CN109073801A - 波长转换构件、其制造方法及发光装置 - Google Patents

波长转换构件、其制造方法及发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109073801A
CN109073801A CN201780022876.8A CN201780022876A CN109073801A CN 109073801 A CN109073801 A CN 109073801A CN 201780022876 A CN201780022876 A CN 201780022876A CN 109073801 A CN109073801 A CN 109073801A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
wavelength
converting member
wavelength converting
particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780022876.8A
Other languages
English (en)
Inventor
佐藤友美
传井美史
阿部誉史
佐藤豊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to CN202310285301.2A priority Critical patent/CN116293491A/zh
Publication of CN109073801A publication Critical patent/CN109073801A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7706—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0085—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for modulating the output, i.e. the laser beam is modulated outside the laser cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Abstract

本发明提供：在不使因大粒径的荧光体颗粒而导致光的转换效率降低的情况下、能够使孔隙减少以抑制光源光的透射的波长转换构件和发光装置。一种波长转换构件(100)，其将特定范围的波长的光转换成其它波长的光，其具备：基材(110)，其由无机材料构成；和，荧光体层(120)，其接合于基材(110)，且由对吸收光发出转换光的荧光体颗粒(122)和将荧光体颗粒(122)彼此结合的透光性陶瓷(121)构成，荧光体颗粒(122)包含具有规定的粒径分布的两种颗粒；两种颗粒中，平均粒径大的大颗粒的平均粒径与平均粒径小的小颗粒的平均粒径之比为2～4，大颗粒的体积与小颗粒的体积之比为5.7以下。

Description

波长转换构件、其制造方法及发光装置
技术领域
本发明涉及将特定范围的波长的光转换成其它波长的光的波长转换构件、其制造方法及发光装置。
背景技术
作为发光元件，已知有例如以接触蓝色LED元件的方式配置在以环氧树脂或有机硅树脂等为代表的树脂中分散有荧光体颗粒的波长转换构件的发光元件。而且，近年来，取代LED而使用能量效率高、容易应对小型化、高输出功率化的激光二极管(LD)的应用逐渐增加。
由于激光是局部地照射高能量的光，因此，对被集中地照射激光的树脂而言，其照射部位会烧焦。对此，已知利用如下波长转换构件：使用无机粘结剂代替构成波长转换构件的树脂，且仅由无机材料形成(专利文献1～6)。
另一方面，关于结构用材料，还公开了为了提高填充的均匀性和填充率而将两种粒度的陶瓷颗粒组合的技术(专利文献7)。专利文献7中记载的是，优选用将微粒的平均粒径之比调节为6～20的两种粒度的陶瓷颗粒构成金属-陶瓷复合材料的预成型坯。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-90887号公报
专利文献2：日本特开2015-38960号公报
专利文献3：日本特开2015-65425号公报
专利文献4：日本特开2014-241431号公报
专利文献5：日本特开2015-119172号公报
专利文献6：日本特开2015-138839号公报
专利文献7：日本特开2011-137186号公报
发明内容
发明要解决的问题
作为使用有如上所述的波长转换构件的发光装置，使用有激光二极管(LD)的应用逐渐增加。对于这样的仅由无机材料形成的波长转换构件，在荧光体层由大粒径的荧光体颗粒形成的情况下，波长的转换效率提高。然而，如果为了抑制放热而减小膜厚相对于粒径之比，则颗粒间的孔隙部分较多，容易发生激发光的透射。特别是对于仅取出大量荧光的用途而言，需要抑制光源光的透射。
本发明是鉴于如此情形而完成的，其目的在于，提供：在不使因大粒径的荧光体颗粒而导致光的转换效率降低的情况下、能够使孔隙减少以抑制光源光的透射的波长转换构件、其制造方法以及发光装置。
用于解决问题的方案
(1)为了实现上述目的，本发明的波长转换构件的特征在于，其是将特定范围的波长的光转换成其它波长的光的波长转换构件，具备：基材，其由无机材料构成；和，荧光体层，其接合于前述基材，且由对吸收光发出转换光的荧光体颗粒和将前述荧光体颗粒彼此结合的透光性陶瓷构成；前述荧光体颗粒包含具有规定的粒径分布的两种颗粒；在前述两种颗粒中，平均粒径大的大颗粒的平均粒径与平均粒径小的小颗粒的平均粒径之比为2～4，前述大颗粒的体积与前述小颗粒的体积之比为5.7以下。
由此，在不使因大颗粒而导致光的转换效率降低的情况下、能够使孔隙减少以抑制光源光的透射。另外，即使光源光的激光功率密度较大，也能够抑制由蓄热导致的急剧淬灭。
(2)另外，本发明的波长转换构件的特征在于，前述大颗粒的体积与前述小颗粒的体积之比为4以下。由此，可以更高效地抑制光源光的透射。
(3)另外，本发明的波长转换构件的特征在于，前述大颗粒的体积与前述小颗粒的体积之比为1.5以上。由此，能够维持大粒径的荧光强度，进而能够减少颗粒间的界面而减小热阻，抑制淬灭。
(4)另外，本发明的波长转换构件的特征在于，前述大颗粒的平均粒径为10～20μm，前述小颗粒的平均粒径为2.5～10μm。由此，能够构成适于发光装置用的波长转换构件。
(5)另外，本发明的发光装置的特征在于，其具备：光源，其发出特定范围的波长的光源光；和，上述(1)～(4)中的任一项所述的波长转换构件，其吸收前述光源光并转换成其它波长的光而发光。由此，可以实现：防止光源光的透射而取出大量的荧光、进而即使激光功率密度较大也不易发生由蓄热导致的急剧淬灭的发光装置。
(6)另外，本发明的波长转换构件的制造方法的特征在于，其是将特定范围的波长的光转换成其它波长的光的波长转换构件的制造方法，包括如下工序：准备平均粒径不同的荧光体颗粒，制作以规定的比例包含各种前述荧光体颗粒的糊剂的工序；将前述糊剂涂布于基材的工序；和，对涂布有前述糊剂的基材进行热处理的工序。由此，在不使因大粒径的荧光体颗粒而导致光的转换效率降低的情况下，能够使孔隙减少以抑制光源光的透射。
发明的效果
根据本发明，在不使因大粒径的荧光体颗粒而导致光的转换效率降低的情况下、能够使孔隙减少以抑制光源光的透射。
附图说明
图1(a)、图1(b)分别为表示本发明的透射型和反射型发光装置的示意图。
图2(a)～图2(c)分别为表示本发明的波长转换构件的制作工序的说明图。
图3是表示针对波长转换构件的透射型的评价系统的说明图。
图4是表示透射的光源光的发光强度相对于激光功率密度的图。
图5(a)～图5(c)分别为表示波长转换构件的部分剖面的SEM照片。
图6(a)、图6(b)分别为激光功率密度为40W/mm2时的发光强度相对于波长的图及其放大图。
图7是表示荧光的发光强度相对于激光功率密度的图。
具体实施方式
下面，对于本发明的实施方式，一边参照附图一边进行说明。为了容易理解说明，各附图中针对相同的构成要素赋予相同的参照编号，省略重复说明。需要说明的是，在构成图中，各构成要素的大小是概念性地表示，并非表示实际的尺寸比率。
[透射型的发光装置的构成]
图1(a)是表示透射型的发光装置的示意图。如图1所示，发光装置10具备光源50及波长转换构件100，将透射波长转换构件100的光源光及在波长转换构件100内通过利用光源光的激发而产生的光合并而发出照射光。照射光可以设为例如白色光。
光源50可以使用LED(发光二极管(Light Emitting Diode))或LD(激光二极管(Laser Diode))的晶片。LED根据发光装置10的设计而产生具有特定范围的波长的光源光(激发光)。例如，LED产生蓝色光。另外，在使用LD时能够产生波长或相位的不均少的相干光。需要说明的是，光源50并不限定于这些，可以是产生可见光以外的光的光源，优选为产生紫外光、紫色光、蓝色光或绿色光的光源。如果这样的发光装置10应用于例如工厂、球场、美术馆等从高处照亮宽范围的公共施设的照明、或汽车的前照灯等照亮长距离的照明，则可预料有较高的效果。
[透射型的波长转换构件的结构]
波长转换构件100具备基材110及荧光体层120，形成为板状，一边使光源光透射，一边利用光源光进行激发而产生波长不同的光。例如，一边使蓝色光的光源光透射，一边使在荧光体层转换的绿色和红色或黄色的荧光透射而发射。基材110形成为板状，例如，可以由使光源光透射的玻璃或蓝宝石等无机材料构成。基材110优选由具有高导热性的蓝宝石构成。
(荧光体层)
荧光体层120以膜的形式设置在基材110上，且由荧光体颗粒122和透光性陶瓷121形成。透光性陶瓷121将荧光体颗粒122彼此结合，并且将基材110和荧光体颗粒122结合。由此，针对高能量密度的光的照射，由于照射侧的容易产生热的部分与作为散热材料起作用的基材110接合，因此，能够高效地散热，且能够抑制荧光体的热淬灭。在透射型中，荧光体层120的膜厚为2～400μm即可，优选为30～80μm。
成为在与基材110的界面及其附近、透光性陶瓷成分填补荧光体颗粒间的间隙的结构。由此，可确保向基材110的散热路径，散热功能变高。
透光性陶瓷121是用于保持荧光体颗粒122的无机粘结剂，例如由二氧化硅(SiO2)、磷酸铝构成。荧光体颗粒122可以使用例如钇·铝·石榴石系荧光体(YAG系荧光体)及镥·铝·石榴石系荧光体(LAG系荧光体)。
此外，荧光体颗粒122可以根据使其发光的颜色设计而从如下所述的材料中选择。例如，可举出：BaMgAl10O17:Eu、ZnS:Ag,Cl、BaAl2S4:Eu或者CaMgSi2O6:Eu等蓝色系荧光体；Zn2SiO4:Mn、(Y,Gd)BO3:Tb、ZnS:Cu,Al、(M1)2SiO4:Eu、(M1)(M2)2S:Eu、(M3)3Al5O12:Ce、SiAlON:Eu、CaSiAlON:Eu、(M1)Si2O2N:Eu或者(Ba,Sr,Mg)2SiO4:Eu,Mn等黄色或者绿色系荧光体；(M1)3SiO5:Eu或者(M1)S:Eu等黄色、橙色或者红色系荧光体；(Y,Gd)BO3:Eu、Y2O2S:Eu、(M1)2Si5N8:Eu、(M1)AlSiN3:Eu或者YPVO4:Eu等红色系荧光体。需要说明的是，在上述化学式中，M1包含由Ba、Ca、Sr及Mg组成的组中的至少1种，M2包含Ga及Al中的至少1种，M3包含由Y、Gd、Lu及Te组成的组中的至少1种。需要说明的是，上述荧光体颗粒122是一个例子，波长转换构件100所使用的荧光体颗粒122未必限于上述荧光体颗粒。
荧光体颗粒122包含具有规定的粒径分布的两种颗粒。亦即，包含两种粒径分布各自不同的荧光体颗粒。所谓规定的粒径分布，是指如例如正态分布、高斯分布那样具有一个峰的分布。两种颗粒包括平均粒径大的大颗粒和平均粒径小的小颗粒，且由这些两种粒度的颗粒占整体的70体积％以上。
而且，大颗粒的平均粒径与小颗粒的平均粒径之比为2～4，且大颗粒的体积与小颗粒的体积之比为5.7以下。这样一来，通过相对于大颗粒混合小颗粒以使其成为8.5：1.5的比例以上，在不使因大颗粒而导致光的转换效率降低的情况下，能够使孔隙减少以抑制光源光的透射。另外，即使入射激光功率密度较大的光源光，也能够抑制由蓄热而导致的急剧淬灭。
具体而言，优选大颗粒的平均粒径为10～20μm、且小颗粒的平均粒径为2.5～10μm。由此，能够构成适于发光装置10用的波长转换构件100。平均粒径可以由抛光剖面的SEM图像测量所有颗粒的粒径，制成粒度分布的频率数据来计算。即使在分成两种粒度的情况下，也可以得到2个点的粒径作为各平均粒径，即使在峰彼此重叠的情况下，也可以由峰的肩部计算近似的平均粒径。
大颗粒的体积与小颗粒的体积之比优选为5.7以下。即，通过相对于大颗粒混合小颗粒以使其以体积比计成为8.5：1.5的比例以上，能够使孔隙减少，进而高效抑制光源光的透射。
另一方面，如果小颗粒变得过多，则颗粒间的界面变多、热阻变高。而且，即使是低功率密度的激光照射也会发生蓄热。因此，大颗粒的体积与小颗粒的体积之比优选为1.5以上。即，通过相对于大颗粒混合小颗粒以使其以体积比计成为6：4的比例以下，能够使颗粒间的界面减少而减小热阻，抑制淬灭。
使用平均粒径的粒度分布数据，假定其粒度分布是对称的正态分布、并且颗粒是正球，计算出其众数值(可以是平均值或中值)的频数比。进而将平均粒径设为各颗粒的直径，计算其1个颗粒的体积，并将该体积乘以各自的频数比，由此能够计算出体积比。
这样一来，通过以一定的比例混合具有两种粒径分布的荧光体颗粒，且使小颗粒进入大颗粒的颗粒间的孔隙中，可以抑制光源光的透射，且减少荧光体层的孔隙部分，确保散热路径。
[反射型的发光装置的结构]
图1(b)是表示反射型的发光装置20的示意图。如图1(b)所示，发光装置20具备光源50和波长转换构件200，例如，可以将由波长转换构件200反射的光源光及在波长转换构件100内将光源光的波长转换了的光合并而发射如白色光那样的照射光。
波长转换构件200具备基材210及荧光体层120，形成为板状，一边使光源光在基材210反射，一边对光源光进行激发而产生波长不同的光。基材210形成为板状，例如，可以由使光源光反射的无机材料构成。基材210优选由铝构成。通过采用具有高导热性的基材210，可抑制荧光体层120的蓄热，能够抑制荧光体颗粒的温度上升，且能够防止热淬灭。这样一来，即使是发光装置20，即使同样地以高输出功率使其持续发光，也能够防止荧光性能下降。为了进一步提高反射率，优选在基材的表面形成Ag膜。在反射型中，荧光体层120的膜厚为2～400μm即可，优选为20～80μm。
[波长转换构件的制作方法]
图2(a)～图2(c)分别为表示本发明的波长转换构件的制作工序的说明图。首先，准备荧光体颗粒、无机粘结剂、分散介质。荧光体颗粒可以使用例如YAG、LAG等的颗粒。根据针对光源光而想要得到的照射光来调节荧光体颗粒的种类、量。例如，在针对蓝色光而想要得到白色光的情况下，分别适量选择通过利用蓝色光的激发而发射绿色光及红色光或黄色光的荧光体颗粒。
作为优选的无机粘结剂，可以使用例如使硅的前体溶于乙醇而得到的硅酸乙酯。此外，无机粘结剂也可以如下得到：使包含由通过水解或者氧化而成为氧化硅的氧化硅前体、硅酸化合物、二氧化硅、及非晶二氧化硅组成的组中的至少1种的原料在常温下反应或在500℃以下的温度下进行热处理而得到。作为氧化硅前体，例如，可举出以全氢聚硅氮烷、硅酸乙酯、硅酸甲酯为主要成分的物质。另外，作为分散介质，可以使用丁醇、异佛尔酮、松油醇、甘油等高沸点溶剂。
如图2(a)所示，将这些无机粘结剂、分散介质、大小两种荧光体颗粒混合而制作糊剂(墨)410。混合可以使用球磨机等。另一方面，准备无机材料的基材。基材可以使用玻璃、蓝宝石。基材优选为板状。
其次，如图2(b)所示，使用丝网印刷法，将得到的糊剂410涂布在基材110上以使其相对于平均粒径而成为上述的膜厚。丝网印刷可以通过将糊剂410用墨刮板510按压在绷在框架上的丝网520上来进行。除了丝网印刷法以外，还可举出：喷雾法、利用分配器的描绘法、喷墨法，为了稳定地形成较薄厚度的荧光体层，优选为丝网印刷法。
然后，如图2(c)所示，通过使所印刷的糊剂410干燥、并在炉600内进行热处理而使分散介质飞散且使无机粘结剂的有机成分飞散，从而使无机粘结剂中的主金属氧化(主金属为Si时是SiO2化)，此时将荧光体层120与基材110粘接。由此可以制造能够抑制光源光透射的波长转换构件100。然后，针对LED等光源适当配置所得到的波长转换构件，从而可以制作。
[实施例]
(1.抑制光源光透射的评价)
(1-1)试样的制作方法
制作实施例1～4、比较例1～4的波长转换构件。首先，针对两种粒径(平均粒径6μm、18μm)的荧光体颗粒(YAG，以下相同)，分别混合无机粘结剂、作为分散介质的硅酸乙酯和松油醇而制作两种糊剂，以使两种颗粒以下表所示的混合比(体积比)来构成的方式将两种糊剂混合。使用丝网印刷法，将所制作的糊剂涂布在成为基材的蓝宝石板上以使其成为40μm的厚度并进行热处理，从而得到波长转换构件的试样。需要说明的是，对于这些荧光体颗粒的粒径而言，由于不会因热处理而发生颗粒破裂或颗粒彼此结合，因此波长转换构件中的荧光体颗粒的平均粒径成为与原料中的荧光体颗粒的平均粒径等同的数值。
另外，荧光体的平均粒径使用激光衍射/散射式粒径分布测定装置“HORIBA(堀场制作所)LA-960”来测定。另外，对于体积比，通过由各粒径的荧光体颗粒的重量除以密度来计算体积比。
[表1]
(1-2)评价方法
对于如上所述操作而得到的比较例1～4、实施例1～4，进行光源光的发光强度的评价。具体而言，对试样照射激光，并研究相对于激光输入功率值的透射的光源光的发光强度。需要说明的是，所谓荧光的发光强度，是指使用上述评价系统时将亮度计所显示的数字无量纲化而得到的相对强度。
图3是表示针对波长转换构件的透射型的评价系统的说明图。如图3所示，透射型的评价系统700由光源710、平凸透镜720、双凸透镜730、带通滤波器735、功率计740构成。以能够将来自波长转换构件S的透射光聚光而进行测定的方式来配置各要素。
带通滤波器735是以波长480nm为阈值而滤除光的滤波器，在测定透射的光源光时，可使用滤除长波长侧的滤波器。另外，在测定荧光的发光强度时，可使用滤除短波长侧的滤波器。由此，为了将透射的光源光(激发光)与荧光划分开，而设置在双凸透镜与功率计之间。
在如此构成的系统中，入射至平凸透镜720的光源光向波长转换构件的试样S上的焦点聚光。然后，用双凸透镜730将由试样S产生的发射光聚光，对于该经聚光的光，用功率计740测定用带通滤波器735滤除后的光的强度。将该测定值设为荧光的发光强度。通过用透镜将激光聚光并缩小照射面积，即使是低输出功率的激光也可提高每单位面积的能量密度。将该能量密度设为激光功率密度。
图4是表示透射的光源光的发光强度相对于激光功率密度的图。如图4所示，如果将比较例1与比较例4进行比较，则可确认仅包含大颗粒的试样与包含小颗粒的试样相比，透射的光源光的强度高。
可以认为，对于包含小颗粒的波长转换构件而言，荧光体颗粒紧密地配置在基材上，光源光难以透射，而对于仅包含大颗粒的波长转换构件而言，由于荧光体颗粒间存在许多孔隙，因此光源光会透射。
对于比较例2、实施例1～4，可以确认如下倾向：越增加小颗粒的比例，激发光的强度越降低。对于实施例2、3，透射的激发光的强度为相同程度。可以认为，通过混合荧光体的小颗粒和大颗粒来制作波长转换构件，成为小颗粒填补大颗粒彼此的间隙的结构，可抑制激发光的透射。
根据以上的结果，将比较例1、4、实施例2的试样切断，通过SEM观察剖面。图5(a)～图5(c)分别为表示波长转换构件的部分剖面的SEM照片。如图5(a)所示，对于比较例1的试样，可以确认在大粒径的荧光体颗粒之间存在孔隙。另外，如图5(b)所示，对于比较例4的试样，可以确认填充有小粒径的荧光体颗粒。如图5(c)所示，对于实施例2的试样，可以确认在两种粒度中大粒径的荧光体颗粒的孔隙填充有小粒径的荧光体颗粒。
(2.光谱评价)
图6(a)、图6(b)分别为表示激光功率密度为40W/mm2时的发光光谱的图及其放大图。如图6(a)、图6(b)所示，可以确认，比较例1在相当于蓝色光的波长的范围内强度变大，实施例1～4在维持比较例1的荧光强度的情况下，对于相当于蓝色光的波长的范围抑制了光源光的透射。
(3.抑制蓄热的评价)
对于上述的实施例1～3、比较例1、2、4的试样，进行透射型的激光照射试验，确认了荧光的发光强度相对于激光功率密度。图7分别是表示荧光的发光强度相对于激光功率密度的图。
如果将比较例1与比较例4进行比较，则可确认：仅包含大颗粒的比较例1的试样与仅包含小颗粒的比较例4的试样相比，所测定的荧光的发光强度高。可以认为这是由大粒径的荧光体颗粒比小粒径的荧光体颗粒向荧光的转换效率高所致。另一方面，对于实施例1～3，即使在大颗粒中混合1.5～3成(15％～30％)的小颗粒，也可以确认大颗粒的转换效率占优势且不会使发光强度降低。
另外，对于仅包含大颗粒的比较例1的试样而言，在激光功率密度为41W/mm2以上时会急剧地发生由蓄热导致的荧光淬灭，相对于此，对于仅包含小颗粒的比较例4的试样而言，即使是高激光功率密度的情况下，由蓄热导致的荧光淬灭也非常缓和。
对于小颗粒而言，由于因颗粒小而紧密地配置在基材上，因此成为荧光体颗粒间的孔隙少的构造，容易确保对荧光体层中产生的热进行散热的路径，由蓄热导致的荧光淬灭也变得缓和。
另一方面，可以认为，由于大颗粒的集合中存在大量孔隙部，因此，由孔隙部的空气而导致发生蓄热，当照射高功率密度的激光时，会急剧地发生荧光淬灭。需要说明的是，对于实施例1～3，越增加小颗粒的比例，由蓄热导致的荧光淬灭的时刻越向高能量侧移动，荧光的发光强度的降低趋势变得越缓和。
混合了1成的小颗粒的比较例2在激光功率密度为56W/mm2时可确认到荧光淬灭，而在混合了1.5～3成(15～30％)的小颗粒的实施例1～3中，淬灭缓和，可以确认对荧光体层的蓄热的抑制效果。
(4.粒径的比率评价)
(4-1)试样的制作方法
对于平均粒径为18μm的大颗粒的荧光体和平均粒径为18μm、9μm、6μm、4.5μm、3.5μm、3μm这6种小颗粒的荧光体，分别混合无机粘结剂、作为分散介质的硅酸乙酯和松油醇而制作糊剂，以大颗粒和小颗粒的混合比(体积比)成为8:2的方式混合两种糊剂。使用丝网印刷法，将所制作的糊剂涂布在成为基材的蓝宝石板上以使其成为40μm的厚度并进行热处理，从而得到波长转换构件的试样。
(4-2)评价方法
对于通过上述方法制作的试样，进行透射型的激光照射试验，确认了50W/mm2的激光功率密度下的荧光的发光强度和透射的光源光的强度。另外，在将粒径比为1.0时的荧光和光源光的发光强度设为100％的情况下，求出各粒径比的相对发光强度。
(4-3)结果
结果如下表所示。当大颗粒与小颗粒的粒径比为2.0～4.0时，在维持90％以上的仅包含大粒径荧光体颗粒时的荧光强度的情况下，能够使光源光的透射减少至小于70％。需要说明的是，在上述实施例中，使用YAG作为荧光体颗粒的材料，但即使是LAG等其它材料，也可预料有同样的效果。
[表2]
附图标记说明
10、20 发光装置
50 光源
100 波长转换构件
110、210 基材
120 荧光体层
121 透光性陶瓷
122 荧光体颗粒
410 糊剂
510 墨刮板
520 丝网
600 炉
700 评价系统
710 光源
720 平凸透镜
730 双凸透镜
735 带通滤波器
740 功率计

Claims (6)

1.一种波长转换构件，其特征在于，其是将特定范围的波长的光转换成其它波长的光的波长转换构件，具备：
基材，其由无机材料构成；和，
荧光体层，其接合于所述基材，且由对吸收光发出转换光的荧光体颗粒和将所述荧光体颗粒彼此结合的透光性陶瓷构成；
所述荧光体颗粒包含具有规定的粒径分布的两种颗粒；
在所述两种颗粒中，平均粒径大的大颗粒的平均粒径与平均粒径小的小颗粒的平均粒径之比为2～4，
所述大颗粒的体积与所述小颗粒的体积之比为5.7以下。
2.根据权利要求1所述的波长转换构件，其特征在于，所述大颗粒的体积与所述小颗粒的体积之比为4以下。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的波长转换构件，其特征在于，所述大颗粒的体积与所述小颗粒的体积之比为1.5以上。
4.根据权利要求1～权利要求3中的任一项所述的波长转换构件，其特征在于，所述大颗粒的平均粒径为10～20μm，
所述小颗粒的平均粒径为2.5～10μm。
5.一种发光装置，其特征在于，其具备：
光源，其发出特定范围的波长的光源光；和，
权利要求1～权利要求4中的任一项所述的波长转换构件，其吸收所述光源光并转换成其他波长的光而发光。
6.一种波长转换构件的制造方法，其特征在于，其是将特定范围的波长的光转换成其它波长的光的波长转换构件的制造方法，包括如下工序：
准备平均粒径不同的荧光体颗粒，制作以规定的比例包含各种所述荧光体颗粒的糊剂的工序；
将所述糊剂涂布于基材的工序；和
对涂布有所述糊剂的基材进行热处理的工序。
CN201780022876.8A 2016-04-25 2017-04-24 波长转换构件、其制造方法及发光装置 Pending CN109073801A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310285301.2A CN116293491A (zh) 2016-04-25 2017-04-24 波长转换构件、其制造方法及发光装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-087114 2016-04-25
JP2016087114 2016-04-25
PCT/JP2017/016240 WO2017188191A1 (ja) 2016-04-25 2017-04-24 波長変換部材、その製造方法および発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310285301.2A Division CN116293491A (zh) 2016-04-25 2017-04-24 波长转换构件、其制造方法及发光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109073801A true CN109073801A (zh) 2018-12-21

Family

ID=60160437

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310285301.2A Pending CN116293491A (zh) 2016-04-25 2017-04-24 波长转换构件、其制造方法及发光装置
CN201780022876.8A Pending CN109073801A (zh) 2016-04-25 2017-04-24 波长转换构件、其制造方法及发光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310285301.2A Pending CN116293491A (zh) 2016-04-25 2017-04-24 波长转换构件、其制造方法及发光装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10590341B2 (zh)
EP (1) EP3451031B1 (zh)
JP (1) JP6650951B2 (zh)
KR (1) KR102070569B1 (zh)
CN (2) CN116293491A (zh)
TW (1) TWI657602B (zh)
WO (1) WO2017188191A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113396201A (zh) * 2019-02-06 2021-09-14 夏普株式会社 波长变换元件、光源装置、车辆用前照灯具、透射型照明装置、显示装置以及照明装置
CN113917776A (zh) * 2020-07-09 2022-01-11 中强光电股份有限公司 波长转换装置以及投影装置
CN114503378A (zh) * 2019-10-03 2022-05-13 株式会社田村制作所 波长转换构件

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109782516B (zh) * 2017-11-15 2021-10-22 中强光电股份有限公司 投影机及波长转换元件
JP7447694B2 (ja) 2020-06-22 2024-03-12 ウシオ電機株式会社 半導体発光装置

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004161806A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体および発光装置
CN1924427A (zh) * 2005-09-01 2007-03-07 夏普株式会社 发光装置
CN101412910A (zh) * 2007-07-13 2009-04-22 夏普株式会社 发光装置用荧光体粒子集合体、发光装置、及液晶显示用背光装置
CN102483220A (zh) * 2009-04-15 2012-05-30 研究三角协会 受激发光装置
CN102782887A (zh) * 2011-02-25 2012-11-14 三菱化学株式会社 卤磷酸盐荧光体及白色发光装置
CN102823002A (zh) * 2010-03-30 2012-12-12 三菱化学株式会社 发光装置
JP2013046046A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
CN103222077A (zh) * 2010-12-09 2013-07-24 夏普株式会社 发光装置
CN103403531A (zh) * 2010-12-22 2013-11-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于测试发光薄膜的方法和装置
CN103828075A (zh) * 2011-09-26 2014-05-28 柯尼卡美能达株式会社 荧光体分散液及led装置的制造方法
CN104081224A (zh) * 2012-03-12 2014-10-01 富士胶片株式会社 放射线图像检测装置及放射线图像摄影系统
CN104334680A (zh) * 2012-08-13 2015-02-04 柯尼卡美能达株式会社 荧光体分散液的制造方法及led装置的制造方法
WO2015041204A1 (ja) * 2013-09-20 2015-03-26 旭硝子株式会社 光変換部材、光変換部材の製造方法、光変換部材の色度調整方法、照明光源および液晶表示装置
CN104603530A (zh) * 2013-06-21 2015-05-06 松下知识产权经营株式会社 波长变换构件、光源以及汽车用前照灯
CN104871323A (zh) * 2012-12-28 2015-08-26 夏普株式会社 发光装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04332457A (ja) * 1991-01-17 1992-11-19 Toshiba Lighting & Technol Corp 蛍光ランプおよびこれに用いる結着剤
JP3617587B2 (ja) * 1997-07-17 2005-02-09 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及びその形成方法
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP3749243B2 (ja) * 2001-09-03 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイス，発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法
KR101142725B1 (ko) * 2003-03-13 2012-05-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광막, 발광장치, 발광막의 제조방법 및 발광장치의제조방법
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
TW200531315A (en) * 2004-01-26 2005-09-16 Kyocera Corp Wavelength converter, light-emitting device, method of producing wavelength converter and method of producing light-emitting device
JP2009010315A (ja) * 2007-05-30 2009-01-15 Sharp Corp 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置
JP2009167338A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Sharp Corp 波長変換部材およびこれを備える発光装置、ならびに蛍光体
JP2009280793A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Kyocera Corp 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置
WO2009154193A1 (ja) 2008-06-16 2009-12-23 株式会社ニコン セラミックス組成物、蛍光体セラミックス及びその製造方法、並びに発光素子
JP5601833B2 (ja) 2009-12-25 2014-10-08 日本ファインセラミックス株式会社 金属−セラミックス複合材料の製造方法
JP2011238811A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Konica Minolta Opto Inc 波長変換素子および発光装置
KR101450991B1 (ko) 2010-05-13 2014-10-15 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 β 형 사이알론의 제조 방법, β 형 사이알론 및 그 이용 제품
JPWO2012132232A1 (ja) * 2011-03-31 2014-07-24 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JPWO2013154133A1 (ja) * 2012-04-13 2015-12-17 シャープ株式会社 光散乱体、光散乱体膜、光散乱体基板、光散乱体デバイス、発光デバイス、表示装置、および照明装置
JP2015038960A (ja) 2013-05-16 2015-02-26 株式会社日本セラテック 発光装置
JP2015090887A (ja) 2013-11-05 2015-05-11 株式会社日本セラテック 発光素子及び発光装置
JP2015065425A (ja) 2013-08-29 2015-04-09 株式会社日本セラテック 発光装置及びその製造方法
JP2015119172A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社日本セラテック 発光素子、発光装置、及びそれらの製造方法
DE102014101804A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP6152801B2 (ja) 2014-01-21 2017-06-28 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6430123B2 (ja) * 2014-02-06 2018-11-28 スタンレー電気株式会社 波長変換体及びそれを用いた発光装置
JP6344157B2 (ja) 2014-09-01 2018-06-20 日本電気硝子株式会社 波長変換部材の製造方法及び波長変換部材
JP2016204561A (ja) * 2015-04-24 2016-12-08 太平洋セメント株式会社 蛍光部材、その製造方法および発光装置
JP2017107071A (ja) * 2015-12-10 2017-06-15 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び波長変換素子、並びにそれらを用いた発光装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004161806A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体および発光装置
CN1924427A (zh) * 2005-09-01 2007-03-07 夏普株式会社 发光装置
CN101412910A (zh) * 2007-07-13 2009-04-22 夏普株式会社 发光装置用荧光体粒子集合体、发光装置、及液晶显示用背光装置
CN102483220A (zh) * 2009-04-15 2012-05-30 研究三角协会 受激发光装置
CN102823002A (zh) * 2010-03-30 2012-12-12 三菱化学株式会社 发光装置
CN103222077A (zh) * 2010-12-09 2013-07-24 夏普株式会社 发光装置
CN103403531A (zh) * 2010-12-22 2013-11-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于测试发光薄膜的方法和装置
CN102782887A (zh) * 2011-02-25 2012-11-14 三菱化学株式会社 卤磷酸盐荧光体及白色发光装置
JP2013046046A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
CN103828075A (zh) * 2011-09-26 2014-05-28 柯尼卡美能达株式会社 荧光体分散液及led装置的制造方法
CN104081224A (zh) * 2012-03-12 2014-10-01 富士胶片株式会社 放射线图像检测装置及放射线图像摄影系统
CN104334680A (zh) * 2012-08-13 2015-02-04 柯尼卡美能达株式会社 荧光体分散液的制造方法及led装置的制造方法
CN104871323A (zh) * 2012-12-28 2015-08-26 夏普株式会社 发光装置
CN104603530A (zh) * 2013-06-21 2015-05-06 松下知识产权经营株式会社 波长变换构件、光源以及汽车用前照灯
WO2015041204A1 (ja) * 2013-09-20 2015-03-26 旭硝子株式会社 光変換部材、光変換部材の製造方法、光変換部材の色度調整方法、照明光源および液晶表示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113396201A (zh) * 2019-02-06 2021-09-14 夏普株式会社 波长变换元件、光源装置、车辆用前照灯具、透射型照明装置、显示装置以及照明装置
CN114503378A (zh) * 2019-10-03 2022-05-13 株式会社田村制作所 波长转换构件
CN113917776A (zh) * 2020-07-09 2022-01-11 中强光电股份有限公司 波长转换装置以及投影装置
CN113917776B (zh) * 2020-07-09 2023-03-24 中强光电股份有限公司 波长转换装置以及投影装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6650951B2 (ja) 2020-02-19
TWI657602B (zh) 2019-04-21
KR20180113573A (ko) 2018-10-16
JPWO2017188191A1 (ja) 2018-05-10
US10590341B2 (en) 2020-03-17
TW201742270A (zh) 2017-12-01
KR102070569B1 (ko) 2020-01-29
EP3451031A1 (en) 2019-03-06
WO2017188191A1 (ja) 2017-11-02
EP3451031B1 (en) 2022-03-09
CN116293491A (zh) 2023-06-23
EP3451031A4 (en) 2019-12-11
US20190127636A1 (en) 2019-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109073801A (zh) 波长转换构件、其制造方法及发光装置
CN108885286A (zh) 波长转换构件、其制造方法及发光装置
CN108474543B (zh) 波长转换构件以及发光装置
CN108474881B (zh) 波长转换构件及发光装置
CN110291430B (zh) 波长转换构件
JP6990065B2 (ja) 波長変換部材、その製造方法および発光装置
TW201921042A (zh) 波長轉換構件及發光裝置
JP6775429B2 (ja) 波長変換部材の製造方法
JP6902373B2 (ja) 波長変換部材およびその製造方法
JP2021103247A (ja) 波長変換部材および発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181221

RJ01 Rejection of invention patent application after publication