CN103415937A - 发光器件、发光模块以及用于制造发光器件的方法 - Google Patents

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Abstract

根据一个实施例，发光器件(10)包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、第一绝缘层(18)、p侧互连层(21)、n侧互连层(22)和第二绝缘层(25)。第二p侧互连层(21)的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的p侧外部端子(23a)，所述第三表面具有不同于第一表面和第二表面的平面取向。第二n侧互连层的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的n侧外部端子(24a)。

Description

发光器件、发光模块以及用于制造发光器件的方法
技术领域
本文描述的实施例通常涉及发光器件、发光模块和用于制造发光器件的方法。
背景技术
能够发射可见光或白光的半导体发光器件的应用扩展到照明装置、液晶显示装置的背光源、显示装置等。在这样的应用中缩小尺寸的需要日益增加；且存在进一步增加大量生产的适用性以及降低半导体发光器件的价格的需要。
引用列表
专利文献
PTL1：美国专利申请公布号No.2010/0148198
附图说明
图1A到1C是第一实施例的发光器件的示意性透视图。
图2是第一实施例的发光模块的示意性截面图。
图3A到16B是示出用于制造第一实施例的半导体发光器件的方法的示意图。
图17A和17B是第一实施例的发光模块的另一示例的示意性截面图。
图18A和18B是第二实施例的发光器件的示意性透视图。
图19A和19B是第二实施例的发光器件的示意性截面图。
图20是第二实施例的发光模块的示意性截面图。
图21A到23B是示出用于制造第二实施例的半导体发光器件的方法的示意图。
图24A到24C是第三实施例的发光器件的示意性透视图。
图25是第三实施例的发光模块的示意性截面图。
图26A到26C是第四实施例的发光器件的示意性透视图。
图27是第四实施例的发光模块的示意性截面图。
图28A到29B是示出用于制造第四实施例的半导体发光器件的方法的示意图。
图30A是使用比较示例的发光模块的照明装置的示意图，而图30B是使用实施例的发光模块的照明装置的示意图。
图31是第一p侧互连层和第一n侧互连层的另一布局的示意图。
具体实施方式
根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层、p侧互连层、n侧互连层和第二绝缘层。半导体层包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及发光层。p侧电极设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。第一绝缘层设置在第二表面侧上。第一绝缘层具有与p侧电极连通的第一通孔和与n侧电极连通的第二通孔。p侧互连层包括穿过第一通孔电连接到p侧电极的第一p侧互连层和电连接到第一p侧互连层并设置在互连表面上的第二p侧互连层，该互连表面设置在第一绝缘层的与半导体层相对的一侧上。第二p侧互连层包括具有垂直于第一表面的L形截面的部分。n侧互连层包括穿过第二通孔电连接到n侧电极的第一n侧互连层和电连接到第一n侧互连层、与p侧互连层分离开并设置在互连表面上的第二n侧互连层。第二n侧互连层包括具有垂直于第一表面的L形截面的部分。第二绝缘层设置在p侧互连层与n侧互连层之间。第二p侧互连层的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面处从第一绝缘层和第二绝缘层暴露出的p侧外部端子，所述第三表面具有不同于第一表面和第二表面的平面取向。第二n侧互连层的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面处从第一绝缘层和第二绝缘层暴露出的n侧外部端子。
现在将参考附图描述实施例。
采用相同的附图标记来标记附图中的类似部件。在示出制造工艺的附图中示出包括多个半导体层15（芯片）的晶片的部分区域。
第一实施例
图1A是第一实施例的发光器件10a的示意性透视图。图1B是图1A的A-A截面图。图1C是图1A的B-B截面图。
发光器件10a包括半导体层15。半导体层15包括第一表面15a和形成在与第一表面15a相对的一侧的第二表面。下面描述的电极和互连层设置在第二表面侧上；且光主要从与第二表面相对的第一表面15a发射到外部。
半导体层15包括第一半导体层11和第二半导体层12。第一半导体层11和第二半导体层12包括例如氮化物半导体。第一半导体层11包括例如基础缓冲层、n型层等；且n型层起到电流的横向路径的作用。第二半导体层12包括堆叠的结构，其中发光层（有源层）13插置在n型层和p型层之间。
将半导体层15的第二表面侧图案化成不均匀的构造。在第二表面侧上形成的突出部包括发光层13。p侧电极16设置在第二半导体层12的顶表面上，即，突出部的顶表面上。P侧电极16设置在包括发光层13的区域中。
没有第二半导体层12的区域设置在半导体层15的第二表面侧上的突出部分旁边；且n侧电极17设置在该区域的第一半导体层11的顶表面上。换句话说，n侧电极17设置在不包括发光层13的区域中。
在如图5B所示的半导体层15的第二表面侧上，包括发光层13的第二半导体层12的表面积大于不包括发光层13的第一半导体层11的表面积。
在如图6B所示的半导体层15之一中，设置在包括发光层13的区域中的p侧电极16所具有的表面积大于不包括发光层13的n侧电极17的表面积。因此，获得了宽广的发光区域。图6B中示出的P侧电极16和n侧电极17的布局是示例而并非限于该布局。
第一绝缘层（在下文中被简称为绝缘层）18设置在半导体层15的第二表面侧上。绝缘层18覆盖半导体层15、p侧电极16和n侧电极17。存在另一绝缘膜（例如，氧化硅膜）设置在绝缘层18和半导体层15之间的情况。绝缘层18例如是树脂，诸如具有优良的可图案化的聚酰亚胺，来用于超精细开口。可选地，无机物质（例如氧化硅、氮化硅等）可用作绝缘层18。
绝缘层18包括在与半导体层15相对一侧的互连表面18c。将第一p侧互连层（内部p侧互连层）21和第一n侧互连层（内部n侧互连层）22设置成在互连表面18c上彼此分离。
第一p侧互连层21也设置在绝缘层18中所产生的第一通孔18a的内部以到达p侧电极16，并电连接到p侧电极16。第一p侧互连层21并不总是必需形成在绝缘层18的下表面上。例如，可采用如下结构，其中第一p侧互连层21仅设置在p侧电极16上，且第一p侧互连层21不设置在绝缘层18的第一通孔18a的外部。
第一n侧互连层22也设置在绝缘层18中所产生的第二通孔18b的内部以到达n侧电极17，并电连接到n侧电极17。
第二p侧互连层23设置在第一p侧互连层21的与p侧电极16相对的一侧的表面上。在实施例的p侧互连层中包括第一p侧互连层21和第二p侧互连层23。
p侧互连层包括设置在沿着绝缘层18的互连表面18c的构造中的部分和设置在沿着不同于第一表面15a和第二表面的平面取向的第三表面30的构造中的部分。从沿着互连表面18c设置的部分到沿着第三表面30设置的部分的p侧互连层的截面例如以在如图1C所示的L形构造来形成。图1C所示的该截面垂直于第一表面15a、第二表面和第三表面30。
将第一p侧互连层21沿着互连表面18c设置在互连表面18c上。第二p侧互连层23包括p侧连接单元23b和p侧外部端子23a。
将p侧连接单元23b沿着互连表面18c设置在第一p侧互连层21上。如图1C所示，具有L形截面的部分由p侧连接单元23b和p侧外部端子23a形成。换句话说，第二p侧互连层23具有L形截面的部分；且其一部分（p侧外部端子23a）用于形成外部端子。
以具有p侧连接单元23b作为底部的凹进构造来形成第二p侧互连层23。p侧外部端子23a包括在凹进构造（U形构造）的部分的侧壁中。也就是说，如图1C所示，第二p侧互连层23的截面构造为U形构造；且U形构造的一部分是L形构造。
第二p侧互连层23的截面构造是在与互连表面18c相交并垂直于例如在图1C中所示的第三表面30的表面的截面处的U形构造。此外，如图1B所示，第二p侧互连层23的截面在平行于第三表面30的表面的截面处具有U形构造。如下所述，第二p侧互连层23的截面构造具有在图1B和1C中示出的截面图中的U形构造，因为第二p侧互连层23具有杯状构造。
第二n侧互连层24设置在第一n侧互连层22的与n侧电极17相对的一侧的表面上。在实施例的n侧互连层中包括第一n侧互连层22和第二n侧互连层24。
n侧互连层包括设置在沿着绝缘层18的互连表面18c的构造中的部分和设置在沿着不同于第一表面15a和第二表面的平面取向的第三表面30的构造中的部分。从沿着互连表面18c设置的部分到沿着第三表面30设置的部分的n侧互连层例如以L形的构造来形成。
将第一n侧互连层22沿着互连表面18C设置在互连表面18c上。第二n侧互连层24包括n侧连接单元24b和n侧外部端子24a。
将n侧连接单元24b沿着互连表面18C设置在第一n侧互连层22上。在与如图1C所示的截面平行的截面图中，由n侧连接单元24b和n侧外部端子24a形成了具有L形截面的部分。换句话说，第二n侧互连层24包括具有L形截面的部分；且其一部分（n侧外部端子24a）用于形成外部端子。
以具有n侧连接单元24b作为底部的凹进构造来形成第二n侧互连层24。n侧外部端子24a包括在凹进构造（U形构造）的侧壁的一部分中。也就是说，第二n侧互连层24的截面构造具有U形构造；且U形构造的一部分是L形构造。
第二n侧互连层24的截面构造在与图1C所示的截面图平行的截面图处具有U形构造，该截面图是与互连表面18c相交并垂直于第三表面30的表面的截面图。此外，如图1B所示，第二n侧互连层24的截面在平行于第三表面30的表面的截面图处具有U形构造。如下所述，第二n侧互连层24的截面构造在截面图中在平行于图1B中所示的截面图和图1C中所示的截面图的截面处具有U形构造，这是因为第二n侧互连层24具有杯状构造。
树脂层25被设置为在绝缘层18的互连表面18c上的第二绝缘层。树脂层25覆盖第一p侧互连层21和第一n侧互连层22。然而，如图1A所示，第一p侧互连层21的侧表面21a部分和第一n侧互连层22的侧表面22a部分从树脂层25和绝缘层18暴露出，而没有被覆盖树脂层25和绝缘层18。
将树脂层25填充在第二p侧互连层23和第二n侧互连层24之间。第二p侧互连层23中除p侧外部端子23a之外的侧壁被覆盖有树脂层25。第二n侧互连层24中除n侧外部端子24a之外的侧壁被覆盖有树脂层25。
第二p侧互连层23的在与第一p侧互连层21相对的一侧的端部也被覆盖有树脂层25。类似地，第二n侧互连层24的在与第一n侧互连层22相对的一侧的端部也被覆盖有树脂层25。
树脂层35作为第三绝缘层被填充在第二p侧互连层23的凹进构造（U形构造）内部和类似地在第二n侧互连层24的凹进构造（U形构造）内部。
树脂层35的在与第一p侧互连层21相对的一侧的端部也被覆盖有树脂层25。因此，第二p侧互连层23和树脂层25设置在树脂层35周围，该树脂层35设置在第二p侧互连层23内部。类似地，第二n侧互连层24和树脂层25设置在树脂层35周围，该树脂层35设置在第二n侧互连层24内部。第二p侧互连层23和第二n侧互连层24被覆盖有树脂层25和树脂层35。
图1A到图1C所示的发光器件10a安装成使得第三表面30是如图2所示的安装表面（与安装基板相对的表面）。在这样的情况下，p侧外部端子23a、第一p侧互连层21的暴露的表面21a以及在p侧外部端子23a与表面21a之间的金属膜20用作p侧的外部端子。
金属膜20的膜厚度为大约几纳米；且在第三表面30处暴露的金属膜20的表面积小于第一p侧互连层21的暴露的表面21a的表面积。在图1B和1C中的第一p侧互连层21的暴露的表面21a的高度方向厚度小于p侧外部端子23a的高度方向厚度。因此，在第三表面30处暴露的第一p侧互连层21的暴露的表面21a的表面积小于p侧外部端子23a的表面积。
类似地对于n侧，金属膜20、第一n侧互连层22的暴露的表面22a以及n侧外部端子24a具有以这个顺序增加的在第三表面30处暴露的表面积。
如图1A和1C所示，第二p侧互连层23的部分的侧表面在第三表面30处从绝缘层18和树脂层25暴露出，所述第三表面的平面取向不同于半导体层15的第一表面15a和第二表面。该暴露的表面起到用于安装到外部安装基板的p侧外部端子23a的作用。p侧外部端子23a形成为沿着第三表面30从p侧连接单元23b的一个端部展开。
于此，第三表面30是基本上垂直于第一表面15a和第二表面的表面。树脂层25具有四个侧表面，其具有例如矩形构造；且具有相对长边的侧表面之一用作第三表面30。
第二n侧互连层24的部分的侧表面在相同的第三表面30处从绝缘层18和树脂层25暴露出。暴露的表面起用于安装到外部安装基板的n侧外部端子24a的作用。n侧外部端子24a形成为沿着第三表面30从n侧连接单元24b的一个端部展开。
如图1A所示，第一p侧互连层21的部分的侧表面21a通过在第三表面30处从绝缘层18和树脂层25暴露出而起p侧外部端子的作用。类似地，第一n侧互连层22的部分的侧表面22a通过在第三表面30处从绝缘层18和树脂层25暴露出而起n侧外部端子的作用。
对于包括第一p侧互连层21和第二p侧互连层23的p侧互连层，除了在第三表面30处暴露的部分21a和23a以外的部分被覆盖有绝缘层18或树脂层25。对于包括第一n侧互连层22和第二n侧互连层24的n侧互连层，除了在第三表面30处暴露的部分22a和24a以外的部分被覆盖有绝缘层18或树脂层25。实施例的结构为示例；且p侧互连层和n侧互连层可在除了第三表面30以外的其它地方被部分地暴露出。
如图8B所示，在第三表面30处暴露出的第一p侧互连层21的侧表面21a与在第三表面30处暴露的第一n侧互连层22的侧表面22a之间的距离大于在绝缘层18的互连表面18c上的在第一p侧互连层21与第一n侧互连层22之间的距离。
可通过减小在绝缘层18的互连表面18c上的覆盖有树脂层25的第一p侧互连层21和第一n侧互连层22之间的距离来增加第一p侧互连层21的表面积。第一p侧互连层21的平面尺寸大于第二p侧互连层23的p侧连接单元23b的平面尺寸。第一p侧互连层21可使用诸如铜之类的低电阻金属来形成。因此，当第一p侧互连层21的表面积增加时，可以将具有更均匀分布的电流供应给包括发光层13的第二半导体层12。此外，还可增加第一p侧互连层21的导热率；以及能够有效释放在第二半导体层12处产生的热。
p侧电极16在包括发光层13的区域中展开。因此，通过经由多个第一通孔18a将第一p侧互连层21连接到p侧电极16，可改善到发光层13的电流分布；且还可提高在发光层13处所产生的热的散热。
在第三表面30处暴露的第一p侧互连层21的侧表面21a与在第三表面30处暴露的第一n侧互连层22的侧表面22a分隔一段距离，使得侧表面21a和侧表面22a在安装到安装基板时不会由于诸如焊料的结合剂而彼此短路。
在第一n侧互连层22和第二n侧互连层24的n侧连接单元24b之间的接触区域大于在第一n侧互连层22和n侧电极17之间的接触区域。第一n侧互连层22的一部分在绝缘层18的互连表面18c上延伸到在发光层13下部的覆盖位置。
由此，可从设置在不包括发光层13的窄区域中的n侧电极17经由第一n侧互连层22来形成较宽引线的电极，同时由于发光层13形成在宽区域上而获得高亮度输出。
在第一p侧互连层21和第二p侧互连层23的p侧互连单元23b之间的接触区域可大于或小于在第一p侧互连层21和p侧电极16之间的接触区域。
第一半导体层11经由n侧电极17和第一n侧互连层22电连接到包括n侧外部端子24a的第二n侧互连层24。包括发光层13的半导体层12经由p侧电极16和第一p侧互连层21电连接到包括p侧外部端子23a的第二p侧互连层23。
树脂层25比p侧互连结构部分的厚度（高度）厚，该p侧互连结构部分包括第一p侧互连层21、第二p侧互连层23和设置在第二p侧互连层23内部的树脂层35。类似地，树脂层25比n侧互连结构部分的厚度（高度）厚，该n侧互连结构部分包括第一n侧互连层22、第二n侧互连层24和设置在第二n侧互连层24内部的树脂层35。p侧互连结构部分和n侧互连结构部分比半导体层15厚。因此，甚至在没有支撑半导体层15的基板的情况下，可通过p侧互连结构部分、n侧互连结构部分和树脂层25来增加发光器件10a的机械强度。
第一p侧互连层21、第一n侧互连层22、第二p侧互连层23和第二n侧互连层24的材料可包括铜、金、镍、银等。在这些材料中，当使用铜时，能够获得良好的导热率、高迁移阻力以及与绝缘材料的优良粘附力。
树脂层25加固上述的p侧互连结构部分和n侧互连结构部分。尤其是，树脂层25具有与安装基板的热膨胀系数相接近或相同的热膨胀系数。这样的树脂层25的示例包括例如环氧树脂、硅酮树脂、碳氟树脂等。此外，尤其是，树脂层35具有与安装基板的热膨胀系数相接近或相同的热膨胀系数；且可使用与树脂层25的材料相同的材料。
将透镜26和荧光层27设置在半导体层15的第一表面15a上作为对从发光层13发射的光透明的透明体。透镜26设置在第一表面15a上；且将荧光层27设置成覆盖透镜26。
包括上述设置在半导体层15的第二表面侧上的每个部件的堆叠体的平面尺寸基本上与荧光层27的平面尺寸相同。透镜26和荧光层27不阻碍至图2所示的发光器件10a的安装基板100上的安装，这是因为透镜26和荧光层27未伸出到第三表面30侧中。
荧光层27包括透明树脂和分散在透明树脂中的荧光粉。荧光层27能够吸收从发光层13发射的光并发射波长转换光。因此，发光器件10a能够发射来自发光层13的光和荧光层27的波长转换光的混合光。
例如，在发光层13是氮化物半导体且荧光粉是配置成发射黄光的黄色荧光粉的情况下，可以根据来自发光层13的蓝光和作为荧光层27的波长转换光的黄光的混合色来获取白色、灯等。荧光层27可具有包括多种荧光粉（例如，配置成发射红光的红色荧光粉和配置成发射绿光的绿色荧光粉）的构造。
从发光层13发射的光主要通过穿过第一半导体层11、第一表面15a、透镜26和荧光层27行进而被发射到外部。透镜26可设置在荧光层27上。
图2是发光模块的示意性截面图，该发光模块具有上述发光器件10a安装在安装基板100上的构造。
安装在安装基板100上的发光器件10a的数量是任意的，且可以是单个或多个。多个发光器件10a可通过沿着某一方向布置而包括在线形光源中。
以第三表面30面向安装基板100的安装表面103的取向来安装发光器件10a。在第三表面30处暴露的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a分别经由焊料102结合到形成在安装表面103中的焊盘101。互连图案也形成在安装基板100的安装表面103中；且焊盘101连接到互连图案。可使用除了焊料以外的其它金属或导电材料来代替焊料102。
第三表面30基本上垂直于作为光的主发射表面的第一表面15a。因此，当第三表面30向下面向安装表面103侧时，第一表面15a被配置成面向横向方向而不是从安装表面103向上。换句话说，获得所谓的侧视型发光器件10a和发光模块，其中在安装表面103被取为水平表面的情况下光在横向方向上发射。
在实施例中，通过被填充在第二p侧互连层23内部和第二n侧互连层24内部的树脂层35吸收，可释放在发光器件10a安装到安装基板100的状态中经由焊料102施加到半导体层15的应力。树脂层35比金属更柔韧；且获得高应力释放效果。
在第二p侧互连层23内部和第二n侧互连层24内部的物质不限于树脂；且可填充绝缘体或不同于第二p侧互连层23和第二n侧互连层24的材料的金属。填充在第二p侧互连层23内部和第二n侧互连层24内部的材料比第二p侧互连层23和第二n侧互连层24更柔韧就足够了。
如果例如比第二p侧互连层23和第二n侧互连层24更柔韧的金属被选择为填充在第二p侧互连层23内部和第二n侧互连层24内部的材料，则得到上述的应力释放效果。也可以选择易于形成共形膜的金属膜作为第二p侧互连层23和第二n侧互连层24并形成可易于填充的金属来代替树脂层35。
从应力释放、生产率和成本的方面来看，显然应将树脂填充在第二p侧互连层23内部和第二n侧互连层24内部。
实施例的发光器件10a的平面构造是如从垂直于第一表面15a的方向观看的矩形构造；且第三表面30是包括矩形构造的长边的表面。
现在参考图3A到图16B描述用于制造实施例的发光器件10a的方法。在示出工艺的附图中示出晶片状态的部分的区域。
图3A示出了堆叠体，其中第一半导体层11和第二半导体层12形成在基板5的主表面上。图3B对应于图3A的底视图。
第一半导体层11形成在基板5的主表面上；且包括发光层13的第二半导体层12形成在第一半导体层11上。在第一半导体层11和第二半导体层12是例如氮化物半导体的情况下，可在蓝宝石基板上例如通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）来执行第一半导体层11和第二半导体层12的晶体生长。
例如，第一半导体层11包括基础缓冲层和n型GaN层。第二半导体层12包括发光层（有源层）13和p型GaN层。发光层13可包括配置成发射蓝光、紫光、蓝紫光和紫外光等的基板。
接触基板5的第一半导体层11的表面是半导体层15的第一表面15a；而第二半导体层12的顶表面是半导体层15的第二表面15b。
随后，如图4A和作为其底视图的图4B所示，通过例如使用未示出的抗蚀剂的反应离子蚀刻（RIE）来刺穿半导体层15来在切块区d1和d2中产生沟槽以到达基板5。以在例如晶片状态的基板5上的晶格构造来形成切块区d1和d2。在切块区d1和d2中产生的沟槽也以晶格构造来产生，以将半导体层15分割成多个芯片。
可在第二半导体层12的选择性去除之后或在下述电极的形成之后执行复联地（multiply）分隔半导体层15的工艺。
随后，如图5A和作为其底视图的图5B所示，通过例如使用未示出的抗蚀剂的RIE去除第二半导体层12的一部分来暴露出第一半导体层11的一部分。第一半导体层11被暴露的区域不包括发光层13。
在由第一半导体层11、第二半导体层12和发光层（有源层）13制成的一个再分半导体层15用作一个发光元件的情况下，在图5B中横向方向上由切块区d1再分的四个发光元件中的每个由切块区d2再分，以在垂直方向上被布置为两个发光元件。
随后，如图6A和作为其底视图的图6B所示，p侧电极16和n侧电极17形成在第二表面上。p侧电极16形成在第二半导体层12的顶表面上。n侧电极17形成在第一半导体层11的暴露的表面上。
使用例如溅射、气相沉积等来形成p侧电极16和n侧电极17。可首先形成p侧电极16和n侧电极17中的任一个；且p侧电极16和n侧电极17可同时由同一材料来形成。
p侧电极16相对于从发光层13发射的光是反射的，并包括例如银、银合金、铝、铝合金等。包括金属保护膜的构造也可用于防止p侧电极16的硫化和氧化。
例如，氮化硅膜或氧化硅膜可通过使用化学气相沉积（CVD）形成为在p侧电极16和n侧电极17之间和在发光层13的端表面（侧表面）上的钝化膜。如果必须提供电极和半导体层之间的欧姆接触，则实施活化退火等。
随后，如图7A所示，在基板5的主表面上的所有暴露部分被覆盖有绝缘层18；且随后，通过使用例如湿蚀刻来图案化绝缘层18而在绝缘层18中选择性产生第一通孔18a和第二通孔18b。第一通孔18a到达p侧电极16。第二通孔18b到达n侧电极17。
有机材料（例如光敏聚酰亚胺、苯并环丁烯等）可用作绝缘层18。在这样的情况下，可直接对绝缘层18进行曝光和显影，而不使用抗蚀剂。可选地，无机膜（例如氮化硅膜、氧化硅膜等）可用作绝缘层18。在无机膜的情况下，在抗蚀剂被图案化之后，使用蚀刻来制造第一通孔18a和第二通孔18b。
随后，如图7B所示，在下述电镀期间起籽晶金属的作用的金属膜19形成在互连表面18c（图7A中的下表面）上，该互连表面18c是绝缘层18在与半导体层15相对的一侧的表面。金属膜19还形成在第一通孔18a的内壁和底部上以及在第二通孔18b的内壁和底部上。
使用例如溅射来形成金属膜19。金属膜19包括例如从绝缘层18侧起按顺序堆叠的钛（Ti）和铜（Cu）的堆叠膜。
随后，如图7C所示，将抗蚀剂41选择性地形成在金属膜19上；且随后，使用金属膜19作为电流路径来执行Cu电镀。
因此，如图8A和作为其底视图的图8B所示，将第一p侧互连层21和第一n侧互连层22选择性地形成在绝缘层18的互连表面18c上。第一p侧互连层21和第一n侧互连层22由例如使用电镀同时形成的铜材料制成。
第一p侧互连层21也形成在第一通孔18a内部并经由金属膜19电连接到p侧电极16。第一n侧互连层22也形成在第二通孔18b内部并经由金属膜19电连接到n侧电极17。
使用溶剂或氧等离子体来去除在第一p侧互连层21和第一n侧互连层22的电镀中使用的抗蚀剂41（图9A）。
随后，如图9B所示，抗蚀剂42形成在绝缘层18的互连表面18c侧上。抗蚀剂42比上述抗蚀剂41厚。抗蚀剂41可在先前工艺中保持而不被去除；且抗蚀剂42可被形成以覆盖抗蚀剂41。凹部42a和凹部42b形成在抗蚀剂42中。
继续，在凹部42a和42b的内壁上形成在电镀期间起籽晶金属作用的金属膜20，该凹部42a和42b的内壁包括抗蚀剂42的顶表面、在凹部42a处暴露的第一p侧互连层21的顶表面以及在凹部42b处暴露的第一n侧互连层22的顶表面。金属膜20包括例如铜。
随后，使用金属膜20作为电流路径来执行Cu电镀。因此，如图10A和作为其底视图的图10B所示，金属膜50形成在金属膜20上。
图10B的虚线示出在抗蚀剂42中产生的凹部42a和42b的边缘。当在平面图中看时在凹部42a的部分的角部分中产生凹口；且金属膜20和金属膜50不形成在凹口下的绝缘层18上。因此，如下面参考图12B所描述的，在第二p侧互连层23的部分的角部分中产生凹口90。
该电镀是共形电镀，其中Cu以基本上均匀的速率沉淀以符合金属膜20和作为基础的抗蚀剂42的不规则构造。因此，金属膜50被形成为符合基础的不规则构造；且凹部42a和凹部42b未填满金属膜50。因此，与凹部42a和凹部42b填满金属的情况比较，可减小电镀时间和成本。
在第一p侧互连层21（凹部42a的底部）上、在第一n侧互连层22（凹部42b的底部）上、在凹部42a的侧壁上以及在凹部42b的侧壁上以基本上相同的膜厚度形成金属膜50。
如图10B所示，在包围凹部42a的中央侧的封闭图案中沿着凹部42a的侧壁形成金属膜50。类似地，在包围凹部42b的中央侧的封闭图案中沿着凹部42b的侧壁形成金属膜50。
随后，如图11A和作为其底视图的图11B所示，使用例如印刷、模塑等将树脂层35形成在凹部42a的内部、在凹部42b的内部以及在抗蚀剂42上。树脂层35填充在凹部42a的内部和凹部42b的内部。
树脂层35是绝缘的。通过包含例如炭黑，可给树脂层35提供相对于从发光层发射的光的光遮蔽特性。树脂层35可包含粉末，其对于从发光层发射的光是反射的。
随后，通过对树脂层35的顶表面侧（图11A的下表面侧）进行抛光来暴露出在凹部42a和凹部42b的侧壁上形成的金属膜50的端部。在图12A和作为其底视图的图12B中示出了该状态。
由此，在凹部42a内部的金属膜50部分与在凹部42b内部的金属膜50部分分隔开。保留在凹部42a内部的金属膜50用于形成第二p侧互连层23。保留在凹部42b内部的金属膜50用于形成第二n侧互连层24。
第二p侧互连层23经由金属膜20连接到第一p侧互连层21。可选地，在实施例的第二p侧互连层中可包括金属膜20。
第二n侧互连层24经由金属膜20连接到第一n侧互连层22。可选地，在实施例的第二n侧互连层中可包括金属膜20。
第二p侧互连层23的部分的侧壁用于形成在切割之后在第三表面30处暴露出的p侧外部端子23a。第二n侧互连层24的部分的侧壁用于形成在切割之后第三表面30处暴露出的n侧外部端子24a。
如图12B所示，实施例具有如下布局：p侧外部端子23a和n侧外部端子24a伸出到在沿着上述第三表面30的方向上延伸的切块区d2上。图12B的单点划线e1和e2分别示出切块刀片的两个边缘。
第二p侧互连层23在第二n侧互连层24一侧的角部分中产生凹口90。在p侧外部端子23a和n侧外部端子24a之间形成凹口90。因此，在切割之后暴露于外部的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a之间的分隔距离可以是足以避免在安装时由于焊料等的短路的距离。
第二p侧互连层23未产生凹口90的部分可接近第二n侧互连层24至工艺的极限；且可增加第二p侧互连层23的表面积。作为结果，可改善电流分布和散热。
p侧外部端子23a和n侧外部端子24a存在于切块区d2的两个宽度方向侧上，而并不存在均朝着切块区d2的一个宽度方向侧的偏置。换句话说，在作为金属的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a不存在朝着切块刀片的一个宽度方向边缘侧的偏置。
现在将描述对于包括例如图12B所示的布局的晶片使用刀片从左到右再分切块区d2的情况。
在一个发光元件被认为是一对一个第二p侧互连层23和一个第二n侧互连层24的情况下，将发光元件布置在图12B中，其中在横向方向上四个发光元件且在垂直方向上两个发光元件。
在图12B中，在最左上部的发光元件和在上部从右边起的第二个发光元件具有存在于切块区d2中的第二p侧互连层23的一部分（下侧）和第二n侧互连层24的一部分（下侧）。在图12B中，在最右下部的发光元件和在下部从左边起的第二个发光元件具有存在于切块区d2中的第二p侧互连层23的一部分（上侧）和第二n侧互连层24的一部分（上侧）。
在使用刀片从左到右再分切块区d2的情况下，当在上部最左边的发光元件与在下部最左边的发光元件之间进行切割时，图12B中的刀片的上侧比下侧具有与金属接触的更高比例；且当在上部从左边起的第二个发光元件与在下部从左边起的第二个发光元件之间进行切割时，这与最左边的情况相反，图12B中的刀片的下侧比上侧具有与金属接触的更高比例。因此，可抑制由于在切割时切块刀片在一个宽度方向边缘上的过度负荷而导致出现的阻碍、损坏等。
虽然如从切块区d2在图12B中延伸的方向观看的那样，存在于边缘e1侧上的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a与存在于边缘e2侧上的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a交替地布置，但并不限于这样的布局。p侧外部端子23a和n侧外部端子24a只要不存在朝着选自边缘e1和边缘e2中的一个边缘的一侧偏置就足够了。
甚至在p侧外部端子23a和n侧外部端子24a存在朝着选自边缘e1和边缘e2中的一个边缘的一侧偏置的情况下，在切割时也可通过增加刀片的更换频率等来抑制对刀片的阻碍、损坏等。
通过暴露在图12A的下侧的第二p侧互连层23的端部和在图12A的下侧的第二n侧互连层24的端部，可通过使发光器件发射光、通过提供电流、通过使不同极性的测量探针分别与端部接触来执行各种检查。可在易于处理的晶片级处执行检查。
随后，使用例如溶剂或氧等离子体（图13A）去除抗蚀剂42。利用第二p侧互连层23来围绕树脂层35，且利用第二n侧互连层24来围绕树脂层34。
随后，通过湿蚀刻使用p侧互连结构部分和n侧互连结构部分作为掩模来去除在互连表面18c上形成的金属膜19的暴露部分，该p侧互连结构部分包括第一p侧互连层21、第二p侧互连层23和树脂层35，该n侧互连结构部分包括第一n侧互连层22、第二n侧互连层24和树脂层35。因此，如图13B所示，在第一p侧互连层21和第一n侧互连层22之间经由金属膜19的电连接被破坏。
随后，如图14A所示，树脂层25堆叠在绝缘层18上。树脂层25覆盖上述的p侧互连结构部分和n侧互连结构部分。
树脂层25是绝缘的。通过包含例如炭黑的树脂层25可给树脂层25提供相对于从发光层发射的光的光遮蔽特性。树脂层25可包含粉末，其对于从发光层发射的光是反射的。可增加在树脂层25和树脂层35之间的粘附强度，且可通过形成相同材料的树脂层25和树脂层35来增加可靠性。
随后，如图14B所示，去除基板5。通过例如激光剥离来去除基板5。具体地，激光从基板5的背表面侧朝向第一半导体层11辐射。激光相对于基板5是透射的，并具有在第一半导体层11的吸收区中的波长。
当激光到达基板5和第一半导体层11之间的界面时，在界面邻近的第一半导体层11通过吸收激光的能量而分解。例如，在第一半导体层11是GaN的情况下，第一半导体层11分解成镓（Ga）和氮气。通过分解反应在基板5和第一半导体层11之间产生微间隙；且基板5和第一半导体层11分离。
通过对每个设定的区域执行复联（multiply）来在整个晶片上执行激光的辐射；且去除基板5。
因为在基板5的主表面上形成的上述堆叠体由厚树脂层25加固，所以可以在没有基板5的情况下维持晶片状态均匀。树脂层25和35以及包括在互连层中的金属是比半导体层15更柔韧的材料。因此，可避免器件毁坏，即使在当剥离基板5时在将半导体层15形成在基板5上的外延工艺中所产生的大内部应力突然被释放的情况下。
清洁半导体层15（基板5从半导体层15去除）的第一表面15a。例如，使用盐酸等来去除粘附到第一表面15a的镓（Ga）。
使用例如KOH（氢氧化钾）水溶液、TMAH（氢氧化四甲铵）等对第一表面15a执行蚀刻（去光泽）。因此，由于取决于晶体平面取向（图15A）的蚀刻率的差异，在第一表面15a中形成不平整。可选地，可通过在使用抗蚀剂图案化之后执行蚀刻来在第一表面15a中形成不平整。可通过在第一表面15a中形成不平整而增加光提取效率。
随后，如图15B所示，在第一表面15a上形成透镜26。透镜26对从发光层发射的光是透明的，并可包括例如硅酮树脂、丙烯酸树脂、玻璃等。可使用例如灰度级掩模的蚀刻或刻印来形成透镜26。
随后，荧光层27形成在第一表面15a上和暴露在相互相邻的半导体层15之间以覆盖透镜26的绝缘层18上。例如，使用例如印刷、浇注、模塑、压缩模塑等方法来提供分散荧光粉颗粒的液体透明树脂，并随后对其热固化。透明树脂相对于从发光层发射的光和由荧光剂发射的光是透射的，并可包括诸如硅酮树脂、丙烯酸树脂、液态玻璃等材料。
如图16A和作为其底视图的图16B所示的继续，通过以晶格构造形成的切块区d1和d2的位置处切割荧光层27、绝缘层18和树脂层25来分割成多个发光器件10a。例如，使用切块刀片来执行切割。可选地，可使用激光辐射来执行切割。
此时，对第二p侧互连层23和第二n侧互连层24中的伸出到在沿着第三表面30的方向上延伸的切块区d2中的部分进行切割。由此，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在第三表面30处。
因为在上述电镀期间用作籽晶金属的金属膜20是薄的，所以在切割时去除形成在p侧外部端子23a和n侧外部端子24a上的金属膜20。
类似地，如果第一p侧互连层21和第一n侧互连层22的部分伸出到切块区d2中，则伸出到切块区d2中的这样的部分被切割。因此，第一p侧互连层21的侧表面21a和第一n侧互连层22的侧表面22a也暴露在第三表面30处。
可选地，因为第一p侧互连层21的膜厚度和第一n侧互连层22的膜厚度是薄的，所以第三表面30的暴露的表面积相比于p侧外部端子23a和n侧外部端子24a是非常小。因此，第一p侧互连层21和第一n侧互连层22可以不暴露在第三表面30处。仅由p侧外部端子23a和n侧外部端子24a足以提供外部端子的功能。
图31中所示的布局在第一p侧互连层21的一部分和第一n侧互连层22的一部分暴露在第三表面30处的情况下是显著的。
在图31中，切块区d2在沿着暴露于第三表面30处的第一p侧互连层21的侧表面21a和第一n侧互连层22的侧表面22a的方向（在图31中，横向方向）上延伸。侧表面21a和侧表面22a伸出到切块区d2上。在图31中，单点划线e1和e2分别示出切块刀片的两个边缘。
在第一p侧互连层21中的在第一n侧互连层22一侧且在侧表面21a一侧的部分中产生凹口21b。在侧表面21a和侧表面22a之间形成凹口21b。因此，在切割之后暴露于外部的侧表面21a和侧表面22a之间的间隔距离可以是足以避免当安装时由于焊料等短路的距离。
在未产生凹口21b的部分中，可以将第一p侧互连层21接近第一n侧互连层22至工艺的极限；且可增加第一p侧互连层21的表面积。作为结果，可通过多个第一通孔18a连接第一p侧互连层21和p侧电极16；且可改善电流分布和散热。
侧表面21a和侧表面22a存在于切块区d2的两个宽度方向侧上，而不存在均朝着切块区d2的一个宽度方向侧的偏置。换句话说，作为金属的侧表面21a和侧表面22a之间不存在朝着切块刀片的一个宽度方向边缘侧的偏置。因此，可抑制由于在切割时切块刀片在一个宽度方向边缘上的过度负荷而导致出现的阻碍、损坏等。
虽然如从切块区d2在图31中延伸的方向观看的那样，存在于边缘e1一侧上的侧表面21a和侧表面22a与存在于边缘e2一侧上的侧表面21a和侧表面22a交替布置，但并不限于这样的布局。侧表面21a和侧表面22a只要不存在朝着选自边缘e1和边缘e2中的一个边缘的一侧偏置就足够了。
甚至在侧表面21a和侧表面22a存在朝着选自边缘e1和边缘e2中的一个边缘的一侧偏置的情况下，当切割时也可通过增加刀片的更换频率等来抑制刀片的阻碍、损坏等。
当切割时基板5已经被去除。此外，当切割时可避免对半导体层15的损坏，这是因为半导体层15不存在于切块区d1和d2中。在分离之后，获得以下结构，其中通过利用树脂覆盖来保护半导体层15的端部（侧表面）。
分离的发光器件10a可具有包括一个半导体层15的单芯片结构或包括多个半导体层15的多芯片结构。
因为直到切割之前的上述每个工艺可在晶片状态中共同执行，所以不必对每个单个器件执行互连和包装；且能够大大地减少生产成本。换句话说，互连和包装在单个状态中已经完成。因此，可增加生产率；且作为结果，可易于降低价格。
如在图17A中所示的发光器件10b中的那样，可使用透镜不设置在第一表面15a侧的结构。
如在图17B中所示的发光器件10c中的那样，基板5可薄薄地保留在第一表面15a上。例如，可使用用于对半导体晶片背面抛光的研磨机等来对基板5进行抛光。
基板5例如是蓝宝石基板，且对于从基于氮化物半导体的发光层发射的光是透射的。因为在这样的情况下没有荧光层，具有与从发光层发射的光相同的波长的光从发光器件10c发射到外部。当然，荧光层可形成在基板5上。通过留下基板5，可增加机械强度；且可提供具有高可靠性的结构。
当切割时，可在使用切块刀片从树脂层25侧执行半切割之后使用激光辐射基板5来再分基板5。可选地，可使用激光辐射来切割所有部分。
第二实施例
图18A是如从第二实施例的发光器件10d的第三表面30侧来看的示意性透视图。
图18B是如从发光器件10d的发光表面侧看的示意性透视图。
图19A是图18A的A-A截面图。
图19B是图18A的B-B截面图。
该实施例的发光器件10d通过包括反射膜51而不同于第一实施例的发光器件10a。
反射膜51对于从发光层发射和由荧光粉发射的光是反射的，且例如是金属膜。反射膜51形成在荧光层27的侧表面和绝缘层18的侧表面上。发射膜51并不形成在荧光层27与第一表面15a相对一侧的表面上。
图20是发光模块的示意性截面图，该发光模块具有该实施例的发光器件10d安装在安装基板100上的构造。
与第一实施例类似，发光器件10d以第三表面30面向安装基板100的安装表面103的取向来安装。暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a经由焊料102等分别结合到在安装表面103中形成的焊盘101。
第三表面30基本上垂直于第一表面15a，其为光的主发射表面。因此，当第三表面30向下面向安装表面103侧时，第一表面15a配置成面向横向方向而不是从安装表面103向上。换句话说，获得所谓的侧视型发光器件10d和发光模块，其中在安装表面103被取为水平表面的情况下光在横向方向上发射。
因为绝缘层18和荧光层27的侧表面被覆盖有反射膜51，光通过集中在横向方向上而被发射。
现在将参考图21A到图23B描述用于制造该实施例的发光器件10d的方法。
图21A示出基板5被去除且荧光层27形成在第一表面15a上的状态。可类似于上述第一实施例来进展各工艺，一直到该工艺。
随后，从荧光层27侧在图21A所示的堆叠体上执行半切割。具体地，在切块区d1和d2的位置处切割荧光分层27和绝缘层18。例如，使用切块刀片或激光辐射来执行切割。因此，在切块区d1和d2中产生沟槽52(图21B)。
继续，使用例如溅射在暴露的表面上形成反射膜51。如图22A所示，在荧光层27的顶表面上以及沟槽52的底部和内壁上形成反射膜51。
例如，银、铝、金、硅、介电多层膜等可用作反射膜51。可选地，包括反射粉末的树脂可用作反射膜51。
随后，如图22B所示，通过抛光来去除在荧光层27的顶表面中形成的反射膜51。例如，可使用研磨机等来抛光半导体晶片背表面。可选地，可使用RIE来去除在荧光层27的顶表面上形成的反射膜51。反射膜51保留在荧光层27的侧表面和绝缘层18的侧表面上。
如图23A和作为其底视图的图23B所示的继续，对在沟槽52之下的树脂层25进行切割。例如，使用切块刀片来执行切割。可选地，可使用激光辐射来执行切割。由此，分割成多个发光器件10d。
此时也类似于第一实施例，对第二p侧互连层23和第二n侧互连层24中的伸出到在沿着第三表面30的方向上延伸的切块区d2中的部分进行切割。因此，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在第三表面30处。
同样在这个实施例中，切割是容易的且可增加生产率，这是因为对树脂进行切割。因为未切割半导体层15，所以可避免在切割时对半导层15的损坏。
第三实施例
图24A是第三实施例的发光器件10e的示意性透视图。图24B是图24A的A-A截面图。图24C是图24A的B-B截面图。
在该实施例的发光器件10e中，第二p侧互连层23的一部分设置在第一通孔18a的内部，而不提供上述实施例的第一p侧互连层21。此外，第二n侧互连层24的一部分设置在第二通孔18b内部，而不提供第一n侧互连层22。换句话说，p侧互连层包括第二p侧互连层23；且n侧互连层包括第二n侧互连层24。
由于未提供第一p侧互连层21和第一n侧互连层n侧，可省去工艺且减小成本。
图25是发光模块的示意性截面图，该发光模块具有该实施例的发光器件10e安装在安装基板100上的构造。
同样在这个实施例中，以第三表面30面向安装基板100的安装表面103的取向来安装发光器件10e。暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a分别经由焊料102等结合到在安装表面103中形成的焊盘101。
第三表面30基本上垂直于第一表面15a，其为光的主发射表面。因此，当第三表面30向下面向安装表面103侧时，第一表面15a配置成面向横向方向而不是从安装表面103向上。换句话说，获得所谓的侧视型发光器件10a和发光模块，其中在安装表面103被取为水平表面的情况下光在横向方向上发射。
第四实施例
图26A是第四实施例的发光器件10f的示意性透视图。图26B是图26A的A-A截面图。图26C是图26A的B-B截面图。
本实施例的发光器件10f的第三表面30既不垂直于也不平行于第一表面15a，而是相对于第一表面15a倾斜。
将第三表面30倾斜成使得树脂层25的外形具有在与图26A的B-B截面相对应的图26C的截面中的倒置梯形构造。
暴露在第三表面30处的第二p侧互连层23的p侧外部端子23a、第二n侧互连层24的n侧外部端子24a、第一p侧互连层21的侧表面21a和第一n侧互连层22的侧表面22a被倾斜以符合第三表面30的倾斜度。
图27是发光模块的示意性截面图，该发光模块具有该实施例的发光器件10f安装在安装基板100上的构造。
以第三表面30面向安装基板100的安装表面103的取向来安装发光器件10f。暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a分别经由焊料102等结合到在安装表面103中形成的焊盘101。
同样在该实施例中，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在第三表面30处，该第三表面30的平面取向不同于第一表面15a和与第一表面15a相对的一侧的第二表面。因此，获得侧视型发光器件10f和发光模块，其中光在安装表面103面向下的状态中在横向方向上发射。
此外，当第三表面30向下面向安装表面103侧时，第一表面15a倾斜地面向上，这是因为第三表面30相对于第一表面15a倾斜。换句话说，在安装表面103被取为水平表面的情况下，光倾斜向上发射。
现在将参考图28A到29B描述用于制造本实施例的发光器件10f的方法。
图28B对应于图28A的A-A截面；且图29B对应于图29A的A-A截面。
如图28A所示，可类似于第一实施例来进展各工艺，一直到形成荧光层27的工艺。
随后，使用刀片在上述图12B中所示的切块区d2的位置处切割树脂层25，刀片的例如两个宽度方向侧表面形成有锥度。由此，如图28B所示，在切块区d2之下产生沟槽55。沟槽55通过刺穿树脂层25而到达绝缘层18。沟槽55从远离绝缘层18侧起逐渐变宽。
同样在这个实施例中，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a伸出到切块区d2中。因此，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在沟槽55处。
随后，沿着切块区d2切割沟槽55上的绝缘层18和荧光层27。此外，沿着垂直于切块区d2的切块区d1切割荧光层27、绝缘层18和树脂层25。因此，如图29A和29B所示，分割成多个发光器件10f。
同样在沿着切块区d1的方向上，图29A所示的树脂层25的侧表面也可通过使用刀片切割而倾斜，刀片的两个宽度方向侧表面形成有锥度。
图30B是实施例的发光模块用作例如液晶显示装置的背光灯的特定示例的示意图。
在这里，安装在安装基板100上的发光器件10被示为选自上述实施例中的一个典型发光器件。
安装基板100设置在框架151上。因为发光器件1是侧视型，光在安装基板100面向下的状态中在如图中的白箭头所示的横向方向上发射。
安装基板100例如形成在延伸到页面中的矩形板构造中；且多个发光器件10安装在安装基板100的纵向方向上。
导光板201设置在发光模块旁边。导光板201相对于从发光器件10发射的光是透射的且由例如树脂材料制成。发光器件10的发光表面与导光板201的光入射表面201a相对。
反射器153设置在导光板201之下；且液晶面板202设置在导光板201之上。反射器154设置在发光器件10之上。反射器153和154相对于从发光器件10发射的光是反射的。
在横向方向上从发光器件10发射的光入射在导光板201的光入射表面201a上。从光入射表面201a进入导光板201的光在导光板201的表面方向上传播，并入射在液晶面板202上。在与液晶面板202相对的一侧从导光板201发射的光通过由反射器153反射而被引导到液晶面板202中。
图30A是使用比较示例的发光模块作为光源的背光灯的示意图。
该比较示例的发光模块的发光器件300是所谓的顶视型。换句话说，光从安装基板100的安装表面向上发射。因此，安装基板100由框架152支撑，该框架152设置成与光入射表面201a相对，以使发光器件300的发光表面与导光板201的光入射表面201a相对。
因此，具有矩形板构造的安装基板100以安装表面面向光入射表面201a的取向直立设置；且这可导致不仅导光板201的厚度而且整个背光单元的厚度的增加。
相反，在图30B所示的实施例中，不仅导光板201而且整个背光单元可以更薄，这是因为安装基板100不需要是直立的来面向导光板201的光入射表面201a。
下面描述的红荧光层、黄荧光层、绿荧光层和蓝荧光层可用作上述荧光层。
红荧光层可包含例如CaAlSiN3:Eu的基于氮化物的荧光粉或基于SiAlON的荧光粉。
在使用基于SiAlON的荧光粉的情况下，可使用(M1-x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1组分式（1）（其中M是除了Si和Al之外的至少一种类型的金属元素，且尤其是，M是选自Ca和Sr中的至少一项；R是光发射中心元素，且尤其是，R是Eu；且x、a1、b1、c1和d1满足下面的关系：x大于0且小于等于1，a1大于0.6且小于0.95，b1大于2且小于3.9，c1大于0.25且小于0.45，以及d1大于4且小于5.7）。
通过使用组分式（1）的基于SiAlON的荧光粉，可提高波长转换效率的温度特性；且可进一步增加高电流密度区中的效率。
黄荧光层可包含例如(Sr,Ca,Ba)2SiO4:Eu的基于硅酸盐的荧光粉。
绿荧光层可包含例如(Ba,Ca,Mg)10(PO4)6C12:Eu的基于硅酸盐的荧光粉或基于SiAlON的荧光粉。
在使用基于SiAlON的荧光粉的情况下，可使用(M1-x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2组分式（2）（其中M是除了Si和Al之外的至少一种类型的金属元素，且尤其是，M是选自Ca和Sr中的至少一项；R是光发射中心元素，且尤其是，R是Eu；且x、a2、b2、c2和d2满足下面的关系：x大于0且小于等于1，a2大于0.93且小于1.3，b2大于4.0且小于5.8，c2大于0.6且小于1，以及d2大于6且小于11）。
通过使用组分式（2）的基于SiAlON的荧光粉，可提高波长转换效率的温度特性；且高电流密度区中的效率可进一步增加。
蓝荧光层可包含例如BaMgAl10O17:Eu的基于氧化物的荧光粉。
虽然已描述了特定的实施例，然而这些实施例仅通过示例的方式来提出，而并不旨在限制本发明的范围。事实上，本文描述的新颖的实施例可通过各种其它的方式来实现；而且，可以以本文描述的实施例形式做出各种省略、代替和改变而不背离本发明的精神。所附权利要求及其等同体旨在覆盖将落入本发明的范围和精神的这样的形式和修改。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
半导体层，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及发光层；
p侧电极，其设置在所述第二表面上的包括所述发光层的区域中；
n侧电极，其设置在所述第二表面上的不包括所述发光层的区域中；
第一绝缘层，其设置在所述第二表面侧上，所述第一绝缘层具有与所述p侧电极连通的第一通孔和与所述n侧电极连通的第二通孔；
p侧互连层，其包括第一p侧互连层和第二p侧互连层，所述第一p侧互连层穿过所述第一通孔电连接到所述p侧电极，所述第二p侧互连层电连接到所述第一p侧互连层并设置在互连表面上，所述互连表面设置在所述第一绝缘层的与所述半导体层相对的一侧上，所述第二p侧互连层包括具有垂直于所述第一表面的L形截面的部分；
n侧互连层，其包括第一n侧互连层和第二n侧互连层，所述第一n侧互连层穿过所述第二通孔电连接到所述n侧电极，所述第二n侧互连层电连接到所述第一n侧互连层、与所述p侧互连层分离开并设置在所述互连表面上，所述第二n侧互连层包括具有垂直于所述第一表面的L形截面的部分；以及
第二绝缘层，其设置在所述p侧互连层与所述n侧互连层之间，
所述第二p侧互连层的具有所述L形截面的部分被配置成包括在第三表面处从所述第一绝缘层和所述第二绝缘层暴露出的p侧外部端子，所述第三表面具有不同于所述第一表面和所述第二表面的平面取向，
所述第二n侧互连层的具有所述L形截面的部分被配置成包括在所述第三表面处从所述第一绝缘层和所述第二绝缘层暴露出的n侧外部端子。
2.如权利要求1所述的器件，其中
所述第二p侧互连层在所述第二p侧互连层的具有所述L形的部分的截面处具有U形构造，以及
所述第二n侧互连层在所述第二n侧互连层的具有所述L形的部分的截面处具有U形构造。
3.如权利要求2所述的器件，还包括设置在所述第二p侧互连层的所述U形构造内部和所述第二n侧互连层的所述U形构造内部的第三绝缘层。
4.如权利要求3所述的器件，其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层是相同的树脂材料。
5.如权利要求1所述的器件，其中，在所述第三表面处暴露出的所述p侧外部端子和所述n侧外部端子之间的距离大于在所述互连表面上的所述第一p侧互连层和所述第一n侧互连层之间的距离。
6.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一p侧互连层的平面尺寸大于所述第二p侧互连层中的设置在所述第一p侧互连层上的部分的平面尺寸。
7.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一p侧互连层穿过多个所述第一通孔连接到所述p侧电极。
8.如权利要求1所述的器件，还包括设置在所述第一表面上的透明体，所述透明体对来自所述发光层的发射光是透明的。
9.如权利要求8所述的器件，其中，所述透明体包括透明树脂和分散在所述透明树脂中的荧光粉。
10.如权利要求8所述的器件，还包括设置在所述透明体的侧表面上的反射膜，所述反射膜相对于来自所述发光层的发射光是反射的。
11.如权利要求10所述的器件，其中，所述反射膜还设置在所述第一绝缘层的侧表面上。
12.如权利要求1所述的器件，其中，所述第三表面垂直于所述第一表面。
13.如权利要求1所述的器件，其中，所述第三表面不垂直于所述第一表面，且相对于所述第一表面倾斜。
14.如权利要求1所述的器件，其中
如从垂直于所述第一表面的方向来看，所述发光器件的平面构造是矩形构造，以及
所述第三表面是包括所述矩形构造的长边的表面。
15.一种发光模块，包括：
安装基板，其包括在安装表面中的焊盘；以及
如权利要求1所述的器件，其通过将所述p侧外部端子和所述n侧外部端子结合到所述焊盘而安装到所述安装表面，当所述第三表面面向下时，所述发光器件的所述第一表面配置成面向横向方向。
16.一种用于制造发光器件的方法，包括：
在堆叠体的互连表面上形成p侧互连层，所述堆叠体包括多个半导体层、p侧电极、n侧电极和第一绝缘层，所述多个半导体层由切块区分割式分离开，所述多个半导体层中的每个层包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及发光层，所述p侧电极设置在所述第二表面上的包括所述发光层的区域中，所述n侧电极设置在所述第二表面上的不包括所述发光层的区域中，所述第一绝缘层设置在所述第二表面侧上，并具有与所述p侧电极连通的第一通孔、与所述n侧电极连通的第二通孔、和形成在与所述半导体层相对的一侧上的互连表面；
在所述互连表面上形成与所述p侧互连层分离的n侧互连层；
在所述p侧互连层和所述n侧互连层之间形成第二绝缘层；以及
通过切割所述切块区的区域在第三表面处暴露出所述p侧互连层的一部分和所述n侧互连层的一部分，所述第三表面的平面取向不同于所述第一表面和所述第二表面，所述切块区的切割的区域包括所述第二绝缘层、所述p侧互连层的一部分和所述n侧互连层的一部分，
所述p侧互连层的形成包括：
在所述第一通孔内部和在所述互连表面上形成第一p侧互连层；以及
在所述第一p侧互连层上以凹进构造形成第二p侧互连层，
所述n侧互连层的形成包括：
在所述第二通孔内部和在所述互连表面上形成第一n侧互连层；以及
在所述第一n侧互连层上以凹进构造形成第二n侧互连层。
17.如权利要求16所述的方法，还包括将第三绝缘层填充在所述第二p侧互连层内部和所述第二n侧互连层内部。
18.如权利要求16所述的方法，其中，所述p侧互连层的一部分和所述n侧互连层的一部分形成为伸出到在沿着所述第三表面的方向上延伸的所述切块区上。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述p侧互连层和所述n侧互连层的伸出部分形成于在沿着所述第三表面的方向上延伸的所述切块区的两个宽度方向侧上。
20.如权利要求19所述的方法，还包括将第三绝缘层填充在所述第二p侧互连层内部和所述第二n侧互连层内部。
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