TWI660415B - 加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供一種以可以減少碎片(debris)附著到裝置為目的之加工方法。解決手段為裝置晶圓之加工方法，由於其包含：保護膜被覆步驟，於裝置晶圓的表面被覆保護膜；去除步驟，實施過保護膜被覆步驟之後，以第一輸出沿著加工預定線照射雷射光以去除加工預定線上的保護膜；以及雷射加工步驟，實施過去除步驟之後，以高於第一輸出的第二輸出沿著加工預定線上之保護膜被去除的部分，從裝置晶圓的表面側照射對裝置晶圓具有吸收性之波長的雷射光。因此，雷射加工步驟之第二輸出的雷射光並不會有對保護膜施加衝擊的情形而可以直接照射在裝置晶圓的表面，並可以減少碎片附著於裝置的情形。

Description

加工方法 發明領域
本發明是有關於一種在裝置晶圓上施行雷射加工之加工方法。
發明背景
作為將裝置晶圓分割為一個個裝置的方法，有例如，藉由沿著裝置晶圓之分割預定線照射雷射光，以切斷裝置晶圓之燒蝕(ablation)加工。燒蝕加工之時，由於對於裝置晶圓會在受到雷射光所照射的區域中產生碎片，因此會預先在裝置晶圓的表面被覆保護膜，以防止碎片附著於裝置之情形(參照例如，下述的專利文獻1)。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2004-188475號公報
發明概要
但是，燒蝕加工之時，在以雷射光照射在裝置晶圓的表面時的衝擊下，會有在裝置晶圓表面的被覆成膜之 保護膜剝離，而導致裝置的表面露出的情形。並且，會有在露出的表面有雷射加工所產生的碎片附著，之後即使實施洗淨步驟也無法將碎片去除之問題。
本發明是有鑑於上述事情而作成者，並以做成可以減少碎片附著於裝置為目的。
本發明為在表面之以交叉的複數條加工預定線所劃分出的區域中分別形成有裝置的裝置晶圓之加工方法，其包含：保護膜被覆步驟，於裝置晶圓的表面被覆保護膜；去除步驟，實施過該保護被覆步驟之後，以第一輸出沿著該加工預定線照射雷射光，以去除該加工預定線上的該保護膜；以及雷射加工步驟，實施過該去除步驟之後，以高於該第一輸出的第二輸出沿著該加工預定線，將對裝置晶圓具有吸收性之波長的雷射光從裝置晶圓的該表面側沿著該加工預定線進行照射以對裝置晶圓施行雷射加工。
將上述去除步驟的上述第一輸出設定為可加工該保護膜但不可加工裝置晶圓之值，並將上述雷射加工步驟之上述第二輸出設定成使裝置晶圓被加工之值。
此外，在上述去除步驟中，是將與上述雷射加工步驟中照射於裝置晶圓之雷射光的光點直徑大致相同之寬度的該保護膜去除。
在本發明的加工方法中，實施保護膜被覆步驟以在裝置晶圓的表面將保護膜被覆成膜之後，藉由實施去除 步驟，以沿著裝置晶圓之加工預定線照射第一輸出的雷射光，就可以做到僅去除保護膜，並藉由實施去除步驟之後再實施雷射加工步驟，就可以沿著加工預定線上之保護膜已去除的部分，將第二輸出的雷射光直接照射在裝置晶圓的表面。
因此，實施雷射加工步驟之時，由於加工預定線上的保護膜已被去除，所以第二輸出的雷射光不會有對保護膜施加衝擊的情形而可以防止保護膜剝離，且可以減少碎片附著於裝置的情形。
1‧‧‧裝置晶圓
2‧‧‧表面
3‧‧‧背面
4‧‧‧加工預定線
5‧‧‧裝置
6‧‧‧框架
7‧‧‧保護膠帶
8‧‧‧液狀樹脂
8a‧‧‧保護膜
9‧‧‧洗淨水
10、20‧‧‧保持機構
11、21、41‧‧‧保持平台
11a‧‧‧保持面
12、25、44‧‧‧夾鉗部
13‧‧‧旋轉軸
14‧‧‧馬達
15、16‧‧‧噴嘴
15a、16a‧‧‧供給口
17‧‧‧套殼部
21a‧‧‧保持面
22‧‧‧夾鉗機構
23、42‧‧‧載置部
24、43‧‧‧軸部
30‧‧‧雷射光照射機構
31、32‧‧‧雷射光
40‧‧‧分割機構
45‧‧‧升降機購
45a‧‧‧氣缸
45b‧‧‧桿
100‧‧‧第一加工溝
101‧‧‧第二加工溝
A、Y‧‧‧箭頭
圖1為顯示藉保護膠帶與框架變成一體之裝置晶圓的立體圖。
圖2為顯示將裝置晶圓載置於保持機構之狀態的截面圖。
圖3(a)、(b)為顯示保護膜被覆步驟之截面圖。
圖4(a)、(b)為顯示去除步驟之截面圖。
圖5(a)、(b)為顯示雷射加工步驟之截面圖。
圖6為顯示保護膜去除步驟之截面圖。
圖7(a)、(b)為顯示分割步驟之截面圖。
用以實施發明之形態
以下，就將圖1所示的將裝置晶圓1分割成一個個裝置之加工方法，一邊參照附加圖式一邊進行說明。裝置晶圓1可為被施行雷射加工之圓形的被加工物之一例，並可 為例如，矽晶圓。於裝置晶圓1的表面2，在藉由縱向橫向之複數條交叉的加工預定線4所劃分出的各個區域中分別具有裝置5。另一方面，於與裝置晶圓1的表面2為相反側之面形成的背面3，則沒有裝置5。
為了將裝置晶圓1分割成一個個裝置5，可如圖1所示，於將中央部分做成開口之環狀框架6的下方黏貼保護膠帶7，再將裝置晶圓1的背面3側貼在從該中央部所露出的保護膠帶7上，以使裝置晶圓1的表面2朝上露出。這樣做，以將裝置晶圓1變成藉由保護膠帶7與框架6形成一體的狀態。
(1)保護膜被覆成膜步驟
如圖2所示，將與框架6形成一體的裝置晶圓1，設成保護膠帶7側在下以載置在保護膜被覆裝置之保持機構10上。保持機構10至少包括，具有用於保持裝置晶圓1之保持面11a的保持平台11、配設於保持平台11的周邊的夾鉗(clamp)部12、連結於保持平台11之下端的旋轉軸13，及連接在旋轉軸13的一端的馬達14。在保持機構10的周圍配設有，將液狀樹脂供給裝置晶圓1的樹脂供給噴嘴(nozzle)15、將洗淨水供給加工後之裝置晶圓1的洗淨水供給噴嘴16，及防止液狀樹脂和洗淨水飛散的套殼部17。樹脂供給噴嘴15及洗淨水供給噴嘴16，不論哪一個都是形成可相對於保持平台11的保持面11a水平地旋轉的構成。
當將裝置晶圓1載置於保持機構10的保持平台11後，如圖3(a)所示，可藉由夾鉗部12壓制框架6的上方而將 裝置晶圓1固定成不移動。
隨後，藉馬達14使旋轉軸13旋轉，並使保持平台11以例如，旋轉速度10rpm沿箭頭A方向低速旋轉。樹脂供給噴嘴15可相對於保持平台11的保持面11a在水平方向上旋轉，並使形成於樹脂供給噴嘴15之前端的供給口15a移動至裝置晶圓1的上方，以從供給口15a朝向裝置晶圓1的表面2供給預定量的液狀樹脂8。液狀樹脂8會形成可保護裝置晶圓1的表面2的保護膜。液狀樹脂8，宜使用例如，PVA(聚乙烯醇)或PEG(聚乙二醇)等，水溶性液狀樹脂。
藉由使裝置晶圓1與保持平台11一起旋轉，而在表面2的整面佈滿液狀樹脂8後，可使保持平台11以例如，2000rpm作高速旋轉以使液狀樹脂8乾燥。液狀樹脂8乾燥時，可形成如圖3(b)所示之保護膜8a，並做成藉由保護膜8a將裝置晶圓1的表面2及形成於表面2的裝置5覆蓋而被覆成膜。
(2)去除步驟
接著，如圖4(a)所示，將已有保護膜8a被覆成膜的裝置晶圓1搬送至雷射加工裝置之保持機構20，並沿著加工預定線4將被覆在裝置晶圓1的表面2的保護膜8a去除。保持機構20包括，具有保持面21a的保持平台21，及配設於保持平台21之周邊的夾鉗機構22。夾鉗機構22至少是由，可載置框架6的載置部23、配設於載置部23的軸部24，及以軸部24為中心旋轉並用於固定框架6的夾鉗部25所構成。
如圖4(a)所示，將於表面2已有保護膜8a被覆成膜的裝置晶圓1載置於保持平台21，同時將框架6載置於載置 部23。夾鉗部25以軸部24為中心旋轉，將框架6的上方壓制以固定。如此進行，而將裝置晶圓1保持於保持機構20之後，一邊使保持機構20以500mm/s以上的加工進給速度在例如箭頭Y方向上移動，一邊讓雷射光照射機構30沿著圖1所示之裝置晶圓1的加工預定線4照射雷射光31。
去除步驟，可設定為例如下述之加工條件1而實施。
[加工條件1]
還有，雷射加工條件並不限於上述，且可因應保護膜8a的材質、厚度而適當設定。
從雷射光照射機構30所照射的雷射光31的第一輸出，是以雖然可加工保護膜8a但不會加工裝置晶圓1之值而設定在0.1~0.2W。將如此所設定的雷射光31照射在於裝置晶圓1的表面2被覆成膜的保護膜8a上時，會如圖4(b)所示，只去除保護膜8a，並可形成不致於一直作用到裝置晶圓1的第一加工溝100。如此進行以沿著裝置晶圓1的所有加工預定線4都形成第一加工溝100。在去除步驟中，只會去除與後述之雷射加工步驟之雷射光的照射光之光點直徑大致相同寬度的保護膜8a。藉此，可讓將雷射光聚光於之後的雷 射加工步驟之裝置晶圓1的加工預定線4變成可行，同時也可以做到使裝置晶圓1的表面2的露出部分不致於形成得太寬。還有，於大致相同上，也包含+5μm左右的誤差。藉由使相對於保護膜8a之雷射光的聚光點上下調整，可以做到將光點直徑調整成比之後的雷射加工步驟還大。
(3)雷射加工步驟
實施去除步驟之後，可如圖5(a)所示，藉由雷射光照射機構30對裝置晶圓1進行雷射加工。
如圖5(a)所示，一邊使保持有裝置晶圓1的保持機構20，以200mm/s以上的加工進給速度在例如箭頭Y方向上移動，一邊以雷射光照射機構30，沿著如圖1所示之裝置晶圓1的加工預定線4照射對裝置晶圓1具有吸收性之波長(355nm)的雷射光32。
雷射加工步驟，可設定成例如下述之加工條件2而實施。
[加工條件2]
還有，雷射加工條件並不限上述，且可因應裝置晶圓1的材質、厚度而適當設定。
從雷射光照射機構30所照射的雷射光32之第二 輸出，是作為可加工裝置晶圓1之值而設定成1.5~2W。又，雷射光32的照射光之光點直徑，是設定在與去除步驟之雷射光31的照射光之光點直徑12μm大致相同的範圍內的8~10μm。並可將如此所設定之雷射光32，通過如圖4(b)所示的第一加工溝100直接照射在裝置晶圓1的表面2。藉此，如圖5(b)所示，就可將具有預定深度的第二加工溝101形成在裝置晶圓1上。如此進行以沿著裝置晶圓1的所有加工預定線4都形成第二加工溝101。因為可藉由去除步驟將加工預定線4上方的保護膜8a去除，所以不會有第二輸出的雷射光32對保護膜8a施加衝擊的情形，因而可防止保護膜8a剝離過多而使裝置5露出，並可防止碎片附著於在裝置5的情形。
(4)保護膜去除步驟
實施雷射加工步驟之後，可如圖6所示，將裝置晶圓1洗淨。具體上，是將裝置晶圓1載置於保持機構10的保持平台11上，並藉由夾鉗部12壓制框架6的上方而將裝置晶圓1固定成不移動。
接著，藉由馬達14使保持平台10以例如800rpm繞箭頭A方向轉動。此時，洗淨水供給噴嘴16可相對於保持平台11的保持面11a在水平方向上旋轉，並使形成在洗淨水供給噴嘴16的前端的供給口16a移動至裝置晶圓1的上方，以從供給口16a向著裝置晶圓1的表面2供給洗淨水9。並且，可藉由將洗淨水9衝撞至在轉動的裝置晶圓1的表面2被覆成膜的保護膜8a上，而將保護膜8a從裝置晶圓1的表面2全 部沖洗去除。還有，作為洗淨水9，可使用例如，純水。
結束裝置晶圓1的洗淨之後，可藉由馬達14使保持平台10以例如2000rpm繞箭頭A方向高速旋轉。利用在與保持平台10一起旋轉的裝置晶圓1上產生的離心力，可使附著在裝置晶圓1的表面2的洗淨水飛散，而使裝置晶圓1的表面2乾燥。
(5)分割步驟
實施保護膜去除步驟之後，可如圖7所示，藉由分割機構40使保護膠帶7擴張以將裝置晶圓1分割為一個個裝置。分割機構40具備，用於保持裝置晶圓1的保持平台41、連接設置於保持平台41之外周側用於載置框架6的載置部42、將載置於載置部42上的框架6夾持固定的夾鉗部44，及連結於載置部42的下方用於使載置部42上下升降的升降機構45。升降機構45具備氣缸45a與可升降之桿45b，並可藉由沿上下方向移動桿45b，而使載置部42可在上下方向上作升降。
如圖7(a)所示，可將貼在裝置晶圓1的背面3的保護膠帶7朝下設置，以載置於分割機構40之保持平台41，同時將框架6載置在載置部42上。接著，夾鉗部44以軸部43為中心旋轉，以壓制框架6的上方而進行固定。還有，實施形態中所示的保護膠帶7，作為具有伸縮性的擴張膠帶(expand tape)也可產生作用。
如圖7(b)所示，可作動升降機構45，讓桿45b往下方移動以使載置部42下降。如此進行以將保護膠帶7沿徑向擴張，並藉由以形成於裝置晶圓1之內部的第二加工溝 101作為起點而進行斷裂的作法，以將裝置晶圓1分割成一個個裝置5。
再者，分割步驟並不限於藉由使保護膠帶7擴張而實施的情況。例如，藉由切削刀片以將裝置晶圓1分割成一個個裝置5亦可，在雷射加工步驟中以雷射光進行全切(full cut)而將裝置晶圓1分割成一個個裝置5亦可。
如以上所述，在本實施形態所示的加工方法中，在裝置晶圓1的表面2將保護膜8a被覆成膜之後，藉由實施去除步驟後再實施雷射加工步驟，並將第一輸出的雷射光31沿著裝置晶圓1的加工預定線4照射而形成只去除保護膜8a的第一加工溝100之後，就可以將第二輸出的雷射光32沿著加工預定線4從裝置晶圓1的表面2側進行照射而形成第二加工溝101。
因此，實施雷射加工步驟之時，由於已去除加工預定線4上的保護膜8a，所以不會有第二輸出的雷射光32對保護膜8a施加衝擊的情形而可以防止裝置上的保護膜8a剝離，並可以減少碎片附著於裝置5的情形。

Claims (2)

  1. 一種加工方法，是在表面之以交叉的複數條加工預定線所劃分出的區域中分別形成有裝置的裝置晶圓之加工方法，其包含：保護膜被覆步驟，於裝置晶圓的表面被覆保護膜；去除步驟，實施過該保護膜被覆步驟後，以第一輸出沿著該加工預定線照射雷射光，以去除該加工預定線上的該保護膜；以及雷射加工步驟，實施過該去除步驟後，以高於該第一輸出的第二輸出沿著該加工預定線，將對裝置晶圓具有吸收性之波長的雷射光從裝置晶圓的該表面側沿著該加工預定線進行照射以對裝置晶圓施行雷射加工，前述去除步驟的前述第一輸出是設定為可加工該保護膜但不可加工裝置晶圓之值，前述雷射加工步驟之前述第二輸出是設定成可加工裝置晶圓之值。
  2. 如請求項1的加工方法，其中，在前述去除步驟中，是將與前述雷射加工步驟中照射於裝置晶圓之雷射光的光點直徑大致相同之寬度的該保護膜去除。
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