JP2009280793A - 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置 - Google Patents

蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009280793A
JP2009280793A JP2008327195A JP2008327195A JP2009280793A JP 2009280793 A JP2009280793 A JP 2009280793A JP 2008327195 A JP2008327195 A JP 2008327195A JP 2008327195 A JP2008327195 A JP 2008327195A JP 2009280793 A JP2009280793 A JP 2009280793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
phosphor
crystal
mgsi
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008327195A
Other languages
English (en)
Inventor
Ko Kato
航 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2008327195A priority Critical patent/JP2009280793A/ja
Publication of JP2009280793A publication Critical patent/JP2009280793A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

【課題】 量子効率を向上できる蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置を提供する。
【解決手段】 主結晶としてEuを含むM 3MgSi28型結晶(MはSrとBa)を、第2結晶としてM MgSi型結晶を含有するとともに、主結晶の2θ=31.5°〜33°で検出されるピークのX線回折強度をAとし、第2結晶の2θ=28°〜30.5°で検出されるピークのX線回折強度をBとしたとき、0.002≦B/(A+B)≦0.052を満足する。このような蛍光体では、青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できる。
【選択図】 図3

Description

本発明は、紫外光または可視光を吸収し、長波長の可視光を発する蛍光体、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)などの発光素子から発せられる光を波長変換して外部に取り出す蛍光体を含有する波長変換器、さらに波長変換器を搭載した発光装置、発光装置を複数具備した照明装置に関する。
半導体材料からなる発光素子(以下「LEDチップ」とも言う)は、小型で電力効率が良く鮮やかに発色する。LEDチップは、製品寿命が長い、オン・オフ点灯の繰り返しに強い、消費電力が低い、という優れた特徴を有するため、液晶等のバックライト光源や蛍光ランプ等の照明用光源への応用が期待されている。
LEDチップの発光装置への応用は、LEDチップの光の一部を蛍光体で波長変換し、当該波長変換された光と波長変換されないLEDチップの光とを混合して放出することにより、LEDチップの光とは異なる色を発光する発光装置として既に製造されている。
この発光装置は、青色LEDチップ上に(Y,Gd)3(Al,Ga)512の組成式で表されるYAG系蛍光体等の黄色成分の蛍光体を設けたものである。
この発光装置では、発光素子から発する光が黄色成分の蛍光体に照射されると、黄色成分の蛍光体は励起されて可視光を発し、この可視光が出力として利用される。ところが、発光素子の明るさを変えると、青色と黄色との光量比が変化するため、白色の色調が変化し、演色性に劣るといった問題があった。
そこで、このような課題を解決するために、発光素子として400nm以下のピークを有する紫色LEDチップを用いるとともに、波長変換層には3種類の蛍光体を高分子樹脂中に混ぜ込んだ構造を採用し、紫色光を赤色、緑色、青色の各波長に変換して白色を発光することが提案されている(特許文献1参照)。これにより、演色性を向上することができる。
従来、青色に発光する蛍光体として、M 3MgSi28(MはSr、BaおよびCaのうち少なくとも1種)からなるものが知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開2002−314142号公報 特開2003−132803号公報
しかしながら、特許文献2に記載の発光装置では、励起光400nm付近の近紫外領域における青色に発光する蛍光体の量子効率が未だ低く、白色光の効率が未だ低いという問題があった。
本発明は、量子効率を向上できる蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、従来、青色に発光する主結晶のM 3MgSi28結晶以外の結晶は析出しない方が、青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できると考えられていたが、緑色に発光するM MgSi結晶についてはある一定範囲内で析出させることにより、M 3MgSi28結晶だけからなる場合よりも却って青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できることを見出し、本発明に至った。
本発明の蛍光体は、主結晶としてEuを含むM 3MgSi28型結晶(MはSrとBa)を、第2結晶としてM MgSi型結晶を含有するとともに、前記主結晶の2θ=31.5°〜33°で検出されるピークのX線回折強度をAとし、前記第2結晶の2θ=28°〜30.5°で検出されるピークのX線回折強度をBとしたとき、0.002≦B/(A+B)≦0.052を満足することを特徴とする。
このような蛍光体では、M 3MgSi28型結晶の2θ=31.5°〜33°で検出されるピークのX線回折強度をAとし、M MgSi型結晶の2θ=28°〜30.5°で検出されるピークのX線回折強度をBとしたとき、0.002≦B/(A+B)≦0.052を満足するので、青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できる。
本発明の波長変換器は、透明マトリクス中に蛍光体が分散しており、該蛍光体により光源から発せられる光の波長を変換して、波長が変換された光を含む出力光を出力する波長変換器であって、前記蛍光体は、上記の蛍光体を含有することを特徴とする。このような波長変換器を発光装置に用いると、青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できるため、白色光の発光効率を向上できる。
また、本発明の発光装置は、発光素子と、該発光素子が載置された基体と、前記発光素子が発光する光を波長変換する上記の波長変換器とを具備してなることを特徴とする。このような発光装置では、上記の蛍光体を用いることにより、白色光の発光効率を向上できる。
さらに、本発明の照明装置は、上記の発光装置を複数具備してなることを特徴とする。このような照明装置では、上記の発光装置を用いることにより、白色光の発光効率を向上できる。
本発明の蛍光体では、Euを含むM 3MgSi28型結晶の2θ=31.5°〜33°で検出されるピークのX線回折強度をAとし、M MgSi型結晶の2θ=28°〜30.5°で検出されるピークのX線回折強度をBとしたとき、0.002≦B/(A+B)≦0.052を満足するので、Euを含むM 3MgSi28型結晶単独からなる場合よりも青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できる。このような蛍光体を波長変換器に用い、発光装置、照明装置に組み込むと、白色光の発光効率を向上できる。
本発明の蛍光体は、図1に示すように、大径粒子と、その大径粒子の周囲に存在する小径粒子とを具備して構成されている。すなわち、蛍光体は、粒径が2μm以下の小径粒子と、粒径が5μm以上の大径粒子とを含有し、レーザー回折散乱法で測定した場合に二つのピークが存在する粒度分布となっている。尚、粒径が2〜5μmの粒子も少量ではあるが存在している。大径粒子は角張った粒子ではあるが、その大径粒子の角は丸められている。蛍光体は、複数の粒子の集合体から構成されている。
本発明の蛍光体は、図2に示すように、主結晶としてM 3MgSi28型結晶(MはSrとBa)を、第2結晶としてM MgSi型結晶を含有するものである。本発明の蛍光体では、異相として、EuSiO型結晶が生成することがある。主結晶のM 3MgSi28型結晶はEuを含んでいる。尚、M MgSi型結晶においてもEuを含んでいると考えている。
そして、本発明の蛍光体は、図2、3に示すように、主結晶であるEuを含むM 3MgSi28型結晶の2θ=31.5°〜33°で検出されるピークのX線回折強度(Cu−Kα)をAとし、第2結晶であるM MgSi型結晶の2θ=28°〜30.5°で検出されるピークのX線回折強度(Cu−Kα)をBとしたとき、0.002≦B/(A+B)≦0.052を満足する。尚、ピークのX線回折強度は、粉末X線回折装置によるカウント値を用いる。
従来、青色に発光する主結晶であるEuを含むM 3MgSi28型結晶以外の結晶は、析出しない方が青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できると考えられていたが、M MgSi型結晶については、0.002≦B/(A+B)≦0.052を満足することにより、Euを含むM 3MgSi28型結晶単独からなる場合よりも、却って青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できる。
主結晶のEuを含むM 3MgSi28型結晶の他に緑色に発光する第2結晶のM MgSi型結晶を所定量析出させることにより、青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できる理由は明確ではないが、本発明者は、所定量のM MgSi型結晶が存在する場合には、M MgSi型結晶で吸収した光がEuを含むM 3MgSi28型結晶にエネルギー伝達されるため、青色に発光する蛍光体の量子効率が向上すると考えている。
ここで、ピーク強度比B/(A+B)を0.002〜0.052としたのは、B/(A+B)が0.002よりも小さい場合には青色に発光する蛍光体の量子効率を向上させる効果が小さく、一方、B/(A+B)が0.052よりも大きい場合には、青色に発光する蛍光体の量子効率が大きく低下してしまうからである。ピーク強度比B/(A+B)は、特に青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できるという点から、0.002〜0.03であることが望ましく、さらには0.005〜0.03であることが望ましい。
尚、主結晶は、2θ=31.5°〜33°で二つのピークが存在する場合があるが、高角側のピークが一般的に強度が大きいため、高角側のピークを用いて、ピーク強度比B/(A+B)を求める。また、第2結晶も2θ=28°〜30.5°において二つのピークが存在する場合があるが、高角側のピークが一般的に強度が大きいため、高角側のピークを用いて、ピーク強度比B/(A+B)を求める。
本発明の蛍光体は、図2に示すように、Euを含むM MgSi型結晶を主結晶とするものであり、第2結晶としてM MgSi型結晶が生成し、異相として、EuSiO型結晶が生成することがあるが、EuSiO型結晶については実質的に存在しないか、生成量が少ない方が望ましい。すなわち、EuSiO型結晶の2θ=30.8°〜31.3°でのピークのX線回折強度をCとしたとき、C/(A+B+C)が0.01以下であることが望ましい。尚、Euは、賦活剤として機能するものである。
尚、図2は、M MgSi結晶量が増減する複数の蛍光体の粉末X線回折測定結果を示している。
また、本発明の蛍光体は、M3−aEuMgSiの化学組成(但し、MはSrとBaであり、aは0<a≦1.5、bは1.95≦b≦2.05を満足する値である)を有している。このような組成を有するので、化学量論組成に近く、励起光を青色に変換することのできる結晶が再現よく形成されたものであって、青色以外の変換光の発生を抑制することができる。
Euのモル比aは、M3−aEuMgSi中で0<a≦1.5を満たせばよい。しかし、発光中心イオンEu2+のモル比aが小さすぎると、量子効率が小さくなる傾向があり、一方、多すぎても、濃度消光と呼ばれる現象によりやはり量子効率が小さくなる傾向がある。下限としては0.01≦aが好ましく、上限としてはa≦1が好ましい。さらに、aは0.05≦a≦0.26の範囲にあることが望ましい。
MgSi型結晶を主結晶とし、M MgSi型結晶を第2結晶とするものであるが、結晶中のMは、化学組成におけるMと同じものを用いる必要がある。
本発明の蛍光体は、通常は、図1に示したように、大径粒子と、その大径粒子の周囲に存在する小径粒子とを具備して構成されているが、大径粒子を除去したものであることが望ましい。すなわち、蛍光体を構成する粒子の平均粒径は5μm以下であることが望ましい。これにより、蛍光体の量子効率をさらに向上することができる。
従来、蛍光体を構成する粒子が大きい程、蛍光体の量子効率が高いと考えられていたが、本発明の蛍光体では、蛍光体を構成する粒子の平均粒径を5μm以下とすることにより、却って量子効率を向上できる。このように、平均粒径5μm以下とするには、後述するように大きな粒子を除去する必要がある。
図4(a)に、大きな粒子を除去し、ほぼ小さい粒子だけの蛍光体(平均粒径3μm)の蛍光スペクトルを示し、図4(b)に、大径粒子と小径粒子が混在した蛍光体の蛍光スペクトルを示し、図4(c)に、ほぼ大きな粒子だけの蛍光体(平均粒径10μm)の蛍光スペクトルを示す。これらの蛍光スペクトルから、粒径が小さい場合には、同じ光エネルギーを入力した場合でも、粒子内での損失が小さく、発光強度が変わらないことがわかる。言い換えれば、励起光の散乱強度が大きいにもかかわらず、発光強度が大きいことがわかる。
本発明の蛍光体の製造方法について説明する。本発明の蛍光体は、塩化アンモニウム、塩化バリウム、塩化ストロンチウム等のフラックスと、Sr、またはSrとBa、あるいはSrとCaの元素源化合物と、Mg、Eu、Siの元素源化合物とを下記の(A)又は(B)の混合法により調整した混合物を仮焼し、冷却した後、さらに還元雰囲気で熱処理することにより製造することができる。
(A):ハンマーミル、ロールミル、ボールミル、ジェットミル等の乾式粉砕機、又は、乳鉢と乳棒を用いる粉砕と、リボンブレンダー、V型ブレンダー、ヘンシェルミキサー等の混合機、又は、乳鉢と乳棒を用いる混合と合わせた乾式混合法。
(B):粉砕機、又は、乳鉢と乳棒等を用いて、水等を加えてスラリー状態で、噴霧乾燥、加熱乾燥、又は自然乾燥等により乾燥させる湿式混合法。
これらの混合法の中で、特に、賦活剤の元素化合物においては、少量の化合物を全体に均一に混合、分散させる必要があることから液体媒体を用いるのが好ましく、又、他の元素化合物において全体に均一な混合が得られる面からも、湿式混合法が好ましい。
Euを含むM 3MgSi28型結晶の2θ=31.5°〜33°付近で検出されるピークのX線回折強度をAとし、M MgSi型結晶の2θ=28.0°〜30.5°でのピークのX線回折強度をBとしたとき、0.002≦B/(A+B)≦0.052を満足するためには、M MgSi型結晶が所定量生成するように組成を制御し、混合物の仮焼温度、仮焼時間、還元雰囲気での熱処理温度、熱処理時間の条件を、ピーク強度比B/(A+B)が0.002〜0.052を満足するように適宜組み合わせる。
仮焼温度、還元雰囲気での熱処理の最高温度の組み合わせは、1025℃≦仮焼温度≦1075℃、1250℃≦還元雰囲気での熱処理温度≦1275℃であることが望ましい。仮焼温度保持時間は1〜6時間、還元雰囲気での熱処理保持時間は1〜12時間であることが望ましい。仮焼温度および還元雰囲気での熱処理温度が高すぎる場合、第2結晶のSrMgSi型結晶が多量に析出し、緑色発光することで青色発光の量子効率を低下させる。また、仮焼温度が低すぎる場合、第2結晶のSrMgSi型結晶の析出量が少なく、エネルギー伝達が発現しにくいため、量子効率は低下する。
仮焼方法としては、アルミナや石英製の坩堝やトレイ等の耐熱容器中で、酸素、窒素等の気体の単独或いは混合雰囲気下で加熱することによりなされる。仮焼プロファイルは室温から850℃までは7〜8℃/分、850℃以上は1〜2℃/分であることが望ましい。還元雰囲気での熱処理方法としては、アルミナや石英製の坩堝やトレイ等の耐熱容器中で、水素、窒素の混合雰囲気下、1〜24時間、加熱することによりなされる。還元雰囲気での熱処理プロファイルは3〜7℃/分で昇温することが望ましい。
尚、前記還元雰囲気での熱処理(焼成という場合もある)としては、賦活元素が発光に寄与するイオン状態(価数)を得るために必要な雰囲気が選択される。本発明における2価のEuの場合には、一酸化炭素、窒素、水素、アルゴン等の中性もしくは還元性雰囲気下が好ましい。
作製された蛍光体は、図1に示すように、大径粒子と、その大径粒子の周囲に存在する小径粒子とを具備して構成され、レーザー回折散乱法で測定した場合に二つのピークが存在する粒度分布となっている。
蛍光体を構成する粒子の平均粒径は、量子効率を向上するという観点から、5μm以下とすることが望ましい。平均粒径を5μm以下とするには、分級して、大きな粒子を除去する必要がある。特には、3μm以下が望ましい。また、励起光の散乱強度を高めるという観点から平均粒径は0.5μm以上が望ましい。
具体的には、焼成後に、小さい粒子、例えば、粒径が0.5〜5μmの蛍光体を選別すべく、分級処理を行う。分級処理は、例えば、乳鉢に蛍光体と溶媒(例えばエタノール)を加えて蛍光体を湿式解砕し、所定時間沈殿させた後に上澄み液を回収し、溶媒を蒸発させ、その残留物を回収する。これにより、例えば、5μmよりも大きい蛍光体を除去し、5μm以下の蛍光体を得ることができる。尚、沈殿時間を変更することにより、得られる蛍光体の平均粒径を変化させることができる。
次に、本発明の波長変換器、および波長変換器を搭載した発光装置を図面を用いて説明する。図5は、本発明の発光装置11の一実施形態を示す概略断面図である。図5によれば、本発明の発光装置11は、電極13が形成された基板(基体)15と、基板15上に設けられている発光素子17と、基板15上に発光素子17を覆うように形成された1層の波長変換器19と、光を反射する反射部材21とを備えている。尚、符号22はワイヤ、符号16は接着剤である。
波長変換器19は、例えば、透明マトリクス中に、波長が430nmから490nmの蛍光(青色)を発する蛍光体(図示せず)、波長が520nmから570nmの蛍光(緑色)を発する蛍光体(図示せず)、波長が600nmから650nmの蛍光(赤色)を発する蛍光体(図示せず)が含有されており、光源である発光素子17から発せられる光の一部の波長を他の波長に変換して、波長が変換された光を含む出力光を出力し、ある波長を有する発光素子17の光を他の波長を有する光に変換する。
青色を発する蛍光体(以下、青色発光蛍光体ということがある)は、上記本発明の蛍光体を用い、波長が400nm前後の光で励起される量子効率が高い材料からなる。一方、緑色を発する蛍光体(以下、緑色発光蛍光体ということがある)は、例えば、波長が400nmから460nmまでの光で励起される材料からなる。また、赤色を発する蛍光体(以下、赤色発光蛍光体ということがある)は、例えば、波長が400nmから460nmだけでなく、550nm付近の光でも励起される材料からなる。
波長変換器19は、蛍光体を均一に分散および担持し、かつ蛍光体の光劣化を抑制することができるため、高分子樹脂やガラス材料などの透明マトリクス中に蛍光体を分散して形成することが好ましい。高分子樹脂膜、ゾルゲルガラス薄膜などのガラス材料としては、透明性が高く、かつ加熱や光によって容易に変色しない耐久性を有するものが望ましい。
高分子樹脂膜の材料は特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、酢酸セルロース、ポリアリレート、さらにこれら材料の誘導体が用いられる。特に、350nm以上の波長域において高い光透過性を有していることが好ましい。このような透明性に加え、耐熱性の観点から、シリコーン樹脂がより好適に用いられる。
ガラス材料は、シリカ、チタニア、ジルコニア、さらにそれらのコンポジット系を例示できる。高分子樹脂膜と比較して、光、特に紫外線に対する耐久性が高く、さらに熱に対する耐久性が高いことから、製品の長寿命化を実現できる。また、ガラス材料は、安定性を向上させることができることから、信頼性の高い発光装置を実現できる。
波長変換器19は、ゾルゲルガラス膜などのガラス材料または高分子樹脂膜を用いて、塗布法により形成することができる。一般的な塗布法であれば限定されないが、ディスペンサーによる塗布が好ましい。例えば、液状で未硬化の樹脂、ガラス材料、または溶剤で可塑性を持たせた樹脂およびガラス材料に、蛍光体を混合することにより製造することができる。未硬化の樹脂としては、例えばシリコーン樹脂を使用できる。これらの樹脂は2液を混合して硬化させるタイプのものであっても1液で硬化するタイプのものであっても良く、2液を混合して硬化させるタイプの場合、両液にそれぞれ蛍光体を混練してもよく、あるいはどちらか一方の液に蛍光体を混練しても構わない。また、溶剤で可塑性を持たせた樹脂としては例えばアクリル樹脂を使用することができる。
硬化した波長変換器19は、未硬化状態でディスペンサー等の塗布法を使用するなどして、フィルム状に成形したり、所定の型に流し込んで固めたりすることで得られる。樹脂およびガラス材料を硬化させる方法としては、熱エネルギーや光エネルギーを使う方法がある他、溶剤を揮発させる方法がある。
電極13を形成する導体は、発光素子17を電気的に接続するための導電路としての機能を有し、基体15の下面から上面に引き出され、ワイヤ22にて発光素子17と電気的に接続されている。導体としては、例えば、W、Mo、CuまたはAg等の金属粉末を含むメタライズ層を用いることができる。導体は、基板15がセラミックスから成る場合、その上面に配線導体がタングステン(W)またはモリブデン(Mo)−マンガン(Mn)等から成る金属ペーストを高温で熱処理して形成され、基板15が樹脂から成る場合、銅(Cu)または鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金等から成るリード端子がモールド成型されて基板15の内部に設置固定される。
基板15は熱伝導性が高く、かつ全反射率の大きいことが求められるため、例えばアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミック材料の他に、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂が好適に用いられる。
発光素子17は、蛍光体の励起を効率的に行なうことができるため、中心波長が370〜420nmの光を発する半導体材料を備えた発光素子を用いている。これにより、出力光の強度を高め、より発光効率の高い発光装置を得ることが可能となる。
発光素子17は、上記中心波長を発するものが好ましいが、発光素子基板表面に、半導体材料からなる発光層を備える構造(図示せず)を有していることが、高い量子効率を有する点で好ましい。このような半導体材料として、ZnSeまたは窒化物半導体(GaN等)等種々の半導体を挙げることができるが、発光波長が上記波長範囲であれば、特に半導体材料の種類は限定されない。これらの半導体材料を有機金属気相成長法(MOCVD法)や分子線エピタシャル成長法等の結晶成長法により、発光素子基板上に半導体材料からなる発光層を形成すれば良い。発光素子基板は、結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるという観点から、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、ZrB、GaNまたは石英等の材料が好適に用いられる。
発光素子17と波長変換器19の側面には、光を反射する反射部材21を設け、測方に逃げる光を前方に反射し、出力光の強度を高めることができる。反射部材21の材料としては、例えばアルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、銀(Ag)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、鉄(Fe)またはこれらの積層構造物や合金、さらにアルミナセラミックス等のセラミックス、またはエポキシ樹脂等の樹脂を用いることができる。
本実施形態の発光装置は、図5に示すように、波長変換器19を発光素子17上に設置することにより得られる。波長変換器19を発光素子17上に設置する方法としては硬化したシート状の波長変換器19を発光素子17上に設置することが可能である。
本発明の照明装置は、図5に示すような発光装置を、例えば、基板に複数配置し、これらの発光装置を電気的に接続して構成される。また、基板15の表面に複数の発光素子17、波長変換器19、反射部材21を形成し、複数の発光装置を形成し、これらの発光装置を電気的に接続して照明装置を形成しても良い。
波長変換器は、透明マトリクス中に、赤色発光蛍光体、青色発光蛍光体および緑色発光蛍光体を分散して構成されている。
赤色発光蛍光体は、BaSiO:Eu2+、CaAlN:Eu2+、(Ca,Sr)S:Eu3+、(Ba,Sr)Si:Eu2+、LaS:Eu3+、LiEuW、Y:Eu3+等がある。この中でも、赤色発光蛍光体は、アルカリ土類金属珪酸塩からなるものが望ましく、例えば、N(NはBa、またはBaとSr、あるいはBaとCa)、Eu、Mg、MnおよびSiを必須成分として含有することが望ましい。そして、Si1モルに対するEuのモル比が0.14以下であり、Si1モルに対するMnのモル比が0.07以下のものである。
赤色発光蛍光体は、例えば、N 3−aEuMg1−bMnSiの化学組成(但し、aは0<a≦0.264、bは0<b≦0.132、cは1.905≦c≦2.025を満足する値である)を有することが望ましい。
また、緑色発光蛍光体としては、SrAl、(Ba,Sr)Si:Eu2+、β―SiAlON:Eu2+、Li(Ba,Sr)SiO:Eu2+等がある。この中でも、アルカリ土類金属珪酸塩からなるもので、複数の蛍光体粒子を含有するとともに、N(NはSr、BaおよびCaから選ばれる少なくとも1種)、EuおよびSiを含有する蛍光体であることが望ましい。この緑色発光蛍光体は(N,Eu)SiO4で表される結晶を主結晶とし、緑色発光蛍光体のX線吸収端近傍構造スペクトル(X-ray Absorption Near Edge Structure:XANES)による2価のEuイオンおよび3価のEuイオンの合量に対する2価のEuイオンの濃度が90%以上であることが望ましい。
青色発光蛍光体は、本発明の蛍光体からなる。
以下、実施例および比較例を挙げて本発明の蛍光体を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。
3−aEuMgSiの組成式において、M、a、bが表1に示す値となるように、炭酸バリウム粉末、酸化マグネシウム粉末、炭酸ストロンチウム粉末、二酸化珪素粉末および酸化ユウロピウム粉末を調合し、さらに塩化アンモニウムを所定量添加し、ポリポット中で混合し、乾燥後、大気雰囲気下1050℃で3時間仮焼し、冷却した。尚、MはSrとBaの比を記載した。
仮焼時の昇温プロファイルは室温から850℃までは7〜8℃/分、850℃〜1050℃は1〜2℃/分で行った。その後、12%の水素を含む窒素ガス(還元雰囲気下)で1250℃、昇温速度は5℃/分で9時間焼成し、本発明の蛍光体を作製した。
この蛍光体では、図1に示すように、粒径が5μm以上の大径粒子と、粒径が2μm以下の粒子とを具備して構成されており、レーザー回折散乱法で測定した場合に二つのピークが存在する粒度分布となっていた。
得られた蛍光体の量子効率を、日本分光社製分光蛍光光度計FP−6500を用いて測定した。蛍光体の量子効率は、専用セルに蛍光体粉末を充填し、395nmの励起光を照射させて、蛍光スペクトルを測定した。その結果を、分光蛍光光度計付属の量子効率測定ソフトを用いて、青色の量子効率を算出し、結果を表1に記載した。
主結晶のEuを含むM 3MgSi28型結晶と第2結晶のM MgSi型結晶のピーク強度比は下記X線回折測定により求めた。各結晶のMはSrとBaであった。
前記蛍光体のX線回折測定は以下の条件で行った。すなわち、走査範囲の回折角度誤差がΔ2θ=0.05°以下に光学調整されたCu−KαのX線源からなる粉末X線回折装置(PANalytical社製X‘PertPRO)を用い、かつ試料偏心に伴う回折角の誤差が標準シリコンの111ピークを用いて、Δ2θ=0.05°以下の角度再現性が保障される条件で粉末X線回折測定を実施した。
この結果から、Euを含むM 3MgSi28型結晶の2θ=31.5°〜33°で検出されるピークのX線回折強度をAとし、M MgSi型結晶の2θ=28°〜30.5°でのピークのX線回折強度をBとしたとき、B/(A+B)の比を求め、表1に記載した。また、試料は、実質的に主結晶のEuを含有するM 3MgSi28型結晶と第2結晶のM MgSi型結晶、異相のEuSiO型結晶からなっており、EuSiO型結晶の2θ=30.8°〜31.3°でのピークのX線回折強度をCとしたとき、C/(A+B+C)の比を求め、この値も表1に記載した。
試料No.1〜9までの、ピーク強度比B/(A+B)と、青色に発光する蛍光体の量子効率との関係を図3に示した。
表1および図3から、本発明の範囲内である蛍光体(試料No.1〜5)では、B/(A+B)が0.002〜0.052であり、M MgSi型結晶からのエネルギー伝達が効率よく起こり、青色に発光する蛍光体の量子効率が49.5%以上となり、青色の量子効率が高いことが判る。
これに対して、M MgSi型結晶のピークが実質的に存在しなかった試料No.6では、量子効率が48.9%と低く、また、X線回折におけるピーク強度比が本発明の範囲外の場合(B/(A+B)が0.052よりも大きい場合)の蛍光体(試料No.7〜9)は、M MgSi型結晶の析出量が多すぎるため、青色の量子効率が40%以下となることが判る。
実施例1で作製した表1の試料No.1〜5の蛍光体について分級処理を行った。分級処理は、乳鉢に試料No.1〜5の蛍光体とエタノールを加えて蛍光体を湿式解砕し、所定時間放置し沈殿させた後、上澄み液を回収し、エタノールを蒸発させ、その残留物を回収し、マイクロトラック法により粒度分布を求め、D50を平均粒径とした。尚、試料No.12については沈殿物について平均粒径を求めた。実施例1と同様にして、青色の量子効率を算出し、結果を表2に記載した。平均粒径は沈殿時間を変更することにより制御した。
表2の結果から、平均粒径を5μm以下と小さくすることにより、量子効率をさらに向上できることがわかる。
本発明の蛍光体の走査型電子顕微鏡写真である。 本発明の粉末X線回折測定を示す図である。 ピーク強度比B/(A+B)と、青色の量子効率との関係を示すグラフである。 蛍光スペクトルを示す図である。 本発明の発光装置の構造を示す概略断面図である。
符号の説明
11・・・発光装置
15・・・基板
17・・・発光素子
19・・・波長変換器
21・・・反射部材

Claims (4)

  1. 主結晶としてEuを含むM 3MgSi28型結晶(MはSrとBa)を、第2結晶としてM MgSi型結晶を含有するとともに、前記主結晶の2θ=31.5°〜33°で検出されるピークのX線回折強度をAとし、前記第2結晶の2θ=28°〜30.5°で検出されるピークのX線回折強度をBとしたとき、0.002≦B/(A+B)≦0.052を満足することを特徴とする蛍光体。
  2. 透明マトリクス中に蛍光体が分散しており、該蛍光体により光源から発せられる光の波長を変換して、波長が変換された光を含む出力光を出力する波長変換器であって、前記蛍光体は、請求項1に記載の蛍光体を含有することを特徴とする波長変換器。
  3. 発光素子と、該発光素子が載置された基体と、前記発光素子が発光する光を波長変換する請求項2に記載の波長変換器とを具備してなることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項3に記載の発光装置を複数具備してなることを特徴とする照明装置。
JP2008327195A 2008-04-24 2008-12-24 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置 Pending JP2009280793A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008327195A JP2009280793A (ja) 2008-04-24 2008-12-24 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008113491 2008-04-24
JP2008327195A JP2009280793A (ja) 2008-04-24 2008-12-24 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009280793A true JP2009280793A (ja) 2009-12-03

Family

ID=41451574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008327195A Pending JP2009280793A (ja) 2008-04-24 2008-12-24 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009280793A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011013564A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 株式会社ネモト・ルミマテリアル 蛍光体および発光装置
JP2012158692A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Ube Material Industries Ltd 蛍光体層を有する積層体、発光装置及び青色発光蛍光体
WO2014080562A1 (ja) * 2012-11-20 2014-05-30 パナソニック株式会社 蛍光体、発光デバイス、撮像装置、液晶ディスプレイ装置、照明装置、および車両
JP2015086340A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 宇部マテリアルズ株式会社 白色発光蛍光体及び白色発光装置
WO2017188191A1 (ja) * 2016-04-25 2017-11-02 日本特殊陶業株式会社 波長変換部材、その製造方法および発光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002332481A (ja) * 2000-09-29 2002-11-22 Sumitomo Chem Co Ltd 真空紫外線励起発光素子用の蛍光体
JP2003132803A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Hitachi Ltd 発光装置及びこれを用いた表示装置
JP2004176010A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Hitachi Ltd 発光装置およびこれを用いた表示装置
JP2007533149A (ja) * 2004-04-16 2007-11-15 ロディア・シミ 白色発光ダイオード

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002332481A (ja) * 2000-09-29 2002-11-22 Sumitomo Chem Co Ltd 真空紫外線励起発光素子用の蛍光体
JP2003132803A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Hitachi Ltd 発光装置及びこれを用いた表示装置
JP2004176010A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Hitachi Ltd 発光装置およびこれを用いた表示装置
JP2007533149A (ja) * 2004-04-16 2007-11-15 ロディア・シミ 白色発光ダイオード

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011013564A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 株式会社ネモト・ルミマテリアル 蛍光体および発光装置
JP2012158692A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Ube Material Industries Ltd 蛍光体層を有する積層体、発光装置及び青色発光蛍光体
WO2014080562A1 (ja) * 2012-11-20 2014-05-30 パナソニック株式会社 蛍光体、発光デバイス、撮像装置、液晶ディスプレイ装置、照明装置、および車両
JP5857234B2 (ja) * 2012-11-20 2016-02-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体、発光デバイス、撮像装置、液晶ディスプレイ装置、照明装置、および車両
US9328877B2 (en) 2012-11-20 2016-05-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor, light-emitting device, image pickup device, liquid crystal display device, lighting device, and vehicle
DE112013005555B4 (de) 2012-11-20 2020-07-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Leuchtstoff und Verwendung des Leuchtstoffs in einer Lichtemissionseinrichtung, einer Bildaufnahmevorrichtung, einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, einer Beleuchtungsvorrichtung und einem Fahrzeug
JP2015086340A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 宇部マテリアルズ株式会社 白色発光蛍光体及び白色発光装置
WO2017188191A1 (ja) * 2016-04-25 2017-11-02 日本特殊陶業株式会社 波長変換部材、その製造方法および発光装置
JPWO2017188191A1 (ja) * 2016-04-25 2018-05-10 日本特殊陶業株式会社 波長変換部材、その製造方法および発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5137850B2 (ja) 蛍光体およびそれを用いた波長変換器、発光装置、照明装置
JP5847908B2 (ja) オキシ炭窒化物蛍光体およびこれを使用する発光素子
JP5230594B2 (ja) 蛍光体およびその製法ならびに波長変換器、発光装置、照明装置
JP5446066B2 (ja) 窒化物蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP2011071404A (ja) 発光装置および照明装置
JP2008538652A (ja) セラミック発光コンバーターを含む照明システム
JP2010006850A (ja) 波長変換器および発光装置ならびに照明装置
JP6061331B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
WO2020262200A1 (ja) 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光素子、発光装置および画像表示装置
JP2010225960A (ja) 発光装置および照明装置
JPWO2019188319A1 (ja) 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2007059898A (ja) 半導体発光装置
TWI458806B (zh) β型矽鋁氮氧化物之製造方法、β型矽鋁氮氧化物及發光裝置
JP4949793B2 (ja) 蛍光体及び波長変換器ならびに発光装置
JP2009280793A (ja) 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置
KR101476561B1 (ko) 형광체 및 발광 장치
JP2011155125A (ja) 発光装置および照明装置
JP2010199273A (ja) 発光装置および照明装置
JP5004616B2 (ja) 蛍光体とその製造方法および波長変換器ならびに発光装置
JP2009203264A (ja) 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置
JP5036454B2 (ja) 蛍光体粒子および波長変換器ならびに発光装置
JP2008208202A (ja) 蛍光体および波長変換器ならびに発光装置
JP4948015B2 (ja) アルミン酸系青色蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2023090161A (ja) 蛍光体、発光素子、及び発光装置
JP2009238887A (ja) 波長変換器および発光装置ならびに照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130123

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130521