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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf ein Verfahren und ein Gerät zum Schneiden eines Halbleiterwafers
und insbesondere auf ein Verfahren und ein Gerät zum Schneiden eines an ein
Befestigungsband geklebten Halbleiterwafers in einzelne Stücke gemäß dem Oberbegriff
des Patentanspruches 8 (vgl., beispielsweise, US-A-5 902
499).
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Wie in 7 gezeigt
ist, wird im allgemeinen ein für
eine Halbleitervorrichtung verwendetes Halbleiterelement geschaffen,
indem ein Siliziumwafer 12 (im folgenden nur als "Wafer" 12 bezeichnet),
auf welchem mehrere Halbleiterelemente 13 gebildet sind,
in einzelne Stücke
geschnitten wird.
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Wenn die Halbleiterelemente 13 des
Wafers 12 anfangs in einzelne Stücke geschnitten werden, ist
eine Rückseite
des Wafers 12 an ein Befestigungsband 100 geklebt,
das hauptsächlich
aus einem Harz mit einer Klebeschicht 14 wie in 8 gezeigt besteht.
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Das Befestigungsband 100,
auf das der Wafer 12 geklebt ist, wird auf einer Tischoberfläche eines
Tisches 102 angeordnet und mit einer rotierenden Klinge 104 wie
in 9 gezeigt geschnitten,
wobei ein vorbestimmter Spalt H zwischen der Tischoberfläche des
Tisches 102 und der rotierenden Klinge 104 eingehalten
wird.
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Durch Schneiden des Wafers 12,
während der
vorbestimmte Spalt H zwischen der Tischoberfläche des Tisches 102 und
der rotierenden Klinge 104 wie in 10 gezeigt eingehalten wird, werden durch die
rotierende Klinge 104 Schnittrillen 106 gebildet. Obgleich
die Halbleiterelemente 13 des Wafers 12 durch
die Schnittrillen 106 voneinander getrennt werden, wird
das Befestigungsband 100 nicht vollständig geschnitten, und einzelne
geschnittene Halbleiterelemente sind noch an das Befestigungsband
geklebt. Daher wird verhindert, daß die geschnittenen Halbleiterelemente 13 während und/oder
nach einem Schneiden verstreut werden, wodurch der Schneidvorgang
und die Nachbehandlung erleichtert werden.
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In dieser Hinsicht wurde die Dicke
des Wafers 12 in der letzten Zeit reduziert, was eine Verminderung
der Waferstärke
zur Folge hat. Es wurde festgestellt, daß dadurch im Wafer 12 Risse
oder abgeschlagene Teile erzeugt werden, wenn mit der rotierenden
Klinge 104 geschnitten wird.
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Die Erfinder der vorliegenden Erfindung
sind der Ansicht, daß solche
Risse oder abgeschlagenen Teile durch eine Scherkraft erzeugt werden,
die auf den Wafer 12 aufgebracht wird, wenn der Wafer 12 durch
die rotierende Klinge 104 geschnitten wird, und haben versucht,
den Wafer 12 mit einem Laserstrahl zu schneiden.
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Die Erfinder der vorliegenden Erfindung
haben jedoch festgestellt, daß,
falls zum Schneiden des Wafers 12 in einzelne Halbleiterelemente 13 der
Laserstrahl verwendet wird, auch das Befestigungsband 100 in
Stücke
geschnitten wird.
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Die Erfinder versuchten dann, die
Halbleiterelemente 13 auf dem Wafer 12 in einzelne
Stücke
zu schneiden und das Befestigungsband 100 mit einem Laserstrahl
zur Hälfte
zu schneiden und haben festgestellt, daß es notwendig ist, eine Ausgangsleistung des
Laserstrahls fein einzustellen, falls eine wünschenswerte Schnittrille 106 wie
in 10 gezeigt gebildet
werden soll, und daß die
Wärmeerzeugung beim
Schneiden eines Wafers mit dem Laserstrahl problematisch ist, was
bedeutet, daß das
Schneiden des Wafers 12 mit dem Laserstrahl industriell
nicht vorteilhaft ist.
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Obgleich verschiedene Probleme beim
Verfahren zum Schneiden des Wafers 12 mit dem Laserstrahl
nach dem Stand der Technik wie oben beschrieben bestehen, ist dieses
Verfahren vorteilhaft, weil es keine Risse und/oder abgeschlagenen
Teile erzeugt, die durch das Schneiden des Wafers 12 erzeugt
werden, da im Gegensatz zum Schneiden mit der rotierenden Klinge 104 auf
den Wafer 12 keine große
Scherkraft aufgebracht wird. Die US-A-5 902 499, welche als nächstkommender
Stand der Technik angese hen wird, zeigt ein Gerät zum Schneiden eines Halbleiterwafers
gemäß dem Oberbegriff
des Patentanspruches B. Die US-A-5 902 499 zeigt weiterhin ein Verfahren
zum Schneiden eines Werkstückes,
wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Ausstoßen eines
strahlartigen Flüssigkeitsstrahls
in Richtung auf eine Vorderfläche
des genannten Werkstückes
und Gleichzeitiges Aufbringen eines Laserstrahls axial durch den
genannten strahlartigen Flüssigkeitsstrahl,
sodass das genannte Werkstück
durch den Laserstrahl in einzelne Teile geschnitten wird.
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung
ist, ein Verfahren zum einfachen Schneiden eines Wafers mit einem
Laserstrahl zu schaffen.
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Die Erfinder haben die oben erwähnten Probleme
des Stands der Technik untersucht und festgestellt, daß es möglich ist,
den Wafer zu schneiden, während
in einer Schnittfläche
während
des Schneidvorgangs erzeugte Wärme
abgeleitet wird, falls das Laserstrahl-Schneidwerkzeug einen strahlartigen Wasserstrahl
mit einer vorbestimmten Breite entsprechend einem Schlitz ausstößt, der
in eine Fläche
des zu schneidenden Wafers geschnitten werden soll, während ein
Laserstrahl axial durch den strahlartigen Wasserstrahl gelenkt wird.
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Die Erfinder haben auch festgestellt,
daß es durch
Verwenden eines Befestigungsbandes, in welchem ein maschenartiges
Element eingebettet ist, das aus einem härteren Material als eine Hauptharzkomponente
des Befestigungsbandes besteht, möglich ist, selbst wenn das
Befestigungsband in Stücke geschnitten
wird, zu verhindern, daß die
einzelnen geschnittenen Stücke
verstreut werden, weil das maschenartige Element nicht geschnitten
wird und die geschnittenen Stücke
miteinander verbindet. Die vorliegende Erfindung ist damit vollständig.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung
wird ein Verfahren zum Schneiden eines Halbleiterwafers geschaffen,
das die folgenden Schritte aufweist: Kleben eines Befestigungsbandes
auf eine Rückseite
des Halbleiterwafers, wobei das Befestigungsband eine Harzbasis
und ein maschenartiges Element aufweist, das aus einem härteren Material
als dem der Harzbasis besteht und in die Harzbasis eingebettet ist;
und Ausstoßen
eines strahlartigen Flüssigkeitsstrahls
in Richtung auf die Vorderseite des Halbleiterwafers und gleichzeitiges
Aussenden eines Laserstrahls axial durch den strahlartigen Flüssigkeitsstrahl,
Schneiden des Halbleiterwafers durch den Laserstrahl zusammen mit
der Harzbasis des Befestigungsbandes in einzelne Stücke, während das
maschenartige Element verbunden bleibt. In diesem Fall werden der Druck
des strahlartigen Flüssigkeitsstrahls
und die Ausgangsleistung des Laserstrahls auf solche Weise bestimmt,
daß der
Halbleiterwafer ausreichend geschnitten wird, während das maschenartige Element des
Befestigungsbandes nicht geschnitten wird, sondern verbunden bleibt.
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Da ein Flüssigkeitsstrahl mit einer Breite,
die einer gewünschten,
zu schneidenden Schlitzbreite entspricht, auf einer Fläche eines
zu schneidenden Wafers ausgestoßen
wird und gleichzeitig ein Laserstrahl axial durch die strahlartige
Flüssigkeit
zur Fläche
des zu schneidenden Wafers gelenkt wird, ist es gemäß der vorliegenden
Erfindung möglich,
während des
Schneidens mit dem Laserstrahl erzeugte Wärme durch die strahlartige
Flüssigkeit
abzuleiten sowie im Vergleich zu einem Fall, in welchem der Wafer mit
einer rotierenden Klinge geschnitten wird, die auf den Wafer aufgebrachte
Scherkraft zu minimieren.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung
wird ferner ein Aufbau eines Wafers, der an ein Befestigungsband
geklebt ist, in dem ein maschenartiges Element eingebettet ist,
das aus einem härteren
Material als eine Hauptharzkomponente des Befestigungsbandes besteht,
mit einem Laserstrahl geschnitten, der axial durch den strahlartigen
Flüssigkeitsstrahl übertragen
wird, der so ausgestoßen
wird, daß er
eine einer gewünschten,
zu schneidenden Schlitzbreite entsprechende Breite aufweist.
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Wenn der Wafer und das Befestigungsband wie
oben beschrieben geschnitten werden, wird ein Teil des maschenartigen
Elements in dem geschnittenen Schlitz nicht geschnitten, sondern bleibt
wie er ist. Daher verbindet das maschenartige Element die einzeln
geschnittenen Stücke
miteinander, um zu verhindern, daß die geschnittenen Stücke verstreut werden.
Folglich können
der Schneidvorgang und die Nachbehandlung einfach ausgeführt werden.
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Der strahlartige Flüssigkeitsstrahl
ist ein unter Druck gesetzter Reinwasserstrahl und so fokussiert,
daß er
einen Durchmesser im Bereich von 30 bis 50 μm aufweist, so daß der Halbleiterwafer
entlang einem Schlitz mit einer entsprechenden Breite geschnitten
wird.
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Das maschenartige Element ist ein
Glasgewebe aus einem Glasfilament. In diesem Fall umfaßt das Glasgewebe
mehrere laterale Filamente und mehrere transversale Filamente, die
sich im wesentlichen senkrecht zu den lateralen Filamenten erstrecken,
so daß der
Halbleiterwafer entlang einem Schlitz geschnitten wird, der nicht
parallel zu den lateralen oder den transversalen Filamenten verläuft. In
diesem Fall wird der Halbleiterwafer vorzugsweise entlang einem
Schlitz geschnitten, welcher unter einem Winkel von 30 bis 60 Grad
zu den lateralen und den transversalen Filamenten verläuft.
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Eine Gesamtdicke des Befestigungsbandes liegt
in einem Bereich von 80 bis 100 μm,
und ein Durchmesser der Glasfaser liegt im Bereich von 20 bis 90 μm.
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Gemäß einem anderen Gesichtspunkt
der vorliegenden Erfindung wird ein Gerät zum Schneiden eines Halbleiterwafers
geschaffen, mit: einem Befestigungsband, das eine Harzbasis und
ein maschenartiges Element aufweist, das aus einem härteren Material
als dem der Harzbasis besteht und in der Harzbasis eingebettet ist;
einer ersten Einrichtung zum Halten des Befestigungsbandes, an das
eine Rückseite
des Halbleiterwafers geklebt ist, eine zweite Einrichtung zum Ausstoßen eines
strahlartigen Flüssigkeitsstrahls
in Richtung auf eine Vorderseite des Halbleiterwafers und gleichzeitigen
Aussenden eines Laserstrahls axial durch den strahlartigen Flüssigkeitsstrahl;
und eine Einrichtung zum Bewegen der ersten und/oder zweiten Ein richtung,
so daß der Halbleiterwafer
durch den Laserstrahl zusammen mit der Harzbasis des Befestigungsbandes
in einzelne Stücke
geschnitten wird, während
das maschenartige Element verbunden bleibt.
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Im folgenden wird eine Ausführungsform
eines Verfahrens und Geräts
zum Schneiden eines Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung anhand
von Zeichnungen näher
erläutert.
Es zeigen:
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1 eine
Schnittansicht eines Wafers, der an ein in der vorliegenden Erfindung
verwendetes Befestigungsband geklebt ist;
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2 eine
schematische Ansicht eines Laserschneidwerkzeugs, das in der vorliegenden
Erfindung verwendet wird;
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3 und 4 eine vergrößerte partielle Schnittansicht
bzw. eine Gesamtschnittansicht des Wafers und des Befestigungsbandes,
die mit dem in 2 gezeigten
Laserschneidwerkzeug geschnitten wurden;
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5 eine
Draufsicht, die die Anordnung von Schlitzen zum Schneiden des Wafers
in einzelne Stücke
und ein maschenartiges Element aus Glasfilamenten veranschaulicht;
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6 eine
Draufsicht eines Wafers, der ein Beispiel der Anordnung von Halbleiterelementen
veranschaulicht, die aus dem Wafer geschnitten werden sollen;
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7 eine
perspektivische Ansicht eines an ein Befestigungsband geklebten
Wafers;
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8 eine
Schnittansicht eines an ein Befestigungsband nach dem Stand der
Technik geklebten Wafers;
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9 eine
schematische Ansicht eines Schneidwerkzeugs nach dem Stand der Technik;
und
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10 eine
Schnittansicht eines Wafers und eines Befestigungsbandes, die mit
dem in 8 gezeigten Schneidwerkzeug
nach dem Stand der Technik geschnitten wurden.
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Wie in 1 gezeigt
ist, besteht ein in der vorliegenden Erfindung verwendetes Befestigungsband 10 hauptsächlich aus
einem Polyimidharz 16 und weist ein maschenartiges Element 18 auf,
das aus einem härteren
Material als das Harz geschaffen ist. Das in 1 gezeigte maschenartige Element ist ein
Glasgewebe 18, das aus Glasfilamenten besteht. Das Glasgewebe 18 ist
mit Glasfilamenten in ein ebenes Gewebe gewebt. Ein solches Glasgewebe 18 ist horizontal über das
gesamte Befestigungsband 10 und im wesentlichen bei einer
mittleren Position in Richtung seiner Dicke eingebettet.
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Wie in 1 gezeigt
ist, ist eine Rückseite eines
Wafers 12 über
eine Klebeschicht 14 an eine Oberfläche des das Glasgewebe 18 tragenden
Befestigungsbandes 10 geklebt. Die Klebeschicht 14 besteht
aus einem unter ultraviolettem Licht härtendem Harz.
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Obgleich das Glasgewebe 18 über dem
gesamten Befestigungsband 10 in der in 1 gezeigten Ausführungsform existiert, kann
es nur in einem Bereich vorgesehen sein, wo der Wafer 12 geklebt werden
soll.
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Das Befestigungsband 10 kann
auch hauptsächlich
aus einem unter ultraviolettem Licht härtenden Harz bestehen. In solch
einem Fall kann der Wafer 12 mit dem gleichen unter ultraviolettem
Licht härtenden
Harz wie das des Befestigungsbandes 10 geklebt werden.
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Der Aufbau des Wafers 12 und
des Befestigungsbandes 10, die in 1 dargestellt sind, wird durch Verwenden
eines in 2 gezeigten
Laser-Schneidwerkzeugs wie z. B. des in US-Patent Nr. 5,902,499 offenbarten geschnitten.
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Im in 2 gezeigten
Laser-Schneidwerkzeug wird ein durch ein Laserstrahlgenerator 30 erzeugter
Laserstrahl 32 über
eine Fokussiereinheit 34 zum Fokussieren des Strahls auf
einen Punkt in der Umgebung eines Kollimators 38 ausgesandt.
Der durch eine Glasfaser 36 übertragene Laserstrahl wird durch
den Kollimator 38 parallelisiert und dann über eine
Fokussierlinse 40 auf eine Öffnung des Düsenteils 42 fokussiert.
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In einem Tank 44 gespeichertes
Wasser (günstigerweise
reines Wasser) wird an den Düsenteil 42 abgegeben,
nachdem es bis zu einem vorbestimmten Pegel (ungefähr 30 MPa)
durch eine Pumpe
46 unter Druck gesetzt wurde, und als
strahlartiger Wasserstrahl 50 mit einem Durchmesser in
einem Bereich von ungefähr
30 bis 50 μm
ausgestoßen.
Der durch eine Fokussierlinse 40 fokussierte Laserstrahl wird
von einer Austrittsöffnung
des Düsenteils 42 abgegeben
und axial durch den strahlartigen Wasserstrahl 50 ausgesandt,
während
eine interne Totalreflexion im stahlartigen Wasserstrahl 50 wiederholt stattfindet.
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Wasser, das den strahlartigen Wasserstrahl 50 bildet,
wird durch ein Rohr 54 und einen Filter 56 zum
Tank 44 zur Wiederverwendung zurückgeleitet, nachdem es einmal
in einen Sammelbehälter 52 gesammelt
wurde.
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In dieser Beziehung ist ein Sicherheitsventil 58 in
einer Rohrleitung 48 auf der Ausgangsseite der Pumpe 46 vorgesehen.
Wenn der Wafer 12 und das Befestigungsband 10,
die in 1 dargestellt
sind, mittels des in 2 gezeigten
Laser-Schneidwerkzeugs
geschnitten werden, wird das den Wafer 12 tragende Befestigungsband 10 (dieser
Aufbau wird im folgenden nur als "Befestigungsband" 10 bezeichnet) in der Mitte
im Durchgang des strahlartigen Wasserstrahls 50 eingesetzt,
und das Befestigungsband 10 so bewegt, daß der strahlartige
Wasserstrahl eine Linie auf dem zu schneidenden Wafer 12 zieht,
während
dessen der Laserstrahl axial durch den strahlartigen Wasserstrahl 50 zur
zu schneidenden Linie gelenkt wird.
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Die Stelle, an der das Befestigungsband 10 eingesetzt
werden soll, kann eine beliebige Stelle innerhalb ungefähr 10 cm
von der Austrittsöffnung
des strahlartigen Wasserstrahls 50 im Düsenteil 42 sein, vorzugsweise
an einer Stelle ungefähr
5 cm weiter von der Austrittsöffnung
für den
strahlartigen Wasserstrahl 50.
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Auf diese Weise werden das Befestigungsband 10 und
der Wafer 12, die in der Mitte des strahlartigen Wasserstrahls 50 eingesetzt
wurden, geschnitten, während
ein Schlitz 20 mit einer Breite zurückgelassen wird, der im wesentlichen
gleich einem Durchmesser des strahlartigen Wasserstrahls 50 ist, wie
in 3 gezeigt ist. Da
das Schneiden des Befestigungsbandes 10 und des Wafers 12 durch
einen durch den strahlartigen Wasserstrahl 50 ausgesandten
Laserstrahl ausgeführt
wird, kann der Wafer 12 geschnitten werden, ohne eine große Scherkraft
aufzunehmen, wie es der Fall ist, wenn zu diesem Zweck die rotierende
Klinge 104 verwendet wird, wie in 9 gezeigt ist. Dementsprechend weist
der Wafer 12 keine Risse oder keine andere Beschädigung auf,
die durch die während
des Schneidevorganges erzeugte Scherkraft hervorgerufen werden.
Da während
des Schneidens durch den Laserstrahl erzeugte Wärme durch den strahlartigen
Wasserstrahl 50 schnell abgeführt wird, wird auch der Wafer 12 dadurch
kaum beeinflußt.
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Wie in 3 gezeigt
ist, wird außerdem, wenn
es in einem Bereich des Befestigungsbandes 10, in welchem
der Schlitz 20 mit einem Laserstrahl geschnitten werden
soll, kein Glasfilament 18a gibt, ein Schlitz 20 mit
linearer Form gebildet.
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Wenn andererseits in einem Bereich
des Befestigungsbandes 10, in welchem der Schlitz 20 mit einem
Laserstrahl geschnitten werden soll, ein Glasfilament 18a vorhanden
ist, schneidet der Laserstrahl einen Harzabschnitt, der weicher
als das Glasfilament 18a ist. Somit wird das Glasfilament 18a nicht geschnitten
und bleibt im Schlitz 20 wie es ist.
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Wenn der Wafer 12 und das
Befestigungsband 10 mit dem in 2 gezeigten Laser-Schneidwerkzeug geschnitten
werden, wird dementsprechend das Glasgewebe 18 wie in 4 gezeigt nicht geschnitten,
wodurch die geschnittenen Stücke
des Wafers 12 und des Befestigungsbandes 10, die
einzelne Halbleiterelemente 13 tragen, verbunden bleiben.
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Da verhindert wird, daß die geschnittenen Stücke verstreut
werden, können
folglich der Schneidvorgang des Wafers 12 und des Befestigungsbandes 10 und
die Nachbehandlung einfach und effektiv ausgeführt werden.
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5 zeigt
die Anordnung der Schlitze 20, die den Wafer 12 in
einzelne Halbleiterelemente 13 zerteilen, und die Glasfilamente 18a.
Wie veranschaulicht ist es vorzuziehen, daß die Orientierung eines Netzes
der Glasfilamente 18a und des der Schlitze 20 nicht
miteinander übereinstimmen.
Das Glasfilament 18a bildet in der Praxis einen Winkel
in einem Bereich von 30 bis 60 Grad in Bezug auf die Schlitze 20.
Eine geeignete Anzahl Glasfilamente 18a in einer Fläche der
einzelnen Halbleiterelemente 13 beträgt ungefähr Eins/mm. Da eine Gesamtdicke des
Befestigungsbandes 10 im allgemeinen in einem Bereich von
80 bis 100 μm
liegt, liegt ein Durchmesser des Glasfilaments 18a vorzugsweise
in einem Bereich von 20 bis 90 μm.
Der Durchmesser des Glasfilaments ist vorzugsweise so klein wie
möglich, vorausgesetzt
die Stärke
des Befestigungsbandes 10 wird selbst nach dem Schneiden
beibehalten.
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Da das in 2 gezeigte Laser-Schneidwerkzeug verwendet
wird, kann gemäß der vorliegenden
Erfindung der Wafer 12 entlang einem komplizierten Schneideschlitz,
beispielsweise einem kurbelförmigen
bzw. versetzten Schlitz, geschnitten werden. Somit ist es möglich, Halbleiterelemente 13 verschiedener
Größen aus
dem gleichen Wafer 12 wie in 6 gezeigt
zu schneiden.
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Um das Halbleiterelement 13 von
dem einzelnen geschnittenen Stück
zu lösen,
wird durch die Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen das unter
ultraviolettem Licht härtende
Harz zum Ankleben des Halbleiterelements 13 zersetzt.
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Während
in der obigen Beschreibung reines Wasser als Flüssigkeit für den strahlartigen Flüssigkeitsstrahl 50 verwendet
wird, kann eine andere transparente Flüssigkeit wie z. B. Alkohol
oder andere genutzt werden. Die. Transparenz ist jedoch nicht unentbehrlich,
da es ausreicht, daß die
Flüssigkeit des
strahlartigen Strahls einen Laserstrahl einer bestimmten Wellenlänge übertragen
kann.
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Falls der Druck des strahlartigen
Wasserstrahls 50, der vom Düsenteil 42 abgegeben
wird, zu hoch ist, besteht eine Gefahr insofern, als der Wafer 12 durch
den Wassserstrahl 50 geschnitten werden kann, weshalb der
Druck vorzugsweise auf einen geeigneten Pegel eingestellt wird,
bei welchem der Wafer 12 nicht geschnitten wird.
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Falls die Ausgangsleistung des Laserstrahls zu
hoch ist, besteht ähnlich
eine Gefahr insofern, als das maschenartige Element wie z. B. das
Glasgewebe 18 geschnitten werden kann, weshalb die Ausgangsleistung
des Laserstrahls vorzugsweise auf einen geeigneten Pegel eingestellt
wird, bei welchem das maschenartige Element nicht geschnitten wird.
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Obgleich als maschenartiges Element
in der obigen Beschreibung ein Glasgewebe verwendet wird, kann ein
anderes Material verwendet werden, wie z. B. ein Metallgewebe, das
aus Metallfasern besteht, oder ein nicht gewebtes Gewebe, das aus Glasfasern
oder Metallfasern besteht.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung
ist es möglich,
eine Scherkraft zu reduzieren, die auf einen Wafer aufgebracht wird,
wenn er geschnitten wird, und deren nachteilige Wirkung auf das
so geschnittene Halbleiterelement zu minimieren, wodurch die Ausbeute
des Halbleiterelements verbessert werden kann.
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Ferner ist es möglich, zu verhindern, daß die geschnittenen
Stücke
während
des Schneidvorgangs und der Nachbehandlung verstreut werden, wodurch
der Schneidvorgang und die Nachbehandlung erleichtert werden können, so
daß eine
Verbesserung in der Produktivität
der Halbleitervorrichtungen erzielt wird.
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Der Fachmann versteht, daß sich die
vorhergehende Beschreibung nur auf eine bevorzugte Ausführungsform
der offenbarten Erfindung bezieht und verschiedene Änderungen
und Modifikationen an der Erfindung vorgenommen werden können, ohne
von ihrem Geist und Umfang abzuweichen, der durch die beigefügten Ansprüche bestimmt
ist.