JP4892193B2 - 蛍光体混合物および発光装置 - Google Patents
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Description
JIS Z 8726によれば、光源の演色性は、平均演色評価数(Ra)によって数値的に表される。これは、演色評価用の基準試料を、試料光源で照明したときの色と、自然光を近似した基準光により照射したときの色との違いを評価した値であり、それらに差が無く、全く同一であれば演色評価数は100となる。一方、光源の有する相関色温度が同一であっても、演色評価数が異なれば色の見え方が異なり、演色評価数が低ければ、色がくすんで暗く見えてしまう。従って、可視光全域にわたり均一な光の強度を持った光源であるほど基準光に近いものであり、演色性の良い光源といえる。
即ち、上述の窒素を含有した赤色蛍光体の温度特性は、50℃以下の温度において、発光効率の低下は比較的少なく、緑色から橙色の蛍光体として用いられた付活剤にCeを用いたガーネット系の蛍光体と、ほぼ同様の発光特性を示す。しかし、100℃以上の温度においては、発光効率の低下が顕著になり発光強度が落ちるために、緑色から橙色ガーネット系の蛍光体との、発光効率の相違が顕著になり、色度のズレが大きくなっていたのである。
紫外から緑色の励起光により励起され、可視光を発光する蛍光体混合物であって、
波長430nmから500nmの範囲のいずれかの励起光により励起されたときの温度25℃における相対発光強度のピーク値をP25とし、温度T℃における相対発光強度のピーク値をPTとし、Tが25℃から200℃の範囲で変化するとき、
(100×(P25−PT)/P25)の値が±25以内であることを特徴とする蛍光体混合物である。
組成式MmAaBbOoNn:Z(但し、M元素はII価の価数をとる1種以上の元素であり、A元素はIII価の価数をとる1種以上の元素であり、B元素はIV価の価数をとる1種以上の元素であり、Oは酸素であり、Nは窒素であり、Z元素は、前記蛍光体中において付活剤として作用する1種以上の元素であり、m=a=b=1 ,o<0.5, n = 3−2/3o である。)で表記される蛍光体と、
紫外から緑色の励起光により励起され、波長500nmから630nmの範囲内に発光ピークが存在する発光スペクトルを有する蛍光体の1種以上とを、含むことを特徴とする第1の構成に記載の蛍光体混合物である。
前記M元素は、Ca、Mg、Sr、Ba、Znから選択される1種以上の元素であり、
前記A元素は、Al、Gaから選択される1種以上の元素であり、
前記B元素は、Si、Geから選択される1種以上の元素であり、
前記Z元素は、希土類元素、遷移金属元素から選択される1種以上の元素であることを特徴とする第2の構成に記載の蛍光体混合物である。
前記Z元素は、Euであることを特徴とする第3の構成に記載の蛍光体混合物である。
前記組成式MmAaBbOoNn:Zで表記される蛍光体は、組成式CaAlSiN3:Euを有する蛍光体であることを特徴とする第2から第4の構成のいずれかに記載の蛍光体混合物である。
前記紫外から緑色の励起光により励起され、波長500nmから630nmの範囲内に発光ピークが存在する発光スペクトルを有する蛍光体とは、Ceを付活剤とし、ガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体であることを特徴とする第2から第5の構成のいずれかに記載の蛍光体混合物である。
前記Ceを付活剤とし、ガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体は、Yおよび/またはTbを含むAlガーネット系蛍光体であることを特徴とする第6の構成に記載の蛍光体混合物である。
前記Ceを付活剤とし、ガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体は、Scを含むSiガーネット系蛍光体であることを特徴とする第6の構成に記載の蛍光体混合物である。
前記各蛍光体は、いずれも平均粒径(D50)が1〜20μmの粒子であることを特徴とする第1から第8の構成のいずれかに記載の蛍光体混合物である。
前記各蛍光体は、いずれも発光スペクトルの半値幅が50nm以上であることを特徴とする第1から第9の構成のいずれかに記載の蛍光体混合物である。
波長430nmから500nmの範囲にある励起光により励起されたときの発光スペクトルにおいて、
波長500nmから780nmの範囲に2つ以上の発光ピークを有し、且つ波長500nmから780nmの範囲に途切れることない連続的スペクトルを有することを特徴とする第1から第10の構成のいずれかに記載の蛍光体混合物である。
波長430nmから500nmの範囲にある励起光により励起されたときの発光スペクトルにおいて、
当該発光スペクトルの色度が、x>0.2 y>0.2であることを特徴とする第1から第11の構成のいずれかに記載の蛍光体混合物である。
第1から第12の構成のいずれかに記載の蛍光体混合物と、
波長430nmから500nmの範囲のいずれかの発光をおこなう発光部とを有することを特徴とする発光装置である。
前記発光部が発光ダイオード(LED)であることを特徴とする第13の構成に記載の発光装置である。
前記発光部がGaを含む材料から構成される発光ダイオード(LED)であることを特徴とす第14の構成に記載の発光装置である。
前記発光装置の平均演色評価数Raが、80以上であることを特徴とする第13から第15の構成のいずれかに記載の発光装置である。
前記発光装置の特殊演色評価数R9が、60以上であることを特徴とする第13から第16の構成のいずれかに記載の発光装置である。
前記発光装置の特殊演色評価数R15が、80以上であることを特徴とする第13から第17の構成のいずれかに記載の発光装置である。
第19の構成は、
前記発光装置の相関色温度が、7000Kから2500Kの範囲にあることを特徴とする第13から第18の構成のいずれかに記載の発光装置である。
本発明に係る蛍光体混合物は、波長430nmから500nmの範囲にある紫外から緑色の励起光により励起され、可視光を発光する。そして当該波長430nmから500nmの範囲のいずれかの励起光により励起されたときの温度25℃における相対発光強度のピーク値をP25とし、温度T℃における相対発光強度のピーク値をPTとし、Tが25℃から200℃の範囲で変化するとき、(100×(P25−PT)/P25)の値が±25以内であることを特徴とする蛍光体混合物である。
まず、本発明に係る蛍光体混合物に含まれる赤色蛍光体であって、組成式MmAaBbOoNn:Zと表記される蛍光体について説明する。当該赤色蛍光体の組成式において、M元素は、II価の価数をとる1種以上の元素であるが、好ましくはCa・Mg・Sr・Ba・Znから選択される1種以上の元素である。これらの元素は原料の入手が容易で、環境負荷も小さいからである。更に、当該観点からCaが最も好ましい。A元素はIII価の価数をとる1種以上の元素であるが、好ましくはAl・Gaから選択される1種以上の元素である。これらの元素も原料の入手が容易で、環境負荷も小さいからである。更に、当該観点からAlが最も好ましい。B元素はIV価の価数をとる1種以上の元素であるが、好ましくはSi・Geから選択される1種以上の元素である。これらの元素も原料の入手が容易で、環境負荷も小さいからである。更に、当該観点からSiが最も好ましい。Z元素は付活剤として作用する元素であるが、希土類元素または遷移金属元素から選択される少なくとも1種以上の元素であることが好ましい。これらの元素も原料の入手が容易で、環境負荷も小さいからである。更に、当該観点からEuが最も好ましい。また、Oは、少量であることが好ましい。したがって、本発明に係る最も好ましい赤色蛍光体の組成式はCaAlSiN3:Euである。
尚、前記組成式中のOは、当該赤色蛍光体の製造時に当該赤色蛍光体の原料中に含まれる酸素に由来するが、上述したように当該赤色蛍光体の発光効率の観点からは少量であることが好ましく、当該赤色蛍光体中における存在量も、無視できる少量としていることから、以後の当該赤色蛍光体の組成式において、Oの表記を省略する場合がある。
ここで、本発明に係る赤色蛍光体の製造方法例について、組成式CaAlSiN3:Eu (但し、モル比でEu/(Ca+Eu) = 0.020である。)で示される蛍光体の製造を例として説明する。
尚、るつぼとしては不純物を含まない高純度のAl2O3るつぼ、Si3N4るつぼ、AlNるつぼ、サイアロンるつぼ、C(カーボン)るつぼ、BN(窒化ホウ素)るつぼ等の、不活性雰囲気中で使用可能なるつぼを用いれば良いが、BNるつぼを用いると、るつぼからの不純物混入を回避することができ好ましい。
次に、本発明に係る蛍光体混合物に含まれる波長500から630nmの範囲にブロードな発光ピークを有する蛍光体について説明する。
当該波長500nmから630nmの範囲内に発光スペクトルの最大ピークを有する蛍光体が好ましく、発光スペクトルの半値幅は50nm以上であることが好ましい、特にCeを付活剤とするガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体が好ましいが、これはガーネット系結晶にCeを付活することによって、青色光で励起させた際の発光効率が高く、発光スペクトルの半値幅も広くなるため、より演色性の向上した発光スペクトルを得ることが出来るからである。特に、YまたはTbを含むAlガーネット系蛍光体で有ることを特徴とする蛍光体、または、Scを含むSiガーネット系蛍光体で有ることを特徴ととする蛍光体も好ましい。当該蛍光体の例として、Y3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ceなどのガーネット構造をもつ蛍光体があるが、上記条件を満たせばこの限りではない。
本発明に係る蛍光体混合物の温度25℃、T℃における発光強度P25、PTおよび当該発光強度の変化の測定について説明する。
当該発光強度P25とは、当該蛍光体を25℃の環境に置き、後述する所定波長の励起光を照射した際に当該蛍光体混合物が発する光のスペクトルを測定し、当該測定スペクトル中で最大の強度を有するピークを最大ピークと定め、そのピークの相対強度の値をP25としたものである。次に、発光強度PTとは、当該蛍光体混合物をT℃の環境に置き、25℃測定の時に照射したものと同様の励起光を照射した際の発光スペクトルを測定する。当該発光スペクトル中において、25℃測定の時に最大ピークと定めたピークに相当するピークの相対強度を求め、その値をPTとしたものである。このようにして求められたP25と、PTとから(100×(P25−PT)/P25)の値を算出する。
発光部として、例えば、青色発光するLED発光素子、または青色を発光する放電灯が考えられる。そして、本発明に係る蛍光体混合物を上記LED発光素子と組み合わせた場合には、各種の照明装置等を製造することができる。また、本発明に係る蛍光体混合物を上記放電灯と組み合わせた場合には、各種蛍光灯や照明装置等を製造することができる。
本発明に係る蛍光体混合物と発光部との組み合わせの方法は、公知の方法で行っても良いが、発光部にLEDを用いた発光装置の場合には、下記のようにして発光装置を作製することができる。
以下、図面を参照しながら、発光部にLEDを用いた発光装置について説明する。
図5(A)〜(C)は、砲弾型LED発光装置の模式的な断面図であり、図6(A)〜(E)は、反射型LED発光装置の模式的な断面図である。尚、各図面において、相当する部分については同様の符号を付し、説明を省略する場合がある。
砲弾型LED発光装置においては、リードフレーム3の先端に設けられたカップ状の容器5内に、LED発光素子2が設置される。当該実施の形態では、本発明に係る蛍光体混合物または当該蛍光体混合物をシリコンやエポキシ等の透光性のある樹脂に分散させた混合物(以下、蛍光体混合物1と記載する。)を、カップ状の容器5内の全てに充填してLED発光素子2を埋め込み、この蛍光体混合物1がリードフレーム3の一部及びカップ状の容器5とともに、透光性の樹脂4にてモールドされている。
当該実施の形態では、蛍光体混合物1を、カップ状の容器5上およびLED発光素子2上面に塗布したものである。
当該実施の形態では、蛍光体混合物1をLED発光素子2の上部に設置したものである。
反射型LED発光装置においては、片方のリードフレーム3の先端にLED発光素子2が設置され、このLED発光素子からの発光は、下方に向かい反射面8により反射されて上方より放出される。当該実施の形態では、蛍光体混合物1を反射面8上に塗布するものである。尚、反射面8が形成する凹部内には、LED発光素子2を保護するため透明モールド材9が充填される場合もある。
当該実施の形態では、蛍光体混合物1をLED発光素子2の下部に設置したものである。
当該実施の形態では、蛍光体混合物1を、反射面8が形成する凹部内に充填したものである。
当該実施の形態では、蛍光体混合物1を、LED発光素子2を保護するための前記透明モールド材9の上部に塗布したものである。
次に、図6(E)を用いて、異なる発光装置の1例について説明する。
当該実施の形態では、蛍光体混合物1を、LED発光素子2の表面に塗布したものである。
当該発光装置が発光する光の演色性を評価した。その結果、本発明に係る蛍光体混合物を組み込んだ発光装置は、発光スペクトルの色度がx>0.2、y>0.2を示し、相関色温度7000Kから2500Kの範囲において、Raが80以上、R9が60以上、R15が80以上の演色性を容易に示すことができ、非常に優れた光源であることが判明した。
更に、本発明に係る蛍光体混合物において、それぞれの蛍光体の配合量を適宜変更することにより、これまで得られなかった種々の色味の発光色も得られた。
(実施例1)
1)蛍光体の製造、および当該蛍光体の温度特性評価
実施の形態で説明した方法により、Ca3N2が0.980/3 mol、AlNが1 mol、Si3N4が1/3 mol、Eu2O3が0.020/2 molとなるよう各原料を秤量した後、窒素ガスを満たしたグローブボックス内で混合した。そして当該混合物を1600℃で3時間、0.05MPaの窒素雰囲気中で焼成し、本発明に係る赤色蛍光体であるCaAlSiN3:Eu(試料1)を製造した。製造した試料1に対し、波長467nmの光で励起した場合の25℃における発光強度を測定してP25とし、次に、同波長467nmの光で励起した場合のT℃における発光強度を測定してPTとし、発光強度変化の温度特性(100×(P25-PT)/ P25)について表1に示した。さらに、当該温度特性評価結果を図1に示した。図1は、縦軸に、試料の発光強度を相対強度で表し、25℃のときの発光強度を1と規格化した値を採り、横軸に試料の温度を採り、各温度における試料のPT/P25の値を■でプロットし、当該プロット点を太実線で結んだグラフである。
Y2O3を2.94/2 mol、Al2O3を5/2 mol、CeO2を0.06 molとなるよう各原料を秤量した後、乳鉢で混合し、当該混合物をるつぼに入れ、窒素雰囲気中で1400℃で3時間保持して焼成しY3Al5O12:Ce(試料2)を製造した。
製造された試料2は、一般的にYAG:Ce蛍光体と呼ばれ、波長500nmから630nmの範囲内に発光スペクトルの最大ピークを有するCeを付活剤とするガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体である。当該YAG:Ce蛍光体には、YをGd、AlをGaでわずかに置換したものも含まれる。但し、本実施例においては、GaやGdを含まないY3Al5O12:Ceを試料2として準備した。(以下、当該Y3Al5O12:CeをYAG:Ceと記載する場合がある。)
さらに、CaCO3が2.94 mol、Sc2O3が2/2 mol、SiO2が3mol、CeO2が0.06molとなるよう各原料を秤量した後、試料2と同様の製造方法により、窒素雰囲気中で1400℃で3時間保持して焼成し、公知の緑色蛍光体であるCa3Sc2Si3O12:Ce(試料3)を製造した。
赤色蛍光体CaAlSiN3:Eu(試料1)と、YAG:Ce(試料2)とを含む蛍光体混合物の作製方法について説明する。
まず、CaAlSiN3:Eu(試料1)と、YAG:Ce(試料2)とを、波長467nmの励起光で励起させた場合の発光スペクトルをそれぞれ測定し、更に、上記励起光の発光スペクトル(発光部の発光スペクトル)を測定し、これらの発光スペクトルから蛍光体混合物が示す相関色温度が4500Kとなる各蛍光体の相対混合比を、シミュレーションにより求めた。このシミュレーションの結果に基づき各蛍光体を秤量し混合して蛍光体混合物を得た。因みに、本実施例1においては、各蛍光体の混合比はYAG:Ce(試料2):CaAlSiN3:Eu(試料1)=95:5の割合で混合した。
但し、発光部の発光波長(蛍光体混合物の励起波長)や、当該発光波長における蛍光体の発光効率により、実際の好ましい混合比が、シミュレーションの結果得られる混合比からズレる場合がある。また、樹脂との混合比率、発光装置への塗布方法、塗布膜厚によっても実際の好ましい混合比が、シミュレーションの結果得られる混合比からズレる場合がある。このような場合は、蛍光体の配合比を適宜調整して、実際の発光スペクトル形状を調整すればよい。
ここで、波長467nmの励起光で励起させた場合、CaAlSiN3:Eu(試料1)の発光スペクトルの半値幅は86.7nmであり、YAG:Ce(試料2)の発光スペクトルの半値幅は114.7nmであり、全て50nm以上であった。
前記試料1および2を混合した蛍光体混合物に対し、波長467nmの光で励起した場合の温度特性を評価した。
まず、各温度における、蛍光体混合物の発光スペクトルにおける色度の変化について評価を行った。その結果を表2に示し、図2に記載する。図2は、縦軸に色度y、横軸に色度xを採ったグラフであり、ここへ蛍光体混合物の50℃〜250℃における色度(x,y)の値を、■を用いてプロットし、当該プロットを実線で結んだものである。
前記試料1および2を混合した蛍光体混合物とシリコン樹脂を混合し、波長467nmの光を放つLED上に塗布厚みが均一になるように塗布し、白色の光を放つ発光装置を作製した。樹脂と蛍光体混合物の比率や塗布量により、発光強度や色度が異なるため、適時調整して目的の色度に合わせればよい。本実施例では樹脂:蛍光体の重量比を10:3の割合で混合したものをLED素子上に塗布した。
JIS Z 8726に準拠して、当該発光装置の発光における演色性の評価を行った。平均演色評価数Raは91、特殊演色評価数R9は92、R10は95、R11は84、R12は67、R13は98、R14は98、R15は92であった。
作製した発光装置のLEDへDC2.0mA〜24.0mAの電流を通電させ通電電流に対する色度のズレについて評価し、当該評価結果を表3に示し、図3に記載した。図3は、縦軸に色度 x、横軸に色度yを採ったグラフであり、ここへ作製した発光装置のLEDへDC2.0mA、5.0mA、10.0mA、15.0mA、20.0mA、24.0mAの電流を通電させたときの、発光の色度の値を■を用いてプロットし、当該プロットを実線で結んだものである。
1)蛍光体の製造、および当該蛍光体の温度特性評価
試料1と同様に、原料の仕込み組成比を、Ca3N2が0.585/3 mol、Sr3N2が1.365/3 mol、Si3N4が5/3 mol、Eu2O3が0.050/2 molとして各原料を秤量し、不活性ガス中のグローブ中で混合した原料混合物をるつぼに入れ、窒素等の不活性雰囲気中で1500℃で3時間保持して焼成し、赤色蛍光体(Ca0.3Sr0.7)2Si5N8:Eu(試料4)を製造した。
ここで、比較例に係る(Ca0.3Sr0.7)2Si5N8:Euの赤色蛍光体(試料4)は、特許文献1および2に記載された赤色蛍光体である。
また参考のため、試料4においてCaとSrのモル比を変化させた試料を、原料となるCa3N2およびSr3N2の配合組成比を変化させ、試料4と同様の製造条件にて製造し、組成式Ca2Si5N8:Eu(試料5)、Sr2Si5N8:Eu(試料6)を有する試料を製造した。
試料4から6の温度特性を比較すると、試料4に係る(Ca0.3Sr0.7)2Si5N8:Euが最も良い温度特性を示したため、前記実施例1との比較評価に用いることにした。試料4の発光スペクトルの半値幅は82.3nmであり、50nm以上であった。
まず、実施例1と同様にして、(Ca0.3Sr0.7)2Si5N8:Eu試料4と、YAG:Ce試料2とを、波長467nmの励起光で励起させた場合の発光スペクトルをそれぞれ測定し、更に、励起光の発光スペクトルを測定し、これらの発光スペクトルから蛍光体混合物の相関色温度が4500Kとなる試料4と試料2との相対混合比を、シミュレーションにより求めた。当該結果に基づき各蛍光体を秤量し混合して蛍光体混合物を得た。因みに、本比較例1においては、各蛍光体の混合比はYAG:Ce(試料2):(Ca0.3Sr0.7)2Si5N8:Eu(試料4)= 90:10の割合で混合した。
混合した蛍光体混合物に対し、波長467nmの光で励起した場合の温度特性を評価した。
実施例1と同様にして各温度における、蛍光体混合物の発光スペクトルにおける色度の変化について評価を行った。その結果を表2に示し、図2に記載した。図2において、蛍光体混合物の室温50℃〜250℃における色度(x,y)の値を、△を用いてプロットし、当該プロットを破線で結んだ。
前記試料4および2を混合した蛍光体混合物とシリコン樹脂を混合し、実施例1と同様にして白色の光を放つ発光装置を作製した。
JIS Z 8726に準拠して、当該蛍光体混合物の発光における演色性の評価を行った。平均演色評価数Raは85、特殊演色評価数R9は41、R10は91、R11は70、R12は57、R13は91、R14は97、R15は83であった。
作製した発光装置にDC2.0mA〜24.0mAの電流を通電させ、電流に対する色度のズレについて評価した。この評価結果を表4に示し、図3へ△を用いてプロットし当該プロットを破線で結んだものを記載した。
1)蛍光体の温度特性比較
蛍光体混合物の外部温度における色度のズレについて比較すると、図2から明らかなように、実施例1においては温度の上昇と伴に、y方向に色度のズレが生じているがわずかである。一方、比較例1では150℃以上となると、色度xのマイナス方向に関する変動が大きくなる。この原因として、図1に示したように試料4の温度に対する発光強度が150℃以上では大きく低下しているため、赤み成分が不足し黄色や緑色の方向に色度のズレが生じているためと考えられる。
また実施例1に示す蛍光体混合物と、比較例1に記載した蛍光体混合物を用いた発光装置との演色性を比較すると、実施例1に示す蛍光体混合物を用いた発光装置は、赤色の演色性を示すR9の値が向上していることが判明した。従って、相関色温度が同じであっても演色性が、より良好な白色光源を得ることが出来る。
実施例1に係る蛍光体混合物と、比較例1に係る蛍光体混合物とは、色度、相関色温度がほぼ一致していることから、輝度を両者の比較のパラメータとして採り、発光素子による輝度の差をキャンセルするため青色光により規格化して、実施例1に係る発光装置と比較例1に係る発光装置との相対発光輝度による比較を行った。すると、実施例1に係る発光装置は、比較例1に係る発光装置よりも輝度が15%も高いことが判明した。即ち、従来の発光装置よりも15%程度も発光効率が良く、明るく感じられる発光装置が得られた。
実施例1および比較例1に係る発光装置に組み込まれた発光素子(LED)への通電電流に依存する、当該発光装置の発光の色ズレについては図3から明らかなように、実施例1、比較例1とも通電電流の増加と共に、色度x、色度yともマイナス方向にシフトする。これは発光素子の発熱により、蛍光体混合物の温度が上がり発光強度の低下が起こるため、相対的に励起波長である青色発光が強くなり、青色側に変化しているためと考えられる。ここで、実施例1は比較例1よりも色度のズレが小さい。そして、発光素子周辺の放熱構造にもよるが、当該蛍光体混合物自体の蛍光体温度による色度のズレ、および蛍光体混合物が組み込まれた発光装置の電流依存による色ズレ結果から考えると、発光装置中の発光素子温度がより高くなるほど、蛍光体混合物さらには発光装置における色度のズレの変化が大きくなると考えられる。そして実施例1に係る発光装置は比較例1に係る発光装置よりも色度ズレが小さく、良好であることが判明した。
1)蛍光体混合物の調製方法
赤色蛍光体CaAlSiN3:Eu(試料1)と波長500nmから630nmの範囲内に発光スペクトルの最大ピークを有するCeを付活剤とするガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体Ca3Sc2Si3O12:Ce(試料3)とを用いた蛍光体混合物の作製方法について説明する。
前記CaAlSiN3:Eu(試料1)と、Ca3Sc2Si3O12:Ceの蛍光体(試料3)とを、波長467nmの励起光で励起させた場合の発光スペクトルをそれぞれ測定し、更に、上記励起光の発光スペクトル(発光部の発光スペクトル)を測定し、これらの2種の発光スペクトルから蛍光体混合物が示す発光スペクトルの相関色温度が4500Kとなる各蛍光体の相対混合比を、シミュレーションにより求めた。このシミュレーションの結果に基づき各蛍光体を秤量し混合して蛍光体混合物を得た。因みに、本実施例2においては、各蛍光体の混合比はCa3Sc2Si3O12:Ce(試料3):CaAlSiN3:Eu(試料1)=93:7の割合で混合した。
但し、発光部の発光波長(蛍光体混合物の励起波長)や、当該発光波長における蛍光体の発光効率により、実際の好ましい混合比が、シミュレーションの結果得られる混合比からズレる場合がある。また、樹脂との混合比率、発光装置への塗布方法、塗布膜厚によっても実際の好ましい混合比が、シミュレーションの結果得られる混合比からズレる場合がある。このような場合は、蛍光体の配合比を適宜調整して、実際の発光スペクトル形状を調整すればよい。
ここで、波長467nmの励起光で励起させた場合、Ca3Sc2Si3O12:Ce(試料3)の発光スペクトルの半値幅は99.3nmであり、全て50nm以上であった。
前記試料1および3を混合した蛍光体混合物とシリコン樹脂とを、実施例1と同様にして混合調整し、波長467nmの光を放つ素子上に塗布し、白色の光を放つ発光装置を作成した。発光素子にDC20.0mAの電流を流し、当該発光装置の発光スペクトルの相関色温度を測定したところ4188Kであり、ほぼねらいの相関色温度を有していることが判明した。更に、当該発光スペクトルの色度を測定したところx= 0.3723、y= 0.3706であった。
得られた発光スペクトルを図4において一点鎖線で示す。
JIS Z 8726に準拠して、当該発光装置の発光における演色性の評価を行った。平均演色評価数Raは85、特殊演色評価数R9は80、R10は72、R11は86、R12は67、R13は90、R14は91、R15は87であった。
作製した発光装置にDC2.0mA〜24.0mAの電流を通電させ、電流に対する色度のズレについて評価し、当該評価結果を表5に示し、図3に記載した。図3は、縦軸に色度 x、横軸にy色度を採ったグラフであり、ここへ作製した発光装置にDC2.0mA、5.0mA、10.0mA、15.0mA、20.0mA、24.0mAの電流を通電させたときの発光における色度の値を、□を用いてプロットし、当該プロットを実線で結んだものである。
2.LED発光素子
3.リードフレーム
4.樹脂
5.カップ状の容器
8.反射面
9.透明モールド材
Claims (15)
- 紫外から緑色の励起光により励起され、可視光を発光する蛍光体混合物であって、
波長430nmから500nmの範囲のいずれかの励起光により励起されたときの温度25℃における相対発光強度のピーク値をP 25 とし、温度T℃における相対発光強度のピーク値をP T とし、Tが25℃から200℃の範囲で変化するとき、(100×(P 25 −P T )/P 25 )の値が±25以内であり、
組成式MABO o N 3 :Z(但し、M元素はCa、Mg、Sr、Baから選択される1種以上の元素であり、A元素はAl、Gaから選択される1種以上の元素であり、B元素はSi、Geから選択される1種以上の元素であり、O元素は酸素であり、N元素は窒素であり、Z元素は希土類元素から選択される1種以上の元素であり、0<o<0.5である。)で表記される蛍光体と、
紫外から緑色の励起光により励起され、波長500nmから630nmの範囲内に発光ピークが存在する発光スペクトルを有し、Ceを付活剤とし、ガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体とを、含むことを特徴とする蛍光体混合物。 - 前記M元素はCaであり、前記A元素はAlであり、前記B元素はSiであり、Z元素はEuであることを特徴とする請求項1に記載の蛍光体混合物。
- 前記Ceを付活剤とし、ガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体は、Yおよび/またはTbを含むAlガーネット系蛍光体であることを特徴とする請求項1または2に記載の蛍光体混合物。
- 前記Ceを付活剤とし、ガーネット系の結晶構造を持つ蛍光体は、Scを含むSiガーネット系蛍光体であることを特徴とする請求項1または2に記載の蛍光体混合物。
- 前記各蛍光体は、いずれも平均粒径(D50)が1〜20μmの粒子であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の蛍光体混合物。
- 前記各蛍光体は、いずれも発光スペクトルの半値幅が50nm以上であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の蛍光体混合物。
- 波長430nmから500nmの範囲にある励起光により励起されたときの発光スペクトルにおいて、
波長500nmから780nmの範囲に2つ以上の発光ピークを有し、且つ波長500nmから780nmの範囲に途切れることない連続的スペクトルを有することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の蛍光体混合物。 - 波長430nmから500nmの範囲にある励起光により励起されたときの発光スペクトルにおいて、
当該発光スペクトルの色度が、x>0.2 y>0.2であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の蛍光体混合物。 - 請求項1から8のいずれかに記載の蛍光体混合物と、
波長430nmから500nmの範囲のいずれかの発光をおこなう発光部とを有することを特徴とする発光装置。 - 前記発光部が発光ダイオード(LED)であることを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
- 前記発光部がGaを含む材料から構成される発光ダイオード(LED)であることを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
- 前記発光装置の平均演色評価数Raが、80以上であることを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の発光装置。
- 前記発光装置の特殊演色評価数R9が、60以上であることを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載の発光装置。
- 前記発光装置の特殊演色評価数R15が、80以上であることを特徴とする請求項9から13のいずれかに記載の発光装置。
- 前記発光装置の相関色温度が、7000Kから2500Kの範囲にあることを特徴とする請求項9から14のいずれかに記載の発光装置。
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JP4511885B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2010-07-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びled並びに光源 |
US7476337B2 (en) * | 2004-07-28 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
JP4933739B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2012-05-16 | Dowaホールディングス株式会社 | 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置 |
US7138756B2 (en) | 2004-08-02 | 2006-11-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same |
US8017035B2 (en) * | 2004-08-04 | 2011-09-13 | Intematix Corporation | Silicate-based yellow-green phosphors |
JP4524470B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源 |
JP4543250B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2010-09-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
US7476338B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
JP4543253B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2010-09-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
JP4892193B2 (ja) | 2005-03-01 | 2012-03-07 | Dowaホールディングス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
US7524437B2 (en) * | 2005-03-04 | 2009-04-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
JP4679183B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2011-04-27 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
TWI413274B (zh) | 2005-03-18 | 2013-10-21 | Mitsubishi Chem Corp | 發光裝置,白色發光裝置,照明裝置及影像顯示裝置 |
US7445730B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-11-04 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
US7443094B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-10-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
JP4975269B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2012-07-11 | Dowaホールディングス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
CN101175835B (zh) | 2005-05-24 | 2012-10-10 | 三菱化学株式会社 | 荧光体及其应用 |
US7262439B2 (en) * | 2005-11-22 | 2007-08-28 | Lumination Llc | Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications |
US7859182B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-12-28 | Lumination Llc | Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor |
JP2008111035A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Sony Corp | 蛍光体、光源装置、及び表示装置 |
JP5076446B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2012-11-21 | ソニー株式会社 | 発光組成物、光源装置、表示装置、発光組成物の製造方法 |
KR100930171B1 (ko) | 2006-12-05 | 2009-12-07 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈 |
JP2008218998A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-09-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
US8119028B2 (en) * | 2007-11-14 | 2012-02-21 | Cree, Inc. | Cerium and europium doped single crystal phosphors |
TW201011942A (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-16 | Advanced Optoelectronic Tech | Method and system for configuring high CRI LED |
CN102713421A (zh) | 2009-11-18 | 2012-10-03 | 拉姆伯斯国际公司 | Led的内部收集反射器光学器件 |
DE102010021341A1 (de) * | 2010-05-22 | 2011-11-24 | Merck Patent Gmbh | Leuchtstoffe |
US20130207146A1 (en) * | 2010-07-26 | 2013-08-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US8654064B2 (en) * | 2010-10-18 | 2014-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Backlight having blue light emitting diodes and method of driving same |
KR101107851B1 (ko) * | 2010-11-12 | 2012-02-07 | 삼성엘이디 주식회사 | 형광체 자동 배합기 및 형광체 자동 배합 방법 |
JP2012246462A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP6267635B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2018-01-24 | 株式会社ドゥエルアソシエイツ | チップオンボード型のパッケージ基板を有する発光装置及びその製造方法 |
WO2015050317A1 (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-09 | 지엘비텍 주식회사 | 고연색성 백색 발광 소자 |
US9291340B2 (en) | 2013-10-23 | 2016-03-22 | Rambus Delaware Llc | Lighting assembly having n-fold rotational symmetry |
TWI645579B (zh) * | 2014-08-11 | 2018-12-21 | 佰鴻工業股份有限公司 | Light-emitting diode module with reduced blue light energy |
US9974138B2 (en) | 2015-04-21 | 2018-05-15 | GE Lighting Solutions, LLC | Multi-channel lamp system and method with mixed spectrum |
US10236425B2 (en) * | 2016-03-08 | 2019-03-19 | Glbtech Co., Ltd. | White light emitting device having high color rendering |
Family Cites Families (89)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US18985A (en) | 1857-12-29 | Island | ||
US2121275A (en) | 1935-05-03 | 1938-06-21 | Zober Benjamin | Colloid mill |
US3527595A (en) | 1963-10-01 | 1970-09-08 | Arthur Adler | Homogeneous metal-containing solid mixtures |
US3697301A (en) | 1971-04-05 | 1972-10-10 | Gte Sylvania Inc | Process of forming cathode ray tube screens to utilize the luminous efficiency of the phosphor material |
JPS585222U (ja) | 1981-07-02 | 1983-01-13 | 三菱電機株式会社 | 超電導機器の電流中継装置 |
US4576736A (en) | 1984-03-19 | 1986-03-18 | International Business Machines Corporation | Method of predicting and controlling the viscosity of conductive pastes |
DE4017553C1 (ja) | 1990-05-31 | 1991-09-19 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De | |
JPH0515655A (ja) | 1991-07-10 | 1993-01-26 | Ace Denken:Kk | 遊技機用のicカード |
JP3142934B2 (ja) | 1992-01-20 | 2001-03-07 | 株式会社東芝 | 超電導電流リードの接続構造体 |
US5290638A (en) | 1992-07-24 | 1994-03-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Superconducting joint with niobium-tin |
US5447291A (en) | 1993-10-08 | 1995-09-05 | The Ohio State University | Processes for fabricating structural ceramic bodies and structural ceramic-bearing composite bodies |
JP3425465B2 (ja) | 1994-03-03 | 2003-07-14 | 化成オプトニクス株式会社 | 緑色発光蛍光体及びそれを用いた陰極線管 |
DE69834559T3 (de) | 1997-02-24 | 2011-05-05 | Cabot Corp., Boston | Sauerstoffhaltige Phosphorpulver, Verfahren zur Herstellung von Phosphorpulvern und Vorrichtung hiermit |
JPH11144938A (ja) | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電流リード装置および冷凍機冷却型超電導マグネット |
US6330884B1 (en) * | 1997-11-14 | 2001-12-18 | Transvascular, Inc. | Deformable scaffolding multicellular stent |
JPH11277527A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-12 | Toshiba Chem Corp | 混練装置 |
JP2000073053A (ja) | 1998-09-01 | 2000-03-07 | Hitachi Ltd | 蛍光体及びこの蛍光体を用いた陰極線管 |
JP3998353B2 (ja) | 1998-11-20 | 2007-10-24 | 大日本塗料株式会社 | コロイドミル |
KR100342044B1 (ko) | 1999-04-14 | 2002-06-27 | 김순택 | 녹색발광 형광체 조성물 및 이를 이용하여 제조된 음극선관 |
EP1104799A1 (en) | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
JP3763719B2 (ja) | 2000-02-02 | 2006-04-05 | 独立行政法人科学技術振興機構 | オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体 |
KR20020026276A (ko) | 2000-03-30 | 2002-04-09 | 이데이 노부유끼 | 기부 처리 시스템 |
DE10036940A1 (de) | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Lumineszenz-Konversions-LED |
JP2002076434A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
EP1353339B1 (en) | 2001-01-16 | 2017-12-27 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Low resistance conductor, method of producing the same, and electric component using the same |
US6632379B2 (en) | 2001-06-07 | 2003-10-14 | National Institute For Materials Science | Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor |
JP3726131B2 (ja) | 2002-05-23 | 2005-12-14 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | サイアロン系蛍光体 |
JP3668770B2 (ja) | 2001-06-07 | 2005-07-06 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体 |
JP2003013059A (ja) | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Hitachi Ltd | カラー陰極線管及びそれに用いる赤色蛍光体 |
DE10133352A1 (de) | 2001-07-16 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
JP3643868B2 (ja) | 2001-09-21 | 2005-04-27 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | セリウムイオンの付活したランタン窒化ケイ素蛍光体 |
DE10147040A1 (de) | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
WO2003042327A1 (en) | 2001-11-14 | 2003-05-22 | Sarnoff Corporation | Red photoluminescent phosphors |
JP2003238953A (ja) | 2002-02-13 | 2003-08-27 | Tdk Corp | 蛍光体およびelパネル |
JP4009828B2 (ja) | 2002-03-22 | 2007-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP4177172B2 (ja) | 2002-05-29 | 2008-11-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 色素増感型太陽電池 |
JP4656816B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2011-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP4356915B2 (ja) | 2002-07-22 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置及びプローブカードのチャンネル情報作成プログラム並びにプローブカードのチャンネル情報作成装置 |
JP4207489B2 (ja) | 2002-08-06 | 2009-01-14 | 株式会社豊田中央研究所 | α−サイアロン蛍光体 |
EP1413618A1 (en) | 2002-09-24 | 2004-04-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Luminescent material, especially for LED application |
JP4415548B2 (ja) | 2002-10-16 | 2010-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | オキシ窒化物蛍光体を用いた発光装置 |
MY149573A (en) | 2002-10-16 | 2013-09-13 | Nichia Corp | Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor |
JP2004145718A (ja) | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 構造解析モデル生成装置及び方法 |
JP2004166058A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corp | スキャナの画像読取機構、スキャナ装置及び画像読取方法 |
JP4072632B2 (ja) | 2002-11-29 | 2008-04-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光方法 |
EP1573826B1 (en) | 2002-12-13 | 2007-03-21 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
JP2004207271A (ja) | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Nec Electronics Corp | Soi基板及び半導体集積回路装置 |
US7074346B2 (en) | 2003-02-06 | 2006-07-11 | Ube Industries, Ltd. | Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof |
JP2004248405A (ja) | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Fuji Heavy Ind Ltd | 車両のバッテリ管理装置 |
JP4244653B2 (ja) | 2003-02-17 | 2009-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | シリコンナイトライド系蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
JP3706111B2 (ja) | 2003-02-19 | 2005-10-12 | トヨタ車体株式会社 | 車両のスライドドアの開閉装置 |
JP2004253312A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Hataya Seisakusho:Kk | コンセント |
KR101142725B1 (ko) | 2003-03-13 | 2012-05-04 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광막, 발광장치, 발광막의 제조방법 및 발광장치의제조방법 |
US7462983B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-12-09 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | White light emitting device |
JP2005075854A (ja) | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Kansai Paint Co Ltd | 塗料組成物及び塗膜形成方法 |
JP2005103429A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 砒素含有汚泥処理システム及び砒素含有汚泥処理方法 |
JP2005105126A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Pentel Corp | 油性インキ組成物 |
JP3837588B2 (ja) | 2003-11-26 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
JP4568894B2 (ja) | 2003-11-28 | 2010-10-27 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 複合導体および超電導機器システム |
JP2005192691A (ja) | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Symbolic Atorii:Kk | 側地袋着脱式寝具 |
JP3931239B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-06-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 発光素子及び照明器具 |
JP4511849B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-07-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにled |
JP5016187B2 (ja) | 2004-07-14 | 2012-09-05 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びled |
JP4524468B2 (ja) | 2004-05-14 | 2010-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにled |
JP4491585B2 (ja) | 2004-05-28 | 2010-06-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 金属ペーストの製造方法 |
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JP4414821B2 (ja) | 2004-06-25 | 2010-02-10 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体並びに光源およびled |
JP5226929B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2013-07-03 | 三菱化学株式会社 | 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置 |
JP4511885B2 (ja) | 2004-07-09 | 2010-07-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びled並びに光源 |
US7476337B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
JP4933739B2 (ja) | 2004-08-02 | 2012-05-16 | Dowaホールディングス株式会社 | 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置 |
US7138756B2 (en) | 2004-08-02 | 2006-11-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same |
JP4524470B2 (ja) | 2004-08-20 | 2010-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源 |
US7476338B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
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US7854859B2 (en) * | 2004-12-28 | 2010-12-21 | Nichia Corporation | Nitride phosphor, method for producing this nitride phosphor, and light emitting device that uses this nitride phosphor |
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US7524437B2 (en) | 2005-03-04 | 2009-04-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
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