CN103403890B - 发光器件、发光模块以及用于制造发光器件的方法 - Google Patents

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Abstract

根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。

Description

发光器件、发光模块以及用于制造发光器件的方法
技术领域
本发明的实施例涉及发光器件、发光模块和用于制造发光器件的方法。
背景技术
能够发射可见光或白光的半导体发光器件的应用扩展到照明装置、液晶显示装置的背光源、显示装置等。在这样的应用中缩小尺寸的需要日益增加。且存在进一步增加大量生产的适用性以及降低半导体发光器件的价格的需要。
引用列表
专利文献
PTL1：JP-A2010-141176
发明内容
技术问题
提供缩小尺寸的且低造价的发光器件、发光模块以及用于制造发光器件的方法。
解决方案
根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层、p侧互连层、n侧互连层和第二绝缘层。半导体层包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。第一绝缘层设置在第二表面侧。第一绝缘层具有与p侧电极连通的第一通孔和与n侧电极连通的第二通孔。第一绝缘层具有与半导体层相对的互连表面。该p侧互连层至少设置在第一通孔内部。该p侧互连层电连接到p侧电极。该p侧互连层比p侧电极厚。该n侧互连层设置在第二通孔的内部和互连表面上，且与p侧互连层分离开。该互连表面形成在与该半导体层相对的一侧。该n侧互连层电连接到n侧电极并且比n侧电极厚，n侧互连层的一部分延伸到覆盖发光层的区域。该第二绝缘层至少设置在p侧互连层与n侧互连层之间。该第二绝缘层覆盖p侧互连层的在与p侧电极相对的侧上的表面和n侧互连层的在与n侧电极相对的侧上的表面。该p侧互连层包括在第三表面处从该第二绝缘层暴露出的p侧外部端子，该第三表面具有的平面取向不同于该第一表面的平面取向和该第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在该第三表面处从该第二绝缘层暴露出的n侧外部端子。
附图说明
图1A到1C是第一实施例的发光器件的示意图。
图2是第一实施例的发光模块的示意性截面图。
图3A到15B是示出用于制造第一实施例的发光器件的方法的示意图。
图16A和16B是第二实施例的发光器件的示意性透视图。
图17A和17B是第二实施例的发光器件的示意性截面图。
图18是第二实施例的发光模块的示意性截面图。
图19A到21B是示出用于制造第二实施例的发光器件的方法的示意图。
图22A到22C是第三实施例的发光器件的示意图。
图23是第三实施例的发光模块的示意性截面图。
图24A到29B是示出用于制造第三实施例的发光器件的方法的示意图。
图30A到30C是第四实施例的发光器件的示意图。
图31是第四实施例的发光模块的示意性截面图。
图32A到33B是示出用于制造第四实施例的发光器件的方法的示意图。
图34A是使用比较示例的发光模块的照明装置的示意图，而图34B是使用实施例的发光模块的照明装置的示意图。
图35A是第五实施例的发光器件的示意图，而图35B是第五实施例的发光模块的示意性截面图。
具体实施方式
现在下文将参照附图描述各种实施例。采用相同的附图标记来标记附图中的类似部件。在示出制造工艺的附图中示出包括多个半导体层15(芯片)的晶片的部分区域。
第一实施例
图1A是第一实施例的发光器件10a的示意性透视图。图1B是图1A的A-A截面图。图1C是图1A的B-B截面图。
发光器件10a包括半导体层15。半导体层15包括第一表面15a和与第一表面15a相对的第二表面。电极和互连层设置在第二表面侧上。光主要从与第二表面相对的第一表面15a发射到外部。
半导体层15包括第一半导体层11和第二半导体层12。第一半导体层11和第二半导体层12包括例如氮化物半导体。第一半导体层11包括例如基础缓冲层、n型层等。该n型层起到电流的横向路径的作用。第二半导体层12包括堆叠的结构，其中发光层(有源层)13插置在n型层和p型层之间。
将半导体层15的第二表面侧图案化成不均匀的构造。在第二表面侧上形成的突出部包括发光层13。p侧电极16设置在第二半导体层12的顶表面上，其为突出部的顶表面上。P侧电极16设置在包括发光层13的区域中。
没有第二半导体层12的区域设置在半导体层15的在突出部旁边的第二表面侧上；且n侧电极17设置在该区域的第一半导体层11的顶表面上。该n侧电极17设置在不包括发光层13的区域中。
在如图5B所示的半导体层15的第二表面侧上，包括发光层13的第二半导体层12的表面积大于不包括发光层13的第一半导体层11的表面积。
在如图6B所示的一个半导体层15中，设置在包括发光层13的区域中的p侧电极16所具有的表面积大于不包括发光层13的n侧电极17的表面积。因此，获得了宽广的发光区域。图6B中示出的p侧电极16和n侧电极17的布局是一个示例而并非限于此。
第一绝缘层(在下文中简称为绝缘层)18设置在半导体层15的第二表面侧上。绝缘层18覆盖半导体层15、p侧电极16和n侧电极17。也存在另一绝缘膜(例如，氧化硅膜)设置在绝缘层18和半导体层15之间的情况。绝缘层18例如是树脂，诸如具有优良的可图案化的聚酰亚胺，来用于超精细开口。可选地，无机物质(例如氧化硅、氮化硅等)可用作绝缘层18。
绝缘层18包括在与半导体层15相对一侧的互连表面18c。将p侧金属板层21和n侧金属板层22设置成在互连表面18c上彼此分离。p侧金属板层21也设置在绝缘层18中所产生的第一通孔18a的内部以到达p侧电极16，并电连接到p侧电极16。p侧金属板层21并不总是必需形成在绝缘层18上。例如，可采用如下结构，其中p侧金属板层21仅设置在p侧电极16上。
n侧金属板层22也设置在绝缘层18中所产生的第二通孔18b的内部以到达n侧电极17，并电连接到n侧电极17。
p侧金属柱23设置在p侧金属板层21的与p侧电极16相对的一侧的表面上。在实施例的p侧互连层中包括p侧金属板层21和p侧金属柱23。
n侧金属柱24设置在n侧金属板层22的与n侧电极17相对的一侧的表面上。在实施例的n侧互连层中包括n侧金属板层22和n侧金属柱24。
树脂层25被设置为在绝缘层18的互连表面18c上的第二绝缘层。树脂层25覆盖p侧金属板层21和n侧金属板层22。然而，如图1A所示，p侧金属板层21的侧表面21a与n侧金属板层22的侧表面22a是暴露的而没有被树脂层25所覆盖。
树脂层25覆盖在p侧金属柱23的与p侧金属板层21相对的一侧的端表面和n侧金属柱24的与n侧金属板层22相对的一侧的端表面。另外，树脂层25覆盖p侧金属柱23的侧表面的一部分和n侧金属柱24的侧表面的一部分。
如图1A和1C所示，p侧金属柱23的部分的侧表面在第三表面30处从树脂层25暴露出，该第三表面具有的平面取向不同于半导体层15的第一表面15a和第二表面的平面取向。该暴露的表面起到用于安装到外部安装基板的p侧外部端子23a的作用。
这里，第三表面30是基本上垂直于第一表面15a和第二表面的表面。树脂层25具有例如四个侧表面，其具有矩形构造。具有相对长边的侧表面之一为第三表面30。
n侧金属柱24的部分的侧表面在第三表面30处从树脂层25暴露出。暴露的表面起到用于安装到外部安装基板的n侧外部端子24a的作用。
而且，如图1A所示，p侧金属板层21的侧表面21a也在第三表面30处从树脂层25暴露出并起p侧外部端子的作用。相似地，n侧金属板层22的侧表面22a也在第三表面30处从树脂层25暴露出并起n侧外部端子的作用。
在图1A到1C所示的第一实施例中，采用树脂层25覆盖了p侧金属柱23的除了暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a之外的部分。而且，采用树脂层25覆盖了n侧金属柱24的除了暴露在第三表面30处的n侧外部端子24a之外的部分。本实施例的结构是一个示例；并且p侧金属柱23和n侧金属柱24的部分可以暴露在除了第三表面30之外的某个地方。
在图1A到1C所示的第一实施例中，采用树脂层25覆盖了p侧金属板层21的除了暴露在第三表面30处的侧表面21a之外的部分。而且，采用树脂层25覆盖了n侧金属板层22的除了暴露在第三表面30处的侧表面22a之外的部分。本实施例的结构是一个示例；并且p侧金属板层21和n侧金属板层22的部分可以暴露在除了第三表面30之外的某个地方。
p侧金属板层21的暴露在第三表面30处的侧表面21a与n侧金属板层22的暴露在第三表面30处的侧表面22a之间的距离大于在绝缘层18的互连表面18c上的p侧金属板层21与n侧金属板层22(参照图8B)之间的距离。
可通过减小在绝缘层18的互连表面18c上的覆盖有树脂层25的p侧金属板层21和n侧金属板层22之间的距离来扩大p侧金属层21的表面积。p侧金属板层21的平面尺寸大于p侧金属柱23的平面尺寸。p侧金属板层21可使用诸如铜之类的低电阻金属来形成。因此，随着p侧金属板层21的表面积增加，能够以更均匀的分布将电流供应给第二半导体层12。此外，还可增加p侧金属板层21的导热率。并且还能够有效释放第二半导体层12的热量。
p侧电极16伸展至包括发光层13的区域。因此，通过经由多个第一通孔18a将p侧金属板层21与p侧电极16连接，可改善到发光层13的电流分布；且还可提高发光层13的热的散热。
p侧金属板层21的暴露在第三表面30处的侧表面21a与n侧金属板层22的暴露在第三表面30处的侧表面22a所分离的距离能够使得侧表面21a和侧表面22a在安装到安装基板时不会由于诸如焊料的结合剂而彼此短路。
在n侧金属板层22与n侧金属柱24之间的接触面积大于在n侧金属板层22与n侧电极17之间的接触面积。此外，n侧金属板层22的一部分在绝缘层18的互连表面18c上延伸到在发光层13下面延伸的位置。
由此，可从设置在不包括发光层13的窄区域中的n侧电极17经由n侧金属板层22来形成具有较宽引出的电极，同时由于发光层13形成在宽区域上而获得高亮度输出。
在p侧金属板层21与p侧金属柱23之间的接触面积大于在p侧金属板层21与p侧电极16之间的接触面积。可选地，在p侧金属板层21与p侧金属柱23之间的接触面积小于在p侧金属板层21与p侧电极16之间的接触面积。
第一半导体层11经由n侧电极17和n侧金属板层22电连接到n侧金属柱24。包括发光层13的第二半导体层12经由p侧电极16和p侧金属板层21电连接到p侧金属柱23。
p侧金属柱23比p侧金属板层21厚，并且n侧金属柱24比n侧金属板层22厚。因此，可通过p侧金属柱23、n侧金属柱24和在p侧金属柱23与n侧金属柱24之间填充的树脂层25来增加发光器件10a的机械强度，而甚至不需要支撑半导体层15的基板。
铜、金、镍、银等可用作p侧金属板层21、n侧金属板层22、p侧金属柱23和n侧金属柱24的材料。在这些材料中，当使用铜时，能够获得良好的导热率、高迁移阻力以及与绝缘材料的优良粘附力。
树脂层25加固p侧金属柱23和n侧金属柱24。可以采用树脂层25具有与安装基板的热膨胀系数相接近或相同的热膨胀系数。这样的树脂层25的示例包括环氧树脂、硅酮树脂、碳氟树脂等。
将透镜26和荧光层27设置在半导体层15的第一表面15a上作为对于从发光层13发射的光透明的透明体。透镜26设置在第一表面15a上。将荧光层27设置成覆盖透镜26。
包括上述设置在半导体层15的第二表面侧上的每个部件的堆叠体的平面尺寸基本上与荧光层27的平面尺寸相同。透镜26和荧光层27并不阻碍至发光器件10a的安装基板上的安装，这是因为透镜26和荧光层27并未突出在第三表面30侧。
荧光层27包括透明树脂和分散在透明树脂中的荧光粉。荧光层27能够吸收从发光层13发射的光并发射波长转换光。因此，发光器件10a能够发射来自发光层13的光和荧光层27的波长转换光的混合光。
例如，在发光层13是氮化物半导体且荧光粉是配置成发射黄光的黄荧光粉的情况下，白色或灯等可被获得来作为来自发光层13的蓝光和作为荧光层27的波长转换光的黄光的混合颜色。荧光层27可具有包括多种荧光粉的构造(例如，配置成发射红光的红荧光粉和配置成发射绿光的绿荧光粉)。
从发光层13发射的光主要通过穿过第一半导体层11、第一表面15a、透镜26和荧光层27行进而被发射到外部。透镜26可设置在荧光层27上。
图2是发光模块的示意性截面图，该发光模块具有上述发光器件10a安装在安装基板100上的构造。
安装在安装基板100上的发光器件10a的数量是任意的，且可以是单个或多个。多个发光器件10a可通过沿着某一方向布置而包括在线形光源中。
以使第三表面30朝向安装基板100的安装表面103的姿态(attitude)来安装发光器件10a。采用焊料102将暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a中的每个结合到形成在安装表面103上的焊盘101。互连图案也形成在安装基板100的安装表面103上。焊盘101连接到互连图案。
第三表面30基本上垂直于作为光的主发射表面的第一表面15a。因此，以使第三表面30朝向安装表面103一侧向下的姿态，将第一表面15a朝向横向方向，而不是从安装表面103朝向上。换句话说，获得所谓的侧视型发光器件10a和发光模块，其中在安装表面103为水平表面的情况下光在横向方向上发射。
p侧金属柱23的厚度和n侧金属柱24的厚度(图1B中的垂直方向的厚度)比包括半导体层15、p侧电极16、n侧电极17和绝缘层18的堆叠体的厚度厚。金属柱23和24中的每一个的长宽比(厚度与平面尺寸的比)并不限于不小于1；而其比率可以小于1。换句话说，金属柱23和24的厚度足可小于其平面尺寸。
根据本实施例，即使在半导体层15是薄的且没有基板支撑半导体层15的情况下，可以通过厚的p侧金属柱23、n侧金属柱24、和树脂层25来维持机械强度。
此外，在将发光器件10a安装在安装基板100的状态下，可以通过由p侧金属柱23和n侧金属柱24的吸收来减轻经由焊料102施加于半导体层15的应力。替代焊料102，可以使用除了焊料之外的金属或导电材料。
现在参考图3A到图14B描述用于制造实施例的发光器件10a的方法。在示出工艺的附图中示出晶片状态的部分的区域。
图3A示出了形成在基板5的主表面上的第一半导体层11和第二半导体层12的堆叠体。图3B对应于图3A的底视图。
第一半导体层11形成在基板5的主表面上。包括发光层13的第二半导体层12形成在第一半导体层11上。在第一半导体层11和第二半导体层12是例如氮化物半导体的情况下，可在蓝宝石基板上例如通过MOCVD(金属有机化学气相沉积)来执行这些的晶体生长。
例如，第一半导体层11包括基础缓冲层和n型GaN层。第二半导体层12包括发光层(有源层)13和p型GaN层。发光层13可配置成发射蓝光、紫光、蓝紫光和紫外光等。
第一半导体层11的接触基板5的表面是半导体层15的第一表面15a。第二半导体层12的表面是半导体层15的第二表面15b。
随后，如图4A和作为图4A的底视图的图4B所示，通过使用未示出的抗蚀剂的RIE(反应离子蚀刻)来在切块区d1和d2中形成沟槽。该沟槽刺穿半导体层15并到达基板5。在晶片状态的基板5上以例如晶格构造来形成切块区d1和d2。在切块区d1和d2中的沟槽也以晶格构造来形成，以将半导体层15分隔成多个芯片。
可在下述第二半导体层12的选择性去除之后或在形成电极之后执行将半导体层15分割成多个的工艺。
随后，如图5A和作为图5A的底视图的图5B所示，通过使用未示出的抗蚀剂的RIE去除第二半导体层12的一部分来暴露出第一半导体层11的一部分。第一半导体层11被暴露的区域不包括发光层13。
继续，如图6A和作为图6A的底视图的图6B所示，p侧电极16和n侧电极17形成在第二表面上。p侧电极16形成在第二半导体层12的表面上。n侧电极17形成在第一半导体层11的暴露的表面上。
通过例如溅射、气相沉积等来形成p侧电极16和n侧电极17。可首先形成p侧电极16或n侧电极17；或者p侧电极16和n侧电极17可同时由同一材料来形成。
p侧电极16包括例如银、银合金、铝、铝合金等，其相对于从发光层13发射的光是反射的。此外，包括金属保护膜的构造可用于防止p侧电极16的硫化和氧化。
此外，可通过CVD(化学气相沉积)形成例如氮化硅膜和/或氧化硅膜，作为在p侧电极16与n侧电极17之间和在发光层13的端表面(侧表面)上的钝化膜。如果必须的话，则实施用于提供半导体层与电极之间的欧姆接触的活化退火等。
随后，如图7A所示，在采用绝缘层18覆盖了在基板5的主表面上的整个暴露部分之后，通过使用例如湿蚀刻来图案化绝缘层18而在绝缘层18中选择性产生第一通孔18a和第二通孔18b。第一通孔18a到达p侧电极16。第二通孔18b到达n侧电极17。
有机材料(例如光敏聚酰亚胺、苯并环丁烯等)可用作绝缘层18。在这样的情况下，可直接对绝缘层18进行曝光和显影，而不使用抗蚀剂。可选地，无机膜(例如氮化硅膜、氧化硅膜等)可用作绝缘层18。在无机膜的情况下，在抗蚀剂被图案化之后，通过蚀刻来获得期望的构造。
随后，如图7B所示，籽晶金属19形成在绝缘层18的互连表面18c上，该互连表面18c是与半导体层15相对的一侧的表面。籽晶金属19也形成在第一通孔18a的内壁和底部上以及在第二通孔18b的内壁和底部上。
可以使用例如溅射来形成籽晶金属19。籽晶金属19包括例如从绝缘层18侧起按顺序堆叠的钛(Ti)和铜(Cu)的堆叠膜。
随后，如图7C所示，将抗蚀剂41选择性地形成在籽晶金属19上；并且使用籽晶金属19作为电流路径来执行Cu电镀。
因此，如图8A和作为图8A的底视图的图8B所示，将p侧金属板层21和n侧金属板层22选择性地形成在绝缘层18的互连表面18c上。p侧金属板层21和n侧金属板层22由例如通过电镀同时形成的铜材料来制成。
p侧金属板层21也形成在第一通孔18a内部并经由籽晶金属19电连接到p侧电极16。n侧金属板层22也形成在第二通孔18b内部并经由籽晶金属19电连接到n侧电极17。
此处，切块区d2在沿上述暴露于第三表面处的p侧镀层21的侧表面21a和n侧金属板层22的侧表面22a的方向(图8B的横向)上延伸。此外，侧表面21a和侧表面22a伸出到切块区d2上。
图8B的单点划线e1和e2分别示出切块刀片的两个边缘。
在p侧金属板层21中的在n侧金属板层22侧且在侧表面21a侧的部分中产生凹口21b。凹口21b存在于侧表面21a与侧表面22a之间。因此，在切块之后暴露于外部的侧表面21a和侧表面22a之间的间隔距离可以是足以避免当安装时由于焊料等短路的距离。
在未产生凹口21b的部分中，可以将p侧金属板层21接近n侧金属板层22一直到工艺极限；且可扩大p侧金属板层21的表面积。作为结果，可通过多个第一通孔18a将p侧金属板层21和p侧电极16连接；且可改善电流分布和散热。
侧表面21a和侧表面22a存在于切块区d2的两个宽度方向侧上，而不存在均朝着切块区d2的一个宽度方向侧偏置。换句话说，每个作为金属的侧表面21a和侧表面22a不存在朝着切块刀片的一个宽度方向边缘侧的偏置。因此，可抑制由于在切块期间切块刀片在一个宽度方向边缘上的过度负荷而导致出现的阻碍、损坏等。
虽然如在切块区d2在图8B中延伸的方向观看的那样，存在于边缘e1侧的侧表面21a和侧表面22a与存在于边缘e2侧的侧表面21a和侧表面22a交替布置，但并不限于这样的布局。侧表面21a和侧表面22a只要不存在朝着选自边缘e1和边缘e2中的一个边缘侧偏置就足够了。
使用溶剂或氧等离子体来去除针对p侧金属板层21和n侧金属板层22的电镀而使用的抗蚀剂41(图9A)。
随后，如图9B所示，形成用于形成金属柱的抗蚀剂42。抗蚀剂42比上述抗蚀剂41厚。可以保留先前工艺中的抗蚀剂41而不被去除；且可形成抗蚀剂42以覆盖抗蚀剂41。
继续，使用抗蚀剂42作为掩膜，使用籽晶金属19作为电流路径来执行Cu电镀。由此，如图10A和作为图10A的底视图的图10B所示，形成p侧金属柱23和n侧金属柱24。
将p侧金属柱23形成在抗蚀剂42中产生的开口42a内部并在p侧金属板层21的表面上。将n侧金属柱24形成在抗蚀剂42中产生的开口42b内部并在n侧金属板层22的表面上。P侧金属柱23和n侧金属柱24由通过电镀同时形成的例如铜材料制成。
在切块之后暴露于上述第三表面处的p侧金属柱23的p侧外部端子23a和n侧金属柱24的n侧外部端子24a伸出到在沿第三表面的方向上延伸的切块区d2上。
图10B的单点划线e1和e2分别示出切块刀片的两个边缘。
p侧外部端子23a和n侧外部端子24a存在于切块区d2的两个宽度方向侧上，而并不存在均朝着切块区d2的一个宽度方向侧的偏置。换句话说，每个作为金属的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a不存在朝着切块刀片的一个宽度方向边缘侧的偏置。因此，可抑制由于在切块期间切块刀片在一个宽度方向边缘上的过度负荷而导致出现的阻碍、损坏等。
虽然如在切块区d2在图10B中延伸的方向观看的那样，存在于边缘e1侧的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a与存在于边缘e2侧的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a交替布置，但并不限于这样的布局。p侧外部端子23a和n侧外部端子24a只要不存在朝着选自边缘e1和边缘e2中的一个边缘侧偏置就足够了。
随后，使用例如溶剂或氧等离子体(图11A)去除抗蚀剂42。随后，通过湿蚀刻使用p侧金属柱23、n侧金属柱24和p侧金属板层21的从p侧金属柱23伸出的部分作为掩模来去除籽晶金属19的暴露部分。由此，如图11B所示，在p侧金属板层21与n侧金属板层22之间经由籽晶金属19的电连接被划分开。
继续，如图12A所示，树脂层25堆叠在绝缘层18上。树脂层25覆盖p侧金属板层21、n侧金属板层22、p侧金属柱23和n侧金属柱24。
树脂层25是绝缘的。另外，树脂层25可以包含例如炭黑以使其对于从发光层发射的光是光遮蔽的。此外，树脂层25可包含粉末，其对于从发光层发射的光是反射的。
随后，如图12B所示，去除基板5。可以使用例如激光剥离来去除基板5。具体地，激光从基板5的背表面侧朝向第一半导体层11照射。激光具有相对于基板5是透射的、并处于第一半导体层11的吸收区中的波长。
当激光到达基板5与第一半导体层11之间的界面时，邻近界面的第一半导体层11通过吸收激光的能量而分解。例如，在第一半导体层11是GaN的情况下，第一半导体层11分解成镓(Ga)和氮气。通过这个分解反应在基板5和第一半导体层11之间形成微间隙；且基板5和第一半导体层11分离。
通过对每个设定的区域执行复联(multiply)来在整个晶片上执行激光的照射；且去除基板5。
因为在基板5的主表面上形成的上述堆叠体由厚树脂层25加固，所以可以甚至在没有基板5的情况下维持晶片状态。此外，树脂层25和包括在金属板层和金属柱中的金属是比半导体层15更软的材料。因此，可避免器件的毁坏，即使在当剥离基板5时在将半导体层15形成在基板5上的外延工艺中所产生的大内部应力突然被释放的情况下。
清洁半导体层15(基板5从半导体层15去除)的第一表面15a。例如，使用盐酸等来去除粘附到第一表面15a的镓(Ga)。
另外，使用例如KOH(氢氧化钾)水溶液、TMAH(氢氧化四甲铵)等蚀刻第一表面15a。由此，由于取决于晶体平面取向(图13A)的蚀刻率的差异，在第一表面15a中形成不平坦。可选地，可通过在使用抗蚀剂图案化之后执行蚀刻来在第一表面15a中形成不平坦。可通过在第一表面15a中形成不平坦来增加光提取效率。
随后，如图13B所示，在第一表面15a上形成透镜26。透镜26对从发光层发射的光是透明的；并可使用例如硅酮树脂、丙烯酸树脂、玻璃等。可使用例如灰度级掩模的蚀刻和/或刻印来形成透镜26。
继续，荧光层27形成在第一表面15a上和暴露在相互相邻的半导体层15之间绝缘层18上，以覆盖透镜26。例如，使用例如印刷、浇注、模塑、压缩模塑等方法来提供分散荧光粉颗粒的液体透明树脂，并随后对其热固化。透明树脂对从发光层发射的光和由荧光粉发射的光是透射的；并可使用诸如硅酮树脂、丙烯酸树脂、液态玻璃等材料。
随后，如图14A和14B所示，在以晶格构造形成切块区d1和d2的位置处切割荧光层27、绝缘层18和树脂层25来分割成多个发光器件10a。例如，使用切块刀片来执行切割。可选地，可使用激光照射来执行切割。
此时，对p侧金属柱23和n侧金属柱24中的伸出到在沿着第三表面30的方向上延伸的切块区d2中的部分进行切割。由此，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在第三表面30处。
类似地，对p侧金属板层21和n侧金属板层22的伸出到切块区d2中的部分进行切割(图8B)。由此，p侧金属板层21的侧表面21a和n侧金属板层22的侧表面22a也暴露在第三表面30处。
在切块时，基板5已经被去除。此外，在切块期间可避免对半导体层15的损坏，这是因为半导体层15不存在于切块区d1和d2中。此外，在分割之后，获得以下结构，其中通过利用树脂覆盖来保护半导体层15的端部(侧表面)。
分割的发光器件10a可具有包括一个半导体层15的单芯片结构或包括多个半导体层15的多芯片结构。
因为直到切块之前的上述每个工艺可在晶片状态中共同执行，所以不必对每个分割的单个器件执行互连和封装；且能够大大地减少生产成本。换句话说，互连和封装在分割状态中已经完成。因此，可增加生产率；且作为结果，可易于降低价格。
如在图15A中所示的发光器件10b中的那样，可使用透镜未设置在第一表面15a侧的结构。
另外，如在图15B中所示的发光器件10c中的那样，基板5可薄薄地保留在第一表面15a上。例如，可使用用于对半导体晶片背面抛光的研磨机等来对基板5进行抛光。
基板5例如是蓝宝石基板，且对于从氮化物半导体型的发光层发射的光是透射的。因为在这样的情况下没有荧光层，具有与从发光层发射的光相同的波长的光从发光器件10c发射到外部。当然，荧光层可形成在基板5上。
通过留下基板5可以增大机械强度并具有高可靠性的结构。
当切块时，可使用切块刀片从树脂层25侧进行半切割，并随后使用激光照射来再分基板5。可选地，可使用激光照射来切割所有部分。
第二实施例
图16A是如从第二实施例的发光器件10d的第三表面30侧来看的示意性透视图。
图16B是如从发光器件10d的发光表面侧来看的示意性透视图。
图17A是图16A的A-A截面图。
图17B是图16A的B-B截面图。
该实施例的发光器件10d与第一实施例的发光器件10a的不同之处在于包括反射膜51。
反射膜51对于从发光层发射的光和由荧光粉发射的光是反射的。反射膜51是例如金属膜。反射膜51形成在荧光层27的侧表面上和绝缘层18的侧表面上。发射膜51不形成在荧光层27的与第一表面15a相对一侧的表面上。
图18是发光模块的示意性截面图，该发光模块具有该实施例的发光器件10d安装在安装基板100上的构造。
与第一实施例类似，以使第三表面30朝向安装基板100的安装表面103的姿态来安装发光器件10d。利用焊料102等将暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a中的每个结合到形成在安装表面103中的焊盘101。
第三表面30基本上垂直于第一表面15a，其为光的主发射表面。因此，以使第三表面30朝向安装表面103一侧向下的姿态，将第一表面15a朝向横向方向，而不是从安装表面103朝向上。换句话说，获得所谓的侧视型发光器件10d和发光模块，其中在安装表面103为水平表面的情况下光在横向方向上发射。
因为绝缘层18和荧光层27的侧表面覆盖有反射膜51，光通过集中在横向方向上而被发射。
现在将参考图19A到图21B描述用于制造该实施例的发光器件10d的方法。
图19A示出基板5被去除且荧光层27形成在第一表面15a上的状态。可类似于上述第一实施例的这些工艺来进展各工艺，一直到该工艺。
随后，从荧光层27侧在图19A所示的堆叠体上执行半切割。具体地，在切块区d1和d2的位置处切割荧光分层27和绝缘层18。例如，使用切块刀片或激光照射来执行切割。由此，在切块区d1和d2中产生沟槽52(图19B)。
继续，通过对暴露的表面例如执行溅射来形成反射膜51。如图20A所示，在荧光层27的上表面上以及沟槽52的底部和内壁上形成反射膜51。
例如，银、铝、金、硅、介电多层膜等可用作反射膜51。可选地，包括反射粉末的树脂可用作反射膜51。
随后，如图20B所示，通过抛光来去除在荧光层27的上表面中形成的反射膜51。例如，可使用研磨机来抛光半导体晶片背面等。可选地，可使用RIE来去除在荧光层27的上表面上形成的反射膜51。反射膜51保留在荧光层27的侧表面和绝缘层18的侧表面上。
继续，对在沟槽52以下的树脂层25进行切割(图21A和21B)。例如，使用切块刀片来执行切割。可选地，可使用激光照射来执行切割。由此，分割成多个发光器件10d。
此时也类似于第一实施例，对p侧金属柱23和n侧金属柱24中的伸出到在沿着第三表面30的方向上延伸的切块区d2中的部分进行切割。由此，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在第三表面30处。
同样在这个实施例中，切割是容易的且可增加生产率，这是因为对树脂进行切割。此外，因为未切割半导体层15，所以可避免在切块期间对半导层15的损坏。
第三实施例
图22A是第三实施例的发光器件10e的示意性透视图。图22B是图22A的A-A截面图。图22C是图22A的B-B截面图。
在该实施例的发光器件10e中，p侧金属柱23的一部分设置在第一通孔18a的内部，而不提供p侧金属板层。此外，n侧金属柱24的一部分设置在第二通孔18b的内部，而不提供n侧金属板层。
通过不提供p侧金属板层和n侧金属板层，可以减少工艺且减小成本。
图23是发光模块的示意性截面图，该发光模块具有该实施例的发光器件10e安装在安装基板100上的构造。
同样在本实施例中，以使第三表面30朝向安装基板100的安装表面103的姿态来安装发光器件10e。利用焊料102等将暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a中的每个结合到形成在安装表面103中的焊盘101。
第三表面30基本上垂直于第一表面15a，其为光的主发射表面。因此，以使第三表面30朝向安装表面103一侧向下的姿态，将第一表面15a朝向横向方向，而不是从安装表面103朝向上。换句话说，获得所谓的侧视型发光器件10e和发光模块，其中在安装表面103为水平表面的情况下光在横向方向上发射。
现在将参考图24A到图29B描述用于制造该实施例的发光器件10e的方法。
如图24A所示，可类似于第一实施例的那些工艺来进展各工艺，直到形成籽晶金属19的工艺。
随后，如图24B所示，可选地在籽晶金属19上形成抗蚀剂42；并且使用籽晶金属19作为电流路径来执行Cu电镀。
由此，如图25A和作为图25A的底视图的图25B所示，p侧金属柱23和n侧金属柱24形成在绝缘层18的互连表面18c上。
p侧金属柱23的一部分也形成在第一通孔18a的内部并经由籽晶金属19电连接到p侧电极16。n侧金属柱24的一部分也形成在第二通孔18b的内部并经由籽晶金属19电连接到n侧电极17。
同样在该示例中，在切块之后暴露在第三表面处的p侧金属柱23的p侧外部端子23a和n侧金属柱24的n侧外部端子24a伸出到沿第三表面的方向延伸的切块区d2中。
随后，使用例如溶剂或氧等离子体(图26A)去除抗蚀剂42。随后，通过湿蚀刻使用p侧金属柱23和n侧金属柱24作为掩模来去除籽晶金属19的暴露部分。因而，如图26B所示，p侧金属柱23和n侧金属柱24之间经由籽晶金属19的电连接被破坏。
继续，如图27A所示，树脂层25堆叠在绝缘层18上。树脂层25覆盖p侧金属柱23和n侧金属柱24。
随后，如图27B所示，去除基板5。使用例如激光剥离来去除基板5。
继续，在清洁第一表面15a之后，通过使用例如KOH(氢氧化钾)水溶液、TMAH(氢氧化四甲铵)等蚀刻第一表面15a而在第一表面15a中形成不平坦(图28A)。
随后，如图28B所示，在第一表面15a上形成透镜26。另外，将荧光层27形成在第一表面15a上和暴露在相互相邻的半导体层15之间的绝缘层18上，以覆盖透镜26。
继续，如图29A和29B所示，在以晶格构造形成的切块区d1和d2的位置处对荧光层27、绝缘层18和树脂层25进行切割，以分割成多个发光器件10e。
此时，对p侧金属柱23和n侧金属柱24中的伸出到在沿着第三表面30的方向上延伸的切块区d2中的部分进行切割。由此，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在第三表面30处。
第四实施例
图30A是第四实施例的发光器件10f的示意性透视图。图30B是图30A的A-A截面图。图30C是图30A的B-B截面图。
相对于第一表面15a，本实施例的发光器件10f的第三表面30既不垂直于也不平行，而是倾斜的。
在与图30A的B-B截面相对应的图30C的截面中，将第三表面30倾斜，以使得树脂层25的外形具有倒置的梯形构造。
将暴露在第三表面30处的p侧金属柱23的p侧外部端子23a、n侧金属柱24的n侧外部端子24a、p侧金属板层21的侧表面21a和n侧金属板层22的侧表面22a沿着第三表面30的倾斜度来倾斜。
图31是发光模块的示意性截面图，该发光模块具有该实施例的发光器件10f安装在安装基板100上的构造。
以使第三表面30朝向安装基板100的安装表面103的姿态来安装发光器件10f。利用焊料102等将暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a中的每个结合到形成在安装表面103中的焊盘101。
同样在该实施例中，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在第三表面30处，该第三表面30的平面取向不同于第一表面15a和与第一表面15a相对的第二表面的平面取向。因此，获得侧视型发光器件10f和发光模块，其中在安装表面向下的状态中光在横向方向上发射。
此外，以使第三表面30朝向安装表面103一侧向下的姿态将第一表面15a倾斜向上，这是因为第三表面30相对于第一表面15a是倾斜的。换句话说，在安装表面103是水平表面的情况下，光倾斜向上发射。
现在将参考图32A到图33B描述用于制造本实施例的发光器件10f的方法。
图32B对应于图32A的A-A截面；且图33B对应于图33A的A-A截面。
如图32A所示，可类似于第一实施例的那些工艺来进展各工艺，一直到形成荧光层27的工艺。
随后，使用例如两个宽度方向侧表面形成有锥度的刀片在上述图10B中所示的切块区d2的位置处切割树脂层25。由此，如图32B所示，在切块区d2之下产生沟槽55。沟槽55通过刺穿树脂层25而到达绝缘层18。沟槽55从远离绝缘层18侧起逐渐变宽。
同样在这个实施例中，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a伸出到切块区d2中。因此，p侧外部端子23a和n侧外部端子24a暴露在沟槽55处。
随后，沿着切块区d2切割沟槽55上的绝缘层18和荧光层27。此外，沿着垂直于切块区d2的切块区d1切割荧光层27、绝缘层18和树脂层25。因此，如图33A和33B所示，分割成多个发光器件10f。
同样在沿着树脂层25的切块区d1的方向上，也可通过使用两个宽度方向侧表面形成有锥度的刀片进行切块来使图33A所示的树脂层25的侧表面倾斜。
第五实施例
图35A是第五实施例的发光器件的示意性透视图。
图35B是具有安装在安装基板100上发光器件的构造的发光模块的示意性截面图。
在本实施例中，与p侧金属柱23的p侧外部端子23a和n侧金属柱24的n侧外部端子24a不同的表面23b和表面24b在晶片状态下暴露出。表面23b和表面24b暴露在表面60处，该表面60不同于朝向安装基板100的安装表面103的第三表面30。表面60是与发光表面相对的一侧的表面。
在晶片状态下，发光面对应于晶片的一个表面；并且表面60对应于另一个表面。因此，表面60在晶片状态下暴露出，该表面60不同于在切块之后暴露出的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a。通过暴露在表面60处的p侧金属柱23的部分的表面23b和n侧金属柱24的部分的表面24b，表面23b和24b可以作为晶片级测量端子来使用。
换句话说，通过将测量探针与具有相互不同极性的表面23b和24b相接触并通过提供电流，该发光器件可以发射光，并可执行各种检测。在易于处理的晶片级中执行检测。
在完成检测之后，采用图35B所示的绝缘膜(例如，树脂)71来覆盖表面23b和24b。可以在晶片状态下共同形成绝缘膜71。
随后，如图35B所示，以使第三表面30朝向安装基板100的安装表面103的姿态来安装本实施例的分割的发光器件。利用焊料102等将暴露在第三表面30处的p侧外部端子23a和n侧外部端子24a中的每个结合到形成在安装表面103中的焊盘101。
在安装时，上述表面23b和24b采用绝缘膜71来覆盖并且未暴露出。因此，可以防止在表面23b和24b上浸润(wetting)焊料。作为结果，可以防止由于焊料的浸润而导致的安装缺陷，例如，发光器件的倾斜以及使发光表面上升至朝向上。
图34B是实施例的发光模块用作例如液晶显示装置的背光灯的特定示例的示意图。
这里，安装在安装基板100上的发光器件10被示为上述实施例中的一个典型发光器件。
安装基板100设置在框架151上。因为发光器件10是侧视型，在安装基板100向下的状态中光在如图中的白箭头所示的横向方向上发射。
以例如延伸到页面中的矩形板构造来形成安装基板100；且将多个发光器件10安装在矩形板的纵向方向上。
导光板201设置在发光模块旁边。导光板201对于从发光器件10发射的光是透射的，且由例如树脂材料制成。发光器件10的发光表面面向导光板201的光入射表面201a。
反射器153设置在导光板201之下；且液晶面板202设置在导光板201之上。此外，反射器154设置在发光器件10之上。反射器153和154相对于从发光器件10发射的光是反射的。
在横向方向上从发光器件10发射的光入射在导光板201的光入射表面201a上。从光入射表面201a入射在导光板201上的光在导光板201的表面方向上传播，并入射在液晶面板202上。从液晶面板202相对侧发射的来自导光板201的光由反射器153反射并被引导到液晶面板202中。
此处，图34A是使用比较示例的发光模块作为光源的背光灯的示意图。
该比较示例的发光模块的发光器件300是所谓的顶视型。换句话说，光从安装基板100的安装表面向上发射。因此，安装基板100由框架152支撑，该框架152设置成与光入射表面201a相对，以使发光器件300的发光表面与导光板201的光入射表面201a相对。
因此，具有矩形板构造的安装基板100以使安装表面朝向光入射表面201a的姿态直立设置；且这可导致不仅导光板201的厚度而且整个背光单元的厚度的增加。
相反，在图34B所示的实施例中，由于安装基板100不需要为了朝向导光板201的光入射表面201a而直立着，因此不仅导光板201而且整个背光单元可以更薄。
下述红荧光层、黄荧光层、绿荧光层和蓝荧光层可用作上述荧光层。
红荧光层可包含例如CaAlSiN3:Eu的基于氮化物的荧光粉或基于SiAlON的荧光粉。
在使用基于SiAlON的荧光粉的情况下，可使用(M1-x,Rx)alAlSib1Oc1Nd1组分式(1)(其中M是除了Si和Al之外的至少一种类型的金属元素，且期望M是选自Ca和Sr中的至少一项；R是光发射中心元素，且期望R是Eu；且x、a1、b1、c1和d1满足下面的关系：x大于0且小于等于1，a1大于0.6且小于0.95，b1大于2且小于3.9，c1大于0.25且小于0.45，以及d1大于4且小于5.7)。
通过使用组分式(1)的基于SiAlON的荧光粉，可提高波长转换效率的温度特性；且可进一步增加高电流密度区中的效率。
黄荧光层可包含例如(Sr,Ca,Ba)2SiO4:Eu的基于硅酸盐的荧光粉。
绿荧光层可包含例如(Ba,Ca,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu的基于卤化磷酸盐的荧光粉或基于SiAlON的荧光粉。
在使用基于SiAlON的荧光粉的情况下，可使用(M1-x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2组分式(2)(其中M是除了Si和Al之外的至少一种类型的金属元素，且期望M是选自Ca和Sr中的至少一项；R是光发射中心元素，且期望R是Eu；且x、a2、b2、c2和d2满足下面的关系：x大于0且小于等于1，a2大于0.93且小于1.3，b2大于4.0且小于5.8，c2大于0.6且小于1，以及d2大于6且小于11)。
通过使用组分式(2)的基于SiAlON的荧光粉，可提高波长转换效率的温度特性；且高电流密度区中的效率可进一步增加。
蓝荧光层可包含例如BaMgAl10O17:Eu的基于氧化物的荧光粉。
虽然已描述了特定的实施例，然而这些实施例仅通过示例的方式来提出，而并不旨在限制本发明的范围。事实上，本文描述的新颖的实施例可通过各种其它的方式来实现；而且，可以以本文描述的实施例形式做出各种省略、代替和改变而不背离本发明的精神。所附权利要求及其等同体旨在覆盖将落入本发明的范围和精神的这样的形式和修改。

Claims (19)

1.一种发光器件，包括：
半导体层，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及发光层；
p侧电极，其设置在所述第二表面上的包括所述发光层的区域中；
n侧电极，其设置在所述第二表面上的不包括所述发光层的区域中；
第一绝缘层，其设置在所述第二表面侧，所述第一绝缘层具有与所述p侧电极连通的第一通孔和与所述n侧电极连通的第二通孔；
p侧互连层，其至少设置在所述第一通孔内部，所述p侧互连层电连接到所述p侧电极，所述p侧互连层比所述p侧电极厚；
n侧互连层，其设置在所述第二通孔的内部和所述第一绝缘层的互连表面上，且与所述p侧互连层分离开；所述互连表面与所述半导体层相对，所述n侧互连层电连接到所述n侧电极并且比所述n侧电极厚，所述n侧互连层的一部分延伸到覆盖所述发光层的区域；以及
第二绝缘层，其至少设置在所述p侧互连层与所述n侧互连层之间，
所述第二绝缘层覆盖所述p侧互连层的在与所述p侧电极相对的侧上的表面和所述n侧互连层的在与所述n侧电极相对的侧上的表面，
所述p侧互连层包括在第三表面处从所述第二绝缘层暴露出的p侧外部端子，所述第三表面具有的平面取向不同于所述第一表面的平面取向和所述第二表面的平面取向，
所述n侧互连层包括在所述第三表面处从所述第二绝缘层暴露出的n侧外部端子。
2.如权利要求1所述的器件，其中
所述p侧互连层包括p侧金属板层和p侧金属柱，所述p侧金属板层至少设置在所述第一通孔内部，所述p侧金属柱设置在所述p侧金属板层的与所述互连表面相对且与所述第一通孔和所述p侧金属板层之间的接触部分相对的表面上，并且
所述n侧互连层包括n侧金属板层和n侧金属柱，所述n侧金属板层设置在所述第二通孔的内部和所述互连表面上，所述n侧金属柱设置在所述n侧金属板层的与所述互连表面相对且与所述第二通孔和所述n侧金属板层之间的接触部分相对的表面上。
3.如权利要求2所述的器件，其中，暴露在所述第三表面处的所述p侧外部端子与所述n侧外部端子之间的距离大于在所述互连表面上的所述p侧金属板层与所述n侧金属板层之间的距离。
4.如权利要求2所述的器件，其中，所述p侧金属板层的平面尺寸大于所述p侧金属柱的平面尺寸。
5.如权利要求2所述的器件，其中，所述第一通孔设置了多个，并且所述p侧金属板层经由所述多个第一通孔连接到所述p侧电极。
6.如权利要求2所述的器件，其中，所述p侧金属柱比所述p侧金属板层厚。
7.如权利要求1所述的器件，还包括设置在所述第一表面上的透明体，所述透明体对于从所述发光层发射的光是透明的。
8.如权利要求7所述的器件，其中，所述透明体包括透明树脂和分散在所述透明树脂中的荧光粉。
9.如权利要求7所述的器件，还包括设置在所述透明体的侧表面上的反射膜，所述反射膜对于从所述发光层发射的光是反射的。
10.如权利要求9所述的器件，其中，所述反射膜还设置在所述第一绝缘层的侧表面上。
11.如权利要求1所述的器件，其中，所述第三表面垂直于所述第一表面。
12.如权利要求1所述的器件，其中，所述第三表面相对于所述第一表面是倾斜的。
13.一种发光模块，包括：
安装基板，其包括在安装表面上的焊盘；以及
如权利要求1所述的发光器件，
所述发光器件通过将所述p侧外部端子和所述n侧外部端子结合到所述焊盘而安装到所述安装表面上，所述发光器件的所述第一表面以使所述第三表面朝向下的姿态而朝向横向方向。
14.一种用于制造发光器件的方法，包括：
将p侧互连层至少形成在堆叠体的第一通孔的内部，所述堆叠体包括多个半导体层、p侧电极、n侧电极、以及第一绝缘层，所述多个半导体层由切块区划分开，所述多个半导体层中的每个包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及发光层，所述p侧电极设置在所述第二表面上的包括所述发光层的区域中，所述n侧电极设置在所述第二表面上的不包括所述发光层的区域中，所述第一绝缘层设置在所述第二表面侧并具有与所述p侧电极连通的所述第一通孔、与所述n侧电极连通的第二通孔、以及与所述半导体层相对的互连表面，所述p侧互连层比所述p侧电极厚；
在所述互连表面上和所述第二通孔内部形成与所述p侧互连层分离的n侧互连层，所述n侧互连层比所述n侧电极厚，并且所述n侧互连层的一部分延伸到覆盖所述发光层的区域；
形成第二绝缘层以覆盖所述p侧互连层和所述n侧互连层，所述p侧互连层具有在与所述p侧电极相对的侧上的表面，所述n侧互连层具有在与所述n侧电极相对的侧上的表面；以及
通过对在所述切块区的区域进行切割来将所述p侧互连层的一部分和所述n侧互连层的一部分暴露在第三表面处，所述第三表面具有的平面取向不同于所述第一表面的平面取向和所述第二表面的平面取向，所述区域包括所述第二绝缘层、所述p侧互连层的所述一部分、以及所述n侧互连层的所述一部分。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述p侧互连层的所述一部分和所述n侧互连层的所述一部分形成为伸出到在沿着所述第三表面的方向上延伸的所述切块区上。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述p侧互连层和所述n侧互连层的伸出部分存在于所述切块区的两个宽度方向侧上，所述切块区在沿着所述第三表面的方向上延伸。
17.如权利要求14所述的方法，
所述半导体层形成在基板上，
所述方法还包括：
通过在形成所述第二绝缘层之后去除所述基板来暴露所述第一表面；以及
在所暴露的第一表面上形成透明体，所述透明体对于从所述发光层发射的光是透明的。
18.如权利要求17所述的方法，还包括在所述透明体的侧表面上形成反射膜，所述反射膜对于从所述发光层发射的光是反射的。
19.如权利要求18所述的方法，其中，形成所述反射膜包括：
通过在切割所述第二绝缘层之前在所述切块区上的位置处切割所述透明体来制成沟槽，以将所述透明体划分成多个；
在所述沟槽的内壁和所述透明体的顶表面上形成所述反射膜；以及
去除形成在所述透明体的所述顶表面上的所述反射膜。
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