CN104334680A - 荧光体分散液的制造方法及led装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供制造不使荧光体粒子劣化、荧光体粒子难以沉降的荧光体分散液的方法,为了解决上述课题,为含有荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的荧光体分散液的制造方法,形成以下的荧光体分散液的制造方法:具有将层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂进行混合、制备粘度为50~500mPa·s的第1分散液的工序;和在上述第1分散液中混合荧光体粒子的工序的荧光体分散液的制造方法。

Description

荧光体分散液的制造方法及LED装置的制造方法
技术领域
本发明涉及荧光体分散液的制造方法及LED装置的制造方法。
背景技术
近年来,开发了在氮化镓(GaN)系的蓝色LED(Light EmittingDiode:发光二极管)元件的附近配置了YAG等的黄色荧光体的白色LED装置。在该白色LED装置中,将蓝色LED元件射出的蓝色光和接受蓝色光而发出荧光体的黄色光进行混色而得到白色光。另外,也开发了将蓝色LED元件射出的蓝色光和接受了蓝色光的荧光体发出的红色光或绿色光等进行混色、得到白色光的白色LED装置。
在这样的白色LED装置中,配设了将荧光体粒子分散于透明树脂的密封部件。密封部件中所含的荧光体粒子的比重,比透明树脂的比重大。因此,存在在密封部件的形成时、透明树脂进行固化前,荧光体粒子容易沉降、在密封部件内荧光体浓度不能变得均匀这样的问题。荧光体的浓度不均匀时,LED装置的照射光的色度难于纳入所期望的范围。
因此,例如提案有例如以粘度高的有机硅树脂作为密封树脂、使荧光体粒子难以沉降(专利文献1)。另外,也提案有通过在密封树脂中添加层状粘土化合物及有机阳离子(专利文献2)、或在密封树脂中添加有机硅微粒来抑制荧光体粒子的沉降(专利文献3)。
根据专利文献1~3的技术,某种程度上可以抑制荧光体粒子的沉降或偏析。但是,在专利文献1~3的技术中,均用树脂密封荧光体粒子。因此,存在因来自LED元件的光、热而密封树脂发生着色、或密封树脂容易劣化这样的问题。
对于这样的问题,提案有在LED元件上涂布含有荧光体粒子及陶瓷前体的组合物、将荧光体粒子用陶瓷粘合剂进行粘结的技术。陶瓷粘结剂,对于来自LED元件的光、热为稳定的。因此,经时地发生着色或劣化少。但是,混合了荧光体粒子和陶瓷前体的组合物长期间保存时,存在荧光体粒子和陶瓷前体反应而陶瓷前体凝胶化或固化的情况等。因此,提案有分别涂布荧光体粒子及陶瓷前体(专利文献4)。在该文献中记载的方法中,1)在LED元件上涂布含有荧光体粒子的荧光体分散液而形成荧光体粒子层。其后,2)在荧光体粒子层上涂布含有陶瓷前体的溶液、用透光性陶瓷粘合剂粘结荧光体粒子层。根据该方法,荧光体分散液、含有陶瓷前体的溶液在保存时进行凝胶化的可能性小。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-314142号公报
专利文献2:日本特开2004-153109号公报
专利文献3:日本特开2006-339581号公报
专利文献4:国际公开第2012/023425号
发明内容
发明要解决的课题
但是,不含有粘结剂成分的荧光体分散液的粘度低,荧光体粒子容易经时地沉降。因此,在专利文献4的技术中,在溶剂中添加荧光体粒子及层状粘土矿物粒子、将它们用比较高的剪切力进行搅拌·混合。由此,荧光体粒子及层状粘土矿物粒子均匀地被分散,荧光体粒子变得难以沉降。但是,以高剪切力进行搅拌时,存在荧光体粒子进行微粉化而不能从荧光体分散液的涂膜得到充分的荧光这样的问题。
本发明是鉴于上述的课题而完成的发明。本发明的目的在于提供制造不使荧光体粒子劣化、荧光体粒子难以沉降的荧光体分散液的方法。
用于解决课题的手段
本发明的第1,涉及以下的荧光体分散液的制造方法。
[1]一种荧光体分散液的制造方法,其为含有荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的荧光体分散液的制造方法,其具有如下工序:将层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂进行混合,制备粘度为50~500mPa·s的第1分散液的工序;在上述第1分散液中混合荧光体粒子的工序。
[2]如[1]所述的荧光体分散液的制造方法,其中,分别用不同的装置进行以下的混合:制备上述第1分散液的工序中的上述层状粘土矿物粒子、上述氧化物微粒及上述溶剂的混合、和混合上述荧光体粒子的工序中的上述第1分散液及上述荧光体粒子的混合。
[3]如[1]或[2]所述的荧光体分散液的制造方法,其中,用选自由自转·公转式搅拌机、振动式搅拌机、翻倒旋转型搅拌机、容器旋转型混合机及振荡机组成的组中的任一种装置进行上述第1分散液和上述荧光体粒子的混合。
[4]如[1]~[3]的任一项所述的荧光体分散液的制造方法,其中,上述溶剂为脂肪族醇类。
[5]如[1]~[4]的任一项所述的荧光体分散液的制造方法,其中,上述层状粘土矿物粒子为溶胀性粘土矿物粒子。
[6]如[1]~[5]中任一项所述的荧光体分散液的制造方法,其中,上述荧光体分散液的粘度为80~1000mPa·s。
[7]如[3]所述的荧光体分散液的制造方法,其中,还具有将上述第1分散液的制备工序中制备的第1分散液收容于输送用容器的工序,上述输送用容器可以安装于上述第1分散液和上述荧光体粒子的混合用的装置,将混合上述荧光体粒子的工序中的上述第1分散液和上述荧光体粒子的混合在上述输送用容器内进行。
本发明的第2涉及以下的LED装置的制造方法。
[8]一种LED装置的制造方法,其包含以下工序:用上述的[1]~[7]的任一项所述的制造方法制备荧光体分散液的工序;在LED元件上涂布上述荧光体分散液、形成荧光体层的工序;在上述荧光体层上涂布含有透光性陶瓷材料及溶剂的透光性陶瓷材料组合物的工序;使上述透光性陶瓷材料固化、形成用透光性陶瓷粘结了上述荧光体层的波长转换部的工序。
[9]如[8]所述的LED装置的制造方法,其中,上述透光性陶瓷材料为聚硅氧烷。
[10]如[8]或[9]所述的LED装置的制造方法,其具有在上述波长转换部上涂布含有透明树脂的透明树脂层用组合物、形成透明树脂层的工序。
发明的效果
根据本发明的制造方法,可以均匀地分散层状粘土矿物、荧光体粒子,在得到的荧光体分散液中,荧光体粒子难以沉降。另一方面,在荧光体分散液的制备时,可以减少施加于荧光体粒子的剪切力,可以抑制荧光体分散液制备时的荧光体粒子的劣化。
附图说明
图1是表示用本发明的制造方法得到的LED装置的一例的概略剖面图。
图2是表示用本发明的制造方法得到的LED装置的其它例的概略剖面图。
图3是表示涂布在本发明中得到的荧光体分散液的喷射装置的例子的概略剖面图。
具体实施方式
1.荧光体分散液的制造方法
在本发明的制造方法中,制备含有荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的荧光体分散液。在本发明的制造方法中,将荧光体粒子以外的成分先混合、然后混合荧光体粒子。具体而言,用以下的2个工序来制备荧光体分散液。
(1)将层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂进行混合、制备第1分散液的工序
(2)在第1分散液中混合荧光体粒子的工序
予以说明,在本发明的制造方法中,也根据需要可以在第1分散液的制备工序后、在荧光体粒子的混合前进行将第1分散液收容于输送用容器的工序。
在以往的荧光体分散液的制备方法中,将完全混合了荧光体粒子或层状粘土矿物粒子、溶剂等的液体进行搅拌·混合。此时,搅拌·混合不充分时,荧光体粒子或层状粘土矿物粒子的分散变得不均匀,荧光体粒子经时地沉降。其另一方面,施加高剪切力而使各粒子均匀地分散时,存在荧光体粒子微粉化、难以由其涂膜来得到充分的荧光这样的问题。
与此相对,在本申请发明中,将荧光体分散液的制造工序分成2个。即,将荧光体以外的材料(层状粘土化合物、氧化物微粒及溶剂)的混合液进行混合、制备第1分散液。在混合液中不含有荧光体粒子。因此,可以施加高剪切力而混合各成分,可以制备均匀地分散了层状粘土矿物粒子、氧化物微粒的第1分散液。
在该第1分散液中,进一步混合荧光体粒子。荧光体粒子与层状粘土矿物粒子具有亲和性。因此,在均匀地分散了层状粘土矿物粒子的第1分散液中混合荧光体粒子时,荧光体粒子被拉到层状粘土矿物粒子,荧光体粒子均匀地分散。即,即使不施加高剪切力,也可以制备荧光体粒子均匀地分散了的荧光体分散液。另外,在得到的荧光体分散液中,均匀地分散有层状粘土矿物粒子及荧光体粒子,即使长期间保存,荧光体粒子也难以沉降。
(1)第1分散液制备工序
在第1分散液制备工序中,将层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂进行混合、制备第1分散液。
·对于层状粘土矿物粒子
所谓层状粘土矿物粒子,是由具有层状结构的粘土矿物构成的粒子。层状粘土矿物粒子呈平板状。因此,含有层状粘土矿物粒子时,得到的第1分散液、进而荧光体分散液的粘度提高。另外,层状粘土矿物粒子如上所述与荧光体粒子亲和性高。因此,在第1分散液中均匀地分散有层状粘土矿物粒子时,荧光体粒子的分散性提高。
在层状粘土矿物的例子中,含有层状硅酸盐矿物、伊毛缟石、水铝英石等。层状硅酸盐矿物优选为具有云母结构、高岭石结构、或蒙皂石结构的溶胀性粘土矿物,特别优选为具有富于溶胀性的蒙皂石结构的溶胀性粘土矿物。由于溶胀性粘土矿物粒子在荧光体含有液中形成纸房(カードハウス)结构,因此,仅在第1分散液中含有少量,粘度提高。
在层状粘土矿物的具体例子中,含有天然或合成的、水辉石、皂石、硅镁石、贝得石、蒙脱石、绿脱石、膨润土、锂藻土等的蒙皂石属粘土矿物、Na型四硅氟云母、Li型四硅氟云母、Na型氟带云母、Li型氟带云母等的溶胀性云母属粘土矿物、白云母、金云母、氟金云母、绢云母、钾四硅云母等的非溶胀性云母属粘土矿物及蛭石、高岭石、或它们的混合物。
在层状粘土矿物粒子的市售品的例子中,含有:ラポナイトXLG(英国、ラポート社制合成水辉石类似物质)、ラポナイトRD(英国、ラポート社制合成水辉石类似物质)、サーマビス(德国、ヘンケル社制合成水辉石类似物质)、スメクトンSA-1(クニミネ工业(株)制皂石类似物质)、ベンゲル(ホージュン(株)出售的天然膨润土)、クニビアF(クニミネ工业(株)出售的天然蒙脱石)、ビーガム(美国、バンダービルト社制的天然水辉石)、ダイモナイト(トピー工业(株)制的合成溶胀性云母)、ソマシフ(コープケミカル(株)制的合成溶胀性云母)、SWN(コープケミカル(株)制的合成蒙皂石)、SWF(コープケミカル(株)制的合成蒙皂石)、M-XF((株)レプコ制的白云母)、S-XF((株)レプコ制的金云母)、PDM-800(トピー工业(株)制的氟金云母)、セリサイトOC-100R(オーケム通商(株)制的绢云母)、PDM-K(G)325(トピー工业(株)制的钾四硅云母)等。
层状粘土矿物粒子,也可以为用表面铵盐等进行了改性(表面处理)的粒子。层状粘土矿物粒子的表面被改性时,第1分散液中的层状粘土矿物粒子的分散性变得良好。
层状粘土矿物粒子的平均粒径,优选为0.1~100μm,更优选为1~50μm。层状粘土矿物粒子的大小为0.1μm以上时,容易得到上述的粘度提高效果。另一方面,层状粘土矿物粒子的大小大于100μm时,有时最终得到的荧光体粒子的涂布膜的光透过性降低。层状粘土矿物粒子的大小用库特氏计数器法等来测定。
在第1分散液制备时进行混合的层状粘土矿物粒子的量,相对于第1分散液总量优选为0.1~5质量%,更优选为0.5~4质量%。层状粘土矿物粒子的浓度低于0.1质量%时,第1分散液的粘度不充分地提高。另一方面,层状粘土矿物粒子的浓度超过5质量%时,第1分散液的流动性变低,在后述的工序中,有时荧光体粒子的分散性降低。予以说明,并不是层状粘土矿物粒子的比例越增加,第1分散液的粘度越高。第1分散液的粘度由溶剂量、氧化物微粒量等与其它成分的含有比率来确定。
·对于氧化物微粒
在第1分散液中含有氧化物微粒时,第1分散液的粘度进一步提高。在氧化物微粒的例子,可列举氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化锆等。氧化物微粒的表面也可以用硅烷偶联剂、钛偶联剂进行处理。
氧化物微粒可以为多孔质状的粒子,其比表面积优选为200m2/g以上。氧化物微粒为多孔质时,由于溶剂进入多孔质的空隙部,因此第1分散液的粘度容易提高。但是,第1分散液的粘度并不是仅由氧化物微粒的量来确定,也根据氧化物微粒和溶剂的比率、层状粘土矿物粒子的量等而变化。
氧化物微粒的平均一次粒径优选为5~100nm,更优选为5~80nm,进一步优选为5~50nm。氧化物微粒的平均一次粒径为这样的范围时,第1分散液的粘度容易提高。氧化物微粒的平均一次粒径用库特氏计数器法进行测定。
在第1分散液制备时进行混合的氧化物微粒的量,相对于第1分散液的总量优选为1~40质量%,更优选为1~20质量%,进一步优选为1~10质量%。氧化物微粒的量过少时,得到的第1分散液的粘度不充分地提高。另一方面,氧化物微粒的量过多时,相对地层状粘土矿物粒子的量减少,在得到的荧光体分散液中,有可能荧光体粒子沉降、或荧光体粒子的分散性降低。
·对于溶剂
溶剂只要可以分散层状粘土矿物粒子及氧化物微粒,就没有特别限制。在溶剂的例子中,包含水、与水的相容性优异的有机溶剂、与水的相容性低的有机溶剂。从层状粘土矿物粒子、氧化物微粒的分散性、得到的第1分散液的粘度等的观点出发,溶剂特别优选为脂肪族醇类。脂肪族醇类可以为1元的脂肪族醇,另外,可以为2元以上的多元脂肪族醇。从得到的第1分散液的粘度、进而最终得到的荧光体分散液的粘度等的观点出发,特别优选将1元的脂肪族醇和多元脂肪族醇进行组合。
含有1元的脂肪族醇时,第1分散液的粘度、进而最终得到的荧光体分散液的粘度容易变低。另外,荧光体分散液的涂膜的干燥性变得良好。在1元的脂肪族醇的例子中,含有甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等。在第1分散液制备时进行混合的1元的脂肪族醇的量,相对于第1分散液总量,优选为20~60质量%,更优选为30~50质量%。
另一方面,含有多元脂肪族醇时,第1分散液的粘度、进而最终得到的荧光体分散液的粘度容易提高。多元脂肪族醇可以为二醇或三醇的任一种。多元脂肪族醇的例子可列举乙二醇、丙二醇、二甘醇、甘油、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇等,优选含有乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇等。在第1分散液制备时进行混合的多元醇的量,相对于第1分散液总量,优选为30~80质量%,更优选为45~65质量%。
在溶剂中也可以含有水。含有水时,在可以为层状粘土矿物粒子的溶胀性粘土矿物粒子的层间进入水而溶胀性粘土矿物粒子溶胀,第1分散液的粘度进一步提高。但是,在水中含有杂质时,有可能阻碍溶胀性粘土矿物粒子的溶胀。因此,在使溶胀性粘土矿物粒子溶胀的情况下,使混合的水为纯水。
在溶剂中也优选含有沸点为150℃以上的有机溶剂。含有沸点为150℃以上的有机溶剂时,最终得到的荧光体分散液的保存稳定性提高。另一方面,溶剂的沸点优选为250℃以下。溶剂的沸点超过250℃时,有可能从最终得到的荧光体分散液的涂膜中溶剂难以干燥。
在第1分散液的制备时进行混合的溶剂的总量,相对于第1分散液总量,优选为55~99质量%,更优选为75~98质量%。溶剂的总量低于55质量%时,第1分散液的粘度过高,有可能在后述的工序中不能均匀地分散荧光体粒子。另一方面,溶剂的总量超过99质量%时,相对地层状粘土矿物粒子、氧化物微粒的量变少,第1分散液的粘度不充分地提高,有可能在后述的工序中混合了的荧光体粒子沉降。
·对于第1分散液的制备
将层状粘土矿物粒子、氧化物微粒、溶剂及根据需要的其它添加剂进行混合、将它们充分地混合而得到第1分散液。在各成分的混合时,可以对混合液施加高剪切力。通过施加高剪切力,层状粘土矿物粒子、氧化物微粒的凝集粒子被破碎,层状粘土矿物粒子、氧化物微粒更均匀地被分散。混合液的搅拌时间根据混合液的量、搅拌方法而适当调整。
在一边施加剪切力、一边进行各成分的分散的方法的例子,可列举利用搅拌磨、刮刀混炼搅拌装置、薄膜回转型分散机等搅拌装置的搅拌或分散。搅拌装置的具体例子可列举:ウルトラタラックス(IKAジャパン社制)、TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、TKPIPELINE HOMO MIXER(プライミクス社制)、TKフィルミックス(プライミクス社制)、クレアミックス(エム·テクニック社制)、クレアSS5(エム·テクニック社制)、キャビトロン(ユーロテック社制)、ファインフローミル(太平洋机工社制)那样的无介质搅拌机;ビスコミル(IMEX制)、アペックスミル(寿工业社制)、スターミル(アシザワ·ファインテック社制)、DCPスーパーフロー(日本アイリッヒ社制)、エムピーミル(井上制作所社制)、スパイクミル(井上制作所社制)、マイティーミル(井上制作所社制)、SCミル(三井矿山社制)等介质搅拌机;アルティマイザー(スギノマシン社制)、ナノマイザー(吉田机械社制)、NANO3000(美粒社制)等的高压冲击式分散装置。另外,在优选的例子中,也包含超声波分散装置。
得到的第1分散液的粘度为50~500mPa·s,优选为70~250mPa·s。第1分散液的粘度低于50mPa·s时,在后述的工序中进行混合的荧光体粒子容易沉降。另一方面,粘度超过500mPa·s时,粘度过高,因此荧光体粒子难以均匀地分散。第1分散液的粘度,用混合液的搅拌(分散)时间、搅拌(分散)时的剪切力而调整。提高搅拌时的剪切力时,第1分散液的粘度容易提高。另外,一般而言,搅拌(分散)时间短时,存在第1分散液的粘度变低的倾向。上述粘度为第1分散液为25℃时的粘度,为将振动式粘度测定机VM-10A(株式会社セコニック社制)的振子浸渍于液体后1分钟后的值。
(2)第1分散液的收容工序
在第1分散液的制备工序后,将第1分散液和荧光体粒子进行混合之前,也可以将第1分散液收容于输送用容器中。在第1分散液的制备后,将第1分散液收容于输送用容器时,可以在后述的荧光体分散液的制备工序中在该容器内使荧光体粒子分散。而且,可以直接输送得到的荧光体分散液,可以减少荧光体分散液的制造损失。所谓输送用容器是指用于将最终得到的荧光体分散液保管、输送、进而纳入的容器。
输送用容器,只要是后述的荧光体分散液的制备工序中的可以安装于荧光体粒子和第1分散液的混合装置的容器,其种类就没有特别限制。容器优选为气密性高、进而对于上述的溶剂稳定的容器。容器例如可以为树脂制的瓶、金属制的罐等。另外,输送用容器的大小或形状,根据输送量等而适当选择。
第1分散液向输送用容器的收容方法没有特别限制。例如,可以为将上述的工序中得到的第1分散液供给于填充装置、由填充装置将每所期望的量注入于输送用容器的方法等。在收容于输送用容器之前,也可以过滤第1分散液。
(3)荧光体分散液的制备工序
在上述的工序中得得到的第1分散液中混合荧光体粒子、使荧光体粒子均匀地分散而得到荧光体分散液。
·对于荧光体粒子
荧光体粒子,只要是通过LED芯片射出的光激发而发出与LED芯片射出的光不同的波长的荧光的粒子即可。例如,在发出黄色的荧光的荧光体粒子的例子中,有YAG(钇·铝·石榴石)荧光体等。YAG荧光体接受蓝色LED芯片3射出的蓝色光(波长420nm~485nm)而发出黄色的荧光(波长550nm~650nm)。
荧光体粒子例如在1)具有规定的组成的混合原料中将焊剂(氟化铵等的氟化物)进行适量混合而加压、将其做成成形体。2)通过将得到的成形体装入坩埚中、在空气中在1350~1450℃的温度范围下烧成2~5小时、做成烧结体来得到。
就具有规定的组成的混合原料而言,将Y、Gd、Ce、Sm、Al、La、Ga等的氧化物、或在高温下容易成为氧化物的化合物以化学计量比充分地混合而得到。另外,就具有规定的组成的混合原料而言,1)将Y、Gd、Ce、Sm的稀土元素以化学计量比溶解于酸了的溶液和草酸进行混合,得到共沉氧化物。2)将该共沉氧化物和氧化铝或氧化镓进行混合,也可得到。
荧光体的种类并不限定于YAG荧光体,可以为例如不含有Ce的非石榴石系荧光体等、其它荧光体。
荧光体粒子的平均粒径优选为1μm~50μm,更优选为10μm以下。荧光体粒子的粒径越大,发光效率(波长转换效率)越高。另一方面,荧光体粒子的粒径过大时,在得到的荧光体分散液的涂膜中,在荧光体粒子彼此之间产生的间隙变大。由此,有时得到的荧光体粒子层的强度降低。荧光体粒子的平均粒径可以通过例如库特氏计数器法进行测定。
在荧光体分散液中进行混合的荧光体粒子的量,相对于荧光体分散液的固体成分总质量,优选为10~99质量%,更优选为20~97质量%。荧光体粒子的浓度低于10质量%时,有可能由得到的荧光体分散液的涂膜不能充分地得到荧光。另一方面,荧光体粒子的量超过99质量%时,相对地层状粘土矿物粒子的量、氧化物微粒的量变少,有时荧光体粒子在荧光体分散液内沉降。
·对于荧光体分散液的制备
荧光体粒子的分散,优选对第1分散液和荧光体粒子的混合液不施加高剪切力而进行。对混合液施加高剪切力时,有可能荧光体粒子进行微粉化、不能从荧光体分散液的涂膜中得到充分的荧光。如上所述,在本发明的制造方法中,在第1分散液中层状粘土矿物粒子均匀地被分散。因此,即使不施加高剪切力,也通过层状粘土矿物粒子和荧光体粒子的亲和性,荧光体粒子容易均匀地被分散。另外,在荧光体分散液中,通过层状粘土矿物粒子及荧光体粒子均匀地被分散,荧光体粒子难以沉降。
荧光体粒子的分散,优选用荧光体粒子和搅拌机的搅拌翼、搅拌用介质不接触的方法来进行。即,所谓上述的第1分散液制备工序中的各成分的混合装置,优选用不同的装置进行荧光体粒子的分散。
另外,荧光体粒子的分散,优选在收容了第1分散液的输送用容器内进行。在进行荧光体粒子的分散的装置的例子中,可以用自转·公转式搅拌机、振动式搅拌机、翻倒旋转型搅拌机、容器旋转型混合机、振荡机等来进行。在搅拌装置的具体例子中,含有自转·公转式搅拌机:あわとり練太郎(シンキー社制)、振动式搅拌机:ロッキングシェーカー(セイワ技研社制)、ロッキングミル(セイワ技研社制)、翻倒旋转型搅拌机:ミックスローター(アズワン社制)、容器旋转型混合机:V型ブレンダー(西村机械制作所社制)、ロッキングミキサー(爱知电气社制)、振荡机:シェイキングインキュベーター(アズワン社制)等。
荧光体粒子的分散时间优选为1~30分钟,更优选为5~15分钟。荧光体粒子的分散时间过长时,有可能荧光体粒子劣化。另一方面,荧光体粒子的分散时间过短时,有可能荧光体粒子不均匀地分散。
得到的荧光体分散液的粘度,可根据荧光体分散液的涂布方法而适当选择,通常优选为80~1000mPa·s,更优选为200~450mPa·s。荧光体分散液的粘度低于80mPa·s时,在荧光体分散液保存中荧光体粒子容易沉降。另一方面,粘度超过1000mPa·s时,由于荧光体分散液的粘度过高,因此有时荧光体分散液的涂布变得困难。荧光体分散液的粘度,根据用于使荧光体粒子分散的搅拌时间、分散时的剪切力等而调整。上述粘度为荧光体分散液为25℃的粘度,为将振动式粘度测定机VM-10A(株式会社セコニック社制)的振子浸渍于液体后1分钟后的值。
2.LED装置
上述的荧光体分散液,适于LED装置的波长转换部的形成。使用上述荧光体分散液而形成的LED装置,具有射出特定波长的光的LED元件;和在上述LED元件上形成、将来自上述LED元件的光转换为其它的特定波长的光的波长转换部。在波长转换部上,也可以形成透明树脂层等任意的层。图1及图2为表示LED装置100的例子的剖面图。图1中所示的LED装置,具有:具有LED芯片3的LED元件、在LED芯片上形成了的波长转换部6和透明树脂层7。
(1)LED元件
图1中所示的LED装置100,具有封装(LED基板)1、金属部2、LED芯片3和连接金属部2及LED芯片3的配线4。
封装1例如可以为液晶聚合物、陶瓷,但只要具有绝缘性和耐热性,其材质就没有特别限定。另外,其形状也没有特别限制,例如如图1中所示可以为凹状,如图2中所示可以为平板状。
LED芯片3的发光波长没有特别限制。LED芯片3例如可以发出蓝色光(420nm~485nm左右的光),也可以发出紫外光。
LED芯片3的构成没有特别限制。在LED芯片3的发光色为蓝色的情况下,LED芯片3可以为n-GaN系化合物半导体层(包覆层)、InGaN系化合物半导体层(发光层)、p-GaN系化合物半导体层(包覆层)和透明电极层的层叠体。LED芯片3可以为具有例如200~300μm×200~300μm的发光面的LED芯片。LED芯片3的高度通常为50~200μm左右。
金属部2可以为由银等的金属构成的配线。在LED装置100中,金属部2可以作为将来自LED芯片3的射出光等进行反射的反射板起作用。金属部2及LED芯片3,如图1中所示,可以经由配线4而连接,如图2所示,也可以经由突起电极5而连接。将金属部2及LED芯片3经由配线4而连接的方式称为引线接合型,将经由突起电极5而连接的方式称为倒装芯片型。
在图1及图2中所示的LED装置100中,在封装1中仅配置1个LED芯片3;但在封装1中可以配置多个LED芯片3。
(2)波长转换部
波长转换部6为用透光性陶瓷粘结了荧光体粒子的层。波长转换部6接受LED芯片3射出的特定波长的光(激发光)而发出其它特定波长的光(荧光)。通过激发光和荧光混杂,来自LED装置100的光成为所期望的光。例如,LED芯片3射出的光为蓝色、波长转换部6中所含的荧光体粒子发出的荧光为黄色、橙色时,来自LED装置100的光成为白色。
波长转换部6,只要覆盖LED芯片3的发光面即可,也可以没有完全覆盖封装1、金属部2、配线4等。波长转换部6的厚度没有特别限制,通常优选为15~300μm,更优选为30~200μm。波长转换部6的厚度过厚时,有可能在波长转换部6中产生裂缝。另一方面,波长转换部6的厚度过薄时,在波长转换部6内不充分地含有荧光体粒子,有可能不能得到充分的荧光。所谓波长转换部6的厚度,是指在LED芯片3的发光面上形成了的波长转换部6的最大厚度。波长转换部6的厚度用激光全息测微计进行测定。
(3)透明树脂层
透明树脂层7,以覆盖波长转换部6地形成。透明树脂层7,保护LED元件或波长转换部6免受外部的冲击、气体等。另外,具有波长转换部6时,光取出效率也容易提高。透明树脂层为含有透明树脂、对于可见光的透过性高的层。
在透明树脂的例子中,含有环氧改性有机硅树脂、醇酸改性有机硅树脂、丙烯酸类改性有机硅树脂、聚酯改性有机硅树脂、苯基有机硅树脂等的有机硅树脂;环氧树脂;丙烯酸类树脂;甲基丙烯酸类树脂;氨基甲酸酯树脂等的透明树脂等。特别优选为苯基有机硅树脂。透明树脂为苯基有机硅树脂时,LED装置的耐湿性提高。
透明树脂层7的厚度没有特别限制,通常优选为25μm~5mm,进一步优选为1~3mm。一般而言,难以使透明树脂层7的厚度为25μm。另一方面,从LED装置的小型化的观点出发,透明树脂层7的厚度优选为5mm以下。
3.LED装置的制造方法
在制造上述的LED装置的方法中,含有以下的6个工序。
1)用上述的方法制备荧光体分散液的工序
2)准备LED元件的工序
3)涂布上述的荧光体分散液、形成荧光体粒子层的工序
4)在荧光体粒子层上涂布含有透光性陶瓷材料及溶剂的透光性陶瓷材料组合物的工序
5)使透光性陶瓷材料固化的工序
6)涂布含有透明树脂的透明树脂层用组合物、形成透明树脂层的工序。
在本发明的制造方法中,在LED元件上涂布上述的荧光体分散液、形成荧光体层。在荧光体层上涂布透光性陶瓷材料组合物、使透光性陶瓷材料固化,由此用透光性陶瓷材料粘结荧光体层。
在用上述的方法制备了的荧光体分散液中,荧光体粒子难以沉降,容易维持均匀的分散状态。因此,即使在涂布装置的涂布液罐等中长时间积存,荧光体分散液中的荧光体粒子也均匀地分散。其结果,在涂布操作初期和终期,涂布于LED元件的荧光体分散液中的荧光体的浓度成为一定。进而,在用上述的方法制备了的荧光体分散液中,荧光体粒子不劣化。因此,可得到具有所期望的色度的照射光的LED装置。
1)荧光体分散液准备工序
上述的方法:即,将荧光体粒子以外的成分(层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂)进行混合而制备第1分散液、在该第1分散液中混合荧光体粒子而制备荧光体分散液。
2)LED元件准备工序
在LED元件准备工序中,准备上述的LED元件。例如,可以为将形成于封装的金属部和LED芯片进行电连接、将LED芯片固定于封装的工序等。
3)荧光体分散液涂布工序
以覆盖上述的LED元件的金属部(金属配线)、及LED芯片的发光面地涂布上述的荧光体分散液,在LED元件上形成荧光体粒子层。
以覆盖LED芯片的发光面地涂布荧光体分散液。涂布的手段没有特别限制。在荧光体分散液的涂布方法的例子中,包含棒涂法、旋涂法、喷涂法、分配法、喷射分配法等的以往公知的方法。通过后述的喷射涂布装置等来涂布荧光体分散液时,可以将荧光体粒子层的厚度变薄。
含荧光的组合物的涂布量,根据荧光体粒子层的厚度而适当调整。荧光体粒子层的厚度,优选设为15~300μm,更优选设为30~200μm。荧光体粒子层的厚度低于15μm时,荧光体粒子量变少,有可能得不到充分的荧光。另一方面,荧光体粒子层的厚度超过300μm时,荧光体粒子层中的荧光体粒子的浓度过度降低,因此有可能荧光体粒子的浓度不能变得均匀。所谓荧光体粒子层的厚度,是指在LED芯片的发光面上形成了的荧光体粒子层的最大厚度。荧光体粒子层的厚度用激光全息测微计来测定。
优选在荧光体分散液的涂布后使荧光体分散液中的溶剂干燥。使荧光体分散液中的溶剂干燥时的温度通常为20~200℃,优选为25~150℃。当低于20℃时,有可能溶剂不充分地挥发。另一方面,当超过200℃时,有可能对LED芯片造成不良影响。另外,就干燥时间而言,从制造效率的方面考虑,通常为0.1~30分钟,优选为0.1~15分钟。
·荧光体分散液的喷射涂布装置
喷射涂布装置优选具有:积存荧光体分散液的涂布液罐、具有用于将涂布液排出的喷嘴的头、和使涂布液罐和喷嘴连通的连结管。图3中示出用于将涂布液进行涂布的喷射涂布装置的概要。
在图3中所示的涂布装置200中的涂布液罐210中,投入荧光体分散液。图3中所示的涂布装置200中的涂布液罐210内的荧光体分散液220,被施加压力,通过连结管230而供给至头240。供给至头240的荧光体分散液220从喷嘴250排出,涂布于涂布对象物(LED芯片3)。在喷射涂布装置的情况下,来自喷嘴250的涂布液270的排出通过风压而进行。也可以形成为以下构成:在喷嘴250的前端设置开闭自由的开口部而开闭操作该开口部来控制排出操作的开关。
在荧光体分散液的涂布工序中,进行下述(1)~(9)的操作、条件设定等。
(1)基本上将喷嘴250的前端部配置在LED芯片3的正上,从LED芯片3的正上喷射荧光体分散液220。根据LED芯片3的形状,可以从LED芯片3的正上喷射荧光体分散液220、或从LED芯片3的斜上方喷射。通过从斜上方喷射,可以在LED芯片3的整个面上适当地涂布荧光体分散液220。这样,优选对LED芯片3的侧面也均匀地涂布荧光体分散液220。
(2)荧光体分散液220的喷射量设为一定,将每单位面积的荧光体量设为一定。荧光体分散液220的喷射量的经时的偏差为10%以内,优选为1%以内。
(3)调整喷嘴250的温度、调整荧光体分散液220的喷射时的粘度。优选将荧光体分散液220的温度调整为40℃以下,或根据荧光体分散液220的粘度来进行调整。该情况下,可以将LED元件的LED基板(封装)1置于室温环境下,也可以在移动台设置温度调整机构而控制LED元件的LED基板1的温度。如果将LED基板1的温度在30~100℃下高地设定,则可以使向LED基板1喷射了的荧光体分散液220中的有机溶剂快地挥发、可以防止荧光体分散液220从LED基板1中滴下。相反,如果将LED基板1的温度低地设定为5~20℃,则可以使溶剂缓慢地挥发、可以沿LED芯片3的外壁均匀地涂布荧光体分散液220。进而可以提高荧光体粒子层的膜密度、膜强度等、可以形成致密的膜。
(4)使涂布装置200的环境气氛(温度、湿度)为一定、使荧光体分散液220的喷射稳定。
(5)也可以在涂布装置200和LED元件之间配置与LED芯片3的形状相应的掩模、经由该掩模而喷射荧光体分散液220。掩模需要使用在构成荧光体分散液220的溶剂中不溶解的材质的掩模,从附着于掩模的荧光体等的材料的回收的观点出发,优选使用可燃性的掩模。
(6)荧光体分散液220向1个LED元件的喷射·涂布后,对以下的LED元件重复与上述同样的操作,在多个LED元件的LED芯片3上依次喷射·涂布荧光体分散液220。该情况下,可以与LED元件的更换无关地连续地持续喷射荧光体分散液220,也可以每更换LED元件来暂时停止荧光体分散液220的喷射来间断地喷射荧光体分散液220。如果连续地持续喷射荧光体分散液220,则可以使荧光体分散液220对于各LED元件的喷射量稳定。如果间断地喷射荧光体分散液220,则可以节约荧光体分散液220的使用量。
(7)喷射·涂布工序中,也可以每荧光体分散液220向一定数的LED元件的喷射、涂布结束,实际检查白色光的色度、亮度,将其检查结果反馈到荧光体分散液220的喷射量、喷射压、喷射温度等。
(8)喷射·涂布工序中,可以清洁喷嘴250。该情况下,在喷射装置200的附近设置积存了洗涤液的清洁罐,在荧光体分散液220的喷射的停止中、白色光的色度·亮度的检查中等中,使喷嘴250的前端部浸渍于清洁罐中、防止喷嘴250的前端部的干燥。另外,在喷射·涂布工序的停止中,有可能荧光体分散液220固化而堵塞喷嘴250的喷射孔,因此优选使喷嘴250浸渍于清洁罐中、或在喷射、涂布工序的开始时清洁喷嘴250。
(9)在喷射·涂布工序中,为了以雾状喷射荧光体分散液220,荧光体分散液220中的有机溶剂挥发时,有时荧光体粒子、氧化物微粒等粉体飞散。因此,优选用外壳等被覆涂布装置200的整体而通过过滤器来进行集尘·排气,且实行喷射·涂布工序、检查工序的处理。如果用过滤器捕集荧光体粒子,则可以将高价的荧光体粒子进行再利用。
4)透光性陶瓷材料组合物的涂布工序
以覆盖上述的荧光体粒子层地涂布透光性陶瓷材料组合物。透光性陶瓷材料组合物进入荧光体粒子层内的空隙、填埋荧光体粒子层中所含的荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒等的间隙。
在透光性陶瓷材料组合物中含有透光性陶瓷材料及溶剂,根据需要含有无机粒子等。
·对于透光性陶瓷材料
透光性陶瓷材料可以为通过溶胶-凝胶反应而成为透光性陶瓷(优选玻璃陶瓷)的化合物。在透光性陶瓷材料的例子中,含有金属醇盐、乙酰丙酮合金属、金属羧酸盐、聚硅氮烷低聚物等,从反应性良好的观点出发,优选为金属醇盐。
金属醇盐可以为各种金属的醇盐,但从得到的透光性陶瓷的稳定性及制造容易性的观点出发,优选为烷氧基硅烷、芳氧基硅烷。
烷氧基硅烷、芳氧基硅烷可以为四乙氧基硅烷等的单分子化合物(单体),但优选为聚硅氧烷(低聚物)。聚硅氧烷为硅烷化合物以链状或环状进行了硅氧烷键合了的化合物。聚硅氧烷的制备方法进行后述。
聚硅氧烷的质均分子量优选为1000~3000,更优选为1200~2700,进一步优选为1500~2000。聚硅氧烷的质均分子量低于1000时,有可能透光性陶瓷材料组合物的粘度过低。另一方面,质均分子量超过3000时,透光性陶瓷材料组合物的粘度提高,有时透光性陶瓷材料组合物的涂布变得困难。质均分子量为用凝胶渗透色谱法测定的值(聚苯乙烯换算)。
在透光性陶瓷材料为聚硅氧烷的情况下,透光性陶瓷材料组合物中所含的聚硅氧烷的量,相对于透光性陶瓷材料组合物总质量,优选为1~40质量%,更优选为2~30质量%。聚硅氧烷的量低于1质量%时,有可能聚硅氧烷的固化物不能充分地粘结荧光体粒子等。另一方面,聚硅氧烷的量超过40质量%时,透光性陶瓷材料组合物的粘度过度变高,有时透光性陶瓷材料组合物的涂布变得困难。
·对于溶剂
在透光性陶瓷材料组合物中可含有溶剂。溶剂只要是可以将上述的透光性陶瓷材料溶解或均匀地分散的溶剂即可。在溶剂的例子中,含有甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇等的一元的脂肪族醇;甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯等的烷基羧酸酯;乙二醇、二甘醇、丙二醇、甘油、三羟甲基丙烷、己三醇等的多元脂肪族醇;乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丙醚、二甘醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚等的多元脂肪族醇的单醚类、或者它们的单乙酸酯类;乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚等的将多元脂肪族醇的羟基全部进行了烷基醚化了的多元醇醚类;醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯等的酯类;丙酮、甲基乙基酮、甲基异戊基酮等的酮类等。在透光性陶瓷材料组合物中,可以仅含有1种溶剂,也可以含有2种以上。
在溶剂中优选含有水。水的量,相对于透光性陶瓷材料组合物总质量,优选为3~15质量%,更优选为5~10质量%。透光性陶瓷材料为聚硅氧烷的情况下,水的含量相对于聚硅氧烷100质量份优选为10~120质量份,更优选为80~100质量份。透光性陶瓷材料组合物中所含的水的量过少时,有时在透光性陶瓷材料涂布后不能充分地水解聚硅氧烷。另一方面,透光性陶瓷材料组合物中所含的水的量过量时,有可能在透光性陶瓷材料组合物的保存中产生水解等、透光性陶瓷材料组合物进行凝胶化。
在溶剂中也优选含有沸点为150℃以上的有机溶剂(例如乙二醇或丙二醇等)。含有沸点为150℃以上的有机溶剂时,透光性陶瓷材料组合物的保存稳定性提高。另外,由于在涂布装置内溶剂难以挥发,因此,可以由涂布装置稳定地涂布透光性陶瓷材料组合物。
另一方面,在透光性陶瓷材料组合物中所含的溶剂的沸点优选为250℃以下。溶剂的沸点超过250℃时,有可能在透光性陶瓷材料组合物的干燥中花费时间、或溶剂不充分地干燥。
·对于无机粒子
在透光性陶瓷材料组合物中,也可以含有无机粒子。在透光性陶瓷材料组合物中含有无机粒子时,透光性陶瓷材料组合物进行固化时,在膜中产生的应力得以缓和,在波长转换部难以产生裂缝。
无机粒子的种类没有特别限制,无机粒子的折射率优选比透光性陶瓷材料(聚硅氧烷、聚硅氮烷等)的折射率高。在透光性陶瓷材料组合物中含有折射率高的无机粒子时,得到的波长转换部的折射率提高。一般而言,LED元件(LED芯片)的折射率与透光性陶瓷材料相比相当高。因此,波长转换部的折射率提高时,LED元件和波长转换部的折射率差变小,在LED元件和波长转换部的界面的光的反射变少。即,LED装置的光取出效率提高。
无机粒子优选为多孔质状的粒子,其比表面积优选为200m2/g以上。无机粒子为多孔质时,溶剂进入多孔质的空隙部、透光性陶瓷材料组合物的粘度提高。但是,透光性陶瓷材料组合物的粘度并不仅由无机粒子的量决定,也根据无机粒子和溶剂的比率、或其它成分的量等而变化。
无机粒子的平均一次粒径优选为5~100nm,更优选为5~80nm,进一步优选为5~50nm。无机粒子的平均一次粒径为100nm以下时,容易进入在上述的2)工序中形成了的荧光体粒子层的荧光体粒子彼此的间隙。另外,无机粒子的平均一次粒径为5nm以上时,容易得到上述的裂缝抑制效果、折射率提高效果。无机粒子的平均一次粒径用库特氏计数器法进行测定。
在无机粒子的例子中,含有氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氧化铌及氧化锌等。其中,从折射率高的方面考虑,无机粒子优选为氧化锆微粒。在透光性陶瓷材料组合物中,可以仅含有1种无机粒子,也可以含有2种以上。
无机粒子的表面也可以用硅烷偶联剂、钛偶联剂进行处理。被表面处理了的无机粒子容易均匀地分散于透光性陶瓷材料组合物。
透光性陶瓷材料组合物中的无机粒子的量,相对于透光性陶瓷材料组合物的固体成分总量,优选为10~60质量%,更优选为15~45质量%,进一步优选为20~30质量%。无机粒子的量过少时,上述的裂缝抑制效果不提高,折射率提高效果也不充分。另一方面,无机粒子的量过多时,相对地透光性陶瓷材料(粘合剂)的量减少,有可能透明陶瓷引起的荧光体粒子的粘结变得不充分,或波长转换部的强度降低。
·对于透光性陶瓷材料组合物的涂布
透光性陶瓷材料组合物的涂布方法没有特别限制。例如,可以为刮刀涂布、旋涂涂布、分配器涂布、喷射涂布等,根据喷射涂布,可以将厚度薄的波长转换部进行成膜。喷射涂布装置可以与上述的荧光体分散液的涂布中使用的喷射涂布装置同样。
就透光性陶瓷材料组合物的涂布量而言,设为可充分地将荧光体粒子层中所含的荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒等粘结的量。透光性陶瓷材料组合物的涂布量过少时,不能充分地粘结荧光体粒子,有可能波长转换部的强度变低。
·聚硅氧烷(透光性陶瓷材料)的制备方法
作为在透光性陶瓷材料用组合物中进添加的透光性陶瓷材料的聚硅氧烷,是将烷氧基硅烷化合物或芳氧基硅烷化合物进行聚合而得到的。烷氧基硅烷化合物或芳氧基硅烷化合物例如由以下的通式(II)表示。
Si(OR)nY4-n  (II)
通式(II)中,n表示烷氧基或芳氧基(OR)的数,为2以上且4以下的整数。另外,R分别独立地表示烷基或苯基,优选为碳数1~5的烷基或苯基。
上述通式(II)式中,Y表示氢原子或1价的有机基团。在Y表示的1价的有机基团的具体例子中,含有碳数为1~1000、优选500以下、更优选100以下、进一步优选50以下、特别优选6以下的脂肪族基团、脂环族基团、芳香族基团、脂环芳香族基团。这些1价的有机基团可以为脂肪族基团、脂环族基团、芳香族基团及脂环芳香族基团经由连接基团而键合了的基团。连接基团可以为O、N、S等的原子或含有它们的原子团。另外,由Y表示的1价的有机基团,也可以具有取代基。在取代基的例子中,例如含有F、Cl、Br、I等的卤原子;乙烯基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、苯乙烯基、巯基、环氧基、环氧基环己基、环氧丙氧基、氨基、氰基、硝基、磺酸基、羧基、羟基、酰基、烷氧基、亚氨基、苯基等的有机官能团等。
在通式(II)中,由Y表示的基团特别优选为甲基。Y为甲基时,波长转换部的耐光性及耐热性变得良好。
在由上述通式(II)表示的烷氧基硅烷或芳氧基硅烷中,含有以下的4官能的硅烷化合物、3官能的硅烷化合物、2官能的硅烷化合物。
在4官能的硅烷化合物的例子中,含有四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷、四戊氧基硅烷、四苯氧基硅烷、三甲氧基单乙氧基硅烷、二甲氧基二乙氧基硅烷、三乙氧基单甲氧基硅烷、三甲氧基单丙氧基硅烷、单甲氧基三丁氧基硅烷、单甲氧基三戊氧基硅烷、单甲氧基三苯氧基硅烷、二甲氧基二丙氧基硅烷、三丙氧基单甲氧基硅烷、三甲氧基单丁氧基硅烷、二甲氧基二丁氧基硅烷、三乙氧基单丙氧基硅烷、二乙氧基二丙氧基硅烷、三丁氧基单丙氧基硅烷、二甲氧基单乙氧基单丁氧基硅烷、二乙氧基单甲氧基单丁氧基硅烷、二乙氧基单丙氧基单丁氧基硅烷、二丙氧基单甲氧基单乙氧基硅烷、二丙氧基单甲氧基单丁氧基硅烷、二丙氧基单乙氧基单丁氧基硅烷、二丁氧基单甲氧基单乙氧基硅烷、二丁氧基单乙氧基单丙氧基硅烷、单甲氧基单乙氧基单丙氧基单丁氧基硅烷等的四烷氧基硅烷、四芳氧基硅烷等。其中优选为四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷。
在3官能的硅烷化合物的例子中,含有三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、三戊氧基硅烷、三苯氧基硅烷、二甲氧基单乙氧基硅烷、二乙氧基单甲氧基硅烷、二丙氧基单甲氧基硅烷、二丙氧基单乙氧基硅烷、二戊氧基单甲氧基硅烷、二戊氧基单乙氧基硅烷、二戊氧基单丙氧基硅烷、二苯氧基单甲氧基硅烷、二苯氧基单乙氧基硅烷、二苯氧基单丙氧基硅烷、甲氧基乙氧基丙氧基硅烷、单丙氧基二甲氧基硅烷、单丙氧基二乙氧基硅烷、单丁氧基二甲氧基硅烷、单戊氧基二乙氧基硅烷、单苯氧基二乙氧基硅烷等单氢硅烷化合物;甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三戊氧基硅烷、甲基单甲氧基二乙氧基硅烷、甲基单甲氧基二丙氧基硅烷、甲基单甲氧基二戊氧基硅烷、甲基单甲氧基二苯氧基硅烷、甲基甲氧基乙氧基丙氧基硅烷、甲基单甲氧基单乙氧基单丁氧基硅烷等单甲基硅烷化合物;乙基三甲氧基硅烷、乙基三丙氧基硅烷、乙基三戊氧基硅烷、乙基三苯氧基硅烷、乙基单甲氧基二乙氧基硅烷、乙基单甲氧基二丙氧基硅烷、乙基单甲氧基二戊氧基硅烷、乙基单甲氧基二苯氧基硅烷、乙基单甲氧基单乙氧基单丁氧基硅烷等单乙基硅烷化合物;丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丙基三戊氧基硅烷、丙基三苯氧基硅烷、丙基单甲氧基二乙氧基硅烷、丙基单甲氧基二丙氧基硅烷、丙基单甲氧基二戊氧基硅烷、丙基单甲氧基二苯氧基硅烷、丙基甲氧基乙氧基丙氧基硅烷、丙基单甲氧基单乙氧基单丁氧基硅烷等单丙基硅烷化合物;丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、丁基三丙氧基硅烷、丁基三戊氧基硅烷、丁基三苯氧基硅烷、丁基单甲氧基二乙氧基硅烷、丁基单甲氧基二丙氧基硅烷、丁基单甲氧基二戊氧基硅烷、丁基单甲氧基二苯氧基硅烷、丁基甲氧基乙氧基丙氧基硅烷、丁基单甲氧基单乙氧基单丁氧基硅烷等单丁基硅烷化合物。其中,更优选为甲基三甲氧基硅烷及甲基三乙氧基硅烷,进一步优选为甲基三甲氧基硅烷。
在2官能的硅烷化合物的具体例子中,含有二甲氧基硅烷、二乙氧基硅烷、二丙氧基硅烷、二戊氧基硅烷、二苯氧基硅烷、甲氧基乙氧基硅烷、甲氧基丙氧基硅烷、甲氧基戊氧基硅烷、甲氧基苯氧基硅烷、乙氧基丙氧基硅烷、乙氧基戊氧基硅烷、乙氧基苯氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、甲基甲氧基乙氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、甲基甲氧基丙氧基硅烷、甲基甲氧基戊氧基硅烷、甲基甲氧基苯氧基硅烷、乙基二丙氧基硅烷、乙基甲氧基丙氧基硅烷、乙基二戊氧基硅烷、乙基二苯氧基硅烷、丙基二甲氧基硅烷、丙基甲氧基乙氧基硅烷、丙基乙氧基丙氧基硅烷、丙基二乙氧基硅烷、丙基二戊氧基硅烷、丙基二苯氧基硅烷、丁基二甲氧基硅烷、丁基甲氧基乙氧基硅烷、丁基二乙氧基硅烷、丁基乙氧基丙氧基硅烷、丁基二丙氧基硅烷、丁基甲基二戊氧基硅烷、丁基甲基二苯氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基甲氧基乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二戊氧基硅烷、二甲基二苯氧基硅烷、二甲基乙氧基丙氧基硅烷、二甲基二丙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基甲氧基丙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基乙氧基丙氧基硅烷、二丙基二甲氧基硅烷、二丙基二乙氧基硅烷、二丙基二戊氧基硅烷、二丙基二苯氧基硅烷、二丁基二甲氧基硅烷、二丁基二乙氧基硅烷、二丁基二丙氧基硅烷、二丁基甲氧基戊氧基硅烷、二丁基甲氧基苯氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、甲基乙基二乙氧基硅烷、甲基乙基二丙氧基硅烷、甲基乙基二戊氧基硅烷、甲基乙基二苯氧基硅烷、甲基丙基二甲氧基硅烷、甲基丙基二乙氧基硅烷、甲基丁基二甲氧基硅烷、甲基丁基二乙氧基硅烷、甲基丁基二丙氧基硅烷、甲基乙基乙氧基丙氧基硅烷、乙基丙基二甲氧基硅烷、乙基丙基甲氧基乙氧基硅烷、二丙基二甲氧基硅烷、二丙基甲氧基乙氧基硅烷、丙基丁基二甲氧基硅烷、丙基丁基二乙氧基硅烷、二丁基甲氧基乙氧基硅烷、二丁基甲氧基丙氧基硅烷、二丁基乙氧基丙氧基硅烷等。其中优选为二甲氧基硅烷、二乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷。
就聚硅氧烷而言,可用将上述硅烷化合物在酸催化剂、水、有机溶剂的存在下水解、进行缩合反应的方法来制备。聚硅氧烷的质均分子量,可以根据反应条件(特是反应时间)等来调整。
此时,也可以将4官能硅烷化合物和3官能硅烷化合物或2官能硅烷化合物以所期望的摩尔比率预先混合、无规地进行聚合。另外,也可以使3官能硅烷化合物或2官能硅烷化合物单独地某种程度上进行聚合而成为低聚物后、使该低聚物仅与4官能硅烷化合物进行聚合等而形成嵌段共聚物。
聚硅氧烷的制备用的酸催化剂,特别优选为由下述通式(I I I)表示的有机磺酸。
R8-SO3H…(III)
上述通式(III)中,由R8表示的烃基为直链状、支链状、环状的饱和或不饱和的碳数1~20的烃基。在环状的烃基的例子中,含有苯基、萘基或蒽基等的芳香族烃基,优选为苯基。另外,在通式(III)中由R8表示的烃基也可以具有取代基。在取代基的例子中,含有直链状、支链状、或环状的、碳数1~20的饱和或不饱和的烃基;氟原子等的卤原子;磺酸基;羧基;羟基;氨基;氰基等。
由上述通式(III)表示的有机磺酸,特别优选为九氟丁磺酸、甲磺酸、三氟甲磺酸、或十二烷基苯磺酸。
在聚硅氧烷的制备时进行添加的酸催化剂的量,相对于聚硅氧烷制备液总量,优选为1~1000质量ppm,更优选为5~800质量ppm。
根据在聚硅氧烷的制备时进行添加的水的量,聚硅氧烷的烧成物的性质发生变化。因此,优选根据目标性质来调整聚硅氧烷制备时的氢化率。所谓氢化率,是指对于在聚硅氧烷制备液中所含的硅烷化合物的烷氧基或芳氧基的摩尔数的、进行添加的水分子的摩尔数的比例(%)。氢化率优选为50~200%,更优选为75~180%。通过将氢化率设为50%以上,波长转换部的性质稳定。另外,通过设为200%以下,透光性陶瓷材料组合物的保存稳定性变得良好。
在聚硅氧烷的制备时进行添加的溶剂的例子中,包含甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇等的一元脂肪族醇;甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯等的烷基羧酸酯;乙二醇、二甘醇、丙二醇、甘油、三羟甲基丙烷、己三醇等的多元脂肪族醇;乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丙醚、二甘醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚等的多元脂肪族醇的单醚类、或者它们的单乙酸酯类;醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯等的酯类;丙酮、甲基乙基酮、甲基异戊基酮等的酮类;乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚等的将多元醇的羟基全部进行了烷基醚化的多元醇醚类等。这些物质可以单独添加1种,还可以添加2种以上。
5)透光性陶瓷材料固化工序
透光性陶瓷材料组合物的涂布后,使透光性陶瓷材料组合物干燥·固化。通过使透光性陶瓷材料固化,可得到用透光性陶瓷材料粘结了荧光体粒子层的波长转换部。
透光性陶瓷材料的干燥·固化方法,可根据透光性陶瓷材料的种类而适当选择。例如,在透光性陶瓷材料为聚硅氧烷的情况下,优选将涂膜加热至100℃以上,更优选加热至150~300℃。透光性陶瓷材料为聚硅氧烷的情况下,加热温度低于100℃时,不能充分地除去在脱水缩合时产生的水分,有可能波长转换部的耐光性降低。
6)透明树脂层用组合物涂布工序
也可在上述的波长转换部上涂布含有透明树脂的透明树脂层用组合物、形成透明树脂层。
透明树脂层用组合物中所含的透明树脂,只要对于可见光为透明的固化性树脂等,就没有特别限制,可以形成上述的各种透明树脂。在透明树脂层用组合物中也可以根据需要含有溶剂。溶剂的种类可根据透明树脂的种类、透明树脂层用组合物的粘度而适当选择。
透明树脂层用组合物的涂布方法没有特别限制,例如,可以为利用分配器等的一般的涂布装置的涂布方法。另外,透明树脂层用组合物的固化方法、固化条件,可根据透明树脂的种类来适当选择。作为固化方法的一例,可列举加热固化。
实施例
以下,通过实施例,对本发明更详细地进行说明。但是,本发明的范围并不受实施例任何限制。
[荧光体粒子的制备]
实施例及比较例中使用的荧光体粒子,如下制备。
荧光体原料设为Y2O37.41g、Gd2O34.01g、CeO20.63g及Al2O37.77g。将这些荧光体粒子充分地混合、进一步适量混合氟化铵(焊剂)。将该混合物填充于铝制的坩埚,在使含氢的氮气流通的还原气氛下、在1350~1450℃的温度范围内烧成2~5小时。得到的烧成物的组成为(Y0.72Gd0.24)3Al5O12:Ce0.04
将得到的烧成物进行粉碎、洗涤、分离及干燥,得到体积平均粒径为1μm左右的黄色荧光体粒子。对得到的黄色荧光体粒子照射波长465nm的激发光,测定黄色荧光体粒子发出的光的波长。其结果,黄色荧光体粒子大约在波长570nm处具有峰值波长。
[LED元件的准备]
就LED元件而言,准备在圆形封装(开口直径3mm、底面直径2mm、墙面角度60°)的收容部的中央倒装芯片安装了1个蓝色LED芯片(长方体状;200μm×300μm×100μm)的LED芯片安装封装(LED元件)。
(荧光体分散液的制备)
·样品1
将作为层状粘土矿物粒子的ベンゲル(ホージュン社制:天然膨润土)3g和作为氧化物微粒的サイリシア470(富士シリシア化学社制)4.5g添加于丙二醇70g、1,3-丁二醇30g及异丙醇50g的混合溶剂中。将混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为45mPa·s地进行混合,得到第1分散液。用混合液的分散时间及分散时的剪切力来调整第1分散液的粘度。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其用あわとり練太郎(シンキー社制)搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为100mPa·s。
·样品2
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为55mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为130mPa·s。
·样品3
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为200mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为280mPa·s。
·样品4
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为450mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为510mPa·s。
·样品5
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为550mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为600mPa·s。
·样品6
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为200mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为230mPa·s。
·样品7
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为200mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其用ロッキングミキサー(爱知电气社制)进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为260mPa·s。
·样品8
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为200mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其用ロッキングミル(セイワ技研社制)进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为260mPa·s。
·样品9
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为200mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其用ミックスローター(アズワン社制)进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到的荧光体分散液的粘度为270mPa·s。
·样品10
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)、以粘度成为200mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其用シェイキングインキュベーター(アズワン社制)进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为240mPa·s。
·样品11
将作为层状粘土矿物粒子的ベンゲル(ホージュン社制:天然膨润土)4g和作为氧化物微粒的マイクロビードSP-1(日挥触媒化成社制)4g添加于丙二醇100g及乙醇50g的混合溶剂中。将混合液用TKフィルミックス(プライミクス社制)、以粘度成为280mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为400mPa·s。
·样品12
将作为层状粘土矿物粒子的マイクロマイカMK-100(コープケミカル社制:合成云母)2.5g和作为氧化物微粒的AEROSIL RX300(日本アエロジル社制)4g添加于1,3-丁二醇90g及异丙醇60g的混合溶剂中。将混合液用アペックスミル(寿工业社制)、以粘度成为250mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为350mPa·s。
·样品13
将作为层状粘土矿物粒子的クニピアF(クニミネ工业社制:蒙脱石)3g和作为氧化物微粒的ニップシールSS-50F(東ソー·シリカ社制)4.5g添加于丙二醇70g、1,3-丁二醇30g及异丙醇50g的混合溶剂中。将混合液用クレアミックス(エム·テクニック社制)、以粘度成为200mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为280mPa·s。
·样品14
将作为层状粘土矿物粒子的ルーセンタイトSWN(コープケミカル社制:蒙皂石)3g和作为氧化物微粒的マイクロビードSP-1(日挥触媒化成社制)4g添加于1,3-丁二醇90g、异丙醇30g及乙醇30g的混合溶剂中。将混合液用ナノマイザー(吉田机械社制)、以粘度成为180mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为250mPa·s。
·样品15
将作为层状粘土矿物粒子的ルーセンタイトSWN(コープケミカル社制:蒙皂石)4g和作为氧化物微粒的サイリシア470(富士シリシア化学社制)5g添加于丙二醇40g、1,3-丁二醇40g及异丙醇80g的混合溶剂中。将混合液用ウルトラタラックス(IKAジャパン社制)、以粘度成为150mPa·s地进行混合,得到第1分散液。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其在与样品1同条件下进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为200mPa·s。
·样品16
将作为层状粘土矿物粒子的ベンゲル(ホージュン社制:天然膨润土)3g、作为氧化物微粒的サイリシア470(富士シリシア化学社制)4.5g和荧光体粒子90g添加于丙二醇70g、1,3-丁二醇30g及异丙醇50g的混合溶剂中。将混合液用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)成批分散,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为250mPa·s。
·样品17
将作为层状粘土矿物粒子的ベンゲル(ホージュン社制:天然膨润土)3g、作为氧化物微粒的サイリシア470(富士シリシア化学社制)4.5g和荧光体粒子90g添加于丙二醇70g、1,3-丁二醇30g及异丙醇50g的混合溶剂中。将其用あわとり練太郎(シンキー社制)成批分散,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为60mPa·s。
·样品18
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用あわとり練太郎(シンキー社制)进行分散,得到第1分散液。得到了的第1分散液的粘度为30mPa·s。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其用TKオートホモミクサー(プライミクス社制)进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为180mPa·s。
·样品19
将与样品1同组成的层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的混合液用あわとり練太郎(シンキー社制)进行分散,得到第1分散液。得到的第1分散液的粘度为30mPa·s。
其后,在第1分散液中添加荧光体粒子90g。将其用あわとり練太郎(シンキー社制)进行搅拌混合,得到荧光体分散液。得到了的荧光体分散液的粘度为60mPa·s。
[评价]
·粘度测定
对于在样品1~15、18、19中制备了的第1分散液的粘度、以及在样品1~19中制备了的荧光体分散液的粘度测定而言,读取用振动式粘度测定机VM-10A(株式会社セコニック社制)将振子浸渍于液体1分钟后的值。将测定结果示于表1及表2。
·沉降评价
将在样品1~19中制备了的荧光体分散液分别在内径15mm的玻璃瓶中填充5ml。将其在室温下静置10天。按照标度测定在静置后产生了的上澄液层的厚度。将测定结果示于表1及表2。
·色度偏差评价(LED装置的制造)
通过喷射涂布装置在上述的LED元件的凹部内涂布在样品1~19中制备了的荧光体分散液。就喷射涂布的条件而言,喷射压设为0.2MPa,喷射喷嘴和来自LED元件的射出光元件的相对移动速度设为100mm/s。荧光体分散液的涂布后,在150℃下加热1小时而形成荧光体层。
接着在荧光体层上喷射涂布透光性陶瓷材料组合物。就透光性陶瓷材料组合物而言,制成四甲氧基硅烷KBM04(信越化学工业社制)15质量份、甲基三甲氧基硅烷KBM13(信越化学工业社制)5质量份、异丙醇40质量份、乙醇40质量份和盐酸2质量份的混合液。
就喷射涂布的条件而言,喷射压设为0.1MPa,喷射喷嘴和来自LED元件的射出光元件的相对移动速度设为100mm/s。透光性陶瓷材料组合物的涂布后,在150℃下加热1小时,得到用透光性陶瓷粘结了荧光体层的波长转换部。
进而,在波长转换部上用分配器涂布苯基有机硅(信越化学工业社制;KER-6000),在150℃下加热1小时。由此,形成厚度2mm的透明树脂层。
(色度测定)
使用在样品1~19中制备了的荧光体分散液,制作LED装置各5个。对各自的LED装置测定色度。就测定装置而言,为コニカミノルタセンシング社制;分光放射亮度计CS-1000A。
对于各样品,算出5个LED装置的色度的标准偏差。由该标准偏差如下进行评价。将结果示于表1及表2。
◎···标准偏差为0.01以下。
○···标准偏差大于0.01且为0.02以下。
×···标准偏差大于0.02。
·全光束值的评价
将与各样品的荧光体分散液中所含的量同量的荧光体粒子、氧化物微粒及层状粘土矿物粒子和有机硅树脂(信越化学工业社制;KER-6000)进行混合,用あわとり練太郎(500rpm10分)将各成分分散于有机硅树脂中。使用各荧光体分散液,用与上述同样的方法分别制作LED装置(样品)。对样品的LED装置,用分光放射亮度计CS-200(コニカミノルタセンシング社制)进行测定。
另一方面,使用在上述的样品1~19中制备了的荧光体分散液而制作LED装置(与在色度测定中制成的LED装置相同的装置),测定它们的全光束值。求出相对于分别对应于各实施例及比较例的样品的全光束值的、各实施例及比较例的全光束值的比率。如下评价该比率。将结果示于表1及表2。
◎···比率为98%以上。
○···比率为96%以上且低于98%。
△···比率为94%以上且低于96%。
×··比率低于94%。
予以说明,比率为94%以上的情况下,为实用上没有问题的水平。
[评价结果]
如表1及表2中所示,以粘度成为50~500mPa·s的范围内地制备含有层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的第1分散液,其后,在分散了荧光体粒子的样品2~4及6~15的荧光体分散液中,没有看到荧光体粒子的沉降。另外,在使用这些荧光体分散液而制作了的LED装置中,色度偏差少。推测为:在第1分散液的制备时,通过将荧光体以外的成分充分地分散,荧光体粒子良好地被分散了。
另外,特别是用例如あわとり練太郎、ロッキングミキサー等没有施加剪切力的各种装置进行了荧光体粒子的分散的情况(样品2~4、及7~15)下,全光束值比率非常高。推测为:在荧光体粒子的分散时,由于没有施加剪切力,因此荧光体粒子不劣化。与此相对,在全部用TKオートホモミクサー、即施加剪切力进行了第1分散液的制备及荧光体粒子的分散的情况(样品6)下,全光束值低若干。推测为:在荧光体粒子的分散时施加高剪切力、荧光体粒子一部分进行了微粉化。
另一方面,制备第1分散液,其后,即使在同样地分散了荧光体粒子的情况下,第1分散液的粘度低于50mPa·s的情况(样品1)下,在荧光体分散液中荧光体粒子沉降。推测为:第1分散液的粘度低时,得到的荧光体分散液的粘度也变低,荧光体粒子沉降。另外在样品1中,由于即使在荧光体分散液的涂布装置内荧光体粒子也沉降,因此,LED装置发出的光的色度产生偏差。
与此相对,在使第1分散液的粘度高于500mPa·s的情况(样品5)下,虽然没有产生荧光体粒子的沉降,但是,在LED装置发出的光的色度上产生偏差。据推测:由于第1分散液的粘度过度地高,因此,荧光体粒子没有被充分地分散。另外而且,也推测为:由于荧光体分散液的粘度比较高,因此难以由喷射涂布装置均匀地涂布荧光体分散液。
另外,在将荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂成批地用あわとり練太郎、即不施加高剪切力而成批分散了的情况(样品17)下,荧光体粒子完全沉降。推测为:用该方法中不能充分地分散荧光体粒子或层状粘土矿物粒子。
与此相对,在将荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂成批地用TKオートホモミクサー分散、即施加剪切力而成批分散了的情况(样品16)下,荧光体粒子不沉降,在LED装置的色度上也不产生偏差。但是,来自LED装置的全光束值大大降低。推测为:由于成批分散时的剪切力,荧光体粒子劣化(微粉化)。
另外,在不施加剪切力地制备第1分散液、在得到的第1分散液中使荧光体粒子施加剪切力而分散了的情况(样品18)下,荧光体粒子不沉降。但是,在荧光体粒子的分散时荧光体粒子劣化(微粉化),来自LED装置的全光束值降低。
进而,在不施加剪切力地制备第1分散液、在得到的第1分散液中使荧光体粒子不施加剪切力地分散了的情况(样品19)下,荧光体粒子完全沉降。推测为:用该方法不能充分地分散层状粘土矿物粒子及荧光体粒子。
产业上的可利用性
在根据本发明而制造的荧光体分散液中,荧光体粒子不劣化。另外而且,荧光体粒子难以沉降,可维持均匀的分散状态。因此,就使用该荧光体分散液而制作了的LED装置而言,光取出效率高,而且照射光的色度均匀。因此,不仅可以适用于屋内、室外的照明装置,而且也适用于汽车的头灯等、要求大光量且色度均匀性的用途。
符号的说明
1 封装
2 金属部
3 LED芯片
4 配线
5 突起电极
6 波长转换部
7 透明树脂层
100 LED装置

Claims (10)

1.一种荧光体分散液的制造方法,其为含有荧光体粒子、层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂的荧光体分散液的制造方法,其具有以下工序:
将层状粘土矿物粒子、氧化物微粒及溶剂进行混合,制备粘度为50~500mPa·s的第1分散液的工序;
在所述第1分散液中混合荧光体粒子的工序。
2.如权利要求1所述的荧光体分散液的制造方法,其中,分别用不同的装置进行以下的混合:
制备所述第1分散液的工序中的所述层状粘土矿物粒子、所述氧化物微粒及所述溶剂的混合;和
混合所述荧光体粒子的工序中的所述第1分散液及所述荧光体粒子的混合。
3.如权利要求1或2所述的荧光体分散液的制造方法,其中,将所述第1分散液和所述荧光体粒子的混合用选自由自转·公转式搅拌机、振动式搅拌机、翻倒旋转型搅拌机、容器旋转型混合机及振荡机组成的组中的任一种装置来进行。
4.如权利要求1~3的任一项所述的荧光体分散液的制造方法,其中,所述溶剂为脂肪族醇类。
5.如权利要求1~4的任一项所述的荧光体分散液的制造方法,其中,所述层状粘土矿物粒子为溶胀性粘土矿物粒子。
6.如权利要求1~5的任一项所述的荧光体分散液的制造方法,其中,所述荧光体分散液的粘度为80~1000mPa·s。
7.如权利要求3所述的荧光体分散液的制造方法,其中,还具有将在所述第1分散液的制备工序中制备了的第1分散液收容于输送用容器的工序,
所述输送用容器可以安装于所述第1分散液和所述荧光体粒子的混合用的装置,
将混合所述荧光体粒子的工序中的所述第1分散液和所述荧光体粒子的混合在所述输送用容器内进行。
8.一种LED装置的制造方法,其包含以下工序:
用权利要求1~7的任一项所述的制造方法来制备荧光体分散液的工序;
在LED元件上涂布所述荧光体分散液、形成荧光体层的工序;
在所述荧光体层上涂布含有透光性陶瓷材料及溶剂的透光性陶瓷材料组合物的工序;
使所述透光性陶瓷材料固化、形成用透光性陶瓷粘结了所述荧光体层的波长转换部的工序。
9.如权利要求8所述的LED装置的制造方法,其中,所述透光性陶瓷材料为聚硅氧烷。
10.如权利要求8或9所述的LED装置的制造方法,其具有在所述波长转换部上涂布含有透明树脂的透明树脂层用组合物、形成透明树脂层的工序。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016206348A1 (zh) * 2015-06-24 2016-12-29 林立宸 一种芯片级发光组件的制备方法
CN109073801A (zh) * 2016-04-25 2018-12-21 日本特殊陶业株式会社 波长转换构件、其制造方法及发光装置
CN114940898A (zh) * 2021-02-17 2022-08-26 歆炽电气技术股份有限公司 光转换复合材料以及制造光转换复合材料的方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3097588B1 (en) * 2014-01-21 2021-02-24 Lumileds LLC Hybrid chip-on-board led module with patterned encapsulation and method for producing the same
EP3176238A4 (en) * 2014-07-28 2018-01-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Silicone-based sealant composition and semiconductor light-emitting device
KR20170089053A (ko) * 2016-01-25 2017-08-03 삼성전자주식회사 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6790563B2 (ja) * 2016-08-05 2020-11-25 日本電気硝子株式会社 波長変換部材の製造方法
KR101898433B1 (ko) * 2017-02-07 2018-09-14 도레이첨단소재 주식회사 파장 변환 필름
KR102249134B1 (ko) * 2019-09-11 2021-05-07 한국광기술원 옐로우 링 현상이 저감된 형광체 플레이트 및 그의 제조방법
JPWO2022107794A1 (zh) * 2020-11-19 2022-05-27

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130037844A1 (en) * 2010-04-13 2013-02-14 Takuji Hatano Light-Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3978961B2 (ja) * 1998-12-25 2007-09-19 特種製紙株式会社 偽造防止用紙に使用する蛍光発色粒子、その製造方法、及び蛍光発色粒子を使用した偽造防止用紙
JP3867830B2 (ja) * 1999-12-06 2007-01-17 東芝テック株式会社 電気掃除機
JP2001181614A (ja) * 1999-12-24 2001-07-03 Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd El素子用蛍光体ペースト及びその製造方法
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP4306224B2 (ja) * 2002-10-31 2009-07-29 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法
KR101142725B1 (ko) * 2003-03-13 2012-05-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광막, 발광장치, 발광막의 제조방법 및 발광장치의제조방법
JP4591690B2 (ja) 2005-06-06 2010-12-01 信越化学工業株式会社 蛍光物質入りled発光装置
KR100746749B1 (ko) * 2006-03-15 2007-08-09 (주)케이디티 광 여기 시트
JP5252621B2 (ja) 2007-12-28 2013-07-31 独立行政法人産業技術総合研究所 粘土を主成分とするフレキシブル蛍光フィルム
EP2537899B1 (en) * 2010-02-19 2014-11-26 Toray Industries, Inc. Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, led package, light -emitting device, and process for production of led-mounted substrate
JP2011238778A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Konica Minolta Opto Inc 波長変換素子の製造方法、波長変換素子および発光装置
JP5870923B2 (ja) 2010-08-17 2016-03-01 コニカミノルタ株式会社 発光装置の製造方法
CN103597621A (zh) * 2011-03-11 2014-02-19 柯尼卡美能达株式会社 发光装置的制造方法及荧光体混合液
KR20140040778A (ko) * 2011-06-01 2014-04-03 코닌클리케 필립스 엔.브이. 열 전도체를 포함하는 발광 모듈, 램프 및 조명기구
WO2013051281A1 (ja) * 2011-10-07 2013-04-11 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 Led装置の製造方法、およびそれに用いる蛍光体分散液
EP2752898A4 (en) * 2011-10-07 2015-09-09 Konica Minolta Inc PHOSPHORDISPERSION LIQUID AND MANUFACTURING METHOD FOR A LED DEVICE THEREFOR
US20140009060A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-09 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered led, producing method thereof, and led device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130037844A1 (en) * 2010-04-13 2013-02-14 Takuji Hatano Light-Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016206348A1 (zh) * 2015-06-24 2016-12-29 林立宸 一种芯片级发光组件的制备方法
CN109073801A (zh) * 2016-04-25 2018-12-21 日本特殊陶业株式会社 波长转换构件、其制造方法及发光装置
CN114940898A (zh) * 2021-02-17 2022-08-26 歆炽电气技术股份有限公司 光转换复合材料以及制造光转换复合材料的方法

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