JP2006114820A - 発光素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子1は、透明結晶基板6と、p型及びn型の窒化物半導体からなる半導体層の一方の半導体層2と、窒化物半導体層の他方の半導体層3と、各半導体層2,3に電流を注入するための半導体面電極21,31と、絶縁基板4と、実装用の実装面電極5と、を順に積層して備えている。半導体層2は、半導体層3が一部に積層されていない非積層部20を持ち、半導体面電極21は、非積層部20の表面に、また半導体面電極31は、半導体層3の表面に形成されて絶縁基板4に対向している。絶縁基板4には、貫通電極10が形成され、半導体面電極21,31は貫通電極10によって実装面電極5に電気接続されている。絶縁基板4は、半導体層2,3を保護するとともに、実装面電極5を形成する基板となっている。
【選択図】図1
Description
2,3 半導体層
4 絶縁基板
5 実装面電極
6 透明結晶基板
8 透明光学部品
9 蛍光体
10 貫通電極
20 非積層部
21,31 半導体面電極
53 導通材料
22 微細凹凸形状
1a 半導体基板
LB レーザ光
Claims (13)
- p型及びn型の窒化物半導体層を積層して形成した発光素子において、
透明結晶基板と、前記窒化物半導体層の一方の半導体層と、前記窒化物半導体層の他方の半導体層と、前記各半導体層に電流を注入するための半導体面電極と、絶縁基板と、実装用の実装面電極と、を順に積層して備え、
前記一方の半導体層は前記他方の半導体層が一部に積層されていない非積層部を持ち、
前記各半導体面電極は前記一方の半導体層の前記非積層部の表面及び前記他方の半導体層の表面に積層されてそれぞれ前記絶縁基板に対向しており、
前記絶縁基板には貫通電極が形成され、
前記半導体面電極は前記貫通電極によって前記実装面電極に電気接続されていることを特徴とする発光素子。 - 前記絶縁基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記絶縁基板がセラミックス基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記絶縁基板が樹脂基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記貫通電極が導通材料により埋められていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発光素子。
- 前記透明結晶基板の表面に微細凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発光素子。
- 前記透明結晶基板の表面に微細凹凸形状を有する透明光学部品が配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発光素子。
- 前記透明結晶基板の表面又は内部に蛍光体が配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発光素子。
- 透明結晶基板上にp型及びn型窒化物半導体層を両半導体層間の一部に非積層部を設けて積層し、これらの半導体層上に各半導体層に電流を注入するための半導体面電極をそれぞれの電極表面を同一方向に露出した状態で設けてなる半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、
前記半導体面電極に一端側を電気接続するため当該半導体面電極の位置に対応して配置した貫通電極及び前記貫通電極の他端側に電気接続した実装用の実装面電極を絶縁基板に形成する貫通電極形成工程と、
前記半導体基板形成工程により形成した半導体基板と前記貫通電極形成工程により貫通電極及び実装面電極を形成した絶縁基板を、前記半導体面電極と前記貫通電極の一端を対向させるとともに位置合わせして積層する基板積層工程と、を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記基板積層工程は、前記半導体面電極と当該半導体面電極に対応する前記貫通電極の一端とを互いに金属接合させる金属接合工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の発光素子の製造方法。
- 透明結晶基板上にp型及びn型窒化物半導体層を両半導体層間の一部に非積層部を設けて積層し、これらの半導体層上に各半導体層に電流を注入するための半導体面電極をそれぞれの電極表面を同一方向に露出した状態で設けてなる半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、
前記半導体基板形成工程により形成された半導体基板の前記半導体面電極側に絶縁基板を積層する基板積層工程と、
前記基板積層工程の後に、前記絶縁基板を貫通して前記半導体面電極に一端側を電気接続した貫通電極及び前記半導体面電極に対向しない側の前記絶縁基板の表面に配置され前記貫通電極の他端側に電気接続された実装用の実装面電極を形成する貫通電極形成工程と、を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記基板積層工程は、当該積層工程に関与する表面のうち、前記貫通電極に電気接続される領域以外の半導体基板の表面とこの表面に対応する前記絶縁基板の表面を互いに接合させる絶縁部接合工程を含むことを特徴とする請求項9又は請求項11に記載の発光素子の製造方法。
- 前記透明結晶基板上に一括して複数の発光素子が形成され、発光素子が形成された前記透明結晶基板をレーザ光を用いて切断することによりチップ状の発光素子を形成するチップ形成工程を備えることを特徴とする請求項9乃至請求項12のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
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