JP2011253999A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光装置は、複数の半導体層と、第1の電極と、第2の電極と、絶縁層と、第1の配線層と、第2の配線層と、第1の金属ピラーと、第2の金属ピラーと、樹脂層とを備え、曲げられた状態で曲面上に実装された。複数の半導体層は互いに分離され、各々の半導体層は発光層を含む。第1の電極は半導体層の第2の主面における発光層を有する領域に設けられ、第2の電極は第2の主面における発光層を含まない領域に設けられた。絶縁層は半導体層の第2の主面側に設けられた。第1の配線層は絶縁層における半導体層に対する反対側の面に設けられ、第1の電極と接続された。第2の配線層は絶縁層における半導体層に対する反対側の面に設けられて第2の電極と接続され、第2の電極と接続する面よりも第2の電極に対する反対側の面において面積が大である。
【選択図】図1
Description
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
(M1−x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1・・・組成式(1)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7)を用いることが好ましい。
組成式(1)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
(M1−x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2・・・組成式(2)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11)を用いることが好ましい。
組成式(2)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
Claims (13)
- 第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含み、互いに分離された複数の半導体層と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面における前記発光層を含まない領域に設けられた第2の電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極に達する第1の開口と、前記第2の電極に達する第2の開口とを有する絶縁層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第1の開口内に設けられ、前記第1の電極と接続された第1の配線層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第2の開口内に設けられて前記第2の電極と接続され、前記第2の電極と接続する面よりも前記第2の電極に対する反対側の面において面積が大である第2の配線層と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の前記面に設けられた第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に設けられた樹脂層と、
を備え、
前記互いに分離された複数の半導体層間には、前記半導体層より可撓性が高い部材が設けられ、
曲げられた状態で曲面上に実装されたことを特徴とする半導体発光装置。 - 第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含み、互いに分離された複数の半導体層と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面における前記発光層を含まない領域に設けられた第2の電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側および前記互いに分離された複数の半導体層間に設けられ、前記第1の電極に達する第1の開口と、前記第2の電極に達する第2の開口とを有する絶縁層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第1の開口内に設けられ、前記第1の電極と接続された第1の配線層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第2の開口内に設けられて前記第2の電極と接続され、前記第2の電極と接続する面よりも前記第2の電極に対する反対側の面において面積が大である第2の配線層と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の前記面に設けられた第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に設けられ、前記絶縁層よりも高い可撓性を有する樹脂層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記樹脂層に、厚み方向にスリットが形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記スリットは、前記複数の半導体層の間の部分の下に形成されたことを特徴とする請求項3記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂層は、固形粉末を含むことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂層は、ゴムを主成分とすることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記半導体発光装置は、曲げられた状態で曲面上に実装されることを特徴とする請求項2〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記複数の半導体層の間に前記絶縁層が充填されたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記絶縁層は、前記樹脂層とは異なる樹脂材料からなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の電極の面積は、前記第2の電極の面積よりも広いことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2の配線層と前記第2の金属ピラーとが接触する面積は、前記第2の配線層と前記第2の電極とが接触する面積より大であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2の配線層の一部は、前記絶縁層上を、前記発光層に重なる位置まで延在することを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2の電極は、前記第2の主面における前記発光層の外周よりも外側に設けられたことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
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