JP2022177326A - 半導体素子、および半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシングに起因する不具合を抑制可能な半導体素子、および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子Ａ１は、少なくとも一部が半導体からなり、ｚ方向において互いに反対側を向く主面１１および裏面１２と、ｙ方向に直交し、かつ、主面１１に繋がる主面側第一側面１３ａと、主面側第一側面１３ａと同じ側を向き、かつ、裏面１２に繋がる裏面側第一側面１４ａとを有する主部１と、主部１の裏面１２の少なくとも一部を覆う裏面電極層２とを備えている。裏面側第一側面１４ａは、ｙ方向において、主面側第一側面１３ａより外側に位置し、裏面電極層２は、裏面側第一側面１４ａの少なくとも一部を覆う第一延伸部２２ａを備えている。
【選択図】図１３

Description

本開示は、半導体素子、および半導体素子の製造方法に関する。

半導体素子の製造方法においては、ウエハなどの半導体を含む主部材料に、各々が所定の機能を果たす複数の機能領域が形成される。そして、これらの機能領域を個別に分割するように上記主部材料が切断される。特許文献１に記載の構成においては、上記主部材料の裏面側に金属からなるコンタクト層が形成されている。そして、上記切断においては、裏面とは反対側の主面側から、ダイシングブレードを用いたダイシングが行われている。これにより、各々が上記機能領域を具備する複数の半導体素子が形成される。

上記切断において、コンタクト層には、ダイシングブレードによって裏面が向く方向に押し出される力が作用する。このため、製造された半導体素子の裏面に設けられたコンタクト層は、その端縁に裏面が向く方向に突出する微小なバリが生じやすい。また、主部材料およびコンタクト層が分断されたときに、ダイシングブレードが揺れて、主部材料の主面側の端縁に接触して、チッピングが発生する場合がある。

一方、レーザ光によるダイシングも開発されている。レーザ光によるダイシングの場合、主部材料およびコンタクト層を気化させることで分断するので、チッピングが発生しない。また、コンタクト層のバリは発生しない。しかしながら、レーザ光によってコンタクト層の一部が溶融して、主部材料の切断された側面に付着する。当該付着物は導電性があるので、主部材料の主面に達した場合、主面に形成された電極とコンタクト層とを導通させる可能性がある。

特開２０１１－００９６７０７号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ダイシングに起因する不具合を抑制可能な半導体素子、および半導体素子の製造方法を提供することをその課題とする。

本開示の第１の側面によって提供される半導体素子は、少なくとも一部が半導体からなり、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記厚さ方向に直交する第一方向に直交し、かつ、前記主面に繋がる主面側第一側面と、前記主面側第一側面と同じ側を向き、かつ、前記裏面に繋がる裏面側第一側面とを有する主部と、前記主部の前記裏面の少なくとも一部を覆う裏面電極層とを備え、前記裏面側第一側面は、前記第一方向において、前記主面側第一側面より外側に位置し、前記裏面電極層は、前記裏面側第一側面の少なくとも一部を覆う第一延伸部を備えている。

本開示の第２の側面によって提供される半導体素子の製造方法は、少なくとも一部が半導体からなり、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し、前記裏面の少なくとも一部が導電体層によって覆われた主部材料を準備する準備工程と、前記主部材料の前記裏面側を保持テープに保持させる保持工程と、前記厚さ方向に直交する第二方向に沿って、前記主部材料の前記主面側の一部を削除することにより、第一溝を形成する溝形成工程と、前記厚さ方向および前記第二方向に直交する第一方向の寸法が、前記第一溝の前記第一方向の寸法以下であり、かつ、前記厚さ方向視において前記第一溝に内包されるとともに、前記主部材料を前記厚さ方向に分断する第一スリットを形成する分断工程とを備え、前記分断工程は、レーザ光の照射により行われる。

本開示によると、半導体素子は、主部材料の主面側に先に第一溝が形成され、厚さ方向視において第一溝に内包される第一スリットがレーザ光の照射により形成されることで主部材料および裏面電極層が分断されて製造される。第一溝の形成では、主部材料および裏面電極層が分断されないので、主部材料の揺れが小さく、チッピングは発生しにくい。また、分断はレーザ光の照射により行われるので、主部材料の揺れが小さく、チッピングの発生が抑制される。また、導電体層のバリは発生しない。さらに、レーザ光Ｌの照射により溶融した導電体層の一部が切断された側面に付着するが、先に形成された第一溝によって、当該付着物が主部材料の主面側まで繋がることが抑制される。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態にかかる半導体素子の製造方法に用いられる主部材料を示す要部平面図である。 図１に示す主部材料の要部斜視図である。 図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う要部断面図である。 本開示の第１実施形態にかかる半導体素子の製造方法において第一溝を形成する工程を示す要部斜視図である。 図４のＶ－Ｖ線に沿う要部断面図である。 本開示の第１実施形態にかかる半導体素子の製造方法において第一溝および第二溝が形成された状態を示す要部斜視図である。 図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う要部断面図である。 本開示の第１実施形態にかかる半導体素子の製造方法において保護膜が形成された状態を示す要部断面図である。 本開示の第１実施形態にかかる半導体素子の製造方法において第一スリットを形成する工程を示す要部断面図である。 本開示の第１実施形態にかかる半導体素子の製造方法において第一スリットが形成された状態を示す要部断面図である。 第一溝および第一スリットを示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態にかかる半導体素子の製造方法において第一スリットおよび第二スリットが形成された状態を示す要部斜視図である。 本開示の第１実施形態にかかる半導体素子を示す斜視図である。 図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う要部拡大断面図である。 図１３に示す半導体素子の実際に作成されたものの一例の写真である。 本開示の第１実施形態にかかる半導体素子が搭載された半導体装置を示す断面図である。 本開示の第２実施形態にかかる半導体素子を示す斜視図である。 図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。 本開示の第３実施形態にかかる半導体素子を示す要部拡大断面図である。 図１９に示す半導体素子の製造方法において第一溝を形成する工程を示す要部断面図である。 本開示の第４実施形態にかかる半導体素子を示す斜視図である。 図２１に示す半導体素子の製造方法に用いられる主部材料を示す要部底面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。

〔第１実施形態〕
図１～図１２は、本開示の第１実施形態にかかる半導体素子の製造方法を示している。

まず、主部材料１０を準備する。図１～図３は、本製造方法に用いられる主部材料１０を示している。図１は、主部材料１０の厚さ方向であるｚ方向視における要部平面図である。図２は、主部材料１０の要部斜視図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う要部断面図である。主部材料１０は、少なくとも一部が半導体材料からなり、本実施形態においては、ｎ型領域およびｐ型領域が形成されたＳｉからなる。すなわち、主部材料１０は、図１～図３に示す状態に先立ち、いわゆるウエハの状態で、半導体素子の所定の機能を果たすべき複数の機能領域が作りこまれたものである。主部材料１０の厚さは、たとえば８０～２６０μｍであり、本実施形態では１５０μｍである。なお、主部材料１０の厚さは限定されない。

主部材料１０は、主面１０１および裏面１０２を有する。主面１０１および裏面１０２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面１０１には、複数の主面電極４と絶縁層３０が形成されている。複数の主面電極４は、上記機能領域に導通する電極であり、たとえばＡｕからなる。絶縁層３０は、たとえばＳｉＯ₂からなり、厚さがたとえば３～１０μｍである。絶縁層３０には、複数の開口３１が形成されている。各開口３１は、主面電極４を露出させている。

図１および図２に示すように、絶縁層３０には、複数の絶縁層第一スリット３２ａおよび複数の絶縁層第二スリット３２ｂが形成されている。絶縁層第一スリット３２ａは、絶縁層３０の一部がｘ方向に沿って除去されたことによって形成されている。複数の絶縁層第一スリット３２ａは、各々がｘ方向に延び、互いにｙ方向に等ピッチで離間配置されている。絶縁層第二スリット３２ｂは、絶縁層３０の一部がｙ方向に沿って除去されたことによって形成されている。複数の絶縁層第二スリット３２ｂは、各々がｙ方向に延び、互いにｘ方向に等ピッチで離間配置されている。複数の絶縁層第一スリット３２ａおよび複数の絶縁層第二スリット３２ｂによって区画された複数の矩形状領域には、各々に１個ずつの主面電極４が配置された状態となる。

裏面１０２には、導電体層２０が形成されている。導電体層２０は、たとえばＡｕなどの金属からなる層であり、本実施形態においては、裏面１０２の全面を覆っている。導電体層２０の厚さは、たとえば２μｍ程度である。

図１～図３においては、主部材料１０は、保持テープＤｔに保持されている。保持テープＤｔは、図中上面が接着面とされている。主部材料１０は、裏面１０２がｚ方向下方を向き、保持テープＤｔと対面する姿勢で保持テープＤｔに保持されている。このため、絶縁層３０がｚ方向上方に露出している。

次いで、図４および図５に示すように、第一溝１０３ａを形成する。第一溝１０３ａの形成は、たとえばダイシングブレードＤｃでの切削により行う。まず、ダイシングブレードＤｃを用いて、主部材料１０の主面１０１近傍の領域を、ｘ方向に沿って順次削除することにより、ｘ方向に延びる第一溝１０３ａを形成する。この際、ダイシングブレードＤｃは、絶縁層第一スリット３２ａに沿って走査される。これにより、絶縁層第一スリット３２ａから露出した主部材料１０の主面１０１近傍の領域が削除される。ダイシングブレードＤｃの幅は、絶縁層第一スリット３２ａの幅（ｙ方向の寸法）と同程度としている。第一溝１０３ａの深さは、たとえば３０～２００μｍ程度、第一溝１０３ａの幅は、たとえば１５～５０μｍ程度である。本実施形態では、第一溝１０３ａの深さは、主部材料１０の厚さの３分の２程度として、１００μｍ程度としている。なお、各寸法は限定されない。本工程では、ダイシングブレードＤｃをいわゆるハーフカットの状態で使用することにより、主部材料１０が厚さ方向に切断されてしまうことはなく、上述した程度の寸法の第一溝１０３ａが形成される。ｘ方向に沿ったダイシングブレードＤｃによる削除作業を複数回行うことにより、各々がｘ方向に延び、互いにｙ方向に等ピッチで離間配置された複数の第一溝１０３ａが形成される。

次いで、ｙ方向に延びる第二溝１０３ｂを形成する。第二溝１０３ｂの形成は、第一溝１０３ａの形成と同様に、たとえばダイシングブレードＤｃでの切削により行う。すなわち、絶縁層第二スリット３２ｂに沿ってダイシングブレードＤｃを走査することで、絶縁層第二スリット３２ｂから露出した主部材料１０の主面１０１近傍の領域を順次削除することにより、ｙ方向に延びる第二溝１０３ｂを形成する。ｙ方向に沿ったダイシングブレードＤｃによる削除作業を複数回行うことにより、各々がｙ方向に延び、互いにｘ方向に等ピッチで離間配置された複数の第二溝１０３ｂが形成される。第二溝１０３ｂの形成においては、ダイシングブレードＤｃの削除深さなどの条件は第一溝１０３ａの形成における条件と同様である。このため、第二溝１０３ｂは、第一溝１０３ａと延びる方向が異なることを主な相違点とする以外は、同様の構成となっている。これらのダイシング工程によって、図６に示すように、主部材料１０の主面１０１側に、複数の第一溝１０３ａおよび複数の第二溝１０３ｂが形成される。

次いで、図８に示すように、保護膜８を形成する。保護膜８は、水溶性の樹脂材料からなり、たとえばポリビニルアルコールなどを含む材料からなる。次の工程であるレーザ光によるダイシング工程では、レーザ加工屑（デブリ）が発生する。主部材料１０にデブリが付着すると、純粋洗浄だけでは完全に除去することが難しい。主部材料１０に付着したデブリは、ボンディング不良やリーク電流の増加といったデバイス不良を発生させる。保護膜８は、デブリが主部材料１０に直接付着することを防止するために形成される。保護膜８は、主部材料１０の主面１０１側に塗布されて固化されることで形成される。保護膜８は、主部材料１０の主面１０１、絶縁層３０、および複数の主面電極４を覆うように形成され、複数の第一溝１０３ａおよび複数の第二溝１０３ｂの内面にも形成される。

次いで、図９に示すように、ｘ方向に沿って主部材料１０の一部をｚ方向に貫通するように削除する。この削除は、レーザ光Ｌによるダイシングによって行う。すなわち、パルス発振されたレーザ光源からのレーザ光Ｌを集光レンズで集光し、集光されたレーザ光Ｌを主部材料１０にｚ方向から照射する。照射の出力は、主部材料１０および導電体層２０を貫通し、かつ、保持テープＤｔを貫通しない程度に調整されている。レーザ光Ｌの照射を第一溝１０３ａに沿って走査させることで、ｘ方向に沿ったダイシングを行う。

図９に示すように、レーザ光のｙ方向の照射幅は、第一溝１０３ａの幅よりも小さい。また、ｚ方向視において、レーザ光の照射領域は、第一溝１０３ａに重なり、さらに、ｙ方向において、第一溝１０３ａに内包されている。これにより、第一スリット１０４ａが形成される。第一スリット１０４ａは、ｚ方向において第一溝１０３ａの底面から裏面１０２にわたって形成されており、主部材料１０を厚さ方向に分断している。第一スリット１０４ａの幅寸法（ｙ方向の寸法）は、第一溝１０３ａの幅寸法よりもたとえば１０μｍ程度小さく、第一スリット１０４ａは、ｚ方向視において第一溝１０３ａに内包されている。ｘ方向に沿うレーザ光の照射の走査を複数回繰り返すことにより、図１０に示すように、複数の第一スリット１０４ａが形成される。

図１０および図１１に示すように、第一スリット１０４ａは、第一溝１０３ａの底面から裏面１０２まで貫通しており、ｙ方向において、第一スリット１０４ａの側面は、第一溝１０３ａの側面よりも外方に位置している。また、図１１に示すように、第一スリット１０４ａの側面と第一溝１０３ａの側面とに繋がる第一接続面１５ａが形成されている。第一接続面１５ａの形状は、第一溝１０３ａを形成したときのダイシングブレードＤｃの形状に依存する。本実施形態では、図５に示すように、ダイシングブレードＤｃの回転軸に平行な断面は、端部がＵ字形状であり、角部が丸まっている。本実施形態では、第一接続面１５ａは、曲面部１６ａおよび直交部１７ａを備えている。曲面部１６ａは、第一溝１０３ａの側面に繋がる凹曲面状の部分である。直交部１７ａは、第一スリット１０４ａの側面に繋がり、かつ、第一スリット１０４ａの側面に直交する部分であり、ｚ方向を向く平坦な部分である。

図１１に示すように、第一スリット１０４ａの形成により、裏面１０２は、ｘ方向に長く延びる第一端縁１０２ａを有するものとなっている。そして、第一端縁１０２ａは、ｚ方向視において導電体層２０と少なくとも一部が重なっており、本実施形態においては、第一端縁１０２ａの全長にわたって導電体層２０と重なっている。

また、導電体層２０は、第一延伸部２２ａを有している。第一延伸部２２ａは、第一端縁１０２ａから主面１０１に向かう方向（ｚ方向上方）に延出しており、第一スリット１０４ａの側面の一部を覆っている。本実施形態においては、第一端縁１０２ａの全長にわたって第一延伸部２２ａが存在している例を典型例として挙げるが、第一端縁１０２ａの一部のみに第一延伸部２２ａが存在する構成であってもよい。第一延伸部２２ａは、第一スリット１０４ａを形成したときのレーザ光によって導電体層２０の一部が溶融して、第一スリット１０４ａの側面に付着したものである。第一溝１０３ａは保護膜８によって覆われているので、第一延伸部２２ａは、第一溝１０３ａに直接接するようには形成されない。

複数の第一スリット１０４ａを形成した後は、同様にして、レーザ光Ｌの照射を第二溝１０３ｂに沿って走査させることで、ｙ方向に沿ったダイシングを行う。この際、レーザ光のｘ方向の照射幅は、第二溝１０３ｂの幅よりも小さい。また、ｚ方向視において、レーザ光の照射領域は、第二溝１０３ｂに重なり、さらに、ｘ方向において、第二溝１０３ｂに内包されている。これにより、第二スリット１０４ｂが形成される。第二スリット１０４ｂは、ｚ方向において第二溝１０３ｂの底面から裏面１０２にわたって形成されており、主部材料１０を厚さ方向に分断している。第二スリット１０４ｂの幅寸法（ｘ方向の寸法）は、第二溝１０３ｂの幅寸法よりもたとえば１０μｍ程度小さく、第二スリット１０４ｂは、ｚ方向視において第二溝１０３ｂに内包されている。ｙ方向に沿うレーザ光の照射の走査を複数回繰り返すことにより、複数の第二スリット１０４ｂが形成される。

第二スリット１０４ｂは、第二溝１０３ｂの底面から裏面１０２まで貫通しており、ｘ方向において、第二スリット１０４ｂの側面は、第二溝１０３ｂの側面よりも外方に位置している。また、図示を省略しているが、第二スリット１０４ｂの側面と第二溝１０３ｂの側面とに繋がる第二接続面１５ｂが形成されている。第二接続面１５ｂの形状は、第二溝１０３ｂを形成したときのダイシングブレードＤｃの形状に依存する。本実施形態では、第二接続面１５ｂは、曲面部１６ｂおよび直交部１７ｂを備えている。曲面部１６ｂは、第二溝１０３ｂの側面に繋がる凹曲面状の部分である。直交部１７ｂは、第二スリット１０４ｂの側面に繋がり、かつ、第二スリット１０４ｂの側面に直交する部分であり、ｚ方向を向く平坦な部分である。

図示を省略しているが、第二スリット１０４ｂの形成により、裏面１０２は、ｙ方向に長く延びる第二端縁１０２ｂを有するものとなっている。そして、第二端縁１０２ｂは、ｚ方向視において導電体層２０と少なくとも一部が重なっており、本実施形態においては、第二端縁１０２ｂの全長にわたって導電体層２０と重なっている。

また、導電体層２０は、第二延伸部２２ｂを有している。第二延伸部２２ｂは、第二端縁１０２ｂから主面１０１に向かう方向（ｚ方向上方）に延出しており、第二スリット１０４ｂの側面の一部を覆っている。本実施形態においては、第二端縁１０２ｂの全長にわたって第二延伸部２２ｂが存在している例を典型例として挙げるが、第二端縁１０２ｂの一部のみに第二延伸部２２ｂが存在する構成であってもよい。第二延伸部２２ｂは、第二スリット１０４ｂを形成したときのレーザ光によって導電体層２０の一部が溶融して、第二スリット１０４ｂの側面に付着したものである。第二溝１０３ｂは保護膜８によって覆われているので、第二延伸部２２ｂは、第二溝１０３ｂに直接接するようには形成されない。

その後、保護膜８を除去することにより、図１２に示すように、主部材料１０が複数の第一スリット１０４ａおよび複数の第二スリット１０４ｂによって分割された複数の個片が、保持テープＤｔに保持された状態になる。保護膜８の除去は、たとえば、純水での洗浄により行われる。次いで、保持テープＤｔを剥離する。これにより、半導体素子Ａ１ごとの複数の個片に分割される。以上の工程を経ることにより、半導体素子Ａ１が形成される。

図１３および図１４は、半導体素子Ａ１を示している。図１３は、半導体素子Ａ１を示す斜視図である。図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う要部拡大断面図である。半導体素子Ａ１は、主部１、裏面電極層２、絶縁層３および主面電極４を備えている。本実施形態の半導体素子Ａ１は、たとえばダイオードとして構成されている。

主部１は、主部材料１０が分割されることによって得られた個片からなる。本実施形態の主部１は、ｚ方向視において矩形状であり、ｘ方向に延びる辺およびｙ方向に延びる辺の長さがたとえば０．４ｍｍ～６ｍｍとされる。また、主部１のｚ方向厚さは、たとえば８０μｍ～２６０μｍであり、本実施形態では１５０μｍである。なお、各寸法は限定されない。主部１は、主面１１および裏面１２を有している。主面１１および裏面１２は、ｚ方向において互いに反対方向を向いている。主部１は、少なくとも一部が半導体によって形成されており、本実施形態においては、そのほとんどがＳｉからなる。

主部１は、２個ずつの主面側第一側面１３ａ、裏面側第一側面１４ａ、主面側第二側面１３ｂ、および裏面側第二側面１４ｂを有している。主面側第一側面１３ａは、第一溝１０３ａであった部分であり、裏面側第一側面１４ａは、第一スリット１０４ａであった部分である。また、主面側第二側面１３ｂは、第二溝１０３ｂであった部分であり、裏面側第二側面１４ｂは、第二スリット１０４ｂであった部分である。主面側第一側面１３ａおよび主面側第二側面１３ｂは、ダイシングブレードＤｃでの切削により形成されているので、平坦になっている。一方、裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂは、レーザ光Ｌのｚ方向への照射により形成されているので、ｚ方向に延びる溝が形成されている。

主面側第一側面１３ａは、ｙ方向に直交し、かつ、主面１１に繋がっている。裏面側第一側面１４ａは、主面側第一側面１３ａと同じ側を向き、かつ、裏面１２に繋がっている。裏面側第一側面１４ａは、主面側第一側面１３ａよりもｙ方向においてたとえば５μｍ程度外側に位置している。２個の主面側第一側面１３ａは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。また、２個の裏面側第一側面１４ａは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。

主面側第二側面１３ｂは、ｘ方向に直交し、かつ、主面１１に繋がっている。裏面側第二側面１４ｂは、主面側第二側面１３ｂと同じ側を向き、かつ、裏面１２に繋がっている。裏面側第二側面１４ｂは、主面側第二側面１３ｂよりもｘ方向においてたとえば５μｍ程度外側に位置している。２個の主面側第二側面１３ｂは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。また、２個の裏面側第二側面１４ｂは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。

また、主部１は、２個ずつの第一接続面１５ａおよび第二接続面１５ｂを有している。第一接続面１５ａは、主面側第一側面１３ａおよび裏面側第一側面１４ａに繋がっている。図１４に示すように、本実施形態では、第一接続面１５ａは、曲面部１６ａおよび直交部１７ａを備えている。曲面部１６ａは、主面側第一側面１３ａに繋がる凹曲面状の部分である。直交部１７ａは、裏面側第一側面１４ａに繋がり、かつ、裏面側第一側面１４ａに直交する部分であり、ｚ方向を向く平坦な部分である。第二接続面１５ｂは、主面側第二側面１３ｂおよび裏面側第二側面１４ｂに繋がっている。図示を省略しているが、本実施形態では、第二接続面１５ｂは、曲面部１６ｂおよび直交部１７ｂを備えている。曲面部１６ｂは、主面側第二側面１３ｂに繋がる凹曲面状の部分である。直交部１７ｂは、裏面側第二側面１４ｂに繋がり、かつ、裏面側第二側面１４ｂに直交する部分であり、ｚ方向を向く平坦な部分である。

図１４に示すように、主面側第一側面１３ａのｚ方向寸法ｈ１は、裏面側第一側面１４ａのｚ方向寸法ｈ２より大きく、本実施形態では、寸法ｈ２の２倍程度である。本実施形態では、主面側第一側面１３ａのｚ方向寸法ｈ１が１００μｍ程度であり、裏面側第一側面１４ａのｚ方向寸法ｈ２が５０μｍ程度である。なお、寸法ｈ１は、寸法ｈ２の５倍以下であることが望ましい。同様に、主面側第二側面１３ｂのｚ方向寸法は、裏面側第二側面１４ｂのｚ方向寸法より大きく、本実施形態では、裏面側第二側面１４ｂのｚ方向寸法の２倍程度である。本実施形態では、主面側第二側面１３ｂのｚ方向寸法が１００μｍ程度であり、裏面側第二側面１４ｂのｚ方向寸法が５０μｍ程度である。なお、各寸法は限定されない。ただし、裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂのｚ方向寸法は、製造時の第一溝１０３ａおよび第二溝１０３ｂが形成された主部材料１０の強度を確保するために、５０μｍ以上であることが望ましい。

裏面電極層２は、裏面１２に形成されており、本実施形態においては、裏面１２の全体を覆っている。裏面電極層２は、たとえばＡｕなどの金属からなる層であり、本実施形態においては、その厚さは、たとえば２μｍ程度である。裏面電極層２は、裏面１２の裏面側第一側面１４ａに繋がる第一端縁１２ａおよび裏面１２の裏面側第二側面１４ｂに繋がる第二端縁１２ｂのそれぞれとそれらの全体を覆っている。裏面電極層２は、導電体層２０が分割されることによって形成されている。

裏面電極層２は、２個の第一延伸部２２ａおよび２個の第二延伸部２２ｂを有している。各第一延伸部２２ａはそれぞれ、各裏面側第一側面１４ａの少なくとも一部を覆っており、本実施形態においては、図１３に示すように、第一端縁１２ａの全長にわたって第一端縁１２ａから主面１１側に向かって延伸している。各第二延伸部２２ｂはそれぞれ、各裏面側第二側面１４ｂの少なくとも一部を覆っており、本実施形態においては、図１３に示すように、第二端縁１２ｂの全長にわたって第二端縁１２ｂから主面１１側に向かって延伸している。レーザ光によるダイシング工程は、複数の第一溝１０３ａおよび複数の第二溝１０３ｂの内面に保護膜８が形成された上で行われるので、レーザ光によって溶融した導電体層２０の一部は、第一溝１０３ａまたは第二溝１０３ｂには付着しない。したがって、第一延伸部２２ａは、主面側第一側面１３ａまでは延伸しておらず、主面側第一側面１３ａを覆っていない。また、第二延伸部２２ｂは、主面側第二側面１３ｂまでは延伸しておらず、主面側第二側面１３ｂを覆っていない。

主面電極４は、上述した通り、上記機能領域に導通する電極であり、たとえばＡｕからなる。絶縁層３は、絶縁層３０が分割されることによって形成されており、たとえばＳｉＯ₂からなり、厚さがたとえば３～１０μｍである。絶縁層３には、開口３１が形成されている。開口３１は、主面電極４を露出させている。

図１５は、実際に作成された半導体素子Ａ１の一例の写真である。図１５は、半導体素子Ａ１を、主部１の裏面１２側から、主面側第一側面１３ａおよび裏面側第一側面１４ａを中心にして表している。図１５に示すように、裏面電極層２から延伸した第一延伸部２２ａは、裏面側第一側面１４ａの大部分を覆っており、一方で、主面側第二側面１３ｂをほとんど覆っていない。

図１６は、半導体素子Ａ１を用いて製造された半導体装置Ｃ１を示している。半導体装置Ｃ１は、半導体素子Ａ１、リード５１、リード５２、ワイヤ６および封止樹脂７を備えている。

リード５１およびリード５２は、たとえばＣｕからなり、必要に応じてその表面にＮｉメッキなどが施されてもよい。リード５１には、半導体素子Ａ１が搭載されている。より具体的には、半導体素子Ａ１の裏面電極層２をリード５１に押し付けつつ、超音波振動を付与することにより、裏面電極層２とリード５１とを共晶させることによって、半導体素子Ａ１がリード５１に接合されている。リード５２は、ワイヤ６を介して半導体素子Ａ１の主面電極４と導通している。封止樹脂７は、半導体素子Ａ１およびワイヤ６のすべてと、リード５１およびリード５２の一部ずつを覆っており、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。リード５１およびリード５２のうち封止樹脂７から露出した部分は、半導体装置Ｃ１を回路基板などに実装するための実装端子として用いられる。

次に、半導体素子Ａ１および半導体素子Ａ１の製造方法の作用について説明する。

本実施形態によると、半導体素子Ａ１は、主部材料１０の主面１０１側に先に第一溝１０３ａおよび第二溝１０３ｂが形成され、保護膜８が形成された上で、ｚ方向視において第一溝１０３ａに内包される第一スリット１０４ａおよび第二溝１０３ｂに内包される第二スリット１０４ｂがレーザ光Ｌの照射により形成されることで主部材料１０および導電体層２０が分断されて製造される。第一溝１０３ａおよび第二溝１０３ｂの形成では、主部材料１０および導電体層２０が分断されないので、ダイシングブレードの揺れは発生しにくく、チッピングは発生しにくい。また、分断はレーザ光Ｌの照射により行われるので、分断時にはチッピングが発生しない。また、導電体層２０のバリは発生しない。さらに、レーザ光Ｌの照射により溶融した導電体層２０の一部が、切断された側面である裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂに付着して、第一延伸部２２ａおよび第二延伸部２２ｂが形成されるが、先に形成された第一溝１０３ａおよび第二溝１０３ｂの内面には保護膜８が形成されているので、主面側第一側面１３ａおよび主面側第二側面１３ｂは、第一延伸部２２ａおよび第二延伸部２２ｂに覆われない。したがって、第一延伸部２２ａおよび第二延伸部２２ｂが、主部１の主面１１まで延伸することがなく、主面電極４と裏面電極層２との導通が防止できる。

また、本実施形態によると、裏面側第一側面１４ａには裏面電極層２が延伸した第一延伸部２２ａが形成されており、裏面側第二側面１４ｂには裏面電極層２が延伸した第二延伸部２２ｂが形成されている。したがって、図１６に示すように、半導体素子Ａ１がリード５１に接合される際、リード５１と第一延伸部２２ａおよび第二延伸部２２ｂとも共晶して接合される。これにより、接合強度を高めることができる。また、接合後の半導体素子Ａ１とリード５１との接合状態を、外観検査により判断しやすい。

また、本実施形態によると、裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂは、レーザ光Ｌのｚ方向への照射により形成されているので、ｚ方向に延びる溝が形成されている。したがって、図１６に示すように、半導体素子Ａ１が封止樹脂７によって封止された場合、当該溝の凹凸があることで、主部１と封止樹脂７とが剥離することを抑制することができる。一方、本実施形態によると、主面側第一側面１３ａおよび主面側第二側面１３ｂは、ダイシングブレードＤｃでの切削により形成されているので、平坦になっている。したがって、半導体素子Ａ１をコレットでピックアップしやすい。

〔第２実施形態〕
図１７～図１８に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体素子Ａ２について説明する。これらの図において、先述した半導体素子Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１７は、半導体素子Ａ２を示す斜視図であり、図１３に対応する図である。図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。

本実施形態にかかる半導体素子Ａ２は、主面側第一側面１３ａおよび主面側第二側面１３ｂも、レーザ光Ｌの照射により形成されている点で、第１実施形態にかかる半導体素子Ａ１と異なる。

半導体素子Ａ２は、第一溝１０３ａおよび第二溝１０３ｂの形成工程において、ダイシングブレードＤｃでの切削に代えて、レーザ光Ｌの照射が行われる。照射の出力は、主部材料１０を貫通せずに所定の深さまで削除するように調整されている。したがって、図１７に示すように、主面側第一側面１３ａおよび主面側第二側面１３ｂには、裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂと同様、ｚ方向に延びる溝が形成されている。また、図１７および図１８に示すように、第一接続面１５ａおよび第二接続面１５ｂは、細かい凹凸が形成された面になっている。

本実施形態においても、半導体素子Ａ２は、主部材料１０の主面１０１側に先に第一溝１０３ａおよび第二溝１０３ｂが形成され、第一スリット１０４ａおよび第二スリット１０４ｂがレーザ光Ｌの照射により形成されて製造される。したがって、チッピングの発生が抑制され、バリの発生が防止される。また、主面電極４と裏面電極層２との導通が防止できる。

また、本実施形態においても、裏面側第一側面１４ａに第一延伸部２２ａが形成されており、裏面側第二側面１４ｂに第二延伸部２２ｂが形成されている。したがって、半導体素子Ａ２とリード５１との接合強度を高めることができ、また、接合状態を外観検査により判断しやすい。また、裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂは、ｚ方向に延びる溝が形成されている。したがって、半導体素子Ａ２が封止樹脂７によって封止された場合、主部１と封止樹脂７とが剥離することを抑制することができる。

〔第３実施形態〕
図１９～図２０に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体素子Ａ３について説明する。これらの図において、先述した半導体素子Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１９は、半導体素子Ａ３を示す要部拡大断面図であり、図１４に対応する図である。図２０は、半導体素子Ａ３の製造方法において第一溝を形成する工程を示す要部断面図であり、図５に対応する図である。

本実施形態にかかる半導体素子Ａ３は、製造工程において保護膜８を形成しない点で、第１実施形態にかかる半導体素子Ａ１と異なる。

図１９に示すように、半導体素子Ａ３の主部１は、半導体素子Ａ１の主部１（図１４参照）と比較して、主面側第一側面１３ａのｚ方向寸法ｈ１が小さく、裏面側第一側面１４ａのｚ方向寸法ｈ２が大きい。また、第一接続面１５ａの幅寸法（ｙ方向の寸法）が大きい。半導体素子Ａ３は、図２０に示すように、第一溝１０３ａの形成工程において、幅の大きいダイシングブレードＤｃで、浅く切削して行うことで形成される。なお、図示しないが、半導体素子Ａ１と比較して、主面側第二側面１３ｂのｚ方向寸法も小さく、裏面側第二側面１４ｂのｚ方向寸法も大きく、第二接続面１５ｂの幅寸法も大きい。半導体素子Ａ３は、第一溝１０３ａおよび第二溝１０３ｂが形成された後、保護膜８が形成されることなく、第一スリット１０４ａおよび第二スリット１０４ｂが形成される。

半導体素子Ａ３の主部１の形状は、上述した形状なので、製造工程において保護膜８を形成しない場合でも、第一延伸部２２ａおよび第二延伸部２２ｂは、主部１の主面１１まで延伸することはほとんどない。

本実施形態においても、半導体素子Ａ３は、主部材料１０の主面１０１側に先に第一溝１０３ａおよび第二溝１０３ｂが形成され、第一スリット１０４ａおよび第二スリット１０４ｂがレーザ光Ｌの照射により形成されて製造される。したがって、チッピングの発生が抑制され、バリの発生が防止される。また、主面電極４と裏面電極層２との導通を抑制できる。

また、本実施形態においても、裏面側第一側面１４ａに第一延伸部２２ａが形成されており、裏面側第二側面１４ｂに第二延伸部２２ｂが形成されている。したがって、半導体素子Ａ３とリード５１との接合強度を高めることができ、また、接合状態を外観検査により判断しやすい。また、裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂは、ｚ方向に延びる溝が形成されている。したがって、半導体素子Ａ３が封止樹脂７によって封止された場合、主部１と封止樹脂７とが剥離することを抑制することができる。また、本実施形態においても、主面側第一側面１３ａおよび主面側第二側面１３ｂは、平坦になっている。したがって、半導体素子Ａ３をコレットでピックアップしやすい。

なお、本実施形態においては、半導体素子Ａ３の主部１の形状が半導体素子Ａ１の主部１の形状と異なる場合について説明したが、これに限られない。本実施形態では、保護膜８が形成されない場合でも第一延伸部２２ａおよび第二延伸部２２ｂが主部１の主面１１まで延伸しにくい形状として、半導体素子Ａ３の主部１の形状を上述したものとしている。主部１の形状がたとえば半導体素子Ａ１と同じであっても、レーザ光Ｌのみで切断を行う従来の半導体素子と比較すると、第一延伸部２２ａおよび第二延伸部２２ｂが主部１の主面１１まで延伸することの抑制は可能である。ただし、第一延伸部２２ａおよび第二延伸部２２ｂが主部１の主面１１まで延伸することをより抑制するためには、主面側第一側面１３ａおよび主面側第二側面１３ｂのｚ方向寸法を小さくし、裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂのｚ方向寸法を大きくし、第一接続面１５ａおよび第二接続面１５ｂの幅寸法を大きくすることが望ましい。また、第一スリット１０４ａおよび第二スリット１０４ｂの幅寸法を小さくすることが望ましい。

〔第４実施形態〕
図２１～図２２に基づき、本開示の第４実施形態にかかる半導体素子Ａ４について説明する。これらの図において、先述した半導体素子Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２１は、半導体素子Ａ４を示す斜視図であり、図１３に対応する図である。図２２は、半導体素子Ａ４の製造方法に用いられる主部材料を示す要部底面図であり、図１を底面側から見た図に対応する図である。なお、図２２においては、保持テープＤｔを透過して、２点鎖線で示している。

本実施形態にかかる半導体素子Ａ４は、製造工程において第二溝１０３ｂを形成せず、第二スリット１０４ｂを主部材料１０の主面１０１から裏面１０２まで貫通させて形成する点で、第１実施形態にかかる半導体素子Ａ１と異なる。

図２１に示すように、半導体素子Ａ４の主部１は、主面側第二側面１３ｂを備えておらず、裏面側第二側面１４ｂが主面１１および裏面１２に繋がっている。また、裏面電極層２は、裏面１２の全体を覆っておらず、裏面側第二側面１４ｂに繋がる第二端縁１２ｂの全体を露出させている。したがって、裏面電極層２は、第二延伸部２２ｂを有していない。

半導体素子Ａ４の製造方法に用いられる主部材料１０は、図２２に示すように、裏面１０２に、複数の導電体層２０が形成されている。なお、理解の便宜上、導電体層２０に点描を付している。複数の導電体層２０は、各々がｙ方向に延び、互いにｘ方向に等ピッチで離間配置されている。各導電体層２０は、ｚ方向視において、各主面電極４の全体に重なり、各絶縁層第二スリット３２ｂに重ならない。なお、各導電体層２０は、ｚ方向視において、各主面電極４の一部に重なってもよいし、各主面電極４に重ならなくてもよい。

そして、製造工程において、第一溝１０３ａが形成された後、第二溝１０３ｂは形成されず、保護膜８が形成される。次いで、レーザ光Ｌによるダイシングによって、第一スリット１０４ａおよび第二スリット１０４ｂが形成される。第二スリット１０４ｂは、主部材料１０の主面１０１から裏面１０２まで貫通している。各導電体層２０は、各絶縁層第二スリット３２ｂに重なっていないので、第二スリット１０４ｂの形成において、レーザ光によって溶融されず、第二延伸部２２ｂが形成されない。

本実施形態によると、半導体素子Ａ４は、主部材料１０の主面１０１側に先に第一溝１０３ａが形成され、第一スリット１０４ａおよび第二スリット１０４ｂがレーザ光Ｌの照射により形成されて製造される。したがって、チッピングの発生が抑制され、バリの発生が防止される。また、レーザ光Ｌの照射により溶融した導電体層２０の一部が、切断された側面である裏面側第一側面１４ａに付着して、第一延伸部２２ａが形成されるが、先に形成された第一溝１０３ａの内面には保護膜８が形成されているので、主面側第一側面１３ａは、第一延伸部２２ａに覆われない。また、各導電体層２０が各絶縁層第二スリット３２ｂに重なっていないので、第二延伸部２２ｂが形成されない。したがって、主面電極４と裏面電極層２との導通を抑制できる。

また、本実施形態においても、裏面側第一側面１４ａに第一延伸部２２ａが形成されているので、半導体素子Ａ４とリード５１との接合強度を高めることができ、また、接合状態を外観検査により判断しやすい。また、裏面側第一側面１４ａおよび裏面側第二側面１４ｂは、ｚ方向に延びる溝が形成されている。したがって、半導体素子Ａ４が封止樹脂７によって封止された場合、主部１と封止樹脂７とが剥離することを抑制することができる。

本開示にかかる半導体素子および半導体素子の製造方法は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかる半導体素子の各部の具体的な構成および、本開示の半導体素子の製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
少なくとも一部が半導体からなり、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記厚さ方向に直交する第一方向に直交し、かつ、前記主面に繋がる主面側第一側面と、前記主面側第一側面と同じ側を向き、かつ、前記裏面に繋がる裏面側第一側面と、を有する主部と、
前記主部の前記裏面の少なくとも一部を覆う裏面電極層と、
を備え、
前記裏面側第一側面は、前記第一方向において、前記主面側第一側面より外側に位置し、
前記裏面電極層は、前記裏面側第一側面の少なくとも一部を覆う第一延伸部を備えている、
半導体素子。
〔付記２〕
前記裏面側第一側面は、前記厚さ方向に延びる溝が形成されている、
付記１に記載の半導体素子。
〔付記３〕
前記主面側第一側面は、平坦である、
付記１または２に記載の半導体素子。
〔付記４〕
前記主面側第一側面は、前記厚さ方向に延びる溝が形成されている、
付記１または２に記載の半導体素子。
〔付記５〕
前記第一延伸部は、前記主面側第一側面を覆わない、
付記１ないし４のいずれかに記載の半導体素子。
〔付記６〕
前記裏面電極層は、前記裏面の前記裏面側第一側面に繋がる第一端縁の全体を覆っている、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体素子。
〔付記７〕
前記第一延伸部は、前記第一端縁の全長にわたって、前記第一端縁から前記主面側に向かって延伸している、
付記６に記載の半導体素子。
〔付記８〕
前記裏面電極層は、前記裏面の全体を覆っている、
付記１ないし７のいずれかに記載の半導体素子。
〔付記９〕
前記主部は、前記主面側第一側面と前記裏面側第一側面とに繋がる第一接続面をさらに備えている、
付記１ないし８のいずれかに記載の半導体素子。
〔付記１０〕
前記第一接続面は、前記主面側第一側面に繋がる凹曲面状の曲面部と、前記裏面側第一側面に繋がり、かつ、前記裏面側第一側面に直交する直交部とを備えている、
付記９に記載の半導体素子。
〔付記１１〕
前記主面側第一側面の前記厚さ方向の寸法は、前記裏面側第一側面の前記厚さ方向の寸法より大きい、
付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体素子。
〔付記１２〕
前記主面側第一側面の前記厚さ方向の寸法は、前記裏面側第一側面の前記厚さ方向の寸法の５倍以下である、
付記１１に記載の半導体素子。
〔付記１３〕
前記裏面側第一側面の前記厚さ方向の寸法は、５０μｍ以上である、
付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体素子。
〔付記１４〕
前記主部は、前記第一方向において互いに反対側を向く２個の前記主面側第一側面および２個の前記裏面側第一側面を有している、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体素子。
〔付記１５〕
前記主部は、前記厚さ方向および前記第一方向に直交する第二方向に直交し、かつ、前記主面に繋がる主面側第二側面と、前記主面側第二側面と同じ側を向き、かつ、前記裏面に繋がる裏面側第二側面とをさらに有し、
前記裏面側第二側面は、前記第二方向において、前記主面側第二側面より外側に位置し、
前記裏面電極層は、前記裏面側第二側面の少なくとも一部を覆う第二延伸部を備えている、
付記１ないし１４のいずれかに記載の半導体素子。
〔付記１６〕
前記主部は、前記第二方向において互いに反対側を向く２個の前記主面側第二側面および２個の前記裏面側第二側面を有している、
付記１５に記載の半導体素子。
〔付記１７〕
少なくとも一部が半導体からなり、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し、前記裏面の少なくとも一部が導電体層によって覆われた主部材料を準備する準備工程と、
前記主部材料の前記裏面側を保持テープに保持させる保持工程と、
前記厚さ方向に直交する第二方向に沿って、前記主部材料の前記主面側の一部を削除することにより、第一溝を形成する溝形成工程と、
前記厚さ方向および前記第二方向に直交する第一方向の寸法が、前記第一溝の前記第一方向の寸法以下であり、かつ、前記厚さ方向視において前記第一溝に内包されるとともに、前記主部材料を前記厚さ方向に分断する第一スリットを形成する分断工程と、
を備え、
前記分断工程は、レーザ光の照射により行われる、
半導体素子の製造方法。
〔付記１８〕
前記溝形成工程は、ダイシングブレードでの切削により行われる、
付記１７に記載の半導体素子の製造方法。
〔付記１９〕
前記溝形成工程は、前記レーザ光の照射により行われる、
付記１７に記載の半導体素子の製造方法。
〔付記２０〕
前記溝形成工程と前記分断工程との間に行われ、前記第一溝の内面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記分断工程の後に行われ、前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
をさらに備える、
付記１７ないし１９のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
〔付記２１〕
前記溝形成工程は、さらに、前記第一方向に沿って、前記主部材料の前記主面側の一部を削除することにより、第二溝を形成し、
前記分断工程は、さらに、前記第二方向の寸法が、前記第二溝の前記第二方向の寸法以下であり、かつ、前記厚さ方向視において前記第二溝に内包されるとともに、前記主部材料を前記厚さ方向に分断する第二スリットを形成する、
付記１７ないし２０のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。

Ａ１～Ａ４：半導体素子
１ ：主部
１１ ：主面
１２ ：裏面
１２ａ ：第一端縁
１２ｂ ：第二端縁
１３ａ ：主面側第一側面
１３ｂ ：主面側第二側面
１４ａ ：裏面側第一側面
１４ｂ ：裏面側第二側面
１５ａ ：第一接続面
１６ａ ：曲面部
１７ａ ：直交部
１５ｂ ：第二接続面
１６ｂ ：曲面部
１７ｂ ：直交部
２ ：裏面電極層
２２ａ ：第一延伸部
２２ｂ ：第二延伸部
３ ：絶縁層
４ ：主面電極
Ｃ１ ：半導体装置
５１ ：リード
５２ ：リード
６ ：ワイヤ
７ ：封止樹脂
８ ：保護膜
１０ ：主部材料
１０１ ：主面
１０２ ：裏面
１０２ａ ：第一端縁
１０２ｂ ：第二端縁
１０３ａ ：第一溝
１０３ｂ ：第二溝
１０４ａ ：第一スリット
１０４ｂ ：第二スリット
２０ ：導電体層
３０ ：絶縁層
３１ ：開口
３２ａ ：絶縁層第一スリット
３２ｂ ：絶縁層第二スリット
Ｄｃ ：ダイシングブレード
Ｄｔ ：保持テープ
Ｌ ：レーザ光

Claims (21)

1. 少なくとも一部が半導体からなり、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記厚さ方向に直交する第一方向に直交し、かつ、前記主面に繋がる主面側第一側面と、前記主面側第一側面と同じ側を向き、かつ、前記裏面に繋がる裏面側第一側面と、を有する主部と、
   前記主部の前記裏面の少なくとも一部を覆う裏面電極層と、
   を備え、
   前記裏面側第一側面は、前記第一方向において、前記主面側第一側面より外側に位置し、
   前記裏面電極層は、前記裏面側第一側面の少なくとも一部を覆う第一延伸部を備えている、
   半導体素子。
2. 前記裏面側第一側面は、前記厚さ方向に延びる溝が形成されている、
   請求項１に記載の半導体素子。
3. 前記主面側第一側面は、平坦である、
   請求項１または２に記載の半導体素子。
4. 前記主面側第一側面は、前記厚さ方向に延びる溝が形成されている、
   請求項１または２に記載の半導体素子。
5. 前記第一延伸部は、前記主面側第一側面を覆わない、
   請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体素子。
6. 前記裏面電極層は、前記裏面の前記裏面側第一側面に繋がる第一端縁の全体を覆っている、
   請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体素子。
7. 前記第一延伸部は、前記第一端縁の全長にわたって、前記第一端縁から前記主面側に向かって延伸している、
   請求項６に記載の半導体素子。
8. 前記裏面電極層は、前記裏面の全体を覆っている、
   請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体素子。
9. 前記主部は、前記主面側第一側面と前記裏面側第一側面とに繋がる第一接続面をさらに備えている、
   請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体素子。
10. 前記第一接続面は、前記主面側第一側面に繋がる凹曲面状の曲面部と、前記裏面側第一側面に繋がり、かつ、前記裏面側第一側面に直交する直交部とを備えている、
    請求項９に記載の半導体素子。
11. 前記主面側第一側面の前記厚さ方向の寸法は、前記裏面側第一側面の前記厚さ方向の寸法より大きい、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体素子。
12. 前記主面側第一側面の前記厚さ方向の寸法は、前記裏面側第一側面の前記厚さ方向の寸法の５倍以下である、
    請求項１１に記載の半導体素子。
13. 前記裏面側第一側面の前記厚さ方向の寸法は、５０μｍ以上である、
    請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体素子。
14. 前記主部は、前記第一方向において互いに反対側を向く２個の前記主面側第一側面および２個の前記裏面側第一側面を有している、
    請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体素子。
15. 前記主部は、前記厚さ方向および前記第一方向に直交する第二方向に直交し、かつ、前記主面に繋がる主面側第二側面と、前記主面側第二側面と同じ側を向き、かつ、前記裏面に繋がる裏面側第二側面とをさらに有し、
    前記裏面側第二側面は、前記第二方向において、前記主面側第二側面より外側に位置し、
    前記裏面電極層は、前記裏面側第二側面の少なくとも一部を覆う第二延伸部を備えている、
    請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体素子。
16. 前記主部は、前記第二方向において互いに反対側を向く２個の前記主面側第二側面および２個の前記裏面側第二側面を有している、
    請求項１５に記載の半導体素子。
17. 少なくとも一部が半導体からなり、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し、前記裏面の少なくとも一部が導電体層によって覆われた主部材料を準備する準備工程と、
    前記主部材料の前記裏面側を保持テープに保持させる保持工程と、
    前記厚さ方向に直交する第二方向に沿って、前記主部材料の前記主面側の一部を削除することにより、第一溝を形成する溝形成工程と、
    前記厚さ方向および前記第二方向に直交する第一方向の寸法が、前記第一溝の前記第一方向の寸法以下であり、かつ、前記厚さ方向視において前記第一溝に内包されるとともに、前記主部材料を前記厚さ方向に分断する第一スリットを形成する分断工程と、
    を備え、
    前記分断工程は、レーザ光の照射により行われる、
    半導体素子の製造方法。
18. 前記溝形成工程は、ダイシングブレードでの切削により行われる、
    請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
19. 前記溝形成工程は、前記レーザ光の照射により行われる、
    請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。
20. 前記溝形成工程と前記分断工程との間に行われ、前記第一溝の内面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    前記分断工程の後に行われ、前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
    をさらに備える、
    請求項１７ないし１９のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
21. 前記溝形成工程は、さらに、前記第一方向に沿って、前記主部材料の前記主面側の一部を削除することにより、第二溝を形成し、
    前記分断工程は、さらに、前記第二方向の寸法が、前記第二溝の前記第二方向の寸法以下であり、かつ、前記厚さ方向視において前記第二溝に内包されるとともに、前記主部材料を前記厚さ方向に分断する第二スリットを形成する、
    請求項１７ないし２０のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。

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