JP2013517632A - パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】工程時間を短縮し、平坦度(又は、ボンディングの均一性)を高め、絶縁層(絶縁基板)とチップとの間の接着力が向上したパッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパッケージは、パターニング層上に形成された第１導電層と、前記パターニング層上に前記第１導電層を埋め込むように形成された絶縁層と、前記絶縁層の外面に形成された第２導電層と、前記第１導電層と第２導電層とを電気的に接続するように前記絶縁層の内部に形成された第３導電層とを含むことを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、パッケージおよびその製造方法に関する。特に、チップと絶縁層との間に空隙がなく接着性能が向上したパッケージおよびその製造方法に関する。
発光ダイオード(ｄｉｏｄｅ)は、順方向に電圧を加えた時に発光する半導体素子である。ＬＥＤ(Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ)とも呼ばれる。発光原理は電界発光効果を利用している。また、寿命も白熱電球より非常に長い。発光色は使われる材料に応じて異なり、紫外線領域から可視光線及び赤外線領域まで発光するものを製造することができる。最初に１９６２年にイリノイ大学のニック・ホロニアク(Ｎｉｃｋ Ｈｏｌｏｎｙａｋ)により開発された。また、今日まで様々な用途に使われており、今後蛍光灯や電球に代わる光源として期待されている。
このようなチップも一般的な半導体チップと同様にＰＣＢ基板に装着するためにはパッケージングが必要である。ＬＥＤ ＰＫＧ（パッケージ）が小型及び薄型化されるにつれ既存のＷＬ(ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ)からＣＳ(ｃｈｉｐ ｓｃａｌｅ)に変更することで材料コストと工程コスト/投資コストを低減しようとする傾向にある。これにより、既存のリードフレーム(Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ)とチップ(ｃｈｉｐ)をＷ/Ｂ(ワイヤーボンディング)、Ｄ/Ｂ(ダイボンディング)で連結してパッケージすることとは異なり、Ｓｉ基板(あるいはＡｌＮ基板あるいはＬＴＣＣ基板など)を使ってウェハ対ウェハボンディング(ｗａｆｅｒ ｔｏ ｗａｆｅｒ ｂｏｎｄｉｎｇ)でパッケージの形態を変更して工程段階を減らし、ウェハ当たりのパッケージの個数を増大させる方法が提案された。
図１は、従来のウェハ対ウェハボンディング方法によるパッケージの断面図である。図１を参照すると、従来のウェハ対ウェハボンディング方法によるパッケージは、サファイア基板１００、サファイア基板１００上に成長させて形成されたパターニング層１１０、パターニング層上に形成された導電体層１２０(以下、第１導電層と称する。)、絶縁層１３０、絶縁層１３０上に形成され、第１導電層１２０と接触された導電体層１４０(以下、第２導電層と称する。)、絶縁層１３０の内部を貫通し、第１導電層１２０と第２導電層１４０を電気的に接続する導電体層１５０(以下、第３導電層と称する。)で構成される。しかしながら、このような従来のパッケージは、ウェハ対ウェハのボンディング時に第１導電層１２０と第２導電層１４０とが接触するので、チップと絶縁層との間に空間ができることになる。このような二つの個体間の空間(空隙)は接着強度を弱くするという欠点がある。
図２は、従来のウェハ対ウェハボンディング方法によるパッケージの製造工程を示す工程図である。図２を参照すると、先ず、絶縁基板(絶縁層)１３０を用意する。ここで、絶縁基板１３０は例えばＳｉ又はＡｌＮ又はＡｌ2Ｏ3基板である。その後、中間部にビアホール１６０を形成し、このビアホール１６０をメッキして第３導電層１５０を形成する。そして、絶縁層１３０と第３導電層１５０上に第２導電層１４０を形成した後、サファイア基板上１００に順に形成されたパターニング層１１０および第１導電層１２０で構成されたチップとウェハ対ウェハボンディングを実施する。しかしながら、このように構成された従来のＬＥＤパッケージおよびその製作方法によると、Ｓｉ基板は、他の基板に比べて平坦度には優れるが、基板製作時に工程時間が長く、材料費率が増えることになる。又、ＡｌＮやＬＴＣＣなどのセラミック基板は、Ｓｉ基板に比べて材料費率は低いが、相対的に工程比率が高く、平坦度が良くない。そして前述のように二つの個体間の空隙ができるといった問題点があった。したがって、工程時間が短いながらも、平坦度を高めると共に接着力が向上したパッケージおよびその製造方法が必要である。
本発明の実施例により、工程時間を短縮し、平坦度(又は、ボンディングの均一性)を高め、絶縁層(絶縁基板)とチップとの間の接着力が向上したパッケージおよびその製造方法を提供する。
本発明の一実施例により、パターニング層上に形成された第１導電層と、前記パターニング層上に前記第１導電層を埋め込むように形成された絶縁層と、前記絶縁層の外面に形成された第２導電層と、前記第１導電層と第２導電層とを電気的に接続するように前記絶縁層の内部に形成された第３導電層とを含み、平坦度および接着力が向上したパッケージを提供する。
ここで、前記絶縁層は、Ｓｉ、Ａｌ、ＡｌＮ、 Ａｌ2Ｏ3、 ＢＮ、ＬＴＣＣ(Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ)のうち少なくとも一つを含有するフィラー(ｆｉｌｌｅｒ)を含むことができる。
また、前記絶縁層は、フィラー、樹脂、分散剤、および添加剤を含み、前記フィラーは蛍光体成分をさらに含み、チップを封止材を利用してモールド樹脂、ＥＭＣ(Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ)でパッキング処理する時、このようなモールド樹脂、ＥＭＣ樹脂に含まれる蛍光体成分を減少させることにより、蛍光体の含有量が高いために発生する技術的な問題点、即ち、モールド材の接合性、蛍光体の分散性などの問題点を解決することができる。
また、前記フィラー又は樹脂は、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ及びＰｄの中から選ばれる金属パウダーおよびエポキシ樹脂であるか、ＢａＡｌ2Ｏ4又はＺｎＳの中から選ばれるイオン伝導を利用するセラミックパウダーおよびエポキシ樹脂であるか、Ｓｉ、Ａｌ、ＡｌＮ、 ＢＮ、 Ａｌ2Ｏ3、ＬＴＣＣのうち少なくとも一つを含有し、ＥＳＤ保護機能をチップサイズのパッケージに内蔵させることができる。
本発明の一実施例により、サファイア基板上にパターニング層を形成するステップと、前記パターニング層上に第１導電層を形成するステップと、前記パターニング層および第１導電層上に絶縁層および/又は第３導電層をペースト又はインクを用いる印刷法によって形成して第１導電層を埋め込むステップと、前記第３導電層上に前記第１導電層と電気的に接続されるように第２導電層を形成するステップと、前記サファイア基板を除去するステップとを含むパッケージの製造方法が提供される。ここで、前記第１導電層を埋め込むステップは、例えば、前記パターニング層および第１導電層上にペースト又はインク形態の絶縁材料および導電材料を順次又は交互に印刷し硬化させて絶縁層および第３導電層を形成することにより、前記第１導電層を埋め込むステップである。
なお、前記第１導電層を埋め込むステップは、例えば、前記パターニング層および第１導電層上にペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷し硬化させて絶縁層を形成した後、前記絶縁層の内部をメッキして第３導電層を形成することにより、前記第１導電層を埋め込むステップである。
そして、前記第１導電層を埋め込むステップは、例えば、前記第１導電層上に第３導電層をメッキした後、前記パターニング層および第１導電層上にペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷し硬化させて絶縁層を形成することにより、前記第１導電層を埋め込むステップである。
なお、前記第２導電層を形成するステップは、例えば、ペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷して第２導電層を形成するステップであり、前記サファイア基板を除去するステップは、例えば、レーザリフトオフ(Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ ｏｆｆ)工程によってサファイア基板を除去するステップである。
特に、前記絶縁材料のペースト又はインクの材料は、フィラー、樹脂、溶媒(Ｓｏｌｖｅｎｔ)、分散剤、および添加剤を含み、前記溶媒は硬化後揮発されることを特徴とし、前記フィラーは蛍光体成分を含むことができる。
なお、前記フィラーおよび樹脂は、例えば、それぞれ金属パウダーおよびエポキシ樹脂であるか、イオン伝導を利用するセラミックパウダーおよびエポキシ樹脂である。
本発明により、サファイアウェハ上に形成されたパターニング層上にペーストあるいはインク形態の絶縁体(Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ)と導体(Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)を用いて印刷(Ｐｒｉｎｔｉｎｇ)又はコーティング(Ｃｏａｔｉｎｇ)方式で基板を形成することにより、基板とＬＥＤとの間に空隙がなく接着力を強化させることができる。
なお、絶縁体は、セラミック成分を含有しているが、低温硬化タイプであるのでセラミックの焼結時に発生する収縮現象によるウェハの損傷を最小化することができ、既存のウェハ対ウェハボンディング工程で問題となる基板のＣｏ-ｐｌａｎａｒｉｔｙの問題も、粘性を持つペーストあるいはインク印刷方式であるので解決可能である。
なお、製造方法においても既存の基板の製作工程および基板の接着の代わりに印刷工法を適用して実現するので、多数の工程数を省略することが可能であり、それにより材料および工程コスト/製作期間を減少させることができ、絶縁体に含まれた蛍光体又はＥＳＤ保護材料によって光効率性の向上又は静電気保護効果がある。
従来のウェハ対ウェハボンディング方法によるパッケージの断面図である。 従来のウェハ対ウェハボンディング方法によるパッケージの製造工程を示す工程図である。 本発明の一実施形態によるパッケージの断面図である。 本発明の一実施形態によるパッケージの製造工程を示す工程図である。
以下、添付の図面を参照して望ましい一実施形態によるパッケージおよびその製造方法について詳細に説明する。但し、本発明はこれらの実施形態により限定されるものではない。
図３は本発明の一実施形態によるパッケージの断面図を示す。図３を参照すると、本発明の一実施形態によるパッケージは、サファイア基板１００、(ＬＥＤ又は半導体)パターニング層１１０、第１導電層１２０、絶縁層１３０、第２導電層１４０、及び第３導電層１５０を含む。より詳細には、サファイア基板１００の下方に順次形成されたパターニング層１１０および第１導電層１２０で構成されたＬＥＤチップが存在する。そして、パターニング層１１０の下方に第１導電層１２０を埋め込むように絶縁層１３０が形成され、絶縁層１３０の外面に第２導電層１４０が形成され、絶縁層１３０の内部に第１導電層１２０と第２導電層１４０とを電気的に接続するように第３導電層１５０が形成されている。このように、第１導電層１２０が絶縁層１３０の内部に埋め込まれているので、従来のパッケージのような空隙ができない。したがって、ＬＥＤチップと絶縁層１３０との接着力が向上して信頼性が改善される。以下、このようなパッケージ構造を製造する工程を詳細に説明する。
図４は、本発明の一実施形態によるパッケージの製造工程を示す工程図である。同図では、パッケージがＰＣＢに付着する部分を下向きにして完成される過程として説明し、実質的にはチップを上向きにして印刷およびその他工程が進行されると理解しなければならない。図４を参照すると、サファイア基板１００上にパターニング層１１０および第１導電層１２０が順次形成されたチップを用意する(Ｓ１)。その後、パターニング層１１０および第１導電層１２０上に絶縁層１３０および/又は第３導電層１５０をペースト又はインク印刷法によって形成して第１導電層１２０を埋め込む(Ｓ２及びＳ３)。
より詳細には、本ステップでの印刷工程の進行順序は、形成する基板の厚さ、大きさ、図面などによりその順序や回数などの印刷方法を様々に実現することが可能である。
例えば、ペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷した後ペースト又はインク形態の導電材料を印刷して絶縁層１３０および第３導電層１５０を形成し(左側のＳ２以後Ｓ３)、または、ペースト又はインク形態の導電材料を印刷した後ペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷して第３導電層１５０および絶縁層１３０を形成(右側のＳ２以後Ｓ３)するように、絶縁層１３０と第３導電層１５０とを順次印刷することができる。また、ペースト又はインク形態の導電材料および絶縁材料を交互に同時に印刷して絶縁層１３０と第３導電層１５０とを形成することもできる(この場合、ステップＳ１から直にステップＳ３に進行)。
また、絶縁層１３０は印刷法で形成し、第３導電層１５０はメッキ方式を用いて形成することもできる。例えば、先ず、パターニング層１１０および第１導電層１２０上にペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷し硬化させて絶縁層１３０を形成した後(左側のＳ２)、絶縁層１３０の内部をメッキして第３導電層１５０を形成する(Ｓ３)。又は第１導電層１２０上に第３導電層１５０をメッキした後(右側のＳ２)、パターニング層１１０および第１導電層１２０上にペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷し硬化させて絶縁層１３０を形成する(Ｓ３)。
ここで、絶縁層は、インク又はペースト状態ではフィラー、樹脂、溶媒、分散剤、および添加剤で構成され、硬化以後には溶媒が揮発され、一部樹脂に対しては変形が生じる可能性もある。
特に、フィラーは Ｓｉ、Ａｌ、ＡｌＮ、 ＢＮ、 Ａｌ2Ｏ3、ＬＴＣＣのうち少なくとも一つを含有する。また、フィラーは、前記の成分以外にＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ(ＳｉＣ-ＢｅＯ)、ＢｅＯ、ＣｅＯなどのセラミック(Ｃｅｒａｍｉｃ)系とＣ(ダイヤモンド、ＣＮＴ)の成分、蛍光体成分が含まれたペースト形態の材質で構成できる。第３導電層は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＣｒなどの金属成分が含まれたペーストあるいはインク形態の材質で構成され、Ｎｉ/Ａｕ又はＮｉ/Ｐｄ/Ａｕのメッキ工程により完成されることが望ましい。
ここで、フィラーに蛍光体成分が含まれる場合、チップを封止材を利用してモールド樹脂、ＥＭＣでパッキング処理する時に、このようなモールド樹脂、ＥＭＣ樹脂に含まれる蛍光体成分を減少させることにより、蛍光体の含有量が高いために発生する技術的な問題点、即ち、モールド材の接合性、蛍光体の分散性などの問題点を解決することができる。
特に、フィラーの場合熱伝導率の増加および熱膨張係数差の調節のために添加するが、インクの場合１０ｎｍ〜５００ｎｍ、ペーストの場合０.５μｍ〜１００μｍの粒度中充填率のためにそれぞれ単独粒度および複数粒度の選択が可能である。 また、その量は１０〜９７ｗｔ％の含有量を有することが望ましい。
なお、ＥＳＤ保護機能をチップサイズのパッケージに内蔵させるために、フィラーおよび樹脂は、それぞれ、金属パウダーおよびエポキシ樹脂を、あるいはイオン伝導を利用するセラミックパウダーおよびエポキシ樹脂を用いることができる。ここで、金属パウダーはＡｇ、Ｗ、Ｐｔ、及びＰｄなどの金属パウダーが望ましく、セラミックパウダーはＢａＡｌ2Ｏ4、ＺｎＳなどのイオン伝導を利用するセラミックパウダーが望ましい。
なお、ペースト又はインクを硬化させる場合、低温硬化(常温〜６００℃以下)のために高分子物質が添加されるが、その含有量は３〜９０ｗｔ％であることが望ましい。その種類は、ポリアクリル樹脂(ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ ｒｅｓｉｎ)、エポキシ樹脂(ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ)、フェノール樹脂(ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ)、ポリアミド樹脂(ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ)、ポリイミド樹脂(ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ)、不飽和ポリエステル樹脂(ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ)、ポリフェニレンエーテル樹脂(ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ ｒｅｓｉｎ (ＰＰＥ))、 ポリフェニレンオキサイド樹脂(ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ ｒｅｓｉｎ(ＰＰＯ))、 ポリフェニレンスルフィド樹脂(ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ)、シアン酸エステル樹脂(ｃｙａｎａｔｅ ｅｓｔｅｒ ｒｅｓｉｎ)、ベンゾシクロブテン(ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ(ＢＣＢ))、ポリアミド-アミンデンドリマー(Ｐｏｌｙａｍｉｄｏ-ａｍｉｎｅ Ｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓ(ＰＡＭＡＭ))、およびポリプロピレン-イミン(Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ-ｉｍｉｎｅ)、デンドリマー(Ｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓ(ＰＰＩ))，およびＰＡＭＡＭの内部構造および有機-シリコンの外面を有するデンドリマーであるＰＡＭＡＭ-ＯＳを単独又はこれらの組合せを含んだ樹脂で構成できる。
ここで、絶縁層と高分子物質とを混合するために用いられる混合方式は、ボールミル、油性ボールミル、インペラミキシング、ビーズミル(Ｂｅａｄ Ｍｉｌｌ)、バスケットミル(Ｂａｓｋｅｔ Ｍｉｌｌ)を含む。実施例によれば，溶媒と分散剤を均一な分散のために用いることができる。溶媒は粘度調節のために添加でき、溶媒の粘度はインクの場合３〜４００Ｃｐｓ、ペーストの場合１０００〜１百万Ｃｐｓが望ましい。また、溶媒は、水、メタノール(ｍｅｔｈａｎｏｌ)、エタノール(ｅｈｔａｎｏｌ)、イソプロパンオール(ｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ)、ブチルカルビトール(ｂｕｔｙｌｃａｂｉｔｏｌ)、ＭＥＫ、トルエン(ｔｏｌｕｅｎｅ)、キシレン(ｘｙｌｅｎｅ)、ジエチレングリコール(Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ;ＤＥＧ)、ホルムアミド(Ｆｏｒｍａｍｉｄｅ;ＦＡ)、α-テルピネオール(α-ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ;ＴＰ)、γ-ブチロラクトン(γ-ｂｕｔｙｒｏｌａｃｔｏｎｅ;ＢＬ)、メチルセロソルブ(Ｍｅｔｈｙｌｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ;ＭＣＳ)、プロピルメチルセロソルブ(Ｐｒｏｐｙｌｍｅｔｈｙｌｃｅｌｌｏｓｏｌｖｅ;ＰＭ)のうちで単独又は複数の組合せを含むこともできる。
なお、分散剤の場合、非イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、オクチルアルコール(Ｏｃｔｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ)およびアクリル系高分子からなる群より選ばれる一つ以上を含むことができる。
さらに、粒子間結合を増加させるために、１-トリメチル・シリル・ブタノール（１-Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｂｕｔ-１-ｙｎｅ-３-ｏｌ）、アリ・トリメチル・シラン（Ａｌｌｙｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、トリメチルシリル・メタノサルフェイト（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ ｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、トリメチル・シリル・トリコロル・アセテート（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ ｔｒｉｃｈｏｌｏｒａｃｅｔａｔｅ）、メチル・トリメチルシリル・アセテート（Ｍｅｔｈｙｌ ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌａｃｅｔａｔｅ）、トリメチルシリル・プロピオニック・アシッド（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ ｐｒｏｐｉｏｎｉｃ ａｃｉｄ）などのシラン系の添加物を入れることが可能であるが、この場合、ゲル化(ｇｅｌａｔｉｏｎ)の危険性があるので、添加の選択は慎重を期しなければならない。
このような材料を用いて印刷された絶縁層および第３導電層を硬化しなければならない。この場合に用いられる硬化は、真空硬化、即ち、１０〜２４０分間常温〜６００℃で硬化させて基板を形成することが望ましいが、必ずしもこれに限定されるのではない。
その結果、硬化した基板の場合、チップと基板との空隙がないため、後工程進行時クラック(Ｃｒａｃｋ)および信頼性に影響がないチップパッケージの製造が可能である。
その後、第３導電層１５０上に前記第１導電層と電気的に接続されるように第２導電層を形成する(Ｓ４)。そして最終的にレーザリフトオフ(Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ ｏｆｆ)工程によってサファイア基板１００を除去してチップパッケージを完成する。

Claims (12)

  1. パターニング層上に形成された第１導電層と、
    前記パターニング層上に前記第１導電層を埋め込むように形成された絶縁層と、
    前記絶縁層の外面に形成された第２導電層と、
    前記第１導電層と第２導電層とを電気的に接続するように前記絶縁層の内部に形成された第３導電層とを含むパッケージ。
  2. 前記絶縁層は、Ｓｉ、Ａｌ、ＡｌＮ、 ＢＮ、 Ａｌ2Ｏ3、ＬＴＣＣのうち少なくとも一つを含有するフィラーを含む、請求項１に記載のパッケージ。
  3. 前記絶縁層は、
    フィラー、樹脂、分散剤、および添加剤を含む、請求項１に記載のパッケージ。
  4. 前記フィラーは蛍光体成分をさらに含む、請求項３に記載のパッケージ。
  5. 前記フィラー又は前記樹脂は、
    Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ及びＰｄの中から選ばれる金属パウダーおよびエポキシ樹脂であるか、ＢａＡｌ2Ｏ4又はＺｎＳの中から選ばれるイオン伝導を利用するセラミックパウダーおよびエポキシ樹脂であるか、
    Ｓｉ、Ａｌ、ＡｌＮ、 Ａｌ2Ｏ3、 ＢＮ、及びＬＴＣＣのうち少なくとも一つを含有する、請求項３又は４に記載のパッケージ。
  6. サファイア基板上にパターニング層を形成するステップと、
    前記パターニング層上に第１導電層を形成するステップと、
    前記パターニング層および第１導電層上に絶縁層および第３導電層のうち少なくとも一つをペースト又はインクを用いる印刷法によって形成して第１導電層を埋め込むステップと、
    前記第３導電層上に前記第１導電層と電気的に接続されるように第２導電層を形成するステップと、
    前記サファイア基板を除去するステップと、を含むパッケージの製造方法。
  7. 前記第１導電層を埋め込むステップは、
    前記パターニング層および第１導電層上にペースト又はインク形態の絶縁材料および導電材料を順次又は交互に印刷し硬化させて前記絶縁層および第３導電層を形成することにより、前記第１導電層を埋め込むステップである、請求項６に記載のパッケージの製造方法。
  8. 前記第１導電層を埋め込むステップは、
    前記パターニング層および第１導電層上にペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷し硬化させて絶縁層を形成した後、前記絶縁層の内部をメッキして前記第３導電層を形成することにより、前記第１導電層を埋め込むステップである、請求項６に記載のパッケージの製造方法。
  9. 前記第１導電層を埋め込むステップは、
    前記第１導電層上に前記第３導電層をメッキした後、前記パターニング層および第１導電層上にペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷し硬化させて絶縁層を形成することにより、前記第１導電層を埋め込むステップである、請求項６に記載のパッケージの製造方法。
  10. 前記第２導電層を形成するステップは、
    ペースト又はインク形態の絶縁材料を印刷して第２導電層を形成するステップである、請求項６に記載のパッケージの製造方法。
  11. 前記第２導電層を形成するステップは、
    レーザリフトオフ工程によってサファイア基板を除去するステップである、請求項６に記載のパッケージの製造方法。
  12. 前記絶縁材料のペースト又はインクの材料は、フィラー、樹脂、溶媒、分散剤、および添加剤を含み、前記溶媒は硬化後揮発される、請求項７〜９のうちいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
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