KR102214065B1 - 산 질화물 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 패키지 - Google Patents

산 질화물 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 패키지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 형광체에 관한 것으로 특히, 산 질화물 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 패키지에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 산 질화물 형광체에 있어서, 하기의 화학식 1로 표시되고, 단사정계 결정 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 산 질화물 형광체를 제공할 수 있다.
<화학식 1> (Sr,Ca)1- ySi2N2O2 : Euy

Description

산 질화물 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 패키지 {Oxy-nitride phophor, method for manufacturing the same and light emitting device package}
본 발명은 형광체에 관한 것으로 특히, 산 질화물 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 기존의 일반 조명 중 가장 대표적이라 할 수 있는 형광등을 대체 할 수 있는 차세대 발광 소자 후보 중의 하나이다.
LED는 기존의 광원보다 소비전력이 적으며, 형광등과 달리 수은을 포함하지 않아 친환경적이라 할 수 있다. 또한 기존의 광원과 비교하여 수명이 길며 응답 속도가 빠르다는 장점을 갖는다.
이러한 LED는 LED로부터 방출되는 광을 흡수하여 여러 색상의 광을 발광하는 형광체와 함께 이용될 수 있다. 이와 같은 형광체는 보통 황색, 녹색 및 적색 광을 발광할 수 있다.
희토류 원소를 발광 중심으로 이용한 산화물계 형광체는 종래부터 널리 알려져 있으며 일부는 실용화되고 있다. 그러나 PDP, CRT, 액정 디스플레이용 CCFL에 전통적으로 사용되어온 형광체와는 달리, LED용 형광체는 자외선에서 청색 파장의 빛에 의한 여기에 의해 효율적으로 발광하는 것이 필요하다.
질화물 형광체 또는 산 질화물 형광체로서 이러한 조건을 채우는 것이 많이 존재하지만 연구가 많이 진행되고 있지는 않다. 산 질화물 형광체로는 M-Al-Si-O-N 및 M-Si-O-N(M: 알칼리 토금속)의 물질 구성이 알려져 있다. M-Si-O-N 내용은 특허문헌 1 및 2에서와 같이 두 종류의 알칼리 토금속 원소를 포함하여 사방정계의 결정 구조를 갖는 형광체를 얻을 수 있는 것으로 보고되고 있다.
그러나, 이와 같은 산 질화물 형광체는 현재 실용화되어있는 산화물 형광체에 비해 발광 휘도가 낮아, 실용화를 위해서는 발광 강도의 향상이 요구된다.
1. 일본 특허공보 제4415547호 2. 일본 특허공보 제4415548호
본 발명은 산 질화물 형광체에 있어서, 휘도가 우수한 형광체를 제공할 수 있는 산 질화물 형광체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제1관점으로서, 본 발명은, 산 질화물 형광체에 있어서, 하기의 화학식 1로 표시되고, 단사정계 결정 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 산 질화물 형광체를 제공할 수 있다.
<화학식 1> (Sr,Ca)1-ySi2N2O2 : Euy
여기서, 상기 결정 구조의 단위 셀의 부피는 1400 Å3 이상일 수 있다.
여기서, 상기 형광체의 발광 피크 파장은 530 nm 내지 580 nm일 수 있다.
여기서, 상기 활성제의 함량 y는 0.001 이상 및 0.15 이하의 조건을 만족할 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제2관점으로서, 본 발명은, 산 질화물 형광체의 제조 방법에 있어서, 출발 물질을 이용하여, 하기의 화학식 1로 표시되고, 단사정계 결정 구조를 가지도록 형성할 수 있다.
<화학식 1> (Sr,Ca)1- ySi2N2O2 : Euy
여기서, 상기 출발 물질은, 알칼리 토금속의 탄산염, 산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산화 유로퓸, Ca, Sr, Si 및 Eu 또는 이들의 산화물 또는 질화물 중 적어도 어느 하나 이상일 수 있다.
이때, 상기 형광체의 형성 시 SrF2 , BaF, H3BO4, NaCl 중 적어도 어느 하나를 플럭스로 이용할 수 있다.
여기서, 상기 형광체의 형성은, 1400 내지 1700 ℃의 온도조건에서 환원 분위기 또는 불활성 분위기에서 소성하여 형성할 수 있다.
여기서, 상기 형광체의 발광 피크 파장은 530 nm 내지 580 nm일 수 있다.
여기서, 상기 활성제의 함량 y는 0.001 이상 및 0.15 이하의 조건을 만족할 수 있다.
여기서, 상기 결정 구조의 단위 셀의 부피는 1400 Å3 이상일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제3관점으로서, 본 발명은, 상기한 화학식 1로 표시되거나 또는 상기한 방법에 의하여 제조되는 화학식 1로 표시되는 제1형광체; 및 상기 제1형광체를 여기시키는 여기광을 발광하는 발광 소자를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 상기 여기광의 피크 파장 및 상기 제1형광체의 피크 파장과 다른 발광 피크를 가지는 제2형광체를 더 포함할 수 있다.
이때, 발광 소자 패키지는, 적어도 430 내지 500 nm 및 500 내지 730 nm 파장 대역 중 적어도 어느 하나에서 하나 이상의 발광 피크를 가지는 발광 스펙트럼을 가질 수 있다.
본 발명에 의하면 새로운 결정 구조를 가지는 산 질화물 형광체로서 고휘도의 발광을 하는 형광체를 얻을 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 X 선 회절 패턴을 나타내는 스펙트럼이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시예 1의 TEM에 의한 전자 회절 이미지를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3의 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 산 질화물 형광체가 이용된 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 산 질화물 형광체가 이용된 발광 소자 패키지의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.
본 발명에서는 M-Si-O-N : Eu(여기서, M은 알칼리 토금속이다.)로 표기되는 산 질화물 형광체에 있어서, M의 성분으로서, Sr 및 Ca의 조성비를 변경한 형광체를 여러 조건에서 합성하고 그 발광 특성을 평가한다.
그 결과, 본 발명에 의하면 종래의 특허문헌 등에서 보고되지 않은 새로운 결정 구조를 가지며, 휘도가 우수한 산 질화물 형광체를 합성할 수 있다.
이러한 본 발명의 산 질화물 형광체의 결정 구조는 이미 보고된 SrSi2N2O2 : Eu로 표기되는 형광체(삼사정계)와 결정계가 다르고, CaSi2N2O2 : Eu로 표기되는 형광체(단사정계(a))와는 결정계는 같지만 격자 상수가 크게 다른 단사정계(b)이다.
이와 같은 결정 구조의 차이는 X 선 회절 패턴을 비교하여 쉽게 확인할 수 있고, 이러한 본 발명의 산 질화물 형광체의 결정 구조가 비교 대상의 결정 구조와 다른 것을 쉽게 판별할 수 있다. 이러한 X 선 회절 패턴 데이터를 뒷받침하는 TEM에 의한 전자선 회절 이미지를 첨부 도면에서 표시한다.
이러한 본 발명은, 하기의 화학식 1로 표시되고, 산 질화물 형광체에 있어서, 하기의 화학식 1로 표시되고, 단사정계 결정 구조를 가지는 산 질화물 형광체를 제공할 수 있다.
Figure 112014016770381-pat00001
이러한 화학식 1로 표기되는 형광체에 있어서, 이 형광체의 결정 구조의 단위 셀의 부피는 1400 Å3 이상일 수 있다.
또한, 이러한 산 질화물 형광체의 발광 피크 파장은 530 nm 내지 580 nm일 수 있다.
이때, 화학식 1에서 활성제의 함량 y는 0.001 이상 및 0.15 이하의 조건을 만족할 수 있다.
이하, 본 발명의 산 질화물 형광체의 합성 방법을 설명한다. 그러나, 본 발명은 이러한 합성 방법에 한정되지 않는다.
화학식 1에서 알칼리 토금속 M의 탄산염, SiO2, Si3N4, Eu2O3를 소정 비율, 균일하게 될 때까지 혼합한다. 이러한 형광체 합성을 위한 원료로서 Ca, Sr, Si, Eu의 금속, 산화물, 질화물 및 각종 염류 등을 이용할 수 있다.
또한, 이러한 원료의 전부 또는 일부를 액체, 예를 들면 수용액 상태로 이용할 수도 있다.
한편, 플럭스(flux)로서 작용하는 물질, 예를 들면 SrF2, BaF, H3BO4, NaCl 등을 합성시에 동시에 혼합하여 합성할 수도 있다.
이하, 실시예에 나타내는 원료의 대략적인 함량 값(또는 이러한 함량의 전후 값)에서도 견딜 수 있는 충분한 특성을 가질 수 있다. 또한, 각 성분의 무게 값을 변경하고 원하는 형광체의 조성을 변경할 수 있다.
위에서 설명한 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣어 1400 내지 1700 ℃의 온도조건에서 환원 분위기 또는 불활성 분위기에서 형광체를 소성할 수 있다. 또한, 질화 붕소 도가니 외에도 알루미나 도가니를 사용할 수도 있다.
이러한 형광체의 합성 시, 소성 온도는 1450 내지 1600 ℃의 온도조건이 더 바람직할 수 있다.
환원 분위기는 질소 - 수소 분위기, 암모니아 분위기, 질소 - 암모니아 분위기를 이용할 수 있으며, 불활성 분위기는 질소 분위기, 아르곤 분위기 등을 이용할 수 있다.
또한, 위에서 설명한 원료의 일부를 혼합하고 이를 소성하여 얻은 한 결과물에 나머지 재료를 추가 혼합 및 소성하여 원하는 형광체를 얻을 수도 있다.
이와 같이, 얻어진 소성물을 세척할 수 있다. 예를 들어 pH 값이 8 이하인 증류수, 정제수 등 불순물이 제거된 물에 의해 세척될 수 있다.
아래에서 설명하는 각 실시 예에서, 칼슘, 스트론튬 및 유로퓸의 조성비(Ca : Sr : Eu)는 해당 실시예에서 표기된 바와 같다.
<실시예 1> (Ca:Sr:Eu = 0:9:1)
원료 SrCO3, SiO2, Si3N4, Eu2O3 및 CaCO3를 각각 순서대로 15.998g, 2.809g, 9.704g, 2.119g 및 0.000g의 무게로 혼합하고, 이러한 과정에서 얻어진 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣은 후, 수소 - 질소(H2 - N2) 혼합 가스를 이용한 환원 분위기 중에서 약 1500 ℃에서 약 6 시간 소성을 실시하였다.
<실시예 2> (Ca:Sr:Eu = 1:8:1)
원료 SrCO3, SiO2, Si3N4, Eu2O3 및 CaCO3를 각각 순서대로 14.497g, 2.864g, 9.251g, 2.160g 및 1.229g의 무게로 혼합하고, 이러한 과정에서 얻어진 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣은 후, 수소 - 질소(H2 - N2) 혼합 가스를 이용한 환원 분위기 중에서 약 1500 ℃에서 약 6 시간 소성을 실시하였다.
<실시예 3> (Ca:Sr:Eu = 2:7:1)
원료 SrCO3, SiO2, Si3N4, Eu2O3 및 CaCO3를 각각 순서대로 12.936g, 2.921g, 9.434g, 2.203g 및 2.506g의 무게로 혼합하고, 이러한 과정에서 얻어진 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣은 후, 수소 - 질소(H2 - N2) 혼합 가스를 이용한 환원 분위기 중에서 약 1500 ℃에서 약 6 시간 소성을 실시하였다.
<실시예 4> (Ca:Sr:Eu = 3:6:1)
원료 SrCO3, SiO2, Si3N4, Eu2O3 및 CaCO3를 각각 순서대로 11.313g, 2.978g, 9.625g, 2.247g 및 3.835g의 무게로 혼합하고, 이러한 과정에서 얻어진 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣은 후, 수소 - 질소(H2 - N2) 혼합 가스를 이용한 환원 분위기 중에서 약 1500 ℃에서 약 6 시간 소성을 실시하였다.
<실시예 5> (Ca:Sr:Eu = 4:5:1)
원료 SrCO3, SiO2, Si3N4, Eu2O3 및 CaCO3를 각각 순서대로 9.936g, 3.172g, 9.927g, 2.203g 및 5.147g의 무게로 혼합하고, 이러한 과정에서 얻어진 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣은 후, 수소 - 질소(H2 - N2) 혼합 가스를 이용한 환원 분위기 중에서 약 1500 ℃에서 약 6 시간 소성을 실시하였다.
<실시예 6> (Ca:Sr:Eu = 4:5.5:0.5)
원료 SrCO3, SiO2, Si3N4, Eu2O3 및 CaCO3를 각각 순서대로 10.449g, 3.297g, 9.970g, 1.132g 및 5.152g의 무게로 혼합하고, 이러한 과정에서 얻어진 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣은 후, 수소 - 질소(H2 - N2) 혼합 가스를 이용한 환원 분위기 중에서 약 1500 ℃에서 약 6 시간 소성을 실시하였다.
<실시예 7> (Ca:Sr:Eu = 3.6:5:1.4)
원료 SrCO3, SiO2, Si3N4, Eu2O3 및 CaCO3를 각각 순서대로 9.328g, 3.129g, 9.876g, 3.113g 및 4.554g의 무게로 혼합하고, 이러한 과정에서 얻어진 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣은 후, 수소 - 질소(H2 - N2) 혼합 가스를 이용한 환원 분위기 중에서 약 1500 ℃에서 약 6 시간 소성을 실시하였다.
아래의 표 1은 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 7에 의하여 형성된 형광체의 격자 상수를 나타내고 있다.
　 단위 셀 파라미터(unit cell parameters)
a b c α β γ V
실시예 1 7.2804 28.1561 7.1041 90.000 95.276 90.000 1450.06
실시예 2 7.2734 28.0592 7.0917 90.000 95.272 90.000 1441.18
실시예 3 7.2762 28.0653 7.0994 90.000 95.275 90.000 1443.63
실시예 4 7.2575 27.9148 7.0677 90.000 95.264 90.000 1425.81
실시예 5 7.2445 27.7452 7.0474 90.000 95.230 90.000 1410.62
실시예 6 7.2411 27.7993 7.0536 90.000 95.267 90.000 1413.82
실시예 7 7.2460 27.7629 7.0456 90.000 95.229 90.000 1411.47
표 1에서, a, b, c는 각각 격자 상수, α, β, γ는 결정 각도, V는 단위 셀의 부피이다.
<비교예 1> (Ca:Sr:Eu = 0:9.5:0.5)
원료 SrCO3, SiO2, Si3N4, Eu2O3 및 CaCO3를 각각 순서대로 16.687g, 3.048g, 9.218g, 1.047g 및 0.000g의 무게로 혼합하고, 이러한 과정에서 얻어진 혼합물을 질화 붕소 도가니에 넣은 후, 수소 - 질소(H2 - N2) 혼합 가스를 이용한 환원 분위기 중에서 약 1500 ℃에서 약 6 시간 소성을 실시하였다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 X 선 회절 패턴을 나타내는 스펙트럼이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시예 1의 TEM에 의한 전자 회절 이미지를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3의 발광 스펙트럼을 나타낸다.
<발광장치>
도 6은 본 발명의 산 질화물 형광체가 이용된 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다. 이러한 도 6은 표면 실장 형 발광 소자 패키지를 나타내고 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면 실장 형 발광 소자 패키지(100)는 도 6에 도시된 바와 같이, 양극 및 음극의 리드 프레임(110)이 구비되고, 이 양극 및 음극의 리드 프레임(110) 중 어느 하나의 위에 위치하여 전압의 인가에 따라 빛을 발생시키는 발광 소자(120)를 포함한다. 이러한 발광 소자(120)는 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드를 이용할 수 있다.
이러한 발광 소자(120)는 리드 프레임(110)과 와이어(130)에 의하여 전기적으로 연결되고, 발광 소자(120) 상에는 광 투과 수지(140)가 몰딩된다.
또한, 이러한 광 투과 수지(140)에 분산하는 형광체(141)를 포함하여 구성된다.
여기에 사용되는 형광체(141)는 위에서 설명한 산 질화물 형광체 이외에 다른 형광체가 함께 분산되어 구비될 수 있다. 예를 들어, YAG, β-SiAlON 등의 다른 형광체와 함께 분산될 수 있다. 이때, 이러한 다른 분산 형광체는 두 종류 이상이 이용될 수 있다.
발광 소자(120)는 전압을 인가하면 400 내지 480 nm의 파장 영역에서 발광 스펙트럼의 주 피크를 갖는 광을 발생시키는 근 자외선 또는 청색 발광 소자를 사용할 수 있다.
또한, 근 자외선 발광 소자 대신 동일한 파장 영역에 주 발광 피크를 가지는 발광 소자로서, 레이저 다이오드, 면 발광 레이저 다이오드, 무기 전계 발광 소자, 유기 전계 발광 소자 등을 사용할 수도 있다. 본 발명에서는 바람직한 응용 예로서 질화물 반도체 발광 다이오드가 이용되는 예를 나타내고 있다.
몰딩 부재로 사용되는 광 투과 수지(140)는 광 투과 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 아크릴 수지 등이 사용될 수 있다. 바람직하게는 광 투과 에폭시 수지 또는 광 투과 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.
이러한 광 투명 수지(140)는 발광 소자(120) 주위를 전체적으로 몰딩할 수도 있지만 필요에 따라 발광 부위에 부분적으로 몰딩하는 것도 가능하다. 즉, 소용량 발광 소자의 경우 전체적으로 몰딩하는 것이 바람직하지만, 고출력 발광 소자의 경우에는 발광 소자(120)의 대형화로 인해 전체적으로 몰딩할 경우, 광 투과 수지(140)에 분산되는 형광체(141)의 균일 분산에 불리할 수 있기 때문이다. 이 경우 발광 부위에 부분적으로 몰딩하는 것이 바람직 것이다.
도 7은 본 발명의 산 질화물 형광체가 이용된 발광 소자 패키지의 다른 예를 나타내는 단면도이다. 도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 램프형의 발광 소자 패키지(200)의 예를 나타내고 있다.
이러한 램프형의 발광 소자 패키지(200)는 한 쌍의 리드 프레임(210)과, 전압의 인가에 따라 빛을 발생시키는 발광 소자(220)를 포함한다.
발광 소자(220)는 리드 프레임(210)과 와이어(230)에 의하여 전기적으로 연결되고, 발광 소자(220) 상에는 광 투과 수지(240)가 몰딩된다.
이러한 광 투과성 수지(240)에는 형광체(241)가 분산되어 구비될 수 있고, 광 투과성 수지(240) 상에는 소자 전체의 외부 공간을 마감하는 외장재(250)가 구비될 수 있다.
여기서 사용되는 형광체(241)는 위에서 설명한 산 질화물 형광체 이외에 다른 형광체, 예를 들면 YAG, β-SiAlON 등의 형광체와 함께 분산되어 구비될 수 있다. 이러한 분산 형광체(241)는 두 종류 이상이 구비될 수 있다.
본 실시예의 광 투과성 수지(240)도 발광 소자(220) 주위를 전체적으로 몰딩 할 수도 있지만 필요에 따라 발광 부위에 부분적으로 몰딩되어 구비될 수도 있다. 이러한 이유는 앞에서 언급된 바와 같다.
위에서 상세히 설명한 본 발명에 따른 표면 실장형 발광 소자 패키지(100) 또는 램프형의 발광 소자 패키지(200)는 백색 발광 패키지로 구현될 수 있다. 이러한 백색광이 구현되는 과정을 설명하면 다음과 같다.
발광 소자(120, 220)에서 출사되는 근 자외선에 해당하는 400 내지 480 nm 파장 영역의 푸른 빛이 형광체(141, 241)를 통과하게 된다. 여기에 일부 빛은 형광체(141, 241)를 구동시켜 발광 파장 중심이 500 내지 600 nm 범위의 주요 피크를 갖는 광을 발생시키고, 나머지 빛은 푸른 빛으로 그대로 투과시킨다.
그 결과, 400 내지 700 nm의 넓은 파장의 스펙트럼을 갖는 백색광을 발광하게 된다.
형광체(141, 241)는 위에서 설명한 산 질화물 형광체 이외에 다른 형광체가 함께 분산되어 구비될 수 있다.
예를 들어, 이들 형광체(141, 241)는 위에서 설명한 산 질화물 형광체(이하, 제1형광체)와 다른 발광 피크를 가지는 제2형광체가 혼합되어 함께 이용될 수 있다.
이러한, 발광 소자 패키지(100, 200)는, 적어도 430 내지 500 nm 및 500 내지 730 nm 파장 대역 중 적어도 어느 하나에서 하나 이상의 발광 피크를 가지는 발광 스펙트럼을 가질 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
100, 200: 발광 소자 패키지 110, 210: 리드 프레임
120, 220: 발광 소자 130, 230: 와이어
140, 240: 광 투과 수지 141, 241: 형광체

Claims (14)

  1. 산 질화물 형광체에 있어서,
    하기의 화학식 1로 표시되고, 단사정계 결정 구조를 가지고,
    <화학식 1> (Sr,Ca)1-ySi2N2O2 : Euy
    상기 활성제의 함량 y는 0.001 이상 및 0.15 이하의 조건을 만족하고,
    상기 단사정계 결정 구조의 격자상수는 각각 a, b, c라 할 때, a는 7.2411 내지 7.2804Å, b는 27.7452 내지 28.1561Å, 그리고 c는 7.0456 내지 7.1041Å을 만족하여, 상기 결정 구조의 단위 셀의 부피는 1400 Å3 이상인 것을 특징으로 하는 산 질화물 형광체.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 형광체의 발광 피크 파장은 530 nm 내지 580 nm인 것을 특징으로 하는 산 질화물 형광체.
  4. 삭제
  5. 산 질화물 형광체의 제조 방법에 있어서,
    출발 물질을 이용하여, 하기의 화학식 1로 표시되고, 단사정계 결정 구조를 가지도록 형성하고,
    <화학식 1> (Sr,Ca)1-ySi2N2O2 : Euy
    상기 활성제의 함량 y는 0.001 이상 및 0.15 이하의 조건을 만족하고,
    상기 출발 물질은, 알칼리 토금속의 탄산염, 산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산화 유로퓸, Ca, Sr, Si 및 Eu 또는 이들의 산화물 또는 질화물 중 적어도 어느 하나 이상이고,
    상기 형광체의 형성 시 SrF2, BaF, H3BO4, NaCl 중 적어도 어느 하나를 플럭스로 이용하고,
    상기 단사정계 결정 구조의 격자상수는 각각 a, b, c라 할 때, a는 7.2411 내지 7.2804Å, b는 27.7452 내지 28.1561Å, 그리고 c는 7.0456 내지 7.1041Å을 만족하여, 상기 결정 구조의 단위 셀의 부피는 1400 Å3 이상인 것을 특징으로 하는 산 질화물 형광체의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제5항에 있어서, 상기 형광체의 형성은, 1400 내지 1700 ℃의 온도조건에서 환원 분위기 또는 불활성 분위기에서 소성하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산 질화물 형광체의 제조 방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 형광체의 발광 피크 파장은 530 nm 내지 580 nm인 것을 특징으로 하는 산 질화물 형광체의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항의 화학식 1로 표시되는 제1형광체; 및
    상기 제1형광체를 여기시키는 여기광을 발광하는 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  13. 제12항에 있어서, 상기 여기광의 피크 파장과 및 상기 제1형광체의 피크 파장과 다른 발광 피크를 가지는 제2형광체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  14. 제13항에 있어서, 적어도 430 내지 500 nm 및 500 내지 730 nm 파장 대역 중 적어도 어느 하나에서 하나 이상의 발광 피크를 가지는 발광 스펙트럼을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
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