TWI713741B - 晶圓之加工方法 - Google Patents

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Abstract

良好地分割具有機能膜之晶圓。

一種將具有複數分割預定線之晶圓(W1)沿 著分割預定線予以分割之晶圓之加工方法，其構成具有：以切削刀從晶圓之表面(71)側切入至晶圓之厚度方向途中，沿著分割預定線而形成複數切削溝(76)之步驟；和從晶圓之表面側朝向切削溝內，對晶圓照射具有吸收性之波長的雷射光線，沿著該切削溝將晶圓與晶圓之背面(72)的機能膜(74)同時予以分割成複數裝置之步驟。

Description

晶圓之加工方法
本發明係關於將晶圓分割成各個裝置之晶圓之加工方法。
在半導體裝置製造工程中之晶圓之分割中，沿著晶圓之分割預定線照射具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，且沿著分割預定線完全分割晶圓之方法被實用化(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1所載之加工方法，藉由脈衝雷射光線之照射使晶圓部分性昇華，依此沿著分割預定線，形成完全分割晶圓之溝(完全分割溝)。在此情況下，以即使晶圓被分割成各個裝置亦不會成為零亂之方式，經由被黏貼於環狀框之黏接膠帶之黏接劑，黏貼晶圓。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-124199號公報
然而，在晶圓中，存在於表背兩面之至少一方形成有機能膜者。因此，在上述雷射光線之照射所引起之分割方法，或使用切削刀之分割方法中，因晶圓之種類不同，而有由於有機能膜引起的殘留物之附著或崩裂、裂紋等使得晶圓之分割後之裝置的加工品質下降的問題。
本發明係鑒於如此之問題點而創作出，提供可以良好地分割具有機能膜之晶圓之晶圓之加工方法為其目的之一。
本發明之一態樣之晶圓之加工方法係將藉由複數分割預定線被區劃而形成複數裝置之晶圓，沿著該分割預定線而予以分割的晶圓之加工方法，其特徵在於，具備：切削溝形成步驟，其係將具有機能膜之一方之表面經由保護膠帶被黏貼於環狀框之晶圓，載置於切削裝置之保持台，將切削刀從晶圓之另一方之表面側切入至晶圓厚度方向途中，沿著該分割預定線而形成複數切削溝；和分割步驟，其係於實施該切削溝形成步驟之後，將形成該切削溝之晶圓載置於雷射加工裝置之保持台，從晶圓之另一方之表面側朝向切削溝內，沿著該切削溝照射相對於晶圓具有吸收性之波長的雷射光線，將晶圓與該機能膜同時分割成複數裝置。
若藉由該構成，晶圓之另一方之表面藉由切 削刀被切削加工，從晶圓之另一方之表面側，對切削溝內照射雷射光線而使得晶圓之一方之表面之機能膜被雷射加工。藉由在晶圓之一方之表面和另一方之表面變更加工方法，可以良好地分割具有機能膜之各種晶圓。
再者，在本發明之一態樣之晶圓之加工方法中，具備切削溝深度檢測步驟，其係在實施該切削溝形成步驟之後，並且於實施該分割步驟之前，或實施中，檢測出被形成在晶圓之該切削溝之深度，該雷射加工裝置之控制手段具備記憶部，其係事先記憶因應切削溝之深度的最佳雷射加工條件表，在該分割步驟中，因應在該切削溝深度檢測步驟中被檢測出之切削溝之深度，根據該記憶部之雷射加工條件表，變更雷射光線之加工條件而分割晶圓。
若藉由本發明時，藉由在晶圓之一方之表面和另一方之表面變更加工方法，可以良好地分割至少具有機能膜之各種晶圓。
1‧‧‧雷射加工裝置
30‧‧‧保持台
31‧‧‧保持面
32‧‧‧夾具部
40‧‧‧雷射光線照射手段
42‧‧‧檢測手段
50‧‧‧控制手段
51‧‧‧記憶部
61‧‧‧保持台
62‧‧‧切削刀
71‧‧‧晶圓之表面(另一方之表面)
72‧‧‧晶圓之背面(一方之表面)
73‧‧‧樹脂膜(保護膜)
74‧‧‧金屬膜(機能膜)
76‧‧‧切削溝
81‧‧‧晶圓之表面(一方之表面)
82‧‧‧晶圓之背面(另一方之表面)
83‧‧‧Low-k膜
86‧‧‧切削溝
F‧‧‧環狀框架
L‧‧‧分割預定線
T‧‧‧保護膠帶
W、W1、W2‧‧‧晶圓
圖1為雷射加工裝置之斜視圖。
圖2為表示比較例之雷射加工一例的圖示。
圖3為表示第1實施型態之切削溝形成步驟之一例的圖示。
圖4為表示第1實施型態之切削溝深度檢測步驟之一例的圖示。
圖5為表示第1實施型態之分割步驟之一例的圖示。
圖6為表示第2實施型態之切削溝形成步驟之一例的圖示。
圖7為表示第2實施型態之切削溝深度檢測步驟之一例的圖示。
圖8為表示第2實施型態之分割步驟之一例的圖示。
以下，參照附件圖面針對雷射加工裝置予以說明。圖1為雷射加工裝置之斜視圖。圖2為表示比較例之雷射加工一例的圖示。另外，雷射加工裝置若為能夠實施本實施型態之晶圓之加工方法的構成即可，並不限定於圖1所示之構成。
如圖1所示般，雷射加工裝置1被構成使照射雷射光線之雷射光線照射手段40和保持晶圓W之保持台30相對移動，使對晶圓W進行雷射加工。在晶圓W之表面，格子狀地配列複數分割預定線L，在藉由分割預定線L而被區劃之各區域上形成複數裝置(無圖示)。在晶圓W黏貼保護膠帶T之中央部分，在保護膠帶T之外圍部分，黏貼環狀框F。晶圓W在經保護膠帶T而被支撐於環狀框F之狀態下被搬入至雷射加工裝置1。
在雷射加工裝置1之基台10上，設置有使保持 台30在X軸方向及Y軸方向移動之保持台移動機構20。保持台移動機構20具有被配置在基台10上之X軸方向平行之一對的導軌21，和以能夠滑動之方式被設置在一對導軌21之馬達驅動之X軸台22。再者，保持台移動機構20具有被配置在X軸台22之上面，且與Y軸方向平行之一對導軌23，和能夠滑動之方式被配置在一對導軌23之馬達驅動之Y軸台24。
X軸台22及Y軸台24之背面側，分別形成無圖示之螺帽部，在該些螺帽部螺合滾珠螺桿25、26。而且，藉由被連結於滾珠螺桿25、26之一端部之驅動馬達27、28被旋轉驅動，保持台30沿著導軌21、23在X軸方向及Y軸方向移動。再者，在Y軸台24上，設置保持晶圓W之保持台30。在保持台30之上面形成保持面31，在保持台30之周圍，設置有挾持固定晶圓W之周圍之環狀框F之夾具部32。
在保持台30之後方之立壁部11，突出設置臂部12，在臂部12之前端，以在保持台30上下方向相向之方式，設置雷射光線照射手段40。雷射光線照射手段40之照射噴嘴41係朝向被保持於保持台30之晶圓W，照射從無圖示之振盪器振盪之雷射光線(脈衝雷射光線)。雷射光線係相對於晶圓W具有吸收性之波長，藉由對晶圓W照射雷射光線，晶圓W之一部分昇華而被雷射剝蝕。
另外，剝蝕係指當雷射光線之照射強度成為特定之加工臨界值以上時，固體表面，電子、熱性、光科 學性及力學性能量轉換，其結果，中性原子、分子、正負之離子、自由基、團簇、電子、光爆發性地被釋放，固體表面被蝕刻之現象。
在雷射光線照射手段40之側方，設置有檢測被形成在晶圓W之表面的後述切削溝之深度的檢測手段42。再者，在雷射加工裝置1，設置統籌控制裝置各部之控制手段50，在控制手段50設置有記憶雷射光線之加工條件的記憶部51。控制手段50藉由實施各種處理之微處理器或記憶體等而被構成。記憶體係因應用途而以ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等之一個或複數之記憶媒體所構成。在記憶體記憶有實行雷射加工方法之各種步驟的程式。
然而，就以晶圓W而言，如在一方之表面形成機能膜者，或除了機能膜之外，在另一方之表面形成保護膜者等般，存在各種種類之晶圓。例如，在一方之表面，形成金屬膜以作為機能膜，在另一方之表面，形成樹脂膜以作為保護膜之晶圓的情況下，在上述雷射全切割加工中，樹脂膜溶解而產生的殘餘物會附著於裝置表面或切痕周邊部。雖然考慮以切削加工取代雷射加工來分割晶圓，但是金屬膜之切削時，金屬膜附著於切削刀之前端，自動磨銳作用不充分，有可能產生裝置之崩裂或裂紋等。
再者，例如在一方之表面形成Low-k作為機能膜之晶圓之情況下，在切削刀所致之切削中，Low-k膜剝離而傷及裝置。因此，考慮以雷射加工切斷Low-k膜之 後，以切削加工分割晶圓之方法。但是，在晶圓之雷射加工溝之側面，附著殘餘物，藉由殘留在雷射加工溝之殘餘物，於切削加工時切削刀產生振動，Low-k膜剝離，並且，因必須取較刀寬更寬的雷射加工溝之溝寬，故裝置之取量減少。
於是，在本實施型態之晶圓之加工方法中，於以切削刀62在晶圓W之另一方之表面形成切削溝76、86之後(參照圖3、6)，從晶圓W之另一方之表面側，對切削溝76、86照射雷射光線而切斷晶圓W之一方之表面的機能膜(參照圖5、8)。依此，不會使在至少一方之表面具有機能膜之晶圓W之加工品質下降而能夠分割。如此一來，藉由採用晶圓W之一方之表面和另一方之表面適合各個加工方法，對應於具有機能膜或保護膜等之各種晶圓的分割。
再者，通常如圖2所示般，於加削加工晶圓W之情況下，切削溝91不限被形成成一定之深度。當保護膠帶T之厚度具有10μm-20μm程度之誤差時，在切削加工後之切削溝91之深度產生偏差，而在各切削溝91，晶圓W之切削餘量A不會成為一定。因此，當對所有切削溝91，以相同之加工條件進行雷射加工時，在切削餘量A少之處(圖示右側)，於保護膠帶T產生燒附，在切削餘量A多之處(圖示左側)，晶圓W不完全被切斷。於是，在本實施型態中，設成因應切削溝之深度，切換雷射光線之加工條件。
以下，針對本實施型態之晶圓之加工方法予以詳細說明。首先，作為第1實施型態，針對在表面(另一 方之表面)形成樹脂膜以作為保護膜，在背面(一方之表面)形成金屬膜以作為機能膜的晶圓之加工方法予以說明。圖3為表示第1實施型態之切削溝形成步驟之一例的圖示。圖4為表示第1實施型態之切削溝深度檢測步驟之一例的圖示。圖5為表示第1實施型態之分割步驟之一例的圖示。
如圖3A所示般，首先實施切削溝形成步驟。在切削溝形成步驟中，當晶圓W1被載置於切削裝置(無圖示)之保持台61時，晶圓W1經由保護膠帶T被吸引保持於保持台61，晶圓W1之周圍之環狀框F被保持於夾具部63。此時，晶圓W1之表面71之樹脂膜73朝上方，晶圓W1之背面72之金屬膜74被黏貼於保護膠帶T。再者，在晶圓W1之徑向外側，切削刀62被位置對準於晶圓W1之分割預定線L(參照圖1)。
在晶圓W1之徑向外側，切削刀62被下降至晶圓W1之厚度方向途中之深度，相對於該切削刀62，保持台61被切削進給。依此，從晶圓W1之表面71側至厚度方向途中之深度，以切削刀62被切入，沿著分割預定線L(參照圖1)被半切割而形成切削溝76。此時，因切削刀62未到達至晶圓W1之背面72側之金屬膜74，故不會有金屬膜74附著於切削刀62之前端之情形。依此，切削刀62之自動磨銳作用不會下降，在晶圓W1良好地形成切削溝76。
當如圖3B所示般，沿著一條分割預定線L(參照圖1)切削晶圓W1時，切削刀62被位置對準於相鄰之分割預定線L而切削晶圓W1。藉由重覆該切削動作，在晶圓 W1之表面沿著分割預定線L而形成複數切削溝76。此時，保護膠帶T之厚度並不限定於全體一定，由於保護膠帶T之腐蝕等，厚度產生些許誤差。由於保護膠帶T之厚度之誤差等，被形成在晶圓W1之切削溝76之深度產生偏差，從晶圓W1之切削溝76之底面至背面的切削餘量A不會成為一定。
如圖4所示般，於實施切削溝形成步驟之後，實施切削溝深度檢測步驟。在切削溝深度檢測步驟中，當晶圓W1被載置於雷射加工裝置1(參照圖1)之保持台30時，晶圓W1經由保護膠帶T被吸引保持於保持台30，晶圓W1之周圍之環狀框F被保持於夾具部32。晶圓W1之表面71之切削溝76朝向上方，在切削溝76之正上方定位檢測手段42。而且，藉由檢測手段42對晶圓W1之每個切削溝76，檢測出從晶圓W1之表面71的深度。
在此情況下，使用例如晶圓W1之校準用之光學顯微鏡，作為檢測手段42。在光學顯微鏡之攝影範圍定位切削溝76之底面，藉由自動聚焦機能，迫使焦點對準切削溝76之底面，依此檢測出各切削溝76之深度。另外，檢測手段42若為能夠檢測出被形成在晶圓W1之切削溝76之深度的構成即可，即使使用雷射位移計以作為檢測手段42亦可。再者，在本實施型態中，雖然於分割步驟之前，實施切削溝深度檢測步驟，但是即使在分割步驟中，實施切削溝檢測步驟亦可。
如圖5A所示般，於實施切削溝深度檢測步驟之後，實施分割步驟。在分割步驟中，在晶圓W1之切削溝76之正上方定位照射噴嘴41，因應以檢測手段42(參照圖 4)檢測出之切削溝76之深度，變更雷射光線之加工條件。在此情況下，在控制手段50之記憶部51事先記憶與切削溝76之深度和最適合於該切削溝76之深度的雷射光線之加工條件關聯的雷射加工條件表。以雷射光線之加工條件而言，設定有保持台30之進給速度、雷射光線之加工輸出。
例如，表1所示般，在切削溝76之深度為100[μm]之情況下，被設定成保持台30之進給速度為70[mm/sec]，雷射光線之加工輸出為11[W]。在切削溝76之深度為105[μm]之情況下，被設定成保持台30之進給速度為75[mm/sec]，雷射光線之加工輸出為10[W]。在切削溝76之深度為110[μm]之情況下，被設定成保持台30之進給速度為80[mm/sec]，雷射光線之加工輸出為10[W]。如此一來，以隨著切削溝76變深，被照射至晶圓W1之雷射光線之能量減少之方式，設定加工條件。
Figure 106115662-A0305-02-0012-1
雷射光線之加工條件係事先因應切削溝76之深度，使保持台30之進給速度、雷射光線之加工輸出變化，而實際重覆雷射加工之測試，依此設定最佳值。再者，雷射加工條件表係在記憶部51內按每種類的晶圓W1而準備。如此一來，在分割步驟中，因應在切削溝深度檢測步驟檢測出之切削溝76之深度，根據記憶部51之雷射加工條件表，變更雷射光線之加工條件。另外，雷射光線之 加工條件並不限定於實驗性求出的值，即使使用經驗性或邏輯性求出的值亦可。
當設定雷射光線之加工條件時，從晶圓W1之表面71側朝向切削溝76內，照射相對於晶圓W1具有吸收性之波長的雷射光線。而且，藉由相對於照射噴嘴41，保持台30被切削進給，雷射光線沿著切削溝76被照射，而切斷晶圓W1之背面72側的金屬膜74。此時，因雷射光線不照射至晶圓W1之表面71側之樹脂膜73，故不會有樹脂膜73溶解而當作殘餘物附著於裝置之情形。依此，可以抑制晶圓W1之表面之殘餘物產生而將晶圓W1良好地分割。
如圖5B所示般，當沿著一條切削溝76分割晶圓W1時，照射噴嘴41位置對準於相鄰之切削溝76，以因應相鄰之切削溝76之深度的新加工條件被雷射加工。藉由該雷射加工作重複，晶圓W1沿著切削溝76被分割成複數裝置。此時，因配合晶圓W1之切削溝76之深度而以適當之加工條件被雷射加工，故可以防止過剩能量所致之保護膠帶T之燒附，或能量不足所致之不完全切斷，而良好地分割晶圓W1。
如上述般，第1實施型態之晶圓W1之加工方法係以切削刀62切削加工晶圓W1之表面71側之樹脂膜73，雷射光線從晶圓W1之表面71側照射至切削溝76內而雷射加工晶圓W1之背面72側之金屬膜74。依此，因切削刀62之自動磨銳作用充分發揮機能，故抑制裝置之崩裂或裂紋等，而且因避開樹脂膜73而照射雷射光線，故可以抑制樹 脂膜73之溶解所致之殘餘物朝裝置附著。如此一來，藉由採用最適合於附樹脂膜73及金屬膜74之晶圓W1的加工方法，可以良好地分割晶圓W1，同時不會有分割後之裝置之加工品質下降之情形。
接著，作為第2實施型態，針對在表面(一方之表面)形成Low-k膜以作為機能膜之晶圓之加工方法予以說明。圖6為表示第2實施型態之切削溝形成步驟之一例的圖示。圖7為表示第2實施型態之切削溝深度檢測步驟之一例的圖示。圖8為表示第2實施型態之分割步驟之一例的圖示。另外，在第2實施型態之晶圓之加工方法中，針對與第1實施型態之晶圓之加工方法相同之內容，盡可能省略而予以說明。
如圖6所示般，首先實施切削溝形成步驟。在切削溝形成步驟中，當晶圓W2被載置於切削裝置(無圖示)之保持台61時，晶圓W2經由保護膠帶T被吸引保持於保持台61，晶圓W2之周圍之環狀框F被保持於夾具部63。此時，晶圓W2之背面82朝向上方，晶圓W2之表面81之Low-k膜83被黏貼於保護膠帶T。再者，在晶圓W2之徑向外側，切削刀62被位置對準於晶圓W2之分割預定線L(參照圖1)。
在晶圓W2之徑向外側，切削刀62被下降至晶圓W2之厚度方向途中之深度，相對於該切削刀62，保持台61被切削進給。依此，從晶圓W2之背面82側至厚度方向途中之深度，以切削刀62被切入，沿著分割預定線L(參 照圖1)被半切割。藉由重覆該切削動作，在晶圓W2之表面沿著分割預定線L而形成複數切削溝86。此時，因切削刀62未到達晶圓W2之表面81側之low-k膜83，故Low-k膜不會從晶圓W2之表面81剝離。
如圖7所示般，於實施切削溝形成步驟之後，實施切削溝深度檢測步驟。在切削溝深度檢測步驟中，當晶圓W2被載置於雷射加工裝置1(參照圖1)之保持台30時，晶圓W2經由保護膠帶T被吸引保持於保持台30，晶圓W2之周圍之環狀框F被保持於夾具部32。晶圓W2之背面82之切削溝86朝向上方，在切削溝86之正上方定位檢測手段42。而且，藉由檢測手段42對晶圓W2之每個切削溝86，檢測出從晶圓W2之背面82的深度。
如圖9所示般，於實施切削溝深度檢測步驟之後，實施分割步驟。在分割步驟中，在晶圓W2之切削溝86之正上方定位照射噴嘴41，參照上述雷射加工條件表，因應以檢測手段42(參照圖7)檢測出之切削溝86之深度，變更雷射光線之加工條件。當設定雷射光線之加工條件時，從晶圓W2之背面82側朝向切削溝86內，照射相對於晶圓W2具有吸收性之波長的雷射光線。而且，藉由相對於照射噴嘴41，保持台30被切削進給，沿著切削溝86照射雷射光線，而切斷晶圓W2之背面81側的Low-k膜83。
對每切削溝86變更雷射光線之加工條件，重覆雷射加工動作，依此，晶圓W2沿著切削溝86被分割成複數裝置。此時，因Low-k膜83藉由雷射加工被切斷，故 如切削加工般，不會有Low-k膜83從晶圓W2之表面81剝離之情形。再者，因配合晶圓W2之切削溝86之深度而以適當之加工條件被雷射加工，故可以防止過剩能量所致之保護膠帶T之燒附，或能量不足所致之不完全切斷，而良好地分割晶圓W2。
如上述般，第2實施型態之晶圓W2之加工方法係以切削刀62切削加工晶圓W2之背面82側，雷射光線從晶圓W2之背面82側照射至切削溝86內而雷射加工晶圓W2之表面81側之Low-k膜83。依此，於雷射加工後，如切削加工之情況般，不以切削刀62切削low-k膜83，抑制Low-k膜83之剝離。再者，因可以使雷射加工溝之溝寬較刀寬更窄，故也不會有裝置之取量減少之情形。如此一來，藉由採用最適合於Low-k膜83之晶圓W2的加工方法，可以良好地分割晶圓W2，同時不會有分割後之裝置之加工品質下降之情形。
另外，在上述第1、第2實施型態之分割步驟中，雖然設為構成對每切削溝76、86變更雷射光線之加工條件的構成，但是並不限定於該構成。在分割步驟中，即使將切削溝76、86之全長分成複數區域，對每區域變更雷射光線之加工條件亦可。
再者，在上述第1、第2實施型態之分割步驟中，雖然設為相對於照射噴嘴41，保持台30被切削進給之構成，但是並不限定於該構成。在分割步驟中，若為相對於照射噴嘴41，保持台30被相對性切削進給之構成即可， 例如，即使相對於保持台30，照射噴嘴41被切削進給亦可。
再者，在上述第1、第2實施型態之分割步驟中，雖然設為因應晶圓W1、W2之切削溝76、86之深度，而變更雷射光線之加工條件的構成，但是並不限定於該構成。若晶圓W1、W2之切削溝76、86之深度為一定，即是各切削溝76、86中之晶圓W1、W2之切削餘量為一定，無須變更雷射光線之加工條件。
再者，在上述第1、第2實施型態之切削溝形成步驟中，雖然設為相對於切削刀62，保持台61被切削進給之構成，但是並不限定於該構成。在切削溝形成步驟中，若為相對於切削刀62，保持台61被相對性切削進給之構成即可，例如，即使相對於保持台61，照射刀62被切削進給亦可。
再者，雖然在上述第1、第2實施型態中，例示晶圓W1、W2而予以說明，但是並不限定於該構成。晶圓W若為在表面及背面之至少一方之表面形成機能膜，即使形成任意亦可。晶圓W即使在例如矽、砷化鎵等之半導體基板上形成IC、LSI等之半導體裝置的半導體晶圓亦可，即使為在藍寶石、碳化矽等之無機材料基板上形成LED等之光裝置之光裝置晶圓亦可。並且，晶圓W即使為CSP(Chip Size Package)基板等之封裝體基板、印刷基板、金屬基板等亦可。再者，機能膜並不限定於上述金屬膜74及Low-k膜83，若為對晶圓W賦予特定機能者即可。
再者，本發明之實施型態並不限定於上述各實施型態，即使在不脫離本發明之技術性思想之主旨的範圍，被變更、置換、變形亦可。而且，若藉由技術之進步或衍生的另外技術，可以以另外之方式實現本發明之技術性思想，即使使用其方法來實施亦可。因此，申請專利範圍涵蓋本發明之技術性思想之範圍內所含之所有實施態樣。
再者，在本發明之實施型態中，雖然針對將本發明適用於晶圓之加工方法之構成予以說明，但是亦能夠適用於可良好地被分割的加工對象物之加工方法。
[產業上之利用可行性]
如上述說明般，本發明具有可以良好地分割具有機能膜之晶圓這樣的效果，尤其有利於分割具有作為機能膜之金屬膜或Low-k膜之晶圓的晶圓之加工方法。
30‧‧‧保持台
32‧‧‧夾具部
41‧‧‧照射噴嘴
50‧‧‧控制手段
51‧‧‧記憶部
71‧‧‧晶圓之表面(另一方之表面)
72‧‧‧晶圓之背面(一方之表面)
73‧‧‧樹脂膜(保護膜)
74‧‧‧金屬膜(機能膜)
76‧‧‧切削溝
F‧‧‧環狀框架
T‧‧‧保護膠帶
W、W1‧‧‧晶圓

Claims (1)

  1. 一種晶圓之加工方法，係將藉由複數分割預定線被區劃且形成複數裝置之晶圓，沿著該分割預定線予以分割，該晶圓之加工方法之特徵在於，具備：切削溝形成步驟，其係將具有機能膜之一方之表面經由保護膠帶被黏貼於環狀框之該晶圓，載置於切削裝置之保持台，將切削刀從該晶圓之另一方之表面側切入至該晶圓厚度方向途中，沿著該分割預定線而形成複數切削溝；切削溝深度檢測步驟，其係在實施該切削溝形成步驟之後，檢測出被形成在該晶圓之該切削溝之深度；和分割步驟，其係於實施該切削溝形成步驟之後，將形成該切削溝之該晶圓載置於雷射加工裝置之保持台，從該晶圓之另一方之表面側朝向該切削溝內，沿著該切削溝照射相對於該晶圓具有吸收性之波長的雷射光線，將該晶圓與該機能膜同時分割成複數裝置，該雷射加工裝置之控制手段具備記憶部，其係事先記憶因應於該切削溝之深度的最佳之雷射加工條件表，在該分割步驟中，因應於在該切削溝深度檢測步驟中被檢測出之該切削溝之深度，根據該記憶部之該雷射加工條件表，變更雷射光線之加工條件而分割該晶圓。
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