JP2012204614A - 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、p側電極と、n側電極と、第1の絶縁層と、p側配線層と、n側配線層と、第2の絶縁層とを備えている。p側配線層は、第1の絶縁層における半導体層に対する反対側に形成された配線面、および第1の面及び第2の面と異なる面方位の第3の面に沿う形状に設けられ断面がL字状の部分を有する第2のp側配線層を有する。第2のp側配線層は、第3の面で第1の絶縁層及び第2の絶縁層から露出されたp側外部端子を有する。n側配線層は、第1の絶縁層の配線面および第3の面に沿う形状に設けられ断面がL字状の部分を有する第2のn側配線層を有する。第2のn側配線層は、第3の面で第1の絶縁層及び第2の絶縁層から露出されたn側外部端子を有する。
【選択図】図1
Description
図1(a)は、第1実施形態の発光装置10aの模式斜視図である。図1(b)は、図1(a)におけるA−A断面図である。図1(c)は、図1(a)におけるB−B断面図である。
第2のp側配線層23の内側及び第2のn側配線層24の内側に埋め込む材料として、例えば、それらに比べて柔軟性がある金属を選択すれば、前述した応力緩和効果は得られる。第2のp側配線層23及び第2のn側配線層24として、コンフォーマル(conformal)な膜を成膜しやすい金属膜を選択し、樹脂層35の代わりに、埋め込みやすい金属を形成することも可能である。
応力緩和、生産性、コストの観点からは、第2のp側配線層23の内側及び第2のn側配線層24の内側に、樹脂を埋め込むことが望ましい。
分割された1つの第1の半導体層11、第2の半導体層12および発光層(活性層)13からなる半導体層15を、1つの発光素子とすると、図5(b)には、左右方向にダイシング領域d1で分割された4つの発光素子が、上下方向にダイシング領域d2で分割された2つの発光素子が並んでいる。
図10(b)において破線は、レジスト42に形成された凹部42a、42bの縁を表す。凹部42aには平面視で一部のコーナー部に切欠きが形成され、その切欠きの下の絶縁層18上には金属膜20及び金属膜50は形成されない。このため、図12(b)を参照して後述するように、第2のp側配線層23の一部のコーナー部に切欠き90が形成される。
図18(a)は、第2実施形態の発光装置10dにおける第3の面30側から見た模式斜視図である。
図18(b)は、同発光装置10dにおける光放出面側から見た模式斜視図である。
図19(a)は、図18(a)におけるA−A断面図である。
図19(b)は、図18(a)におけるB−B断面図である。
図24(a)は、第3実施形態の発光装置10eの模式斜視図である。図24(b)は、図24(a)におけるA−A断面図である。図24(c)は、図24(a)におけるB−B断面図である。
図26(a)は、第4実施形態の発光装置10fの模式斜視図である。図26(b)は、図26(a)におけるA−A断面図である。図26(c)は、図26(a)におけるB−B断面図である。
(M1−x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1・・・組成式(1)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7)を用いることができる。
(M1−x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2・・・組成式(2)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11)を用いることができる。
Claims (20)
- 第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、
前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、
前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1のビアと、前記n側電極に通じる第2のビアとを有する第1の絶縁層と、
前記第1のビアを通じて前記p側電極と電気的に接続される第1のp側配線層と、前記第1のp側配線層に電気的に接続され、前記第1の絶縁層における前記半導体層に対する反対側に形成された配線面、および前記第1の面及び前記第2の面と異なる面方位の第3の面に沿う形状に設けられ断面がL字状の部分を有する第2のp側配線層と、を有するp側配線層と、
前記第2のビアを通じて前記n側電極と電気的に接続される第1のn側配線層と、前記第1のn側配線層に電気的に接続され、前記p側配線層に対して離間して、前記配線面および前記第3の面に沿う形状に設けられ断面がL字状の部分を有する第2のn側配線層と、を有するn側配線層と、
前記p側配線層と前記n側配線層との間に設けられた第2の絶縁層と、
を備え、
前記第2のp側配線層の断面がL字状の部分は、前記第3の面で前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層から露出されたp側外部端子を有し、
前記第2のn側配線層の断面がL字状の部分は、前記第3の面で前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層から露出されたn側外部端子を有することを特徴とする発光装置。 - 前記断面がL字状の部分を有する前記第2のp側配線層は、当該断面においてU字状であり、
前記断面がL字状の部分を有する前記第2のn側配線層は、当該断面においてU字状であることを特徴とする請求項1記載の発光装置。 - 前記第2のp側配線層のU字状の内側及び前記第2のn側配線層のU字状の内側に設けられた第3の絶縁層をさらに備えたことを特徴とする請求項2記載の発光装置。
- 前記第2の絶縁層と前記第3の絶縁層とは、同じ樹脂材料であることを特徴とする請求項3記載の発光装置。
- 前記第3の面で露出する前記p側外部端子と前記n側外部端子との間の距離は、前記配線面上での前記第1のp側配線層と前記第1のn側再線層との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第1のp側配線層の平面サイズは、前記第2のp側配線層における前記第1のp側配線層上に設けられた部分の平面サイズよりも大きいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第1のp側配線層は、複数の前記第1のビアを介して、前記p側電極と接続されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第1の面上に設けられ、前記発光層からの放出光に対して透明な透明体をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記透明体は、透明樹脂と、前記透明樹脂に分散された蛍光体とを含むことを特徴とする請求項8記載の発光装置。
- 前記透明体の側面に設けられ、前記発光層からの放出光に対して反射性を有する反射膜をさらに備えたことを特徴とする請求項8または9に記載の発光装置。
- 前記反射膜は、前記第1の絶縁層の側面にも設けられたことを特徴とする請求項10記載の発光装置。
- 前記第3の面は、前記第1の面に対して垂直であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第3の面は、前記第1の面に対して傾いていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光装置は、前記第1の面に対して垂直な方向から見て、長方形状の平面形状を有し、
前記第3の面は、前記長方形状の長辺を含む面であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載の発光装置。 - 実装面にパッドを有する実装基板と、
前記p側外部端子及び前記n側外部端子を前記パッドに接合させて、前記実装面に実装された請求項1〜14のいずれか1つに記載の発光装置と、
を備え、
前記第3の面を下に向けた姿勢で、前記発光装置の前記第1の面は横方向を向くことを特徴とする発光モジュール。 - 第1の面とその反対側に形成された第2の面と発光層とをそれぞれが含み、ダイシング領域を隔てて分断された複数の半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1のビアと前記n側電極に通じる第2のビアと、前記半導体層に対する反対側に形成された配線面とを有する第1の絶縁層と、を有する積層体の前記配線面上に、p側配線層を形成する工程と、
前記p側配線層に対して離間させて、前記配線面上にn側配線層を形成する工程と、
前記p側配線層と前記n側配線層との間に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記ダイシング領域で、前記第2の絶縁層と、前記p側配線層の一部と、前記n側配線層の一部とを含む領域を切断し、前記第1の面及び前記第2の面と異なる面方位の第3の面に前記p側配線層の一部及び前記n側配線層の一部を露出させる工程と、
を備え、
前記p側配線層を形成する工程は、
前記第1のビア内及び前記配線面上に、第1のp側配線層を形成する工程と、
前記第1のp側配線層上に、凹形状の第2のp側配線層を形成する工程と、
を有し、
前記n側配線層を形成する工程は、
前記第2のビア内及び前記配線面上に、第1のn側配線層を形成する工程と、
前記第1のn側配線層上に、凹形状の第2のn側配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記第2のp側配線層の内側および前記第2のn側配線層の内側に、第3の絶縁層を埋め込む工程をさらに備えたことを特徴とする請求項16記載の発光装置の製造方法。
- 前記p側配線層の一部及び前記n側配線層の一部を、前記第3の面に沿った方向に延びる前記ダイシング領域上に張り出させて形成することを特徴とする請求項16または17に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第3の面に沿った方向に延びる前記ダイシング領域の幅方向の両側に、前記p側配線層及び前記n側配線層の張り出した部分が存在することを特徴とする請求項18記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2のp側配線層の内側および前記第2のn側配線層の内側に、第3の絶縁層を埋め込む工程をさらに備えたことを特徴とする請求項19記載の発光装置の製造方法。
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