TWI529959B - 發光裝置，發光模組及製造發光裝置之方法 - Google Patents

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Description

發光裝置，發光模組及製造發光裝置之方法
本發明實施例係關於一種發光裝置、一種發光模組以及一種製造發光裝置的方法。
能夠發出可見光或白光之半導體發光裝置的應用，其係會延伸到發光設備、背光光源或液晶顯示設備、顯示設備等等。在此些應用中縮小尺寸的需求會越來越增加。而且，有需要進一步增加大量製造的適應性並且減少半導體發光裝置的價格。
[引用清單] [專利文獻]
[PTL 1]
JP-A 2010-141176
 [技術問題]
有提供一種縮小尺寸且低成本的發光裝置、一種發光模組以及一種製造發光裝置的方法。
[對問題的解法]
根據一種實施例，一種發光裝置包括一半導體層、一p側電極、一n側電極、一第一絕緣層、一p側互連層、一n側互連層與一第二絕緣層。半導體層包括一第一表面、相對於第一表面的一第二表面、以及一發光層。該p側電極係被設置在包括發光層之區域中的第二表面上。n側電極係被設置在不包括發光層之區域中的第二表面上。第一絕緣層係被設置在第二表面側上。第一絕緣層具有與p側電極溝通的第一通道以及與n側電極溝通的第二通道。第一絕緣層具有相對於半導體層的互連表面。p側互連層係被設置在至少第一通道裡面。p側互連層係被電性連接到p側電極。n側互連層係被設置，其係隔開第二通道裡面的p側互連層以及互連表面上。互連表面係被形成在相對於半導體層之一側上。n側互連層會被電性連接到n側電極。第二絕緣層係被至少設置於p側互連層與n側互連層之間。
p側互連層包括p側外端點，其係從在具有不同於第一表面平面定向與第二表面平面定向之平面定向之第三表面上的第二絕緣層所暴露。n側互連層包括一n側外端點，其係從在第三表面上的第二絕緣層所暴露。
種種實施例現將參考附圖而說明如下文。在該圖式中，相同的元件會被標以相同的參考數字。在顯示製造製程的圖式中，包括複數層半導體層15(晶片)之一部分晶圓的區域會被顯示。
[第一實施例]
圖1A係為第一實施例之發光裝置10a的概略透視圖。圖1B係為圖1A的A-A截面圖。圖1C係為圖1A的B-B截面圖。
發光裝置10a包括半導體層15。半導體層15包括第一表面15a以及相對於第一表面15a的第二表面。電極與互連層係被設置在第二表面側上。光線則主要地從相對於第二表面的第一表面15a發射到外面。
半導體層15包括第一半導體層11與第二半導體層12。第一半導體層11與第二半導體層12兩者均例如包括氮化物半導體。第一半導體層11例如包括底部緩衝層、n型層等等。n型層的功能如同電流的側向路徑。第二半導體層12包括一堆疊結構，其中發光層(主動層)13被夾於n型層與p型層之間。
半導體層15的第二表面側會被圖案化成不均勻架構。形成在第二表面側上的突出部分包括發光層13。p側電極16係被設置在係為突出部分之頂表面的第二半導體層12的頂表面上。p側電極16係被設置在包括發光層13的區域中。
沒有第二半導體層12的區域係被設置在該突出部分旁邊之半導體層15的第二表面側上，且n側電極17係被設置在該區域之第一半導體層11的頂表面上。n側電極17係被設置在不包括發光層13的區域中。
在如圖5B所示之半導體層15的第二表面側上，包括發光層13之第二半導體層12的表面區域會大於不包括發光層13之第一半導體層11的表面區域。
在圖6B所示之一種半導體層15中，設置在包括發光層13之區域中的p側電極16所具有的表面區域，其係會大於不包括發光層13之n側電極17者。因此則可得到寬的發光區域。在圖6B所示之p側電極16與n側電極17的布局係為一種實例，其係並且不限於此。
第一絕緣層(在下文簡單稱為絕緣層)18係被設置在半導體層15的第二表面側上。絕緣層18覆蓋半導體層15、p側電極16以及n側電極17。同樣也會有另一絕緣薄膜(例如，氧化矽薄膜)被設置在絕緣層18與半導體層15之間的情形。絕緣層18例如為樹脂，譬如具有用於超細開口之優良圖案能力的聚亞醯胺。或者，譬如氧化矽、氮化矽等等的無機物質則可被使用當作絕緣層18。
絕緣層18包括在相對於半導體層15之側上的互連表面18c。p側金屬板層21與n側金屬板層22會彼此個別隔開地被設置在互連表面18c上。p側金屬板層21同樣地被設置在製造於絕緣層18中之第一通道18a裡面，以達到p側電極16，其係並且電性連接到p側電極16。p側金屬板層21不總是一定要形成在絕緣層18上。例如，可使用一結構，其中p側金屬板層21僅僅被設置在p側電極16上。
n側金屬板層22同樣被設置在製造於絕緣層18中的第二通道18b裡面，以達到n側電極17，其係並且電性連接到n側電極17。
p側金屬柱23係被設置在相對於p側電極16之側上之p側金屬板層21的表面上。p側金屬板層21與p側金屬柱23則被包括在該實施例的p側互連層中。
n側金屬柱24係被設置在相對於n側電極17之側上之n側金屬板層21的表面上。n側金屬板層22與n側金屬柱24則被包括在該實施例的n側互連層中。
樹脂層25係被當作第二絕緣層地設置在絕緣層18的互連表面18c上。樹脂層25覆蓋p側金屬板層21與n側金屬板層22。然而，如圖1A所示，p側金屬板層21的側表面21a與n側金屬板層22的側表面22a則會被暴露，而沒有以樹脂層25來覆蓋。
樹脂層25覆蓋在相對於p側金屬板層21之側上之p側金屬柱23的末端表面以及在相對於n側金屬板層22之側上之n側金屬柱24的末端表面。進一步，樹脂層25覆蓋p側金屬柱23的一部分側表面以及n側金屬柱24的一部分側表面。
如圖1A與1C所示，一部分p側金屬柱23的側表面，其係會從在所具有平面定向不同於半導體層15之第一表面15a與第二表面者之第三表面30上的樹脂層25所暴露。該暴露表面的功能如同p側外部端點23a，以用來安裝到外部安裝基板。
在此，第三表面30係為實質垂直第一表面15a與第二表面的一表面。樹脂層25例如具有四側表面，其係具有矩形態樣。其中一個具有相對長側的側表面係為第三表面30。
一部分n側金屬柱24的側表面係從在第三表面30的樹脂層25暴露。該暴露表面的功能如同n側外部端點24a，以用來安裝到外部安裝基板。
進一步，如圖1A所示，p側金屬板層21的側表面21a同樣會從在第三表面30的樹脂層25暴露，其係並且功能如同p側外部端點。同樣地，n側金屬板層22的側表面22a同樣會從在第三表面30的樹脂層25暴露，其係並且功能如同n側外部端點。
在圖1A至1C所示的第一實施例中，除了在第三表面30所暴露之p側外部端點23a以外的該部分p側金屬柱23會被覆蓋以樹脂層25。進一步，除了在第三表面30所暴露之n側外部端點24a以外的該部分n側金屬柱24則會被覆蓋以樹脂層25。該實施例結構係為一種實例；而且p側金屬柱23與n側金屬柱24部分則可在除了第三表面30以外的某處暴露。
在圖1A至1C所示的第一實施例中，除了在第三表面30所暴露之該側表面21a以外的該部分p側金屬板層21會被覆蓋以樹脂層25。進一步，除了在第三表面30所暴露之該側表面22a以外的該部分n側金屬板層22則會被覆蓋以樹脂層25。該實施例結構係為一種實例；而且p側金屬板層21與n側金屬板層22部分則可在除了第三表面30以外的某處暴露。
在暴露於第三表面30之p側金屬板層21的側表面21a以及在暴露於第三表面30之n側金屬板層22的側表面22a之間的距離，其係大於在絕緣層18之互連表面18c上p側金屬板層21與n側金屬板層22之間的距離(參考圖8B)。
藉由減少在絕緣層18之互連表面18c上覆蓋以樹脂層25的p側金屬板層21與n側金屬板層22之間的距離，p側金屬板層21的表面區域會被擴大。p側金屬板層21的平面尺寸會大於p側金屬柱23的平面尺寸。p側金屬板層21可使用低電阻金屬來形成，譬如例如銅。因此，隨著p側金屬板層21增加，可能可用更均勻的分佈將電流供應到第二半導體層12。進一步，p側金屬板層21的熱傳導性亦會增加。而且同樣可能可有效地釋放第二半導體層12的熱能。
p側電極16延伸到包括發光層13的區域。於是，藉由經由複數個第一通道18a而來連接p側金屬板層21與p側電極16，到發光層13的電流分佈則會改善，且發光層13之熱能的熱耗散則可同樣地改善。
在第三表面30上暴露之p側金屬板層21的側表面21a以及在第三表面30上暴露之n側金屬板層22的側表面22a會相隔一距離，以致於側表面21a與側表面22a能夠藉由譬如用於安裝到安裝基板之焊料的接合材料而無法彼此縮短。
在n側金屬板層22與n側金屬柱24之間的接觸區域會大於在n側金屬板層22與n側電極17之間的接觸區域。同樣地，一部分n側金屬板層22會延伸於絕緣層18的互連表面18c上而到在發光層13以下延伸的一位置。
因此，具有較寬拔出的電極可從被設置在不包括發光層13之窄區域中的n側電極17、經由n側金屬板層22地形成，同時藉由形成在寬區域上的發光層13而來得到高光輸出。
在p側金屬板層21與p側金屬柱23之間的接觸區域會大於在p側金屬板層21與p側電極16之間的接觸區域。或者，在p側金屬板層21與p側金屬柱23之間的接觸區域會小於在p側金屬板層21與p側電極16之間的接觸區域。
第一半導體層11會經由n側電極17與n側金屬板層22而被電性連接到n側金屬柱24。包括發光層13的第二半導體層12會經由p側電極16與p側金屬板層21而電性連接到p側金屬柱23。
p側金屬柱23會比p側金屬板層21更厚，且n側金屬柱24會比n側金屬板層22更厚。因此，甚至在沒有基板支撐半導體層15之下，發光裝置10a的機械強度可藉由p側金屬柱23、n側金屬柱24以及充填於p側金屬柱23與n側金屬柱24之間的樹脂層25所增加。
銅、金、鎳、銀等等可被使用當作p側金屬板層21、n側金屬板層22、p側金屬柱23以及n側金屬柱24的材料。其中，在使用銅的情形中，良好的導熱性、高遷移阻抗以及與絕緣材料的優良黏合則可得到。
樹脂層25會加固p側金屬柱23與n側金屬柱24。它可使用樹脂層25，以具有接近或相同安裝基板的熱擴散係數。此一樹脂層25的實例包括環氧樹脂、矽氧樹脂、氟碳樹脂等等。
透鏡26與磷光體層27係被設置在半導體層15的第一表面15a上，以當作對從發光層13所發出光線透明的透明體。透鏡26係被設置在第一表面15a上。磷光體層27會被設置以覆蓋透鏡26。
包括以上所說明被設置在半導體層15之第二表面側上之每一組件之堆疊體部的平面尺寸，其係與磷光體層27的平面尺寸實質相同。因為透鏡26與磷光體層27沒有突出於第三表面30側上，所以透鏡26與磷光體層27則不會阻礙到該發光裝置10a上之安裝基板的安裝。
磷光體層27包括一透明樹脂以及散佈在該透明樹脂中的磷光體。該磷光體層27能夠吸收從發光層13所發出的光線並且發出一波長轉換光線。因此，發光裝置10a能夠發出來自發光層13之光線與磷光體層27之波長轉換光線的混合光。
例如，在發光層13為氮化物半導體且磷光體為被架構以發出黃光的黃色磷光體的情形中，白光或燈泡等等可以來自發光層13之藍光以及為磷光體層27之波長轉換光線之黃光的混合顏色所得到。磷光體層27具有一架構，其係包括複數種磷光體(例如，被架構以發紅光的紅色磷光體與被架構以發綠光的綠色磷光體)。
從發光層13發出的光線可藉由主要行經第一半導體層11、第一表面15a、透鏡26、與磷光體層27而發射到外面。透鏡26可被設置在磷光體層27上。
圖2係為具有一架構之發光模組的概要截面圖，其中以上所說明的發光裝置10a會被安裝在安裝基板100上。
被安裝在安裝基板100上之發光裝置10a的數目係為隨意的，其係並且為單一個或複數個。複數個發光裝置10a可藉由沿著某一方向排列而被包括在線型光源中。
發光裝置10a係以第三表面30朝安裝基板100之安裝表面103而定位的一位態來安裝。在第三表面30上暴露之p側外部端點23a與n側外部端點24a的每一個，其係以銲料102而接合到被形成在安裝表面103上的襯墊101。互連圖案同樣會被形成在安裝基板100的安裝表面103上。襯墊101則會被連接到互連圖案。
第三表面30實質垂直第一表面15a，第一表面係為該光線的主要發射表面。於是，第一表面15a並沒有從安裝表面103向上但卻在側方向上以一態樣來定位，其中第三表面30係朝安裝表面103側向下地定位。換句話說，可得到所謂的側視型發光裝置10a與發光模組，其中在安裝表面103是水平表面的情形中，光線會在側向方向中發出。
p側金屬柱23的厚度與n側金屬柱24的厚度(在圖B垂直方向上的厚度)，其係會比包括半導體層15、p側電極16、n側電極17與絕緣層18之堆疊體的厚度更厚。金屬柱23與24之每一個的縱橫比(厚度對平面尺寸的比率)不限於小於1；且其比率會小於1。換句話說，金屬柱23與24的厚度會充分地小於其平面尺寸。
根據該實施例，可能可藉由p側金屬柱23、n側金屬柱24、以及甚至在半導體層15薄且沒有任何基板支撐半導體層15之情形下的厚樹脂層25來維持機械強度。
進一步，在發光裝置10a被安裝到安裝基板100的狀態中，經由銲料102而施加到半導體層15的應力則可藉由p側金屬柱23與n側金屬柱24的吸收來減緩。除了銲料以外的金屬或導電材料則可被使用，以替代銲料102。
一種製造本實施例發光裝置10a的方法現將參考圖3A至圖14B來說明。在顯示該製程的圖式中，一部分晶圓狀態的區域會被顯示。
圖3A顯示形成在基板5之主表面上之第一半導體層11與第二半導體層12的堆疊體。圖3B對應圖3A的底部圖。
第一半導體層11會被形成在基板5的主表面上。包括發光層13的第二半導體層12係被形成在第一半導體層11。在第一半導體層11與第二半導體層12例如是氮化物的情形中，這些的晶體生長可例如藉由在藍寶石基板上的MOCVD(金屬有機化學蒸汽沈積)所進行。
例如，第一半導體層11包括基部緩衝物層與n型氮化鎵層。第二半導體層12包括發光層(主動層)13與p型氮化鎵層。發光層13可被架構以發出藍、紫、藍紫與紫外光等等。
接觸基板5之第一半導體層11的表面係為半導體層15的第一表面15a。第二半導體層12的表面係為半導體層15的第二表面15b。
然後，藉由使用沒顯示電阻的RIE(反應性離子蝕刻)，溝渠會被形成在如圖4A以及為圖4A之底部視圖之圖4B所示的切片區域d1與d2中。該溝渠可穿透半導體層15並且延伸到基板5。切片區域d1與d2例如會被形成在晶圓狀態中之基板5上的晶格架構。在切片區域d1與d2中的溝渠同樣可被形成在晶格架構中，以將半導體層15分成複數個晶片。
將半導體層15分成複數個的製程，其係可在以下所說明之第二半導體層12的選擇性移除以後或者形成電極以後來進行。
然後，藉由使用沒顯示電阻的RIE(反應性離子蝕刻)，一部分第一半導體層11可藉由移除如圖5A以及為圖5A底部視圖之圖5B所示的一部分第二半導體層12來暴露。第一半導體層11會被暴露的區域不包括發光層13。
連續地，如圖6A以及為圖6A底部視圖之圖6B所示，p側電極16與n側電極17係被形成在第二表面上。P側電極16係被形成在第二半導體層12的表面上。n側電極17係被形成在第一半導體層11的暴露表面上。
p側電極16與n側電極17可例如藉由濺射、蒸汽沈積等等來形成。p側電極16或n側電極17可被首先形成；或者p側電極16或n側電極17可同時從相同材料形成。
p側電極16例如包括銀、銀合金、鋁、鋁合金等等，其係相關於從發光層13所發出的光線而言為反射性。同樣地，可使用一架構，其係包括一金屬保護薄膜，以避免p側電極16的硫化與氧化。
進一步，例如氮化矽薄膜與/或氧化矽薄膜，其係可藉由CVD(化學蒸汽沈積)而被當作鈍化薄膜地形成在p側電極16與n側電極17之間以及在發光層13的末端表面(側表面)上。假如必要的話，可實施活性化退火等等，以提供歐姆接觸於半導體層與電極之間。
然後，如圖7A所示，在以絕緣層18來覆蓋基板5之主表面上的整個暴露部分以後，第一通道18a與第二通道18b可藉由使用例如濕式蝕刻來圖案化該絕緣層18而被選擇性地製造於絕緣層18中。第一通道18a會延伸到p側電極16。第二通道18b則會延伸到n側電極17。
有機材料，譬如例如光敏聚亞醯胺、苯并環丁烯等等可被使用當作絕緣層18。在此一情形中，可能可不需要使用光阻而直接暴露並將該絕緣層18顯影。或者，無機薄膜，譬如氮化矽薄膜、氧化矽薄膜等等則可被使用當作絕緣層18。在無機薄膜的情形中，希望的架構可藉由將光阻圖案化以後蝕刻來得到。
然後，如圖7B所示，晶種金屬19係被形成在絕緣層18的互連表面18c上，該表面係為在相對於半導體層15之側上的表面。晶種金屬19亦可同樣地形成在第一通道18a的內壁與底部分上以及第二通道18b的內壁與底部分上。
晶種金屬19可例如使用濺射來形成。晶種金屬19例如包括從該絕緣層18側按順序堆疊的鈦(Ti)與銅(Cu)堆疊薄膜。
然後，如圖7C所示，光阻41係被選擇性形成在晶種金屬19上；且銅電鍍則可使用晶種金屬19當作電流路徑來進行。
因此，如圖8A以及為圖8A底部視圖的圖8B所示，p側金屬板層21與n側金屬板層22可被選擇性地形成在絕緣層18的互連表面18c上。p側金屬板層21與n側金屬板層22，其係例如由同時藉由電鍍所形成的銅材料所製成。
p側金屬板層21同樣地被形成在第一通道18a裡面並且經由晶種金屬19而被電性連接到p側電極16。n側金屬板層22同樣地被形成在第二通道18b裡面並且經由晶種金屬19而被電性連接到n側電極17。
在此，切片區域d2會沿著在以上所說明之第三表面上所暴露的p側金屬板層21之側表面21a與n側金屬板層22之側表面22a的一方向(圖8B的側向方向)來延伸。同樣地，側表面21a與側表面22a則會凸出到切片區域d2。
圖8B的單一點劃線e1與e2會各別顯示切片刀片的兩邊緣。
凹痕21b係被產生於一部分p側金屬板層21，其係在n側金屬板層22側上與側表面21a側上。凹痕21b存在於側表面21a與側表面22a之間。因此，在切片以後被暴露到外面之側表面21a與側表面22a之間的分隔距離，其係為當安裝時足以避免起因於銲料等等短路的距離。
在凹痕21b沒有產生的部分中，p側金屬板層21會接近n側金屬板層22，直到製程極限為止；且p側金屬板層21的表面區域則會很寬。結果，p側金屬板層21與p側電極16可經由複數個第一通道18a來連接；而且該電流分佈與該熱耗散則可改善。
側表面21a與側表面22a存在於切片區域d2的兩寬度方向側上，而無需以偏向切片區域d2之一寬度方向側來存在。換句話說，每一個皆為金屬的側表面21a與側表面22a，其係並沒有以偏向該切片刀片之一寬度方向邊緣之側來存在。因此，在切片期間內，起因於在該切片刀片之一寬度方向邊緣上超過負載所出現的阻塞、損壞等等可被抑制。
雖然存在於邊緣e1側上的側表面21a與側表面22a以及存在於邊緣e2側上的側表面21a與側表面22a，其係會以在圖8B中該切片區域d2所延伸之方向上所觀看到地交替地排列，這並不限於此一佈局。其係足以使側表面21a與側表面22a不會以偏向從邊緣e1與邊緣e2中所選出其中一者之邊側而來存在。
使用於p側金屬板層21與n側金屬板層22之電鍍的光阻41，其係可使用溶劑或氧氣電漿來移除(圖9A)。
然後，如圖9B所示，用來形成金屬柱的光阻42會被形成。光阻42會比在以上所說明之光阻41更厚。先前製程的光阻41可剩下而無需被移除；而且光阻42可被形成以重疊光阻41。
連續地，使用光阻42為一遮罩，銅電鍍可使用晶種金屬19為電流路徑來進行。因此，如圖10A與為圖10A底部視圖的圖10B所示，p側金屬柱23與n側金屬柱24會被形成。
p側金屬柱23會被形成在製造於光阻42中的開口42a裡面以及p側金屬板層21的表面上。n側金屬柱24會被形成在製造於光阻42中的開口42b裡面以及n側金屬板層22的表面上。p側金屬柱23以及n側金屬柱24係例如由電鍍所同時形成的銅材料所製造。
在切片以後被暴露在以上所說明第三表面上之p側金屬柱23的p側外部端點23a與n側金屬柱24的n側外部端點24a，其係會凸出到沿著第三表面之方向上所延伸的切片區域d2上。
圖10B的單一點劃線e1與e2會各別顯示切片刀片的兩邊緣。
p側外部端點23a與n側外部端點24a存在於切片區域d2的兩寬度方向側上，而無需以偏向切片區域d2的一寬度方向側來存在。換句話說，每一個皆為金屬的p側外部端點23a與n側外部端點24a，其係並沒有以偏向該切片刀片之一寬度方向邊緣之側來存在。因此，在切片期間內，起因於在該切片刀片之一寬度方向邊緣上超過負載所出現的阻塞、損壞等等則可被抑制。
雖然存在於邊緣e1側上的p側外部端點23a與n側外部端點24a以及存在於邊緣e2側上的p側外部端點23a與n側外部端點24a，其係會以在圖10B中該切片區域d2所延伸之方向上所觀看到地交替地排列，這並不限於此一佈局。其係足以使p側外部端點23a與n側外部端點24a不會以偏向從邊緣e1與邊緣e2中所選出其中一者之邊側而來存在。
然後，光阻42可使用例如溶劑或氧氣電漿來移除(圖11A)。隨後，晶種金屬19的暴露部分可藉由濕式蝕刻來移除，其係使用p側金屬柱23、n側金屬柱24、以及從p側金屬柱23凸出的一部分p側金屬板層21來當作光罩。因此，如圖11B所示，在經由晶種金屬19的p側金屬板層21與n側金屬板層22之間的電性連接則會被分割。
如圖12A所示地持續，樹脂層25會被堆疊在絕緣層18上。樹脂層25會覆蓋p側金屬板層21、n側金屬板層22、p側金屬柱23與n側金屬柱24。
樹脂層25係為絕緣性。進一步，樹脂層25例如包含黑碳，以產生相關於從發光層所發出光線的遮光。同樣地，樹脂層25包含粉末，其係相關於從發光層所發出光線而言為反射性。
然後，如圖12B所示，基板5會被移除。基板5可使用例如雷射剝離來移除。具體地，雷射光可從基板5之背表面側朝第一半導體層11輻射。雷射光所具有的波長相關於基板5為透射性，其係並且在第一半導體層11的吸收區域中。
當雷射光延伸到基板5與第一半導體層11之間界面時，接近該界面的第一半導體層11會藉由吸收雷射光的能量而分解。例如，在第一半導體層11為氮化鎵的情形中，第一半導體層11會分解成鎵(Ga)與氮氣體。藉由此分解反應，微間隙係被形成在基板5與第一半導體層11之間；且基板5與第一半導體層11會分開。
藉由進行每一設定區域的乘法，雷射光的輻射會在整個晶圓上進行；而且基板5會被移除。
因為以上所說明形成在基板5之主要表面上的堆疊體係由厚樹脂層25所加強，所以甚至在沒有基板5的情形下都可能可維持晶圓狀態。同樣地，包括在金屬板層與金屬柱中的樹脂層25與金屬，其係為比半導體層15更軟的材料。因此，甚至在當剝落基板5時、形成半導體層15於基板5上之外延製程中所產生的大內應力會被突然釋放的情形中，該裝置的破壞都可被避免。
將基板5自此移除之半導體層15的第一表面15a會被清潔。黏附到第一表面15a的鎵(Ga)，其係會使用例如氫氯酸等等來移除。
進一步，第一表面15a可使用例如KOH(氫氧化鉀)水溶液、TMAH(氫氧化四甲銨)等等來蝕刻。因此，由於依據晶面定向的蝕刻率差(圖13A)，不均勻性會被形成在第一表面15a。或者，藉由在使用光阻之圖案化以後來進行蝕刻，不均勻性會被形成在第一表面15a中。光提取效率可藉由被形成在第一表面15a中的不均勻性來增加。
然後，如圖13B所示，透鏡26係被形成在第一表面15a上。對於從發光層所發出的光線而言，透鏡26是透明的；而且，例如矽氧樹脂、丙烯樹脂、玻璃等等則可被使用。透鏡26可例如藉由使用灰階光罩與/或壓印的蝕刻來形成。
連續地，磷光體層27係被形成在第一表面15a上以及暴露於相互相鄰半導體層15之間的絕緣層18上，以覆蓋透鏡26。例如，具有散佈磷光體顆粒的液體透明樹脂則可使用譬如列印、裝填、成型、加壓成型等等之方法來施加，其係並且隨後可被熱固化。對於從發光層所發出光線以及由磷光體所發出光線而言，透明樹脂係為透射性的；而且，例如，譬如矽氧樹脂、丙烯酸樹脂、液態玻璃等等的材料均可被使用。
然後，如圖14A與14B所示，磷光體層27、絕緣層18與樹脂層25，其係會在切片區域d1與d2被形成在晶格架構以切單成複數個發光裝置10a的位置上被切割。例如，該切割可使用切片刀片來進行。或者，該切割可使用雷射輻射來進行。
同時，凸出到沿著第三表面30之方向上所延伸之切片區域d2內的p側金屬柱23與n側金屬柱24部分會被切割。因此，p側外部端點23a與n側外部端點24a則會被暴露於第三表面30上。
同樣地，凸出到切片區域d2內之p側金屬板層21與n側金屬板層22部分會被切割(圖8B)。因此，p側金屬板層21的側表面21a與n側金屬板層22的側表面22a亦可同樣地暴露於第三表面30上。
當切片時，基板5已經被移除。進一步，因為半導體層15沒有存在於切片區域d1與d2，所以在切片期間內對半導體層15造成的損害則可被避免。同樣地，可得到一架構，其中半導體層15的末端部分(側表面)係藉由在切單以後以樹脂覆蓋來保護。
該切單的發光裝置10a具有包括一半導體層15的單一晶片結構，或者包括複數層半導體層15的多重晶片結構。
沒有必要要進行每一切單各別裝置的互連與包裝，且因為以上所說明之達到切單以前的每一製程可在晶圓狀態中集體性地進行，所以大幅減少生產成本則變得有可能。換句話說，該互連與封裝則已經在切單狀態中被完成。因此，可增加產量；而且結果，價格的減少會變得容易。
一結構可被使用，其中一透鏡沒有被提供在第一表面15a側上，以做為在圖15A所示的發光裝置10b中。
進一步，基板5會薄薄地留在第一表面15a上，以當作在圖15B中所示的發光裝置10c中。例如，基板5可使用研磨器來拋光，以用來拋光半導體晶圓背表面等等。
基板5例如為藍寶石基板，其係並且對從氮化物半導體型發光層所發出的光線而言為透射性的。在此一情形中，因為沒有磷光體層，所以具有與從發光層所發出光線相同波長的光線，則會從發光裝置10c發射到外面。當然，磷光體層則可被形成在基板5上。
機械強度可被增加且具有高可靠度的結構則可藉由離開基板5而可能。
當切片時，可使用切片刀片從樹脂層25側進行半切割；且隨後，基板5可使用雷射輻射來細分。或者，全部部分可使用雷射輻射來切割。
[第二實施例]
圖16A係為從第二實施例之發光裝置10d的第三表面30觀看的概略透視圖。
圖16B係為從發光裝置10d的發光表面側觀看的概略透視圖。
圖17A係為圖16A的A-A截面圖。
圖17B係為圖16A的B-B截面圖。
該實施例的發光裝置10d係與包括反射薄膜51之第一實施例的發光裝置10a不同。
相關於從發光層發射的光線以及由磷光體所發射的光線，反射薄膜51係為反射性。反射薄膜51例如是金屬薄膜。反射薄膜51形成在磷光體層27的側表面以及絕緣層18的側表面上。反射薄膜51並沒有形成在相對於第一表面15a之側上之磷光體層27的表面上。
圖18係為具有一架構之發光模組的概略截面圖，在該架構中，該實施例的發光裝置10d係被安裝在安裝基板100上。
類似第一實施例，發光裝置10d係以第三表面30朝安裝基板100之安裝表面103而定位的一位態來安裝。在第三表面30上暴露之p側外部端點23a與n側外部端點24a的每一個，其係以銲料102等等而接合到被形成在安裝表面103中的襯墊101。
第三表面30實質垂直第一表面15a，第一表面係為該光線的主要發射表面。於是，第一表面15a並沒有從安裝表面103向上但卻在側方向上以一態樣來定位，其中第三表面30係朝安裝表面103側向下地定位。換句話說，可得到所謂的側視型發光裝置10d與發光模組，其中在安裝表面103是水平表面的情形中，光線會在側向方向中發出。
因為絕緣層18與磷光體層27的側表面覆蓋以反射薄膜51，所以光線可由集中在側方向來發射。
一種製造本實施例發光裝置10d的方法現將參考圖19A至圖21B來說明。
圖19A顯示將基板5移除並且將磷光體層27形成在第一表面15a上的狀態。該製程會類似在以上所說明之第一實施例的那些來進行，直到此製程為止。
然後，半切割切片可從磷光體27側而在圖19A所示的堆疊體部上進行。具體地，磷光體層27與絕緣層18係在切片區域d1與d2的位置上被切割。例如，切割可使用切片刀片或雷射輻射來進行。因此，溝渠52(圖19B)則可在切片區域d1與d2中產生。
持續地，反射薄膜51係例如藉由在暴露表面上進行濺射來形成。如圖20A所示，反射薄膜51形成在磷光體層27的上表面以及溝渠52的底部分與內壁上。
例如，銀、鋁、金、矽、介質多層薄膜等等可被使用當作反射薄膜51。或者，包括反射性粉末的樹脂則可被使用當作反射薄膜51。
然後，如圖20B所示，形成在磷光體層27之上表面上的反射薄膜51係藉由拋光來移除。例如，可使用用來拋光半導體晶圓背表面的研磨器。或者，形成在磷光體層27之上表面上的反射薄膜51可使用RIE來移除。反射薄膜51會留在磷光體層27的側表面以及絕緣層18的側表面上。
持續地，在溝渠52以下的樹脂層會被切割(圖21A與21B)。該切割可使用例如切片刀片來進行。或者，該切割可使用雷射輻射來進行。因此，可在複數個發光裝置10d內進行切單。
同樣在此時，類似第一實施例，凸出到沿著第三表面30之方向上所延伸之切片區域d2內的p側金屬柱23與n側金屬柱24部分會被切割。因此，p側外部端點23a與n側外部端點24a則會被暴露在第三表面30上。
同樣在實施例中，因為該樹脂被切割，所以該切片很簡單且該生產率會增加。進一步，因為半導體層15沒有被切割，所以在切片期間內對半導體層15的損壞會被避免。
[第三實施例]
圖22A係為第三實施例之發光裝置10e的概略透視圖。圖22B係為圖22A的A-A截面圖。圖22C係為圖22A的B-B截面圖。
在該實施例的發光裝置10e中，在沒有設置p側金屬板層之下，一部分p側金屬柱23會被設置在第一通道18a裡面。進一步，在沒有設置n側金屬板層之下，一部分n側金屬柱24會被設置在第二通道18b裡面。
藉由沒有設置p側金屬板層以及n側金屬板層，製程縮減是可能的且成本縮減是可能的。
圖23係為具有一架構之發光模組的概略截面圖，其中該實施例的發光裝置10e會被安裝在安裝基板100上。
同樣在該實施例中，發光裝置10e係以第三表面30朝安裝基板100之安裝表面103而定位的一位態來安裝。然後，在第三表面30上暴露之p側外部端點23a與n側外部端點24a的每一個，其係以銲料102等等而接合到被形成在安裝表面103中的襯墊101。
第三表面30實質垂直第一表面15a，第一表面係為該光線的主要發射表面。於是，第一表面15a並沒有從安裝表面103向上但卻在側方向上以一態樣來定位，其中第三表面30係朝安裝表面103側向下地定位。換句話說，可得到所謂的側視型發光裝置10e與發光模組，其中在安裝表面103是水平表面的情形中，光線會在側向方向中發出。
一種製造本實施例發光裝置10e的方法現將參考圖24A至圖29B來說明。
如圖24A所示，該製程會類似第一實施例者來進行，直到形成晶種金屬19之製程為止。
然後，如圖24B所示，光阻42可被選擇性地形成在晶種金屬19上；且銅電鍍則可使用晶種金屬19當作電流路徑地被進行。
因此，如圖25A以及為圖25A底部視圖的圖25B所示，p側金屬柱23與n側金屬柱24係被形成在絕緣層18的互連表面18c上。
一部分p側金屬柱23同樣會被形成在第一通道18a裡面，其係並且經由晶種金屬19而被電性連接到p側電極16。一部分n側金屬柱24同樣會被形成在第二通道18b裡面，其係並且經由晶種金屬19而被電性連接到n側電極17。
同樣在該實施例中，在切片以後被暴露在第三表面上之p側金屬柱23的p側外部端點23a與n側金屬柱24的n側外部端點24a，其係會凸出到沿著第三表面之方向上所延伸的切片區域d2上。
然後，光阻42可使用例如溶劑或氧氣電漿來移除(圖26A)。隨後，晶種金屬19的暴露部分可藉由濕式蝕刻來移除，其係使用p側金屬柱23與n側金屬柱24來當作光罩。因此，如圖26B所示，在經由晶種金屬19的p側金屬柱23與n側金屬柱24之間的電性連接則會被破壞。
如圖27A所示地持續，樹脂層25係被堆疊在絕緣層18上。樹脂層25覆蓋p側金屬柱23與n側金屬柱24。
然後，如圖27B所示，基板5會被移除。基板5可使用例如雷射剝離來移除。
連續地，在將第一表面15a潔淨以後，藉由使用例如KOH(氫氧化鉀)水溶液、TMAH(氫氧化四甲銨)等等(圖28A)來蝕刻第一表面15a，可將不均勻性形成在第一表面15a中。
然後，如圖28B所示，透鏡26係被形成在第一表面15a上。進一步，磷光體層27係被形成在第一表面15a上以及暴露於相互相鄰半導體層15之間的絕緣層18上，以覆蓋透鏡26。
持續，如圖29A與29B所示，磷光體層27、絕緣層18與樹脂層25，其係會在切片區域d1與d2被形成在晶格架構以切單成複數個發光裝置10e的位置上被切割。
同時，凸出到沿著第三表面30之方向上所延伸之切片區域d2內的p側金屬柱23與n側金屬柱24部分會被切割。因此，p側外部端點23a與n側外部端點24a則會被暴露於第三表面30上。
[第四實施例]
圖30A係為第四實施例之發光裝置10f的概略透視圖。圖30B係為圖30A的A-A截面圖。圖30C係為圖30A的B-B截面圖。
相關於第一表面15a，該實施例之發光裝置10f的第三表面30不垂直也不平行，但卻傾斜。
在對應圖30A之B-B截面的圖30C截面中，第三表面30會傾斜，以致於樹脂層25的外部形式具有反向的梯形架構。
暴露於第三表面30之p側金屬柱23的p側外部端點23a、n側金屬柱24的n側外部端點24a、p側金屬板層21的側表面21a、以及n側金屬板層22的側表面22a，其係同樣沿著第三表面30的傾角來傾斜。
圖31係為具有一架構之發光模組的概略截面圖，其中該實施例的發光裝置10f會被安裝在安裝基板100上。
發光裝置10f係以第三表面30朝安裝基板100之安裝表面103而定位的一位態來安裝。在第三表面30上暴露之p側外部端點23a與n側外部端點24a的每一個，其係以銲料102等等而接合到被形成在安裝表面103上的襯墊101。
同樣在該實施例中，p側外端點23a以及n側外端點24a，其係在具有不同於第一表面15a與相對於第一表面15a之第二表面之平面定向的第三表面30上所暴露。因此，側視型發光裝置10f與發光模組則會被得到，其中光線會在安裝表面項下之狀態中的側方向上被發射。
進一步，因為第三表面30係關於第一表面15a來傾斜，所以第一表面15a會以一位態傾斜向上地定位，其中第三表面30會朝安裝表面103側被向下地定位。換句話說，在安裝表面103為水平表面的情形中，光線會被傾斜向上地發射。
一種製造該實施例之發光裝置10f的方法，其係現將參考圖32A至圖32B來說明。
圖32B對應圖32A的A-A截面圖；且圖33B對應圖33A的A-A截面圖。
如圖32A所示，該製程會類似第一實施例的那些來進行，直到形成磷光體層27的製程為止。
然後，樹脂層25係使用錐體之刀片而在以上所說明圖10B所顯示之切片區域d2的位置上被切割，例如，兩寬度方向側表面係以錐體來形成。因此，如圖32B所示，溝渠55係在切片區域d2下進行。藉由刺穿樹脂層25，溝渠55可延伸到絕緣層18。溝渠55可自絕緣層18側逐漸遠離地變寬。
同樣在該實施例中，p側外部端點23a與n側外部端點24a會凸出到切片區域d2內。於是，p側外部端點23a以及n側外部端點24a則會暴露在溝渠55上。
然後，絕緣層18與磷光體層27則在沿著切片區域d2的溝渠55上被切割。進一步，磷光體層27、絕緣層18與樹脂層25則沿著垂直切片區域d2的切片區域d1被切割。因此，如圖33A與33B所示，可進行切單為複數個發光裝置10f。
同樣在沿著樹脂層25之切片區域d1的方向中，在圖33A所示之樹脂層25的側表面可藉由使用錐體刀片的切片來傾斜，兩寬度方向側表面係以錐體形成。
[第五實施例]
圖35A係為第五實施例之發光裝置的概略透視圖。
圖35B係為具有一架構之發光模組的概略截面圖，其中發光裝置會被安裝在安裝基板100上。
在該實施例中，不同於p側金屬柱23之p側外部端點23a以及n側金屬柱24之n側外部端點24a的表面23b以及表面24b，其係被暴露於晶圓狀態中。表面23b與表面24b係被暴露於表面60上，其係不同於朝著安裝基板100之安裝表面103來定向的第三表面30。表面60係為在相對於發光表面之側上的表面。
在晶圓狀態中，發光表面會對應晶圓的一表面；且表面60對應一另一表面。於是，表面60係在晶圓狀態中被暴露，其係不同於在切片以後被暴露的p側外部端點23a以及n側外部端點24a。藉由被暴露在表面60之一部分p側金屬柱23的表面23b以及一部分n側金屬柱24的表面24b，表面23b與24b可被應用當作晶圓層測量端。
換句話說，藉由引領測量探針接觸具有相互不同極性的表面23b與24b以及藉由供應電流，發光裝置會發出光線且種種檢測可被進行。該檢測係在簡單處理的晶圓層上進行。
在完成檢測以後，表面23b與24b會覆蓋以在圖35B中所示的絕緣薄膜(例如，樹脂)71。絕緣薄膜71的形成係集體在晶圓狀態中進行。
然後，如圖35B所示，該實施例的切單發光裝置係以第三表面30朝安裝基板100之安裝表面103而定位的一位態來安裝。在第三表面30上暴露之p側外部端點23a與n側外部端點24a的每一個，其係以銲料102等等而接合到被形成在安裝表面103上的襯墊101。
當安裝時，以上所說明之表面23b與24b會被覆蓋以絕緣薄膜71並且沒有被暴露。因此，可避免銲料向上濕到表面23b與24b。結果，譬如發光裝置的傾斜以及起因將銲料弄濕而使發光表面上升以向上定位的安裝缺陷，其係可被避免。
圖34B係為具體實例的概略圖，其中該實施例的發光模組，例如會被使用當作液晶顯示設備的背光。
在此，安裝在安裝基板100上的發光裝置10，其係會被顯示當作以上所說明實施例的一種典型發光裝置。
安裝基板100係被設置在訊框151上。因為發光裝置10係為側視型，所以在安裝基板100向下的狀態中，該光線會被發射在如該圖式白色箭頭所顯示的側方向中。
安裝基板100係以例如延伸入該頁表面之矩形板架構來形成；且該複數個發光裝置10則被安裝在矩形板的縱方向中。
光導板201係被設置在發光模組的旁邊。對從發光裝置10所發出的光線而言，光導板201是透射的，其係並且例如由樹脂材料所製成。發光裝置10的發光表面會面對光導板201的一光入射表面201a。
反射器153係被設置在光導板201以下；且液晶面板202係被設置在光導板201以上。同樣地，反射器154係被設置在發光裝置10以上。相關於從發光裝置10所發出的光線而言，反射器153與154係為反射性的。
來自發光裝置10之在側向發射的光線，其係會被入射在光導板201的光入射表面201a上。來自光入射表面201a之入射在光導板201上的光線，其係在光導板201的表面方向中擴散並且入射在液晶面板202上。從液晶面板202相反側發射之來自光導板201的光線，其係會由反射器153所反射並且被引導入液晶面板202內。
在此，圖34A係為背光的概略圖，其中比較性實例的發光模組會被使用當作光源。
比較性實例之發光模組的發光裝置300係為所謂的頂視型態。換句話說，光線會從安裝基板100的安裝表面向上發出。於是，安裝基板100係由相對光入射表面201a而設置的訊框152所支撐，以造成發光裝置300的發光表面相對光導板201的光入射表面201a。
因此，具有矩形面板架構的安裝基板100，其係以安裝表面朝光入射表面201a來定向的位態來直立配置；而且這不僅會導致光導板201之厚度且會導致整個背光單元之厚度的增加。
相反地，在圖34B所示的實施例中，因為安裝基板100不一定直立以便朝著光導板201的光入射表面201a來定向，所以不僅僅是光導板201，還有整個背光單元，都會較薄。
以下所說明的紅色磷光體層、黃色磷光體層、綠色磷光體層以及藍色磷光體層，其係會被使用當作以上所說明的磷光體層。
紅色磷光體層包含例如以氮化物為主的磷光體CaAlSiN3：Eu或者以SiAlON為主的磷光體。
在使用以SiAlON為主磷光體的情形中，
(M1-X,RX)a1AlSib1Oc1Nd1　合成物化學式(1)
可被使用(在此，M係為排除矽與鋁的至少一種金屬元件，且M希望是從鈣與鍶選出的至少其中一個；R係為發光中心元件，且R希望是銪；且x,a1,b1,c1與d1滿足以下關係；x大於0與1或更小，a1大於0.6並且小於0.95，b1大於2並且小於3.9，c1大於0.25並且小於0.45，且d1大於4且小於5.7)。
藉由使用以合成物化學式(1)之SiAlON為主的磷光體，波長轉換效率的溫度特徵可被改善；且在高電流密度區域中的效率則可被進一步改善。
黃磷光體層例如包含以矽酸鹽為主的磷光體(Sr,Ca,Ba)2SiO4：Eu。
綠色磷光體層包含例如以鹵磷酸鹽為主的磷光體(Ba,Ca,Mg)10(PO4)6Cl2：Eu或者以SiAlON為主的磷光體。
在使用以SiAlON為主磷光體的情形中，
(M1-X,RX)a2AlSib2Oc2Nd2　合成物化學式(2)
可被使用(在此，M係為排除矽與鋁的至少一種金屬元件，且M希望是從鈣與鍶選出的至少其中一個；R係為發光中心元件，且R希望是銪；且x,a2,b2,c2與d2滿足以下關係；x大於0與1或更小，a2大於0.93並且小於1.3，b2大於4.0並且小於5.8，c2大於0.6並且小於1，且d2大於6且小於11)。
藉由使用合成物化學式(2)以SiAlON為主的磷光體，波長轉換效率的溫度特徵可被改善；且在高電流密度區域中的效率可被進一步增加。
藍色磷光體層包含例如以氧化物為主的磷光體BaMgAl10O17：Eu。
雖然特定實施例已經被說明，但是這些實施例僅僅借助實例來呈現，其係並且不打算限制本發明範圍。真正地，在此所說明的新實施例可以許多不同的其他形式來實施；進一步，以在此所說明實施例形式的種種省略、替代與改變則可被進行，而沒有背離本發明精神。附加申請專利範圍與它們的等同物打算涵蓋在本發明範圍與精神內的此些形式或修改。
5．．．基板
10．．．發光裝置
10a．．．發光裝置
10c．．．發光裝置
10d．．．發光裝置
10e．．．發光裝置
10f．．．發光裝置
11．．．第一半導體層
12．．．第二半導體層
13．．．發光層
15．．．半導體層
15a．．．第一表面
15b．．．第二表面
16．．．p側電極
17．．．n側電極
18．．．絕緣層
18a．．．第一通道
18b．．．第二通道
18c．．．互連表面
19．．．晶種金屬
21．．．p側金屬板層
21a．．．p側金屬板層側表面
21b．．．凹痕
22．．．n側金屬板層
22a．．．n側金屬板層側表面
23．．．p側金屬柱
23a．．．p側外部端點
23b．．．表面
24．．．n側金屬柱
24a．．．n側外部端點
24b．．．表面
25．．．樹脂層
26．．．透鏡
27．．．磷光體層
30．．．第三表面
41．．．光阻
42．．．光阻
42b．．．開口
51．．．反射薄膜
52．．．溝渠
55．．．溝渠
60．．．表面
71．．．絕緣薄膜
100．．．安裝基板
101．．．襯墊
102．．．銲料
103．．．安裝表面
151．．．訊框
152．．．訊框
153．．．反射器
154．．．反射器
201．．．光導板
201a．．．光入射表面
202．．．液晶面板
300．．．發光裝置
d1．．．切片區域
d2．．．切片區域
e1．．．單一點劃線
e2．．．單一點劃線
圖1A至1C係為第一實施例之發光裝置的概略圖。
圖2係為第一實施例之發光模組的概略截面圖。
圖3A至15B係為顯示一種製造第一實施例之發光裝置之方法的概略圖。
圖16A與16B係為第二實施例之發光裝置的概略透視圖。
圖17A與17B係為第二實施例之發光裝置的概略截面圖。
圖18係為第二實施例之發光模組的概略截面圖。
圖19A至21B係為顯示一種製造第二實施例之發光裝置之方法的概略圖。
圖22A至22C係為第三實施例之發光裝置的概略圖。
圖23係為第三實施例之發光模組的概略截面圖。
圖24A至29B係為顯示一種製造第三實施例之發光裝置之方法的概略圖。
圖30A至30C係為第四實施例之發光裝置的概略圖。
圖31係為第四實施例之發光模組的概略截面圖。
圖32A至33B係為顯示一種製造第四實施例之發光裝置之方法的概略圖。
圖34A係為其中使用比較性實例之發光模組之發光設備的概略圖，且圖34B係為其中使用該實施例之發光模組之發光設備的概略圖。
圖35A係為第五實施例之發光裝置的概略圖，且圖35B係為第五實施例之發光模組的概略截面圖。
10a．．．發光裝置
11．．．第一半導體層
12．．．第二半導體層
13．．．發光層
15．．．半導體層
15a．．．第一表面
16．．．p側電極
17．．．n側電極
18．．．絕緣層
18a．．．第一通道
18b．．．第二通道
18c．．．互連表面
21．．．p側金屬板層
21a．．．p側金屬板層側表面
22．．．n側金屬板層
22a．．．n側金屬板層側表面
23．．．p側金屬柱
23a．．．p側外部端點
24．．．n側金屬柱
24a．．．n側外部端點
25．．．樹脂層
26．．．透鏡
27．．．磷光體層
30．．．第三表面

Claims (19)

  1. 一種發光裝置，包含：一半導體層，包括一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面以及一發光層；一p側電極，被設置在該半導體層上；一n側電極，被設置在該半導體層上；一第一絕緣層，被設置在第二表面側上，該第一絕緣層具有與p側電極溝通的一第一通道以及與n側電極溝通的一第二通道；一p側互連層，被設置在至少第一通道裡面，該p側互連層係電性連接到p側電極，該p側互連層係較該p側電極厚；一n側互連層，其係隔開第二通道裡面之p側互連層並且在第一絕緣層之互連表面上來設置，互連表面係相對於該半導體層，n側互連層係電性連接到n側電極且較該n側電極厚，該n側互連層之部分係延伸至重疊於該發光層的區域；以及一第二絕緣層，至少被設置在p側互連層與n側互連層之間，該第二絕緣層覆蓋相對於該p側電極的側上的該p側互連層的表面，以及覆蓋相對於該n側電極的側上的該n側互連層的表面，該p側互連層，包括一p側外部端點，其係從在具有平面定向不同於第一表面之平面定向與第二表面平面定向 之第三表面上的第二絕緣層暴露，該n側互連層，包括一n側外部端點，其係從在第三表面上的第二絕緣層暴露。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該p側互連層包括一p側金屬板層與一p側金屬柱，該p側金屬板層係被設置在至少第一通道裡面，該p側金屬柱係被設置在相對於互連表面且相對於第一通道與p側金屬板層間之接觸部分之p側金屬板層的表面上，以及該n側互連層包括一n側金屬板層與一n側金屬柱，該n側金屬板層係被設置在第二通道裡面且在該互連表面上，該n側金屬柱係被設置在相對於該互連表面且相對於第二通道與n側金屬板層之間之接觸部分的n側金屬板層表面上。
  3. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中在暴露於第三表面上之p側外部端點與n側外部端點之間的距離，其係大於在互連表面上p側金屬板層與n側金屬板層之間的距離。
  4. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中p側金屬板層之平面尺寸係大於p側金屬柱的平面尺寸。
  5. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中第一通道以複數個來設置，且p側金屬板層會經由複數個第一通道而被連接到p側電極。
  6. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中p側金屬柱會比p側金屬板層更厚。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含設置在第一表面上的一透明體，對從發光層所發出的光線而言，該透明體是透明的。
  8. 如申請專利範圍第7項之裝置，其中該透明體包括一透明樹脂以及散佈在該透明樹脂中的一磷光體。
  9. 如申請專利範圍第7項之裝置，進一步包含被設置在該透明體之側表面上的一反射薄膜，相關於從發光層發出的光線，該反射薄膜係為反射性的。
  10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該反射薄膜同樣地被設置在第一絕緣層的側表面上。
  11. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中第三表面垂直於第一表面。
  12. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中相關於第一表面，第三表面係為傾斜的。
  13. 一種發光模組，包含：一安裝基板，包括一襯墊在一安裝表面上；以及如申請專利範圍第1項之該發光裝置，該發光裝置，其係藉由將該p側外部端點與該n側外部端點接合到該襯墊而被安裝在安裝表面上，該發光裝置的第一表面，其係以具有第三表面向下定向的位態而被定向於一側向方向上。
  14. 一種製造發光裝置的方法，包含：將一p側互連層形成在至少包括複數半導體層、p側電極、n側電極、與第一絕緣層之堆疊體的第一通道裡 面，該複數層半導體層係由切片區域所分割，複數層半導體層之每一層均包括第一表面、相對於第一表面的第二表面以及一發光層，該p側電極係被設置在該些半導體層之各者上，該n側電極則被設置在該些半導體層之各者上，第一絕緣層係被設置在第二表面側並且具有與p側電極溝通的第一通道、與n側電極溝通的第二通道及與半導體層相對的互連表面，該p側互連層係較該p側電極厚；將一n側互連層形成，其係隔開該互連表面上的p側互連層並且在該第二通道裡面，該n側互連層係較該n側電極厚，且該n側互連層之部分係延伸至重疊於該發光層的區域；將一第二絕緣層形成，以覆蓋具有相對於該p側電極的側上的表面的該p側互連層以及具有相對於該n側電極的側上的表面的該n側互連層；以及藉由切割在該切片區域上包括第二絕緣層、一部分p側互連層、與一部分n側互連層的區域，將在具有平面定向不同於第一表面之平面定向與第二表面之平面定向的第三表面上，暴露一部分p側互連層與一部分n側互連層。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中一部分p側互連層與一部分n側互連層係被形成，以凸出到沿著第三表面之方向上延伸的切片區域上。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中p側互連層與n側互連層的凸出部分係存在於沿著第三表面之方向中延伸之切片區域的兩寬度方向側上。
  17. 如申請專利範圍第14項或第15項之方法，該半導體層形成在一基板上，該方法進一步包含：藉由在形成第二絕緣層以後移除基板而來暴露第一表面；以及形成一透明體於該暴露的第一表面上，對於從該發光層發出的光線而言，該透明體是透明的。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，進一步包含形成一反射薄膜於該透明體的側表面上，相關於從該發光層發出的光線，該反射薄膜係為反射性的。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中反射薄膜的形成包括：製造一溝渠，以藉由在切割第二絕緣層以前，在該切片區域上的位置上切割該透明體，而將該透明體分成複數個；將該反射薄膜形成在該溝渠之內壁以及該透明體的頂表面上；以及將形成在該透明體之頂表面上的反射薄膜移除。
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