TW201410105A - 電路板之製作方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種電路板之製作方法，其包括以下步驟：提供一整片電路板，所述整片電路板包括至少一個電路板單元及廢料部，所述電路板單元與廢料部之間有交界線；沿所述交界線對所述整片電路板進行第一次沖型，形成沖型開口、複數微連接及複數沖型毛邊；藉由小能量雷射切割去除部分或全部沖型毛邊，形成連片電路板；於連片電路板上組裝電子元器件，並對其進行第二次沖型，以切斷所述複數微連接，得到相互分離之電路板。

Description

電路板之製作方法

本發明涉及電路板製作技術，尤其涉及一種電路板之成型製作方法。

通常，電路板之製作過程包括：首先，製作一整片電路板，所述整片電路板為已經形成線路之電路板，所述整片電路板包括由複數電路板單元組成之產品區以及複數電路板單元之外之廢料區，電路板單元即於電路板完成後逐個分開並單獨具有電路功能之區域，廢料區即於電路板打件後需要去除之部分。之後，於所述整片電路板之廢料區上藉由沖型方式成型，將所述複數電路板單元中之大部分區域與所述廢料區相分離，從而形成複數沖型開口以及複數微連接區，其中，所述複數電路板單元藉由所述複數微連接區與廢料區相連然後，於所述複數電路板單元上貼裝零件，以及對所述複數電路板單元進行性能檢測最後，再次沖型，以將所述複數微連接區切斷，從而使所述複數電路板單元與所述廢料區相分離，從而形成複數單獨之電路板單元。

一般，電路板單元上包括至少一個導電觸墊。導電觸墊一般用於焊接零件，或用於與晶片打線連接，或用於與其他線路板相電連接，或用於其他用途。沖型會於沖型開口之邊緣形成沖型毛邊，當所述導電觸墊之各邊距離所述電路板單元之板邊距離較近時，一般為小於4mm時，沖型毛邊會影響導電觸墊之性質，如，會造成導電觸墊異物等，此會造成導電觸墊與晶片打線打線連接時之異物異常，及貼裝零件時之焊接不良等異常。

藉由較大能量之雷射（laser）切割可以改善上述毛邊，但係，使用較大能量之雷射切割產品時，產品上靠近產品邊緣之導電觸墊會被較大能量之雷射輻射而氧化，從而導致與零件或電路板電連接失效。

有鑒於此，有必要提供一種電路板之製作方法，以減少板邊毛邊並防止導電觸墊因雷射輻射而氧化。

一種電路板之製作方法，其包括以下步驟：提供一個整片電路板，所述整片電路板包括至少一個電路板單元以及連接所述電路板單元之廢料部，每個所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個所述電路板單元上均形成有至少一個邊接頭區，所述邊接頭區包括至少一個導電觸墊，所述邊接頭區之邊界線中之部分邊界線與至少一個導電觸墊之側面重合，所述邊接頭區之邊界線中之至少一邊與所述交界線之一段之距離小於4mm；沿著所述交界線對所述整片電路板進行第一次沖型，以於所述整片電路板上形成複數沖型開口、複數微連接及位於所述沖型開口上之複數沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元藉由所述沖型開口與廢料部部分分離，所述電路板單元藉由所述複數微連接與所述廢料部部分相連接，每個所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；沿所述交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離小於4mm之一段對沖型後之所述整片電路板進行小能量雷射切割，從而去除所述整片電路板上之與所述邊接頭區鄰近之所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量雷射切割時之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為5W至8W；以及對所述連片電路板進行第二次沖型，以切斷所述複數微連接，將複數所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到複數相互分離之電路板。

一種電路板之製作方法，其包括以下步驟：提供一個整片電路板，所述整片電路板包括至少一個電路板單元以及連接所述電路板單元之廢料部，每個所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個所述電路板單元上均形成有至少一個邊接頭區，所述邊接頭區包括至少一個導電觸墊，所述邊接頭區之邊界線中之部分邊界線與至少一個導電觸墊之側面重合，所述邊接頭區之邊界線中之至少一邊與所述交界線之一段之距離小於4mm；沿著所述交界線對所述整片電路板進行第一次沖型，以於所述整片電路板上形成複數沖型開口、複數微連接及位於所述沖型開口上之複數沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元藉由所述沖型開口與廢料部部分分離，所述電路板單元藉由所述複數微連接與所述廢料部部分相連接，每個所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；沿所述交界線對沖型後之所述整片電路板進行小能量雷射切割，從而去除所述整片電路板上之所有之所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量雷射切割時之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為5W至8W；以及對所述連片電路板進行第二次沖型，以切斷所述複數微連接，將複數所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到複數相互分離之電路板。

一種電路板之製作方法，其包括以下步驟：提供一個整片電路板，所述整片電路板包括至少一個電路板單元以及連接所述電路板單元之廢料部，每個所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個所述電路板單元上均形成有至少一個邊接頭區，所述邊接頭區包括至少一個導電觸墊，所述邊接頭區之邊界線中之部分邊界線與至少一個導電觸墊之側面重合，所述邊接頭區之邊界線中之至少一邊與所述交界線之一段之距離小於4mm；沿著所述交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離小於4mm之一段對所述整片電路板進行第一次沖型，以於所述整片電路板上形成複數沖型開口及位於所述沖型開口上之複數沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元藉由所述沖型開口與所述廢料部部分分離，每個所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；沿著所述交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離大於4mm之一段對所述整片電路板進行大能量雷射切割，以於所述整片電路板上形成複數雷射切割開口及複數微連接；所述雷射切割開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元藉由所述沖型開口及所述雷射切割開口與所述廢料部部分分離，所述電路板單元藉由所述複數微連接與所述廢料部部分相連接，其中，小能量雷射切割時之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為5W至8W；沿所述交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離小於4mm之一段對沖型及大能量雷射切割後之所述整片電路板進行小能量雷射切割，從而去除所述整片電路板上之與所述邊接頭區鄰近之所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量雷射切割時之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為5W至8W；以及對所述連片電路板進行第二次沖型，以切斷所述複數微連接，將複數所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到複數相互分離之電路板。

本技術方案之電路板之製作方法具有如下優點：於距離導電觸墊較近之板邊先用沖型成型，再用小能量之雷射切割去除沖型毛邊，不僅可以去除沖型毛邊，而且不會造成導電觸墊氧化，進而可以提高導電觸墊與零件之間或導電觸墊與電路板之間之電連接之可靠性。

下面將結合附圖及實施例對本技術方案提供之電路板之製作方法作進一步之詳細說明。

本技術方案第一實施例提供之電路板之製作方法，包括步驟：

第一步，請參閱圖1，提供整片電路板10。所述整片電路板10包括至少一個電路板單元11、一個第一廢料部14以及至少一個第二廢料部15，所述第一廢料部14圍繞連接所述至少一個電路板單元11。至少一個第二廢料部15位於一個所述電路板單元11之中間位置。

整片電路板10之形狀和尺寸不限，依具體需求而定，電路板單元11及包圍於電路板單元11中間之第二廢料部15之數量亦不限，根據設計之需要而定。本實施例中，整片電路板10大致為長方形，且電路板單元11之數量為兩個，一個第二廢料部15位於一個所述電路板單元11之中間位置。

電路板單元11為已完成鑽孔、電鍍、導電線路製作、阻焊印刷等步驟之、待組裝電子元器件、且待藉由沖型或其他方式如雷射切割與第一廢料部14及第二廢料部15分離之電路板成品單元。可以理解，電路板單元11表面具有保護導電線路之阻焊層，圖1僅示意性繪出整片電路板10，而並未繪出該些阻焊層。

每個電路板單元11均包括相連接之第一產品區12和第二產品區13。

每個所述第一產品區12與第一廢料部14之間均具有第一交界線120。所述第一產品區12上形成有至少一個第一邊接頭區121。所述第一邊接頭區121用於與一個電子元器件焊接組裝，或者用於與其他線路板或零件進行插接連接。所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之至少一段與所述第一交界線120之距離小於4mm。所述第一邊接頭區121包括一個或複數第一導電觸墊122。且所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之至少一段與一個或複數第一導電觸墊122之靠近所述第一交界線120之側面重合。所述第一導電觸墊122為藉由電鍍金或者化學鍍金等方式於整片電路板10上形成之導電觸墊。

本實施例中，第一產品區12之形狀大致為長方形。所述第一產品區12與第一廢料部14之間之第一交界線120包括依次相連接之第一產品邊1201、第二產品邊1202和第三產品邊1203。所述第一產品邊1201與所述第三產品邊1203相對且平行。所述第二產品邊1202垂直連接於所述第一產品邊1201與所述第三產品邊1203之間。

所述第一邊接頭區121之數量為一個，第一邊接頭區121之形狀亦大致為長方形。所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之相對之兩個短邊分別與所述第一產品邊1201及所述第三產品邊1203相平行。所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第二產品邊1202相鄰之長邊與所述第二產品邊1202相平行。所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第一產品邊1201平行且相鄰之短邊與所述第一產品邊1201之距離小於4mm。所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第二產品邊1202平行且相鄰之長邊與所述第二產品邊1202之距離小於4mm。所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第三產品邊1203平行且相鄰之短邊與所述第三產品邊1203之距離小於4mm。

所述第一導電觸墊122之數量為複數，所述第一導電觸墊122之形狀亦大致為長方形，且複數第一導電觸墊122整齊排列為兩排，分別為第一排導電觸墊123及第二排導電觸墊124。所述第一排導電觸墊123中之每個第一導電觸墊122均靠近所述第一產品邊1201。所述第一排導電觸墊123靠近所述第一產品邊1201之側面與所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第一產品邊1201平行且相鄰之短邊部分重合。所述第一排導電觸墊123靠近所述第二產品邊1202且與所述第二產品邊1202平行之側面與所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之與所述第二產品邊1202平行且相鄰之長邊部分重合。所述第一排導電觸墊123遠離所述第二產品邊1202之側面與所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第二產品邊1202平行且遠離之長邊部分重合。第二排導電觸墊124中之每個第一導電觸墊122均靠近所述第三產品邊1203。所述第二排導電觸墊124靠近所述第一產品邊1201之側面與所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第一產品邊1201平行且相鄰之短邊部分重合。所述第一排導電觸墊123靠近所述第二產品邊1202之側面與所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第二產品邊1202平行且相鄰之長邊部分重合。所述第一排導電觸墊123遠離所述第二產品邊1202之側面與所述第一邊接頭區121第一邊界線1211之與所述第二產品邊1202平行且遠離之長邊部分重合。

當然，根據產品之需要，所述第一產品區12、第一邊接頭區121及第一導電觸墊122亦可以分別為其他形狀，其中，所述第一產品區12與所述第二產品區13並無實質界限，為人為劃分之，並且所述第一產品區12與電路板單元11具有共邊，故，根據電路板單元11設計之需要以及至少一個第一邊接頭區121之數量及位置，所述第一產品區12還可以為L形、多邊形、不規則形狀等。所述第一邊接頭區121之形狀取決於第一導電觸墊122之數量及形狀，例如，如果所述第一導電觸墊122之數量為一個，則所述第一邊接頭區121之形狀與所述第一導電觸墊122之形狀相同，如果所述第一導電觸墊122之數量為複數，則所述第一邊接頭區121為包圍複數所述第一導電觸墊122所形成之形狀；所述第一導電觸墊122之形狀可以為圓形、方形、長圓形或橢圓形等，具體根據產品之需要進行設計。

每個所述第二產品區13與第一廢料部14之間具有第二交界線130，每個所述第二產品區13與對應之所述第二廢料部15之間具有第三交界線140。其中，對應係指同一個電路板單元11上之一個第二產品區13和一個第二廢料部15相對應。所述第二交界線130與所述第一交界線120相對接。

所述第二產品區13上形成有至少一個第二邊接頭區131。所述第二邊接頭區131用於與一個電子元器件焊接組裝，或者用於與其他線路板或零件進行插接連接。

本實施例中，第二產品區13週邊之形狀大致為長方形，所述第二廢料部15位於相應之所述第二產品區13之內部。第二產品區13與第二廢料部15之間之第三交界線140包括依次垂直相連接之第四產品邊1401、第五產品邊1402、第六產品邊1403及第七產品邊1404。所述第四產品邊1401與所述第六產品邊1403相對且平行。所述第五產品邊1402與所述第七產品邊1404相對且平行。所述第五產品邊1402及所述第七產品邊1404均垂直連接於所述第四產品邊1401與所述第六產品邊1403之間。

本實施例中，所述第二邊接頭區131之數量為一個，所述第二邊接頭區131將所述第二廢料部15包圍，所述第二邊接頭區131之形狀大致為長方之框形，所述第二邊接頭區131具有一週邊之第二邊界線1311及一個位於所述第二邊接頭區131內圍之第三邊界線1312。所述第二邊界線1311相對之兩條長邊分別與第三邊界線1312相對之兩條長邊部分重合。所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第五產品邊1402平行且相鄰之長邊與所述第五產品邊1402之距離小於4mm。所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第七產品邊1404平行且相鄰之長邊與所述第七產品邊1404之距離小於4mm。所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第四產品邊1401平行且相鄰之短邊與所述第四產品邊1401之距離小於4mm，所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第六產品邊1403平行且相鄰之短邊與所述第六產品邊1403之距離小於4mm。

所述第二邊接頭區131包括一個或複數第二導電觸墊132，且所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312與一個或複數第二導電觸墊132之靠近所述第三交界線140之側面重合。所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312上之至少一段與所述第三交界線140之距離小於4mm。所述第二導電觸墊132為藉由電鍍金或者化學鍍金等方式於整片電路板10上形成之導電觸墊。

本實施例中，所述第二導電觸墊132之數量為複數，所述第二導電觸墊132之形狀大致為長方形，且複數第二導電觸墊132整齊排列為兩排，分別為第三排導電觸墊133及第四排導電觸墊134。所述第三排導電觸墊133中之每個第二導電觸墊132均靠近所述第四產品邊1401。所述第三排導電觸墊133靠近所述第四產品邊1401之側面與所述第二邊接頭區131第三邊界線1312之與所述第四產品邊1401平行且相鄰之短邊重合。所述第三排導電觸墊133靠近所述第四產品邊1401之側面與所述第四產品邊1401之距離小於4 mm。所述第三排導電觸墊133靠近所述第五產品邊1402之側面與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第五產品邊1402平行且相鄰之長邊重合。所述第三排導電觸墊133靠近所述第七產品邊1404之側面與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第七產品邊1404平行且遠離之長邊重合。所述第四排導電觸墊134中之每個第二導電觸墊132均靠近所述第六產品邊1403。所述第四排導電觸墊134靠近所述第六產品邊1403之側面與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第六產品邊1403平行且相鄰之短邊重合。所述第四排導電觸墊134靠近所述第六產品邊1403之側面與所述第六產品邊1403之距離小於4mm。所述第四排導電觸墊134靠近所述第五產品邊1402之側面與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第五產品邊1402平行且相鄰之長邊重合。所述第四排導電觸墊134靠近所述第七產品邊1404之側面與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之與所述第七產品邊1404平行且遠離之長邊重合。

當然，根據產品之需要，所述第二產品區13、第二邊接頭區131及第二導電觸墊132亦可以分別為其他形狀，所述第一產品區12之形狀取決於得到之第二邊接頭區131之數量及形狀，以及電路板單元11之形狀，故，所述第二產品區13還可以為L形、多邊形、不規則形狀等。所述第二邊接頭區131之形狀取決於第二導電觸墊132之數量及形狀，例如，如果所述第二導電觸墊132之數量為一個，則所述第二邊接頭區131之形狀與所述第二導電觸墊132之形狀相同；所述第二導電觸墊132之形狀可以為圓形、方形、長圓形或橢圓形等，具體根據產品之需要進行設計。

當然，所述第二產品區13上還可以包括其他之距離產品邊緣或廢料區邊緣之距離無要求之普通導電觸墊，即不同於本實施例中之第一導電觸墊122及第二導電觸墊132之導電觸墊。

另，根據電路板單元11設計之需要，還可以不設置所述第一導電觸墊122及第一邊接頭區121，或者不設置所述第二導電觸墊132及第二邊接頭區131。如果不設置所述第二導電觸墊132及第二邊接頭區131，則同時亦不必設置所述第二廢料部15。

第二步，請一併參閱圖2，沿著第一產品區12與第一廢料部14之第一交界線120、第二產品區13與第一廢料部14之第二交界線130以及第二產品區13與第二廢料部15之第三交界線140，對所述整片電路板10進行第一次沖型，使所述整片電路板10上每個電路板單元11與與其相連之第一廢料部14部分分離，以及使每個電路板單元11與與其相連之第二廢料部15全部分離。

具體之，藉由第一次沖型，於所述整片電路板10上形成複數第一沖型開口1101、複數第一微連接1106以及兩個第二沖型開口1102。每個所述第一沖型開口1101均大致為條狀，每個所述第一沖型開口1101均自所述第一交界線120或第二交界線130向所述第一廢料部14延伸出一定寬度，每個所述第一沖型開口1101均貫通所述整片電路板10。每個所述第一微連接1106亦均為條狀，且均為所述第一廢料部14之一部分。相鄰之兩個第一沖型開口1101藉由一個第一微連接1106相連接，即每個所述第一微連接1106均連接兩個相鄰之所述第一沖型開口1101。所述複數第一沖型開口1101將部分第一產品區12及部分第二產品區13與第一廢料部14分離。所述複數第一微連接1106將部分第一產品區12及部分第二產品區13與所述第一廢料部14相連接。所述第二沖型開口1102之形狀與所述第二廢料部15之形狀大致相同，所述第二沖型開口1102自所述第三交界線140向所述第二廢料部15之中心位置延伸出一定寬度。所述第二沖型開口1102將所述第二產品區13與第二廢料部15完全分離。

沖型時，被沖型產品之沖型開口並不係完全平整，通常會有少量之毛邊，即，理論上沖型開口係平整，從而沿被沖型開口於沖型產品之邊緣形成一個平整之介面，但係實際上，沖型開口上常會形成即類似毛刺或拉絲類之結構即毛邊，所述毛邊沿被沖型開口於沖型產品上形成之介面向外延伸，對於電路板來說，所述毛邊可以係電路板中之導電層於沖型產品上形成之介面之邊緣不平整形成之，亦可以係絕緣層於沖型產品上形成之介面之邊緣不平整形成之。本實施例中，所述複數第一沖型開口1101之邊界線形成有複數第一沖型毛邊1103及第二沖型毛邊1104。每個第一沖型毛邊1103均沿所述第一交界線120向所述第一廢料部14延伸，每個第二沖型毛邊1104均沿所述第二交界線130向所述第一廢料部14延伸，即所述複數第一沖型毛邊1103與所述第一產品區12相連，所述複數第二沖型毛邊1104與所述第二產品區13相連，且所述複數第一沖型毛邊1103及所述複數第二沖型毛邊1104均為所述第一廢料部14之一部分。所述第二沖型開口1102之邊界線形成有複數第三沖型毛邊1105，每個第三沖型毛邊1105均沿所述第三交界線140向所述第二廢料部15延伸。即所述複數第三沖型毛邊1105與所述第二產品區13相連，且為所述第二廢料部15之一部分。

可以理解，沖型係指以沖型模具沖裁電路基板中電路板單元之邊界之過程。

另，所述第一微連接1106之數量亦可以為一個。

第三步，請一併參閱圖3，沿所述第一交界線120中與所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之距離小於4mm之一段，以及沿所述第三交界線140中與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312距離小於4mm之一段，對所述第一交界線120中與所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之距離小於4mm之一段處之第一沖型毛邊1103及對所述第三交界線140中與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312距離小於4mm之一段處之第二沖型毛邊1104進行小能量之雷射切割，從而去除所述整片電路板10上之與所述第一邊接頭區121鄰近之第一沖型毛邊1103及與所述第二邊接頭區131鄰近之第二沖型毛邊1104，得到一連片電路板20。

本實施例中，所述第一交界線120之各邊與所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之距離均小於4mm，所述第三交界線140之各邊與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之距離均小於4mm，故，直接沿著所述第一交界線120及所述第三交界線140分別對所述第一交界線120處之第一沖型毛邊1103及所述第三交界線140處之第二沖型毛邊1104進行雷射切割，從而去除所述整片電路板10上之與所述第一邊接頭區121鄰近之第一沖型毛邊1103及與第二邊接頭區131鄰近之第二沖型毛邊1104，得到一連片電路板20。

其中，選用之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為5W至8W，發出雷射之脈衝頻率為80khz，發出之雷射波長為355nm。推薦之切割速度範圍為100 mm/s至200mm/s，推薦之切割次數範圍為2至8次。即，選用之雷射切割為小能量切割，此可以去除沖型毛邊，且不會造成導電觸墊氧化。另，切割次數範圍為2次至8次係指對所述第一沖型毛邊1103及第二沖型毛邊1104進行2次至8次之來回切割以將所述第一沖型毛邊1103及第二沖型毛邊1104去除。

如果所述第二邊接頭區131之第二邊界線1311與所述第二交界線130之距離有小於4mm之位置，則亦需要對相應之位置之第三沖型毛邊1105進行雷射切割去除。

當然，亦可以沿著第一交界線120、第二交界線130以及第三交界線140進行小能量雷射切割，以去除第一次沖型形成之所有之沖型毛邊。另，雷射切割係藉由雷射燒蝕所述沖型毛邊以去除所述沖型毛邊，燒蝕時會產生一些殘渣，故，於雷射切割之後需要對所述連片電路板20進行除膠渣處理，以去除所述殘渣。除殘渣處理可以選用等離子體（plasma）除膠渣處理工藝或化學除膠渣處理工藝等，優選藉由等離子體除膠渣處理工藝去除所述殘渣。

第四步，請一併參閱圖4，分別於所述連片電路板20之所述第一邊接頭區121及第二邊接頭區131上組裝第一電子元器件16及第二電子元器件17，得到一組裝元器件之連片電路板30。

所述第一電子元器件16及第二電子元器件17可以為晶片、電阻、電容等。所述第一電子元器件16及第二電子元器件17可以藉由插裝、表面貼裝、覆晶封裝等方式組裝於所述第一邊接頭區121及第二邊接頭區131上。例如，該第一電子元器件16及第二電子元器件17可以為基本呈長方形之積體電路晶片，藉由表面貼裝技術組裝於第一邊接頭區121上。所述第一邊接頭區121與第二邊接頭區131上之第一電子元器件16及第二電子元器件17可以相同，亦可以不同。

另，於進行第一電子元器件16及第二電子元器件17之組裝前，推薦對每個所述電路板單元11進行電測，以確定每個所述電路板單元11之線路導通狀況，如果藉由電測確定某個電路板單元11之線路不良，則可以不於存於不良之電路板單元11上組裝第一電子元器件16及第二電子元器件17，以免造成第一電子元器件16及第二電子元器件17之浪費。

第五步，請一併參閱圖5，對所述組裝元器件之連片電路板30進行第二次沖型，以切斷複數所述第一微連接1106，從而將複數所述電路板單元11與所述第一廢料部14完全分離，以得到複數相互分離之電路板40。

本技術方案第一實施例之電路板之製作方法具有如下優點：先對整片電路板10進行整體沖型，再用小能量之雷射切割去除距離導電觸墊較近之板邊之沖型毛邊，從而，既可以去除距離導電觸墊較近之板邊之沖型毛邊，又不會造成導電觸墊氧化，進而可以提高導電觸墊與零件之間或導電觸墊與電路板之間之電連接之可靠性。

本技術方案第二實施例提供之電路板之製作方法包括步驟：第一步，請參閱圖1，提供如第一實施例所述之整片電路板10。本第二實施例中之整片電路板10與第一實施例中之整片電路板10完全相同，故本第二實施例不再重複說明。

第二步，請一併參閱圖6，沿所述第一交界線120中與所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之距離小於4mm之一段，以及沿所述第三交界線140中與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之距離小於4mm之一段，對所述整片電路板10進行第一次沖型，使所述整片電路板10上每個電路板單元11與與其相連之第一廢料部14及第二廢料部15部分分離。

本實施例中，所述第一交界線120中與所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之距離均小於4mm，所述第三交界線140中與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之距離均小於4mm，故，直接沿著所述第一交界線120及所述第三交界線140分別對所述整片電路板10進行第一次沖型，從而使所述整片電路板10上每個電路板單元11與與其相連之第一廢料部14部分分離，使所述整片電路板10上每個電路板單元11與與其相連之第二廢料部15全部分離。

具體之，藉由第一次沖型，於所述整片電路板10上形成複數第一沖型開口9101、複數第一微連接9106以及兩個第二沖型開口9102。每個所述第一沖型開口9101均大致為條狀，每個所述第一沖型開口9101均自所述第一交界線120向所述第一廢料部14延伸出一定之寬度，每個所述第一沖型開口9101均貫通所述整片電路板10。每個所述第一微連接9106亦均為條狀，且均為所述第一廢料部14之一部分。相鄰之兩個第一沖型開口9101藉由一個第一微連接9106相連接，即每個所述第一微連接9106均連接兩個相鄰之所述第一沖型開口9101。所述複數第一沖型開口9101部分第一產品區12與第一廢料部14相分離，所述複數第一微連接9106將部分所述第一產品區12與所述第一廢料部14相連接。所述第二沖型開口9102之形狀與所述第二廢料部15之形狀大致相同，所述第二沖型開口9102自所述第三交界線140向所述第二廢料部15之中心位置延伸出一定之寬度。所述第二沖型開口9102將所述第二產品區13與第二廢料部15完全分離。

所述複數第一沖型開口9101之邊界線形成有複數第一沖型毛邊9103，每個第一沖型毛邊9103均沿所述第一交界線120向所述第一廢料部14延伸，即所述複數第一沖型毛邊9103與所述第一產品區12相連，且為所述第一廢料部14之一部分；所述第二沖型開口9102之邊界線形成有複數第三沖型毛邊9105，每個第三沖型毛邊9105均沿所述第三交界線140向所述第二廢料部15延伸，所述複數第三沖型毛邊9105與所述第二產品區13相連，且為所述第二廢料部15之一部分。

可以理解，沖型係指以沖型模具沖裁電路基板中電路板單元之邊界之過程。

另，所述第一微連接9106之數量亦可以為小於兩個或大於兩個。

第三步，請參閱圖7，沿著產品區與廢料部之交界線，於所述整片電路板10之除第一微連接9106外之沒有進行第一次沖型形成第一沖型開口9101及第二沖型開口9102之位置進行第一次雷射切割，於所述整片電路板10上形成雷射切割開口，使部分第一產品區12及第二產品區13藉由所述雷射切割開口與第一廢料部14相分離。

本實施例中，所述第一產品區12已經藉由第一次沖型與所述第一廢料部14僅藉由第一微連接9106相連接，所述第二產品區13已經藉由第一次沖型與所述第二廢料部15相分離，故直接沿著所述第二交界線130對所述整片電路板10進行第一次雷射切割，於所述整片電路板10上形成複數雷射切割開口9108及複數第二微連接9109，每個所述第二微連接9109均連接兩個相鄰之所述雷射切割開口9108，所述複數雷射切割開口9108將部分第二產品區13與第一廢料部14分離，所述複數第二微連接9109將所述第二產品區13藉由與所述第一廢料部14相連接。其中，兩個所述雷射切割開口9108分別與兩個第一沖型開口9101相連通。每個所述雷射切割開口9108均自所述第二交界線130向所述第一廢料部14延伸出一定之寬度。本實施例中所述雷射切割開口9108之寬度與所述第一沖型開口9101之寬度相同。

其中，選用之紫外雷射器發出之雷射功率為8-15W，發出雷射之脈衝頻率為80khz，發出之雷射波長為355nm。推薦之切割速度範圍為100至200mm/s，推薦之切割次數範圍為10-20次。即，選用之雷射切割為大能量切割，且切割次數較多，故可以將所述整片電路板10切割形成開口，並且相較沖型所形成開口，雷射切割形成之雷射切割開口9108沒有毛邊，但大功率切割不能於靠近導電觸墊之位置進行，即不能於與導電觸墊距離小於4mm之板邊進行，以防造成導電觸墊氧化。

當然，所述第二微連接9109之數量亦可以為一個；所述雷射切割開口9108之寬度與所述第一沖型開口9101之寬度亦可以不相同；亦可以僅有一個所述雷射切割開口9108與一個第一沖型開口9101相連通，或者沒有雷射切割開口9108與第一沖型開口9101相連通，即，於鄰近之雷射切割開口9108與第一沖型開口9101之間設置微連接。

第四步，請參閱圖8，沿所述第一交界線120中與所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之距離小於4mm之一段，以及沿所述第三交界線140中與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之距離小於4mm之一段，對所述整片電路板10進行第二次雷射切割，從而去除所述整片電路板10上之與所述第一邊接頭區121及第二邊接頭區131鄰近之第一沖型毛邊9103及第三沖型毛邊9105，得到一連片電路板21。

本實施例中，所述第一交界線120中與所述第一邊接頭區121之第一邊界線1211之距離均小於4mm，所述第三交界線140中與所述第二邊接頭區131之第三邊界線1312之距離均小於4mm，故，直接沿著所述第一交界線120及所述第三交界線140分別對所述整片電路板10進行第二次雷射切割，從而去除所述整片電路板10上之與所述第一邊接頭區121鄰近之第一沖型毛邊9103及與第二邊接頭區131鄰近之第三沖型毛邊9105，得到一連片電路板21。

其中，選用之紫外雷射器發出之雷射功率為5至8W，發出雷射之脈衝頻率為80khz，發出之雷射之波長為355nm。推薦之切割速度範圍為100至200mm/s，推薦之切割次數範圍為2至8次。即，選用之雷射切割為小能量切割，故既可以去除沖型毛邊，又不會造成導電觸墊氧化。

推薦於小能量之雷射切割之後對所述連片電路板21進行除膠渣處理，以去除第一次大能量之雷射切割及第二次小能量之雷射切割所形成之殘渣，除殘渣處理可以選用等離子體（plasma）除膠渣處理工藝或化學除膠渣處理工藝等，優選藉由等離子體除膠渣處理工藝去除所述殘渣。當然，亦可以於第一次雷射切割及第二次雷射切割之後分別對電路板進行除膠渣處理。

第五步，請一併參閱圖9，分別於所述連片電路板21之每個所述第一邊接頭區121及第二邊接頭區131上組裝第一電子元器件16及第二電子元器件17，得到一組裝元器件之連片電路板31。

所述第一電子元器件16及第二電子元器件17可以為晶片、電阻、電容等，所述第一電子元器件16及第二電子元器件17可以藉由插裝、表面貼裝、覆晶封裝等方式組裝於所述第一邊接頭區121及第二邊接頭區131上。例如，該第一電子元器件16及第二電子元器件17可以為基本呈長方形之積體電路晶片，藉由表面貼裝技術組裝於第一邊接頭區121上。所述第一邊接頭區121與第二邊接頭區131上之第一電子元器件16及第二電子元器件17可以相同，亦可以不同。

另，於進行第一電子元器件16及第二電子元器件17之組裝前，推薦對每個所述電路板單元11進行電測，以確定每個所述電路板單元11之線路導通狀況，如果藉由電測確定某個電路板單元11之線路不良，則可以不於存於不良之電路板單元11上組裝第一電子元器件16及第二電子元器件17，以免造成第一電子元器件16及第二電子元器件17之浪費。

第六步，請一併參閱圖10，對所述組裝元器件之連片電路板31進行第二次沖型，以切斷複數所述第一微連接1106及第二微連接9109，將複數所述電路板單元11與所述第一廢料部14完全分離，以得到複數單獨之電路板41。

本技術方案第二實施例之電路板之製作方法具有如下優點：於遠離導電觸墊之板邊用大能量之雷射切割成型，可以使這部分遠離導電觸墊之板邊區域不產生沖型毛邊，並且大能量之雷射切割遠離導電觸墊，故不會造成導電觸墊氧化，於距離導電觸墊較近之板邊先用沖型成型，再用小能量之雷射切割去除沖型毛邊，可以去除沖型毛邊，但不會造成導電觸墊氧化，進而可以提高導電觸墊與零件之間或金屬與或電路板之間之電連接之可靠性。

惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10．．．整片電路板

11．．．電路板單元

14．．．第一廢料部

15．．．第二廢料部

12．．．第一產品區

13．．．第二產品區

120．．．第一交界線

130．．．第二交界線

140．．．第三交界線

121．．．第一邊接頭區

1211．．．第一邊界線

122．．．第一導電觸墊

123．．．第一排導電觸墊

124．．．第二排導電觸墊

1201．．．第一產品邊

1202．．．第二產品邊

1203．．．第三產品邊

131．．．第二邊接頭區

1311．．．第二邊界線

1312．．．第三邊界線

132．．．第二導電觸墊

133．．．第三排導電觸墊

134．．．第四排導電觸墊

1401．．．第四產品邊

1402．．．第五產品邊

1403．．．第六產品邊

1404．．．第七產品邊

1101，9101．．．第一沖型開口

1102，9102．．．第二沖型開口

1103，9103．．．第一沖型毛邊

1104．．．第二沖型毛邊

1105，9105．．．第三沖型毛邊

1106，9106．．．第一微連接

20，21．．．連片電路板

16．．．第一電子元器件

17．．．第二電子元器件

30，31．．．組裝元器件之連片電路板

40，41．．．電路板

9108．．．雷射切割開口

9109．．．第二微連接

圖1係本技術方案實施例提供之整片電路板之平面示意圖。

圖2係對圖1之整片電路板第一次沖型後形成沖型開口、微連接及沖型毛邊後之平面示意圖。

圖3係對圖2中之沖型後之整片電路板進行小能量雷射切割去除部分沖型毛邊後形成之連片電路板之平面示意圖。

圖4係於圖3中之連片電路板上組裝電子元器件後之平面示意圖。

圖5係對圖4中之組裝電子元器件之連片電路板進行第二次沖型形成單獨之電路板之平面示意圖。

圖6係對圖1之整片電路板進行沿導電觸墊附近第一次沖型後形成沖型開口、微連接及沖型毛邊後之平面示意圖。

圖7係對圖6中之沖型後之整片電路板進行大能量雷射切割以分離其他位置之電路板單元後之平面示意圖。

圖8係對圖7中之大能量雷射切割後之整片電路板進行小能量雷射切割去除部分沖型毛邊後形成之連片電路板之平面示意圖。

圖9係對圖8中之連片電路板上組裝電子元器件後之平面示意圖。

圖10係對圖9中之組裝電子元器件之連片電路板進行第二次沖型形成單獨之電路板之平面示意圖。

14．．．第一廢料部

120．．．第一交界線

130．．．第二交界線

140．．．第三交界線

121．．．第一邊接頭區

1211．．．第一邊界線

131．．．第二邊接頭區

1311．．．第二邊界線

1312．．．第三邊界線

1106．．．第一微連接

20．．．連片電路板

Claims (9)

1. 一種電路板之製作方法，其包括以下步驟：
   提供一個整片電路板，所述整片電路板包括至少一個電路板單元以及連接所述電路板單元之廢料部，每個所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個所述電路板單元上均形成有至少一個邊接頭區，所述邊接頭區包括至少一個導電觸墊，所述邊接頭區之邊界線中之部分邊界線與至少一個導電觸墊之側面重合，所述邊接頭區之邊界線中之至少一邊與所述交界線之一段之距離小於4mm；
   沿著所述交界線對所述整片電路板進行第一次沖型，以於所述整片電路板上形成複數沖型開口、複數微連接及位於所述沖型開口上之複數沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元藉由所述沖型開口與廢料部部分分離，所述電路板單元藉由所述複數微連接與所述廢料部部分相連接，每個所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；
   沿所述交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離小於4mm之一段對沖型後之所述整片電路板進行小能量雷射切割，從而去除所述整片電路板上之與所述邊接頭區鄰近之所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量雷射切割時之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為5W至8W；以及
   對所述連片電路板進行第二次沖型，以切斷所述複數微連接，將複數所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到複數相互分離之電路板。
2. 如請求項1所述之電路板之製作方法，其中，所述小能量雷射切割之切割次數範圍為2至8次。
3. 如請求項1所述之電路板之製作方法，其中，所述廢料部包括圍繞連接所述電路板單元之第一廢料部；所述交界線包括所述電路板單元與所述第一廢料部之間形成之第一交界線；對沖型後之所述整片電路板進行小能量雷射切割之步驟包括：沿所述第一交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離小於4mm之一段對所述整片電路板進行小能量雷射切割，從而去除所述整片電路板上之與所述邊接頭區鄰近之沖型毛邊，得到一連片電路板。
4. 如請求項1所述之電路板之製作方法，其中，所述廢料部包括包圍於每個所述電路板單元中間之第二廢料部；所述交界線包括每個所述電路板單元與與對應之所述第二廢料部之間形成之第三交界線；對沖型後之所述整片電路板進行小能量雷射切割之步驟包括：沿所述第三交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離小於4mm之一段對所述整片電路板進行小能量雷射切割，從而去除所述整片電路板上之與所述邊接頭區鄰近之沖型毛邊，得到一連片電路板。
5. 一種電路板之製作方法，其包括以下步驟：
   提供一個整片電路板，所述整片電路板包括至少一個電路板單元以及連接所述電路板單元之廢料部，每個所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個所述電路板單元上均形成有至少一個邊接頭區，所述邊接頭區包括至少一個導電觸墊，所述邊接頭區之邊界線中之部分邊界線與至少一個導電觸墊之側面重合，所述邊接頭區之邊界線中之至少一邊與所述交界線之一段之距離小於4mm；
   沿著所述交界線對所述整片電路板進行第一次沖型，以於所述整片電路板上形成複數沖型開口、複數微連接及位於所述沖型開口上之複數沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元藉由所述沖型開口與廢料部部分分離，所述電路板單元藉由所述複數微連接與所述廢料部部分相連接，每個所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；
   沿所述交界線對沖型後之所述整片電路板進行小能量雷射切割，從而去除所述整片電路板上之所有之所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量雷射切割時之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為5W至8W；以及
   對所述連片電路板進行第二次沖型，以切斷所述複數微連接，將複數所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到複數相互分離之電路板。
6. 如請求項5所述之電路板之製作方法，其中，所述小能量雷射切割之切割次數範圍為2至8次。
7. 一種電路板之製作方法，其包括以下步驟：
   提供一個整片電路板，所述整片電路板包括至少一個電路板單元以及連接所述電路板單元之廢料部，每個所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個所述電路板單元上均形成有至少一個邊接頭區，所述邊接頭區包括至少一個導電觸墊，所述邊接頭區之邊界線中之部分邊界線與至少一個導電觸墊之側面重合，所述邊接頭區之邊界線中之至少一邊與所述交界線之一段之距離小於4mm；
   沿著所述交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離小於4mm之一段對所述整片電路板進行第一次沖型，以於所述整片電路板上形成複數沖型開口及位於所述沖型開口上之複數沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元藉由所述沖型開口與所述廢料部部分分離，每個所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；
   沿著所述交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離大於4mm之一段對所述整片電路板進行大能量雷射切割，以於所述整片電路板上形成複數雷射切割開口及複數微連接；所述雷射切割開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元藉由所述沖型開口及所述雷射切割開口與所述廢料部部分分離，所述電路板單元藉由所述複數微連接與所述廢料部部分相連接，其中，大能量雷射切割時之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為8W至15W；
   沿所述交界線中與所述邊接頭區之邊界線之距離小於4mm之一段對沖型及大能量雷射切割後之所述整片電路板進行小能量雷射切割，從而去除所述整片電路板上之與所述邊接頭區鄰近之所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量雷射切割時之紫外雷射器發出之雷射功率範圍為5W至8W；以及
   對所述連片電路板進行第二次沖型，以切斷所述複數微連接，將複數所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到複數相互分離之電路板。
8. 如請求項7所述之電路板之製作方法，其中，所述大能量雷射切割之切割次數範圍為10至20次。
9. 如請求項7所述之電路板之製作方法，其中，所述小能量雷射切割之切割次數範圍為2至8次。