JP2014138177A - 環状凸部除去方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】 環状凸部除去の際に環状凸部の破損の恐れを低減するとともに、分断溝に残存した分断屑がウエーハ上に付着することを防止可能な環状凸部除去方法を提供することである。
【解決手段】 裏面に形成された円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを有し、該円形凹部と該環状凸部との境界部分に分断溝が形成されたウエーハと、ウエーハの裏面に貼着された粘着テープと、該粘着テープの外周部分に装着された環状フレームとから構成されるウエーハユニットから該環状凸部を除去する環状凸部除去方法であって、該ウエーハユニットのウエーハを下に向けるとともに該粘着テープが上を向いた状態で該環状フレームを保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該粘着テープを介して該環状凸部に超音波振動を付与して該環状凸部を該粘着テープから剥離させ落下させることで、該環状凸部を該ウエーハユニットから除去する除去ステップと、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図7
【解決手段】 裏面に形成された円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを有し、該円形凹部と該環状凸部との境界部分に分断溝が形成されたウエーハと、ウエーハの裏面に貼着された粘着テープと、該粘着テープの外周部分に装着された環状フレームとから構成されるウエーハユニットから該環状凸部を除去する環状凸部除去方法であって、該ウエーハユニットのウエーハを下に向けるとともに該粘着テープが上を向いた状態で該環状フレームを保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該粘着テープを介して該環状凸部に超音波振動を付与して該環状凸部を該粘着テープから剥離させ落下させることで、該環状凸部を該ウエーハユニットから除去する除去ステップと、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図7
Description
本発明は、裏面に円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部が形成されたウエーハから環状凸部を除去する環状凸部除去方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円盤形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートとよばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウエーハが個々の半導体チップ(デバイス)に分割される。
分割されるウエーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削して所定の厚みに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、ウエーハの厚さをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。
このように薄く形成されたウエーハは紙のように腰がなくなり取り扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。そこで、ウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削し、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するウエーハの裏面に補強用の環状凸部を形成する研削方法が、例えば特開2007−173487号公報で提案されている。
このように裏面の外周に環状凸部が形成されたウエーハをストリート(分割予定ライン)に沿って分割する方法として、環状凸部を除去した後、ウエーハの表面側から切削ブレードで切削する方法が提案されている(特開2007−19379号公報参照)。
特開2007−17379号公報では、環状凸部を除去する方法として、研削によって環状凸部を除去する方法と、切削ブレードで円形凹部と環状凸部との界面を円形に切削した後、環状凸部を除去する方法が開示されている。
また、特開2012−156344号公報には、円形凹部と環状凸部との境界部分に分断溝が形成されたウエーハを粘着テープを介して吸引保持し、粘着テープと環状凸部との間に複数の爪を挿入して、爪を上方に持ち上げることにより環状凸部をウエーハユニットから除去する環状凸部除去方法が開示されている。
しかし、特許文献3に開示された環状凸部除去方法では、粘着テープと環状凸部との間に複数の爪を挿入して環状凸部を粘着テープから剥離する際に、環状凸部が破損してしまいウエーハユニット上から環状凸部を除去できないという問題が生じる恐れがある。また、ウエーハの上方に環状フレームが持ち上げられるのに伴って、分断溝に残存した分断屑がウエーハ上に付着する恐れがある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、環状凸部除去の際に環状凸部の破損の恐れを低減するとともに、分断溝に残存した分断屑がウエーハ上に付着することを防止可能な環状凸部除去方法を提供することである。
本発明によると、裏面に形成された円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを有し、該円形凹部と該環状凸部との境界部分に分断溝が形成されたウエーハと、ウエーハの裏面に貼着された粘着テープと、該粘着テープの外周部分に装着された環状フレームとから構成されるウエーハユニットから該環状凸部を除去する環状凸部除去方法であって、該ウエーハユニットのウエーハを下に向けるとともに該粘着テープが上を向いた状態で該環状フレームを保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該粘着テープを介して該環状凸部に超音波振動を付与して該環状凸部を該粘着テープから剥離させ落下させることで、該環状凸部を該ウエーハユニットから除去する除去ステップと、を備えたことを特徴とする環状凸部除去方法が提供される。
本発明の環状凸部除去方法では、環状凸部を下方に向けた状態で粘着テープを介して環状凸部に超音波振動を付与することで、環状凸部をウエーハユニットから除去する。従って、粘着テープと環状凸部との間に爪を挿入して爪を持ち上げることにより環状凸部をウエーハユニットから除去する従来の方法に比べて、より確実に環状凸部を除去できるとともに、異物がウエーハ上に付着する恐れを低減できる。
以下、本発明実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1はシリコンから形成された半導体ウエーハ11の表面側斜視図である。半導体ウエーハ11の表面11aには複数のストリート(分割予定ライン)13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
半導体ウエーハ11の表面11aは、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
図2は半導体ウエーハ11の裏面側斜視図を示している。半導体ウエーハ11の裏面11bには、デバイス領域17に対応する裏面11bが研削されて厚さが約50μmの円形凹部23が形成されており、円形凹部23の外周側は研削されずに残存されて外周余剰領域19を含む環状凸部25が形成されている。環状凸部25は補強部として作用し、例えばその厚さは700μmである。
本発明の環状凸部除去方法を実施するのにあたり、ウエーハ11を粘着テープTを介して環状フレームFで支持するウエーハユニット形成ステップを実施する。即ち、図3に示すように、裏面中央に形成された円形凹部23と円形凹部23を囲繞する環状凸部25を備えるウエーハ11の裏面に粘着テープTを貼着するとともに、粘着テープTの外周部を環状フレームFの開口27を塞ぐように環状フレームFに貼着して、図4に示すようなウエーハユニット28を形成する。粘着テープTとして紫外線硬化型粘着テープを使用するようにしてもよい。
次いで、切削ブレード又はレーザービームを用いて、ウエーハ11の円形凹部23と環状凸部25との境界部分に分断溝を形成する。切削ブレードを使用する分断溝形成ステップでは、図5に示すように、段差31を有する切削装置のチャックテーブル30で粘着テープTを介してウエーハ11の円形凹部23を吸引保持し、クランプ32で環状フレームFを固定する。
切削ユニット34のスピンドルハウジング36中に回転可能に収容されたスピンドル38の先端には切削ブレード40が装着されている。切削ブレード40を高速回転させながらウエーハ上面から粘着テープへ所定深さにまで切り込ませつつチャックテーブル30を低速で回転させて、ウエーハ11の表面11a側から円形凹部23と環状凸部25との境界部分を円形に切削して円形の分断溝を形成する。この円形の分断溝が形成された状態で、ウエーハ11の円形凹部23と環状凸部25は粘着テープTに貼着されたままである。
この分断溝形成ステップは、切削ブレード40によるサークルカットに限定されるものではなく、ウエーハ11に対して吸収性を有する波長のレーザービームによるアブレーション加工で分断溝形成ステップを実施するようにしてもよい。
粘着テープTとして紫外線硬化型粘着テープを使用した場合には、分断溝形成ステップ終了後、粘着力低下ステップを実施する。即ち、図6に示すように、UV照射ユニット42中にウエーハユニット28を挿入し、環状凸部25に対応した円形開口48を有するマスク46を使用して、紫外線ランプ44を点灯して円形開口48を介して紫外線を環状凸部25が貼着された紫外線硬化型粘着テープTに照射し、粘着テープTの環状凸部25に対応する領域の粘着力を低下させる。
分断溝形成ステップ実施後、図7(A)に示すように、ウエーハユニット28のウエーハ11を下に向けるとともに粘着テープTが上を向いた状態で環状フレームFを環状フレーム保持部(載置台)50で保持する(保持ステップ)。
保持ステップを実施した後、図7(B)に示すように、超音波振動子52で粘着テープTを介して環状凸部25に超音波振動を付与する。この場合、超音波振動子52を環状凸部25の全周に沿って移動させても良いし、複数の超音波振動子52を環状凸部25に対応させた円周上に配設して、同時に超音波振動を付与してもよい。或いは、環状凸部25の形状に対応した環状の超音波振動子を使用しても良い。
このように、粘着テープTを介して環状凸部25に超音波振動を付与すると、環状凸部25は粘着テープTから剥離して落下する。従って、粘着テープTを介して環状凸部25に超音波振動を付与することにより、環状凸部25をウエーハユニット28から除去することができる(除去ステップ)。
11 半導体ウエーハ
23 円形凹部
25 環状凸部
T 粘着テープ
F 環状フレーム
28 ウエーハユニット
30 チャックテーブル
34 切削ユニット
40 切削ブレード
42 紫外線照射ユニット
44 紫外線ランプ
50 環状フレーム保持部(載置台)
52 超音波振動子
23 円形凹部
25 環状凸部
T 粘着テープ
F 環状フレーム
28 ウエーハユニット
30 チャックテーブル
34 切削ユニット
40 切削ブレード
42 紫外線照射ユニット
44 紫外線ランプ
50 環状フレーム保持部(載置台)
52 超音波振動子
Claims (1)
- 裏面に形成された円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを有し、該円形凹部と該環状凸部との境界部分に分断溝が形成されたウエーハと、ウエーハの裏面に貼着された粘着テープと、該粘着テープの外周部分に装着された環状フレームとから構成されるウエーハユニットから該環状凸部を除去する環状凸部除去方法であって、
該ウエーハユニットのウエーハを下に向けるとともに該粘着テープが上を向いた状態で該環状フレームを保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、該粘着テープを介して該環状凸部に超音波振動を付与して該環状凸部を該粘着テープから剥離させ落下させることで、該環状凸部を該ウエーハユニットから除去する除去ステップと、
を備えたことを特徴とする環状凸部除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013007713A JP2014138177A (ja) | 2013-01-18 | 2013-01-18 | 環状凸部除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2014138177A true JP2014138177A (ja) | 2014-07-28 |
Family
ID=51415500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2013007713A Pending JP2014138177A (ja) | 2013-01-18 | 2013-01-18 | 環状凸部除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2014138177A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5998271B1 (ja) * | 2015-12-28 | 2016-09-28 | 株式会社Ak電子 | リング状補強部除去装置 |
US9716027B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-07-25 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPH02230754A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘着シートからの薄膜チップの剥離方法 |
JP2010062375A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
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2013
- 2013-01-18 JP JP2013007713A patent/JP2014138177A/ja active Pending
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JP5998271B1 (ja) * | 2015-12-28 | 2016-09-28 | 株式会社Ak電子 | リング状補強部除去装置 |
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