JP6696842B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法に関する。

半導体デバイス製造工程におけるウェーハの分割においては、吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をウェーハの分割予定ラインに沿って照射し、ウェーハを分割予定ラインに沿って完全に分割する方法が実用化されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の加工方法は、パルスレーザー光線の照射によってウェーハを部分的に昇華させることで分割予定ラインに沿って、ウェーハを完全に分割する溝（完全分割溝）を形成する。この場合、ウェーハが個々のデバイスに分割されてもバラバラにならないように、環状フレームに貼着された粘着テープの粘着剤を介してウェーハが貼着される。

特開２０１２−１２４１９９号公報

ところで、ウェーハには、表裏両面の少なくとも一方に機能膜が形成されたものが存在している。このため、上記のレーザー光線の照射による分割方法や、切削ブレードを用いた分割方法では、ウェーハの種類によっては機能膜に起因したデブリの付着やチッピング・クラック等でウェーハの分割後のデバイスの加工品質が低下するという問題があった。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、機能膜を有するウェーハを良好に分割することができるウェーハの加工方法を提供することを目的の１つとする。

本発明の一態様のウェーハの加工方法は、複数の分割予定ラインによって区画されて複数のデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、機能膜を有する一方の面が保護テープを介して環状フレームに貼着されたウェーハを切削装置の保持テーブルに載置し、ウェーハの他方の面側から切削ブレードをウェーハ厚み方向途中まで切り込み、該分割予定ラインに沿って複数の切削溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップを実施後、ウェーハに形成された該切削溝の深さを検出する切削溝深さ検出ステップと、該切削溝形成ステップを実施後、該切削溝が形成されたウェーハをレーザー加工装置の保持テーブルに載置し、ウェーハの他方の面側から切削溝内に向けて、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該切削溝に沿って照射して、該機能膜と共にウェーハを複数のデバイスに分割する分割ステップと、を備え、該レーザー加工装置の制御手段は、切削溝の深さに応じた最適なレーザー加工条件テーブルが予め記憶された記憶部を備え、該分割ステップにおいては、該切削溝深さ検出ステップにおいて検出された切削溝の深さに応じて該記憶部のレーザー加工条件テーブルに基づきレーザー光線の加工条件を変更してウェーハを分割する。

この構成によれば、ウェーハの他方の面が切削ブレードで切削加工され、ウェーハの他方の面側から切削溝内にレーザー光線を照射してウェーハの一方の面の機能膜がレーザー加工される。ウェーハの一方の面と他方の面とで加工方法を変更することで、機能膜を有する様々なウェーハを良好に分割することができる。

本発明によれば、ウェーハの一方の面と他方の面とで加工方法を変更することで、少なくとも機能膜を有する様々なウェーハを良好に分割することができる。

レーザー加工装置の斜視図である。 比較例のレーザー加工の一例を示す図である。 第１の実施の形態の切削溝形成ステップの一例を示す図である。 第１の実施の形態の切削溝深さ検出ステップの一例を示す図である。 第１の実施の形態の分割ステップの一例を示す図である。 第２の実施の形態の切削溝形成ステップの一例を示す図である。 第２の実施の形態の切削溝深さ検出ステップの一例を示す図である。 第２の実施の形態の分割ステップの一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、レーザー加工装置について説明する。図１は、レーザー加工装置の斜視図である。図２は、比較例のレーザー加工の一例を示す図である。なお、レーザー加工装置は、本実施の形態のウェーハの加工方法を実施可能な構成であればよく、図１に示す構成に限定されない。

図１に示すように、レーザー加工装置１は、レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４０とウェーハＷを保持した保持テーブル３０とを相対移動させて、ウェーハＷをレーザー加工するように構成されている。ウェーハＷの表面には、複数の分割予定ラインＬが格子状に配列され、分割予定ラインＬによって区画された各領域に複数のデバイス（不図示）が形成されている。ウェーハＷには保護テープＴの中央部分が貼着され、保護テープＴの外周部分には環状フレームＦが貼着されている。ウェーハＷは、保護テープＴを介して環状フレームＦに支持された状態でレーザー加工装置１に搬入される。

レーザー加工装置１の基台１０上には、保持テーブル３０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる保持テーブル移動機構２０が設けられている。保持テーブル移動機構２０は、基台１０上に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール２１と、一対のガイドレール２１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル２２とを有している。また、保持テーブル移動機構２０は、Ｘ軸テーブル２２の上面に配置されＹ軸方向に平行な一対のガイドレール２３と、一対のガイドレール２３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル２４とを有している。

Ｘ軸テーブル２２及びＹ軸テーブル２４の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成されており、これらのナット部にボールネジ２５、２６が螺合されている。そして、ボールネジ２５、２６の一端部に連結された駆動モータ２７、２８が回転駆動されることで、保持テーブル３０がガイドレール２１、２３に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。また、Ｙ軸テーブル２４上には、ウェーハＷを保持する保持テーブル３０が設けられている。保持テーブル３０の上面には保持面３１が形成され、保持テーブル３０の周囲にはウェーハＷの周囲の環状フレームＦを挟持固定するクランプ部３２が設けられている。

保持テーブル３０の後方の立壁部１１にはアーム部１２が突設されており、アーム部１２の先端には保持テーブル３０に上下方向で対向するようにレーザー光線照射手段４０が設けられている。レーザー光線照射手段４０の照射ノズル４１は、不図示の発振器から発振されたレーザー光線（パルスレーザー光線）を保持テーブル３０に保持されたウェーハＷに向けて照射する。レーザー光線はウェーハＷに対して吸収性を有する波長であり、ウェーハＷに対するレーザー光線の照射によってウェーハＷの一部が昇華されてレーザーアブレーションされる。

なお、アブレーションとは、レーザー光線の照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。

レーザー光線照射手段４０の側方には、ウェーハＷの表面に形成された後述する切削溝の深さを検出する検出手段４２が設けられている。また、レーザー加工装置１には、装置各部を統括制御する制御手段５０が設けられ、制御手段５０にはレーザー光線の加工条件を記憶した記憶部５１が設けられている。制御手段５０は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。メモリには、レーザー加工方法の各ステップを実行するプログラムが記憶されている。

ところで、ウェーハＷとしては、一方の面に機能膜が形成されたものや、機能膜に加えて他方の面に保護膜が形成されたもの等のように、様々な種類のウェーハが存在している。例えば、一方の面に機能膜として金属膜が形成され、他方の面に保護膜として樹脂膜が形成されたウェーハの場合には、上記したレーザーフルカット加工では樹脂膜が溶解して発生するデブリがデバイス表面やカーフ周辺部に付着してしまう。レーザー加工に代えて切削加工でウェーハを分割することも考えられるが、金属膜の切削時に切削ブレードの先端に金属膜が付着して、自生発刃作用が不十分になってデバイスのチッピングやクラック等が発生する可能性がある。

また例えば、一方の面に機能膜としてＬｏｗ−ｋ膜が形成されたウェーハの場合には、切削ブレードによる切削ではＬｏｗ−ｋ膜が剥離してデバイスを傷つけてしまう。このため、レーザー加工でＬｏｗ−ｋ膜を切断した後に切削加工でウェーハを分割する方法が考えられる。しかしながら、ウェーハのレーザー加工溝の側面にデブリが付着して、レーザー加工溝に残ったデブリによって、切削加工時に切削ブレードに振れが生じてＬｏｗ−ｋ膜が剥離する。さらに、レーザー加工溝の溝幅をブレード幅よりも広く取らなければならないため、デバイスの採り数が減少してしまう。

そこで、本実施の形態のウェーハの加工方法では、ウェーハＷの他方の面に切削ブレード６２で切削溝７６、８６を形成した後（図３、６参照）、ウェーハＷの他方の面側から切削溝７６、８６にレーザー光線を照射してウェーハＷの一方の面の機能膜を切断している（図５、８参照）。これにより、少なくとも一方の面に機能膜を有するウェーハＷの加工品質を低下させることなく分割することが可能になっている。このように、ウェーハＷの一方の面と他方の面にそれぞれに適した加工方法を採用することで、機能膜や保護膜等を有する様々なウェーハの分割に対応している。

また通常、図２に示すように、ウェーハＷを切削加工する場合、切削溝９１が一定の深さに形成されるとは限らない。保護テープＴの厚みに１０μｍ−２０μｍ程度の誤差があると、切削加工後の切削溝９１の深さにバラツキが生じて各切削溝９１においてウェーハＷの切り残し量Ａが一定にならない。このため、全ての切削溝９１に対して同一の加工条件でレーザー加工すると、切り残し量Ａが少ない箇所（図示右側）では保護テープＴに焼けが生じ、切り残し量Ａが多い箇所（図示左側）ではウェーハＷが完全に切断されない。そこで、本実施の形態では、切削溝の深さに応じてレーザー光線の加工条件を切り替えるようにしている。

以下、本実施の形態のウェーハの加工方法について詳細に説明する。先ず、第１の実施の形態として、表面（他方の面）に保護膜として樹脂膜が形成され、裏面（一方の面）に機能膜として金属膜が形成されたウェーハの加工方法について説明する。図３は、第１の実施の形態の切削溝形成ステップの一例を示す図である。図４は、第１の実施の形態の切削溝深さ検出ステップの一例を示す図である。図５は、第１の実施の形態の分割ステップの一例を示す図である。

図３Ａに示すように、先ず切削溝形成ステップが実施される。切削溝形成ステップでは、ウェーハＷ１が切削装置（不図示）の保持テーブル６１に載置されると、保護テープＴを介してウェーハＷ１が保持テーブル６１に吸引保持され、ウェーハＷ１の周囲の環状フレームＦがクランプ部６３に保持される。このとき、ウェーハＷ１の表面７１の樹脂膜７３が上方に向けられ、ウェーハＷ１の裏面７２の金属膜７４が保護テープＴに貼着されている。また、ウェーハＷ１の径方向外側で、切削ブレード６２がウェーハＷ１の分割予定ラインＬ（図１参照）に位置合わせされる。

ウェーハＷ１の径方向外側で、ウェーハＷ１の厚み方向途中の深さまで切削ブレード６２が降ろされ、この切削ブレード６２に対して保持テーブル６１が切削送りされる。これにより、ウェーハＷ１の表面７１側から厚み方向途中の深さまで切削ブレード６２で切り込まれ、分割予定ラインＬ（図１参照）に沿ってハーフカットされて切削溝７６が形成される。このとき、切削ブレード６２がウェーハＷ１の裏面７２側の金属膜７４に達していないため、切削ブレード６２の先端に金属膜７４が付着することがない。よって、切削ブレード６２の自生発刃作用が低下することがなく、ウェーハＷ１に良好に切削溝７６が形成される。

図３Ｂに示すように、一本の分割予定ラインＬ（図１参照）に沿ってウェーハＷ１が切削されると、隣の分割予定ラインＬに切削ブレード６２が位置合わせされてウェーハＷ１が切削される。この切削動作が繰り返されることで、ウェーハＷ１の表面に分割予定ラインＬに沿って複数の切削溝７６が形成される。このとき、保護テープＴの厚みが全体的に一定であるとは限らず、保護テープＴの腐食等によって厚みに僅かに誤差が生じている。保護テープＴの厚みの誤差等によってウェーハＷ１に形成された切削溝７６の深さにバラツキが生じており、ウェーハＷ１の切削溝７６の底面から裏面までの切り残し量Ａが一定になっていない。

図４に示すように、切削溝形成ステップを実施した後に切削溝深さ検出ステップが実施される。切削溝深さ検出ステップでは、ウェーハＷ１がレーザー加工装置１（図１参照）の保持テーブル３０に載置されると、保護テープＴを介してウェーハＷ１が保持テーブル３０に吸引保持され、ウェーハＷ１の周囲の環状フレームＦがクランプ部３２に保持される。ウェーハＷ１の表面７１の切削溝７６が上方に向けられており、切削溝７６の真上に検出手段４２が位置付けられる。そして、検出手段４２によってウェーハＷ１の切削溝７６毎にウェーハＷ１の表面７１からの深さが検出される。

この場合、検出手段４２として、例えばウェーハＷ１のアライメント用の光学顕微鏡が用いられる。光学顕微鏡の撮像範囲に切削溝７６の底面が位置付けられ、オートフォーカス機能によって切削溝７６の底面に焦点が合わせられることで各切削溝７６の深さが検出される。なお、検出手段４２は、ウェーハＷ１に形成された切削溝７６の深さを検出可能な構成であればよく、検出手段４２としてレーザー変位計が用いられてもよい。また、本実施の形態では、分割ステップの前に切削溝深さ検出ステップが実施されたが、分割ステップ中に切削溝深さ検出ステップが実施されてもよい。

図５Ａに示すように、切削溝深さ検出ステップを実施した後に分割ステップが実施される。分割ステップでは、ウェーハＷ１の切削溝７６の真上に照射ノズル４１が位置付けられ、検出手段４２（図４参照）で検出された切削溝７６の深さに応じてレーザー光線の加工条件が変更される。この場合、切削溝７６の深さと当該切削溝７６の深さに最適なレーザー光線の加工条件を関連付けたレーザー加工条件テーブルが制御手段５０の記憶部５１に予め記憶されている。レーザー光線の加工条件としては、保持テーブル３０の送り速度、レーザー光線の加工出力が設定されている。

例えば、切削溝７６の深さが１００［μｍ］の場合には、保持テーブル３０の送り速度が７０［ｍｍ／ｓｅｃ］、レーザー光線の加工出力が１１［Ｗ］に設定される。切削溝７６の深さが１０５［μｍ］の場合には、保持テーブル３０の送り速度が７５［ｍｍ／ｓｅｃ］、レーザー光線の加工出力が１０［Ｗ］に設定される。切削溝７６の深さが１１０［μｍ］の場合には、保持テーブル３０の送り速度が８０［ｍｍ／ｓｅｃ］、レーザー光線の加工出力が１０［Ｗ］に設定される。このように、切削溝７６が深くなるのにつれて、ウェーハＷ１に照射されるレーザー光線のエネルギーが減少するように加工条件が設定されている。

レーザー光線の加工条件は、事前に切削溝７６の深さに応じて、保持テーブル３０の送り速度、レーザー光線の加工出力を変化させて、レーザー加工のテストを実際に繰り返すことで最適な値が設定されている。また、レーザー加工条件テーブルは記憶部５１内にウェーハＷ１の種類毎に用意されている。このように、分割ステップでは、切削溝深さ検出ステップで検出された切削溝７６の深さに応じて、記憶部５１のレーザー加工条件テーブルに基づきレーザー光線の加工条件が変更される。なお、レーザー光線の加工条件は、実験的に求められた値に限らず、経験的又は理論的に求められた値が使用されてもよい。

レーザー光線の加工条件が設定されると、ウェーハＷ１の表面７１側から切削溝７６内に向けて、ウェーハＷ１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線が照射される。そして、照射ノズル４１に対して保持テーブル３０が切削送りされることで、切削溝７６に沿ってレーザー光線が照射されてウェーハＷ１の裏面７２側の金属膜７４が切断される。このとき、ウェーハＷ１の表面７１側の樹脂膜７３にレーザー光線が照射されることがないため、樹脂膜７３が溶解してデブリとしてデバイスに付着することがない。よって、ウェーハＷ１の表面のデブリの発生を抑えてウェーハＷ１を良好に分割することができる。

図５Ｂに示すように、一本の切削溝７６に沿ってウェーハＷ１が分割されると、隣の切削溝７６に照射ノズル４１が位置合わせされて、隣の切削溝７６の深さに応じた新たな加工条件でレーザー加工される。このレーザー加工動作が繰り返されることで、ウェーハＷ１が切削溝７６に沿って複数のデバイスに分割される。このとき、ウェーハＷ１の切削溝７６の深さに合わせて適切な加工条件でレーザー加工されるため、過剰エネルギーによる保護テープＴの焼けや、エネルギー不足による不完全な切断を防止して、ウェーハＷ１を良好に分割することができる。

以上のように、第１の実施の形態のウェーハＷ１の加工方法は、ウェーハＷ１の表面７１側の樹脂膜７３が切削ブレード６２で切削加工され、ウェーハＷ１の表面７１側から切削溝７６内にレーザー光線を照射してウェーハＷ１の裏面７２側の金属膜７４がレーザー加工される。よって、切削ブレード６２の自生発刃作用が十分に機能するため、デバイスのチッピングやクラック等が抑えられ、さらに樹脂膜７３を避けてレーザー光線が照射されるため、樹脂膜７３の溶解によるデバイスへのデブリの付着が抑えられる。このように、樹脂膜７３及び金属膜７４付きのウェーハＷ１に最適な加工方法が採用されることで、ウェーハＷ１を良好に分割できると共に、分割後のデバイスの加工品質が低下することがない。

続いて、第２の実施の形態として、表面（一方の面）に機能膜としてＬｏｗ−ｋ膜が形成されたウェーハの加工方法について説明する。図６は、第２の実施の形態の切削溝形成ステップの一例を示す図である。図７は、第２の実施の形態の切削溝深さ検出ステップの一例を示す図である。図８は、第２の実施の形態の分割ステップの一例を示す図である。なお、第２の実施の形態のウェーハの加工方法では、第１の実施の形態のウェーハの加工方法と同様な内容については極力省略して説明する。

図６に示すように、先ず切削溝形成ステップが実施される。切削溝形成ステップでは、ウェーハＷ２が切削装置（不図示）の保持テーブル６１に載置されると、保護テープＴを介してウェーハＷ２が保持テーブル６１に吸引保持され、ウェーハＷ２の周囲の環状フレームＦがクランプ部６３に保持される。このとき、ウェーハＷ２の裏面８２が上方に向けられ、ウェーハＷ２の表面８１のＬｏｗ−ｋ膜８３が保護テープＴに貼着されている。また、ウェーハＷ２の径方向外側で、切削ブレード６２がウェーハＷ２の分割予定ラインＬ（図１参照）に位置合わせされる。

ウェーハＷ２の径方向外側で、ウェーハＷ２の厚み方向途中の深さまで切削ブレード６２が降ろされ、この切削ブレード６２に対して保持テーブル６１が切削送りされる。これにより、ウェーハＷ２の裏面８２側から厚み方向途中の深さまで切削ブレード６２で切り込まれ、分割予定ラインＬ（図１参照）に沿ってハーフカットされる。この切削動作が繰り返されることで、ウェーハＷ２の表面に分割予定ラインＬに沿って複数の切削溝８６が形成される。このとき、切削ブレード６２がウェーハＷ２の表面８１側のＬｏｗ−ｋ膜８３に達していないため、ウェーハＷ２の表面８１からＬｏｗ−ｋ膜８３が剥離することがない。

図７に示すように、切削溝形成ステップを実施した後に切削溝深さ検出ステップが実施される。切削溝深さ検出ステップでは、ウェーハＷ２がレーザー加工装置１（図１参照）の保持テーブル３０に載置されると、保護テープＴを介してウェーハＷ２が保持テーブル３０に吸引保持され、ウェーハＷ２の周囲の環状フレームＦがクランプ部３２に保持される。ウェーハＷ２の裏面８２の切削溝８６が上方に向けられており、切削溝８６の真上に検出手段４２が位置付けられる。そして、検出手段４２によってウェーハＷ２の切削溝８６毎にウェーハＷ２の裏面８２からの深さが検出される。

図９に示すように、切削溝深さ検出ステップを実施した後に分割ステップが実施される。分割ステップでは、ウェーハＷ２の切削溝８６の真上に照射ノズル４１が位置付けられ、上記したレーザー加工条件テーブルを参照して、検出手段４２（図７参照）で検出された切削溝８６の深さに応じてレーザー光線の加工条件が変更される。レーザー光線の加工条件が設定されると、ウェーハＷ２の裏面８２側から切削溝８６内に向けて、ウェーハＷ２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線が照射される。そして、照射ノズル４１に対して保持テーブル３０が切削送りされることで、切削溝８６に沿ってレーザー光線が照射されてウェーハＷ２の表面８１側のＬｏｗ−ｋ膜８３が切断される。

切削溝８６毎にレーザー光線の加工条件が変更されて、レーザー加工動作が繰り返されることで、ウェーハＷ２が切削溝８６に沿って複数のデバイスに分割される。このとき、Ｌｏｗ−ｋ膜８３がレーザー加工によって切断されるため、切削加工のようにウェーハＷ２の表面８１からＬｏｗ−ｋ膜８３が剥離することがない。また、ウェーハＷ２の切削溝８６の深さに合わせて適切な加工条件でレーザー加工されるため、過剰エネルギーによる保護テープＴの焼けや、エネルギー不足による不完全な切断を防止して、ウェーハＷ２を良好に分割することができる。

以上のように、第２の実施の形態のウェーハＷ２の加工方法は、ウェーハＷ２の裏面８２側が切削ブレード６２で切削加工され、ウェーハＷ２の裏面８２側から切削溝８６内にレーザー光線を照射してウェーハＷ２の表面８１側のＬｏｗ−ｋ膜８３がレーザー加工される。よって、レーザー加工後に切削加工する場合のように切削ブレード６２でＬｏｗ−ｋ膜８３が切削されることがなく、Ｌｏｗ−ｋ膜８３の剥離が抑えられる。また、レーザー加工溝の溝幅をブレード幅よりも狭くできるため、デバイスの採り数が減少することもない。このように、Ｌｏｗ−ｋ膜８３付きのウェーハＷ２に適切な加工方法が採用されることで、ウェーハＷ２を良好に分割できると共に、分割後のデバイスの加工品質が低下することがない。

なお、上記した第１、第２の実施の形態の分割ステップにおいて、切削溝７６、８６毎にレーザー光線の加工条件を変更する構成にしたが、この構成に限定されない。分割ステップでは、切削溝７６、８６の全長を複数の領域に分けて、領域毎にレーザー光線の加工条件を変更してもよい。

また、上記した第１、第２の実施の形態の分割ステップにおいて、照射ノズル４１に対して保持テーブル３０が切削送りされる構成にしたが、この構成に限定されない。分割ステップでは、照射ノズル４１に対して保持テーブル３０が相対的に切削送りされる構成であればよく、例えば、保持テーブル３０に対して照射ノズル４１が切削送りされてもよい。

また、上記した第１、第２の実施の形態の分割ステップにおいて、ウェーハＷ１、Ｗ２の切削溝７６、８６の深さに応じてレーザー光線の加工条件が変更される構成にしたが、この構成に限定されない。ウェーハＷ１、Ｗ２の切削溝７６、８６の深さが一定、すなわち各切削溝７６、８６におけるウェーハＷ１、Ｗ２の切り残し量が一定であれば、レーザー光線の加工条件を変更する必要がない。

また、上記した第１、第２の実施の形態の切削溝形成ステップにおいて、切削ブレード６２に対して保持テーブル６１が切削送りされる構成にしたが、この構成に限定されない。切削溝形成ステップでは、切削ブレード６２に対して保持テーブル６１が相対的に切削送りされる構成であればよく、例えば、保持テーブル６１に対して切削ブレード６２が切削送りされてもよい。

また、上記した第１、第２の実施の形態においてウェーハＷ１、Ｗ２を例示して説明したが、この構成に限定されない。ウェーハＷは、表面及び裏面の少なくとも一方の面に機能膜が形成されていれば、どのように形成されていてもよい。ウェーハＷは、例えばシリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスが形成された半導体ウェーハでもよいし、サファイア、炭化ケイ素等の無機材料基板にＬＥＤ等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハでもよい。さらに、ウェーハＷは、ＣＳＰ（Chip Size Package）基板等のパッケージ基板、プリント基板、金属基板等でもよい。また、機能膜は、上記した金属膜７４及びＬｏｗ−ｋ膜８３に限定されず、ウェーハＷに対して特定の機能を付与するものであればよい。

また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらに、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。

また、本発明の実施の形態では、本発明をウェーハの加工方法に適用した構成について説明したが、良好に分割され得る加工対象物の加工方法に適用することも可能である。

以上説明したように、本発明は、機能膜を有するウェーハを良好に分割することができるという効果を有し、特に機能膜として金属膜やＬｏｗ−ｋ膜を有するウェーハを分割するウェーハの加工方法に有用である。

１ レーザー加工装置
３０ 保持テーブル
３１ 保持面
３２ クランプ部
４０ レーザー光線照射手段
４２ 検出手段
５０ 制御手段
５１ 記憶部
６１ 保持テーブル
６２ 切削ブレード
７１ ウェーハの表面（他方の面）
７２ ウェーハの裏面（一方の面）
７３ 樹脂膜（保護膜）
７４ 金属膜（機能膜）
７６ 切削溝
８１ ウェーハの表面（一方の面）
８２ ウェーハの裏面（他方の面）
８３ Ｌｏｗ−ｋ膜（機能膜）
８６ 切削溝
Ｆ 環状フレーム
Ｌ 分割予定ライン
Ｔ 保護テープ
Ｗ、Ｗ１、Ｗ２ ウェーハ

Claims (1)

1. 複数の分割予定ラインによって区画されて複数のデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
   機能膜を有する一方の面が保護テープを介して環状フレームに貼着されたウェーハを切削装置の保持テーブルに載置し、ウェーハの他方の面側から切削ブレードをウェーハ厚み方向途中まで切り込み、該分割予定ラインに沿って複数の切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
   該切削溝形成ステップを実施後、ウェーハに形成された該切削溝の深さを検出する切削溝深さ検出ステップと、
   該切削溝形成ステップを実施後、該切削溝が形成されたウェーハをレーザー加工装置の保持テーブルに載置し、ウェーハの他方の面側から切削溝内に向けて、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該切削溝に沿って照射して、該機能膜と共にウェーハを複数のデバイスに分割する分割ステップと、を備え、
   該レーザー加工装置の制御手段は、切削溝の深さに応じた最適なレーザー加工条件テーブルが予め記憶された記憶部を備え、
   該分割ステップにおいては、該切削溝深さ検出ステップにおいて検出された切削溝の深さに応じて該記憶部のレーザー加工条件テーブルに基づきレーザー光線の加工条件を変更してウェーハを分割するウェーハの加工方法。

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