付括された希土 類アルミン酸蛍光体と、 黄赤から赤色発光を有する少なくとも E uで付括された アル力リ土類窒化珪素蛍光体が混合されて白色系の発光を示すことを特徴とす また、 本発明の発光膜の製造方法は、 少なくとも発光材料を含むフイラ一部材 とバインダ部材で構成される発光膜の製造方法であって、 バインダ部材として金 属元素を含有するメタロキサンゾルと、 フイラ一部材とを混合しスラリーを調製 するステップと、 スラリーを膜状に形成するステップと、 形成された膜のスラリ 一を熱硬化させることにより、 金属元素の酸化水酸化物を含有する粒子を集合さ せて、 該集合粒子の構造体からなるバインダ部材でフィラ一部材を担持するステ ップとを備えることを特徴とする。
さらに、 本発明の他の発光膜の製造方法は、 メタロキサンゾルが、 少なくとも アルミノキサンゾル又はィットリノキサンゾルであることを特徴とする。
また、 本発明の他の発光装置の製造方法は、 発光素子と、 上記の製造方法によ り発光素子の少なくとも一部を被覆した発光膜とを有する発光装置の製造方法で あって、 膜状に形成するステップにおいて、 スラリーで、 発光素子、 および/又 は発光素子に離間した領域を、 熱処理下で被覆して、 膜状に形成することを特徴 とする。
本発明によれば、 光取り出し効率の高い発光膜、 発光装置、 発光膜の製造方法お よび発光装置の製造方法が実現される。 それは発光膜に酸化水酸化物を使用するこ とで 多結晶状態に至らないゲル状態においても発光膜の透過率を低く抑え、 高 い光取り出し効率を実現しているからである。 さらに本発明によれば、 一定価数 を有する金属元素の酸化水酸化物を使用するため、 使用による着色劣化の少ない、 耐久性の高い信頼性に優れた発光膜、 発光装置、 発光膜の製造方法および発光装置 の製造方法が実現される。 それは、 本発明が蛍光体のバインダとして多くの価数を とるシリカのような金属元素を使用しないため、 酸素欠損が生じず、 これが原因で 生じるバインダ層の着色劣化が回避されるからである。 これによつてバインダ層 の着色が原因で生じる光出力の低下が回避され、 長期にわたって安定した性能が 実現され、 パワー系発光素子を使用しても信頼性が良く、 長寿命化が実現され る。 また耐熱性にも優れており、 蛍光体の耐久性も向上されてきわめて信頼性の高 い発光膜、 発光装置、 発光膜の製造方法および発光装置の製造方法が実現される。 また本発明は、 発光素子と、 前記発光素子が載置された基体とを有する発光装置 において、 前記発光素子は、 無機バインダにより被覆されており、 前記無機バイン ダは、 榭脂により被覆されており、 前記無機バインダは前記樹脂により含浸されて おり、 前記無機バインダは、 前記発光素子及び前記基体の少なくとも一部を被覆す る無機バインダ層が形成されていることを特徴とする発光装置に関する。
·· 無機バインダは、 無機バインダ層が持つ空隙を、 樹脂により埋められているこ とが好ましい。
また無機バインダは、 無機パインダ層が持つ空隙を約 9 5 %以上、 樹脂により ' 埋められていることが好ましい。
樹脂による無機パインダへの被覆は、 ポッティング手段若しくはスプレー噴霧 手段を用いて、 無機バインダに樹脂を含浸させていることが好ましい。
さらに無機バインダは、 蛍光体が含有されていることが好ましい。
樹脂は、 無機バインダの少なくとも一部を被覆する、 樹脂層が形成されているこ とが好ましい。
樹脂層の表面は、 平滑であることが好ましい。
樹脂は、 オイル、 ゲル及びラバーの少なくともいずれかを含むことが好ましい。 榭脂は、 成型前及び成型後のいずれかがジアルキルシロキサン骨格を有するシリ コーン樹脂であることが好ましい。 以下の化学式 1は、 ジアルキルシロキサン骨格 を示す。 式中 Rは、 アルキル基を示す。
[化学式 1 ]
Figure imgf000008_0001
樹脂は、 成型前がジメチルシロキサンを主鎖に有することが好ましい。 ジメチル シロキサンは、 ジアルキルシロキサン骨格のうちの 1つ形態である。 以下の化学式 2は、 ジメチルシロキサンを示す。
[化学式 2 ]
Figure imgf000008_0002
樹脂は、 赤外分光スペクトルの結合吸収強度において、 樹脂組成中の S i _〇一 S i結合に対する C一 S i一 O結合の強度比が 1 . 2 / 1以上であることが好まし い。
本発明は、 基体に、 発光素子を載置する第一の工程と、 該発光素子を 無機バイ ンダにより被覆する第二の工程と、 該無機バインダを、 樹脂により被覆する第三の 工程と、 を有する発光装置の製造方法であって、 第三の工程は、 樹脂をポッティン グ手段若しくはスプレー噴霧手段を用いて、 無機バインダを被稷している発光装置 の製造方法に関する。
第三の工程は、 真空中で含浸させていることが好ましい。
以上説明したように構成されているので、 本発明は以下に記載されるような効果 を奏する。
本発明は、 発光素子と、 該発光素子が載置された基体と、 を有する発光装置にお いて、 該発光素子は、 無機バインダにより被覆されており、 該無機バインダは、 榭 脂により被覆されており、 該榭脂による該無機バインダへの被覆は、 ポッティング 手段若しくはスプレー噴霧手段を用いて、 該無機バインダに該樹脂を含浸させてい る発光装置に関する。 これにより、 高出力の発光素子や紫外線を放出する発光素子 を用いた場合でも、 樹脂の劣化の促進を抑制し、 紫外線等に長時間耐えうる被膜を 提供することができる。 また、 発光素子を被覆する無機バインダの劣化が起こら ず、 光取り出し効率の向上を図ることができる。 さらに、 無機バインダ全体が樹脂 により含浸されているため、 無機バインダの割れや欠けをなくし、 衝撃に強い被膜 を形成することができる。
これは、 以下の作用による。
無機バインダを硬化すると、 空隙が生じている部分がある。 従来は、 この空隙に より、 光取り出しが抑制されていたが、 本発明では、 この空隙を樹脂により埋める ことで、 光取り出し効率の改善を図ったものである。
この空隙を樹脂により埋める手段として、 ポッティング手段若しくはスプレー噴 霧手段を用いている。 ポッティング手段、 スプレー噴霧手段以外の手段、 例えば、 一度に無機バインダ全体に樹脂を注入する手段では、 外部に放出される気体が無機 バインダ層中に残存したり、 樹脂中に侵入して気体を保有したりする。 この無機バ インダ層中に存在している気体が層中に閉じこめられ、 層中に保有された気体は、 発光装置の駆動時における発光素子の発熱により、 膨張する。 これにより、 光取り 出し効率の低下を生じることがある。 これに対し、 ポッティング手段、 スプレー噴 霧手段では、 樹脂が無機バインダの空隙に含まれる気体を外部に押し出しながら浸 透するため、 無機バインダの空隙にほとんど気体が残存せず、 無機バインダが持つ 空隙を樹脂がほぼ完全に埋めることができる。 そのため、 発光装置を駆動させたと きでも、 空隙と無機バインダ層界面での反射が抑えられ、 光取り出し効率の低下を 生ぜず、 被膜自体も安定している。
無機バインダが持つ空隙に、 フレキシブルな有機系樹脂を侵入させることで、 熱 による気体の体積膨張による、 クラックの発生を抑制することができる。
無機バインダは、 発光素子及び基体の少なくとも一部を被覆する、 無機バインダ 層が形成されていることが好ましい。 層構造とすることにより、 無機バインダが持 つ空隙を樹脂で含浸することが容易となるからである。 また、 光取り出しの観点か ら、 ほぼ均一に発光素子からの光を外部に放出することができるからである。 無機バインダは、 無機バインダ層が持つ空隙を、 樹脂により、 埋められているこ とが好ましい。 これにより、 無機バインダ層の空隙が無くなり、 光取り出し効率の 向上を図ることができる。 よって、 樹脂は、 無機パインダ層の空隙を埋めるだけの 量を使用する。
無機バインダは、 無機バインダ層が持つ空隙を約 9 5 %以上、 樹脂により、 埋め られていることが好ましい。 無機バインダ層が持つ空隙の一部しか、 樹脂が埋めて いないと、 空隙部分が光の取り出しを抑制するからである。 無機バインダ層が、 発 光素子から離れている場合は、 発光素子から直に熱伝達が行われないため、 熱によ る劣化を特に考慮することがないため、 該空隙を樹脂が埋めていなくてもよい。 伹 し、 発光素子からの光を考慮する必要があるため、 該空隙をほぼ完全に樹脂で埋め ていることが好ましい。
無機バインダは、 蛍光体が含有されていることが好ましい。 これにより、 発光素 子からの光の一部を、 該蛍光体が吸収し、 波長変換を行い、 発光素子の光と異なる 光を外部に放出し、 発光素子からの光の一部と、 蛍光体からの光の一部とが混合す ることにより、 所望の色調の発光装置を提供することができる。 また、 蛍光体を含 有する無機バインダ層にすることにより、 色調調節が容易となり、 均一な光を放出 する歩留まりの高い発光装置を提供することができる。
樹脂は、 無機バインダの少なくとも一部を被禝する、 樹脂層が形成されているこ - とが好ましい。 層構造とすることにより、 膜厚の均一な被膜を形成し、 光取り出し 効率の向上を図ることができる。
樹脂層の表面は、 平滑であることが好ましい。 無機バインダを硬化すると、 その ' 表面は、 凹凸が存在している。 そのため、 発光素子から放出された光が無機バイン ダを透過して外部に放出されるとき、 この凹凸部分により、 光の指向性のバラツキ が生じる。 これに対して、 樹脂を無機バインダに含浸させると、 被膜表面が平滑に なり、 光の指向性のバラツキを低減することができる。
樹脂は、 オイル、 ゲル及びラバーの少なくともいずれかを含むことが好ましい。 樹脂を無機バインダに含浸するためである。 特に、 オイル状態の樹脂を用いて、 無 機パインダに含浸させ、 加熱等によりゲル化することにより、 光取り出し効率の高 い発光装置を提供することができる。 また、 ゲル状若しくはラバー状の形態におい て樹脂硬度を容易に制御することができる。 さらに、 発光素子に設けられている電 極と、 外部電極とを電気的に接続するワイヤ一は、 樹脂を硬化しても、 ワイヤーが 切断されることはない。 従来、 エポキシ樹脂を硬化していた時は、 ワイヤ一とェポ キシ樹脂との熱膨張係数の差により、 ワイヤーが切断されていたが、 本発明では、 樹脂がオイル状、 若しくはゲル状、 ラバー状であるため、 ワイヤーが切断されるこ とはない。 また、 無機バインダのみでは衝撃に対して弱いものであつたが、 ラバ一 状等の樹脂で埋めることで、 被膜に柔軟性が出てきて、 衝撃に強い被膜を形成する ことができる。
樹脂は、 成型前及び成型後のいずれかがジアルキルシロキサン骨格を有するシリ コーン樹脂であることが好ましい。 この樹脂を用いることにより、 より樹脂の劣化 を抑制し、 紫外線等に長時間耐えうる被膜を用いた発光装置を提供することができ る。
樹脂は、 成型前がジメチ 'ルシロキサンを主鎖に有することが好ましい。 これによ り樹脂の劣化を抑制し、 紫外線等に長時間耐えうる被膜を用いた発光装置を提供す ることができる。
樹脂は、 赤外分光スペクトルの結合吸収強度において、 樹脂組成中の S i —〇一 S i結合に対する C _ S i— 0結合の強度比が 1 . 2 Z 1以上であることが好まし レ^ 該範囲以上にすることにより、 樹脂がオイル状、 ゲル状、 ラバー状を保持する ため、 応力が緩和され、 割れや欠けが生じ難い被膜を形成することができる。 本発明は、 基体に、 発光素子を載置する第一の工程と、 該発光素子を、 無機バイ ンダにより被覆する第二の工程と、 該無機バインダを、 樹脂により被覆する第三の 工程と、 を有する発光装置の製造方法であって、 第三の工程は、 樹脂をポッティン グ手段若しくはスプレー噴霧手段を用いて、 無機バインダを被覆している発光装置 の製造方法に関する。 樹脂をポッティング手段若しくはスプレー噴霧手段を用いる ことにより、 無機パインダが持つ空隙を埋めることができる。 また、 その空隙に存 在していた気体が榭脂中に侵入してくるの防止することができる。 さらに、 バイン ダに被覆する樹脂を、 ムラなく均一に塗布することができる。 特に、 ゾルーゲル反 応過程において価数変化せず、 酸化状態の安定した A 1や Y元素等の酸化水酸化物 のゲルを使用することで、 光取り出し効率の向上を図ることができる。
第三の工程は、 真空中で含浸させることもできる。 これにより無機パインダ層中 の空隙に樹脂を含浸しやすくすることができる。 この原因は明らかではないが、 毛 細管現象によるものと考えられる。 ここで 「ゲル」 とは ゾルが流動性を失った 固体と液体とからなるコロイド系をいう。
図面の簡単な説明
図 1は、 ゾル—ゲル反応の進行と発光膜の透過率の変化を示すグラフである。 図 2は、 本発明の実施の形態 1に係る発光装置を示す概略図である。
図 3は、 本発明の実施の形態 2に係る発光装置を模式的に示す平面図である。 図 4は、 図 3の発光装置の断面図である。
図 5は、 本発明の他の実施の形態に係る発光装置の模式的断面図である。
図 6は、 本発明の実施の形態に係る発光装置を形成させる工程を示す模式図で ある。
図 7は、 本発明の実施の形態に係る発光装置を形成させる装置を示す模式図で める。
図 8は、 本発明の実施の形態 3に係る発光装置を模式的に示す平面図である。 図 9は、 図 8の発光装置の A— A ' 線における断面図である。
図 1 0は、 本発明の実施の形態 4に係る発光装置を模式的に示す断面図であ る。
図.1 1は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置の製造過程を模式的に示す断 面面である。
図 1 2は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置の製造過程を模式的に示す断 面図である。 図 1 3は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置の製造過程を模式的に示す断 面図である。
図 1 4は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置の製造過程を模式的に示す断 面図である。
図 1 5は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置の製造過程を模式的に示す断 面図である。
図 1 6は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置の製造過程を模式的に示す断 面図である。
図 1 7は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置の製造過程を模式的に示す断 面図である。
図 1 8は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置の製造過程を模式的に示す断 面図である。
図 1 9は、 本発明の実施の形態 5に係る発光装置を模式的に示す断面図であ る。
図 2 0は、 本発明の実施の形態 5に係る他の発光装置を模式的に示す平面図で ある。
図 2 1は、 図 2 0の発光装置の Β _ Β ' 線における断面図である。
図 2 2は、 図 2 1の発光装置の要部拡大断面図である。
図 2 3は、 本発明の実施例 1 5〜 2 3に係る蛍光体の色度を示す色度図であ る。
図 2 4は、 本発明の実施例 2 3に係る三波長白色蛍光体を波長 3 6 5 n mの L E Dで励起スぺクトルを示すグラフである。
図 2 5は、 本発明の実施例 1 9に係る三波長白色蛍光体を波長 4 0 0 n mの L E Dで励起したスぺクトルを示すグラフである。
図 2 6は、 本発明の実施例に係る蛍光体の信頼性試験の結果を示すグラフであ る。
図 2 7は、 本発明の実施例に係る蛍光体の信頼性試験の結果を示すグラフであ る。
図 2 8は、 本発明の実施例に係る蛍光体の信頼性試験の結果を示すグラフであ る。
図 2 9は、 本発明の実施例に係る蛍光体の信頼性試験の結果を示すグラフであ る。
図 3 0は、 本発明の実施例に係る蛍光体の信頼性試験の結果を示すグラフであ る。
図 3 1は、 本発明の実施の形態 6に係る発光装置を示す概略平面図である。 図 3 2 ( a ) は、 本発明の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図であり、 図 3 2 ( b ) は、 基体の凹部を拡大した概略断面図である。
図 3 3は、 本発明の実施の形態に係る発光装置の、 製造工程の一部を示す概略図 である。
図 3 4は、 本発明の実施の形態に係る発光装置の、 他の製造工程の一部を示す概 略図である。
図 3 5は、 本発明の実施の形態に係る発光装置の、 さらに別の製造工程の一部を 示す概略図である。
図 3 6 ( a ) は、 本発明の実施の形態 7に係る発光装置の基体の凹部を拡大した 概略断面図であり、 図 3 6 ( b ) は発光装置を示す斜視図である。
図 3 7 ( a ) は、 本発明の実施の形態 8に係る発光装置の基体の凹部を拡大した 概略断面図であり、 図 3 7 ( b ) は発光装置を示す斜視図である。
図 3 8は、 本発明の実施の形態 9に係る発光装置の一部を示す概略断面図であ る。
図 3 9は、 実施例の発光装置の耐久性試験の結果を示すグラフである。 ' 図 4 0は、 実施例の発光装置の光取り出し効率の結果を示すグラフである。
図 4 1は、 実施例の被膜の赤外分光スぺクトルを示す図である。
図 4 2は、 比較例の発光装置を示す概略断面図である。
図 4 3は、 比較例の被膜の赤外分光スぺクトルを示す図である。
図 4 4は、 本発明の実施の形態 1 0に係る発光装置を示す概略構成図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。 ただし、 以下に示す実施 の形態は、 本発明の技術思想を具体化するための発光膜、 発光装置、 発光膜の製造 方法および発光装置め製造方法を例示するものであって、 本発明の発光膜、 発光装 置、 発光膜の製造方法および発光装置の製造方法を以下のものに特定するものでは ない。 また、 特許請求の範囲に示される部材を、 実施の形態の部材に特定するもの では決してない。 なお各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、 説明を明確に するため誇張していることがある。 さらに、 本発明を構成する各要素は、 複数の 要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよ い。
本発明の実施の形態においては、 酸化水酸化物のゲルをバインダとして利用し ている。 図 1はゾル—ゲル反応の進行によって、 ゾル状態から結晶水を含むゲル あるいは酸化水酸化物や酸化物を経て非晶質あるいは多結晶の酸化物に至るまで の発光膜の透過率の変化および光の取り出し効率の変化を示すグラフである。 バ ィンダとしてゲルを使用する場合、 図 1に示すように、 一般にはゾルーゲル反応 を進行させて多結晶構造に近づける程、 図中 Aのように発光膜の透過率が向上す ると考えられている。 しかしながら、 ゾル—ゲル反応で多結晶を得るにはかなり のエネルギーが必要となる。 ゲル状態の構造に含まれる水酸基や有機基を分離す るには相当高温にする必要があり、 容易ではない。
本発明者らは鋭意研究した結果、 特定の金属元素においては結晶性を高めずと も、 ゲル状態でも高い光取り出し効率が得られることを見出し、 本発明を成すに 至った。 特にゾル一ゲル反応過程において価数変化せず、 酸化状態の安定した A 1や Y元素等の酸化水酸化物のゲルを使用すると 図 1において Bで示すよう に、 ゲル状態における光取り出し効率が、 ゾル—ゲル反応を進行させた多結晶状 態における光取り出し効率よりも高くなる傾向にあることを見出した。 これは、 例えばイツトリアのような非晶質において、 一つの理由として光の散乱によるも のと考えられる。 つまり、 高温加熱による結晶化段階で化学構造的に多分子性を 形成する aから bの結晶化過程で、 ミクロ的に見れば一部結晶化された部分とゲ ル状態の部分とが相分離を起こして、 多相構造を形成していると考えられる。 よ つてミクロ的に見れば相間は不均一であり、 相の界面で光の散乱が生じており、 全体として透過率が低下する。 もう一つの理由として、 結晶構造によるものと考 えられる。 つまり、 aから bの状態において球晶などの形成に基づく結晶領域と 非晶領域の共存により各領域での密度や屈折率が異なる。 ミクロ的には均一でも 光学的には多分子構造を形成しているため、 全体として透過率が低下する。 よつ て多結晶を得なくともゲル状態で発光膜を形成することによって、 ゾルーゲル反 応を継続することなく短時間、 低エネルギーで容易に光取り出し効率の高い発光 膜を得ることができる。
さらにゲル状態においては、 酸化水酸化物中の水酸基又は結晶水が含有された 状態であるが、 この含有量によっても光取り出し効率が変化すると推測される。 本発明者らが実験を繰り返した結果、 水酸基又は結晶水の含有量が酸化水酸化物 の 1 0重量%以下であるとき、 より高い光取り出し効率が認められることを見出 した。 このように結晶水を含有させたゲル状態とすることによって緻密な膜が得 られ、 完全に硬化を進行させて結晶化するよりも光の取り出しが良くなる。 これ はゲル状態で酸化水酸化物が一部酸化物を含む架橋構造を有し、 蛍光体と素子の 結着性を高めているためと考えられる。
また、 酸化水酸化物のゲルでバインダ部材を構成することで、 形成される発光 膜や発光層の品質を高めることができる。 酸化水酸化物を含有するバインダ部材 は、 粒子状物質がゾルーゲル法により集合されて、 架橋構造、 網目体構造、 又は ポリマー構造を形成した多孔質体となる。
酸化水酸化物の粒子集合の骨格構造が隙間を有した網目体構造であると、 多孔性 の構造体となるので、 発光膜の柔軟性が向上される。 また発光層の成膜時におい ては、 蛍光体粒子等のフイラ一部材を担持し、 被膜の対象が複雑な形状であって もこれに応じて成膜でき、 固着性に富む発光膜を得ることができる。 さらに、 酸 化水酸化物であることにより、 熱や光に対して安定で変質しない膜を得ることが 形成された発光膜は、 発光素子からの光に晒されるため発光装置の使用によつ て劣化する。 この劣化の原因は、 発光素子からの光出力と、 発熱のいずれか又は 両者に起因する反応が生じるためと考えられる。 従って、 光エネルギーの高い紫 外線を、 発熱および熱抵抗値の大きい大型の素子に利用する場合は劣化し易くな る。 後述のように、 本発明の実施例を作成して耐久試験を行った結果、 極めて高 い耐性を備えることを確認じた。 その理由は明確でないが、 一定の価数を有する 酸化水酸化物が熱又は光エネルギーにより還元酸化反応を受け難い構造をとるた めと考えられる。 よって酸化水酸化物には価数変化しない金属元素を利用するこ とが望ましい。 例えば、 複数のイオン状態を取り得る S i等をゲルもしくは硬化 膜として用いる場合、 光密度や素子の発熱による熱伝導で容易に価数変化を生 じ、 これが原因で着色劣化が生じると推測される。 これに対し本発明の実施の形 態で得られる 3価の酸化水酸化物をバインダとする発光層は、 酸化還元反応等の 変化を受け難い。 このため、 例えば光照射密度が 0 . l WZ c m2以上 1 0 0 0 W Z c m2以下の高出力の半導体発光素子と接して、 あるいはこれに近接して配置さ れた場合においても、 十分な耐性を有する発光装置とすることができる。
(パインダ)
高温下、 あるいは紫外線励起下で使用される蛍光体を担持するバインダには、 シリカ (S i〇2) が使用されていた。 シリカバインダでは使用を継続すると 発光 素子 1 0の発光を変換する蛍光体 1 1 aと透光性材料 1 1 bとを混合した蛍光部材 1 1が徐々に黒化する。 本発明者らはこのような着色劣化の原因を研究した結果、 シリカバインダ層で酸素欠損が生じ S i O x ( x < 2 ) が生成されることが原因と して考えられることを突き止めた。
シリカバインダは、 2 5 0 °C以下の熱硬化温度では、 S i 02骨格中に水酸基、 有機基が一部残存しているシリカゲルの状態である。 このようなシリカゲルの状 態中に L E Dから高密度の光が入射すると、 光又は熱エネルギーによつて酸素欠 損が起こり、 S i〇2から S i O x ( Xく 2 : Xは 1 . 4〜 1 . 9程度である。 ) が生成される。 この S i〇xが着色されるために、 黒化が発生すると考えられる。 このようにシリカゲルは、 主体となる金属元素の S iが様々な価数を取り得るた め、 S iが容易に価数変化して酸化還元され易いことが原因で着色劣化が生じる と考えられる。 そこで本実施の形態においては、 価数変化を生じない金属元素の 酸化水酸化物または酸化物を含むバインダを使用する。 以下、 アルミナ、 イット リアを利用する例について説明する。
(アルミナ)
無定型アルミナ又は微粒子酸化水酸化アルミニウムを水に均一に分散させてな るアルミナゾルをバインダに使用する場合、 アルミナゾルが加熱されて硬化し安 定なベーマイト構造の酸化水酸化アルミニウムを形成するまでに、 擬ベーマイト 構造を経る。 酸化水酸化アルミニウムのベーマイト結晶構造は A 1〇O Hや A 1 2〇3 · H 20、 酸化水酸化アルミニウムの擬べ一マイト構造は (A 1 O O H) · X H2〇や A 1 23 · 2 H 2〇等の化学式でそれぞれ表すことができる。 具体的に は、 中間体として A 123 · 2Η20、 A l 23 ' xCH3CO〇H ' yH20、 A 1203 - xHC 1 · yH2〇、 A 12 O 3 · xHNOs - yH2〇等の形態をとり、 安 定なベーマイト構造を形成する。 ベーマイト構造をさらに結晶性を高めると、 ァ 一アルミナ (A l 23) や 一アルミナ (A l 23) となる。 このような性質を 備えるアルミナゾルをバインダとして用いて発光膜を形成する。
発光膜の具体的な主材料としては、 無定形金属酸化物、 超微粒子金属酸化水酸 化物、 超微粒子酸化物等を少量の無機酸、 有機酸およびアルカリを安定剤とし て、 水又は有機溶剤に均一に分散させたゾル溶液が用いられる。 無定形金属酸化 物、 超微粒子金属酸化水酸化物、 超微粒子酸化物等を合成する出発原料として、 金属アルコラート、 金属ジケトナート、 金属ハロゲン化合物、 又は金属カルボン 酸塩、 金属アルキル化合物の加水分解物や、 これらを混合して加水分解したもの が利用できる。 また金属水酸化物、 金属塩化物、 金属硝酸塩、 金属酸化物微粒子 を、 水や有機溶媒、 又は水と水溶性有機溶媒の混合溶媒中に均一に分散させたコ ロイド (ゾル) 溶液も用いることができる。 これらはアルミノキサンと総称され る。 アルミノキサンは、 [A 10] Xの繰り返しを持つ骨格である。
金属アルコラートとしては、 アルミニウムメトキシド、 アルミニウムエトキシ ド、 アルミニウム— n—プ ΰポキシド、 アルミニウムイソプロポキシド、 アルミ 二ゥムー η—ブトキシド、 アルミニウム— s e c—ブトキシド、 アルミニウム一
1 s o—プロポキシド、 アルミニウム— t e r t—ブ卜キシド、 イットリウムメ トキシド、 イツトリゥムエトキシド、 イツトリウム— n—プロポキシド、 イット リウムイソプロポキシド.. イットリウム— n—ブトキシド、 イットリウム— s e c一ブトキシド、 イツトリゥム— i s 0—プロボキシド、 イツトリゥムー t e r t一ブトキシド等が利用できる。
金属ジケトナー卜としては、 アルミニウムトリスェチルァセトァセテ一ト、 ァ ルキルァセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、 ェチルァセトァセテ —トアルミニウムジイソプロピレート、 アルミニウムモノァセチルァセトネー卜 一ビスェチルァセトアセテート、 アルミニウムトリスァセチルァセトネート、 ィ ットリウムトリスァセチルァセトネート、 イツトリウム卜リスェチルァセトァセ テート等が利用できる。
金属カルボン酸塩としては、 酢酸アルミニウム、 プロピオン酸アルミニウム、
2—ェチルへキサン酸アルミニウム、 酢酸イットリウム、 プロピオン酸イツトリ ゥム、 2ーェチルへキサン酸ィットリゥム等が利用できる。
また金属ハロゲン化物としては、 塩化アルミニウム、 臭化アルミニウム、 ヨウ 化アルミニウム、 塩化イットリウム、 臭化イットリウム、 ヨウ化イットリウム等 が利用できる。
有機溶媒としては、 メタノール、 エタノール、 n—プロパノール、 i s o—プ ロパノール、 n—ブ夕ノール、 s e c—ブタノール、 t e r t—ブ夕ノール、 テ • トラヒドロフラン、 ジォキサン、 アセトン、 エチレングリコール、 メチルェチル ケトン、 N, N—ジメチルホルムアミド、 N, Nジメチルァセトアミド等が利用 できる。
' 発光層を形成するバインダとして使用するには、 これらに加えてフイラ一とし ての蛍光体や拡散粒子を混入しても良い。 さらに、 これらの複合材として、 塗布 基板や発光素子との線膨張係数を合わせても良い。 フイラ一は、 蛍光体を混入さ せて発光させることはもちろんのこと、 硬化時の水分蒸発等の微細な経路を作 り、 バインダの硬化乾燥を速める効果がある。 また、 蛍光体の発光を拡散させた り、 発光層の接着強度や物理的強度を増加させる働きもある。 なお発光層や発光 膜は、 蛍光体を含まない拡散層として使用することもできる。 またバインダとし て使用する複合材には、 3価の金属元素以外に複数の価数を有する元素を少量含 有させても良い。 さらに本実施の形態においては、 バインダ部材は主要な化合物 として酸化水酸化物を包含しておればよく、 金属酸化物や金属水酸化物、 および これらの結合を一部に含んでいても作用する。
(フィラ一)
フイラ一は充填剤であり、 チタン酸バリウム、 酸化チタン、 酸化アルミニウム (アルミナ) 、 酸化イットリウム (イットリア) 、 酸化ケィ素、 炭酸カルシウムや その他酸化水酸化物等が利用できる。 例えば少なくとも A l、 Ga、 T i、 Ge、 P、 B、 Z r、 Yあるいはアルカリ土類金属の群から選択される 1種以上の元素 を含む無色の酸化水酸化物、 あるいは少なくとも S i、 A l、 Ga、 T i、 G e、 P、 B、 Z r、 Yあるいはアルカリ土類金属の群から選択される 1種以上の 元素を含む酸化物より熱伝導率が高いフィラーを有してもよい。 このようなフィ ラーを加えることにより発光装置の放熱効果が向上する。 このようなフィラーと して、 上記無機バインダにて接着層を形成し LEDチップをダイボンドする場合 のアルミナ、 A g等の金属粉が挙げられる。
バインダのゾルには、 蛍光体と低級アルコールに加えて分散剤を混合しておく ことで、 硬化時に低級アルコールとの共沸脱水により低温で緻密な被膜を形成す ることができる。 また、 光安定化材料、 着色剤や紫外線吸収剤等を含有させてもよ い。
さらに発光膜の形成持には、 ホウ酸や酸化ホウ素を添加してもよい。 ホウ酸や 酸化ホウ素を添加することにより発光膜の弾性が低下するので、 膜の品質が向上 する。 例えば発光膜の割れの発生を抑制して緻密な膜を形成することができる。 ホウ酸や酸化ホウ素は、 好ましくはバインダ部材に対して、 0. 5重量%〜50 重量%含ませる。 さらに発光膜には、 ホウ酸や酸化ホウ素以外の増粘剤を添加す ることもできる。 このように、 バインダ部材としてアルミニウム等の酸化水酸化 物の他に、 スラリーの粘度制御に用いられる添加剤を含有させることもできる。 これによつて、 成膜時においては粘度制御、 チキソ性を高めて、 複雑な形状の膜 成形を可能とする。 また膜成形後においては、 酸化水酸化物のバインダであるこ とにより、 添加剤への許容性を高め、 またバインダ構造体の構造制御としても機 能させることができる。
発光層はスラリ一溶液で形成する。 スラリ一溶液は無定型金属酸化水酸化物、 微粒子金属酸化水酸化物、 金属水酸化物を主成分とし さらに無定形金属酸化 物、 微粒子金属酸化物を水に均一に分散させたゾル溶液に、 蛍光体とフィラーと を混合して調製する。 ゾル溶液中の有効固形成分と蛍光体の重量比、 又はゾル溶 液中の有効固形成分と、 蛍光体とフィラー混合物の重量比は、 0. 05〜30と することが好ましい。 例えば、 有効固形成分濃度 15%のゾル溶液 20 gに対し て蛍光体 90 gの比率から、 有効固形成分濃度 15%のゾル溶液 600 gに対し て蛍光体 4. 5 gの間で調整する。
(ィッ卜リァ)
無定型ィットリァ又は微粒子ィットリアを水に均一に分散させてなるィットリ - ァゾルをバインダに使用する場合、 イツトリァゾルを加熱して硬化しても、 結晶 構造の主体は無定型である。 酸化水酸化イットリウムは YOOH · xH20、 酸化 イツトリウムは Υ203 · xH20等の化学式でそれぞれ表すことができる。 具体的 ' には中間体として YOOH · xCHsCOOH · yH2〇又は Υ23 · xCHsCO OH · yH2〇の形態を経て、 酸化水酸化イットリウムもしくは酸化イットリウム を部分的に含む形となる。 イットリアはこのようなゲル状態でも安定な膜を形成 する。 これは、 それぞれの成分が架橋構造を有し、 安定化しているためと考えら れる。
イットリアはアルミナと比べて結晶構造を形成し難い性質がある。 このように 結晶牲を持たない無定型のアモルファス構造であっても安定な化合物であり、 Y は 3価のまま価数変化しない。 すなわち、 酸化還元反応を起こし難く、 着色劣化 がないという特長がある。
その他については、 上記アルミナと同様にして発光層を形成する。 以上のよう に蛍光体のバインダとして使用するゾルは、 市販の無機系接着剤やセラミックバ インダ等を利用することもできる。 なお、 バインダとして利用可能な材質には、 アルミナやイツトリアのような A 1や Y元素を含む酸化水酸化物に限られず、 他 の I I I A族元素や I I I B族元素の酸化水酸化物、 酸化物、 水酸化物等が利用 できる。 選択する金属元素は価数変化しないものが望ましい。 特に 3価で安定な 金属元素が好ましい。 また、 無色、 透明であることが望ましい。 例えば A 1や Y に加えて G d、 L u、 S c、 G a、 I n等の金属元素を含む金属化合物が利用で き、 好ましくは S c、 L uが利用できる。 あるいは、 これらの元素を複数組み合 わせた複合酸化物、 複合酸化水酸化物を利用しても良い。 アルミニウムやイット リウムのみならず、 他の I I I族元素の酸化水酸化物等を有することで、 発光膜 の屈折率等の光学的な機能や、 膜の柔軟性、 固着性等の膜質といった様々な特性 を所望の値に制御することができる。 このように本発明の実施の形態で得られる 一定価数、 好ましくは 3価の酸化水酸化物ゲルを有する無機バインダにより形成 された発光層は、 安定で光取り出し効率の良い発光層とすることができる。 また 無機材料で構成することにより、 経時変化の少ない安定な発光層や発光膜とな ろ
実施の形態 1 '
次に図 2を用いて、 本発明の実施の形態 1に係る発光装置を説明する。 実施の形 態 1の発光装置は、 発光素子 1 0と、 蛍光体 1 1 aと、 蛍光体 1 1 aを含む透光性 のバインダ 1 1 bからなる発光層 1 1とを備える。
砲弾型の L E Dで構成される発光素子 1 0は、 マウントリード 1 3 a上部に配置 されたカップのほぼ中央部にダイボンドして載置される。 発光素子 1 0に形成され た電極は導電性ワイヤ 1 4によってリードフレーム 1 3のマウントリード 1 3 aお よびィンナ一リード 1 3 bに導電接続される。 蛍光体 1 1 aは、 発光素子 1 0にお いて発光された光の少なくとも一部を吸収すると共に、 吸収した光とは異なる波長 の光を発光する YA G系蛍光体と、 窒化物系蛍光体とを含有する。 さらに窒化物系 蛍光体はマイクロカプセル等の被覆材料で被覆することができる。 この蛍光体 1 1 aをバインダ 1 1 bに含む蛍光部材 1 1が、 発光素子 1 0が載置されたカップに配 置される。 このように発光素子 1 0および蛍光部材 1 1を配置したリードフレーム 1 3が、 L E Dチップや蛍光体を外部応力 水分および塵芥等から保護し、 また光 の取り出し効率を改善する目的でモールド部材 1 5によってモールドされ、 発光装 置が構成される。 このように、 酸化水酸化物で構成されるバインダを含む発光層を 形成した後、 樹脂によるモールドでレンズ等を形成しても良い。
光素子)
本明細書において発光素子とは、 半導体発光素子の他、 真空放電による発光、 熱発光からの発光を得るための素子も含む。 例えば真空放電による紫外線等も発 光素子として使用できる。 本発明の実施の形態においては、 発光素子として波長 - が 5 5 0 n m以下、 好ましくは 4 6 0 n m以下、 更に好ましくは 4 1 0 n m以下 の発光素子を利用する。 例えば紫外光として 2 5 0 n m〜3 6 5 n mの波長の光 を発する紫外光 L E Dや、 波長 2 5 3 . 7 n mの高圧水銀灯を利用できる。 特 ' に、 後述するように本発明の実施例では耐久性が高いため、 出力の高いパワー系 発光素子を利用できるという利点がある。
発光素子 1 0として、 I I I属窒化物系半導体発光素子を使用する例を説明す る。 発光素子 1 0は、 例えばサファイア基板上に G a Nバッファ層を介して、 S i がアンドープ又は S i濃度が低い第 1の n型 G a N層、 S iがド一プされ又は S i 濃度が第 1の n型 G a N層よりも高い n型 G a Nからなる n型コンタクト層、 アン ド一プ又は S i濃度が n型コンタクト層よりも低い第 2の G a N層、 多重量子井戸 構造の発光層 (G a N障壁層/ I n G a N井戸層の量子井戸構造) 、 M gがドープ された P型 G a Nからなる p型 G a Nからなる Pクラッド層、 M gがドープされた p型 G a Nからなる p型コンタクト層が順次積層された積層構造を有し、 以下のよ うに電極が形成されている。 ただ、 この構成と異なる発光素子も使用できることは いうまでもない。
pォーミック電極は、 p型コンタクト層上のほぼ全面に形成され、 その pォーミ ヅク電極上の一部に pパッド電極が形成される。
また、 n電極は、 エッチングにより p型コンタクト層から第 1の GaN層を除去 して n型コンタクト層の一部を露出させ、 その露出された部分に形成される。 なお、 本実施の形態では多重量子井戸構造の発光層を用いたが、 本発明はこれに 限定されるものではなく、 例えば I nGaNを利用した単一量子井戸構造や多重量 子井戸構造としてもよいし、 S i、 Znがドープされた GaNを利用してもよい。 また、 発光素子 10の発光層は、 I nの含有量を変化させることにより、 420 nm〜490 nmの範囲において主発光ピークを変更することができる。 また、 発 光波長は、 上記範囲に限定されるものではなく、 360 nm〜550 nmに発光波 長を有しているものを使用することができる。 特に、 本発明の実施の形態に係る発 光装置を紫外光 L E D発光装置に適用した場合、 励起光の吸収変換効率を高めるこ とができ、 透過紫外光を低減することができる。
(蛍光体)
蛍光体は、 発光素子から放出された可視光や紫外光を他の発光波長に変換す る。 例えば、 LEDの半導体発光層から発光された光で励起されて発光する。 好 ましい蛍光体としては、 YAG系、 アルカリ土類窒化珪素蛍光体等のナイトライ ド系、 アル力リ土類酸化窒化珪素蛍光体等のォキシナイトライド系の蛍光体が利 用できる。 本実施の形態においては、 蛍光体として紫外光により励起されて所定 の色の光を発生する蛍光体を用いている。 具体的には以下に挙げるものが利用で きる。
( 1) C a 10 (P04) 6FC 1 : S b, Mn
(2) M5 (PO4) 3 C 1 : E u (但し、 Mは S r、 C a、 B a、 Mgから選択さ れる少なくとも一種)
(3) B aMg2A 116027: E u
(4) B aMg2A 1 i 6〇27: Eu、 Mn
(5) 3. 5MgO · 0. 5Mg F2 · G e O2 : Mn
(6) Y2O2S : E u
(7) Mg6A s zOn : Mn
(8) S r 4A 114 O 25: E u
(9) (Z n、 C d) S : Cu
(10) S r A 12 O 4: E u
( 1 1 ) C a 1 0 (P〇4) 6C 1 B r : Mn、 E u
(12) Z n2G e O 4 : Mn
( 13) GdzOzS : E u
( 14) L a22S : E u
(15) C a2S i 5Ns: Eu
(16) S r 2S i sNs : Eu
(17) S r S i 2O2N2: Eu
(18) B a S i 2O2N2: Eu
また、 上記に加えて黄色領域の発光を行う (Y, Gd) 3 (A 1 , Ga) 512: C e等で表される希土類アルミン酸塩である YAG系蛍光体を利用できることも言 うまでもない。
L E Dチップが発光した光と、 蛍光体が発光した光が補色関係等にある場合、 それぞれの光を混色させることで白色を発光することができる。 具体的には、 L EDチップからの光と、 それによつて励起され発光する蛍光体の光がそれぞれ光 の 3原色 (赤色系、 緑色系、 青色系) に相当する場合や LEDチップが発光した 青色の光と、 それによつて励起され発光する蛍光体の黄色の光が挙げられる。 特 に紫外光を用いる場合は、 紫外光により励起発光される蛍光体の発光色を単独で 利用できるため、 信号用の青緑色、 黄赤色、 赤色等やパステルカラー等の各種中 間色の発光装置の実現も可能である。
発光装置の発光色は、 蛍光体と蛍光体の結着剤として働く各種樹脂やガラス等 の無機パインダ部材、 フイラ一等との比率、 蛍光体の沈降時間、 蛍光体の形状等 を種々調整すること及び L E Dチップの発光波長を選択することにより電球色等 任意の白色系の色調を提供させることができる。 発光装置の外部には、 L E Dチ ップからの光と蛍光体からの光がモールド部材を効率よく透過することが好まし い。
代表的な蛍光体としては、 銅で付括された硫化カドミ亜鉛やセリウムで付括さ れた Y A G系蛍光体が挙げられる。 特に、 高輝度且つ長時間の使用時においては
(R e i-x S mx) 3 (A 1 i-vG a y) sOi2: C e ( 0≤x < 1 , 0≤y≤l、 但し、 R e は、 Y、 G d、 L a、 L uからなる群より選択される少なくとも一種の元素であ る。 ) 等が好ましい。
( R e .-x S mx) 3 (A 1 i-yG a y) 512 : C e蛍光体は、 ガーネット構造のため、 熱、 光及び水分に強く、 励起スぺクトルのピ一クが 4 7 0 n m付近等にさせるこ とができる。 また、 発光ピークも 5 3 0 n m付近にあり 7 2 0 n mまで裾を引く ブロードな発光スぺクトルを持たせることができる。
本発明の実施の形態に係る発光装置において、 蛍光体は、 2種類以上の蛍光体 を混合させてもよい。 即ち、 A l、 G a、 Y、 L a、 L u及び G dや S mの含有 量が異なる 2種類以上の ( R e .-x S m,) 3 (A 1卜 yG a. y) 50,2: C e蛍光体を混合さ せて、 R G Bの波長成分を増やすことができる。 また、 黄〜赤色発光を有する窒 化物蛍光体等を用いて赤味成分を増し、 平均演色評価数 R aの高い照明や電球色 L E D等を実現することもできる。 具体的には、 発光素子の発光波長に合わせて C I Eの色度図上の色度点の異なる蛍光体の量を調整し含有させることでその蛍 光体間と発光素子で結ばれる色度図上の任意の点を発光させることができる。 このような蛍光体は、 気相や液相中に分散させ均 に放出させることができ る。 気相や液相中での蛍光体は、 自重によって沈降する。 特に液相中においては 懸濁液を静置させることで、 より均一性の高い蛍光体を持つ膜を形成させること ができる。 所望に応じて複数回繰り返すことにより所望の蛍光体量を形成するこ と力 Sで ¾ "る。
以上のようにして形成される蛍光体は、 発光装置の表面上において一層からな る発光層中に二種類以上存在してもよいし、 二層からなる発光層中にそれぞれ一 種類あるいは二種類以上存在してもよい。 このようにすると、 異なる蛍光体から の光の混色による白色光が得られる。 この場合、 各蛍光体から発光される光をよ り良く混色しかつ色ムラを減少させるために、 各蛍光体の平均粒径及び形状は類 似していることが好ましい。 また、 形状による沈降特性を考慮して発光層を形成 - させることもできる。 沈降特性の影響を受け難い発光層の形成方法としては、 ス プレー法、 スクリーン印刷法、 ポッティング法等が挙げられる。 本実施の形態に おいては、 無機バインダは有効固形成分を 1 %〜 8 0 %有し、 1 c p s〜5 0 0 ' 0 c p sまで広範囲な粘度調整が可能で、 チキソ性の調整も可能であることか ら、 これら発光層の形成方法にも対応できる。 フィラーと無機バインダの重量比 は、 上述の通り 0 . 0 5〜 3 0の範囲とすることが好ましく、 またフィラーの配 合量、 粒径を調整することによって結着力が増す。
本実施の形態において使用される蛍光体は、 Y A G系蛍光体と、 赤色系の光を 発光可能な蛍光体、 特にアルカリ土類窒化珪素蛍光体等の窒化物蛍光体とを組み 合わせたものを使用することもできる。 これらの Y A G系蛍光体および蛍光体 は、 混合して発光層中に含有させてもよいし、 複数の層から構成される発光層中 に別々に含有させてもよい。 以下、 それぞれの蛍光体について詳細に説明する。
(Y A G系蛍光体) 本実施の形態に用いられる YA G系蛍光体とは、 Yと A 1を含み、 かつ L u、 S c、 L a、 G d、 T b、 E u及び S mから選択された少なくとも一つの元素 と、 G a及び I nから選択された一つの元素とを含みセリウムあるいは P r等の 希土類元素で付括された蛍光体であり、 L' E Dチップから発光された可視光や紫 外線で励起されて発光する蛍光体である。 特に本実施の形態において、 セリウム あるいは P rで付括され組成の異なる 2種類以上のイツトリウム ·アルミニウム 酸化物系蛍光体も利用される。 発光層に窒化物系化合物半導体を用いた発光素子 から発光した青色系の光と、 青色光を吸収させるためボディ一カラーが黄色であ る蛍光体から発光する緑色系及び赤色系の光と、 或いは、 黄色系の光であってよ り緑色系及びより赤色系の光を混色表示させると所望の白色系発光色表示を行う ことができる。 発光装置はこの混色を起こさせるために蛍光体の粉体やバルクを エポキシ樹脂、 ァクリル樹脂或いはシリコーン樹脂等の各種樹脂や本実施の形態 に係る無機バインダのような透光性無機物中に含有させることもできる。 このよ うに蛍光体が含有されたものは、 L E Dチップからの光が透過する程度に薄く形 成させたドット状のものや層状もの等用途に応じて種々用いることができる。 蛍 光体と透光性無機物との比率や塗布、 充填量を種々調整すること及び発光素子の 発光波長を選択することにより白色を含め電球色等任意の色調を提供させること ができる。
また、 2種類以上の蛍光体をそれぞれ発光素子からの入射光に対して順に配置 させることによって効率よく発光可能な発光装置とすることができる。 即ち、 反 射部材を有する発光素子上には、 長波長側に吸収波長があり長波長に発光可能な 蛍光体が含有された色変換部材、 すなわち蛍光体をフィラーとして含む発光層 と、 それよりも長波長側に吸収波長があり、 より長波長に発光可能な色変換部材 とを積層等させることで反射光を有効利用することができる。
Y A G系蛍光体を使用すると、 放射光密度として ( E e ) = 0 . 1 W · c m— 2 以上 1 0 0 0 W · c m— 2以下の L E Dチップと接する或いは近接して配置された 場合においても高効率に十分な耐光性を有する発光装置とすることができる。 本実施の形態に用いられるセリウムで付括されたイットリウム ·アルミニウム 酸化物系蛍光体である緑色系が発光可能な Y A G系蛍光体では ガーネット構造 のため、 熱、 光及ぴ水分に強く 励起吸収スぺクトルのピーク波長が 4 2 0 n m 〜4 7 0 n m付近にさせることができる。 また、 発光ピーク波長 λ ρも 5 1 0 η m付近にあり 7 0 0 n m付近まで裾を引くブロードな発光スぺクトルを持つ。 一 方、 セリウムで付括されたイットリウム ·アルミニウム酸化物系蛍光体である赤 色系が発光可能な Y A G系蛍光体でも、 ガーネット構造であり熱、 光及び水分に 強く、 励起吸収スぺクトルのピ一ク波長が 4 2 0 n m〜4 7 0 n m付近にさせる ことができる。 また、 発光ピーク波長 λ pが 6 0 0 n m付近にあり 7 5 0 n m付 近まで裾を引くブロードな発光スぺクトルを持つ。
• ガーネット構造を持った Y A G系蛍光体の組成の内、 A 1の一部を G aで置換 することで発光スぺクトルが短波長側にシフトし、 また組成の Yの一部を G d及 び/又は L aで置換することで、 発光スペクトルが長波長側へシフトする。 この ' ように組成を変化することで発光色を連続的に調節することが可能である。 した がつて、 長波長側の強度が G dの組成比で連続的に変えられる等窒化物半導体の 青色系発光を利用して白色系発光に変換するための理想条件を備えている。 Yの 置換が 2割未満では、 緑色成分が大きく赤色成分が少なくなり、 8割以上では、 赤み成分が増えるものの輝度が急激に低下する。 また、 励起吸収スペクトルにつ いても同様に、 ガーネット構造を持った Y A G系蛍光体の組成の内、 A 1の一部 を G . aで置換することで励起吸収スぺクトルが短波長側にシフトし、 また組成の Yの一部を G d及び/又は L aで置換することで、 励起吸収スぺクトルが長波長 側へシフトする。 Y A G系蛍光体の励起吸収スペクトルのピーク波長は、 発光素 子の発光スペクトルのピーク波長より短波長側にあることが好ましい。 このよう に構成すると、 発光素子に投入する電流を増加させた場合、 励起吸収スペクトル のピーク波長は、 発光素子の発光スぺクトルのピーク波長にほぼ一致するため、 蛍光体の励起効率を低下させることなく、 色度ズレの発生を抑えた発光装置を形 成することができる。
このような蛍光体は、 Y、 Gd、 C e、 L a、 Lu、 A l、 3111及び03の原 料として酸化物、 又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、 それらを化学 量論比で十分に混合して原料を得る。 又は、 Y、 Gd、 C e、 L a、 Lu、 A 1、 Smの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈したもの を焼成して得られる共沈酸化物と、 酸化アルミニウム、 酸化ガリウムとを混合し て混合原料を得る。 これにフラックスとしてフッ化アンモニゥム等めフッ化物を 適量混合して坩堝に詰め、 空気中 1 350°C〜145 O の温度範囲で 2時間〜 5時間焼成して焼成品を得、 次に焼成品を水中でポールミルして、 洗浄、 分離、 乾燥、 最後に篩を通すことで得ることができる。 また、 別の実施の形態の蛍光体 の製造方法では、 蛍光体の原料を混合した混合原料とフラックスからなる混合物 を、 大気中又は弱還元雰囲気中にて行う第一焼成工程と、 還元雰囲気中にて行う 第二焼成工程とからなる、 二段階で焼成することが好ましい。 ここで、 弱還元雰 囲気とは、 混合原料から所望の蛍光体を形成する反応過程において必要な酸素量 は少なくとも含むように設定された弱い還元雰囲気のことをいい、 この弱還元雰 囲気中において所望とする蛍光体の構造形成が完了するまで第一焼成工程を行う ことにより、 蛍光体の黒変を防止し、 かつ光の吸収効率の低下を防止できる。 ま た、 第二焼成工程における還元雰囲気とは、 弱還元雰囲気より強い還元雰囲気を いう。 このように二段階で焼成すると.. 励起波長の吸収効率の高い蛍光体が得ら れる。 従って、 このように形成された蛍光体にて発光装置を形成した場合に、 所 望とする色調を得るために必要な蛍光体量を減らすことができ、 光取り出し効率 の高い発光装置を形成することができる。
組成の異なる 2種類以上のセリウムで付括されたイツトリウム ·アルミニゥ ム酸化物系蛍光体は、 混合させて用いても良いし、 それぞれ独立して配置させ ても良い。 蛍光体をそれぞれ独立して配置させる場合、 発光素子から光をより 短波波長側で吸収発光しやすい蛍光体、 それよりも長波長側で吸収発光しやす い蛍光体の順に配置させることが好ましい。 これによつて効率よく吸収及び発 光させることができる。
(窒化物蛍光体)
本実施の形態に用いられる蛍光体としては、 上記セリゥムで付括されたィット リウム ·アルミニウム ·酸化物系蛍光体以外に、 黄赤〜赤色の発光波長を有する EU又は希土類で付括されたアルカリ土類窒化物系蛍光体が好適に用いられる。 この蛍光体は、 L E Dチップから発光された可視光、 紫外線、 及び Y AG系蛍光 体からの発光を吸収することによって励起され発光する。 特に本発明の実施の形 態に係る蛍光体は、 S r— C a— S i— N : R、 C a— S i— N : R、 S r _S 卜 N : R、 S r -C a-S i—〇一 N: R、 C a— S i—〇_N: R、 S r— S i -O-N: R系シリコンナイトライドである。 この蛍光体の基本構成元素 は、 一般式 LxS i YN (2/3X+4/3Y) : R若しくは LxS i YOZN (2/3X+4/3 Y— 2/3 Z)
: R (Lは、 S r、 C a、 31"と。&のぃずれか。 ) で表される。 一般式中、 X 及び Yは、 X=2、 Y=5又は、 X= l、 Υ= 7であることが好ましいが、 任意 のものも使用できる。 また Rは、 Euを必須とする希土類元素であり、 Nは窒 素、 〇は酸素である。 具体的には、 基本構成元素は、 (S rxCa -x) 2S i εΝ 8 : Eu、 S r 2S i 5Ns : Ε u C a2S i 5Ns : Eu S rxC ai-xS i 7Nio : E u, S r S i rNio: Eu, C a S i 7NL。: E uで表される蛍光体を使用す ることが好ましいが、 この蛍光体の組成中には、 Mg、 B、 A l、 Cu、 Mn、 C r及び N iからなる群より選ばれる少なくとも 1種以上が含有されていてもよ い。 但し、 本発明は、 この実施の形態及び実施例に限定されない。 Lは、 S r、 Ca、 S rと C aのいずれかである。 S rと C aは、 所望により 配合比を変えることができる。
発光中心には、 主として希土類元素であるユウ口ピウム Euを用いる。 ユウ口 ピウムは、 主に 2価と 3価のエネルギー準位を持つ。 本発明の実施の形態に係る 蛍光体は、 母体のアルカリ土類金属系窒化ケィ素に対して、 Eu2 +を付括剤とし て用いる。 また添加物として Mnを用いても良い。
次に、 本発明の実施の形態に使用される蛍光体 ( (S rxC a^ X) 2S i 5N8: Eu) の製造方法を説明するが、 本製造方法に限定されない。 上記蛍光体には、 Mn、 Oが含有されている。
原料の S r、 Caを粉碎する。 原料の S r、 Caは、 単体を使用することが好 ましいが、 イミド化合物、 アミド化合物等の化合物を使用することもできる。 粉 碎により得られた S r、 Caは、 平均粒径が約 0. 1 zm〜 15 であること が好ましいが、 この範囲に限定されない。 S r、 C aの純度は、 2N以上である ことが好ましいが、 これに限定されない。
原料の S iを粉碎する。 原料の S iは、 単体を使用することが好ま.しいが、 窒 化物化合物、 イミド化合物、 アミド化合物等を使用することもできる。 原料の S iの純度は、 3 N以上のものが好ましい。 S iも粉砕を行う。 S i化合物の平均 粒径は、 約 0. 1 m〜 1 5 mであることが好ましい。
次に、 原料の S r、 Caを、 窒素雰囲気中で窒化する。 この反応式を、 以下の 化学式 3および 4にそれぞれ示す。
[化学式 3]
3 S r + N2 → S r: ,N2
[化学式 4]
3 C a + N2 → C a sN2
S r、 C aを、 窒素雰囲気中、 600 〜 900°C、 約 5時間、 窒化する。 S r、 C aの窒化物は、 高純度のものが好ましく、 市販のものも使用することがで さる。
原料の S iを、 窒素雰囲気中で窒化する。 この反応式を、 以下の化学式 5に示 す。
[化学式 5 ]
3 S i + 2 N3 → S i 3 N 4
ケィ素 S iも、 窒素雰囲気中、 800 〜1200で、 約 5時間、 窒化する。 窒化ゲイ素は、 高純度のものが好ましく、 市販のものも使用することができる。
S r、 C a若しくは S r— Caの窒化物を粉砕する。 同様に、 S iの窒化物を 粉砕する。 また、 同様に、 E uの化合物 E u 2 O 3を粉碎する。 Euの化合物とし て、 酸化ユウ口ピウムを使用するが、 金属ユウ口ピウム、 窒化ユウ口ピウム等も 使用可能である。 この他、 原料の Euは、 ィミド化合物、 アミド化合物を用いる - こともできる。 酸化ユウ口ピウムは、 高純度のものが好ましく、 市販のものも使 用することができる。 粉砕後のアルカリ土類金属の窒化物、 窒化ケィ素及び酸化 ユウ口ピウムの平均粒径は、 約 0. 1 m〜 1 5 mであることが好ましい。 ' 上記原料中には、 Mg、 B、 A l、 Cu、 Mn、 C r、 O及び N iからなる群 より選ばれる少なくとも 1種以上が含有されていてもよい。 また、 Mg、 Mn、 B等の上記元素を以下の混合工程において、 配合量を調節して混合することもで さる。
上記粉砕を行った後、 S r、 C a、 31"—〇&の窒化物、 S iの窒化物、 Eu の化合物 Eu 203を混合し、 Mnを添加し混合を行う。
最後に、 S r、 Ca、 S r— Caの窒化物、 S iの窒化物、 Euの化合物 Eu 2〇3の混合物をアンモニア雰囲気中で、 焼成する。 焼成により、 Mnが添加され た (S rxC a -x) 2S i 5N8: Euで表される蛍光体を得ることができる。 この 焼成による基本構成元素の反応式を、 以下の化学式 6に示す。 [化学式 6 ]
— Sr3N2 + ^1'97 ~ X^ Ca3N2 + Si3N4 + ^^-Eu203 → SrxC a191 xE uQ03Si5N 7:98 QQ45 ただし、 各原料の配合比率を変更することにより、 目的とする蛍光体の組成を 変更することができる。
焼成温度は、 1200° (:〜 1700°Cの範囲で焼成を行うことができるが、 1 400° (:〜 170 O :の焼成温度が好ましい。 蛍光体の原料は、 窒化ホウ素 (Β Ν) 材質のるつぼ、 ポートを用いて焼成を行うことが好ましい。 窒化ホウ素材質 のるつぼの他に、 アルミナ (Α 1203) 材質のるつぼを使用することもできる。 以上の製造方法を使用することにより、 目的とする蛍光体を得ることが可能で める。
本発明の実施例において、 赤味を帯びた光を発光する蛍光体として、 特に窒 化物系蛍光体を使用するが、 本実施の形態においては、 上述した YAG系蛍光 体と赤色系の光を発光可能な蛍光体とを備える発光装置とすることも可能であ る。 このような赤色系の光を発光可能な蛍光体は、 波長が 2 50 nm〜 600 nmの光によって励起されて発光する蛍光体であり、 例えば、 Y22S : E u、 L a 2O2 S : E u、 C a S : Eu、 S r S : E u Z n S : Mn、 Z n C d S : Ag, A 1、 Z n C d S : C u, A 1等が挙げられる。 このように Y A G系蛍光体とともに赤色系の光を発光可能な蛍光体を使用することにより発光 装置の演色性を向上させることが可能である。
本発明の各実施の形態の発光装置において、 蛍光体は、 種々の蛍光体を用いるこ とができる。 例えば、 青色領域の発光を行う B aMgA 11 0 O 17: Euで表される ユウ口ピウム付括バリゥムマグネシウムアルミネート系蛍光体、 青色領域の発光を 行う (Ca、 S r、 B a) 5 (P04) 3C 1 : E uで表されるユウ口ピウム付括ハロ リン酸カルシウム系蛍光体、 青色領域の発光を行う (C a、 S r、 B a) 2B5O9C 1 : Euで表されるユウ口ピウム付括アルカリ土類クロロボレート系蛍光体、 青緑 色領域の発光を行う (S r、 C a, B a) A 124 : Eu、 又は (S r、 C a, B a) 4 A 1 ΐ 4 θ 2 5: Euで表されるユウ口ピウム付括アルカリ土類アルミネート系蛍 光体、 緑色領域の発光を行う (Mg、 Ca、 S r、 B a) S i 202N2: Euで表さ れるユウ口ピウム付括アルカリ土類シリコンォキシナイトライド系蛍光体、 緑色領 域の発光を行う (B a、 C a、 S r) 2S i 04 : E uで表されるユウ口ピウム付括 アル力リ土類マグネシウムシリケ一ト系蛍光体、 黄色領域の発光を行う (Y, G d) 3 (A 1, Ga) 5O 12: C e等で表される希土類アルミン酸塩である YAG系 蛍光体、 赤色領域の発光を行う (Y、 La、 Gd、 Lu) 2O2S : Euで表される ' ユウ口ピウム付括希土類ォキシカルュゲナイト系蛍光体等が挙げられるが、 これら に限定されず、 前述の蛍光体やその他の蛍光体も本発明の実施の形態に係る発光層 , で使用することができる。 さらに、 コーティング劣化対策を施した破断面を有する 蛍光体を用いてもよい。
上記蛍光体の例えばユウ口ピウム付括アルカリ土類クロロボレート系蛍光体、 ユウ口ピウム付括アルカリ土類アルミネート系蛍光体、 ユウ口ピウム付括アル力 リ土類シリコンォキシナイトライド系蛍光体、 Y AG系蛍光体およびユウ口ピウム 付括アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体等は、 B元素を含有させ、 結晶性 を良好とし粒径を大きくしたり結晶形状を調整することが好ましい。 これによつ て、 発光輝度の向上を図ることができる。 これらの蛍光体も、 本実施の形態に係る 蛍光体のフイラ一として有効である。
結晶構造は、 例えば、 C a2S i 5N8は単斜晶、 S r2S i 5N8、 (S r 0. 5C a 0. 5) 2S r5N8は斜方晶、 B a2S i 5N8は単斜晶をとる。
さらに本蛍光体は、 その組成中 60%以上、 好ましくは 80%以上が結晶質であ る。 一般的には x = 2、 =5又は =1、 y = 7であることが望ましいが、 任意 の値が使用できる。
微量の添加物中、 B等は発光特性を減ずることなく結晶性を上げることが可能 であり、 また Mn、 Cu等も同様な効果を示す。 また L a、 P r等も発光特性を 改良する効果がある。 その他、 Mg、 A l、 C r、 N i等は残光を短くする効果 があり、 適宜使用される。 その他、 本明細書に示されていない元素であっても、 10〜1000 p pm程度ならば、 輝度を著しく減ずることなく添加できる。
Rに含まれる希土類元素は、 Y、 La、 Ce、 P r、 Nd、 Gd、 'Tb、 Dy、
Ho、 E r、 Luのうち 1種以上が含有されていることが好ましいが、 S c、 S m、 Tm、 Ybが含有されていてもよい。 また上記元素以外にも、 B、 Mn等は輝 度を改善する効果があり、 含有されていてもよい。 これらの希土類元素は、 単体の 他、 酸化物、 イミド、 アミド等の状態で原料中に混合する。 希土類元素は、 主に安 定な 3価の電子配置を有するが、 Yb、 Sm等は 2価、 Ce、 P r、 Tb等は 4価 の電子配置も有する。 酸化物の希土類元素を用いた場合、 酸素の関与が蛍光体の発 光特性に影響を及ぼす。 つまり酸素を含有することにより発光輝度の低下を生じる 場合もある。 ただし Mnを用いた場合は、 Mnと Oとのフラックス効果により粒径 を大きくし、 発光輝度の向上を図ることができる。
発光中心として希土類元素であるユウ口ピウム Euを好適に用いる。 具体的に基 本構成元素の例を挙げると、 Mn、 Bが添加された C a2S i 50。. ,N7.9: Eu, S r 2S i sOo.1 N 7. 9 : Eu, (C axS r ι- 2S i 5Oo.1 N 7. 9 : Eu, C a S i 7 O 0. 5N9.5 : Eu、 さらには希土類が添加された C a2S i 5Oo.5N 7. 9 : Eu、 S r 2S i 5 O 0. 5 N 7. 7 : Eu, (C axS r i-x) 2S i sOo.1 N 7. 9: Eu等があ Ό o
以上説明した窒化物系蛍光体は、 発光素子によって発光された青色光の一部を吸 収して黄色から赤色領域の光を発光する。 この蛍光体を上記の構成を有する発光装 置に使用して、 発光素子により発光された青色光と、 蛍光体の赤色光とが混色によ り暖色系の白色に発光する発光装置を提供することができる。 特に白色発光装置に おいては、 窒化物系蛍光体と、 希土類アルミン酸塩蛍光体であるセリウムで付括さ れたイットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体が含有されていることが好ましい。 前記イットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体を含有することにより、 所望の色度 に調節することができるからである。 セリゥムで付括されたィットリゥム ·アルミ ニゥム酸化物蛍光体は、 発光素子により発光された青色光の一部を吸収して黄色領 域の光を発光することができる。 ここで、 発光素子により発光された青色系光と、 イットリウム ·アルミニゥム酸化物蛍光体の発色光とが混色により青白い白色に発 光することができる。 したがって、 このイットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体 • と前記窒化物蛍光体とをバインダと一緒に混合した蛍光体と、 発光素子により発光 された青色光とを組み合わせることにより暖色系の白色の発光装置を提供すること ができる。 この暖色系の白色の発光装置は、 平均演色評価数 R aが 75〜 95であ ' り色温度が 2000K:〜 8000Kとすることができる。 特に好ましいのは、 平均 演色評価数 R aが高く、 色温度が色度図における黒体放射の軌跡上に位置する白色 の発光装置である。 但し、 所望の色温度および平均演色評価数の発光装置を提供す るため、 イットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体および蛍光体の配合量や各蛍光 体の組成比を、 適宜変更することもできる。 この暖色系の白色の発光装置は、 特に 特殊演色評価数 R 9の改善を図っている。 従来の青色発光素子とセリウムで付括さ れたィットリウム,アルミニウム酸化物蛍光体との組合せの白色に発光する発光装 置は、 特殊演色評価数 R 9が低く、 赤み成分が不足していた。 そのため特殊演色評 価数 R 9を高めることが解決課題となっていたが、 Eu付括アルカリ土類窒化珪素 蛍光体をセリゥムで付括されたィットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体中に含有 することにより、 特殊演色評価数 R 9を 4 0〜 7 0まで高めることができる。 また 電球色を発光する L E D発光装置を製作することができる。
発光素子 (L E Dチップ) 1 0は、 マウントリード 1 3 a上部に配置されたカツ プのほぼ中央部にダイポンドすることによって好適に載置される。 リードフレーム 1 3は例えば鉄入り銅によって構成される。 発光素子 1 0に形成された電極は導電 性ワイヤ 1 4によってリードフレームと導電接続される。 導電性ワイヤ 1 4には金 を用いており、 また電極と導電性ワイヤ 1 4を導電接続するためのバンプには N i めっきが好適に施される。
上述の蛍光体 1 l aと、 バインダ 1 1 bをよく混合してスラリーとした蛍光部材 1 1を、 発光素子 1 0が載置されたカップに注入する。 その後、 蛍光体 1 1 aが含 まれたゲルを加熱し硬ィ匕させる。 スラリーの熱硬化は 5 0 °C〜5 0 0 °Cが好まし レ^ A 1や Yの熱硬化温度は、 およそ 1 0 0 °C〜5 0 0 °Cである。 ここでは、 1 5 O t:以下で熱硬化させている。 ゾルの熱硬化には紫外線照射を利用できる。 例 えば、 水銀線、 VU V等を利用でき、 また複数の光源や熱源を併用してもよい。 VU Vのような強い光を照射することで、 カルボン酸等の有機基の結合を効率良 く切断でき、 硬化反応を安定化させることができる。 VU Vをスラリー状の蛍光部 材に照射する際には、 02および N 2の混合ガスを流し、 一部の 02を V UV照射に より分離された水酸基や有機基と反応させて C 02と H 2〇とし、 これら水酸基、 有機基等の除去を促進させることもできる。 本実施の形態においては、 2 5 4 η m以上の真空紫外線照射と加熱との組み合わせにより、 膜の硬化における膜形成 段階で蛍光体、 フィラー界面との密着性、 L E D等の発光素子上における密着性 が良くなり、 細孔の少ない膜形成が可能となる。 こうして L E Dチップ 1 0上に蛍 光体が含まれたバインダからなる蛍光部材 1 1を形成し L E Dチップ 1 0を固定さ せる。 その後、 さらに L E Dチップゃ蛍光体を外部応力、 水分および塵芥等から保 護する目的でモールド部材 1 5として透光性エポキシ樹脂を好適に形成する。 モー ルド部材 1 5を、 砲弹型の型枠の中に色変換部材が形成されたリードフレーム 1 3 を挿入し透光性エポキシ樹脂を混入後、 硬化する。
また 蛍光部材 1 1は 1^ £ 0チップ1 0に直接接触させて被覆させることもで きるし、 透光性樹脂等を間に介して設けることもできる。 この場合、 耐光性の高い 透光性樹脂を利用することが好ましいことは言うまでもない。
本発明の実施の形態に係る蛍光体は、 発光装置のリフロー時のような高温に曝さ れる場合においても、 急激に発光効率が低下することを低減できる。 特に、 リード と蛍光部材が接触又は近接し、 リードを介して熱が蛍光体に伝達されやすい発光素 子に対して、 本発明の実施の形態に係る蛍光体は有用である。
実施の形態 2
次に、 本発明の実施の形態 2に係る発光装置の一例として、 図 3および図 4に - 金属パッケージに発光素子の L E Dを実装した状態の構造を表す模式平面図およ び模式断面図を示す。
パッケージ 1 0 5は金属からなり、 中央部に凹部 aを有する。 また、 前記凹部 ' の周囲であるベース部 bは、 厚さ方向に貫通された貫通孔を 2つ有し、 それぞれ の貫通孔は前記凹部 aを挾んで対向している。 この貫通孔内には、 絶縁部材 1 0 3である硬質ガラスを介して正及び負のリード電極 1 0 2がそれぞれ挿入されて いる。 また、 金属パッケージ 1 0 5の主面側に透光性窓部 1 0 7と金属部からな るリツド 1 0 6を有し、 金属部と金属パッケージ 1 0 5との接触面を溶接するこ とによって、 窒素ガスとともにパッケージ内の発光素子等が気密封止されてい る。 .凹部 a内に収納される L E Dチップ 1 0 1は、 青色光又は紫外線を発光する 発光素子であり、 L E Dチップ 1 0 1と金属パッケージ 1 0 5との接着は、 ェチ ルシリゲートの加水分解溶液を乾燥焼成して得られる接着層 1 1 0を介して行わ れている。 さらに、 図 4に示されるように、 リード電極 1 02から絶縁された凹部 a内に て、 発光素子の上に A 1〇〇Hにより CCA— B 1 u e (化学式は Ca1() (PO 4) 6C l B r、 付括材 Mn、 Eu) 蛍光体がバインドされてなる発光層 1 09を 形成し、 その上に Α 1〇ΟΗ、 YOOH等により Y AG系蛍光体がバインドされ てなる発光層 1 08が形成されている。 以下、 図面を参照しながら本発明の実施 の形態の構成部材について詳述する。
(発光層 108、 109 )
発光層は、 モールド部材とは別にマウント · リードのカップ内やパッケージの 開口部内等に設けられるものであり、 LEDチップ 101の発光を変換する蛍光 体及び蛍光体を結着する材料を含む層である。 また、 図 5に示されるように、 本 発明の実施の形態に係る発光層は、 LEDチップ 10 1の上面、 側面および角部 の上に設けられた発光層 1 09 Aの厚みと LEDチップ 1 0 1以外の支持体上に 設けられた発光層 108 Aの厚みとが略等しい。 また、 発光層は LEDチップ 1 0 1の角部の部分でも途切れることがなく、 発光層は連続した層である。
パッケージ等による反射により、 LEDチップから放出される高エネルギー光 等が発光層中で高密度になる。 さらに、 蛍光体によっても反射散乱され発光層が 高密度の高エネルギー光に曝される場合がある。 そのため、 発光強度が強く高工 ネルギ一光が発光可能な窒化物系半導体を LEDチップとして利用した場合は、 それらの高工ネルギ一光に対して耐光性のある A 1、 Y、 Gd、 Lu、 S c、 G a、 I n、 Bのいずれかの金属元素を含む酸化水酸化物を結着剤あるいはバイン ダとして利用することが好ましい。
発光層の具体的主材料の一つとしては、 A 1 (OH) 3、 Y (OH) 3等の透光性 無機部材に蛍光体を含有させたものが好適に用いられる。 これらの透光性無機部 材により蛍光体同士が結着され、 さらに蛍光体は層状に L E Dチップゃ支持体上 に堆積され結着される。 本実施の形態において、 酸化水酸化物は、 A l、 Y、 G d、 L u、 S c、 Ga、 I n、 Bのいずれかの有機金属化合物から生成された酸 化水酸化物を主体とする化合物から形成される。 ここで、 有機金属化合物とは、 酸素原子を介して金属と結合したアルキル基、 ァリール基を含む。 このような有 機金属化合物として、 例えば金属アルキル、 金属アルコキシド、 金属ジケトナー 卜、 金属ジケトナート錯体、 カルボン酸金属塩等が挙げられる。 このような有機 金属化合物のうち、 特に常温で液体の有機金属化合物を使用すれば 有機溶剤を 加えることによって、 作業性を考慮した粘度調節や、 有機金属化合物等の凝固物 の発生防止が容易にできるため作業性を向上させることができる。 また、 このよ うな有機金属化合物は加水分解等の化学反応を起こしやすいため、 容易に飛散し 蛍光体がバインドされてなる発光層を形成させることが可能である。 そのため、 有機金属化合物を使う方法は、 350°C以上の高温下あるいは静電気のかかって いる状態で LEDに発光層を形成させる他の方法とは異なり、 LEDの発光素子 - としての性能を低下させることなく容易に LEDチップ上に発光層を形成させる ことができ、 製造歩留まりが向上する。
また発光層は無機物を主体として構成しているが、 一部カルボン酸を主体する ' 有機物を有してもよい。 有機物の含有量は 1重量%以下とすることが好ましい。 また発光層は少なくとも 250 nm〜80 O nm波長域で 50 %以上の透光性を 有することが望ましい。
以下、 発光層に含まれる具体的主材料として、 A 1 OOHを例にとり説明す る。
(A 1 OOHにより蛍光体がバインドされてなる発光層 1 09)
A.l OOHにより蛍光体がバインドされてなる発光層は、 アルミニウムアルコ レート、 あるいはアルミニウムアルコキサイドを有機溶媒中所定の割合で加水分 解して得られるアルミノキサンゾル又はアルミナゾル溶液中に蛍光体 (粉体) を 均一に分散させた塗布液を調整して、 その蛍光体が分散されたアルミナゾル溶液 を発光素子の全面を覆うようにスプレーコーティングあるいはデイスペンス他し た後加熱、 硬化させ、 A 1 OOH成分より蛍光体同士を固着させ、 さらに発光素 子表面に固着させることにより形成することができる。
アルミニウムアルコレート、 あるいはアルミニウムアルコキサイドは、 塗料の 増粘剤、 ゲル化剤、 硬貨剤、 重合触媒、 および顔料の分散剤として使用される有 機アルミ化合物である。
アルミニウムアルコレート、 あるいはアルミニウムアルコキサイドの一種であ るアルミニウムイソプロポキサイド、 アルミニウムェトキサイド、 およびアルミ 二ゥムブトキサイドは、 非常に反応性に富み空気中の水分によって水酸化アルミ ニゥム又はアルキルアルミネ一トを生成し、 ベーマイト構造を持つ酸化水酸化ァ ルミ二ゥムを生成する。 例えばアルミニウムイソプロポキサイドは、 以下の化学 式 7に示すように、 水と容易に反応し、 最終的には、 酸化水酸化アルミニウムを 主成分とし、 7K酸化アルミニウムあるいは酸化アルミニウム (アルミナ) との架 橋構造を有する混合物となる。
[化学式 7]
Λ1{0 · C3H7)3 ~ >Αί(ΟΗ)3 →ΑΙΟΟΗ-^→Αί203 従って、 アルミニウムイソプロポキサイドを空気中の水分と反応させた後、 加 熱により生成する A 1〇〇Hにて蛍光体をバインドし、 蛍光体を含む A 1 OOH により蛍光体がバインドされてなる発光層を発光素子の表面上、 および発光素子 の表面上以外の支持体上に、 発光層として形成することができる。
以上の A 1〇〇Hにより蛍光体がバインドされてなる発光層は、 Y、 Gd、 L u、 S c、 Ga、 I n、 B等他の酸化水酸化物により蛍光体がバインドされてな る発光層と、 A 1 OOHにより蛍光体がバインドされてなる発光層とを組み合わ せて同一の発光素子上に二つ以上の層を形成させてもよい。 本実施の形態におけ るスプレーによる発光層の形成方法によれば、 二層の膜厚を制御することも可能 であるから、 同じ形状の発光層を容易に形成させることができる。 例えば、 同一 の発光素子の上に まず Υ203による発光層を形成し、 その上に A 1203による発光 層を形成する。 ここで、 蛍光体は二つの層両方に含まれてもよいし、 一つの層の みに含まれてもよいし 二つの層両方に含まれなくても構わない。 このように構 成すると、 発光層の屈折率の大小によって光の取り出し効率が高まる等の効果が ある。 一層からなる発光層を形成した場合は、 その発光層と外気あるいは窒化物 半導体発光素子との界面に屈折率の急激な変化が生じ、 この界面において発光素 子から取り出した光の一部の反射が起こり得るため、 光の取り出し効率の低下を 招きやすい。 また、 例えば A 1〇〇Hと YOOH等を混合した発光層を形成し、 これにより線膨張係数や屈折率を調整しても良い。
このようにして形成された A 1 OOHにより蛍光体がバインドされてなる発光 層は、 従来の樹脂とは異なり無機物であるため、 紫外線による劣化が樹脂に比べ て極めて小さく、 紫外光を発光する発光素子や高出力のパワー系 LED等と組み 合わせて用いることもできる。
(LEDチップ 101)
本実施の形態において発光素子として用いられる LEDチップ 101とは、 蛍 光体を励起可能なものである。 発光素子である LEDチップ 101は、 MOCV D法等により基板上に GaAs、 I nP、 GaA 1 As, I nGaA l P、 I n N、 A 1 N、 GaN、 I nGaN、 A l GaN、 I n G a A 1 N等の半導体を発 光層として形成させる。 半導体の構造としては、 M I S接合、 P I N接合ゃPN 接合等を有するホモ構造、 ヘテロ構造あるいはダブルへテ口構成のものが挙げら れる。 半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができ る。 また、 半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造 や多重量子井戸構造とすることもできる。 好ましくは、 蛍光体を効率良く励起で きる比較的短波長を効率よく発光可能な窒化物系化合物半導体 (一般式 I n i G a iA 1 kN、 ただし、 0≤ i、 0≤j 、 0≤k、 i + j + k = 1 ) である。
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、 半導体基板にはサフアイャ、 ス ピネル、 S i C、 S i、 Z n O、 G a N等の材料が好適に用いられる。 結晶性の 良い窒化ガリウムを形成させるためにはサフアイャ基板を用いることがより好ま しい。 サフアイャ基板上に半導体膜を成長させる場合、 G a N、 A I N等のバッ ファー層を形成しその上に P N接合を有する窒化ガリウム半導体を形成させるこ とが好ましい。 また、 サファイア基板上に S i〇2をマスクとして選択成長させた G a N単結晶自体を基板として利用することもできる。 この場合、 各半導体層の 形成後 S i〇2をエッチング除去させることによって発光素子とサファイア基板と を分離させることもできる。 窒化ガリゥム系化合物半導体は、 不純物をド一プし ない状態で n型導電性を示す。 発光効率を向上させる等所望の n型窒化ガリウム 半導体を形成させる場合は、 n型ド一パン卜として S i、 G e、 S e、 T e、 C 等を適宜導入することが好ましい。 一方、 p型窒化ガリゥム半導体を形成させる 場合は、 p型ドーパンドである Z n、 M g、 B e、 C a、 S r、 B a等をド一プ させる。
窒化ガリゥム系化合物半導体は、 p型ド一パン卜をド一プしただけでは p型化 しにくいため p型ドーパント導入後に、 炉による加熱、 低速電子線照射やプラズ マ照射等によりァニールすることで p型化させることが好ましい。 具体的な発光 素子の層構成としては、 窒化ガリウム、 窒化アルミニウム等を低温で形成させた バッファ層を有するサフアイァ基板や炭化珪素上に、 窒化ガリゥム半導体である n型コンタクト層、 窒化アルミニウム ·ガリウム半導体である n型クラッド層、 Z n及び S iをド一プさせた窒化ィンジユウムガリゥム半導体である活性層、 窒 化アルミニウム ·ガリウム半導体である p型クラッド層、 窒化ガリウム半導体で ある P型コンタクト層が積層されたものが好適に挙げられる。 L E Dチップ 1 0 1を形成させるためにはサファイア基板を有する L E Dチップ 1 0 1の場合、 ェ ツチング等により p型半導体及び n型半導体の露出面を形成させた後 半導体層 上にスパッタリング法や真空蒸着法等を用いて所望の形状の各電極を形成させ る。 S i C基板の場合、 基板自体の導電性を利用して一対の電極を形成させるこ ともできる。
次に、 形成された半導体ウェハー等をダイヤモンド製の刃先を有するブレード が回転するダイシングソ一により直接フル力ッ卜するか、 又は刃先幅よりも広い 幅の溝を切り込んだ後 (ハーフカット) 、 外力によって半導体ウェハーを割る。 あるいは、 先端のダイヤモンド釙が往復直線運動するスクライバーにより半導体 ウェハーに極めて細いスクライブライン (経線) を例えば碁盤目状に引いた後、 ' 外力によってウェハ一を割り半導体ウェハーからチップ状にカツ卜する。 このよ うにして窒化物系化合物半導体である L E Dチップ 1 0 1を形成させることがで さる。
' 本実施の形態の発光装置において発光させる場合は、 蛍光体との補色等を考慮 して L E Dチップ 1 0 1の主発光波長は 3 5 0 n m以上 5 3 0 n m以下が好まし い。
(金属パッケージ 1 0 5 )
本発明の一実施の形態に係る発光装置に用いられる金属パッケージ 1 0 5 は、 発光素子を収納する凹部 aと、 リード電極が配置されたベース部 bとから なり.、 発光素子の支持体として働く。 前記凹部の底面と前記リード電極の底面 はほぼ同一面上に位置している。
発光装置において、 熱の放熱性及び小型化を考慮すると、 パッケージは薄膜 で形成されることが好ましい。 一方、 リード電極との界面に設けられる絶縁部 材との熱膨張率等の差を緩和させ信頼性を向上させるためには、 それぞれの接 触面を大きくする必要がある。 そこで本発明者は、 金属パッケージにおいて、 発光素子が配置される部分とリード電極を固定する部分とに分別し、 それぞれ の領域に合わせて形状及び膜厚を設定することにより、 信頼性の向上を図る。
(リード電極 1 0 2 )
本発明の実施の形態に係る発光装置は、 正及び負のリード電極 1 0 2を有 し、 金属パッケージのベース部に設けられた貫通孔内に絶縁部材を介して挿入 されている。 前記リード電極の先端部は、 前記ベース部の表面から突出してお り、 且つ前記リード電極の底面は前記凹部の実装面側底面と略同一平面上に位 置している。
( Uッド 1 0 6 )
本発明の一実施の形態における発光装置は、 金属パッケージ 1 0 5の主面側 に、 透光性窓部 1 0 7と金属部とからなるリツド 1 0 6を有する。 窓部 1 0 7 は、 発光装置の発光面であり中央部に配置されることが好ましい。
本実施例において、 前記窓部は、 前記金属パッケージの凹部に配置された発光 素子の上面に位置しており、 前記凹部の内壁の延長線と交点を有する。 前記発光 素子の端部からから発光される光は、 前記凹部の側面にて反射散乱され正面方向 に取り出される。 これらの反射散乱光の存在範囲は、 ほぼ前記凹部の側面の延長 線内であると考えられる。 そこで、 上記のように発光面である窓部の面積を調整 することにより、 前記反射散乱光は効率よく前記窓部に集光され、 高輝度な光を 発光することが可能な発光装置が得られる。
(パッケージ 1 1 4 )
図 5に示されるように、 本発明の別の実施の形態において使用されるパッケ一 ジ 1 1 4は、 L E Dチップ 1 0 1を凹部内に固定保護する支持体として働く。 ま た、 外部との電気的接続が可能な外部電極 1 0 2 Aを有する。 L E Dチップ 1 0 1の数や大きさに合わせて複数の開口部を持つたパッケージ 1 1 4とすることも できる。 また、 好適には遮光機能を持たせるために黒や灰色等の暗色系に着色さ せる、 或いはパッケージ 1 1 4の発光観測表面側が暗色系に着色されている。 パ ッケージ 1 1 4は、 L E Dチップ 1 0 1をさらに外部環境から保護するためにコ 一ティング層 1 1 1 1 1 2に加えて透光性保護体であるモールド部材 1 1 3を 設けることもできる。 パッケージ 1 1 4は、 コーティング層 1 1 1、 1 1 2ゃモ 一ルド部材 1 1 3との接着性がよく剛性の高いものが好ましい。 L E Dチップ 1 0 1と外部とを電気的に遮断させるために絶縁性を有することが望まれる。 さら に、 パッケージ 1 1 4は、 L E Dチップ 1 0 1等からの熱の影響をうけた場合、 モールド部材 1 1 3との密着性を考慮して熱膨張率の小さい物が好ましい。
L E Dチップ 1 0 1とパッケージ 1 1 4との接着は熱硬化性樹脂等によって行 うこともできる。 具体的には、 エポキシ樹脂、 アクリル樹脂やイミド樹脂等が挙 - げられる。 紫外線を含む光を発光する L E Dチップを用いた発光装置を高出力で 使用する場合、 L E Dチップ 1 0 1とパッケージ 1 1 4との接着部分は、 L E D チップから放出された紫外線等が封止部材の榭脂やあるいはそれに含まれる蛍光 ' 体等によっても反射され、 パッケージ内においても特に高密度になる。 そのた め、 接着部分の樹脂が紫外線によって劣化し、 樹脂の黄変等による発光効率低下 や、 接着強度の低下による発光装置の寿命の低下等が生じることが考えられる。 このような紫外線による接着部分の劣化防止のために、 紫外線吸収剤を含有させ た樹脂や、 より好ましくは本発明の実施の形態に係る無機物等が使用される。 特 に、 パッケージに金属材料を使用した場合は、 L E Dチップ 1 0 1とパッケージ 1 1.4との接着は、 本発明の実施の形態に係る無機物が使用される他、 A u— S n等の共晶はんだ等を使用しても行われる。 そのため、 接着に樹脂を使用した場 合と異なり、 紫外線を含む光を発光する L E Dチップを用いた発光装置を高出力 で使用した場合でも接着部分は劣化しない。 また、 £0チップ10 1を配置固定させると共にパッケージ 1 14内の外部 電極 1 02 Aと電気的に接続させるためには A gペースト、 カーボンペースト、
1 TOペースト、 金属バンプ等が好適に用いられる。
(外部電極 102 A)
図 5に示されるような外部電極 102 Aは、 パッケージ 1 14外部からの電力 を内部に配置された LEDチップ 10 1に供給させるために用いられるためのも のである。 そのためパッケージ 1 14上に設けられた導電性を有するパターンや リードフレームを利用したもの等種々のものが挙げられる。 また、 外部電極 1 0
2 Aは放熱性、 電気伝導性、 LEDチップ 1 01の特性等を考慮して種々の大き さに形成させることができる。 外部電極 1 02 Aは、 各 LEDチップ 1 0 1を配 置すると共に LEDチップ 10 1から放出された熱を外部に放熱させるため熱伝 導性がよいことが好ましい。 外部電極 102 Aの具体的な電気抵抗としては 30 0 ιιΩ - cm以下が好ましく、 より好ましくは、 3 Ω ■ cm以下である。 ま た、 具体的な熱伝導度は、 0. 0 1 c a l Z(s) (cm2) (°CZcm) 以上が好まし く、 より好ましくは 0. 5 c a 1 /(s) (cm2) C Zcm) 以上である。
このような外部電極 102 Aとしては、 銅やりん青銅板表面に銀、 パラジユウ ム或いは金等の金属メッキゃ半田メッキ等を施したものが好適に用いられる。 外 部電極 102 Aとしてリードフレームを利用した場合は、 電気伝導度、 熱伝導度 によって種々利用できるが加工性の観点から、 板厚は 0. 1mmから 2 mmであ ることが好ましい。 ガラスェポキシ樹脂ゃセラミツク等の支持体上等に設けられ た外部電極 102 Aとしては、 銅箔やタングステン層を形成させることができ る。 プリント基板上に金厲箔を用いる場合は、 銅箔等の厚みとして 18 ^m〜7 0 mとすることが好ましい。 また、 銅箔等の上に金、 半田メツキ等を施しても 良い。
(導電性ワイヤ一 1 04)
導電性ワイヤ一 104としては、 LEDチップ 1 0 1の電極とのォ一ミック 性、 機械的接続性、 電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。 熱伝導度 としては 0. 0 1 c a l/(s)(cm2) (°C/cm) 以上が好ましく、 より好ましく は 0. 5 c a 1 /(s) (cm2) (°C/cm) 以上である。 また、 高出力の発光装置を 形成する場合や、 作業性等を考慮して導電性ワイヤー 104の直径は、 好ましく は、 Φ 1 0 , m以上、 Φ 70 m以下である。 このような導電性ワイヤー 104 として具体的には、 金、 銅、 白金、 アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用 いた導電性ワイヤーが挙げられる。 このような導電性ワイヤー 1 04は、 各 LE Dチップ 1 0 1の電極と、 インナ一, リード及びマウント · リード等と、 をワイ ヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。
(モールド部材 1 1 3)
モールド部材 1 1 3は、 発光装置の使用用途に応じて L E Dチップ 1 0 1、 導 - 電性ワイヤ一 104、 蛍光体が含有されたコ一ティング層 1 1 1、 1 12等を外 部から保護するため、 あるいは光取り出し効率を向上させるために設けることが できる。 モールド部材 1 1 3は、 各種樹脂や硝子等を用いて形成させることがで ' きる。 モールド部材 1 13の具体的材料としては、 主としてエポキシ樹脂、 ユリ ァ樹脂、 シリコーン樹脂、 フッ素樹脂等の耐候性に優れた透明樹脂や硝子等が好 適に用いられる。 また、 モールド部材に拡散剤を含有させることによって LED チップ 10 1からの指向性を緩和させ視野角を増やすこともできる。 このよう な、 モールド部材 1 1 3は、 コーティング層の結着剤、 バインダと同じ材料を用 いても良いし異なる材料としても良い。
なお、 金属パッケージを使用して、 窒素ガス等と共に LEDチップ 1 01を気 密封止する場合は、 モールド部材 1 13は本発明に必須の構成部材ではない。
(スプレー装置 300)
本実施の形態では、 図 6および図 7に示されるように、 塗布液を収納する容器 3 0 1、 塗布液の流量を調節するバルブ 3 0 2、 塗布液をノズル 2 0 1に搬送し た後ノズル 2 0 1から容器 3 0 1に搬送する循環ポンプ 3 0 3、 及び螺旋状に塗 布液 2 0 3を噴出するノズル 2 0 1が、 それぞれ搬送管 3 0 7、 3 0 8、 3 0 9 で結ばれたスプレー装置 3 0 0を用いる。
(容器 3 0 1 )
塗布液を収納する容器 3 0 1には撹拌機 3 0 4が取り付けてあり、 塗布作業中 は塗布液を常に撹拌している。 容器 3 0 1に収納されている塗布液 2 0 3は、 撹 拌機 3 0 4によって常に撹拌されており、 塗布液 2 0 3に含まれる蛍光体 2 0 2 は溶液中で常に均一に分散している。
(バルブ 3 0 2 )
バルブ 3 0 2は、 容器 3 0 1から搬送管 3 0 9を通して搬送されてくる塗布液 の流量をバルブの開け閉めによつて調節する。
(循環ポンプ 3 0 3 )
循環ポンプ 3 0 3は、 塗布液を容器 3 0 1からバルブ 3 0 2およびコンプレツ サー 3 0 5を経由させてノズル 2 0 1の先端部まで搬送管 3 0 9を通して搬送 し、 その後、 ノズル 2 0 1から噴出されずに残った塗布液を、 搬送管 3 0 8を通 して容器 3 0 1まで搬送する。 塗布液は、 循環ポンプ 3 0 3によって容器 3 0 1 からバルブ 3 0 2を経由してノズル 2 0 1の先端部まで搬送管 3 0 9を通して搬 送され、 その後搬送管 3 0 8を通して容器 3 0 1まで搬送されているため、 常に スプレー装置内を循環している状態にある。 従って、 塗布液はスプレー装置全体 にわたつて撹拌、 又は循環状態にあるため、 塗布液に含まれる蛍光体は、 塗布作 業中常に均一な分散状態にある。 +
( -I、ノつ。レツ +h ~ 3 0 5
コンプレッサー 3 0 5は、 搬送管 3 0 7あるいは 3 0 9を介して装置内に設置 されており、 搬送管 3 0 7を通して搬送される空気を圧縮し、 搬送管 3 0 9を通 して搬送される塗布液の圧力を調節する。 コンプレッサー 3 0 5により、 圧縮空 気および圧力調節された塗布液がそれぞれノズル 2 0 1に搬送される。 ここで圧 縮空気の圧力は圧力計 3 0 6によって監視される。 以上のようなスプレー装置 3 0 0を使用して、 塗布液を高圧のガスと共に高速で噴出させて 発光素子の上 面 側面および角の上に塗布する。
(ノズル 2 0 1 )
本実施の形態では、 塗布液とガス (ここでは空気) がノズル 2 0 1を通して螺 旋状に噴出されることを特徴とする装置を使用する。 この装置のノズルの周囲に はガスの噴出口が数力所設けられており、 それらの噴出口から噴出するガスの噴 出方向は、 塗布される面に対してそれぞれある一定の角度を付けられている。 し たがって、 塗布液の噴出口を中心に回転しているそれらのガス噴出口に同時にガ スが送り込まれると、 それぞれの噴出口から噴出するガスを集めた全体のガスの ' 流れは、 渦巻き状の流れ、 螺旋状の流れ、 あるいは竜巻における空気の流れを逆 さまにしたような流れとなる。 また、 この装置のノズルの中心には塗布液の噴出 口が設けられており、 ガスの噴出と同時に塗布液を噴出すると、 霧状となった塗 ' 布液が、 螺旋状の流れ、 あるいは竜巻における空気の流れを逆さまにしたような ガスの流れに乗って拡散していく。
螺旋状に拡散した噴霧全体の径は、 発光素子上方の噴射開始点から発光素子の 表面に近づくにつれて大きい。 また、 発光素子上方の噴射開始点から発光素子の 表面に近づくにつれて塗布液からなる噴霧の回転速度が減少している。 即ち、 霧 状の塗布液がノズルから噴出されて空気中で拡散すると、 噴射開始点であるノズ ルの付近では円錐状に噴霧が広がるが、 ノズルから離れた所では、 円柱状に噴霧 が広がる。 そこで、 本実施例では、 発光素子の上面からノズル下端までの距離を 調節して円柱状に噴霧が広がった状態の所に発光素子の表面がくるように設置す ることが好ましい。 このとき噴霧は、 螺旋状に回転し、 かつ速度が弱まっている ため、 導電性ワイヤーの陰になる発光素子表面上にも回り込み、 発光素子上面全 体だけでなく側面全体にも十分吹き付けられる。 これにより、 発光素子あるいは ノズルを固定した状態で作業を行うことができる。 また、 円柱状に噴霧が広がつ た状態の所では噴霧の速度が弱まっているため、 噴霧が発光素子の表面に吹き付 けられたとき、 含まれる蛍光体粒子によって発光素子の表面が衝撃を受けること がない。 また、 導電性ワイヤ一の変形や断線がなく歩留まりや作業性が向上す る。
(ヒータ 2 0 5 )
図 6に示されるように、 本実施の形態おける塗布後の発光素子はヒータ 2 0 5 上において温度 5 0 °C以上 5 0 0 °C以下の加温状態におかれる。 こめように発光 素子を加温状態におく方法として、 発光素子をオーブン等の加温装置内で加温す る方法を使用してもよい。 加温により、 エタノール、 ゾル状態の加水分解溶液に 僅かに含まれる水分および溶剤を蒸発させ、 かつ、 ゾル状態の塗布液 2 0 3から 非晶質の A 1 (OH) 3や A 1 O OHが得られる。 さらに本実施の形態おける塗布 液 2 0 3は、 粘度調節されているため、 発光素子の上面、 側面および角、 さらに 支持体 2 0 4表面に吹き付けられた後に吹き付けられた場所から流れ出すことは なく、 それらの場所で塗布直後に加温される。 これにより、 A I O O Hにより蛍 光体 2 0 2がバインドされてなるコーティング層により発光素子の上面、 側面お よび角の部分を覆うことができる。
本実施の形態において、 接着液を温度 5 0 °C以上 5 0 0 °C以下の加温状態にお くことにより発光素子は支持体 2 0 4上にダイポンドされる。 このように加温状 態におく方法として、 発光素子をヒー夕上に設置したり、 オーブン等の加温装置 内で加温する方法を使用してもよい。 加温により、 エタノール、 ゲル状態の加水 分解溶液に僅かに含まれる水分、 および溶剤を蒸発させると、 ゲル状態の接着液 から A 1 O O Hを主成分とする粒径数ナノメートルの粒子が多数密集して形成さ れる接着層が得られる。 この接着層は、 無機物を主成分とする直径数ナノメート ルの粒子が密集することによって形成され、 粒子間には隙間が存在する。 接着層 に急激な温度変化が加わると、 熱応力によりそれぞれの粒子の体積が膨張あるい は収縮する。 そのため、 上記粒子が存在せず 支持体材料と熱膨張係数が大きく 異なる溶融ガラスや樹脂によって発光素子を接着した場合と異なり、 本実施の形 態による接着層は全体として熱応力による大きな影響を受けず、 接着層の剥離や ひび割れ等が生じない。 したがって急激な温度変化が加わる状況下で使用する発 光装置としても、 本実施の形態による発光装置は、 信頼性を維持することが可能 である。
さらに本実施の形態において接着液は、 高粘度に調整されているため、 発光素 子の基板面と支持体表面との間に介在し、 さらに発光素子の側面に延材した場所 から流動することはなく、 それらの場所でダイポンド後に加温され固化される。 - これにより、 発光素子が最初に載置された位置からズレることはなく、 A I O O Hにより支持体表面にダイポンドされてなる発光装置を形成することができる。
(マスク 2 0 6 )
' 本実施の形態においては、 複数個のパッケージが配列した状態で、 発光素子を パッケージにそれぞれダイポンドし、 発光素子の電極を外部電極とワイヤーボン ドした後に、 塗布液 2 0 3を発光素子の上方から吹き付ける。 しかしながら、 パ ッケージの凹部側面をテーパー形状とし、 パッケージの正面方向における光の取 り出し効率を上げる反射部として利用する場合に、 この凹部の側面に塗布液 2 0 3が付着すると発光素子から出光した光はこの側面で乱反射するため、 パッケー ジ正面方向における光取り出し効率の向上が図れない。 そこで、 本実施の形態で は、 パッケージの凹部側面、 および外部電極に塗布液 2 0 3が付着するのを防ぐ ため、 マスク 2 0 6の上方から発光素子の表面上に塗布液 2 0 3を吹き付ける。 マスク 2 0 6は、 パッケージの凹部側面および外部電極を完全に覆い、 発光素子 の上面、 側面および角には塗布液 2 0 3が吹き付けられるような大きさの貫通孔 が設けられた板であり、 金属製マスク、 強化プラスチック製マスク等がある。
(接着層 1 1 0 )
本実施の形態に用いられる接着層 1 1 0とは、 発光素子と支持体とをゾル状態 の有機材料を介して密着後、 加熱乾燥させた後に形成される非晶質の無機物の層 である。 さらに本実施の形態の接着層は、 支持体上面と発光素子の基板面との間 に存在する連続した無色透明の層であり、 且つ、 発光素子の側面に延材してい る。
パッケージ等による反射により、 L E Dチップから放出される高エネルギー光 等が接着層中で高密度になる。 そのため、 発光強度が強く高エネルギー光が発光 可能な窒化物系半導体を L E Dチップとして利用した場合は、 それらの高工ネル ギ一光に対して耐光性のある S i、 A l、 G a、 T i、 G e、 P、 B、 Z r、 Y 及びアル力リ土類金属の 1種又は 2種以上有する酸化物を発光素子と支持体との 接着液として利用することが好ましい。 また上述した酸化水酸化物を接着層とし て用いても良い。
接着層の具体的主材料の一つとしては、 S i 02、 A 1 2 O 3, 、 Z r〇2、 Y 2 O 3、 M S i Os (なお、 Mとしては、 Z n、 C a、 M g、 B a、 S r等が挙げられ る。 ) 等の透光性無機部材が好適に用いられる。 これらの透光性無機部材を介し て発光素子の基板面と支持体表面とを対向させ、 発光素子は支持体に対して固定 される。 本実施の形態において、 少なくとも S i、 A 1、 G a、 T i、 G e、
P、 B、 Z r、 Yあるいはアルカリ土類金属の群から選択される 1種以上の元素 を含む酸化物は、 コーティング層を形成させる材料と同様に有機金属化合物によ り生成される。 このような常温で液体の有機金属化合物を使用すれば、 有機溶剤 を加えることによって、 作業性を考慮した粘度調節や、 有機金属化合物等の凝固 物の発生防止が容易にできるため作業性を向上させることができる。 また、 この ような有機金属化合物は加水分解等の化学反応を起こし酸化物や水酸化物等の無 機物を生成しやすいため、 少なくとも S i、 A 1、 G a、 T i、 G e、 P、 B、 Z r、 Yあるいはアルカリ土類金属の群から選択される 1種以上の元素を含む酸 化物等により、 接着層を L E Dの発光素子としての性能を低下させることなく容 易に形成させることが可能である。 ただし、 これら元素中には着色し易いものも 含まれるので、 用途に応じて適宜選択する必要がある。 また、 本実施の形態に係 る酸化水酸化物のバインダも耐光性、 耐熱性を有するため、 これら接着層として 用いても良い。
さらに、 接着層が発光素子の側面にも延材する場合、 金属はんだで発光素子を ダイボンドすると、 発光素子から出光する近紫外から青色の光を吸収する金属が 金属はんだに含まれる場合がある。 例えば、 A u— S n共晶はんだで発光素子を ダイボンドすると A nは発光素子から出光する近紫外から青色の光を吸収してし まうため、 発光装置の出力を下げる問題があるが、 本実施の形態による接着層は 発光素子から出光する近紫外から青色の光を吸収しないため、 発光効率の高い発 光装置を形成することが可能である。
実施の形態 3
次に、 図 8および図 9を用いて本発明の実施の形態 3に係る発光装置について 説明する。 図 8は発光装置の平面図を、 図 9は図 8の A— A ' 線における断面図 をそれぞれ示す。 実施の形態 3に係る発光装置において用いられる蛍光部材は実施 の形態 1における蛍光部材と同様のものが使用できる。 発光層として発光ピークが 青色領域にある 4 6 0 n mの I n G a N系半導体層を有する発光素子 4 0 1を用い る。 発光素子 4 0 1には、 p型半導体層と n型半導体層とが形成されており (図示 せず) 、 p型半導体層と n型半導体層にはリード電極 4 0 2へ連結される導電性ヮ ィャ 4 0 4が形成されている。 リード電極 4 0 2の外周を覆うように絶縁封止材 4 0 3が形成され、 短絡を防止している。 発光素子 4 0 1の上方には、 パッケージ 4 0 5の上部にあるリッド 4 0 6から延びる透光性の窓部 4 0 7が設けられている。 透光性の窓部 4 0 7の内面には、 蛍光体 4 0 8を均一に含むバインダ 4 1 0が発光 膜 4 0 9としてほぼ全面に塗布されている。
このように、 図 8および図 9の発光装置は、 蛍光体を含む発光膜 4 0 9を L E D チップの上方に離間して配置している。 この点において上述した図 3、 図 4の発 光装置の構造と異なっているが、 他の部分はほぼ同様であり、 蛍光体やバインダ も同様のものが利用できる。 発光膜は多層構造として、 各層に異なる蛍光体を混 入したり、 蛍光体を混入しない膜を組み合わせてもよい。 図 8および図 9の発光 膜は発光装置から分離して交換可能とすることができ、 発光色を変更したり劣化 した発光膜を交換するといつたことも可能となる。
実施の形態 4
さらに、 図 1 0は本発明の実施の形態 4に係る発光装置を示している。 この図 に示す発光装置では、 上記と逆に発光素子 5 0 1として L E Dを上方に配置し、 下方のパッケージ 5 0 5に湾曲した凹部を形成してこの表面に発光層 5 0 9を設 けている。 この構成においても、 上述の蛍光体やバインダからなる多層構造が利 用できる。 また層構成も上記と同様に多層構造としてもよい。
実施の形態 5 '
さらにまた、 図 1 1〜図 2 2に本発明の実施の形態 5に係る発光装置を示す。 これらの図に示す発光装置は、 図 1 9に示すように発光素子の電極を設けた側を 基板に対向するように配置している。 以下、 図 1 9に示す発光装置の作成方法 を、 図 1 1〜図 1 8に基づいて説明する。
まず、 図 1 1に示すようにサブマウント用基板 6 0 1の表面に導電性部材 6 0 2を配置する。 さらに図 1 2に示すように、 発光素子 6 0 0の正電極および負電 極に接続される導電性部材 6 0 2を分離するための絶縁部 6 0 3を形成する導電 性パターンを設ける。
サブマウント用基板 6 0 1の材料は、 半導体発光素子と熱膨張係数がほぼ等し いもの、 例えば窒化アルミニウムが好ましい。 このような材料を使用することに より、 サブマウント用基板 6 0 1と発光素子 6 0 0との間に発生する熱応力を緩 和することができる。 あるいは、 サブマウント用基板 6 0 1の材料は、 保護素子 が形成可能であり安価でもあるシリコンが好ましい。 また、 導電性部材 6 0 2 は、 反射率の高い銀や金を使用することが好ましい。
発光装置の信頼性を向上させるため、 発光素子 6 0 0の正負両電極間と絶縁部 6 0 3との間に生じた隙間には、 アンダフィル 6 0 4が充填される。 図 1 3に示 すように、 上記サブマウント用基板 6 0 1の絶縁部 6 0 3の周辺にアンダフィル 6 0 4が配置される。 アンダフィル 6 0 4の材料は、 例えばェポキシ樹脂等の熱 硬化性榭脂である。 アンダフィル 6 0 4の熱応力を緩和させるため、 さらに窒化 アルミニウム、 酸化アルミニウム及びそれらの複合混合物等をエポキシ樹脂に混 - 入してもよい。 アンダフィル 6 0 4の量は、 絶縁部 6 0 3をまたぐ発光素子 6 0 0の正負両電極とサブマウント用基板 6 0 1との間に生じる隙間を埋めることが きる量である。
' 次に図 1 4に示すように、 別途作成された L E Dチップ等の発光素子 6 0 0の 正負両電極を上記導電性パターンの正負両電極にそれぞれ対向させ固定する。 ま ず、 発光素子 6 0 0の正負両電極に導電性材料 6 0 5を付着させる。 導電性材料 6 0 5の材料は、 例えば A u、 共晶ハンダ (A u— S n ) 、 P b— S n、 鉛フリ —ハンダ等である。 アンダフィル 6 0 4が軟化状態において、 発光素子 6 0 0の 正負両電極を、 導電性材料 6 0 5を介して上記導電性パターンの正負両電極と対 向させて、 発光素子 6 0 0の正負両電極、 導電性材料 6 0 5および上記導電性パ ターンを熱圧着する。 このとき、 導電性材と上記導電性パターンの正負両電極と の間のアンダフィル 6 0 4は排除される。
さらに図 1 5に示すように、 発光素子 6 0 0の基板側からスクリーン版 6 0 6 を配置する。 なお、 スクリーン版の代わりとして、 導電性ワイヤのポールボンデ ィング位置やパーティングライン形成位置等、 蛍光体層を形成させたくない位置 にメタルマスクを配置しても構わない。
続いて図 1 6に示すように、 チキソ性を有するアルミナゾルに蛍光体を含有さ せた蛍光体層形成材料 607を調整し、 スキージ (へら) 608を使ってスクリ ーン印刷を行う。
さらに図 1 7に示すようにスクリーン版を取り外し、 蛍光体層形成材料 607. を硬化させる。 そして図 1 8に示すようにパーテイングライン 609に沿って発 光素子毎にカツトすると、 図 19に示す蛍光体層付き発光装置 6 1 0が得られ る。
さらに、 このような蛍光体層付き発光装置 6 1 0を支持体等に固定した発光装 置としてもよい。 図 20〜図 22に、 蛍光体層付き発光装置 610を凹部 61 2 を有する支持体 6 1 1に固定した発光装置の例を示す。 図 20は発光装置の平面 図であり、 図 2 1は図 20の B— B' 線における断面図であり、 また図 22は図 2 1の拡大図である。 これらの図に示す発光装置は、 蛍光体層付き発光装置 6 1 0をパッケージ等の支持体 6 1 1の金属基体 6 1 5上に設けられた凹部 6 12の 底面に、 Agペースト等の接着剤にて固定している。 さらに、 露出させたリード 電極 6 13を、 導電性ワイヤ 614にてサブマウント用基板 60 1に設けた導電 性パターンと接続する。
以上説明した発光装置においては、 被覆材料によりコーティングもしくは被覆さ れた蛍光体を用いてもよい。 上述した酸化水酸化物を主体とする無機バインダとフ ィラーにより構成される発光層を備える発光装置は、 発光装置の構成を限定しな い。 例えば上記のような発光素子を下向きに実装してサファイア基板等の上に発光 層を形成する例の他、 高圧水銀ランプの管表面に発光層を形成する例等にも適用可 能である。
実施例 1 〜 2 Q
以下、 本発明の実施例について説明する。 まず、 アルミナゾル、 イットリウム ゾルを用いて蛍光体スラリーを調合し、 蛍光体 Zゾルスラリーを作成する。
(実施例 1 )
市販品アルミナゾル (日産化学製 A 1 520) を 1 0 g、. 100m lビーカに とり、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合した。 そこに蛍 光物質 YAG 1 0 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルのスラリ一を得た。
(実施例 2 )
市販品アルミナゾル (日産化学製 A 1 200) を 1 0 g、 100m lビーカに とり、 エタノールをアルミナゾルに対して 70重量%添加し混合した。 そこに蛍 光物質 Y AG 1 0 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルのスラリーを得た。
(実施例 3 )
- 市販品アルミナゾル (触媒化成製カタロイド AS 3) を 1 0 g、 1 00 m 1ビ 一力にとり、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合した。 そ こに蛍光物質 YAG1 0 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾルのスラリーを得 ' †,
(実施例 4)
市販品酸化ィットリゥムゾル (多木化学製酸化ィッ卜リゥムゾル) を 10 g、 100mlビーカにとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加 し混合した。 そこに蛍光物質 YAG 10 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾル のスラリーを得た。
(実施例 5 )
市販品アルミナゾル (日産化学製 A 1 520) を 1 0 g、 100mlビーカに とり、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合した。 そこに蛍 光物質 SAEを 1 0 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾルのスラリーを得た。 (実施例 6 )
市販品アルミナゾル (日産化学製、 A 1 200) を 1 0 g、 100m lビーカ にとり、 エタノールをアルミナゾルに対して 70重量%添加し混合した。 そこに 蛍光物質 SAEを 1 O g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルのスラリーを得 た。
(実施例 7 )
市販品アルミナゾル (触媒化成製、 カタロイド AS 3) を 1 0 g、 10 Om l ビーカにとり、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合した。 そこに蛍光物質 SAEを 1 O g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾルのスラリー を得た。
(実施例 8)
市販品ィットリァゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 10 g、 1 0 0m lビ一力にとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 70重量%添加し混 合した。 そこに蛍光物質 SAEを 10 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルの スラリーを得た。
(実施例 9)
市販品アルミナゾル (日産化学製、 A 1 200) を 1 0 g、 1 00m lビ一力 にとり、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合した。 そこに 蛍光物質 B AMを 1 O g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルのスラリーを得 †,
(実施例 10 )
市販品ィットリァゾル (多木化学製.. 酸化ィットリゥムゾル) を 10 g、 10 0m 1ピー力にとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加し混 合した。 そこに蛍光物質 CCA— 1を 1 O g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾ ルのスラリーを得た。
(実施例 1 1 )
市販品ィットリアゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 10 g、 1 0 Om lビーカにとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加し混 合した。 そこに蛍光物質 CC A— 2を 10 g加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾル のスラリーを得た。
(実施例 12 )
市販品ィットリアゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 1 0 g、 1 0 Om lビーカにとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加し混 合した。 そこに蛍光物質 CC BEを 10 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾル のスラリーを得た。
(実施例 13)
市販品ィットリアゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 10 g、 10 Om lビーカにとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加し混 合した。 そこに蛍光物質 SAEを 10 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルの スラリーを得た。 .
(実施例 14)
市販品ィットリァゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 10 g、 1 0 Om lビーカにとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加し混 合した。 そこに蛍光物質 CESNを 10 g添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 ゾル のスラリ を得た。
さらに、 以下に実施例 1 5〜23として、 様々な条件で LEDを作製する例を 示す。
(実施例 1 5— 1) '
市販品ィットリァゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 100 m 1ビ 一力にとり、 エタノールをイットリアゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに蛍光物質 Y AGを所定の割合で添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 ゾルのス ラリーを得る。 これにより、 波長 460 nmの半導体発光素子と組み合わせ、 白 色光を発する LEDを得る。
(実施例 15— 2) .
市販品アルミナゾル (日産化学製、 アルミナゾル 200) を 10 Omlビーカ にとり、 エタノ一ルをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに 蛍光物質 Y AGを所定の割合で添加し十分攪拌、 混合し蛍光体ノゾルのスラリー を得る。 これを波長 460 nmの半導体発光素子と組み合わせ、 白色光を発する LEDを作製する。
(実施例 16)
市販品ィットリァゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 100 m 1ビ 一力にとり、 エタノールをイットリアゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに蛍光物質 Y AGとユーロピウム付括カルシウムシリコンナイトライドを所 定の割合で添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾルのスラリーを得る。 これを波長 460 nmの半導体発光素子と組み合わせ、 電球色光を発する L E Dを作製す る。
(実施例 17- 1) ■
市販品アルミナゾル (日産化学製、 アルミナゾル 200) を 100mlビーカ にとり、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに 蛍光物質 YAGとユーロピウム、 マンガン付括力ルシゥムクロロアパタイトを所 定の割合で添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルのスラリーを得る。 これを波長 400 nmの半導体発光素子と組み合わせ、 白色光を発する LEDを作製する。
(実施例 17— 2)
市販品ィットリァゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 100 m 1ビ 一力にとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに蛍光物質 Y AGとユーロピウム、 マンガン付括カルシウムクロロアパタイ トを所定の割合で添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾルのスラリーを得る。 これ を波長 400 nmの半導体発光素子と組み合わせ、 白色光を発する L E Dを作製 する。
(実施例 18)
市販品ィッ卜リァゾル (多木化学製、 酸化ィットリゥムゾル) を 100 m 1ビ 一力にとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに蛍光物質 Y A Gとユーロピウム、 マンガン付括力ルシゥムクロロアパタイ ト、 ユーロピウム付括カルシウムシリコンナイトライドを所定の割合で添加し十 分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルのスラリーを得る。 これを波長 400 nmの半導体 発光素子と組み合わせ、 電球色光を発する LEDを作製する。
" ¾施例 19)
市販品アルミナゾル (日産化学製、 アルミナゾル 200) を 100mlビーカ にとり、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに 蛍光物質ユー口ピウム付括カルシウムクロ口アパタイト、 ユーロピウム、 マンガ ン付括バリウムマグネシウムアルミネート、 ユーロピウム付括ストロンチウムシ リコンナイトライドを所定の割合で添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 ゾルのスラ リーを得る。 これを波長 40 Onmの半導体発光素子と組み合わせ、 白色光を発 する LEDを作製する。
(実施例 20 )
市販品アルミナゾル (日産化学製、 アルミナゾル 200) を 10 Omlビーカ にと.り、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに 蛍光物質ユーロピウム付括ストロンチウムアルミネートを所定の割合で添加し十 分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルのスラリーを得る。 これを波長 365 nmの半導体 発光素子と組み合わせ、 信号用青緑色光を発する LEDを作製する。 (実施例 21 )
市販品アルミナゾル (日産化学製、 アルミナゾル 200) を 10 Om lビーカ にとり、 エタノールをアルミナゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに 蛍光物質ユーロピウム付括バリウムシリコンナイトライドを所定の割合で添加し 十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾルのスラリーを得る。 これを波長 365 nmの半導 体発光素子と組み合わせ、 信号用黄色光を発する LEDを作製する。
(実施例 22)
'市販品イットリアゾル (多木化学製、 酸化イットリウムゾル) を 10 Om lビ —力にとり、 エタノールをイツトリァゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに蛍光物質 YAGとユーロピウム付括バリウムマグネシウムアルミネート、 ユーロピウム付括カルシウムストロンチウムシリコンナイトライドを所定の割合 で添加し十分攪拌、 混合し蛍光体/ゾルのスラリーを得る。 これを波長 365 η mの半導体発光素子と組み合わせ、 電球色光を発する LEDを作製する。
(実施例 23 )
市販品ィットリァゾル (多木化学製、 酸化ィッ卜リゥムゾル) を 100 m 1ビ 一力にとり、 エタノールをイットリアゾルに対して 50重量%添加し混合する。 そこに蛍光物質ユーロピウム付括カルシウムクロロアパタイトとユーロピウム、 マンガン付括バリウムマグネシウムアルミネート、 ユーロピウム付括カルシウム シリコンナイトライドを所定の割合で添加し十分攪拌、 混合し蛍光体 Zゾルのス ラリーを得る。 これを波長 365 nmの半導体発光素子と組み合わせ、 白色光を 発する P Dを作製する
上記実施例 1 5— 1から 23に係る蛍光体、 バインダ及び L E Dの組み合わせ の例を表 1に示す。 また発光色を図 23の色度図上に示す。 これらの実施例に係 る L E Dは実施例 1 5— 1、 1 5— 2が白色、 実施例 16が電球色、 実施例 17 _ 1、 17-2, が高演色白色、 実施例 1 8、 22が電球色、 実施例 1 9、 23 が三波長白色、 実施例 20が信号用青緑色、 実施例 2 1が信号用黄色の発光色を それぞれ示す。
[表 1]
Figure imgf000038_0001
さらに、' 本発明の好ましい実施例として、 高出力の発光素子を作製することも できる。 高出力の発光素子は、 例えば照明用途などに適している。 以下の表 2 に、 実用上好ましい特性の LEDを作製するための蛍光体、 バインダ及び LED の組み合わせの例を実施例 24〜実施例 29として示す。 これらの実施例に係る L E Dは、 実施例 24が白色、 実施例 25、 26、 27が電球色、 実施例 28、 29が三波長白色となり、 それぞれの発光色 (色調) を示す。
また実施例 19、 実施例 23で使用した三波長白色の蛍光体スぺクトルデータ を図 24および図 25に示す。 図 24は実施例 23で使用した波長 365 nmの LEDで励起させたスぺクトルを、 図 25は実施例 19で使用した波長 400 n mの L EDで励起させたスぺクトルをそれぞれ示している。 [表 2]
Figure imgf000039_0001
(比較例 1 )
比較例 1として、 シリカゾルを使ったサンプルを作成して比較データを得た。 市販品シリカゾル (コルコ一ト製、 HAS 1 0) を 1 0 g、 1 00m lビーカに とり、 そこに蛍光物質として CESNを 1 0 g添加し、 十分攪拌、 混合して蛍光 体/ゾルのスラリーを得た。
(比較例 2)
比較例 2として、 蛍光体を使用しないサンプルを作成して比較データを得た。 ここでは 400 nmLEDのみを使用した。
(蛍光体層の形成)
以上のようにして得られた実施例 1〜14の蛍光体 ゾルスラリーを用いて、 蛍光体層を形成する方法を以下に示す。 まず実施例 1〜 5の蛍光体/ゾルスラリ 一を、 それぞれスプレー装置 (ノードゾン製) のシリンダーに充填した。 スプレ 一ノズル下方には、 発光素子として波長 400 nmの LED (9 φステムパッケ ージ、 0. 35mmチップ) をセットする。 ここで L EDチップ上のみに蛍光体 /ゾルスラリ一を塗布するため、 予め LEDチップにマスクをしておく。 さらに LEDチップ下方から、 ホットプレートにて約 90 に加熱しておく。 スプレー 成形後、 蛍光体は混合しているゾルにより LEDチップ上に接着され、 発光層が 形成できた。
次に、 硬化を十分にするために窒素雰囲気下、 240°C、 30m i nにて本硬 化を行った。 最後に、 グロ一ボックス中にて LEDチップを窒素気密封止により キヤッビングし、 蛍光体を含む発光層を備える L EDを得た。
実施例として使用した蛍光体の一覧を表 3に示す。
[¾3]
Figure imgf000040_0001
(耐久試験)
次に、 作成された発光装置の信頼性を確認する耐久試験を行った。 耐久試験 は.. 波長 40 0 nm、 出力 1 4. 5mW、 一辺の大きさが 3 5 0 mの L EDチ ップを使用し、 常温にて 6 0 mAで点灯させ、 耐久性を確認した。 このとき、 発 光装置の発光層に投入される光照射密度は、 チップの側面から光の半分が出力さ れていると仮定すると、 約 8 6. 3W/cm_2である。 またジャンクション温度 が約 8 0 °Cであり、 パッケージ全体の熱抵抗値は 2 3 0 °C/Wであつた。 太陽光 の光照射密度が 1 4時の東京において約 0. 1 W/cm— 2であるから、 太陽光の 約 8 6 3倍のエネルギー密度の光が照射されている計算になる。 この耐久試験の 結果を図 2 6〜図 2 8に示す。
図 2 6は、 YAG系蛍光体を使った実施例 1〜4の耐久試験結果である。 上記 で調整した蛍光体/ゾルの内、 実施例 1〜 4の蛍光体 ゾル調製を塗布した蛍光 体層については、 点灯試験投入前と 1 0 0 0時間経過後の出力を比較したとこ ろ、 出力劣化は全く見られなかった。 一方、 比較例 1としてシリカゾルを使った 蛍光体の LEDは徐々に出力が低下し、 1 0 0 0時間経過後の出力は 8 5 %に低 下した。 なお各図において、 比較例 2は 40 0 nmLEDのみで蛍光体を塗布し ていないため、 当然ながら劣化は確認できなかった。
図 2 7は、 ストロンチウムアルミネート蛍光体を使った実施例 5〜8の耐久試 験結果を示す。 実施例 5〜8の蛍光体/ゾル調製を塗布した蛍光体 LEDの 1 0 0 0時間後の出力では、 図 2 7に示すように、 実施例 5が 8 8 %、 実施例 6が 8 9 %、 実施例 7が 9 2%、 実施例 8が 9 3 %となった。 この中で実施例 5の蛍 光体/ゾル調製を塗布した蛍光体/ LEDでは、 図 2 7に示すように蛍光体層の 劣化による出力低下は、 3 0 0時間までは進行し 8 8 %まで低下したが、 それ以 降の低下は見られず、 1 0 0 0時間でも 8 8 %の出力を維持していた。
さらに図 2 8に、 イットリアゾルで R G Bの各蛍光体を含む発光層を形成した L E Dを組み合わせた Ξ波長白色に係る実施例 9〜1 2の耐久試験結果を、 同じ く図 2 9に実施例 1 3、 図 3 0に実施例 1 4の耐久試験結果をそれぞれ示す。 こ れらの実施例では、 蛍光体/ゾル調製を塗布した蛍光体 ZL E Dの 1 0 0 0時間 後の出力は、 図 2 8に示すように、 実施例 9が 9 4 %、 実施例 1 0が 8 8 %、 実 施例 1 1が 9 4 %、 実施例 1 2が 9 4 %、 また図 2 9に示す実施例 1 3で 9 4 %、 図 3 0に示す実施例 1 4で 9 6 %となった。 なお図 2 9の実施例 1 3の蛍光 体ノゾル調製を塗布した蛍光体 L E Dの 1 0 0 0時間後の出力は 9 4 %を維持 した。
このように、 上記実施例で作成した蛍光体ノゾル調製では、 シリカゾル等を使 つた従来の蛍光体に比べて、 極めて高い耐久性が得られていることが判明した。 特に 4 1 O n m以下の波長域で使用される発光膜や発光層として有効であること が確認された。 また、 紫外線を発光する半導体発光素子を発光素子として利用す る場合はさらに条件が厳しくなるため、 上記実施の形態で利用した無機バインダ が有効である。 一方、 従来め発光層に樹脂を用いた L E Dやシリカゲルを用いた 蛍光体では、 波長が比較的長い 5 2 0 n m程度でも劣化が生じていたため、 上記 実施の形態に係る無機バインダを利用することによって、 長時間使用でも安定し た信頼性の高い発光装置を実現することができる。 また半導体発光素子と素子に 密着形成される蛍光体との組み合わせや、 投入電力量の大きい発光素子におい て、 上記実施の形態を効果的に利用できる。 投入電力が大きい発光装置では発光 層に加えられる発熱量、 光照射密度等のエネルギーが大きいため、 従来の樹脂バ インダゃシリカゲルでは特に劣化が早い。 これに対して上述したように、 本実施 の形態では長時間使用においても劣化が殆ど見られず、 高い出力を維持して信頼 性の高い発光装置が実現される。
実施の形態 6
次に、 本発明の実施の形態 6に係る発光装置を、 図 3 1〜3 2に基づいて説明す る。 図 3 1は、 実施の形態 6に係る発光装置を示す概略平面図を、 図 3 2 ( a ) は 実施の形態 6に係る発光装置を示す概略断面図を、 図 3 2 ( b ) は基体の凹部を拡 大した概略断面図を、 それぞれ示す。 本発明の実施の形態 6に係る発光装置 1は 発光素子 6 0と、 該発光素子 6 0が載置された基体 2 0と、 該基体 2 0に形成され た蓋体 2 6と、 を有する。 発光素子 6 0が載置されている側を主面とし、 その裏面 を、 背面を呼ぶ。
基体 2 0は金属からなり、 中央部に凹部 2 0 aを有する。 また、 凹部 2 0 aの周 囲であるベース部は、 厚さ方向に貫通された貫通孔を 2つ有し、 それぞれの貫通孔 は前記凹部 2 0 aを挟んで対向している。 この貫通孔内には、 絶縁部材 2 3である - 硬質ガラスを介して、 金属製の正及び負のリード電極 2 2がそれぞれ挿入されてい る。 また、 基体 2 0の主面側は、 透光性の窓部 2 5と金属部からなるリツド 2 4と を有する蓋体 2 6を有し、 金属製のリツド 2 4と金属製の基体 2 0との接触面を溶 ' 接する。 基体 2 0と蓋体 2 6との溶接により、 この発光素子 6 0は、 気密封止され ている。 気密封止は、 窒素ガスなどの不活性ガスが用いられている。 凹部 2 0 a内 に収納される発光素子 6 0は、 青色光又は紫外線を発光する発光素子であり、 発光 素子 6 0は、 基体 2 0の凹部 2 0 a内に接着されている。 この接着剤の一例として は、 ェチルシリゲートの加水分解溶液を乾燥焼成して得られるものを用いることが できる。 基体 2 0の凹部 2 0 a内に載置された発光素子 6 0は、 蛍光体が含有され た無機バインダ 3 0で被覆されている。 この無機バインダ 3 0の表面は、 樹脂 4 0 で被覆されている。
発光装置 6 0 1において、 特定の金属元素においては結晶性を高めずとも、 ゲル 状態で光取り出し効率の低下を招くことがなく、 無機バインダ 3 0に樹脂 4 0を含 4U 浸させることで、 光取り出し効率の高い発光装置を提供することができる。 特に、 ゾルーゲル反応過程において価数変化せず、 酸化状態の安定した A 1や Y元素等の 酸化水酸化物のゲルを使用すると、 被膜にゲル状態部分があっても、 さらに樹脂を 含浸させたで発光膜を形成することによって、 ゾルーゲル反応を継続することなく 短時間、 低エネルギーで容易に光取り出し効率の高い被膜を得ることができる。 また、 酸化水酸化物のゲルで無機バインダ 3 0を構成することで、 形成される被 膜の品質を高めることができる。 酸化水酸化物を含有する無機バインダ部材は、 粒 子状物質がゾルーゲル法により集合されて、 架橋構造、 網目体構造、 又はポリマー 構造を形成した多孔質体となる。 酸化水酸化物の粒子集合の骨格構造が隙間を有し た網目体構造であると、 多孔性の構造体となるので、 被膜の柔軟性が向上される。 また無機バインダ 3 0の成膜時においては、 蛍光体粒子等のフィラー部材を担持 し、 被膜の対象が複雑な形状であってもこれに応じて成膜でき、 固着性に富む被膜 を得ることができる。 さらに、 酸化水酸化物であることにより、 熱や光に対して安 定で変質しない膜を得ることができる。
従来の発光装置に形成された被膜は、 発光素子からの光に晒されるため発光装置 の使用によって劣化する。 この劣化の原因は、 発光素子からの光出力と、 発熱のい ずれか又は両者に起因する反応が生じるためと考えられる。 従って、 光エネルギー の高い紫外線を、 発熱および熱抵抗値の大きい大型の素子に利用する場合は劣化し 易くなる。 これに対し後述のように、 本発明の実施例を作成して耐久試験を行った 結果、 極めて高い耐性を備えることを確認した。 本発明の実施の形態 6に係る発光 装置は、 以下の構成を有する。 以下、 図面を参照しながら本実施の形態の構成部材 について詳述する。
(無機バインダ)
無機バインダ 3 0は、 基体 2 0に設けられた発光素子 6 0を被覆している。 無機 パインダ 3 0は、 ゾル状態のものを基体 2 0の凹部 2 0 a内にポッティング、 流し 込み、 スプレー噴霧等を施して、 発光素子 6 0の表面及び凹部 2 0 aを被覆する。 該無機バインダ 3 0には、 蛍光体 5 0が含有されている。
無機バインダ 3 0は、 スプレーコーティング、 またはポッティング、 スクリーン 印刷等した後、 ゲル化して硬化させる。 この硬化により、 無機バイング 3 0中に空 隙 3 1が生じる。 この空隙により、 無機バインダ 3 0がもろくなり 割れや欠けを 生じる。
無機バインダ 3 0は、 モールド部材とは別にマウント · リードのカップ内や基体 の開口部内等に設けられるものであり、 発光素子 6 0の発光を変換する蛍光体や蛍 光体を結着する材料等を含む層である。 無機バインダ 3 0層は、 発光素子 6 0の上 面、 側面に設ける無機バインダ 3 0層の厚みと、 凹部 2 0 aの内面に設ける無機バ インダ 3 0層の厚みとが、 ほぼ等しい。 また、 無機バインダ 3 0は発光素子 6 0の 角の部分でも途切れることがなく、 連続した層である。
- 基体 2 0やワイヤー 2 1などによる反射により、 発光素子 6 0から放出される高 エネルギー光等が無機バインダ 3 0中で高密度になる。 さらに、 蛍光体 5 0によつ ても反射散乱され無機バインダ 3 0が高密度の高エネルギー光に曝される場合があ ' る。 そのため、 発光強度が強く高エネルギー光が発光可能な窒化物系半導体を発光 素子 6 0として利用した場合は、 それらの高エネルギー光に対して耐光性のある A 1、 Y、 G d、 L u、 S c、 G a、 I n、 Bのいずれかの金属元素を含む酸化水酸 化物を無機バインダ 3 0として利用することが好ましい。
無機バインダ 3 0の具体的主材料の一つとしては、 A l (O H) 3、 Y (O H)
3等の透光性無機部材に蛍光体を含有させたものが好適に用いられる。 これらの透光 性無機部材により蛍光体 5 0同士が結着され、 さらに蛍光体 5 0は層状に発光素子 6 0や支持体上に堆積され結着される。 本実施の形態において、 無機バインダ 3 0 に使用できる酸化水酸化物は、 A .l、 Y、 G d、 L u、 S c、 G a、 I n、 Bのい ずれかの有機金属化合物から生成された酸化水酸化物を主体とする化合物から形成 される。 ここで、 有機金属化合物とは、 酸素原子を介して金属と結合したアルキル 基、 ァリール基を含む。 このような有機金属化合物として、 例えば金属アルキル、 金属アルコキシド、 金属ジケトナート、 カルボン酸金属塩等が挙げられる。 このよ うな有機金属化合物のうち、 有機溶剤に対して溶解性の高いものが加水分解後、 均 一なゾル溶液となりやすい。 また、 このような有機金属化合物は加水分解等の化学 反応を起こしやすいため、 容易に飛散し蛍光体 5 0がバインドされてなる無機バイ ンダ 3 0を形成させることが可能である。 そのため、 有機金属化合物を使う方法 • は、 3 5 以上の高温下あるいは静電気のかかっている状態で発光素子 6 0に無 機バインダ 3 0を形成させる他の方法とは異なり、 発光素子としての性能を低下さ せることなく容易に発光素子 6 0上に無機バインダ 3 0を形成させることができ、 製造歩留まりが向上する。
無機パインダ 3 0は、 薄膜状態の層構造を形成していることが好ましい。 層構造 を形成することにより、 無機パインダ 3 0に含有されている蛍光体 5 0が均一に発 光させることができるからである。 また、 薄膜であることから、 無機バインダ 3 0 に、 樹脂 4 0が浸透しやすくすることができる。 無機バインダ 3 0層を形成する手 段として、 ポッティング手段やスプレー噴霧手段などを用いることができる。 ただ し、 無機バインダ 3 0は、 薄膜状態以外の形を採ることもできる。
無機バインダ 3 0は、 アルミナ、 イットリア、 シリカ、 又はこれらの複合物など を用いることができる。 これらは、 固形状態よりも水等に分散させて、 ゾルーゲル 状態を形成することにより、 種々の形状を形成することができる。 また、 該無機バ インダ 3 0中に蛍光体を均一に分散させることができる。 以下、 アルミナ、 イット リアを無機バインダ 3 0の例として説明するが、 これに限定されるものではない。 尚、 従来、 被膜に、 無機系のパインダが使用されていた。 この無機系のパインダ を用いる場合、 特にシリカゲル (S i 02) を用いた硬化膜を使用する場合は、 高出 力や紫外線に晒されると、 着色劣化し黒化するという問題があった。 特に高出力の 発光装置においては、 高光密度、 熱によってシリカバインダ層が劣化し、 黒又は黒 褐色に着色される。 本発明者らが研究した結果、 この原因は S i〇2のシリカが酸素 欠損により S i O x ( x < 2 ) を生成することにあると推測される。 シリカバインダ は 2 5 0 °C以下の熱硬化温度では、 S i〇2骨格中に水酸基、 有機基が一部残存し ているシリカゲルの状態である。 このようなシリカゲルの状態中に L E Dから高密 度の光が入射すると、 酸素欠損が起こり、 S i〇2が S i O x ( x < 2 ) を生成す る。 このように、 S iが酸化還元され易いために、 シリ力ゲルが酸素欠損を生じて 着色劣化することが原因と考えられる。 着色劣化が生じると、 発光素子からの光出 力が低下するという問題が生じる。 また、 無機系のバインダは、 空隙を有している ため、 割れや欠けが起こりやすく、 衝撃に弱いという問題もある。 これは、 無機系 のバインダは、 樹脂と異なり、 耐衝搫性に乏しいためであると思われる。
(アルミナ)
無定型アルミナ又は微粒子酸化水酸化アルミニウムを水に均一に分散させてなる アルミナゾルをパインダに使用する場合、 アルミナゾルが加熱されて硬化し安定な ベ一マイト構造の酸化水酸化アルミニウムを形成するまでに、 擬ベーマイ卜構造を ' 経る。 酸化水酸化アルミニウムのベーマイト結晶構造は A 1〇OHや A 1 2 O 3 · H 2〇、 酸化水酸化アルミニウムの擬べ一マイト構造は (A 1〇〇Η) · x H2〇や A 1 2 O 3 - 2 H 2〇等の化学式でそれぞれ表すことができる。 具体的には、 中間体とし て A 1 23 · 2 H20、 A 1 23 · x C H3 C O〇H · y H2〇、 A 1 2 O 3 · x H C 1 · y H2〇、 A 1 23 · x HN O s · y H2〇等の形態をとり、 安定なベーマイト構造 を形成する。 ベーマイト構造をさらに結晶性を高めると、 ァ—アルミナ (A l 2〇 3 ) や c¾—アルミナ (A l 23) となる。 このような性質を備えるアルミナゾルをパ • インダとして用いて発光膜を形成する。
無機バインダ 3 0の具体的な主材料としては、 無定形金属酸化物、 超微粒子金属 酸化水酸化物、 超微粒子酸化物等を少量の無機酸、 有機酸およびアルカリを安定剤 として、 水又は有機溶剤に均一に分散させたゾル溶液が用いられる。 無定形金属酸 化物、 超微粒子金属酸化水酸化物、 超微粒子酸化物等を合成する出発原料として、 金属アルコラート、 金属ジケトナート、 金属ハロゲン化合物、 又は金属カルボン酸 塩、 金属アルキル化合物の加水分解物や、 これらを混合して加水分解したものが利 用できる。 また金属水酸化物、 金属塩化物、 金属硝酸塩、 金属酸化物微粒子を、 水 や有機溶媒、 又は水と水溶性有機溶媒の混合溶媒中に均一に分散させたコロイド
(ゾル) 溶液も用いることができる。 これらはアルミノキサンと総称される。 アル ミノキサンは、 [A 1〇] Xの繰り返しを持つ骨格である。
金属アルコラートとしては、 アルミニウムメトキシド、 アルミニウムエトキシ ド、 アルミニウム一 n—プロポキシド、 アルミニウムイソプロポキシド、 アルミ二 ゥムー n—ブトキシド、 アルミニウム— s e c—ブトキシド、 アルミニウム一 i s o—プロポキシド、 アルミニウム一 t e r t—ブトキシド、 イットリウムメトキシ ド、 イットリウムェ卜キシド、 イットリウム— n—プロポキシド、 イットリウムィ ソプロポキシド、 イットリウム— n—ブトキシド、 イットリウム一 s e c—ブトキ シド、 イットリウム— i s o—プロポキシド、 イットリウム— t e r t—ブトキシ ド等が利用できる。
金属ジケトナ一トとしてば、 アルミニウムトリスェチルァセトアセテート、 アル キルァセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、 ェチルァセトァセテ一ト アルミニウムジイソプロピレ一ト、 アルミニウムモノァセチルァセトネートービス ェチルァセトアセテート、 アルミニウムトリスァセチルァセトネート、 イットリウ ム卜リスァセチルァセトネ一ト、 イツトリウムトリスェチルァセトァセテート等が 利用できる。
金属カルボン酸塩としては、 酢酸アルミニウム、 プロピオン酸アルミニウム、 2 ーェチルへキサン酸アルミニウム、 酢酸イットリウム、 プロピオン酸イットリウ ム、 2—ェチルへキサン酸ィットリゥム等が利用できる。
また金属八口ゲン化物としては、 塩化アルミニウム、 臭化アルミニウム、 ヨウ化 アルミニウム、 塩化イットリウム、 臭化イットリウム、 ヨウ化イットリウム等が利 用できる
有機溶媒としては、 メタノール、 エタノール、 η—プロパノール., i s o—プロ パノール n—ブ夕ノール、 s e c—プタノ一ル、 t e r t—ブタノール テトラ ヒドロフラン、 ジォキサン、 アセトン、 エチレングリコール、 メチルェチルケト ン、 N, N—ジメチルホルムアミド、 N, Nジメチルァセトアミド等が利用でき る。 - 無機バインダ 3 0には、 蛍光体 5 0に代えて、 若しくは、 加えてフイラ一や拡散 粒子を混入しても良い。 さらに、 これらの複合材として、 塗布基体や発光素子との 線膨張係数を合わせても良い。 フイラ一は、 蛍光体 5 0を混入させて発光させるこ とはもちろんのこと、 硬化時の水分蒸発等の微細な経路を作り、 バインダの硬化乾 - 燥を速める効果がある。 また、 蛍光体 5 0の発光を拡散させたり、 無機バインダ 3 0の接着強度や物理的強度を増加させたりする働きもある。 なお無機バインダ 3 0 層や無機バインダ 3 0膜は、 蛍光体を含まない拡散層として使用することもでき ' る。 またバインダとして使用する複合材には、 3価の金属元素以外に複数の価数を 有する元素を少量含有させても良い。 さらに本実施の形態においては、 バインダ部 材は主要な化合物として酸化水酸化物を包含しておればよく、 金属酸化物や金属水 酸化物、 およびこれらの結合を一部に含んでいても作用する。
以下、 無機バインダ 3 0に含まれる具体的主材料として、 アルミナの A 1 00 H を例にとり説明する。
(A 1 O O H)
A I O OHにより蛍光体 5 0がバインドされてなる無機バインダ 3 0は、 アルミ ニゥムアルコレート、 あるいはアルミニウムアルコキサイドを、 有機溶媒中、 所定 の割合で加水分解して得られるアルミノキサンゾル又はアルミナゾル溶液中に、 蛍 光体 5 0 (粉体) を均一に分散させた塗布液を調整する。 その蛍光体 5 0が分散さ れたアルミナゾル溶液を発光素子 6 0の全面を覆うようにポッティング、 スプレー コ一ティングあるいはデイスペンスなどを行う。 その後加熱、 硬化させ、 A I O O H成分より蛍光体同士を固着させ、 さらに発光素子 6 0の表面に固着させることに より形成することができる。
アルミニウムアルコレート、 あるいはアルミニウムアルコキサイドは、 塗料の増 粘剤、 ゲル化剤、 硬貨剤、 重合触媒、 および顔料の分散剤として使用される有機ァ ルミ化合物である。
アルミニウムアルコレート、 あるいはアルミニウムアルコキサイドの一種である アルミニウムイソプロポキサイド、 アルミニウムェトキサイド、 およびアルミニゥ ムブトキサイドは、 非常に反応性に富み空気中の水分によって水酸化アルミニウム 又はアルキルアルミネートを生成し、 ベ一マイト構造を持つ酸化水酸化アルミニゥ ムを生成する。 例えばアルミニウムイソプロポキサイドは、 以下の化学式 8に示す ように、 水と容易に反応し、 最終的には、 酸化水酸化アルミニウムを主成分とし、 水酸化アルミニウムあるいは酸化アルミ 4ニウム (アルミナ) との架橋構造を有する 混合物となる。
[化学式 8 ] '
•C3H7).→ AI(0H)3→ AiOOH → Al
加熱 加熱 従って、 アルミニウムイソプロポキサイドを空気中の水分と反応させた後、 加熱 により生成する A 1 O O Hにて蛍光体 5 0をバインドし、 蛍光体 5 0を含む A 1〇 O Hにより蛍光体 5 0がバインドされてなる無機バインダ 3 0を発光素子 6 0の表 面上、 および発光素子 6 0の表面上以外の支持体上に、 無機バインダ 3 0として形 成することができる。
以上の A 1 O 0 Hにより蛍光体 5 0がパインドされてなる無機バインダ 3 0は Y¾ G d , L u , S c ¾ G a , I n ¾ B等他の酸化水酸化物により蛍光体 5 0がバ インドされてなる無機バインダ 3 0と A 1 O O Hにより蛍光体 5 0がバインドさ れてなる無機バインダ 3 0とを組み合わせて同一の発光素子 6 0上に二つ以上の層 を形成させてもよい。 本実施の形態におけるスプレー噴霧手段による無機バインダ 3 0の形成方法によれば、 二層の膜厚を制御することも可能であるから、 同じ形状 の無機バインダ 3 0を容易に形成させることができる。 例えば、 同一の発光素子 6 0の上に、 まず Y203による無機バインダ 3 0を形成し、 その上に A 1 23による無 機バインダ 3 0を形成する。 ここで、 蛍光体 5 0は二つの層両方に含まれてもよい ' し、 一つの層のみに含まれてもよいし、 二つの層両方に含まれなくても構わない。
このように構成すると、 無機バインダ 3 .0の屈折率の大小によって光の取り出し効 率が高まる等の効果がある。 一層からなる無機バインダ 3 0を形成した場合は、 そ ' の無機バインダ 3 0と外気あるいは窒化物半導体発光素子との界面に屈折率の急激 な変化が生じ、 この界面において発光素子 6 0から取り出した光の一部の反射が起 こり得るため、 光の取り出し効率の低下を招きやすい。 また、 例えば A I O OHと Y〇〇H等を混合した無機バインダ 3 0を形成し、 これにより線膨張係数や屈折率 を調整しても良い。
このようにして形成された A 1〇〇Hにより蛍光体 5 0がバインドされてなる無 機バインダ 3 0は、 従来のエポキシ樹脂のみで封止する場合と異なり、 無機物であ るため、 紫外線による劣化がエポキシ樹脂に比べて極めて小さく、 紫外光を発光す る発光素子や高出力のパワー系発光素子等と組み合わせて用いることもできる。
(ィッ卜リァ) 無定型ィッ卜リァ又は微粒子ィットリアを水に均一に分散させてなるィットリア ゾルを無機バインダ 3 0に使用する場合、 イットリアゾルを加熱して硬化しても、 結晶構造の主体は無定型である。 酸化水酸化イットリウムは Y O O H · x H 20、 酸 化イットリウムは Υ 23 · x H 20等の化学式でそれぞれ表すことができる。 具体的 には中間体として Υ Ο〇Η · x C H 3 C O OH · y H 2〇又は Y 23 · x C H 3 C O O Η · y H 2〇の形態を経て、 酸化水酸化イットリウムもしくは酸化イットリウムを部 分的に含む形となる。 イットリアはこのようなゲル状態でも安定な膜を形成する。 これは、 それぞれの成分が架橋構造を有し、 安定化しているためと考えられる。 イットリアはアルミナと比べて結晶構造を形成し難い性質がある。 このように結 晶性を持たない無定型のアモルファス構造であっても安定な化合物であり、 Yは 3 価のまま価数変化しない。 すなわち、 酸化還元反応を起こし難く、 着色劣化がない という特長がある。
その他については、 上記アルミナと同様にして無機バインダ 3 0を形成する。 以 上のように蛍光体のバインダとして使用するゾルは、 市販の無機系接着剤やセラミ ックパインダ等を利用することもできる。 なお、 バインダとして利用可能な材質に は、 アルミナゃィットリァのような A 1や Y元素を含む酸化水酸化物に限られず、 他の I I I A族元素や I I ΓΒ族元素の酸化水酸化物、 酸化物、 水酸化物等が利用 できる。 選択する金属元素は価数変化しないものが望ましい。 特に 3価で安定な金 属元素が好ましい。 また、 無色、 透明であることが望ましい。 例えば A 1や Yに加 えて G d、 L u、 S c、 G a、 I n等の金属元素を含む金属化合物が利用でき、 好 ましくは S c、 L uが利用できる。 あるいは、 これらの元素を複数組み合わせた複 合酸化物、 複合酸化水酸化物を利用しても良い。 アルミニウムやイットリウムのみ ならず、 他の I I I族元素の酸化水酸化物等を有することで、 無機バインダ 3 0層 の屈折率等の光学的な機能や、 膜の柔軟性、 固着性等の膜質といった様々な特性を 所望の値に制御することができる。 このように本発明の実施の形態で得られる一定 価数、 好ましくは 3価の酸化水酸化物ゲルを有する無機バインダ 3 0は、 安定で光 取り出し効率の良い無機バインダ 3 0とすることができる。 また無機材料で構成す ることにより、 経時変化の少ない安定な無機バインダ層や無機バインダ膜となる。
(樹脂)
樹脂 4 0は、 無機バインダ 3 0の表面を被覆している。 この被覆は、 無機バイン ダ 3 0層の表面に、 樹脂 4 0層を形成している。 但し 凹部 2 0 aを有する基体 2 0内に樹脂 4 0を充填させて、 無機バインダ 3 0を被覆してもよい。 そのほか、 種 々の被覆方法を採れるが、 無機バインダ 3 0が樹脂 4 0により、 含浸されていれば よい。 含浸は、 無機バインダ 3 0中に、 樹脂 4 0を浸して含ませることをいう。 硬化前における樹脂 4 0の粘度が高すぎると、 榭脂が流れていかず、 均一に被膜 を形成することができない。 それに対し、 硬化前における榭脂 4 0の粘度が低すぎ ると、 凹み部分に樹脂が滞留し、 凸部に樹脂が残存しなくなり、 均一な被膜を形成 - することができない。 そのため、 所定の粘度の樹脂を使用することが好ましい。
樹脂 4 0は、 層構造であることが好ましい。 層構造とすることにより、 発光素子 6 0から放出される光取り出し効率の向上や指向性の制御などを図ることができ ' る。 また、 発光素子 6 0から発生する熱を樹脂 4 0中に蓄熱せず、 外部に放出しや すくすることができる。
樹脂 4 0は、 ゲル状であることが好ましい。 ゲルにより、 熱膨張により発生する 応力を緩和することができるため、 発光素子 6 0から延びるワイヤ一 2 1の切断を 防止することができる。 また、 樹脂 4 0は、 オイル状のものでも良い。
無機パインダ 3 0を被覆した樹脂 4 0の表面は、 平滑である。 無機バインダ 3 0 のみを硬化させて、 その表面を電子顕微鏡で見ると、 粒状の凹凸が多数見られる。 このため、 該粒状の凹凸に発光素子 6 0からの光が反射して、 散乱が生じたりし て、 光取り出しが抑制される。 よって、 この無機バインダ 3 0の表面に樹脂 4 0を 被覆してやることにより、 樹脂 4 0の表面を平滑にすることができる。 これによ り、 発光素子 6 0からの光が効率よく外部に放出され、 光取り出し効率の向上を図 ることができる。 また、 無機バインダ 3 0の表面が粒状の凹凸が形成されているこ とから、 樹脂 4 0との表面積が大きくなり、 樹脂 4 0と無機バインダ 3 0との界面 での ¾着力が増加するなどの効果を有する。
樹脂 4 0は、 気体含有率が常圧下で 3体積%以下である。 好ましくは 1体積%以 下、 より好ましくは 0 . 0 1 %以下である。 無機バインダ 3 0が持つ空隙 3 1に は、 空気などの気体が含まれている。 この気体は、 樹脂 4 0を含浸する際に、 外部 に放出される。 このとき、 無機バインダ 3 0の表面に樹脂 4 0を被覆するため、 空 隙 3 1の気体が樹脂 4 0に溶解する場合もある。 該気体が樹脂 4 0に溶解すること により、 樹脂 4 0中に気体が含有される。 この樹脂 4 0中に含有された気体が、 発 光素子 6 0の駆動に伴う発熱により、 熱膨張する。 熱膨張により、 樹脂 4 0中に気 泡が発生する場合がある。 この気泡により、 発光素子 6 0から放出された光が反射 され、 光取り出し効率の低下を生じることがある。 よって、 樹脂 4 0中に含有され る気体量は、 できるだけ少量であることが好ましい。
樹脂 4 0の材料は、 無機パインダ 3 0中を浸透するもので、 耐熱性、 耐光性、 耐 候性に優れているものが好ましい。 樹脂 4 0は、 発光素子 6 0からの発熱が 1 2 0 t:以上と極めて高温となるだめ、 該温度に耐えうる耐熱性の樹脂である必要があ る。 また、 樹脂 4 0は、 青色光や紫外線などの発光強度の高い光が照射及び透過す るため、 耐光性の樹脂である必要がある。 一方、 吸水性、 吸湿性が低い樹脂が好ま しい。 吸水性、 吸湿性の高い樹脂を使用した場合、 該樹脂中の水分が発光素子 6 0 の発熱により、 水蒸気爆発が生じ、 発光素子 6 0と無機バインダ 3 0または樹脂 4 0との界面で剥離が生じ、 光取り出し効率の低下を招く。 よって、 吸水性、 吸湿性 の低い樹脂を用いて、 該樹脂 4 0中に水分を含有させない方が好ましい。
蛍光体 5 0を固着させた無機パインダ 3 0層に含浸させる有機系樹脂材料とし て、 シリコーン樹脂、'アクリル系樹脂、 エポキシ樹脂などが挙げられる。 樹脂 4 0 の材料としては、 シリコーン樹脂が好ましい。
シリコーン樹脂は耐熱性、 耐候性、 耐光性など化学的に安定な特性を持ってい る。 シリコーン樹脂の組成は S i - 0 - S i骨格を有する。 S i—〇のシロキサン 結合は結合エネルギーが大きいため、 安定であり、 また可視から紫外域の光に対し て透明性に優れている。 よって、 樹脂 4 0自身これらの光を吸収しないため劣化し にくいと考えられる。 また、 シリコーン樹脂の表面張力は小さく、 粘度の低いもの もあり、 浸透性が良く、 無機バインダ 3 0中の細部まで均一に浸透していく。 シリ コーン樹脂には付加硬化型、 UV硬化型、 $宿合反応型、 UVカチオン重合型がある が、 付加硬化タイプが好ましい。 これは、 樹脂中に揮発成分がほとんどなく、 熱硬 化後の体積収縮がほとんど起こらないことによる。 体積収縮が起こらないことか ら、 体積収縮により発生するクラックが生じない。 また、 樹脂 4 0と無機バインダ 3 0との界面での剥離が起こらない。 榭脂 4 0は、 揮発成分がほとんど無いので、 • 気密封止した基体で使用する場合でも、 発光素子 6 0の発熱に伴う内部圧上昇など による基体破損の心配がない。 樹脂 4 0は、 硬化後の樹脂状態は硬質より、 軟質の ゲル又は硬度の低いラバー状で有ることが好ましい。 樹脂 4 0が軟質状態で存在す ' ることで、 熱、 衝撃などによる樹脂 4 0への応力、 外部圧力の緩和がされ、 樹脂 4 0の柔軟性が上がる。 例えば、 樹脂 4 0は、 成型前又は成型後のいずれかでジアル キルシ口キサン骨格を有するシリコーン樹脂を用いることが出来る。 シリコ一ン榭 脂は、 架橋してゲル、 ラバー状等の構造を有することになる。 特に、 榭脂 4 0は、 成型前がジメチルシロキサンを主鎖に有することが好ましい。 ただし、 ジメチルシ ロキサンに限られず、 フエニル—メチルシロキサンも使用することができる。 無機パインダ 3 0は完全な酸化物結晶、 多結晶とするのではなく、 多孔質のゲル 状態で保持しておく。 特に、 リフロー工程などでは熱衝撃による無機バインダ 3 0 への応力がかかるため、 シリコーン樹脂 4 0などを含浸した時、 シリコーン 4 0と 無機バインダ 3 0との熱膨張係数の違いによりクラック、 剥離を招く。 4ϋ 多孔質ゲルは架橋構造、 網目構造又はポリマー構造を形成しているため熱膨張係数 は結晶、 多結晶状態に比べ大きく、 シリコーン樹脂の熱膨張係数に近づけること で、 クラック、 剥離は起こらない。
縮合型の樹脂 40を用いての硬化する際、 低分子成分の脱離がおこる。 このと き、 樹脂 40の体積収縮が起こり、 無機バインダ 30に亀裂が発生し、 また、 無機 バインダ 30、 蛍光体 50との接触面の剥離を起こす。
UV硬化型の樹脂 40は、 UVを吸収する有機官能基が導入されているため、 励 起光、 及び発光した光を樹脂 40が吸収してしまうので光取りだしが低下する。
(フイラ一)
フィラー (図示しない) は充填剤であり、 チタン酸バリウム、 酸化チタン、 酸化 アルミニウム (アルミナ) 、 酸化イットリウム (イットリア) 、 酸化ケィ素、 炭酸 カルシウムや、 その他酸化水酸化物等が利用できる。 例えば、 少なくとも Αし G a、 T i、 Ge、 P、 B、 Z r、 Yあるいはアルカリ土類金属の群から選択される 1種以上の元素を含む無色の酸化水酸化物、 あるいは少なくとも S i、 Aし G a、 T i、 Ge、 P、 B、 Z r、 Yあるいはアルカリ土類金属の群から選択される 1種以上の元素を含む酸化物より熱伝導率が高いフィラーを有してもよい。 このよ うなフィラーを加えることにより発光装置 601の放熱効果が向上する。 このよう なフイラ一として、 上記無機バインダ 30にて接着層を形成し発光素子 60をダイ ポンドする場合のアルミナ、 A g等の金属粉が挙げられる。
無機バインダ 30のゾルには、 蛍光体 50と低級アルコールに加えて分散剤を混 合しておくことで、 硬化時に低級アルコールとの共沸脱水により低温で緻密な被膜 を形成することができる。 また、 無機パインダ 30中には、 光安定化材料、 着色剤 や紫外線吸収剤等を含有させてもよい。
無機バインダ 30はスラリ一溶液で形成する。 スラリ一溶液は無定型金属酸化水 酸化物、 微粒子金属酸化水酸化物、 金属水酸化物を主成分とし、 さらに無定形金属 酸化物、 微粒子金属酸化物を水に均一に分散させたゾル溶液に、 蛍光体 50とフィ ラーとを混合して調製する。 ゾル溶液中の有効固形成分と蛍光体 50の重量比、 又 はゾル溶液中の有効固形成分と、 蛍光体 50とフイラ一混合物の重量比は、 0. 0 5〜30とすることが好ましい。 例えば 有効固形成分濃度 15%のゾル溶液 20 gに対して蛍光体 90 gの比率から、 有効固形成分濃度 15 %のゾル溶液 600 g に対して蛍光体 4. 5 gの間で調整する。
(発光素子)
発光素子 60は、 可視光を発光可能なものに限られず、 紫外光を発光可能なもの も使用できる。 また、 発光素子 60は、 蛍光体 50と組み合わせて使用することが でさる。 つまり、 発光素子 60により発光された光を蛍光体 50に照射して、 蛍光 体 50を励起させ、 発光素子 60と異なる光を放出することができる。 発光素子 6 0は、 MOCVD法等により基板上に GaAs、 I nP、 GaA l As、 I nGa A 1 P、 I nN、 A 1 N、 GaN、 I nGaN、 A 1 GaN、 I nGaA I N等の 半導体を発光層として形成させる。 半導体の構造としては、 MI S接合、 P I N接 合や PN接合等を有するホモ構造、 ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが 挙げられる。 半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することが できる。 また、 半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構 造や多重量子井戸構造とすることもできる。 好ましくは、 蛍光体を効率良く励起で きる比較的短波長を効率よく発光可能な窒化物系化合物半導体 (一般式 I niGaiA UN, ただし、 0≤ i、 0≤j、 0≤k、 i + j +k= 1) である。
発光素子 60に窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、 半導体基板にはサ ファイア、 スピネル、 S i C、 S i、 Zn〇、 G a N等の材料が好適に用いられ る。 結晶性の良い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイア基板を用いること がより好ましい。 サファイア基板上に半導体膜を成長させる場合、 GaN.、 A 1 N 等のバッファ一層を形成しその上に PN接合を有する窒化ガリウム半導体を形成さ せることが好ましい。 また、 サファイア基板上に S i〇2をマスクとして選択成長さ せた G a N単結晶自体を基板として利用することもできる。 この場合、 各半導体層 の形成後 S i〇2をエッチング除去させることによって発光素子とサファイア基板と を分離させることもできる。 窒化ガリウム系化合物半導体は、 不純物をド一プしな い状態で n型導電性を示す。 発光効率を向上させる等所望の n型窒化ガリウム半導 体を形成させる場合は、 n型ドーパントとして S i、 G e、 S e、 T e、 C等を適 宜導入することが好ましい。 一方、 p型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、 p型ドーパンドである Z n、 M g、 B e、 C a、 S r、 B a等をド一プさせる。 窒化ガリゥム系化合物半導体は、 p型ドーパントをドープしただけでは p型化し にくいため p型ドーパント導入後に、 炉による加熱、 低速電子線照射やプラズマ照 射等によりァニールすることで p型化させることが好ましい。 具体的な発光素子の 層構成としては、 窒化ガリウム、 窒化アルミニウム等を低温で形成させたバッファ —層を有するサファイア基板や炭化珪素上に、 窒化ガリゥム半導体である n型コン タクト層、 窒化アルミニウム ·ガリウム半導体である n型クラッド層、 Z n及び S iをドープさせた窒化インジユウムガリウム半導体である活性層、 窒化アルミニゥ ム ·ガリウム半導体である P型クラッド層、 窒化ガリウム半導体である P型コン夕 クト層が積層されたものが好適に挙げられる。 発光素子 6 0を形成させるためには サファイア基板を有する発光素子 6 0の場合、 エッチング等により p型半導体及び n型半導体の露出面を形成させた後、 半導体層上にスパッタリング法や真空蒸着法 等を用いて所望の形状の各電極を形成させる。 S i C基板の場合、 基板自体の導電 性を利用して一対の電極を形成させることもできる。
次に、 形成された半導体ウェハ一等をダイヤモンド製の刃先を有するブレードが 回転するダイシングソ一により直接フルカツトするか、 又は刃先幅よりも広い幅の 溝を切り込んだ後 (ハーフカット) 、 外力によって半導体ウェハーを割る。 あるい は、 先端のダイヤモンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウェハ一 に極めて細いスクライブライン (経線) を例えば碁盤目状に引いた後、 外力によつ てウェハーを割り半導体ウェハ一からチップ状にカツトする。 このようにして窒化 物系化合物半導体である発光素子 6 0を形成させることができる。
本実施の形態の発光装置 6 0 1において発光させる場合は、 蛍光体との補色等を 考慮して発光素子 6 0の主発光波長は 3 5 0 n m以上 5 3 0 n m以下が好ましい。 また、 発光素子 6 0は、 半導体発光素子の他、 真空放電による発光、 熱発光から の発光を得るための素子も含む。 例えば真空放電による紫外線等も発光素子として 使用できる。 本発明の実施の形態においては、 発光素子として波長が 5 5 O n m以 下、 好ましくは 4 6 0 n m以下、 更に好ましくは 4 1 0 n m以下の発光素子を利用 するが、 これに限定されない。 特に、 後述するように本発明の実施例では耐久性が 高いため、 出力の高いパワー系発光素子を利用できるという利点がある。
発光素子 6 0として、 I I I属窒化物系半導体発光素子を使用する例を説明す る。 発光素子 6 0は、 例えばサファイア基板上に G a Nバッファ一層を介して、 S iがアンドープ又は S i濃度が低い第 1の n型 G a N層、 S iがドープされ又は S i濃度が第 1の n型 G a N層よりも高い n型 G a Nからなる n型コンタクト層、 ァ ' ンド一プ又は S i濃度が n型コンタクト層よりも低い第 2の G a N層、 多重量子井 戸構造の発光層 (G a N障壁層 I n G a N井戸層の量子井戸構造) 、 M gがド一 プされた ρ型 G a Nからなる p型 G a Nからなる ρクラッド層、 M gがドープされ た p型 G a Nからなる!)型コンタクト層が順次積層された積層構造を有し、 以下の ように電極が形成されている。 ただ、 この構成と異なる発光素子も使用できる。
Pォーミック電極は、 p型コンタクト層上のほぼ全面に形成され、 その Pォーミ ック電極上の一部に Pパッド電極が形成される。
また、 n電極は、 エッチングにより p型コンタクト層から第 1の G a N層を除去 して n型コンタクト層の一部を露出させ、 その露出された部分に形成される。
なお、 本実施の形態では多重量子井戸構造の発光層を用いたが、 本発明はこれに 限定されるものではなく、 例えば I nGaNを利用した単一量子井戸構造や多重量 子井戸構造としてもよいし、 S i、 Znがドープされた GaNを利用してもよい。 また、 発光素子 60の発光層は、 I nの含有量を変化させることにより、 420 nm〜490 nmの範囲において主発光ピークを変更することができる。 また、 発 光波長は、 上記範囲に限定されるものではなく、 360 nm〜 550 nmに発光波 長を有しているものを使用することができる。 特に、 本発明の発光装置を紫外光 L ED発光装置に適用した場合、 励起光の吸収変換効率を高めることができ、 透過紫 外光を低減することができる。
(蛍光体)
蛍光体 50は、 発光素子 60から放出された可視光や紫外光を、 発光素子 60と 異なる発光波長に変換する。 例えば、 発光素子 60の半導体発光層から発光された 光で励起されて発光する。 好ましい蛍光体としては、 少なくとも Ceで付活された 希土類ガーネット系の蛍光体、 例えば、 イットリウム ·アルミニウム ·ガ一ネット (以下、 「YAG」 という) 系、 アルカリ土類窒化珪素蛍光体等のナイ卜ライド 系、 アル力リ土類酸化窒化珪素蛍光体等のォキシナイトライド系の蛍光体が利用で きる。 本実施の形態においては、 蛍光体 50として紫外光により励起されて所定の 色の光を発生する蛍光体を用いている。 具体的には以下に挙げるものが利用でき る。
(1) C a 10 (P〇4) 6FC 1 : S b, Mn
(2) Ms (P04) 3C 1 : Eu (但し、 Mは S r、 Ca、 Ba、 Mgから選択され る少なくとも一種のアル力リ土類金属を有する。 )
(3) B aMg2A 1 〇": Eu
(4) B aMg2A 116027: Eu、 Mn
(5) 3. 5MgO · 0. 5Mg F2 · Ge 02 : Mn
(6) Y2O2S : Eu
(7) Mg6A s : Mn
(8) S r 4A 1 i4025: E u
(9) (Z n、 C d) S : Cu
(10) S r A 12O4: Eu
(11) C aio (P04) 6C 1 B r : M n、 Eu
(12) Z n 2 G e O',: Mn
( 13) Gd22S : Eu
(14) L a22S : Eu
(15) C a2S i 5Ns : Eu
(16) S r 2S i sNs : Eu
(17) S r S i 22N2: Eu
(18) B a S i 22N2: Eu
(19) M2S i 04 : Eu (但し、 Mは S r、 C a、 B a、 Mgから選択される少 なくとも一種のアルカリ土類金属を有する。 )
また、 上記に加えて黄色領域の発光を行う (Y, Gd) 3 (A 1 , Ga) 5 O 12: Ce等で表される希土類アルミン酸塩である YAG系蛍光体を利用できる。
発光素子 60が発光した光と、 蛍光体 50が発光した光が補色関係等にある場 合、 それぞれの光を混色させることで白色を発光することができる。 白色に発光す る発光素子 60と蛍光体 50との組合せとして、 具体的には、 発光素子 60からの 光と、 それによつて励起され発光する蛍光体 50の光がそれぞれ光の 3原色 (赤色 系、 緑色系、 青色系) に相当する場合や、 発光素子 60が発光した青色の光と、 そ れによって励起され発光する蛍光体 50の黄色の光が挙げられる。 特に発光素子 6 0に紫外光を用いる場合は、 蛍光体 50の発光色のみにより発光色が決定されるた め、 信号用の青緑色、 黄赤色、 赤色等やパステルカラー等の各種中間色の発光装置 の実現も可能である。 発光装置 601の発光色は、 蛍光体 50と、 蛍光体 50の結着剤として働く各種 樹脂やガラス等の無機バインダ、 フイラ一等との比率、 蛍光体 50の沈降時間、 蛍 光体の形状等を種々調整すること及び L E Dチップの発光波長を選択することによ り電球色等任意の白色系の色調を提供させることができる。 発光装置 601の外部 には、 発光素子 60からの光と蛍光体 50からの光がモールド部材を効率よく透過 することが好ましい。
' 代表的な蛍光体 50としては、 銅で付括された硫化力ドミ亜鉛ゃセリゥムで付括 された YAG系蛍光体が挙げられる。 特に、 高輝度且つ長時間の使用時においては (R e,-xSmx) 3 (A 1ト yGay) 512: C e (0≤xく 1、 0≤y≤ 1> 但し、 Re は、 Y、 Gd、 La、 Lu、 Tb、 P rからなる群より選択される少なくとも一種 の元素である。 ) 等が好ましい。
(Rei-xSmx) 3 (A 1 ,-yGay) 50.2: Ce蛍光体は、 ガーネット構造のため、 熱、 光及び水分に強く、 励起スペクトルのピークが 470 nm付近等にさせること ができる。 また、 発光ピークも 530 nm付近にあり 720 nmまで裾を引くプロ ードな発光スぺクトルを持たせることができる。
本実施の形態の発光装置 601において、 蛍光体 50は、 2種類以上の蛍光体を 混合させてもよい。 即ち、 A l、 Ga、 Y、 L a、 Lu、 Tb、 ? 1"及び001ゃ3 mの含有量が異なる 2種類以上の (RehSm 3 (A 1.-yGay) 5O.2: Ce蛍光体 を混合させて、 RGBの波長成分を増やすことができる。 また、 黄〜赤色発光を有 する窒化物蛍光体等を用いて赤味成分を増し、 平均演色評価数 R aの高い照明ゃ電 球色発光装置等を実現することもできる。 具体的には、 発光素子の発光波長に合わ せて C I Eの色度図上の色度点の異なる蛍光体の量を調整し含有させることでその 蛍光体間と発光素子で結ばれる色度図上の任意の点を発光させることができる。 このような蛍光体 50は、 無機バインダ 30中に分散させ均一に放出させること ができる。 無機バインダ 30中での蛍光体 50は、 自重によって沈降したり、 浮上 したりする。
以上のようにして形成される蛍光体 50は、 発光装置 601の表面上において一 層からなる無機バインダ 30中に二種類以上存在してもよいし、 二層からなる無機 パインダ 30中にそれぞれ一種類あるいは二種類以上存在してもよい。 さらに 樹 脂 40中に蛍光体 50を一種類あるいは二種類以上存在してもよい。 このようにす ると、 異なる蛍光体 50からの光の混色による白色光が得られる。 この場合、 各蛍 光体 50から発光される光をより良く混色しかつ色ムラを減少させるために、 各蛍 光体 50の平均粒径及び形状は類似していることが好ましい。 また、 形状による沈 降特性を考慮して無機バインダ 30を形成させることもできる。 沈降特性の影響を 受け難い無機バインダ 30の形成方法としては、 スプレー法、 スクリーン印刷法、 ポッティング法等が挙げられる。 本実施の形態においては、 無機バインダは有効固 形成分を 1〜80%有し、 l c p s〜5000 c p sまで広範囲な粘度調整が可能 - で、 チキソ性の調整も可能であることから、 これら無機バインダの形成方法にも対 応できる。 フイラ一と無機パインダの重量比は、 上述の通り 0. 05〜30の範囲 とすることが好ましく、 またフィラーの配合量、 粒径を調整することによって結着 ' 力が増す。
本実施の形態において使用される蛍光体は、 YAG系蛍光体と、 赤色系の光を発 光可能な蛍光体、 特にアル力リ土類窒化珪素蛍光体等の窒化物蛍光体とを組み合わ せたものを使用することもできる。 これらの YAG系蛍光体および蛍光体は、 混合 して無機バインダ中に含有させてもよいし、 複数の層から構成される無機バインダ 中に別々に含有させてもよい。
以下、 それぞれの蛍光体について詳細に説明する。
(Y AG系蛍光体)
本実施の形態に用いられる Y AG系蛍光体とは、 Yと A 1を含み、 かつ Lu、 S c、 La、 Gd、 Tb、 P r、 E u及び Smから選択された少なくとも一つの元素 5ϋ と、 G a及び I nから選択された一つの元素とを含みセリウムあるいは P r等の希 土類元素で付括された蛍光体であり、 L E Dチップから発光された可視光や紫外線 で励起されて発光する蛍光体である。 特に本実施の形態において、 セリウム、 T b あるいは P rで付括され組成の異なる 2種類以上のイットリウム ·アルミニウム酸 化物系蛍光体も利用される。 発光層に窒化物系化合物半導体を用いた発光素子から 発光した青色系の光と、 青色光を吸収させるためボディーカラーが黄色である蛍光 体から発光する緑色系及び赤色系の光と、 或いは、 黄色系の光であってより緑色系 及びより赤色系の光を混色表示させると所望の白色系発光色表示を行うことができ る。 発光装置はこの混色を起こさせるために蛍光体の粉体やパルクをエポキシ樹 脂、 アクリル樹脂或いはシリコーン樹脂等の各種樹脂や本実施の形態に係る無機バ インダのような透光性無機物中に含有させることもできる。 このように蛍光体が含 有されたものは、 発光素子からの光が透過する程度に薄く形成させたドット状のも のや層状もの等用途に応じて種々用いることができる。 蛍光体と透光性無機物との 比率や塗布、 充填量を種々調整すること及び発光素子の発光波長を選択することに より白色を含め電球色等任意の色調を提供させることができる。
また、 2種類以上の蛍光体をそれぞれ発光素子からの入射光に対して順に配置さ せることによって効率よく発光可能な発光装置とすることができる。 即ち、 反射部 材を有する発光素子上には、 長波長側に吸収波長があり長波長に発光可能な蛍光体 が含有された色変換部材、 すなわち蛍光体をフイラ一として含む無機バインダと、 それよりも長波長側に吸収波長があり、 より長波長に発光可能な色変換部材とを積 層等させることで反射光を有効利用することができる。
本実施の形態に用いられるセリゥムで付括されたィットリゥム ·アルミニウム酸 化物系蛍光体である緑色系が発光可能な YA G系蛍光体では、 ガーネット構造のた め、 熱、 光及び水分に強く、 励起吸収スぺクトルのピーク波長が 4 2 0 請〜 4 7 0 n m付近にさせることができる。 また、 発光ピーク波長 λ pも 5 1 0 n m付近に あり 7 0 0 n m付近まで裾を引くブロードな発光スペクトルを持つ。 一方、 セリウ ムで付括されたィットリウム ·アルミニウム酸化物系蛍光体である赤色系が発光可 能な Y A G系蛍光体でも、 ガーネット構造であり熱、 光及び水分に強く、 励起吸収 スぺクトルのピーク波長が 4 2 0 n m〜 4 7 0 n m付近にさせることができる。 ま た、 発光ピーク波長 λ pが 6 0 0 nm付近にあり 7 5 0 n m付近まで裾を引くプロ 一ドな発光スぺクトルを持つ。
ガーネッ卜構造を持った YA G系蛍光体の組成の内、 A 1の一部を G aで置換す ることで発光スぺクトルが短波長側にシフトし、 また組成の Yの一部を G d及び,/ 又は L aで置換することで、 発光スぺクトルが長波長側へシフ卜する。 このように 組成を変化することで発光色を連続的に調節することが可能である。 したがって、 長波長側の強度が G dの組成比で連続的に変えられる等窒化物半導体の青色系発光 を利用して白色系発光に変換するための理想条件を備えている。 Yの置換が 2割未 - 満では、 緑色成分が大きく赤色成分が少なくなり、 8割以上では、 赤み成分が増え るものの輝度が急激に低下する。 また、 励起吸収スペクトルについても同様に、 ガ 一ネット構造を持った YA G系蛍光体の組成の内、 A 1の一部を G aで置換するこ ' とで励起吸収スペクトルが短波長側にシフトし、 また組成の Yの一部を G d及び Z 又は L aで置換することで、 励起吸収スペクトルが長波長側へシフトする。 YA G 系蛍光体の励起吸収スぺクトルのピーク波長は、 発光素子の発光スぺクトルのピー ク波長より短波長側にあることが好ましい。 このように構成すると、 発光素子に投 入する電流を増加させた場合、 励起吸収スペクトルのピーク波長は、 発光素子の発 光スぺクトルのピーク波長にほぼ一致するため、 蛍光体の励起効率を低下させるこ となく、 色度ズレの発生を抑えた発光装置を形成することができる。
このような蛍光体は、 Y、 G d、 T b、 P r、 C e、 L a、 L u、 A l 、 S m及 び G aの原料として酸化物、 又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、 それ らを化学量論比で十分に混合して原料を得る。 又は、 Y、 G d、 C e、 L a、 L u、 Aし Smの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈した ものを焼成して得られる共沈酸化物と、 酸化アルミニウム、 酸化ガリウムとを混合 して混合原料を得る。 これにフラックスとしてフッ化アンモニゥム等のフッ化物を 適量混合して坩堝に詰め、 空気中 1350°C〜1450°Cの温度範囲で 2時間〜 5 時間焼成して焼成品を得、 次に焼成品を水中でポールミルして、 洗浄、 分離、 乾 燥、 最後に篩を通すことで得ることができる。 また、 別の実施の形態の蛍光体の製 造方法では、 蛍光体の原料を混合した混合原料とフラックスからなる混合物を、 大 気中又は弱還元雰囲気中にて行う第一焼成工程と、 還元雰囲気中にて行う第二焼成 工程とからなる、 二段階で焼成することが好ましい。 ここで、 弱還元雰囲気とは、 混合原料から所望の蛍光体を形成する反応過程において必要な酸素量は少なくとも 含むように設定された弱い還元雰囲気のことをいい、 この弱還元雰囲気中において 所望とする蛍光体の構造形成が完了するまで第一焼成工程を行うことにより、 蛍光 体の黒変を防止し、 かつ光の吸収効率の低下を防止できる。 また、 第二焼成工程に おける還元雰囲気とは、 弱還元雰囲気より強い還元雰囲気をいう。 このように二段 階で焼成すると、 励起波長の吸収効率の高い蛍光体が得られる。 従って、 このよう に形成された蛍光体にて発光装置を形成した場合に、 所望とする色調を得るために 必要な蛍光体量を減らすことができ、 光取り出し効率の高い発光装置を形成するこ とができる。
組成の異なる 2種類以上のセリゥムで付括されたィットリゥム ·アルミニウム酸 化物系蛍光体は、 混合させて用いても良いし、 それぞれ独立して配置させても良 い。 蛍光体をそれぞれ独立して配置させる場合、 発光素子から光をより短波波長側 で吸収発光しやすい蛍光体、 それよりも長波長側で吸収発光しやすい蛍光体の順に 配置させることが好ましい。 これによつて効率よく吸収及び発光させることができ る。
(窒化物蛍光体)
本実施の形態に用いられる蛍光体としては、 上記セリゥムで付括されたィットリ ゥム ·アルミニウム ·酸化物系蛍光体以外に、 黄赤〜赤色の発光波長を有する Eu 又は希土類で付括されたアル力リ土類窒化物系蛍光体が好適に用いられる。 この蛍 光体は、 LEDチップから発光された可視光、 紫外線、 及び YAG系蛍光体からの 発光を吸収することによって励起され発光する。 特に本発明の実施の形態に係る蛍 光体は、 S r— C a_S i— N: R、 C a— S i— N : R、 S r— S i— N : R、 S r -C a-S i一〇一 N: R、 Ca-S i一〇一 N: R、 S r—S i—〇一 N: R系シリコンナイトライドである。 この蛍光体の基本構成元素は、 一般式 LXS i
(2/3Χ + 4/3 Υ) : R若しくは LxS i YOZN (2/3X + 4/3Y-2/3Z) : R (Lは、 S r、 C a、 S i-と C aのいずれか。 ) で表される。 一般式中、 X及び Yは、 X=2、 Y = 5又は、 X= l、 Υ= 7であることが好ましいが、 任意のものも使用できる。 また Rは、 E uを必須とする希土類元素であり、 Νは窒素、 Οは酸素である。 具体的に ■ は、 基本構成元素は、 (S rxC X) 2S i 5Ν8: Eu、 S r 2S i 5Ν8: Eu、 C a2S i sN8: Eu S r xC ai-xS i vNio: E u, S r S i 7N10 : Eu、 Ca S i 7Nh。 : Euで表される蛍光体を使用することが好ましいが、 この蛍光体の組成 ' 中には、 Mg、 B、 A l、 Cu、 Mn、 C r及び N iからなる群より選ばれる少な くとも 1種以上が含有されていてもよい。 但し、 本発明は、 この実施の形態及び実 施例に限定されない。
Lは、 S r、 C a、 S rと C aのいずれかである。 3 1"と。&は、 所望により配 合比を変えることができる。
発光中心には、 主として希土類元素であるユウ口ピウム Euを用いる。 ユウロピ ゥムは、 主に 2価と 3価のエネルギー準位を持つ。 本実施の形態の蛍光体は、 母体 のアルカリ土類金属系窒化ケィ素に対して、 Eu2 +を付括剤として用いる。 また添 加物として Mnを用いても良い。
次に、 本発明の実施の形態に使用される蛍光体 ( (S rxCai-x) 2S i 5Ns: E u) の製造方法を説明するが、 本製造方法に限定されない。 上記蛍光体には、 M n、 〇が含有されている。
本発明の実施例において、 赤みを帯びた光を発光する蛍光体として、 特に窒化物 系蛍光体を使用するが、 本実施の形態においては、 上述した YAG系蛍光体と赤色 系の光を発光可能な蛍光体とを備える発光装置とすることも可能である。 このよう な赤色系の光を発光可能な蛍光体は、 波長が 250 nm〜600 nmの光によって 励起されて発光する蛍光体であり、 例えば、 Y202S : Eu、 La22S : Eu、 CaS : Eu、 S r S : Eu、 ZnS : Mn、 Z n C d S : Ag, A l、 ZnCd S : Cu, A l等が挙げられる。 このように YAG系蛍光体とともに赤色系の光を 発光可能な蛍光体を使用することにより発光装置の演色性を向上させることが可能 である。
本発明の各実施の形態の発光装置において、 蛍光体は、 種々の蛍光体を用いるこ とができる。 例えば、 青色領域の発光を行う B aMgA 11()017: Euで表される ユウ口ピウム付括バリウムマグネシウムアルミネート系蛍光体、 青色領域の発光を 行う (Ca、 S r、 B a) 5 (P〇4) 3C 1 : E uで表されるユウ口ピウム付括ハロ リン酸カルシウム系蛍光体、 青色領域の発光を行う (C a、 S r、 B a) 2B5O9C 1 : Euで表されるユウ口ピウム付括アルカリ土類クロロボレート系蛍光体、 青緑 色領域の発光を行う (S r、 C a、 B a) A 124 : Eu、 又は (S r、 C a、 B a) 4A 11425 : Euで表されるユウ口ピウム付括アルカリ土類アルミネート系蛍 光体、 緑色領域の発光を行う (Mg、 Ca、 S r、 B a) S i 22N2 : E uで表さ れるユウ口ピウム付括アルカリ土類シリコンォキシナイトライド系蛍光体、 縁色領 域の発光を行う (B a.. C a、 S r) 2 S i 04 : E uで表されるユウ口ピウム付括 アル力リ土類マグネシウムシリケ一ト系蛍光体、 黄色領域の発光を行う (Y, G d) 3 (A l, Ga) 5012: C e等で表される希土類アルミン酸塩である YAG系 蛍光体、 赤色領域の発光を行う (Y、 L a、 Gd、 Lu) 2O2 S : Euで表される ユウ口ピウム付括希土類ォキシカルュゲナイト系蛍光体等が挙げられるが、 これら に限定されず、 前述の蛍光体やその他の蛍光体も本発明の無機バインダで使用する ことができる。 さらに、 コーティング劣化対策を施した破断面を有する蛍光体を用 いてもよい。
上記蛍光体の例えばユウ口ピウム付括アルカリ土類クロロボレート系蛍光体、 ュ ゥ口ピウム付括アル力リ土類アルミネート系蛍光体、 ユウ口ピウム付括アル力リ土 類シリコンォキシナイトライド系蛍光体、 YAG系蛍光体およびユウ口ピウム付括 アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体等は、 B元素を含有させ、 結晶性を良 好とし、 粒径を大きくし、 結晶形状を調整することが好ましい。 これによつて、 発 光輝度の向上を図ることができる。 これらの蛍光体も、 本実施の形態に係る蛍光体 のフィラ一として有効である。
結晶構造は、 例えば、 C a2S i 5NSは単斜晶、 S r2S i 5N8、 (S r。.5Ca0. - 5) 2S r5N8は斜方晶、 B a2S i 5N8は単斜晶をとる。
さらに本蛍光体は、 その組成中 60%以上、 好ましくは 80 %以上が結晶質であ る。 一般的には x = 2、 y= 5又は x = 1、 y = 7であることが望ましいが、 任意 ' の値が使用できる。
微量の添加物中、 B等は発光特性を減ずることなく結晶性を上げることが可能で あり、 また Mn、 Cu等も同様な効果を示す。 また L a、 P r等も発光特性を改良 する効果がある。 その他、 Mg、 A l、 C r、 N i等は残光を短くする効果があ り、 適宜使用される。 その他、 本明細書に示されていない元素であっても、 10〜 1000 p pm程度ならば、 輝度を著しく減ずることなく添加できる。
Rに含まれる希土類元素は、 Y、 L a、 Ce、 P r、 Nd、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 E r、 Luのうち 1種以上が含有されていることが好ましいが、 S c、 S m、 Tm、 Ybが含有されていてもよい。 また上記元素以外にも、 B、 Mn等は輝 度を改善する効果があり、 含有されていてもよい。 これらの希土類元素は、 単体の 他、 酸化物、 イミド、 アミド等の状態で原料中に混合する。 希土類元素は、 主に安 定な 3価の電子配置を有するが、 Yb、 Sm等は 2価、 Ce、 P r、 T'b等は 4価 の電子配置も有する。 酸化物の希土類元素を用いた場合、 酸素の関与が蛍光体の発 光特性に影響を及ぼす。 つまり酸素を含有することにより発光輝度の低下を生じる 場合もある。 ただし Mnを用いた場合は、 Mnと〇とのフラックス効果により粒径 を大きくし、 発光輝度の向上を図ることができる。
発光中心として希土類元素であるユウ口ピウム Euを好適に用いる。 具体的に基 本構成元素の例を挙げると、 Mn、 Bが添加された C a2S i 5Oo. iNr. 9: Eu、 S r 2S i sOo. 1N7. 9 : E U, (C axS r i-x) 2S i 5Oo. iN7. 9 : Eu, C a S i rOo. sNg. 5 : Eu, さらには希土類が添加された C a 2 S i 5〇。.5 N 7.9 : E u、 S r 2S i sOo. 5N7. 7 : Eu, (C axS rい x) 2S i 5 O 0. 1N7. 9: Eu等があ る。
以上説明した窒化物系蛍光体は、 発光素子によって発光された青色光の一部を吸 収して黄色から赤色領域の光を発光する。 この蛍光体を上記の構成を有する発光装 置に使用して、 発光素子により発光された青色光と、 蛍光体の赤色光とが混色によ り暖色系の白色に発光する発光装置を提供することができる。 特に白色発光装置に おいては、 窒化物系蛍光体と、 希土類アルミン酸塩蛍光体であるセリゥムで付括さ れたイットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体が含有されていることが好ましい。 前記イットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体を含有することにより、 所望の色度 に調節することができるからである。 セリウムで付括されたイットリウム ·アルミ ニゥム酸化物蛍光体は、 発光素子により発光された青色光の一部を吸収して黄色領 域の光を発光することができる。 ここで、 発光素子により発光された青色系光と、 イットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体の発色光とが混色により青白い白色に発 光することができる。 したがって、 このイットリゥム ·アルミニウム酸化物蛍光体 と前記窒化物蛍光体とをバインダと一緒に混合した蛍光体と、 発光素子により発光 された青色光とを組み合わせることにより暖色系の白色の発光装置を提供すること ができる。 この暖色系の白色の発光装置は、 平均演色評価数 R aが 75〜95であ り色温度が 2000K:〜 8000Kとすることができる。 特に好ましいのは、 平均 演色評価数 R aが高く、 色温度が色度図における黒体放射の軌跡上に位置する白色 の発光装置である。 但し、 所望の色温度および平均演色評価数の発光装置を提供す るため イットリウム,アルミニウム酸化物蛍光体および蛍光体の配合量や各蛍光 体の組成比を、 適宜変更することもできる。 この暖色系の白色の発光装置は、 特に 特殊演色評価数 R 9の改善を図っている。 従来の青色発光素子とセリウムで付括さ れたイットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体との組合せの白色に発光する発光装 置は、 特殊演色評価数 R 9が低く、 赤み成分が不足していた。 そのため特殊演色評 価数 R 9を高めることが解決課題となっていたが、 E u付括アル力リ土類窒化珪素 蛍光体をセリゥムで付括されたィットリウム ·アルミニウム酸化物蛍光体中に含有 - することにより、 特殊演色評価数 R9を 40〜70まで高めることができる。 また 電球色を発光する L E D発光装置を製作することができる。
(基体)
' 基体 20は、 発光素子 60を収納する凹部 20 aと、 リード電極 22が配置され たベース部とからなり、 発光素子 60の支持体として働く。 前記凹部 20 aの底面 と前記リ一ド電極の底面はほぼ同一面上に位置していることが好ましい。
基体 20は、 金属製であることが好ましいが、 加工性、 生産性等から樹脂であつ てもよい。 基体 20は、 光取り出し面側から見た形状が、 略正方形、 略矩形、 略円 形、 略楕円形等の種々の形状に形成することができる。 発光素子 60を載置する部 分は; 凹部 20 aが形成されていることが好ましい。 凹部 20 aに発光素子 60を 収容することにより、 発光素子 60から放出された光を、 凹部 20 aの開口側に放 出することができ、 光出力の向上を図ることができるからである。
発光装置 60 1において、 熱の放熱性及び小型化を考慮すると、 基体 20は薄型 で形成されることが好ましい。
発光素子 6 0の数や大きさに合わせて複数の開口部を持った基体 2 0とすること もできる。 また、 好適には遮光機能を持たせるために黒や灰色等の暗色系に着色さ せる、 或いは基体 2 0の発光観測表面側が暗色系に着色されている。 基体 2 0は、 発光素子 6 0をさらに外部環境から保護するためにコーティング層に加えて透光性 保護体であるモールド部材を設けることもできる。 さらに、 基体 2 0は、 発光素子 6 0からの熱の影響をうけた場合、 モールド部材との密着性を考慮して熱膨張率の 小さい物が好ましい。
発光素子 6 0と基体 2 0との接着は熱硬化性樹脂等によって行うこともできる。 具体的には、 エポキシ樹脂、 アクリル樹脂やイミド樹脂等が挙げられる。 紫外線を 含む光を発光する発光素子 6 0を用いた発光装置 6 0 1を高出力で使用する場合、 発光素子 6 0と基体 2 0との接着部分は、 発光素子 6 0から放出された紫外線等が 封止部材の無機バインダ 3 0やあるいはそれに含まれる蛍光体 5 0等によっても反 射され、 基体 2 0内においても特に高密度になる。 そのため、 接着部分の樹脂が紫 外線によって劣化し、 樹脂の黄変等による発光効率低下や、 接着強度の低下による 発光装置の寿命の低下等が生じることが考えられる。 このような紫外線による接着 部分の劣化防止のために、 紫外線吸収剤を含有させた樹脂や、 より好ましくは本発 明による無機物等が使用される。 特に、 基体に金属材料を使用した場合は、 発光素 子 6 0と基体 2 0との接着は、 本発明による無機物が使用される他、 A u— S n等 の共晶はんだ等を使用しても行われる。 そのため、 接着に樹脂を使用した場合と異 なり、 紫外線を含む光を発光する発光素子 6 0を用いた発光装置 6 0 1を高出力で 使用した場合でも接着部分は劣化しない。
また、 発光素子 6 0を配置固定させると共に基体 2 0内の外部電極と電気的に接 続させるためには A gペースト、 カーボンペース卜、 I T Oペースト、 金属バンプ 等が好適に用いられる。
(リード電極)
発光装置 6 0 1は、 正及び負のリード電極 2 2を有し、 金属基体 2 0のベース部 に設けられた貫通孔内に絶縁部材 2 3を介して挿入されている。 前記リード電極 2 2の先端部は 前記ペース部の表面から突出しており 且つ前記リード電極 2 2の 底面は前記凹部の実装面側底面と略同一平面上に位置している。
(蓋体)
発光装置 6 0 1は、 基体 2 0の主面側に、 透光性の窓部 2 5と金属部とからなる リッド 2 4とを有する蓋体 2 6を有する。 窓部 2 5は、 発光装置 6 0 1の発光面で あり中央部に配置されることが好ましい。
窓部 2 5は、 基体 2 0の凹部 2 0 aに配置された発光素子 6 0の上面に位置して おり、 凹部 2 0 aの内壁の延長線と交点を有する。 発光素子 6 0の端部からから発 光される光は、 凹部 2 0 aの側面にて反射散乱され正面方向に取り出される。 これ らの反射散乱光の存在範囲は、 ほぼ凹部 2 0 aの側面の延長線内であると考えられ る。 そこで、 上記のように発光面である窓部 2 5の面積を調整することにより、 反 射散乱光は効率よく窓部 2 5に集光され、 高輝度な光を発光することが可能な発光 ' 装置 6 0 1が得られる。
窓部 2 5は、 透光性を有する。 窓部 2 5中に、 蛍光体 5 0を含有させてもよく、 また、 窓部 2 5に蛍光体 5 0膜を貼り付けてもよい。
窓部 2 5は、 ガラス、 エポキシ樹脂、 ポリプロピレンなど種々のもの使用できる が、 耐熱性の観点から、 ガラスが好ましい。
蓋体 2 6は、 基体 2 0に設けられ、 気密封止する。 気密封止することで、 発光装 置 6 .0 1の内部に、 水分が侵入してくるのを防止することができる。
(ワイヤー) 一
ワイヤー 2 1としては、 発光素子 6 0の電極とのォ一ミック性、 機械的接続性、 電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。 ワイヤー 2 1として具体的に は、 金、 銅、 白金、 アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤ —が挙げられる。 このようなワイヤー 2 1は、 各発光素子 6 0の電極と、 インナー • リード及びマウント · リード等と、 をワイヤーボンディング機器によって容易に 接続させることができる。
(発光装置の製造方法)
次に、 発光装置の製造方法について、 図 3 1〜図 3 5に基づいて説明する。 図 3 1は、 上述の通り本発明の実施の形態 6に係る発光装置の概略平面図であり、 図 3 2 ( a ) は、 同じく発光装置の概略断面図、 図 3 2 ( b ) は、 基体の凹部を拡大し た概略断面図である。 さらに図 3 3は、 本発明の実施の形態に係る発光装置の製造 工程の一部を示す概略図、 図 3 4は、 実施の形態に係る発光装置の他の製造工程の 一部を示す概略図、 図 3 5は、 実施の形態に係る発光装置のさらに別の製造工程の 一部を示す概略図を、 それぞれ示す。 具体的には、 図 3 4はスプレー噴霧手段によ る無機バインダ 3 0層若しくは樹脂 4 0の形成方法を示す概略図、 図 3 5はスクリ ーン印刷手段による無機バインダ 3 0層若しくは樹脂 4 0の形成方法を、 それぞれ 示している。 以下、 これらの図に基づいて発光装置の製造方法を説明する。 ただ し、 以下の工程は一実施の形態であって、 これに限定されるものではない。
(第一の工程)
基体 2 0に、 発光素子 6 0を載置する。 基体 2 0は、 凹部 2 0 aが形成されてお り、 該凹部 2 0 aに発光素子 6 0を載置する。 発光素子 6 0は、 エポキシ樹脂等の 接着剤を用いて、 ダイボンディングする。 発光素子 6 0載置後、 発光素子 6 0の電 極と、 リード電極 2 2とを、 ワイヤー 2 1を介して電気的に接続する。
(第二の工程)
発光素子 6 0を、 無機パインダ 3 0により被覆する。 無機バインダ 3 0は、 あら かじめ蛍光体 5 0が含有されていることが好ましい。 該蛍光体 5 0は、 無機バイン ダ 3 0中で混合し、 均一に分散させておく。 無機パインダ 3 0は、 ポッティング手 段や、 スプレー噴霧手段、 スクリーン印刷手段、 流し込み手段などを採ることがで きるが、 ポッティング手段あるいはスプレー噴霧手段が好ましい。 無機バインダ 3 0は、 発光素子 6 0の上面及び側面全体を被覆する。 さらに、 発光素子 6 0が載置 されている凹部 2 0 aの底面及び側面を被覆する。 無機バインダ 3 0は、 薄膜の層 構造を形成する。 無機パインダ 3 0は、 硬化させたあと、 第三の工程を行うが、 硬 化させる前に、 第三の工程を行い、 樹脂 4 0と無機バインダ 3 0とを同時に硬化さ せることもできる。
例えば、 発光素子 6 0を、 無機バインダ 3 0によりスクリ一ン印刷手段を用いて 被覆する。 発光素子 6 0に対して、 ストライプ状、 格子状、 同心円状、 渦巻き状.. トライアングル状、 ドット状等、 所望の形状にパターンを有するスクリーン版 9 7 を用意する。 サブマウント基板 9 2の上面に配置された導電性部材 9 1の上に、 発 光素子 6 0をフェイスダウン実装する。 このとき、 正極と負極とが短絡しないよう ' に、 サブマウント基板 9 2に所定の溝を設けておく。 さらに、 発光素子 6 0の各電 極間に絶縁性部材 9 4をあらかじめサブマウント基板 9 2側に設けたあと、 該サブ マウント基板 9 2の上面に発光素子 6 0をバンプ 9 6を介してダイボンディングす ' る。 その後、 蛍光体含有の無機バインダ材料 9 9を、 スキージ 9 8を用いてスクリ ーン印刷する。 これにより、 常に一定の厚みを有する無機バインダ 3 0を被覆した 発光素子 6 0を形成することができる。 その後、 パーティング 9 3に沿ってサブマ ゥント基板 9 2を切断する。 該工程は、 真空中で行うことが好ましいが、 不活性ガ ス雰囲気中で行ってもよい。
(第三の工程)
無機バインダ 3 0を、 樹脂 4 0により被覆する。 榭脂 4 0は、 あらかじめ蛍光体 5 0が含有されていてもよい。 樹脂 4 0は、 ポッティング手段や、 スプレー噴霧手 段、 スクリーン印刷手段、 流し込み手段などを採ることができるが、 ポッティング 手段あるいはスプレー噴霧手段が好ましい。 樹脂 4 0は、 無機バインダ 3 0の表面 を被覆する。 樹脂 4 0は、 薄膜の層構造を形成することが好ましい。 樹脂 4 0は、 無機バインダ 3 0中を浸透させ、 無機パインダ 3 0が持つ空隙を樹脂 4 0により埋 める。 これにより、 発光装置 6 0 1を製造することができる。 該工程は、 真空中で 行うことが好ましいが、 不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。
(ポッティング手段、 スプレー噴霧手段)
図 3 3は、 本発明の実施の形態に係る発光装置の、 製造工程の一部を示す概略図 である。 ポッティング手段は、 公知のポッティング手段を用いることができる。 図
3 3 ( a ) において、 樹脂 4 0をポッティング手段を用いて無機バインダ 3 0に被 覆する方法を説明する。 ポッティング装置 (図示しない) に取り付けられたポッテ イングツール 6 6に、 塗布する樹脂 4 0を注入しておく。 樹脂 4 0は、 粘度、 濡れ 性、 無機パインダ 3 0への浸透度、 密着性等を考慮して、 材質、 温度、 ポッティン グ速度などを調整する。 ポッティングツール 6 6のノズル 6 7の尖端部から、 樹脂
4 0のゾルを、 目的物である無機パインダ 3 0の上面へ、 ポッティングする。 この とき、 ポッティングする樹脂 4 0がワイヤー 2 1に触れないことが好ましい。 図 3 3 ( b ) において、 樹脂 4 0は、 発光素子 6 0の上面からポッティングさ れ、 そのポッティングされた箇所から、 無機バインダ 3 0中に浸透していく。 この とき、 無機バインダ 3 0が持つ空隙に榭脂 4 0が含浸され、 この空隙に存在する気 体は、 外部に放出しやすい樹脂 4 0の側面側から抜けていく。 樹脂 4 0は、 ゆつく りと発光素子 6 0の周囲部へと流れていく。 このとき、 発光素子 6 0の周囲部にあ る無機バインダ 3 0の空隙に存在する気体を外部に押し出しながら、 樹脂 4 0が流 れていく。
図 3 3 ( c ) において、 発光素子 6 0の周囲部から、 さらに凹部 2 0 a側面側へ と這い上がっていく。 これは、 毛細管現象によるものである。 この時も、 樹脂 4 0 が空隙 3 1中の基体を外部に押し出し、 樹脂 4 0中に気体が侵入するのを防止する ことができる。
図 3 3 ( d ) において、 無機バインダ 3 0層を被覆した樹脂 4 0層を形成するこ とができる。 樹脂 4 0層は、 ほぼ均一な膜厚である。 また、 樹脂 4 0層の表面は、 平滑である。
樹脂 4 0に代えて無機バインダ 3 0をポッティング手段を用いて無機バインダ 3 0に被覆する方法は、 上記とほぼ同様である。
図 3 4は、 本発明に係る発光装置の、 他の製造工程の一部を示す概略図である。 スプレー噴霧手段は、 公知のスプレー噴霧手段を用いることができる。 塗布液であ る樹脂 4 0を収納する容器 (図示しない) 、 塗布液の流量を調節するバルブ (図示 しない) 、 塗布液をノズル 7 0に搬送した後ノズル 7 0から容器に搬送する循環ボ ンプ (図示しない) 、 及び螺旋状に塗布液を噴出するノズル 7 0が、 それぞれ搬送 管 (図示しない) で結ばれたスプレー装置 (図示しない) を用いる。
塗布液を収納する容器には撹拌機 (図示しない) が取り付けてあり、 塗布作業中 - は塗布液を常に撹拌している。 容器に収納されている塗布液は、 撹拌機によって常 に撹拌されており、 塗布液に蛍光体が含まれている場合は、 塗布液に含まれる蛍光 体は溶液中で常に均一に分散している。 バルブは、 容器から搬送管を通して搬送さ : れてくる塗布液の流量をバルブの開け閉めによって調節する。 循環ポンプは、 塗布 液を容器からバルブおよびコンプレッサーを経由させてノズル 7 0の先端部まで搬 送管を通して搬送し、 その後、 ノズル 7 0から噴出されずに残った塗布液を、 搬送 管を通して容器まで搬送する。 塗布液は、 循環ポンプによって容器からバルブを経 由してノズルの先端部まで搬送管を通して搬送され、 その後搬送管を通して容器ま で搬送されているため、 常にスプレー装置内を循環している状態にある。 従って、 塗布液はスプレー装置全体にわたって撹拌、 又は循環状態にあるため、 塗布液に含 まれる蛍光体は、 塗布作業中常に均一な分散状態にある。 コンプレッサーは、 搬送 管を介して装置内に設置されており、 搬送管を通して搬送される空気を圧縮し、 搬 送管を通して搬送される塗布液の圧力を調節する。 コンプレッサーにより、 圧縮空 気および圧力調節された塗布液がそれぞれノズル 7 0に搬送される。 ここで圧縮空 気の圧力は圧力計によって監視される。 以上のようなスプレー装置を使用して、 塗 布液を高圧のガスと共に高速で噴出させて、 発光素子の上面、 側面および凹部内面 に塗布する。
塗布液とガス (本実施の形態では空気) がノズル 7 0を通して螺旋状に噴出され る装置を使用する。 この装置のノズルの周囲にはガスの噴出口が数力所設けられて おり、 それらの噴出口から噴出するガスの噴出方向は、 塗布される面に対してそれ ぞれある一定の角度を付けられている。 したがって、 塗布液の噴出口を中心に回転 しているそれらのガス噴出口に同時にガスが送り込まれると、 それぞれの噴出口か ら噴出するガスを集めた全体のガスの流れは、 渦巻き状の流れ、 螺旋状の流れ、 あ るいは竜巻における空気の流れを逆さまにしたような流れとなる。 また、 この装置 のノズルの中心には塗布液の噴出口が設けられており、 ガスの噴出と同時に塗布液 を噴出すると、 霧状となった塗布液が、 螺旋状の流れ、 あるいは竜巻における空気 の流れを逆さまにしたようなガスの流れに乗つて拡散していく。
螺旋状に拡散した噴霧全体の径は、 発光素子上方の噴射開始点から発光素子の表 面に近づくにつれて大きい。 また、 発光素子上方の噴射開始点から発光素子の表面 に近づくにつれて塗布液からなる噴霧の回転速度が減少している。 即ち、 霧状の塗 布液がノズルから噴出されて空気中で拡散すると、 噴射開始点であるノズルの付近 では円錐状に噴霧が広がるが、 ノズルから離れた所では、 円柱状に噴霧が広がる。 そこで、 本実施例では、 発光素子の上面からノズル下端までの距離を調節して円柱 状に噴霧が広がつた状態の所に発光素子の表面がくるように設置することが好まし レ^ このとき噴霧は、 螺旋状に回転し、 かつ速度が弱まっているため、 導電性ワイ ヤーの陰になる発光素子表面上にも回り込み、 発光素子上面全体だけでなく側面全 体にも十分吹き付けられる。 これにより、 発光素子あるいはノズルを固定した状態 で作業を行うことができる。 また、 円柱状に噴霧が広がった状態の所では噴霧の速 度が弱まっているため、 噴霧が発光素子の表面に吹き付けられたとき、 含まれる蛍 光体粒子によって発光素子の表面が衝撃を受けることがない。 また、 導電性ワイヤ 一の変形や断線がなく歩留まりや作業性が向上する。
塗布後の発光装置は ヒータ上において温度 5 0 °C以上 5 0 0 以下の加温状態 におかれる。 このように発光素子を加温状態におく方法として、 発光素子をオーブ ン等の加温装置内で加温する方法を使用してもよい。 加温により、 エタノール、 ゾ ル状態の加水分解溶液に僅かに含まれる水分および溶剤を蒸発させ、 かつ、 ゾル状 態の塗布液から非晶質の A 1 (OH) 3や A 1〇〇Hが得られる。 さらに本実施の形 態おける塗布液は、 粘度調節されているため、 発光素子の上面、 側面および角、 さ らに支持体表面に吹き付けられた後に吹き付けられた場所から流れ出すことはな く、 それらの場所で塗布直後に加温される。 これにより、 A 1 00Hにより蛍光体 がバインドされてなるコ一ティング層により発光素子の上面、 側面および角の部分 • を覆うことができる。
本実施の形態においては、 複数個の基体 2 0が配列した状態で、 発光素子 6 0を 基体 2 0にそれぞれダイポンドし、 発光素子 6 0の電極をリード電極 2 2とワイヤ ' 一ポンドした後、 無機バインダ 3 0で発光素子 6 0を被覆し、 樹脂 4 0を無機バイ ンダ 3 0の上方から吹き付ける。 所定の場所以外、 例えば、 凹部 2 0 a内面以外に 樹脂 4 0が付着するのを防ぐため、 マスク 8 0の上方から無機バインダ 3 0の表面 上に樹脂 4 0を吹き付ける。 マスク 8 0は、 基体 2 0の凹部 2 0 a外側を完全に覆 い、 樹脂 4 0が吹き付けられるような大きさの貫通孔が設けられた板であり、 金属 製マスク、 強化プラスチック製マスク等がある。
スプレー噴霧手段を用いると、 樹脂 4 0が粒状で噴霧されるため、 粒同士の隙間 から空隙 3 1に存在する気体が外部に放出する。 そのため、 樹脂 4 0中に熔解する 気体量が減り、 樹脂 4 0中の気体含有量を減らすことができるからである。
実施の形態 7 次に、 本発明の実施の形態 7に係る発光装置について、 図 3 6に基づき説明す る。 図 3 6 ( a ) は、 実施の形態 7に係る発光装置の基体の凹部を拡大した概略断 面図であり、 図 3 6 ( b ) はこの発光装置を示す斜視図である。 これらの図に示す 発光装置は、 具体的には砲弾型の発光装置である。 発光装置 7 0 0は、 発光素子 7 1 0と、 発光素子 7 1 0を載置するリードフレーム (基体) 7 2 0と、 発光素子 7 1 0を被覆する無機バインダ 7 3 0と、 無機バインダ 7 3 0に含まれる蛍光体 7 5 0と、 無機バインダ 7 3 0を被覆する樹脂 7 4 0と、 モールド部材 7 6 0とを備え る。 また無機バインダ 7 3 0の硬化により空隙 7 3 1が生じる。 上記と同一の機能 を有する場合は、 説明を省略する。
砲弹型の発光装置 7 0 0で構成される発光素子 7 1 0は、 基体となるマウント - リード上部に配置された凹部 7 2 0 aのほぼ中央部にダイポンドして載置される。 発光素子 7 1 0に形成された電極はワイヤー 7 2 1によってリードフレーム 7 2 0 のマウント ·リード 7 2 0およびインナー ·リード 7 2 0 bに導電接続される。 蛍 光体 7 5 0は、 発光素子 7 1 0において発光された光の少なくとも一部を吸収する と共に、 吸収した光とは異なる波長の光を発光する YA G系蛍光体と、 窒化物系蛍 光体とを含有する。 さらに窒化物系蛍光体はマイク口カプセル等の被覆材料で被覆 することができる。 この蛍光体 7 5 0を無機バインダ 7 3 0中に均一分散させる。 蛍光体 7 5 0を含む無機バインダ 7 3 0は、 発光素子 7 1 0が載置された凹部に配 置される。 このように発光素子 7 1 0および蛍光体 7 5 0を配置したリードフレー ム 7 2 0が、 発光素子 7 1 0や蛍光体 7 5 0を外部応力、 水分および塵芥等から保 護し、 また光の取り出し効率を改善する目的でモールド部材 7 6 0によってモ一ル ドされ、 発光装置 7 0 0が構成される。 モールド部材により、 レンズ等を形成して fcよい。
樹脂 7 4 0は、 スプレー噴霧手段、 若しくは、 ポッティング手段を用いて、 無機 バインダ 7 3 0及び発光素子 7 1 0を被覆している。 樹脂 7 4 0は、 リードフレー ム 7 2 0の凹部 7 2 0 a内を充填している。 樹脂 7 4 0の表面を平面にすることに より、 指向性を制御し、 光取り出し効率の向上を図ることができる。
(モールド部材)
モ一ルド部材 7 6 0は、 発光装置 7 0 0の使用用途に応じて発光素子 7 1 ( 導 電性ワイヤー 7 2 1 蛍光体 7 5 0が含有された無機バインダ 7 3 0層、 樹脂 7 4 0を外部から保護するため.. あるいは光取り出し効率を向上させるために設けるこ とができる。 モールド部材 7 6 0は、 各種樹脂やガラス等を用いて形成させること ができる。 モールド部材 7 6 0の具体的材料としては、 主としてエポキシ樹脂、 ュ リァ樹脂、 シリコーン樹脂、 フッ素樹脂等の耐候性に優れた透明樹脂やガラス等が 好適に用いられる。 また、 モールド部材に拡散剤を含有させることによって発光素 子 7 1 0からの指向性を緩和させ視野角を増やすこともできる。 このような、 モー ルド部材 7 6 0は、 樹脂 7 4 0と同じ材料を用いても良いし異なる材料としても良 - い。
実施の形態 8
さらに本発明の実施の形態 8に係る発光装置を、 図 3 7に基づいて説明する。 図 ' 3 7 ( a ) は、 発光装置の基体の凹部を拡大した概略断面図であり、 図 3 7 ( b ) はこの発光装置の斜視図を、 それぞれ示す。 この例においても発光装置は、 具体的 には砲弹型の発光装置 8 0 0である。 発光装置 8 0 0は、 発光素子 8 1 0と、 発光 素子 8 1 0を載置するリードフレーム (基体) 8 2 0と、 発光素子 8 1 0を被覆す る無機バインダ 2 3 0と、 無機バインダ 8 3 0に含まれる蛍光体 8 5 0と、 無機バ インダ 8 3 0を被覆する樹脂 8 4 0、 キャップ 8 2 6とを備える。 また無機バイン ダ 8 3 0の硬化により空隙 8 3 1が生じる。 さらに電極はワイヤー 8 2 1によって リードフレーム 8 2 0と電気接続される。 上記実施の形態 7と同一の機能を有する 場合は、 説明を省略する。
発光装置 8 0 0は、 発光素子 8 1 0が載置されたリードフレーム 8 2 0をキヤッ プ 826で封止している。 この封止は、 気密封止であることが好ましい。 キャップ 826の上面は、 窓部 825が設けられ発光素子 810からの光を透過する。 リツ ド 824は、 窓部 825を支持する。
実施の形態 9
さらにまた本発明の実施の形態 9に係る発光装置を図 38に基づいて説明する。 図 38は、 発光装置の一部を示す概略断面図である。 特に、 図 35に示すスクリー ン印刷手段を用いて無機パインダ 30及び樹脂 40を被覆した発光素子 60付近の 概略断面図である。 発光素子 60をサブマウント基板 92上にフェイスダウン実装 し、 スクリーン印刷手段を用いて発光素子 60の表面に無機バインダ 30を設け る。 その後、 発光素子 60が載置されたサブマウント基板 92を発光装置に取り付 け、 導電性部材 91にワイヤー 21をボンディングする。 さらに、 該無機バインダ 30にポッティング手段等を用いて、 樹脂 40を含浸させる。 これにより、 無機バ インダ 30の表面に樹脂 40が含浸された発光装置を提供することができる。 ただ し、 樹脂 40を無機バインダ 30にポッティング等した後に、 ワイヤ一 21をボン デイングしてもよい。
実施例 30〜 32
(実施例 30及び 31)
次に、 上記の実施の形態 6〜 9に対応する実施例として、 実施例 30〜 32を作 成した結果について説明する。 実施例 30及び 31は、 砲弾型の発光装置である。 図 33は、 実施例 30及び 31に係る発光装置の、 製造工程の一部を示す概略図で ある。 図 34は、 実施例 30及ぴ 31に係る発光装置の、 製造工程の一部を示す概 略図である。 図 37 (a) は、 実施例 30及び 31の基体の凹部を拡大した概略断 面図である。 図 37 (b) は、 実施例 30及び 31に係る発光装置 800を示す斜 視図である。 図 42は、 比較例 3に係る発光装置を示す概略断面図である。
実施例 30及び 31は、 以下の構成より成る。 発光素子 810は、 00 nmに 主発光波長を有する、 ロ0. 35 mm角のダイスを使用した。 ワイヤー 821は、 Auを主成分とするものを用いた。 無機バインダ 830は、 酸化イットリウムゾル (多木化学製酸化イットリウムゾル) を使用した。 蛍光体 850は、 (Y。.8Gd 0. 2) 3A 15012: Ceの YAG蛍光体を使用した。 榭脂 840は、 実施例 30が含 浸用シリコーン樹脂 (商品名: K J F 816、 信越シリコーン株式会社製) 、 実施 例 31が含浸用シリコ一ン榭脂 (商品名: KJ F816L、 信越シリコーン株式会 社製) である。 実施例 30の含浸用シリコーン樹脂の基本的物性は、 粘度 100 (mm s e c) 、 比重 (25°C) 0. 97、 揮発分 (105 :/3時間) 0. 5、 硬化状態はラバー状膜、 硬度 (ァス力 C) 60である。 実施例 31の含浸用シ リコーン樹脂の基本的物性は、 粘度 60 (mm s e c) 、 比重 (25°C) 0. 9 7、 揮発分 (105 3時間) 0. 5、 硬化状態はラバ一状膜、 硬度 (ァス力 C) 60である。
' 実施例 30及び 31は、 以下の製造方法により製造した。 まず、 リードフレーム (基体) 820に、 発光素子 810を載置した。 リードフレーム 820は、 広口の 開口部を有する凹部 820 aが形成されており、 該凹部 820 aの底面に、 発光素 ' 子 810を載置した。 発光素子 810の基板側を凹部 820 aの底面に接触するよ うに、 ダイボンディングした。 発光素子 810は、 Au— Snなどの共晶はんだ等 の接着剤を用いて、 ダイボンディングした。 発光素子 810載置後、 発光素子 81 0の電極と、 リード電極とを、 ワイヤー 821を介して電気的に接続した。
次に、 蛍光体 850を秤量した後、 所定量の無機バインダ 830に、 所定量の蛍 光体 850を投入し、 均一に混合した。 詳述すると、 酸化イットリウムゾルと Y A G蛍光体を各 10 g、 100m 1ビーカーにとり、 エタノールを酸化イットリアゾ ルに対して 50重量%添加し十分攪拌混合して、 蛍光体/ゾルのスラリーを得た。 次に、 無機パインダ 830を、 リードフレーム 820に載置した発光素子 810 上にスプレー噴霧手段を用いて、 スプレー噴霧を行い無機バインダ 830を固着し た。 無機バインダ 8 3 0を、 スプレー噴霧手段を用いて固着することにより、 発光 素子 8 1 0の上面、 側面、 リードフレーム 8 2 0の凹部 8 2 0 aの底面、 側面と を、 ほぼ均一の厚さで無機バインダ 8 3 0層を形成することができる。 所定の場所 以外に無機バインダ 8 3 0が固着しないように、 マスク 8 0を設け、 スプレー噴霧 した。 無機パインダ 8 3 0をスプレー噴霧して固着した後、 約 2 4 0 t、 3 0分 間、 熱硬化を行った。
次に、 無機バインダ 8 3 0層の表面に、 ポッティングツールを用いて樹脂 8 4 0 をポッティングした。 樹脂 8 4 0のポッティングは、 発光素子 8 1 0のほぼ真上か つ無機バインダ 8 3 0層のほぼ中央部に滴下した。 その樹脂 8 4 0は、 無機バイン ダ 8 3 0層の表面中央部から速やかに浸透して外周部方向に拡がっていき、 無機バ インダ 8 3 0の内部の空隙を埋めていく。 無機バインダ 8 3 0層の表面全体に樹脂 8 4 0のつやが出るまで表面を被覆した。 リードフレーム 8 2 0の凹部側面の無機 バインダ 8 3 0層の表面への樹脂 8 4 0の這い上がりは、 毛細管現象によるものと 考えられる。 これにより、 無機パインダ 8 3 0層の表面に、 均一で薄膜の榭脂 8 4 0層が形成された。 ポッティング後、 無機バインダ 8 3 0層、 樹脂 8 4 0層で発光 素子 8 1 0が被覆され、 その発光素子 8 1 0が載置されたリードフレーム 8 2 0 を、 約 1 5 0 °Cで約 3時間、 加熱して、 樹脂 8 4 0を硬化した。
最後に、 このリードフレーム 8 2 0を、 窒素ガス雰囲気中で、 キャップ 8 2 6を 用いて封止した。 キャップ 8 2 6内は、 窒素ガスで充填されている。 キャップ 8 2 6の窓部 8 2 5の下には、 リードフレーム 8 2 0の凹部 8 2 0 aが配置されてい る。 このようにして、 実施例 3 0及び 3 1の発光装置 8 0 0を製造した。
(耐久性試験の測定結果) - 実施例 3 0及び 3 1の発光装置について、 耐久性試験を行った。 図 3 9は、 実施 例 3 0及び 3 1、 比較例 3の発光装置の耐久性試験の結果を示すグラフである。 比 較例 3は、 無機バインダ 8 3 0、 樹脂 8 4 0で発光素子 8 1 0を被覆しておらず、 発光素子 8 1 0のみがリードフレーム 8 2 0の凹部 8 2 0 aに載置されている。 そ れ以外は、 実施例 3 0と同じである。
実施例 3 0及び 3 1の発光装置を、 常温、 1 0 0 mAの駆動試験に投入した。 投 入直後 0時間のときの出力を 1 0 0 %として、 1 0 0時間後 2 0 0時間後、 3 5 0時間後 5 0 0時間後 7 0 0時間後の出力を測定した。 その結果、 実施例 3 0 及び 3 1、 比較例 3のいずれの発光装置についても、 7 0 0時間経過後でも高い出 力を維持していた。
(光取り出し効率の測定結果)
実施例 3 0及び 3 1の発光装置について、 光取り出し効率の測定を行つた。 図 4 0は、 実施例 3 0及び 3 1、 比較例 4の発光装置の光取り出し効率の結果を示すグ ラフである。
図 4 2は、 比較例 4の発光装置を示す概略断面図である。 比較例 4は、 樹脂で無 機バインダを被覆しておらず、 無機バインダ 3 3 0のみである。 比較例 4の無機バ インダ 3 3 0には、 実施例 3 0と同様の Y A G蛍光体 8 5 0を用いている。 比較例 4の発光装置は、 発光素子 3 1 0の上面を無機バインダ 3 3 0で被覆している。 こ の無機バインダ 3 3 0には、 空隙 3 3 1が多数含まれている。
この実施例 3 0及び 3 1、 比較例 4の発光装置に、 所定の電流を投入して、 その 光出力を測定した。 その結果、 実施例 3 0は、 比較例 4よりも 1 . 9 1倍、 光取り 出し効率の向上が見られた。 実施例 3 1は、 比較例 4よりも 1 . 7 5倍、 光取り出 し効率の向上が見られた。 これは、 比較例 4の無機バインダ 3 3 0層に含まれる空 隙 3 3 1が、 発光素子 3 1 0からの光を反射してしまうためと考えられる。 つま り、 空隙 3 3 1には、 窒素等の空気が含まれており、 無機バインダ 3 3 0と空気と の屈折率の差により、 空気と無機バインダ 3 3 0との界面で反射が起きるためであ る。 これより、 実施例 3 0及び 3 1の発光装置は、 耐久性に富み、 光取り出し効率 の高い発光装置を提供することができる。 (赤外分光スぺクトルの測定結果)
実施例 3 0の含浸用シリコーン樹脂について、 赤外分光スぺクトルを測定した。 また、 比較として、 比較例 5のシリコーン樹脂について、 赤外分光スペクトルを測 定した。 図 4 1は、 実施例 3 0の被膜の赤外分光スペクトルを示す図である。 図 4 3は、 比較例 5の被膜の赤外分光スペクトルを示す図である。 この赤外分光スぺク トルは、 フーリエ変換赤外分光法 (F T— I R) を用いて測定した結果である。 フ 一リェ変換赤外分光法の測定装置として、 N e x u s 8 7 0 <本体 >、 C o n t i n u m<顕微 > (ともにニレコ一 ·ジャパン社製) を使用した。
実施例 3 0の含浸用シリコーン樹脂を用いた発光装置は、 比較例 5のシリコーン 樹脂を用いた発光装置よりも、 光取り出し効率及び耐熱性、 耐久性等に優れてい る。 また、 樹脂の劣化の促進も抑制されている。 これは、 C一 S i— O結合の割合 が S i—〇一 S i結合の割合に比べて低いことが原因であると考える。 つまり、 C 一 S i— O結合の割合が少ないと、 架橋密度が小さい三次元網目結合を形成し、 ゴ ム状又はゲル状の比較的柔軟性に富んだ樹脂被膜が形成できるためであると考えら れる。 ゴム状膜又はゲル状とすることにより、 内部応力の緩和を促進し、 熱膨張に よる剥離を防止することができる。
比較例 5の被膜は、 樹脂組成中の S i - O - S i結合に対する C— S i一 0結合 の強度比が 1 . 1 6 / 1である。 これに対し、 実施例 3 0の被膜のそれは、 2 . 2 1 / 1である。 なお、 比較例 5のシリコーン樹脂は、 一般的なシリコーン樹脂であ る。
(実施例 3 2 )
実施例 3 2は、 砲弹型の発光装置である。 図 3 5は、 実施例 3 2に係る発光装置 の、 製造工程の一部を示す概略図である。 図 3 8は、 本発明の実施の形態 9に係る 発光装置の一部を示す概略断面図である。 特に、 図 3 5に示すスクリーン印刷手段 を用いて蛍光体含有の無機バインダ材料 9 9を発光素子 6 0に被覆する工程での概 略断面図である。 また、 図 3 8に示すように、 無機バインダ 3 0を発光素子 6 0に 被覆して、 樹脂 4 0を該無機バインダ 3 0の表面に含浸させたときの発光素子 6 0 付近の概略断面図である。 実施例 3 2は、 実施例 3 0及び 3 1の発光素子 8 1 0の 載置状態が異なる以外は、 ほぼ同様の構成を採る。 図 3 7 ( a ) b ) は、 実施 例 3 0及び 3 1の発光装置を示す斜視図であり . 実施例 3 2と符号が異なるもの の、 実施例 3 2とほぼ同様の構成を示している。 以下、 実施例 3 2が実施例 3 0及 び 3 1と主に異なる部分について説明する。
無機バインダ 3 0は、 アルミナゾル (日産化学株式会社製、 商品名: A 1 _ 5 2 0 ) を使用する。 このアルミナゾルをイオン交換樹脂で処理することで、 安定剤で ある硝酸イオンを低濃度化することができる。 このアルミナゾル 1 0 gに、 (Y 0. s G d o. 2) 3 A 1 5 O 1 2: C eの YA G蛍光体を 2 0 g添加して十分に混合、 攪拌 する。 このように調整した蛍光体ペーストを用いて、 スクリーン印刷手段を用い て、 スクリーン印刷でダイスウェハ上に蛍光体層を形成する。 樹脂 4 0は、 含浸用 シリコーン樹脂 (商品名: K J F 8 1 6、 信越シリコーン株式会社製) や含浸用シ リコーン樹脂 (商品名: K J F 8 1 6 L、 信越シリコーン株式会社製) を使用する と力 る
実施例 3 2の発光素子 6 0は、 サブマウント基板 9 2の上面にフェイスダウン実 装している。 スクリーン印刷手段を用いてフェイスダウン実装した発光素子 6 0の 表面に無機バインダ 3 0を設けている。 発光素子 6 0が載置されたサブマウント基 板 9 2は、 導電性部材 9 1及びバンプ 9 6を介して電気的に接続されており、 サブ マウント基板 9 2を介してワイヤー 2 1でボンディングされている。 無機バインダ 3 0の表面は、 樹脂 4 0が含浸されている。 樹脂 4 0含浸後の無機バインダ 3 0の 表面は、 つやを帯びている。
次に、 実施例 3 2の発光装置の製造方法における無機パインダ 3 0形成方法を詳 述する。 まず、 サブマウント基板 9 2の表面に導電性部材 9 1を配置し、 正電極と 負電極とを分離する絶縁部 9 4を有する導電性パターンとする。
サブマウント基板 9 2の材料は、 半導体発光素子と熱膨張係数がほぼ等しいも の、 例えば窒化物半導体発光素子に対して窒ィヒアルミニウムが好ましい。 このよう な材料を使用することにより、 サブマウント基板 9 2と発光素子 6 0との間に発生 する熱応力を緩和することができる。 あるいは、 サブマウント基板 9 2の材料は、 P型半導体領域及び n型半導体領域を有する保護素子として形成可能であり、 比較 的放熱性がよく安価でもあるシリコンが好ましい。 また、 導電性部材 9 1は、 反射 率の高い銀や金、 アルミニウムを使用することが好ましい。
発光装置の信頼性を向上させるため、 発光素子 6 0の正負両電極間と絶縁部 9 4 との間に生じた隙間にはアンダフィル材 9 5が充填される。 まず、 上記サブマウン ト基板 9 2の絶縁部 9 4の周辺にアンダフィル材 9 5が配置される。 アンダフィル 材 9 5は、 例えばシリコン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。 アンダフ ィル材 9 5の熱応力を緩和させるため、 さらに窒化アルミニウム、 酸化アルミニゥ ム及びそれらの複合混合物等がエポキシ樹脂に混入されてもよい。 アンダフィルの 量は、 発光素子の正負両電極間とサブマウント基板 9 2との間に生じた隙間を埋め ることができる量である。
発光素子 6 0の正負両電極をサブマウント基板 9 2に設けた上記導電性パターン の正負両電極にそれぞれ対向させ、 バンプ 9 6にて接合し固定する。 なお、 サブマ ゥントを保護素子としたときは、 発光素子の正電極および負電極と保護素子の n型 半導体領域および p型半導体領域とをそれぞれ接続する。 まず、 発光素子 6 0の正 負両電極に対して導電性部材であるバンプ 9 6を形成する。 なお、 サブマウント基 板 9 2の導電性パターンの正負両電極に対してバンプ 9 6を形成してもよい。 サブ マウント基板 9 2の絶縁部 9 4付近に配したァンダフィル材 9 5が軟化していると き、 発光素子 6 0の正負両電極が、 バンプ 9 6を介して上記導電性パターンの正負 両電極と対向される。 次に、 荷重、 熱および超音波により発光素子の正負両電極、 バンプ 9 6および上記導電性パターンは熱圧着される。 このとき、 バンプ 9 6と上 記導電性パターンの正負両電極との間のアンダフィルは排除され、 発光素子の電極 と上記導電性パターンの導通が図られる。 導電性部材であるバンプ 9 6の材料は、 例えば A u、 共晶ハンダ (A u— S n ) ¾ P b - S n ¾ 鉛フリーハンダ等である。 発光素子 6 0の基板側からスクリーン版 9 7を配置する。 なお、 スクリーン版 9 7の代わりとして、 導電性ワイヤーのポールボンディング位置やパーティングライ ン形成位置等、 蛍光体含有の無機バインダを形成させない位置にメタルマスクを配 置しても構わない。
チキソ性を有するアルミナゾルに蛍光体を含有させた材料を調整し、 スキージ (へら) 9 8を使ってスクリーン印刷を行う。
スクリーン版 9 7を取り外し、 蛍光体を含有させた材料を硬化させ、 パーテイン グラインに沿つて発光素子毎に力ットすると、 蛍光体含有の無機バインダ材料を有 - する発光素子 6 0が完成する。
さらに、 上記発光素子 6 0をパッケージの凹部底面に A gペーストを接着剤とし て固定し、 導電性ワイヤーにて凹部底面に一部露出させたリード電極とサブマウン ' ト基板に設けた導電性パターンとを接続して発光装置とすることができる。 例え ば、 本実施例における発光装置は、 発光装置の配光性を制御するためのレンズ、 お よび発光素子の放熱性を向上させ、 発光素子を載置するための凹部底面が一部に形 成される金属基体を有するものも使用することができる。 また、 レンズの下面とパ ッケージの凹部の内壁面との隙間にはシリコーン樹脂等のモールド部材を配置する ことが好ましい。 このように構成することにより、 発光素子からの光の取り出しを 向上させ、 信頼性の高い発光装置とすることができる。
以下、 実施例 3 2の発光装置の製造方法について説明する。 実施例 3 2は、 実施 例 3 0及び 3 1とほぼ同様な構成を採るところは、 説明を省略する。
まず、 サブマウント基板 9 2に発光素子 6 0をフェイスダウン実装する。 サブマ ゥント基板 92と発光素子 60とは、 バンプ 96を介して電気的に接続されてい る。 サブマウント基板 92は、 異種電極となるように溝部を設け、 絶縁部を該溝部 に流し込み異種電極間の短絡を防止する。
次に、 フェイスダウン実装した発光素子 60とサブマウント基板 92上に、 スク リーン版 97を用いて、 スクリーン印刷する。 スクリーン印刷に用いる無機バイン ダ 30層には、 蛍光体含有の無機バインダ材料 99を用いる。 ただし、 蛍光体を含 有しない無機バインダ材料 99を用いることもできる。 スクリーン印刷手段を用い て発光素子 60の上面及び側面に均一な無機パインダ 30層を形成させる。 蛍光体 含有の無機バインダ材料 99は、 アルミナゾル 10 gに YAG蛍光体 20 g添加し て十分に混合、 攪拌したものを用いる。 発光素子 60の上面及び側面に無機バイン ダ 30を形成した後、 窒素雰囲気中、 約 80 で 30分間、 約 150°Cで 30分 間、 約 240°Cで 30分間の昇温条件にて、 無機バインダ 30の硬化を行う。 無機 バインダ 30に含まれる有機成分を除去するなどのためである。 但し、 この昇温条 件は特に限定されず、 約 100°Cで 30分昇温したあと、 240£ で1時間昇温を おこなってもよい。
次に、 リードフレーム (基体) 820に、 上記のサブマウント基板 92にフェイ スダウン実装した発光素子 60 (210) を載置する。 リードフレーム 820は、 広口の開口部を有する凹部 820 aが形成されており、 該凹部 820 aの底面に、 発光素子 60 (210) を載置する。 発光素子 60 (210) の基板側を凹部 82 0 aの底面に接触するように、 ダイボンディングする。 発光素子 60 (210) は、 Au— Snなどの共晶はんだ等の接着剤を用いて、 ダイボンディングする。 発 光素子 60 (210) 載置後、 サブマウント基板 92の導電性部材 91と リード 電極とを、 ワイヤ一 821を介して電気的に接続する。
次に、 無機バインダ 30 (230) 層の表面に、 ポッティングツールを用いて樹 脂 40 (240) をポッティングする。 樹脂 40 (240) のポッティングは、 発 光素子 60 (210) のほぼ真上かつ無機バインダ 30 (230) 層のほぼ中央部 に滴下する。 その樹脂 40 (240) は、 無機バインダ 30 (230) 層の表面中 央部から速やかに浸透して外周部方向に拡がっていき、 無機バインダ 30 (23 0) の内部の空隙を埋めていく。 無機パインダ 30 (230) 層の表面全体に樹脂 40 (240) のつやが出るまで表面を被覆する。 これにより、 無機バインダ 30 (230) 層の表面に、 均一で薄膜の樹脂 40 (240) 層が形成された。 ボッテ イング後、 無機バインダ 30 (230) 層、 樹脂 40 (240) 層で発光素子 60 (210) が被覆され、 その発光素子 60 (210) が載置されたリードフレーム 820を、 約 150°Cで約 3時間、 加熱して、 樹脂 840を硬化する。 ここで、 シ リコーン樹脂は、 含浸用シリコーン樹脂 (商品名: KJ F 816、 信越シリコーン 株式会社製) を用いている。
最後に、 このリードフレーム 820を、 窒素ガス雰囲気中で、 キャップ 826を 用いて封止した。 キャップ 826内は、 窒素ガスで充填されている。 キャップ 82 6の窓部 825の下 は、 リードフレーム 820の凹部 820 aが配置されてい る。 このようにして、 実施例 32の発光装置を製造した。
実施の形態 10
さらに、 本発明の実施の形態 10に係る発光装置を図 44に基づいて説明する。 図 44は、 実施の形態 10に係る発光膜を有する発光装置 1000の概略構成図を 示している。 この発光装置 1000は、 励起光 42を射出する励起光源 44と、 励 起光源 44から射出される励起光 42を吸収し波長変換して所定の波長域の照明光 43を放出する発光材料 54と、 一端に励起光源 44を備え、 他端に発光材料 54 を備え、 断面の中心部 (コア) の屈折率を周辺部 (クラッド) より高くして励起光 源 44から射出される励起光 42を発光材料 54へ導出する光ファイバ 46とを有 する。
励起光源 44は発光素子 47を備え、 発光素子 47から射出される光を射出部 4 8から光ファイバ 4 6へと導出する。 発光素子 4 7から射出される光を射出部 4 8 へ効率よく導くため、 発光素子 4 7と射出部 4 8との間にレンズ 4 9を設けてい る。
光ファイバ 4 6の一端は射出部 4 8と接続されており、 他端は外部に光を導出す る出力部 5 2を備える。 出力部 5 2は発光材料 5 4を有している。 発光材料 5 4と して、 この例では無機蛍光体 5 5を使用する。 発光材料 5 4は、 励起光源 4 4から 射出される励起光 4 2を吸収し波長変換して所定の波長域の照明光 4 3を放出す る。 蛍光体 5 5はフイラ一部材 5 6とバインダー部材 5 7とにあらかじめ混合して おき、 そのフイラ一部材 5 6とバインダー部材 5 7とを出力部 5 2に配置する。 蛍 光体 5 5の量は、 このフイラ一部材 5 6とバインダ一部材 5 7との量により調整等 することができる。 フイラ一部材 5 6は無機フィラーであり、 バインダー部材 5 7 は少なくとも金属元素の酸化水酸化物を含む無機化合物である。 バインダ一部材 5 7に含有される金属元素の酸化水酸化物は、 ベ一マイト構造、 若しくは擬べ一マイ ト構造を有する A 1、 Yの酸化水酸化物等を使用することができる。
可視光の短波長領域における 4 0 0 n m付近に発光ピーク波長を有する発光素子 4 7と、 青色光に発光する蛍光体と黄色光に発光する蛍光体とを混合した蛍光体 5 5とを用いる場合、 蛍光体 5' 5から放出される白色光が主に照明光 4 3となる。 4 0 O n m付近の光は視認し難いため、 視認し易い青色光や黄色光、 白色光が照明光 4 3となる。
可視光の短波長領域における 4 6 0 n m付近に発光ピーク波長を有する発光素子 4 7と、 黄色に発光する蛍光体と、 赤色に発光する蛍光体とを用いる場合、 発光素 子 4 7から射出される励起光 4 2と蛍光体 5 5から放出される光との混色光が照明 光 4 3として外部に導出される。 この照明光 4 3は赤みを帯びた白色光となる。 紫外線領域における 3 6 5 n m付近に発光ピーク波長を有する発光素子 4 7と、 青色光に発光する蛍光体と黄色光に発光する蛍光体とを混合した蛍光体 5 5とを用 いる場合、 蛍光体 5 5から放出される光が照明光 4 3となる。 紫外線は人間の目で 見えないため可視光に波長変換される蛍光体 5 5から放出される光のみが照明光 4 3となる。 よって蛍光体 5 5から放出される白色光が照明光 4 3となる。
ただし、 蛍光体 5 5の組合せは種々考えられ、 光の三原色 (青色、 緑色、 赤色) を用いて広範囲の色調を得る場合や、 補色の関係にある青色と黄色、 青緑色と赤 色、 緑色と赤色、 青紫色と黄緑色など 2色を用いて種々の色調を得る場合などがあ る。 これらの色の一方を発光素子 4 7から射出される光に置換してもよい。 ここで 補色とは、 一方の発光ピーク波長の光と他方の発光ピーク波長の光とを混合した場 合に、 白色領域の光が得られることをいう。 ここで、 色名と波長範囲との関係は、 J I S Z 8 1 1 0を参酌している。 また高い演色性を得るため蛍光体 5 5を種々 組み合わせる場合もある。
演色性とは、 ある光源によって照明された物体色の見え方を左右するその光源の - 性質である。 色温度は、 光源そのものの色を心理物理的に表現するもので、 ある光 源の色度と等しい色度を持った完全放射体の絶対温度 (K) で表す。 一般にある光 源のもとで見た物体色の見え方が、 同一の色温度を持つ基準光のもとで見た物体色 ' の見え方に比べてどの程度異なっているかによって表される。 平均演色評価数 (R a ) は、 8種類の色票が試料光源、 基準光源それぞれによって照明された場合の色 ズレの平均的な値を基礎として求められる。 特殊演色評価数は、 上の 8種類の色票 とは別の 7種類の色票の個々の色ズレを基礎として求めるもので、 7種類の平均で はない。 そのうち R 9は赤色を示す。
この発光装置 1 0 0 0は被写体を照射してその画像を撮像する内視鏡などの医療 分野や、 複数の励起光源 4 4を用いて各種の色を実現する照明装置、 ディスプレイ などに使用することができる。 発光装置 1 0 0 0から出射された光は、 直接人間が 視認する他、 C C Dカメラなどで撮像することもある。 C C Dカメラなどの受像器 の感度に合わせて励起光源 4 4や蛍光体 5 5が適宜選択される。 次に、 発光装置 1 0 0 0の作用について説明する。 励起光源 4 4に備える発光素 子 4 7から射出された励起光 4 2はレンズ 4 9を透過して射出部 4 8へと導かれ る。 レンズ 4 9は、 発光素子 4 7から射出された励起光 4 2を射出部 4 8に集光さ せる。 射出部 4 8から射出された励起光 4 2は光ファイバ 4 6へ導出される。 励起 光 4 2は光ファイバ 4 6内で全反射を繰り返しながら他端である出力部 5 2へと導 出される。 出力部 5 2に設ける発光材料 5 4である蛍光体 5 5に、 導出されてきた 励起光 4 2を照射する。 この励起光 4 2の少なくとも一部は蛍光体 5 5に吸収され 波長変換されて所定の波長域の光を放出する。 この光が照明光 4 3となって外部に 導出される。 若しくは、 蛍光体 5 5から放出される光と励起光 4 2とが混合した照 明光 4 3が外部に導出される。 出力部 5 2では蛍光体 5 5により光の吸収及び散乱 が生じるため、 光密度が高くなつている。 そのため無機フィラー 3 2やバインダー 部材 5 7を用いて耐熱性、 耐光性に優れた部材を備えることを要する。
これにより、 少なくとも 1個の発光素子 4 7で白色光を得ることができる。 ま た、 1個の発光素子 4 7のみで白色光を得ることができるため、 色調バラツキが少 なく色再現性に富む発光装置を提供することができる。 また、 発光素子 4 7と蛍光 体 5 5とを使用するため混色し易く演色性の高い発光装置を提供することができ る。 また、 発光強度の高い発光装置を提供することができる。 発光素子 4 7に蛍光 体 5 5を塗布していないため、 発光素子 4 7の駆動に伴う発熱により蛍光体 5 5が 劣化することがない。 更に、 励起光源 4 4にレーザダイォ一ド素子を用いる場合、 光密度が極めて高くなるため蛍光体 5 5を混合した樹脂を出力部 5 2に用いること はできない。 これに対し、 蛍光体 5 5を混合したァルミナゾルゃィットリゥムゾル などのバインダー部材 5 7を出力部 5 2に用いる場合、 耐光性、 耐熱性に極めて優 れることから、 比較的高い光密度に対しても劣化することなく耐候性に優れた発光 装置を提供することができる。
(励起光源)
励起光源 4 4は、 蛍光体 5 5を励起する光を射出できればよく、 半導体発光素子 やランプ、 電子ビーム、 プラズマ、 E Lなどをエネルギー源とするものでも使用で きる。 特に限定されないが、 小型で発光強度が高いため、 発光素子 4 7を用いるこ とが好ましい。 発光素子 4 7は、 発光ダイオード素子 (L E D) やレーザダイォー ド素子 (L D) などを用いることができる。
(発光材料、
発光材料 5 4は、 励起光源 4 4から射出された励起光を吸収し波長変換して所定 の波長域の照明光を放出するものであれば特に問わず、 蛍光体 5 5や顔料等を用い ることができる。 励起光源 4 4の発光スぺクトルと発光材料 5 4の発光スぺクトル とは異なる。 励起光源 4 4から射出された光を励起光とするため、 発光材料 5 4は 励起光源 4 4の持つ発光ピーク波長よりも長波長側に発光ピーク波長を有する。 特 に発光素子 4 7にレーザダイオード素子を用いる場合でも、 照明光は半値幅の広い ' ブロードな発光スぺクトルとなるため視認性し易くなる。 上述の蛍光体 5 5、 フィ ラ一部材 5 6及びバインダ一部材 5 7を用いることができる。 出力部 5 2への塗布 方法は、 蛍光体 5 5、 フィラ一部材 5 6及びバインダー部材 5 7を混合して所定の ' 容器内に配置しガラスや透光性樹脂などで蓋をして封止することができる他、 蛍光 体 5 5、 フイラ一部材 5 6及びバインダー部材 5 7を混合して所定の容器内に配置 し樹脂を含浸することもできるなど、 特に限定されない。 また、 放熱性を高めるた め、 熱伝導性の良い透光性の無機フィラーを配置することもできる。
(光ファイバ)
光ファイバ 4 6は、 励起光源 4 4から射出された光を発光材料 5 4へ導出する作 用を有していればよい。 特に励起光源 4 4から射出された光を減衰されることなく 発光材料 5 4へ導出することがエネルギー効率の観点から好ましい。 例えば、 高屈 折率を有するものと低屈折率を有するものとを組み合わせたものや、 反射率の高い 部材を用いたものを使用することができる。 具体的には、 光ファイバ 4 6を用いる ことができる。
光ファイバ 4 6は、 光を伝送する際に、 光の伝送路として用いる極めて細いダラ スファイバである。 石英ガラスやプラスチックを材料とし、 断面の中心部 (コア) の屈折率を周辺部 (クラッド) より高くすることで、 光信号を減衰させることなく 送ることができる。
光ファイバ 4 6は、 可動可能であるため所望の位置に照明光 4 3を照射すること ができる。 また、 光ファイバ 4 6は、 湾曲に曲げることもできる。 光ファイバ 4 6 は、 単線ファイバとすることができる。 単線ファイバのコア径が 4 0 0 以下で あることが好ましい。
(遮断部材)
遮断部材は、 励起光源からの光を 9 0 %以上遮断するものを用いることもでき る。 例えば、 人体に有害な紫外線を放出する発光素子 4 7を用いる場合、 その紫外 線を遮断するために紫外線吸収剤を遮断部材として用いることができる。 また、 所 定のフィルタ一を出力部 5 2に設け、 所定の波長を遮断することもできる。
産業上の利用可能性
以上のように、 本発明に係る発光膜、 発光装置、 発光膜の製造方法および発光 装置の製造方法は、 照明用光源、 L E Dディズプレイ、 バックライト光源、 信号 機、 照明式スィッチ、 各種センサおよび各種インジケータ等に利用することができ る。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 少なくとも発光材料を含むフィラー部材とバインダ部材で構成される発光 膜であって、 前記バインダ部材は少なくとも金属元素の酸化水酸化物を含有する ことを特徴とする発光膜。
2 . 前記発光材料が無機蛍光体であり、 前記フイラ一部材が無機フィラーであ り、 前記バインダ部材がー定価数の金属元素の酸化水酸化物を主体とする無機パ ィンダであることを特徴とする請求項 1記載の発光膜。
3 . 前記発光材料が無機蛍光体であり、 前記フィラー部材が無機フィラーであ り、 前記バインダ部材が金属元素の酸化水酸化物を主体とする無機バインダであ り、 前記金属元素の酸化水酸化物が、 少なくとも I I I A族又は I I I B族元素 の酸化水酸化物であることを特徴とする請求項 1に記載の発光膜。
4 . 前記 I I I A族又は I I I B族元素は、 S c、 Y、 G d、 L u、 又は B、 A l、 G a、 I nの少なくとも 1種を含有することを特徴とする請求項 3に記載 の発光膜。 6
5 . 前記バインダ部材に含有される金属 71 元素の酸化水酸化物は、 少なくともべ 一マイト構造、 もしくは擬ぺーマイト構造を有する A 1の酸化水酸化物であるこ とを特徴とする請求項 1から 4のいずれかに記載の発光膜。
6 . 前記バインダ部材は、 アルミニウムの酸化水酸化物と、 バインダ部材に対 して、 0 . 5重量%〜5 0重量%である、 前記アルミニウムと異なる I I I A族 元素又は I I I B族元素の酸化水酸化物と、 を含むことを特徴とする請求項 5に 記載の発光膜。
7 . 前記バインダ部材は、 パインダ部材に対して、 0 . 5重量%〜 5 0重量% の酸化ホウ素、 もしくはホウ酸を含むことを特徴とする請求項 5又は 6に記載の 発光膜。
8 . 前記バインダ部材に含有される金属元素の酸化水酸化物は、 イットリウム の酸化水酸化物であることを特徴とする請求項 1から 4のいずれかに記載の発光 膜-
9 . 前記バインダ部材は、 ィットリゥムの酸化水酸化物と.. バインダ部材に対 して、 0 . 5重量%〜5 0重量%である、 前記イットリウムと異なる I I I A族 元素又は I I I B族元素の酸化水酸化物と、 を含むことを特徴とする請求項 8に 言己載の 光膜
1 0 . 前記バインダ部材は、 バインダ部材に対して、 0 . 5重量%〜 5 0重量 %の酸化ホウ素、 もしくはホウ酸を含むことを特徴とする請求項 8又は 9に記載 の 光膜。 '
1 1 . 前記バインダ部材は、 前記酸化水酸化物を含有する粒子の集合体によ り、 架橋構造、 網目体構造、 又はポリマ一構造を形成した多孔質体であることを 特徴とする請求項 1から 1 0のいずれかに記載の発光膜。
1 2 . 前記バインダ部材が、 前記酸化水酸化物を含有する無機粒子が充填され たゲル状であることを特徴とする請求項 1から 1 1のいずれかに記載の発光膜。
1 3 . 前記発光膜の光透過率が、 ゾルーゲル反応後に焼結させた場合の多結晶 体もしくは非晶質体における透過率よりも高いことを特徴とする請求項 1 2に記 載の発光膜。
1 4 . 前記バインダ部材は、 水酸基もしくは結晶水を、 バインダ部材に対して 1 0重量%以下含有することを特徴とする請求項 1から 1 3のいずれかに記載の ^牌。
1 5 . 前記発光膜を構成するフイラ一部材とパインダ部材との重量比が、 フィ ラー/バインダについて 0 . 0 5〜3 0であることを特徴とする請求項 1から 1 4のいずれかに記載の発光膜。
1 6 . 発光素子と、 前記発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し発光する 発光層とを備える発光装置であつて、
前記発光層が請求項 1から 1 5のいずれかに記載の発光膜であることを特徴と する発
1 7 . 前記発光層は、 前記発光素子を直接被覆することを特徴とする請求項 1 6記載の発光装置。
1 8 . 発光素ネと
前記発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し異なる波長の光を発光する発 光層とを備える発光装置であつて、
前記発光層は、 前記発光素子の光で励起される蛍光体粒子と、 前記蛍光体粒子 を該層内で分散して担持するバインダ部材とを有することを特徴とする発光装 置。
1 9 . 前記発光装置は、 5 5 0 n m以下の発光波長を有する半導体発光素子 と、 前記波長で励起発光する蛍光体とを備えることを特徴とする請求項 1 6から 1 8のいずれかに記載の発光装置。
2 0 . 前記発光装置は、 4 1 0 n m以下の発光波長を有する半導体発光素子 と、 前記波長で励起発光する蛍光体とを備えることを特徴とする請求項 1 6から 1 9のいずれかに記載の発光装置。
2 1 . 前記発光装蘆の発光層は、 発光層の温度が 5 0 °C以上で発光することを 特徴とする請求項 1 6から 2 0のいずれかに記載の発光装置。
2 2 . 前記発光装置の発光層は、 前記半導体発光素子に密着形成されてなり、 前記半導体発光素子の駆動時の投入電力が、 0 . 1 W/ c m2以上であることを特 徴とする請求項 1 9から 2 1のいずれかに記載の発光装置。
2 3 . 前記発光装置の前記半導体発光素子は、 発光波長が 4 1 0 n m以下であ り、 前記半導体発光素子を 1 W/ c m2以上の投入電力で駆動させた際の 1 0 0 0 時間後の前記発光層の輝度維持率が 8 0 %以上であることを特徴とする請求項 1 6から 2 2のいずれかに記載の発光装置。
2 4 . 前記発光装置の発光層のフィラーに含有される蛍光体は、 青色発光蛍光 体、 青緑色発光蛍光体、 緑色発光蛍光体、 黄緑色発光蛍光体、 黄色発光蛍光体、 黄赤色発光蛍光体、 橙色発光蛍光体、 赤色発光蛍光体の少なくとも一種を含む白 色系、 又は中間色系の発光を有することを特徴とする請求項 1 6から 2 3のいず れかに記載の発光装置。
2 5 . 前記発光装置の発光層のフィラーに含有される蛍光体は、 5 1 0 n m〜 6 0 0 n mにピーク波長を有する緑色から黄赤色発光を有し、 少なくとも C eが 付括された希土類アルミン酸蛍光体であることを特徴とする請求項 1 6から 2 4 のいずれかに記載の発光装置。
2 6 . 前記発光装置の発光層のフイラ一に含有される蛍光体は、 5 8 0 n m〜 6 5 0 n mにピーク波長を有する黄赤色から赤色発光を有し、 少なくとも E uが • 付括されたアルカリ土類窒化珪素蛍光体であることを特徴とする請求項 1 6から 2 4のいずれかに記載の発光装置。
2 7 . 前記発光装置の発光層のフイラ一に含有される蛍光体は、 5 0 0 n m〜
' 6 0 0 n mにピーク波長を有する青緑色から黄赤色発光を有し、 少なくとも E u が付括されたアル力リ土類酸化窒化珪素蛍光体であることを特徴とする請求項 1 6から 2 4のいずれかに記載の発光装置。
2 8 . 前記発光装置の発光素子は、 発光波長が 4 1 0 n m以下で発光する半導 体発光素子であり、 前記発光層のフィラーに含有される蛍光体が青色発光を有 し、 少なくとも E uで付括されたアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、 少な くとも E uで付括されたアル力リ土類ハロゲン硼酸蛍光体、 少なくとも E uで付 括されたアルカリ土類アルミン酸蛍光体よりなる群から選ばれる一つを含み、 さ らに緑色から黄赤色発光を有する少なくとも C eで付括された希土類アルミン酸 蛍光体と混合されて白色系の発光を示すことを特徴とする請求項 1 6から 2 7の いずれかに記載の発光装置。
2 9 . 前記発光装置の発光素子は、 発光波長が 4 1 O n m以下で発光する半導 体発光素子であり、 前記発光層のフィラーに含有される蛍光体が青色発光を有 し、 少なくとも E uで付括されたアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、 少な くとも E uで付括されたアルカリ土類ハロゲン硼酸蛍光体、 少なくとも E uで付 括されたアルカリ土類アルミン酸蛍光体よりなる群から選ばれる一つを含み、 さ らに緑色から黄赤色発光を有する少なくとも C eで付括された希土類アルミン酸 蛍光体と、 黄赤から赤色発光を有する少なくとも E uで付括されたアル力リ土類 窒化珪素蛍光体が混合されて白色系の発光を示すことを特徴とする請求項 1 6か ら 2 7のいずれかに記載の発光装置。
3 0 . 前記発光装置の発光素子は、 発光波長が 4 4 0 n m〜4 8 0 n mの青色 領域で発光する半導体発光素子であり、 前記発光層のフィラーに含有される蛍光 体が、 少なくとも C eで付括された希土類アルミン酸蛍光体と混合されて白色系 の発光を示すことを特徴とする請求項 1 6から 2 7のいずれかに記載の発光装 置。
3 1 . 前記発光装置の発光素子は、 発光波長が 4 4 0 n m〜4 8 0 n mの青色 領域で発光する半導体発光素子であり、 前記発光層のフィラーに含有される蛍光 体が、 緑色から黄赤色発光を有する少なくとも C eで付括された希土類アルミン 酸蛍光体と、 黄赤から赤色発光を有する少なくとも E uで付括されたアルカリ土 類窒化珪素蛍光体が混合されて白色系の発光を示すことを特徴とする請求項 1 6 から 2 7のいずれかに記載の発光装置。
3 2 . 少なくとも発光材料を含むフィラ一部材とバインダ部材で構成される発 光膜の製造方法であって、
バインダ部材として金属元素を含有するメタロキサンゾルと、 フイラ一部材と を混合しスラリーを調製するステップと、
前記スラリーを膜状に形成するステップと、
前記形成された膜のスラリ一を熱硬化させることにより、 前記金属元素の酸化 水酸化物を含有する粒子を集合させて、 該集合粒子の構造体からなるバインダ部 材でフイラ一部材を担持するステツプと .
を備えることを特徴とする発光膜の製造方法。
3 3 . 前記メタロキサンゾルは、 少なくともアルミノキサンゾル又はイツトリ ノキサンゾルであることを特徴とする請求項 3 2に記載の発光膜の製造方法。
3 4 . 発光素子と、 請求項 3 2または 3 3記載の製造方法により発光素子の少 なくとも一部を被覆した発光膜とを有する発光装置の製造方法であって、 前記膜状に形成するステップにおいて、 前記スラリーで、 前記発光素子、 およ び/又は発光素子に離間した領域を、 熱処理下で被覆して、 膜状に形成すること を特徴とする発光装置の製造方法。
3 5 . 発光素子と、 前記発光素子が載置された基体とを有する発光装置におい て、
前記発光素子は、 無機バインダにより被覆されており、
' 前記無機パインダは、 樹脂により被覆されており、 前記無機バインダは前記樹 脂により含浸されており、 前記無機バインダは、 前記発光素子及び前記基体の少 なくとも一部を被覆する無機バインダ層が形成されていることを特徴とする発光 装置。
3 6 . 前記無機バインダは、 前記無機バインダ層が持つ空隙を、 前記樹脂によ り埋められていることを特徴とする請求項 3 5に記載の発光装置。
3 .7 . 前記無機パインダは、 前記無機バインダ層が持つ空隙を約 9 5 %以上、 前記榭脂により埋められていることを特徴とする請求項 3 5に記載の発光装置。
3 8 . 前記樹脂による前記無機バインダへの被覆は、 ポッティング手段若しく はスプレー噴霧手段を用いて、 前記無機バインダに前記樹脂を含浸させているこ とを特徴とする請求項 3 5に記載の発光装置。
3 9 . 前記無機バインダは、 蛍光体が含有されていることを特徴とする請求項 3 5乃至 3 8のいずれか一項に記載の発光装置。
4 0 . 前記樹脂は、 前記無機バインダの少なくとも一部を被覆する、 樹脂層が形 成されていることを特徴とする請求項 3 5に記載の発光装置。
4 1 . 前記樹脂層の表面は、 平滑であることを特徴とする請求項 4 0に記載の発 光装置。
4 2 . 前記樹脂は、 オイル、 ゲル及びラバーの少なくともいずれかを含むことを 特徴とする請求項 3 5に記載の発光装置。
4 3 . 前記樹脂は、 成型前及び成型後のいずれかがジアルキルシロキサン骨格を 有するシリコーン樹脂であることを特徴とする請求項 3 5に記載の発光装置。
4 4 . 前記樹脂は、 成型前がジメチルシロキサンを主鎖に有することを特徴とす る請求項 3 5に記載の発光装置。
4 5 . 前記樹脂は、 赤外分光スペクトルの結合吸収強度において、 樹脂組成中の S i —〇一 S i結合に対する C一 S i —〇結合の強度比が 1 - 2 Z 1以上であるこ とを特徴とする請求項 3 5に記載の発光装置。
4 6 . 基体に、 発光素子を載置する第一の工程と、
該発光素子を、 無機バインダにより被覆する第二の工程と、
該無機バインダを、 樹脂により被覆する第三の工程と、
を有する発光装置の製造方法であつて、
前記第三の工程は、 前記樹脂をポッティング手段若しくはスプレー噴霧手段を用い て、 前記無機バインダを被覆していることを特徴とする発光装置の製造方法。
4 7 . 前記第 Ξの工程は、 真空中で含浸させていることを特徴とする請求項 4 6 に記載の発光装置の製造方法。
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