KR102104138B1 - 가공 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디바이스에 파편이 부착되는 것을 저감할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
디바이스 웨이퍼의 가공 방법은, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 보호막(8a)을 피복하는 보호막 피복 단계와, 보호막 피복 단계를 실시한 후, 제1 출력으로 가공 예정 라인(4)을 따라서 레이저 빔(31)을 조사하여 가공 예정 라인(4) 상의 보호막(8a)을 제거하는 제거 단계와, 제거 단계를 실시한 후, 제1 출력보다 높은 제2 출력으로 가공 예정 라인(4) 상의 보호막(8a)이 제거된 부분을 따라서 디바이스 웨이퍼(1)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔(32)을 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)측으로부터 조사하는 레이저 가공 단계를 구비하고 있기 때문에, 레이저 가공 단계에서의 제2 출력의 레이저 빔(32)을 보호막(8a)에 충격을 주지 않고 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 직접 조사할 수 있고, 디바이스(5)에 파편이 부착되는 것을 저감할 수 있다.
디바이스 웨이퍼의 가공 방법은, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 보호막(8a)을 피복하는 보호막 피복 단계와, 보호막 피복 단계를 실시한 후, 제1 출력으로 가공 예정 라인(4)을 따라서 레이저 빔(31)을 조사하여 가공 예정 라인(4) 상의 보호막(8a)을 제거하는 제거 단계와, 제거 단계를 실시한 후, 제1 출력보다 높은 제2 출력으로 가공 예정 라인(4) 상의 보호막(8a)이 제거된 부분을 따라서 디바이스 웨이퍼(1)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔(32)을 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)측으로부터 조사하는 레이저 가공 단계를 구비하고 있기 때문에, 레이저 가공 단계에서의 제2 출력의 레이저 빔(32)을 보호막(8a)에 충격을 주지 않고 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 직접 조사할 수 있고, 디바이스(5)에 파편이 부착되는 것을 저감할 수 있다.
Description
본 발명은 디바이스 웨이퍼에 레이저 가공을 하는 가공 방법에 관한 것이다.
디바이스 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 방법으로는, 예컨대 디바이스 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따라서 레이저 빔을 조사함으로써 디바이스 웨이퍼를 절단하는 어블레이션 가공이 있다. 어블레이션 가공시에는, 디바이스 웨이퍼에 대하여 레이저 빔이 조사된 영역에서 파편이 발생하기 때문에, 디바이스 웨이퍼의 표면에 미리 보호막을 피복해 두어, 파편이 디바이스에 부착되는 것을 방지하고 있다(예컨대 하기 특허문헌 1을 참조).
그러나, 어블레이션 가공시에는, 레이저 빔을 디바이스 웨이퍼의 표면에 조사할 때의 충격으로 디바이스 웨이퍼의 표면에 피막된 보호막이 박리되어 디바이스의 표면이 노출되어 버리는 경우가 있다. 그리고, 노출된 표면에는 레이저 가공으로 발생하는 파편이 부착되어 버려, 이후에 세정 공정을 실시하더라도 파편이 제거되지 않는다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 디바이스에 파편이 부착되는 것을 저감할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 표면의 교차하는 복수의 가공 예정 라인에 의해 구획된 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서, 디바이스 웨이퍼의 표면에 보호막을 피복하는 보호막 피복 단계와, 그 보호막 피복 단계를 실시한 후, 제1 출력으로 그 가공 예정 라인을 따라서 레이저 빔을 조사하여 그 가공 예정 라인 상의 그 보호막을 제거하는 제거 단계와, 그 제거 단계를 실시한 후, 그 제1 출력보다 높은 제2 출력으로 그 가공 예정 라인을 따라서 디바이스 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 디바이스 웨이퍼의 그 표면측으로부터 그 가공 예정 라인을 따라서 조사하여 디바이스 웨이퍼에 레이저 가공을 하는 레이저 가공 단계를 구비한다.
상기 제거 단계의 상기 제1 출력은, 그 보호막은 가공되지만 디바이스 웨이퍼는 가공되지 않는 값으로 설정되고, 상기 레이저 가공 단계의 상기 제2 출력은, 디바이스 웨이퍼가 가공되는 값으로 설정된다.
또한, 상기 제거 단계에서는, 상기 레이저 가공 단계에서 디바이스 웨이퍼에 조사되는 레이저 빔의 스폿의 직경과 대략 동등한 폭의 그 보호막을 제거한다.
본 발명에 따른 가공 방법에서는, 보호막 피막 단계를 실시하여 디바이스 웨이퍼의 표면에 보호막을 피막한 후 제거 단계를 실시함으로써, 제1 출력의 레이저 빔을 디바이스 웨이퍼의 가공 예정 라인을 따라서 조사하여 보호막만을 제거할 수 있고, 제거 단계를 실시한 후 레이저 가공 단계를 실시함으로써, 가공 예정 라인 상의 보호막이 제거된 부분을 따라서 제2 출력의 레이저 빔을 디바이스 웨이퍼의 표면에 직접 조사할 수 있다.
따라서, 레이저 가공 단계를 실시할 때에는 가공 예정 라인 상의 보호막이 제거되어 있기 때문에, 제2 출력의 레이저 빔이 보호막에 충격을 주지는 않아 보호막이 박리되는 것을 방지할 수 있고, 디바이스에 파편이 부착되는 것을 저감할 수 있다.
도 1은 보호 테이프에 의해 프레임과 일체가 된 디바이스 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 2는 디바이스 웨이퍼를 유지 수단에 재치하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 보호막 피막 단계를 나타내는 단면도이다.
도 4는 제거 단계를 나타내는 단면도이다.
도 5는 레이저 가공 단계를 나타내는 단면도이다.
도 6은 보호막 제거 단계를 나타내는 단면도이다.
도 7은 분할 단계를 나타내는 단면도이다.
도 2는 디바이스 웨이퍼를 유지 수단에 재치하는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 보호막 피막 단계를 나타내는 단면도이다.
도 4는 제거 단계를 나타내는 단면도이다.
도 5는 레이저 가공 단계를 나타내는 단면도이다.
도 6은 보호막 제거 단계를 나타내는 단면도이다.
도 7은 분할 단계를 나타내는 단면도이다.
이하에서는, 도 1에 나타내는 디바이스 웨이퍼(1)를 개개의 디바이스로 분할하는 가공 방법에 관해, 첨부 도면을 참조하면서 설명한다. 디바이스 웨이퍼(1)는, 레이저 가공이 실시되는 원형의 피가공물의 일례이며, 예컨대 실리콘 웨이퍼이다. 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에는, 종횡으로 복수 교차하는 가공 예정 라인(4)에 의해 구획된 영역의 각각에 디바이스(5)를 갖고 있다. 한편, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)과 반대측의 면이 되는 이면(3)에는 디바이스(5)를 갖지 않는다.
디바이스 웨이퍼(1)를 개개의 디바이스(5)로 분할하기 위해, 도 1에 나타낸 바와 같이, 중앙 부분이 개구된 고리형 프레임(6)의 하부에 보호 테이프(7)를 접착하고, 그 중앙부로부터 노출된 보호 테이프(7)에 디바이스 웨이퍼(1)의 이면(3)측을 접착하여 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)을 위로 향하게 하여 노출시킨다. 이와 같이 하여 디바이스 웨이퍼(1)는, 보호 테이프(7)에 의해 프레임(6)과 일체가 된 상태가 된다.
(1) 보호막 피막 단계
도 2에 나타낸 바와 같이, 프레임(6)과 일체로 되어 있는 디바이스 웨이퍼(1)를, 보호 테이프(7)측을 아래로 하여 보호막 피복 장치의 유지 수단(10)에 재치한다. 유지 수단(10)은, 디바이스 웨이퍼(1)를 유지하는 유지면(11a)을 갖는 유지 테이블(11)과, 유지 테이블(11)의 둘레 가장자리에 배치된 클램프부(12)와, 유지 테이블(11)의 하단에 연결된 회전축(13)과, 회전축(13)의 일단에 접속된 모터(14)를 적어도 구비하고 있다. 유지 수단(10)의 주위에는, 액상 수지를 디바이스 웨이퍼(1)에 공급하는 수지 공급 노즐(15)과, 세정수를 가공후의 디바이스 웨이퍼(1)에 공급하는 세정수 공급 노즐(16)과, 액상 수지나 세정수가 비산되는 것을 방지하는 커버부(17)가 배치되어 있다. 수지 공급 노즐(15) 및 세정수 공급 노즐(16)은, 모두 유지 테이블(11)의 유지면(11a)에 대하여 수평으로 선회 가능한 구성으로 되어 있다.
디바이스 웨이퍼(1)를 유지 수단(10)의 유지 테이블(11)에 재치했다면, 도 3의 (a)에 나타낸 바와 같이, 클램프부(12)에 의해 프레임(6)의 상부를 눌러서 디바이스 웨이퍼(1)가 움직이지 않도록 고정한다.
이어서, 모터(14)에 의해 회전축(13)을 회전시키고, 유지 테이블(11)을, 예컨대 회전 속도 10 rpm으로 화살표 A 방향으로 저속 회전시킨다. 수지 공급 노즐(15)은, 유지 테이블(11)의 유지면(11a)에 대하여 수평 방향으로 선회하고, 수지 공급 노즐(15)의 선단에 형성된 공급구(15a)를 디바이스 웨이퍼(1)의 상측으로 이동시켜, 공급구(15a)로부터 미리 정해진 양의 액상 수지(8)를 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)을 향해 공급한다. 액상 수지(8)는, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)을 보호하는 보호막이 된다. 액상 수지(8)는, 예컨대 PVA(폴리비닐알콜)이나 PEG(폴리에틸렌글리콜) 등이며, 수용성 액상 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
유지 테이블(11)과 함께 디바이스 웨이퍼(1)가 회전함으로써 표면(2)의 전면(全面)에 액상 수지(8)가 골고루 퍼지면, 유지 테이블(11)을 예컨대 2000 rpm으로 고속 회전시켜 액상 수지(8)를 건조시킨다. 액상 수지(8)가 건조하면, 도 3의 (b)에 나타내는 보호막(8a)으로서 형성되고, 보호막(8a)에 의해 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2) 및 표면(2)에 형성된 디바이스(5)를 덮도록 하여 피막한다.
(2) 제거 단계
다음으로, 도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, 보호막(8a)이 피막된 디바이스 웨이퍼(1)를 레이저 가공 장치의 유지 수단(20)에 반송하고, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 피막된 보호막(8a)을 가공 예정 라인(4)을 따라서 제거한다. 유지 수단(20)은, 유지면(21a)을 갖는 유지 테이블(21)과, 유지 테이블(21)의 둘레 가장자리에 배치된 클램프 수단(22)을 구비하고 있다. 클램프 수단(22)은, 프레임(6)을 재치할 수 있는 재치부(23)와, 재치부(23)에 배치된 축부(24)와, 축부(24)를 중심으로 회전하고 프레임(6)을 고정하는 클램프부(25)에 의해 적어도 구성되어 있다.
도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, 표면(2)에 보호막(8a)이 피막된 디바이스 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21)에 재치하고, 프레임(6)을 재치부(23)에 재치한다. 클램프부(25)는, 축부(24)를 중심으로 하여 회전하고, 프레임(6)의 상부를 눌러서 고정한다. 이렇게 하여 디바이스 웨이퍼(1)가 유지 수단(20)에 있어서 유지된 후, 유지 수단(20)을 500 mm/s 이상의 가공 이송 속도로 예컨대 화살표 Y 방향으로 이동시키면서, 레이저 빔 조사 수단(30)은, 도 1에 나타낸 디바이스 웨이퍼(1)의 가공 예정 라인(4)을 따라서 레이저 빔(31)을 조사한다.
제거 단계는, 예컨대 하기 가공 조건 1로 설정하여 실시한다.
[가공 조건 1]
레이저 빔 : YAG/YVO4
파장 : 355 nm
제1 출력 : 0.1∼0.2 W
조사 스폿 직경 : 12 ㎛
유지 테이블의 이송 속도 : 500 mm/s 이상
또, 레이저 가공 조건은 상기에 한정되지 않고, 보호막(8a)의 재질, 두께에 따라서 적절하게 설정할 수 있다.
레이저 빔 조사 수단(30)으로부터 조사되는 레이저 빔(31)의 제1 출력은, 보호막(8a)을 가공하지만 디바이스 웨이퍼(1)는 가공되지 않는 값으로서 0.1∼0.2 W로 설정되어 있다. 이와 같이 설정된 레이저 빔(31)을 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 피막된 보호막(8a)에 조사하면, 도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, 보호막(8a)만을 제거하고, 디바이스 웨이퍼(1)까지는 이르지 않는 제1 가공홈(100)을 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 디바이스 웨이퍼(1)의 모든 가공 예정 라인(4)을 따라서 제1 가공홈(100)을 형성한다. 제거 단계에서는, 후술하는 레이저 가공 단계에서의 레이저 빔의 조사 스폿 직경과 대략 동등한 폭만큼 보호막(8a)을 제거한다. 이에 따라, 이후의 레이저 가공 단계에서의 디바이스 웨이퍼(1)의 가공 예정 라인(4)에 대한 레이저 빔의 집광을 가능하게 하고, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)의 노출 부분을 지나치게 넓히지 않게 할 수 있다. 또, 대략 동등하게는 +5 ㎛ 정도의 오차도 포함하고 있다. 보호막(8a)에 대한 레이저 빔의 집광점을 상하로 이동시킴으로써, 스폿 직경을 이후의 레이저 가공 단계보다 크게 할 수 있다.
(3) 레이저 가공 단계
제거 단계를 실시한 후, 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 레이저 빔 조사 수단(30)에 의해 디바이스 웨이퍼(1)에 대하여 레이저 가공을 행한다.
도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(1)가 유지된 유지 수단(20)을, 200 mm/s 이상의 가공 이송 속도로 예컨대 화살표 Y 방향으로 이동시키면서, 레이저 빔 조사 수단(30)은, 도 1에 나타낸 디바이스 웨이퍼(1)의 가공 예정 라인(4)을 따라서 디바이스 웨이퍼(1)에 대하여 흡수성을 갖는 파장(355 nm)의 레이저 빔(32)을 조사한다.
레이저 가공 단계는, 예컨대 하기의 가공 조건 2로 설정하여 실시한다.
[가공 조건 2]
레이저 빔 : YAG/YVO4
파장 : 355 nm
제2 출력 : 1.5∼2 W
조사 스폿 직경 : 8∼10 ㎛
유지 테이블의 이송 속도 : 200 mm/s 이상
또, 레이저 가공 조건은 상기에 한정되지 않고, 디바이스 웨이퍼(1)의 재질, 두께에 따라서 적절하게 설정할 수 있다.
레이저 빔 조사 수단(30)으로부터 조사되는 레이저 빔(32)의 제2 출력은, 디바이스 웨이퍼(1)를 가공하는 값으로서 1.5∼2 W로 설정되어 있다. 또한, 레이저 빔(32)의 조사 스폿 직경은, 제거 단계에서의 레이저 빔(31)의 조사 스폿 직경인 12 ㎛과 대략 동등한 범위내인 8∼10 ㎛로 설정되어 있다. 이와 같이 설정된 레이저 빔(32)은, 도 4의 (b)에 나타낸 제1 가공홈(100)을 통과하여 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 직접 조사된다. 이에 따라, 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, 미리 정해진 깊이를 갖는 제2 가공홈(101)을 디바이스 웨이퍼(1)에 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 디바이스 웨이퍼(1)의 모든 가공 예정 라인(4)을 따라서 제2 가공홈(101)을 형성한다. 제거 단계에 의해 가공 예정 라인(4)의 상측의 보호막(8a)이 제거되어 있기 때문에, 제2 출력의 레이저 빔(32)이 보호막(8a)에 충격을 주지는 않아, 보호막(8a)이 크게 박리되어 디바이스(5)가 노출되는 것을 방지하고, 디바이스(5)에 파편의 부착되는 것을 방지할 수 있다.
(4) 보호막 제거 단계
레이저 가공 단계를 실시한 후, 도 6에 나타낸 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(1)를 세정한다. 구체적으로는, 디바이스 웨이퍼(1)를 유지 수단(10)의 유지 테이블(11)에 재치하고, 클램프부(12)에 의해 프레임(6)의 상부를 눌러서 디바이스 웨이퍼(1)가 움직이지 않도록 고정한다.
이어서, 모터(14)에 의해 유지 테이블(10)을 예컨대 800 rpm으로 화살표 A 방향으로 회전시킨다. 이 때, 세정수 공급 노즐(16)은, 유지 테이블(11)의 유지면(11a)에 대하여 수평 방향으로 선회하고, 세정수 공급 노즐(16)의 선단에 형성된 공급구(16a)를 디바이스 웨이퍼(1)의 상측으로 이동시켜, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)을 향해서 공급구(16a)로부터 세정수(9)를 공급한다. 그리고, 세정수(9)가, 회전하는 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 피막된 보호막(8a)에 충돌함으로써, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)으로부터 보호막(8a)을 모두 씻어내어 제거한다. 또, 세정수(9)로는, 예컨대 순수를 이용한다.
디바이스 웨이퍼(1)의 세정이 종료한 후, 모터(14)에 의해 유지 테이블(10)을 예컨대 2000 rpm으로 화살표 A 방향으로 고속 회전시킨다. 유지 테이블(10)과 함께 회전하는 디바이스 웨이퍼(1)에 발생하는 원심력을 이용하여 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 부착된 세정수를 비산시켜, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)을 건조시킨다.
(5) 분할 단계
보호막 제거 단계를 실시한 후, 도 7에 나타낸 바와 같이, 분할 수단(40)에 의해 보호 테이프(7)를 확장시켜 디바이스 웨이퍼(1)를 개개의 디바이스로 분할한다. 분할 수단(40)은, 디바이스 웨이퍼(1)를 유지하는 유지 테이블(41)과, 유지 테이블(41)의 외주측에 연결되며 프레임(6)을 재치하는 재치부(42)와, 재치부(42)에 재치된 프레임(6)을 클램프하는 클램프부(44)와, 재치부(42)의 하측에 연결되어 재치부(42)를 상하로 승강시키는 승강 수단(45)을 구비하고 있다. 승강 수단(45)은, 실린더(45a)와, 승강하는 로드(45b)를 구비하고 있고, 로드(45b)가 상하 방향으로 이동함으로써, 재치부(42)를 상하 방향으로 승강시킬 수 있다.
도 7의 (a)에 나타낸 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(1)의 이면(3)에 접착된 보호 테이프(7)를 아래로 향하게 하여 분할 수단(40)의 유지 테이블(41)에 재치하고, 재치부(42)에 프레임(6)을 재치한다. 이어서, 클램프부(44)가 축부(43)를 중심으로 하여 회전하고 프레임(6)의 상부를 눌러서 고정한다. 또, 실시형태에 나타내는 보호 테이프(7)는, 신축성을 갖는 익스팬드 테이프로서도 기능한다.
도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 승강 수단(45)이 작동하여, 로드(45b)가 아래쪽으로 이동하여 재치부(42)를 하강시킨다. 이와 같이 하여 보호 테이프(7)가 직경 방향으로 확장하고, 디바이스 웨이퍼(1)의 내부에 형성된 제2 가공홈(101)을 기점으로 하여 파단함으로써, 디바이스 웨이퍼(1)를 개개의 디바이스(5)로 분할한다.
또, 분할 단계는, 보호 테이프(7)를 확장시킴으로써 실시하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대, 절삭 블레이드에 의해 디바이스 웨이퍼(1)를 개개의 디바이스(5)로 분할해도 좋고, 레이저 가공 단계에서 레이저 빔으로 풀컷하여 디바이스 웨이퍼(1)를 개개의 디바이스(5)로 분할해도 좋다.
이상과 같이, 본 실시형태에 나타내는 가공 방법에서는, 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)에 보호막(8a)을 피막한 후, 제거 단계를 실시한 후에 레이저 가공 단계를 실시함으로써, 제1 출력의 레이저 빔(31)을 디바이스 웨이퍼(1)의 가공 예정 라인(4)을 따라서 조사하여 보호막(8a)만을 제거하여 제1 가공홈(100)을 형성한 후, 제2 출력의 레이저 빔(32)을 가공 예정 라인(4)을 따라서 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2)측으로부터 조사하여 제2 가공홈(101)을 형성할 수 있다.
따라서, 레이저 가공 단계를 실시할 때에는, 가공 예정 라인(4) 상의 보호막(8a)이 제거되어 있기 때문에, 제2 출력의 레이저 빔(32)이 보호막(8a)에 충격을 주지는 않아, 디바이스 상의 보호막(8a)이 박리되는 것을 방지할 수 있고, 디바이스(5)에 파편이 부착되는 것을 저감할 수 있다.
1 : 디바이스 웨이퍼 2 : 표면
3 : 이면 4 : 가공 예정 라인
5 : 디바이스 6 : 프레임
7 : 보호 테이프 8 : 액상 수지
8a : 보호막 9 : 세정수
10 : 유지 수단 11 : 유지 테이블
11a : 유지면 12 : 클램프부
13 : 회전축 14 : 모터
15 : 수지 공급 노즐 15a : 공급구
16 : 세정수 공급 노즐 16a : 공급구
17 : 커버부 20 : 유지 수단
21 : 유지 테이블 21a : 유지면
22 : 클램프 수단 23 : 재치부
24 : 축부 25 : 클램프부
30 : 레이저 조사 수단 31, 32 : 레이저 빔
40 : 분할 수단 41 : 유지 테이블
42 : 재치부 43 : 축부
44 : 클램프부 45 : 승강 수단
45a : 실린더 45b : 로드
100 : 제1 가공홈 101 : 제2 가공홈
3 : 이면 4 : 가공 예정 라인
5 : 디바이스 6 : 프레임
7 : 보호 테이프 8 : 액상 수지
8a : 보호막 9 : 세정수
10 : 유지 수단 11 : 유지 테이블
11a : 유지면 12 : 클램프부
13 : 회전축 14 : 모터
15 : 수지 공급 노즐 15a : 공급구
16 : 세정수 공급 노즐 16a : 공급구
17 : 커버부 20 : 유지 수단
21 : 유지 테이블 21a : 유지면
22 : 클램프 수단 23 : 재치부
24 : 축부 25 : 클램프부
30 : 레이저 조사 수단 31, 32 : 레이저 빔
40 : 분할 수단 41 : 유지 테이블
42 : 재치부 43 : 축부
44 : 클램프부 45 : 승강 수단
45a : 실린더 45b : 로드
100 : 제1 가공홈 101 : 제2 가공홈
Claims (3)
- 표면의 교차하는 복수의 가공 예정 라인에 의해 구획된 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서,
디바이스 웨이퍼의 표면의 전면에 액상 수지를 골고루 퍼지게 하는 것에 의해 보호막을 피복하는 보호막 피복 단계와,
상기 보호막 피복 단계를 실시한 후, 제1 출력 파워로 가공 예정 라인을 따라 레이저 빔을 조사하여 상기 가공 예정 라인 상의 보호막을 제거하는 제거 단계와,
상기 제거 단계를 실시한 후, 상기 제1 출력 파워보다 높은 제2 출력 파워로 상기 가공 예정 라인을 따라 디바이스 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 디바이스 웨이퍼의 상기 표면측으로부터 상기 가공 예정 라인을 따라 조사하여 디바이스 웨이퍼에 레이저 가공을 하는 레이저 가공 단계를 구비하고,
상기 제거 단계의 상기 제1 출력 파워는, 상기 보호막은 가공되지만 디바이스 웨이퍼는 가공되지 않는 값으로 설정되고,
상기 레이저 가공 단계의 상기 제2 출력 파워는, 디바이스 웨이퍼가 가공되는 값으로 설정되고,
상기 제거 단계 및 상기 레이저 가공 단계에서는 동일한 파장의 레이저 빔을 이용하고, 상기 동일한 파장은 355 nm인 가공 방법. - 제1항에 있어서, 상기 제거 단계에서는, 상기 레이저 가공 단계에서 디바이스 웨이퍼에 조사되는 레이저 빔의 스폿의 직경과 동등한 폭의 상기 보호막을 제거하는 가공 방법.
- 삭제
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