JP3484396B2 - ウェハーの切断方法 - Google Patents
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/146—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハーの切断方法
に関し、更に詳細にはマウントテープに貼着したウェハ
ーを切断装置によって個片に切断するウェハーの切断方
法に関する。
に関し、更に詳細にはマウントテープに貼着したウェハ
ーを切断装置によって個片に切断するウェハーの切断方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用に用いられる半導体素子
は、通常、図６に示す様に、シリコンウェハー１０（以
下、単にウェハー１０と称する）に造り込まれた多数個
の半導体素子１０，１０・・を、個片に切断して供給さ
れる。ウェハー１２の半導体素子１０，１０・・を個片
に切断する際には、先ず、図７に示す様に、ウェハー１
２の背面全面を、主として樹脂から成るマウントテープ
１００に接着剤層１４によって貼着する。次いで、ウェ
ハー１２が貼着されたマウントテープ１００を、図８に
示す様に、ステージ１０２のステージ面に載置して回転
刃１０４によりウェハー１２を切断する。その際、ステ
ージ１０２のステージ面と回転刃１０４とを所定の間隙
Ｈに保持する。
は、通常、図６に示す様に、シリコンウェハー１０（以
下、単にウェハー１０と称する）に造り込まれた多数個
の半導体素子１０，１０・・を、個片に切断して供給さ
れる。ウェハー１２の半導体素子１０，１０・・を個片
に切断する際には、先ず、図７に示す様に、ウェハー１
２の背面全面を、主として樹脂から成るマウントテープ
１００に接着剤層１４によって貼着する。次いで、ウェ
ハー１２が貼着されたマウントテープ１００を、図８に
示す様に、ステージ１０２のステージ面に載置して回転
刃１０４によりウェハー１２を切断する。その際、ステ
ージ１０２のステージ面と回転刃１０４とを所定の間隙
Ｈに保持する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図８に示す様に、ステ
ージ１０２のステージ面と回転刃１０４とを所定の間隙
Ｈを保持してウェハー１２を切断することによって、図
９に示す様に、回転刃１０４により切断溝１０６，１０
６・・が形成される。この切断溝１０６，１０６・・に
よって、ウェハー１２の半導体素子１０，１０・・は個
々に切断されているものの、マウントテープ１００はハ
ーフカットされているのみであって切断されていない。
このため、切断された半導体素子１０，１０・・は、切
断中及び切断後にバラバラにならず、切断処理及びその
後の処理における取扱を容易とすることができる。
ージ１０２のステージ面と回転刃１０４とを所定の間隙
Ｈを保持してウェハー１２を切断することによって、図
９に示す様に、回転刃１０４により切断溝１０６，１０
６・・が形成される。この切断溝１０６，１０６・・に
よって、ウェハー１２の半導体素子１０，１０・・は個
々に切断されているものの、マウントテープ１００はハ
ーフカットされているのみであって切断されていない。
このため、切断された半導体素子１０，１０・・は、切
断中及び切断後にバラバラにならず、切断処理及びその
後の処理における取扱を容易とすることができる。
【０００４】ところで、近年、ウェハー１２の薄肉化が
進展し、ウェハー１２の有する強度等が低下してきてい
る。このため、回転刃１０４によって切断された際に、
ウェハー１２にクラックや欠け部等が発生することが判
明した。本発明者等は、かかるクラックや欠け部等の発
生は、切断刃１０４によってウェハー１２を切断する際
に、ウェハー１２に加えられるせん断力に起因するもの
と考え、レーザ光を用いてウェハー１２を切断すること
を試みた。しかし、本発明者等は、レーザ光によってウ
ェハー１２の半導体素子１０，１０・・を個片に切断す
る際には、マウントテープ１００も同時に個片に切断さ
れてしまうことを知った。このため、本発明者等は、レ
ーザ光によってウェハー１２の半導体素子１０，１０・
・を個片に切断し且つマウントテープ１００をハーフカ
ットすることを試みたが、レーザ光によってマウントテ
ープ１００に図９に示す切断溝１０６を形成するには、
レーザ光の出力の微妙な調整を要すること、及びレーザ
光によるウェハーの切断の際には、熱が発生することが
判明し、レーザ光によるウェハー１２の切断は工業的で
ないことが判明した。この様に、従来のウェハー１２の
レーザ光による切断には種々の課題が存在するが、回転
刃１０４による切断の如く、ウェハー１２に大きなせん
断力が加えられないため、ウェハー１２の切断に起因す
るクラックや欠け部等の発生が極めて少なくできる。そ
こで、本発明の課題は、レーザ光を用いてウェハーを容
易に切断し得るウェハーの切断方法を提供することにあ
る。
進展し、ウェハー１２の有する強度等が低下してきてい
る。このため、回転刃１０４によって切断された際に、
ウェハー１２にクラックや欠け部等が発生することが判
明した。本発明者等は、かかるクラックや欠け部等の発
生は、切断刃１０４によってウェハー１２を切断する際
に、ウェハー１２に加えられるせん断力に起因するもの
と考え、レーザ光を用いてウェハー１２を切断すること
を試みた。しかし、本発明者等は、レーザ光によってウ
ェハー１２の半導体素子１０，１０・・を個片に切断す
る際には、マウントテープ１００も同時に個片に切断さ
れてしまうことを知った。このため、本発明者等は、レ
ーザ光によってウェハー１２の半導体素子１０，１０・
・を個片に切断し且つマウントテープ１００をハーフカ
ットすることを試みたが、レーザ光によってマウントテ
ープ１００に図９に示す切断溝１０６を形成するには、
レーザ光の出力の微妙な調整を要すること、及びレーザ
光によるウェハーの切断の際には、熱が発生することが
判明し、レーザ光によるウェハー１２の切断は工業的で
ないことが判明した。この様に、従来のウェハー１２の
レーザ光による切断には種々の課題が存在するが、回転
刃１０４による切断の如く、ウェハー１２に大きなせん
断力が加えられないため、ウェハー１２の切断に起因す
るクラックや欠け部等の発生が極めて少なくできる。そ
こで、本発明の課題は、レーザ光を用いてウェハーを容
易に切断し得るウェハーの切断方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく検討したところ、ウェハーの切断装置とし
て、所望の切断スリット幅に絞って吐出したビーム状の
水をウェハーの切断個所に噴射し、その際に、このビー
ム状の水中を伝搬したレーザ光をウェハーの切断個所に
照射してウェハーを切断するレーザ切断装置を用いるこ
とによって、切断の際に発生する熱を除去しつつウェー
ハを切断できることを知った。更に、ウェハーを貼着し
て切断に供するマウントテープとして、マウントテープ
を主として形成する樹脂よりも硬質な材料によって形成
したメッシュ状部材を、樹脂中に配設して成るマウント
テープを用いることによって、前述したレーザ切断装置
でマウントテープを切断しても、メッシュ状部材は切断
されず切断された個片を互いに連結していることを見出
し、本発明に到達した。
を解決すべく検討したところ、ウェハーの切断装置とし
て、所望の切断スリット幅に絞って吐出したビーム状の
水をウェハーの切断個所に噴射し、その際に、このビー
ム状の水中を伝搬したレーザ光をウェハーの切断個所に
照射してウェハーを切断するレーザ切断装置を用いるこ
とによって、切断の際に発生する熱を除去しつつウェー
ハを切断できることを知った。更に、ウェハーを貼着し
て切断に供するマウントテープとして、マウントテープ
を主として形成する樹脂よりも硬質な材料によって形成
したメッシュ状部材を、樹脂中に配設して成るマウント
テープを用いることによって、前述したレーザ切断装置
でマウントテープを切断しても、メッシュ状部材は切断
されず切断された個片を互いに連結していることを見出
し、本発明に到達した。
【０００６】すなわち、本発明は、マウントテープに貼
着したウェハーを切断装置によって個片に切断する際
に、該マウントテープを主として形成する樹脂よりも硬
質な材料によって形成されたメッシュ状部材が、前記樹
脂中に配設されて成るマウントテープの一面側に、前記
ウェハーの背面を貼着した後、前記切断装置として、所
望の切断スリット幅に対応するように絞って吐出される
ビーム状の液体をウェハーの切断個所に沿って噴射し、
その際に、前記ビーム状の液体中を伝搬させて前記ウェ
ハーの切断個所にレーザ光を照射するレーザ切断装置を
用い、前記ウェハーの切断個所の切断スリット内に、前
記メッシュ状部材を残留しつつ、前記ウェハーを個片に
切断することを特徴とするウェハーの切断方法にある。
かかる本発明において、メッシュ状部材として、ガラス
繊維によって形成されたガラスクロスを用いることが好
適である。更に、レーザ切断装置から噴射するビーム状
の液体の吐出圧力及びレーザ光の出力を、マウントテー
プ中に配設されたメッシュ状部材を切断することのない
吐出圧力及び出力に調整することにより、切断スリット
内にメッシュ状部材を確実に残留することができる。
着したウェハーを切断装置によって個片に切断する際
に、該マウントテープを主として形成する樹脂よりも硬
質な材料によって形成されたメッシュ状部材が、前記樹
脂中に配設されて成るマウントテープの一面側に、前記
ウェハーの背面を貼着した後、前記切断装置として、所
望の切断スリット幅に対応するように絞って吐出される
ビーム状の液体をウェハーの切断個所に沿って噴射し、
その際に、前記ビーム状の液体中を伝搬させて前記ウェ
ハーの切断個所にレーザ光を照射するレーザ切断装置を
用い、前記ウェハーの切断個所の切断スリット内に、前
記メッシュ状部材を残留しつつ、前記ウェハーを個片に
切断することを特徴とするウェハーの切断方法にある。
かかる本発明において、メッシュ状部材として、ガラス
繊維によって形成されたガラスクロスを用いることが好
適である。更に、レーザ切断装置から噴射するビーム状
の液体の吐出圧力及びレーザ光の出力を、マウントテー
プ中に配設されたメッシュ状部材を切断することのない
吐出圧力及び出力に調整することにより、切断スリット
内にメッシュ状部材を確実に残留することができる。
【０００７】本発明によれば、所望の切断スリット幅に
絞って吐出されたビーム状の液体をウェハーの切断個所
に沿って噴射し、その際に、ビーム状の液体中を伝搬し
たレーザ光をウェハーの切断個所に照射することによっ
てウェハーを切断するため、レーザ光による切断の際に
発生する熱をビーム状の液体により除去し、且つ回転刃
を用いてウェハーを切断する場合に比較して、ウェハー
に加えられるせん断力も小さくできる。しかも、本発明
では、マウントテープを主として形成する樹脂よりも硬
質な材料によって形成されたメッシュ状部材が樹脂中に
配設されて成るマウントテープに貼着したウェハーを、
所望の切断スリット幅に絞って吐出したビーム状の液体
中を伝搬したレーザ光によってウェハー及びマウントテ
ープを切断する。かかるウェハー及びマウントテープの
切断の際、マウントテープに配設されたメッシュ状部材
は、切断スリット内に切断されずに残留する。このた
め、メッシュ状部材は、切断された個片同士を互いに連
結し、切断処理及びその後の処理の際に、切断された個
片がバラバラになることを防止している。その結果、切
断処理及びその後の処理を容易に施すことができる。
絞って吐出されたビーム状の液体をウェハーの切断個所
に沿って噴射し、その際に、ビーム状の液体中を伝搬し
たレーザ光をウェハーの切断個所に照射することによっ
てウェハーを切断するため、レーザ光による切断の際に
発生する熱をビーム状の液体により除去し、且つ回転刃
を用いてウェハーを切断する場合に比較して、ウェハー
に加えられるせん断力も小さくできる。しかも、本発明
では、マウントテープを主として形成する樹脂よりも硬
質な材料によって形成されたメッシュ状部材が樹脂中に
配設されて成るマウントテープに貼着したウェハーを、
所望の切断スリット幅に絞って吐出したビーム状の液体
中を伝搬したレーザ光によってウェハー及びマウントテ
ープを切断する。かかるウェハー及びマウントテープの
切断の際、マウントテープに配設されたメッシュ状部材
は、切断スリット内に切断されずに残留する。このた
め、メッシュ状部材は、切断された個片同士を互いに連
結し、切断処理及びその後の処理の際に、切断された個
片がバラバラになることを防止している。その結果、切
断処理及びその後の処理を容易に施すことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明で用いるマウントテープ
は、図１に示す様に、主としてポリイミド樹脂等の樹脂
によって形成されていると共に、この樹脂よりも硬質な
材料によって形成されたメッシュ状部材が配設されてい
る。図１のメッシュ状部材としては、ガラス繊維によっ
て形成されたガラスクロス１８を用いた。このガラスク
ロス１８は、ガラス繊維を平織して形成されたものであ
る。かかるガラスクロス１８は、マウントテープ１０の
全面に亘って配設され、且つマウントテープ１０の厚さ
方向の略中央部に配設されている。この様に、ガラスク
ロス１８が配設されたマウントテープ１０の一面側に
は、図１に示す様に、接着剤層１４によってウェハー１
２の背面側全面を貼着する。この接着剤層１４は、紫外
線硬化性の接着剤によって形成されている。ここで、図
１に示すマウントテープ１０には、その全面に亘ってガ
ラスクロス１８を配設しているが、ウェハー１２を貼着
する部分のみに配設してもよい。また、マウントテープ
１０を主として形成する樹脂として、紫外線硬化性樹脂
を用いてもよい。この場合、ウェハー１２の貼着は、マ
ウントテープ１０を主として形成する紫外線硬化性樹脂
によって行うことができる。
は、図１に示す様に、主としてポリイミド樹脂等の樹脂
によって形成されていると共に、この樹脂よりも硬質な
材料によって形成されたメッシュ状部材が配設されてい
る。図１のメッシュ状部材としては、ガラス繊維によっ
て形成されたガラスクロス１８を用いた。このガラスク
ロス１８は、ガラス繊維を平織して形成されたものであ
る。かかるガラスクロス１８は、マウントテープ１０の
全面に亘って配設され、且つマウントテープ１０の厚さ
方向の略中央部に配設されている。この様に、ガラスク
ロス１８が配設されたマウントテープ１０の一面側に
は、図１に示す様に、接着剤層１４によってウェハー１
２の背面側全面を貼着する。この接着剤層１４は、紫外
線硬化性の接着剤によって形成されている。ここで、図
１に示すマウントテープ１０には、その全面に亘ってガ
ラスクロス１８を配設しているが、ウェハー１２を貼着
する部分のみに配設してもよい。また、マウントテープ
１０を主として形成する樹脂として、紫外線硬化性樹脂
を用いてもよい。この場合、ウェハー１２の貼着は、マ
ウントテープ１０を主として形成する紫外線硬化性樹脂
によって行うことができる。
【０００９】図１に示すウェハー１２とマウントテープ
１０とは、図２に示すレーザ切断装置によって切断す
る。このレーザ切断装置としては、特表平１０−５００
９０３号において提案されているレーザ切断装置を用い
ることができる。図２に示すレーザ切断装置では、レー
ザ発生装置３０によって発生したレーザ光３２をフォー
カスユニット３４によって集束し、光ファイバー３６に
よりコリメータ３８の近傍に伝搬する。光ファイバー３
６によって伝搬されたレーザ光は、コリメータ３８によ
り平行化された後、フォーカスレンズ４０によってノズ
ル部４２の照射口に集束される。かかるノズル部４２で
は、タンク４４に貯留されている水（好ましく純水）を
ポンプ４６によって所定の圧力（約３０ＭＰａ程度）に
昇圧され配管４８によって送水された昇圧水を、約３０
〜５０μｍ程度の径に絞ったビーム状の水５０を吐出す
る。このビーム状の水５０には、ノズル部４２の照射口
からフォーカスレンズ４０によって集束されたレーザ光
が照射され、照射されたレーザ光はビーム状の水５０中
を全反射しつつ伝搬される。このノズル部４２から吐出
されたビーム状の水５０を形成する水は、受水槽５２に
一旦貯められた後、配管５４によってフィルタ５６を介
してタンク４４に戻されて循環使用される。尚、配管４
８のポンプ４６の吐出口側には、安全弁５８が設けられ
ている。
１０とは、図２に示すレーザ切断装置によって切断す
る。このレーザ切断装置としては、特表平１０−５００
９０３号において提案されているレーザ切断装置を用い
ることができる。図２に示すレーザ切断装置では、レー
ザ発生装置３０によって発生したレーザ光３２をフォー
カスユニット３４によって集束し、光ファイバー３６に
よりコリメータ３８の近傍に伝搬する。光ファイバー３
６によって伝搬されたレーザ光は、コリメータ３８によ
り平行化された後、フォーカスレンズ４０によってノズ
ル部４２の照射口に集束される。かかるノズル部４２で
は、タンク４４に貯留されている水（好ましく純水）を
ポンプ４６によって所定の圧力（約３０ＭＰａ程度）に
昇圧され配管４８によって送水された昇圧水を、約３０
〜５０μｍ程度の径に絞ったビーム状の水５０を吐出す
る。このビーム状の水５０には、ノズル部４２の照射口
からフォーカスレンズ４０によって集束されたレーザ光
が照射され、照射されたレーザ光はビーム状の水５０中
を全反射しつつ伝搬される。このノズル部４２から吐出
されたビーム状の水５０を形成する水は、受水槽５２に
一旦貯められた後、配管５４によってフィルタ５６を介
してタンク４４に戻されて循環使用される。尚、配管４
８のポンプ４６の吐出口側には、安全弁５８が設けられ
ている。
【００１０】図２に示すレーザ切断装置を用いて、図１
に示すウェハー１２とマウントテープ１０とを切断する
には、図２に示す様に、ビーム状の水５０の途中にウェ
ハー１２が貼着されたマウントテープ１０（以下、単に
マウントテープ１０と称することがある）を挿入し、ウ
ェハー１２の切断個所に沿ってビーム状の水５０を噴射
し、その際に、ビーム状の水５０中を伝搬させたレーザ
光を照射しつつ、マウントテープ５０を移動させて切断
する。かかるマウントテープ１０を挿入する位置は、ノ
ズル部４２のビーム状の水５０の吐出口から約１０ｃｍ
程度の間であれば何処に挿入してもよいが、特にビーム
状の水５０の吐出口から約５ｃｍ程度の個所に挿入する
ことが好ましい。この様に、ビーム状の水５０の途中に
挿入されたマウントテープ１０及びウェハー１２は、図
３に示す様に、ビーム状の水５０の径と略等しい幅の切
断スリット２０が形成されて切断される。かかるマウン
トテープ１０及びウェハー１２の切断は、ビーム状の水
５０中を伝搬させたレーザ光によってなされるため、図
８に示す回転刃１０４を用いてマウントテープ１０及び
ウェハー１２を切断する場合の如く、大きなせん断力を
ウェハー１２に与えることなく切断できる。このため、
切断の際のせん断力に起因して発生するクラック等を効
果的に防止できる。更に、レーザ光による切断の際に発
生する熱は、ビーム状の水５０によって直ちに除去され
るため、ウェハー１２に殆ど影響を与えることがない。
に示すウェハー１２とマウントテープ１０とを切断する
には、図２に示す様に、ビーム状の水５０の途中にウェ
ハー１２が貼着されたマウントテープ１０（以下、単に
マウントテープ１０と称することがある）を挿入し、ウ
ェハー１２の切断個所に沿ってビーム状の水５０を噴射
し、その際に、ビーム状の水５０中を伝搬させたレーザ
光を照射しつつ、マウントテープ５０を移動させて切断
する。かかるマウントテープ１０を挿入する位置は、ノ
ズル部４２のビーム状の水５０の吐出口から約１０ｃｍ
程度の間であれば何処に挿入してもよいが、特にビーム
状の水５０の吐出口から約５ｃｍ程度の個所に挿入する
ことが好ましい。この様に、ビーム状の水５０の途中に
挿入されたマウントテープ１０及びウェハー１２は、図
３に示す様に、ビーム状の水５０の径と略等しい幅の切
断スリット２０が形成されて切断される。かかるマウン
トテープ１０及びウェハー１２の切断は、ビーム状の水
５０中を伝搬させたレーザ光によってなされるため、図
８に示す回転刃１０４を用いてマウントテープ１０及び
ウェハー１２を切断する場合の如く、大きなせん断力を
ウェハー１２に与えることなく切断できる。このため、
切断の際のせん断力に起因して発生するクラック等を効
果的に防止できる。更に、レーザ光による切断の際に発
生する熱は、ビーム状の水５０によって直ちに除去され
るため、ウェハー１２に殆ど影響を与えることがない。
【００１１】しかも、図３に示す様に、レーザ光によっ
て切断スリット２０が形成されるマウントテープ１０の
個所にガラス繊維１８ａが存在しない場合には、直線状
の切断スリット２０が形成される。一方、レーザ光によ
って切断スリット２０が形成されるマウントテープ１０
の個所にガラス繊維１８ａが存在している場合には、レ
ーザ光はガラス繊維１８ａよりも軟質の樹脂によって形
成された部分を切断する。このため、ガラス繊維１８ａ
は切断されず切断スリット２０内に残留する。したがっ
て、ウェハー１２及びマウントテープ１０を図２に示す
レーザ切断装置によって切断したとき、図４に示す様
に、ガラスクロス１８は切断されず、ウェハー１２及び
マウントテープ１０を半導体素子１０毎に切断した個片
同士が互いに連結された状態とすることができる。その
結果、ウェハー１２及びマウントテープ１０の切断作業
中及び切断作業後に施す種々の処理作業中に、切断され
た個片がバラバラにならず各種作業を効率よく行うこと
ができる。また、図２に示すレーザ切断装置によってウ
ェハー１２を切断できるため、複雑な切断スリット、例
えばクランク状の切断スリットでも形成できる。このた
め、図５に示す様に、同一ウェハー１２からサイズの異
なる半導体素子１０ａ，１０ｂを切り出すことができ
る。尚、切断された個片から半導体素子１０を剥離する
には、紫外線の照射によって半導体素子１０を貼着する
紫外線硬化性の接着剤層１４を劣化することによって剥
離できる。
て切断スリット２０が形成されるマウントテープ１０の
個所にガラス繊維１８ａが存在しない場合には、直線状
の切断スリット２０が形成される。一方、レーザ光によ
って切断スリット２０が形成されるマウントテープ１０
の個所にガラス繊維１８ａが存在している場合には、レ
ーザ光はガラス繊維１８ａよりも軟質の樹脂によって形
成された部分を切断する。このため、ガラス繊維１８ａ
は切断されず切断スリット２０内に残留する。したがっ
て、ウェハー１２及びマウントテープ１０を図２に示す
レーザ切断装置によって切断したとき、図４に示す様
に、ガラスクロス１８は切断されず、ウェハー１２及び
マウントテープ１０を半導体素子１０毎に切断した個片
同士が互いに連結された状態とすることができる。その
結果、ウェハー１２及びマウントテープ１０の切断作業
中及び切断作業後に施す種々の処理作業中に、切断され
た個片がバラバラにならず各種作業を効率よく行うこと
ができる。また、図２に示すレーザ切断装置によってウ
ェハー１２を切断できるため、複雑な切断スリット、例
えばクランク状の切断スリットでも形成できる。このた
め、図５に示す様に、同一ウェハー１２からサイズの異
なる半導体素子１０ａ，１０ｂを切り出すことができ
る。尚、切断された個片から半導体素子１０を剥離する
には、紫外線の照射によって半導体素子１０を貼着する
紫外線硬化性の接着剤層１４を劣化することによって剥
離できる。
【００１２】ここまでビーム状の液体として、ビーム状
の水５０を用いた例について説明してきたが、透明な液
体であれば水以外の液体、例えばアルコール等の液体を
用いることができる。このビーム状に吐出される液体
は、特定の波長のレーザ光を伝搬できる液体であればよ
く、透明な液体を用いることは必ずしも必要ではない。
更に、ノズル部４２から吐出されるビーム状の水５０の
吐出圧力を高圧にし過ぎると、ビーム状の水５０によっ
てウェハー１２等を切断するおそれがあるため、ビーム
状の水５０の吐出圧力はウェハー１２等を切断すること
のない吐出圧力に調整することが好ましい。同様に、レ
ーザ光の出力も高出力にし過ぎると、ガラスクロス１８
等のメッシュ状部材を切断するおそれがあるため、レー
ザ光の出力もメッシュ状部材を切断するおそれのない出
力に調整することが好ましい。また、メッシュ状部材に
ついても、ガラスクロス１８を用いた例を説明してきた
が、金属繊維から成るメタルクロスやガラス繊維又は金
属繊維を用いた不織布等であっても使用可能である。
の水５０を用いた例について説明してきたが、透明な液
体であれば水以外の液体、例えばアルコール等の液体を
用いることができる。このビーム状に吐出される液体
は、特定の波長のレーザ光を伝搬できる液体であればよ
く、透明な液体を用いることは必ずしも必要ではない。
更に、ノズル部４２から吐出されるビーム状の水５０の
吐出圧力を高圧にし過ぎると、ビーム状の水５０によっ
てウェハー１２等を切断するおそれがあるため、ビーム
状の水５０の吐出圧力はウェハー１２等を切断すること
のない吐出圧力に調整することが好ましい。同様に、レ
ーザ光の出力も高出力にし過ぎると、ガラスクロス１８
等のメッシュ状部材を切断するおそれがあるため、レー
ザ光の出力もメッシュ状部材を切断するおそれのない出
力に調整することが好ましい。また、メッシュ状部材に
ついても、ガラスクロス１８を用いた例を説明してきた
が、金属繊維から成るメタルクロスやガラス繊維又は金
属繊維を用いた不織布等であっても使用可能である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハーの切断の際
に、ウェハーに加えられるせん断力を少なくでき、切断
された半導体素子等に与える影響を可及的に少なくでき
るため、歩留率等を向上できる。更に、切断処理及びそ
の後の処理の際に、切断片がバラバラになることを防止
でき、切断処理及びその後の処理を容易に施すことがで
きる結果、半導体装置等の生産性の向上を図ることがで
きる。
に、ウェハーに加えられるせん断力を少なくでき、切断
された半導体素子等に与える影響を可及的に少なくでき
るため、歩留率等を向上できる。更に、切断処理及びそ
の後の処理の際に、切断片がバラバラになることを防止
でき、切断処理及びその後の処理を容易に施すことがで
きる結果、半導体装置等の生産性の向上を図ることがで
きる。
【図１】本発明に用いるマウントテープにウェハーを貼
着した状態を説明する断面図である。
着した状態を説明する断面図である。
【図２】本発明に用いるレーザ切断装置の一例を説明す
るための概略図である。
るための概略図である。
【図３】図２に示すレーザ切断装置を用いてウェハー及
びマウントテープを切断する状況を説明する部分拡大断
面図である。
びマウントテープを切断する状況を説明する部分拡大断
面図である。
【図４】図２に示すレーザ切断装置を用いてウェハー及
びマウントテープを切断した状態を説明する断面図であ
る。
びマウントテープを切断した状態を説明する断面図であ
る。
【図５】本発明によって切断可能となるウェハーにおけ
る半導体素子の配置状況を説明する平面図である。
る半導体素子の配置状況を説明する平面図である。
【図６】マウントテープにウェハーを貼着した状態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】従来のマウントテープにウェハーを貼着した状
態を説明する断面図である。
態を説明する断面図である。
【図８】従来の切断装置の概略を説明する概略図であ
る。
る。
【図９】図８に示す従来の切断装置で切断したウェハー
及びマウントテープの状態を説明する断面図である。
及びマウントテープの状態を説明する断面図である。
１０ マウントテープ
１２ ウェハー
１４ 接着剤層
１８ ガラスクロス
１８ａ ガラス繊維
２０ 切断スリット
５０ ビーム状の水
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/301
B23K 26/00
Claims (3)
- 【請求項１】 マウントテープに貼着したウェハーを切
断装置によって個片に切断する際に、 該マウントテープを主として形成する樹脂よりも硬質な
材料によって形成されたメッシュ状部材が、前記樹脂中
に配設されて成るマウントテープの一面側に、前記ウェ
ハーの背面を貼着した後、 前記切断装置として、所望の切断スリット幅に対応する
ように絞って吐出されるビーム状の液体をウェハーの切
断個所に沿って噴射し、その際に、前記ビーム状の液体
中を伝搬させて前記ウェハーの切断個所にレーザ光を照
射するレーザ切断装置を用い、 前記ウェハーの切断個所の切断スリット内に、前記メッ
シュ状部材を残留しつつ、前記ウェハーを個片に切断す
ることを特徴とするウェハーの切断方法。 - 【請求項２】 メッシュ状部材として、ガラス繊維によ
って形成されたガラスクロスを用いる請求項１記載のウ
ェハーの切断方法。 - 【請求項３】 レーザ切断装置から噴射するビーム状の
液体の吐出圧力及びレーザ光の出力を、マウントテープ
中に配設されたメッシュ状部材を切断することのない吐
出圧力及び出力に調整する請求項１又は請求項２記載の
ウェハーの切断方法。
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| JP2000136084A JP3484396B2 (ja) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | ウェハーの切断方法 |
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