JP2002057274A - 光高周波回路 - Google Patents

光高周波回路

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Manabu Watanabe
学 渡邉
Masaki Kobayashi
正樹 小林
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コストが高い、基板が割れ易い、基板が反
る、メーカーが少ないことにより調達が困難であるとい
う欠点を持つセラミック基板を用いなくても高周波回路
を構成する。 【解決手段】 化合物半導体チップ１，１０１，１０２
や、化合物半導体よりなる変調器デバイス７、高周波増
幅器デバイス８、発光デバイス９、受光デバイス４００
０、復調器デバイス５０００をチップサイズパッケージ
２，２０１，２０２，２０３やチップキャリア６，６０
１，６０２，６０３を介して樹脂基板３上に実装する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体チッ
プを用いてマイクロ波領域を含む高周波信号を伝送する
光高周波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の急速な増大化にともな
い、情報データの交換、伝送に大容量化・高速化が要求
されてきている。このように高速化に対応した回路基板
として、樹脂基板の代わりにセラミック基板が実装基板
として重要なものになっている。理由として、セラミッ
ク基板は一般的に樹脂基板に比べて、熱膨張係数が化合
物半導体やセラミックパッケージと近似している（化合
物半導体がＧａＡｓ：３．９ ｐｐｍ／℃、セラミック
がアルミナ（ＡｌＮ）：６．４ｐｐｍ／℃）という特長
を有しているからである。
【０００３】従来の光高周波回路の構成を図１８に示
す。図１８ではアルミナのセラミック基板６０００上
に、ＧａＡｓなどの化合物半導体のベアチップ１がフリ
ップチップ実装されている。すなわち、このフリップチ
ップ実装では、化合物半導体のベアチップ（単に化合物
半導体チップとも言う）１上の電極１１と、セラミック
基板６０００の電極６００１が接続部４により電気的接
続及び機械的接続を行うことにより、化合物半導体チッ
プ１と回路基板６０００が直接接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック基板６０００を用いた従来の光高周波回路では、コ
ストが高く、調達が困難であるという問題点があり、ま
た、化合物半導体チップ１と回路基板であるセラミック
基板６０００が直接接続されているので、材料の熱膨張
係数の差に起因する大きな熱応力がチップ１及び接続部
４に印加され、このため、基板が割れ易い、基板の反り
が発生するなどの欠点があった。このため、材料の熱膨
張係数の差が小さい組み合わせ、例えばＧａＡｓ(３ ．
９ｐｐｍ／℃）とアルミナ（６．４ｐｐｍ／℃）を選択
する必要があった。
【０００５】一方、樹脂基板を用いた場合、材料の熱膨
張係数の差が大きい組み合わせ、例えば、ＧａＡｓ
（３．９ｐｐｍ／℃）の化合物半導体チップ１とガラス
エポキシ（６５ｐｐｍ／℃）の基板の組み合わせでは大
きな熱応力が発生する。このため、機械的強度の小さい
ＧａＡｓ、ＩｎＰなどの化合物半導体では、割れ、欠
け、クラック、電極剥離などの不具合が発生する。
【０００６】そこで、本発明は上記従来の問題を解決す
るものであり、コストを削減することができ、機械的強
度を改善することができ、反りを低減することができ、
調達性を向上させることができる光高周波回路を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光高周波回路
は、化合物半導体チップと、チップサイズパッケージと
樹脂基板を有し、前記化合物半導体チップが前記チップ
サイズパッケージ上に実装され、更に前記チップサイズ
パッケージが前記樹脂基板上に実装されている構成を有
している（請求項１）。この構成により、化合物半導体
チップと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱応力をチッ
プサイズパッケージが吸収する。
【０００８】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体チップと、チップキャリアと樹脂基板を有し、前記化
合物半導体チップが前記チップキャリアに実装され、更
に前記チップキャリアが前記樹脂基板上に実装されてい
る構成を有している（請求項２）。この構成により、化
合物半導体チップと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱
応力をチップキャリアが吸収する。
【０００９】さらに本発明の光高周波回路は、２以上の
化合物半導体チップと、２以上のチップサイズパッケー
ジと共通の樹脂基板を有し、前記２以上の化合物半導体
チップが前記２以上のチップサイズパッケージ上のそれ
ぞれに実装され、更に前記２以上のチップサイズパッケ
ージが前記共通の樹脂基板上に実装されている構成を有
している（請求項３）。この構成により、２以上の化合
物半導体チップと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱応
力を２以上のチップサイズパッケージが吸収する。
【００１０】また本発明の光高周波回路は、２以上の化
合物半導体チップと、少なくとも１つのチップサイズパ
ッケージと共通の樹脂基板を有し、前記２以上の化合物
半導体チップが前記少なくとも１つのチップサイズパッ
ケージの内の共通のチップサイズパッケージに実装さ
れ、更に前記少なくとも１つのチップサイズパッケージ
が前記共通の樹脂基板に実装されている構成を有してい
る（請求項４）。この構成により、２以上の化合物半導
体チップと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱応力を共
通のチップサイズパッケージが吸収する。
【００１１】また本発明の光高周波回路は、２以上の化
合物半導体チップと、２以上のチップキャリアと共通の
樹脂基板を有し、前記２以上の化合物半導体チップが前
記２以上のチップキャリアのそれぞれに実装され、更に
前記２以上のチップキャリアが前記共通の樹脂基板に実
装されている構成を有している（請求項５）。この構成
により、２以上の化合物半導体チップと樹脂基板の熱膨
張係数の差による熱応力を２以上のチップキャリアが吸
収する。
【００１２】また本発明の光高周波回路は、２以上の化
合物半導体チップと、少なくとも１つのチップキャリア
と共通の樹脂基板を有し、前記２以上の化合物半導体チ
ップが前記少なくとも１つのチップキャリアの内の共通
のチップチップキャリアに実装され、更に前記少なくと
も１つのチップキャリアが前記共通の樹脂基板に実装さ
れている構成を有している（請求項６）。この構成によ
り、２以上の化合物半導体チップと樹脂基板の熱膨張係
数の差による熱応力を共通のチップキャリアが吸収す
る。
【００１３】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体からなる変調器デバイスと、化合物半導体からなる発
光デバイスと、第１及び第２のチップサイズパッケージ
と共通の樹脂基板を有し、前記変調器デバイスが前記第
１のチップサイズパッケージ上に実装され、前記発光デ
バイスが前記第２のチップサイズパッケージ上に実装さ
れ、更に前記第１及び第２のチップサイズパッケージが
前記共通の樹脂基板上に実装されて光送信機を構成する
（請求項７）。この構成により、変調器デバイス及び発
光デバイスと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱応力を
第１及び第２のチップサイズパッケージが吸収する。
【００１４】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体からなる変調器デバイスと、化合物半導体からなる発
光デバイスと、化合物半導体からなる高周波増幅器デバ
イスと、第１、第２及び第３のチップサイズパッケージ
と共通の樹脂基板を有し、前記変調器デバイスが前記第
１のチップサイズパッケージ上に実装され、前記発光デ
バイスが前記第２のチップサイズパッケージ上に実装さ
れ、前記高周波増幅器デバイスが前記第３のチップサイ
ズパッケージ上に実装され、更に前記第１、第２及び第
３のチップサイズパッケージが前記共通の樹脂基板上に
実装されて光送信機を構成する（請求項８）。この構成
により、変調器デバイス、発光デバイス及び高周波増幅
器デバイスと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱応力を
第１、第２及び第３のチップサイズパッケージが吸収す
る。
【００１５】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体からなる受光デバイスと、化合物半導体からなる復調
器デバイスと、第１及び第２のチップサイズパッケージ
と共通の樹脂基板を有し、前記受光デバイスが前記第１
のチップサイズパッケージ上に実装され、前記復調器デ
バイスが前記第２のチップサイズパッケージ上に実装さ
れ、更に前記第１、第２のチップサイズパッケージが前
記共通の樹脂基板上に実装されて光受信機を構成する
（請求項９）。この構成により、受光デバイス及び復調
器デバイスと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱応力を
第１及び第２のチップサイズパッケージが吸収する。
【００１６】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体からなる受光デバイスと、化合物半導体からなる復調
器デバイスと、化合物半導体からなる高周波増幅器デバ
イスと、第１、第２及び第３のチップサイズパッケージ
と共通の樹脂基板を有し、前記発光デバイスが前記第１
のチップサイズパッケージ上に実装され、前記復調器デ
バイスが前記第２のチップサイズパッケージ上に実装さ
れ、前記高周波増幅器デバイスが前記第３のチップサイ
ズパッケージ上に実装され、更に前記第１、第２及び第
３のチップサイズパッケージが前記共通の樹脂基板上に
実装されて光受信機を構成する（請求項１０）。この構
成により、受光デバイス、復調器デバイス及び高周波増
幅器デバイスと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱応力
を第１、第２及び第３のチップサイズパッケージが吸収
する。
【００１７】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体からなる変調器デバイスと、化合物半導体からなる発
光デバイスと、第１及び第２のチップキャリアと共通の
樹脂基板を有し、前記変調器デバイスが前記第１のチッ
プキャリアに実装され、前記発光デバイスが前記第２の
チップキャリアに実装され、更に前記第１、第２のチッ
プキャリアが前記共通の樹脂基板上に実装されて光送信
機を構成する（請求項１１）。この構成により、受光デ
バイス及び復調器デバイスと樹脂基板の熱膨張係数の差
による熱応力を第１及び第２のチップキャリアが吸収す
る。
【００１８】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体からなる変調器デバイスと、化合物半導体からなる発
光デバイスと、化合物半導体からなる高周波増幅器デバ
イスと、第１、第２及び第３のチップキャリアと共通の
樹脂基板を有し、前記変調器デバイスが前記第１のチッ
プキャリアに実装され、前記発光デバイスが前記第２の
チップキャリアに実装され、前記高周波増幅器デバイス
が前記第３のチップキャリアに実装され、更に前記第
１、第２及び第３のチップキャリアが前記共通の樹脂基
板上に実装されて光送信機を構成する（請求項１２）。
この構成により、変調器デバイス、発光デバイス及び高
周波増幅器デバイスと樹脂基板の熱膨張係数の差による
熱応力を第１、第２及び第３のチップキャリアが吸収す
る。
【００１９】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体からなる受光デバイスと、化合物半導体からなる復調
器デバイスと、第１及び第２のチップキャリアと共通の
樹脂基板を有し、前記受光デバイスが前記第１のチップ
キャリアに実装され、前記復調器デバイスが前記第２の
チップキャリアに実装され、更に前記第１、第２のチッ
プキャリアが前記共通の樹脂基板上に実装されて光受信
機を構成する（請求項１３）。この構成により、受光デ
バイス及び復調器デバイスと樹脂基板の熱膨張係数の差
による熱応力を第１及び第２のチップキャリアが吸収す
る。
【００２０】また本発明の光高周波回路は、化合物半導
体からなる受光デバイスと、化合物半導体からなる復調
器デバイスと、化合物半導体からなる高周波増幅器デバ
イスと、第１、第２及び第３のチップキャリアと共通の
樹脂基板を有し、前記発光デバイスが前記第１のチップ
キャリアに実装され、前記復調器デバイスが前記第２の
チップキャリアに実装され、前記高周波増幅器デバイス
が前記第３のキャリアに実装され、更に前記第１、第２
及び第３のチップキャリアが前記共通の樹脂基板上に実
装されて光受信機を構成する（請求項１４）。この構成
により、受光デバイス、復調器デバイス及び高周波増幅
器デバイスと樹脂基板の熱膨張係数の差による熱応力を
第１、第２及び第３のチップキャリアが吸収する。
【００２１】
【発明の実施の形態】＜第１の実施形態＞以下、図面を
参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は
本発明に係る光高周波回路の第１の実施形態を示す側面
図である。
【００２２】図１において、化合物半導体チップ１の下
面に形成された電極１１が接続部４によりチップサイズ
パッケージ２の上面に形成された電極２１に電気的及び
機械的に接続されることにより、化合物半導体チップ１
がチップサイズパッケージ２上にフリップチップ実装さ
れている。更にチップサイズパッケージ２の下面に形成
された電極２１が接続部５により樹脂基板３の上面に形
成された電極３１に電気的及び機械的に接続されること
により、チップサイズパッケージ２が樹脂基板３上に実
装されている。
【００２３】化合物半導体チップ１は、後述するように
光送信機を構成する発光デバイス、変調器デバイス、高
周波増幅器デバイスや、光受信機を構成する受光デバイ
ス、復調器デバイス、高周波増幅器デバイスの各種デバ
イスである。また、発光デバイスを構成する化合物半導
体チップ１は、発光ダイオード、レーザダイオードなど
を構成する発光化合物半導体であり、受光デバイスを構
成する化合物半導体チップ１は、p-i-nフォトダイオー
ド、アバランシェフォトダイオードなどを構成する受光
化合物半導体である。樹脂基板３は、紙フェノール、紙
エポキシ、ガラス布、ガラスエポキシ、ガラスフッ素、
テフロン、ポリイミド、テフロン織布のいずれか、もし
くはその混成物である。また、図示されていないが、発
光デバイスや受光デバイスを構成する化合物半導体チッ
プ１は光ファイバに結合される。
【００２４】図１において、例えば化合物半導体チップ
１をＧａＡｓ、チップサイズパッケージ２をアルミナ、
樹脂基板３をガラスエポキシとした場合、熱膨張係数は
それぞれ ＧａＡｓ：３．９ｐｐｍ／℃、 アルミナ：６．４ｐｐｍ／℃、 ガラスエポキシ：４５ｐｐｍ／℃ である。したがって、ＧａＡｓ（３．９ｐｐｍ／℃）の
化合物半導体チップ１をガラスエポキシ（４５ｐｐｍ／
℃）の樹脂基板３上に直接、搭載すると、両者の熱膨張
係数差が大きく、接触面において大きな熱応力が発生
し、化合物半導体チップ１の破損や接着面でのクラック
の発生を引き起こす可能性があるが、第１の実施形態で
は、化合物半導体チップ１と樹脂基板３の熱膨張係数の
差による熱応力をアルミナ（６．４ｐｐｍ／℃）のチッ
プサイズパッケージ２に吸収させることにより、破損や
クラックの発生を防止することができる。
【００２５】＜第２の実施形態＞図２は第２の実施形態
における光高周波回路の構成を示したものであり、化合
物半導体チップ１の下面に形成された電極１１がチップ
キャリア６の上面に形成された電極６１に対して接続部
４により電気的及び機械的に接続されることにより、化
合物半導体チップ１がチップキャリア６上にフリップチ
ップ実装されている。更にチップキャリア６の下面に形
成された電極６１が樹脂基板３の上面に形成された電極
３１に対して接続部５により電気的及び機械的に接続さ
れることにより、チップキャリア６が樹脂基板３上に実
装されている。
【００２６】したがって、第２の実施形態では、化合物
半導体チップ１と樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱
応力をチップキャリア６に吸収させることにより、破損
やクラックの発生を防止することができる。
【００２７】＜第３の実施形態＞図３は第３の実施形態
における光高周波回路の構成を示したものであり、チッ
プキャリア６の少なくとも垂直側面と下面に電極６１が
形成されている。そして、平板状の化合物半導体チップ
１を縦向きにしてその電極１１がチップキャリア６の側
面に形成された電極６１に対して接続部４により電気的
及び機械的に接続されることにより、化合物半導体チッ
プ１がチップキャリア６にフリップチップ実装されてい
る。更にチップキャリア６の下面に形成された電極６１
が樹脂基板３の上面に形成された電極３１に対して接続
部５により電気的及び機械的に接続されることにより、
チップキャリア６が樹脂基板３上に実装されている。
【００２８】したがって、図３によれば、第２の実施形
態と同様に化合物半導体チップ１と樹脂基板３の熱膨張
係数の差による熱応力をチップキャリア６に吸収させる
ことにより破損やクラックの発生を防止することができ
る。更にチップ１の向きを垂直にすることにより、光フ
ァイバなどとの結合などの柔軟性を向上させることがで
き、また、実装面積を小さくすることができる。
【００２９】＜第４の実施形態＞図４は第４の実施形態
における光高周波回路の構成を示したものであり、チッ
プキャリア６の少なくとも斜めに傾斜した側面と下面に
電極６１が形成されている。そして、平板状の化合物半
導体チップ１を斜めにしてその電極１１がチップキャリ
ア６の斜め側面に形成された電極６１に対して接続部４
により電気的及び機械的に接続されることにより、化合
物半導体チップ１がチップキャリア６にフリップチップ
実装されている。更にチップキャリア６の下面に形成さ
れた電極６１が樹脂基板３の上面に形成された電極３１
に対して接続部５により電気的及び機械的に接続される
ことにより、チップキャリア６が樹脂基板上３に実装さ
れている。
【００３０】したがって、第４の実施形態によれば、第
２、第３の実施形態と同様に化合物半導体チップ１と樹
脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力をチップキャリ
ア６に吸収させることにより破損やクラックの発生を防
止することができる。更にチップ１の向きを斜めにする
ことにより、発光デバイスや受光デバイスに光ファイバ
を結合した際の戻り光の影響を小さくすることができ、
また、実装面積を小さくすることができる。
【００３１】＜第５の実施形態＞図５は第５の実施形態
として２つの化合物半導体チップ１０１、１０２及び２
つのチップサイズパッケージ２０１、２０２を有する光
高周波回路の構成を示している。第１の化合物半導体チ
ップ１０１の電極１１が接続部４１により第１のチップ
サイズパッケージ２０１の電極２１に電気的及び機械的
に接続されることにより、第１の化合物半導体チップ１
０１が第１のチップサイズパッケージ２０１上にフリッ
プチップ実装されている。
【００３２】同様に、第２の化合物半導体チップ１０２
の電極１２が接続部４２により第２のチップサイズパッ
ケージ２０２の電極２２に電気的及び機械的に接続され
ることにより、第２の化合物半導体チップ１０２が第２
のチップサイズパッケージ２０２上にフリップチップ実
装されている。そして、第１、第２のチップサイズパッ
ケージ２０１、２０２の各電極２１、２２がそれぞれ接
続部５１、５２により共通の樹脂基板３の電極３１に電
気的及び機械的に接続されることにより、チップサイズ
パッケージ２０１、２０２が共通の樹脂基板３上に実装
されている。
【００３３】第５の実施形態によれば、第１の化合物半
導体チップ１０１及び第２の化合物半導体チップ１０２
と共通の樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力を第
１、第２のチップサイズパッケージ２０１、２０２に吸
収させることにより、破損やクラックの発生を防止する
ことができる。
【００３４】＜第６の実施形態＞図６は第６の実施形態
として２つの化合物半導体チップ１０１、１０２及び共
通のチップサイズパッケージ２を有する光高周波回路の
構成を示している。第１の化合物半導体チップ１０１の
電極１１が接続部４１により共通のチップサイズパッケ
ージ２の電極２１に電気的及び機械的に接続され、ま
た、第２の化合物半導体チップ１０２の電極１２が接続
部４２により共通のチップサイズパッケージ２の電極２
２に電気的及び機械的に接続されることにより、第１、
第２の化合物半導体チップ１０１、１０２が共通のチッ
プサイズパッケージ２上にフリップチップ実装されてい
る。そして、共通のチップサイズパッケージ２の各電極
２１、２２がそれぞれ接続部５１、５２により共通の樹
脂基板３の電極３１に電気的及び機械的に接続されるこ
とにより、チップサイズパッケージ２が共通の樹脂基板
３上に実装されている。
【００３５】第６の実施形態によれば、第１、第２の化
合物半導体チップ１０１、１０２と共通の樹脂基板３の
熱膨張係数の差による熱応力を共通のチップサイズパッ
ケージ２に吸収させることにより、破損やクラックの発
生を防止することができる。
【００３６】＜第７の実施形態＞図７は第７の実施形態
として２つの化合物半導体チップ１０１、１０２及び２
つのチップキャリア６０１、６０２を有する光高周波回
路の構成を示している。第１の化合物半導体チップ１０
１の下面に形成された電極１１が第１のチップキャリア
６０１の上面に形成された電極６１に対して接続部４１
により電気的及び機械的に接続されることにより、第１
の化合物半導体チップ１０１が第１のチップキャリア６
０１上にフリップチップ実装されている。
【００３７】同様に、第２の化合物半導体チップ１０２
の下面に形成された電極１２が第２のチップキャリア６
０２の上面に形成された電極６２に対して接続部４２に
より電気的及び機械的に接続されることにより、第２の
化合物半導体チップ１０２が第２のチップキャリア６０
２上にフリップチップ実装されている。そして、第１、
第２のチップキャリア６０１、６０２の下面にそれぞれ
形成された電極６１、６２が共通の樹脂基板３の上面に
形成された電極３１に対して接続部５１、５２により電
気的及び機械的に接続されることにより、第１、第２の
チップキャリア６０１、６０２が共通の樹脂基板３上に
実装されている。
【００３８】第７の実施形態によれば、第１の化合物半
導体チップ１０１及び第２の化合物半導体チップ１０２
と共通の樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力を第
１、第２のチップキャリア６０１、６０２に吸収させる
ことにより、破損やクラックの発生を防止することがで
きる。
【００３９】＜第８の実施形態＞図８は第８の実施形態
として２つの化合物半導体チップ１０１、１０２及び共
通のチップキャリア６を有する光高周波回路の構成を示
している。第１の化合物半導体チップ１０１の下面に形
成された電極１１が共通のチップキャリア６の上面に形
成された電極６１に対して接続部４１により電気的及び
機械的に接続され、また、第２の化合物半導体チップ１
０２の下面に形成された電極１２が共通のチップキャリ
ア６の上面に形成された電極６２に対して接続部４２に
より電気的及び機械的に接続されることにより、第１、
第２の化合物半導体チップ１０１、１０２が共通のチッ
プキャリア６上にフリップチップ実装されている。そし
て、共通のチップキャリア６の下面に形成された電極６
１、６２が共通の樹脂基板３の上面に形成された電極３
１に対して接続部５１、５２により電気的及び機械的に
接続されることにより、共通のチップキャリア６が共通
の樹脂基板３上に実装されている。
【００４０】第８の実施形態によれば、第１の化合物半
導体チップ１０１及び第２の化合物半導体チップ１０２
と共通の樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力を共
通のチップキャリア６に吸収させることにより、破損や
クラックの発生を防止することができる。
【００４１】＜第９の実施形態＞図９は第９の実施形態
として、共に上記の化合物半導体チップ１からなる変調
器デバイス７及び発光デバイス９とチップサイズパッケ
ージ２０１、２０２により光送信機を構成した光高周波
回路を示している。変調器デバイス７の電極７１が接続
部４１により第１のチップサイズパッケージ２０１の電
極２１に電気的及び機械的に接続されることにより、変
調器デバイス７が第１のチップサイズパッケージ２０１
上にフリップチップ実装されている。
【００４２】同様に、発光デバイス９の電極９１が接続
部４２により第２のチップサイズパッケージ２０２の電
極２２に電気的及び機械的に接続されることにより、発
光デバイス９が第２のチップサイズパッケージ２０２上
にフリップチップ実装されている。そして、第１、第２
のチップサイズパッケージ２０１、２０２の各電極２
１、２２がそれぞれ接続部５１、５２により共通の樹脂
基板３の電極３１に電気的及び機械的に接続されること
により、チップサイズパッケージ２０１、２０２が共通
の樹脂基板３上に実装されている。
【００４３】第９の実施形態によれば、共に化合物半導
体チップ１からなる変調器デバイス７及び発光デバイス
９と共通の樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力を
第１、第２のチップサイズパッケージ２０１、２０２に
吸収させることにより、破損やクラックの発生を防止す
ることができる。
【００４４】＜第１０の実施形態＞図１０は第１０の実
施形態として、共に化合物半導体チップ１からなる変調
器デバイス７、高周波増幅器デバイス８及び発光デバイ
ス９と３つのチップサイズパッケージ２０１、２０２、
２０３により光送信機を構成した光高周波回路を示して
いる。変調器デバイス７の電極７１が接続部４１により
第１のチップサイズパッケージ２０１の電極２１に電気
的及び機械的に接続されることにより、変調器デバイス
７が第１のチップサイズパッケージ２０１上にフリップ
チップ実装されている。
【００４５】同様に、高周波増幅器デバイス８の電極８
１が接続部４２により第２のチップサイズパッケージ２
０２の電極２２に電気的及び機械的に接続されることに
より、高周波増幅器デバイス８が第２のチップサイズパ
ッケージ２０２上にフリップチップ実装されている。さ
らに、発光デバイス９の電極９１が接続部４３により第
３のチップサイズパッケージ２０３の電極２３に電気的
及び機械的に接続されることにより、発光デバイス９が
第３のチップサイズパッケージ２０３上にフリップチッ
プ実装されている。そして、第１、第２、第３のチップ
サイズパッケージ２０１、２０２、２０３の各電極２
１、２２、２３がそれぞれ接続部５１、５２、５３によ
り共通の樹脂基板３の電極３１に電気的及び機械的に接
続されることにより、チップサイズパッケージ２０１、
２０２、２０３が共通の樹脂基板３上に実装されてい
る。
【００４６】第１０の実施形態によれば、共に化合物半
導体チップ１からなる変調器デバイス７、高周波増幅器
デバイス８及び発光デバイス９と、共通の樹脂基板３の
熱膨張係数の差による熱応力を第１、第２、第３のチッ
プサイズパッケージ２０１、２０２、２０３に吸収させ
ることにより、破損やクラックの発生を防止することが
できる。
【００４７】＜第１１の実施形態＞図１１は第１１の実
施形態として、共に化合物半導体チップ１からなる受光
デバイス４０００及び復調器デバイス５０００とチップ
サイズパッケージ２０１、２０２により光受信機を構成
した光高周波回路を示している。受光デバイス４０００
の電極４００１が接続部４１により第１のチップサイズ
パッケージ２０１の電極２１に電気的及び機械的に接続
されることにより、受光デバイス４０００が第１のチッ
プサイズパッケージ２０１上にフリップチップ実装され
ている。
【００４８】同様に、復調器デバイス５０００の電極５
００１が接続部４２により第２のチップサイズパッケー
ジ２０２の電極２２に電気的及び機械的に接続されるこ
とにより、復調器デバイス５０００が第２のチップサイ
ズパッケージ２０２上にフリップチップ実装されてい
る。そして、第１、第２のチップサイズパッケージ２０
１、２０２の各電極２１、２２がそれぞれ接続部５１、
５２により共通の樹脂基板３の電極３１に電気的及び機
械的に接続されることにより、チップサイズパッケージ
２０１、２０２が共通の樹脂基板３上に実装されてい
る。
【００４９】第１１の実施形態によれば、共に化合物半
導体チップ１からなる受光デバイス４０００及び復調器
デバイス５０００と共通の樹脂基板３の熱膨張係数の差
による熱応力を第１、第２のチップサイズパッケージ２
０１、２０２に吸収させることにより、破損やクラック
の発生を防止することができる。
【００５０】＜第１２の実施形態＞図１２は第１２の実
施形態として、共に化合物半導体チップ１からなる受光
デバイス４０００、高周波増幅器デバイス８及び復調器
デバイス５０００とチップサイズパッケージ２０１、２
０２、２０３により光受信機を構成した光高周波回路を
示している。受光デバイス４０００の電極４００１が接
続部４１により第１のチップサイズパッケージ２０１の
電極２１に電気的及び機械的に接続されることにより、
受光デバイス４０００が第１のチップサイズパッケージ
２０１上にフリップチップ実装されている。
【００５１】同様に、高周波増幅器デバイス８の電極８
１が接続部４２により第２のチップサイズパッケージ２
０２の電極２２に電気的及び機械的に接続されることに
より、高周波増幅器デバイス８が第２のチップサイズパ
ッケージ２０２上にフリップチップ実装されている。さ
らに、復調器デバイス５０００の電極５００１が接続部
４３により第３のチップサイズパッケージ２０３の電極
２３に電気的及び機械的に接続されることにより、復調
器デバイス５０００が第３のチップサイズパッケージ２
０３上にフリップチップ実装されている。そして、第
１、第２、第３のチップサイズパッケージ２０１、２０
２、２０３の各電極２１、２２、２３がそれぞれ接続部
５１、５２、５３により共通の樹脂基板３の電極３１に
電気的及び機械的に接続されることにより、チップサイ
ズパッケージ２０１、２０２、２０３が共通の樹脂基板
３上に実装されている。
【００５２】第１２の実施形態によれば、共に化合物半
導体チップ１からなる受光デバイス４０００、高周波増
幅器デバイス８及び復調器デバイス５０００と、共通の
樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力をそれぞれチ
ップサイズパッケージ２０１、２０２、２０３に吸収さ
せることにより、破損やクラックの発生を防止すること
ができる。
【００５３】＜第１３の実施形態＞図１３は第１３の実
施形態として、共に化合物半導体チップ１からなる変調
器デバイス７及び発光デバイス９と２つのチップキャリ
ア６０１、６０２により光送信機を構成した光高周波回
路を示している。変調器デバイス７の下面に形成された
電極７１が第１のチップキャリア６０１の上面に形成さ
れた電極６１に対して接続部４１により電気的及び機械
的に接続されることにより、変調器デバイス７が第１の
チップキャリア６０１上にフリップチップ実装されてい
る。
【００５４】同様に、発光デバイス９の下面に形成され
た電極９１が第２のチップキャリア６０２の上面に形成
された電極６２に対して接続部４２により電気的及び機
械的に接続されることにより、発光デバイス９が第２の
チップキャリア６０２上にフリップチップ実装されてい
る。そして、第１、第２のチップキャリア６０１、６０
２の下面にそれぞれ形成された電極６１、６２が共通の
樹脂基板３の上面に形成された電極３１に対して接続部
５１、５２により電気的及び機械的に接続されることに
より、第１、第２のチップキャリア６０１、６０２が共
通の樹脂基板３上に実装されている。
【００５５】第１３の実施形態によれば、共に化合物半
導体チップ１からなる変調器デバイス７及び発光デバイ
ス９と共通の樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力
を第１、第２のチップキャリア６０１、６０２に吸収さ
せることにより、破損やクラックの発生を防止すること
ができる。
【００５６】＜第１４の実施形態＞図１４は第１４の実
施形態として、共に化合物半導体チップ１からなる変調
器デバイス７、高周波増幅器デバイス８及び発光デバイ
ス９と３つのチップキャリア６０１、６０２、６０３に
より光送信機を構成した光高周波回路を示している。変
調器デバイス７の下面に形成された電極７１が第１のチ
ップキャリア６０１の上面に形成された電極６１に対し
て接続部４１により電気的及び機械的に接続されること
により、変調器デバイス７が第１のチップキャリア６０
１上にフリップチップ実装されている。
【００５７】同様に、高周波増幅器デバイス８の下面に
形成された電極８１が第２のチップキャリア６０２の上
面に形成された電極６２に対して接続部４２により電気
的及び機械的に接続されることにより、発光デバイス９
が第２のチップキャリア６０２上にフリップチップ実装
され、さらに発光デバイス９の下面に形成された電極９
１が第３のチップキャリア６０３の上面に形成された電
極６３に対して接続部４３により電気的及び機械的に接
続されることにより、発光デバイス９が第３のチップキ
ャリア６０３上にフリップチップ実装されている。そし
て、第１、第２、第３のチップキャリア６０１、６０
２、６０３の下面にそれぞれ形成された電極６１、６
２、６３が共通の樹脂基板３の上面に形成された電極３
１に対して接続部５１、５２、５３により電気的及び機
械的に接続されることにより、第１、第２、第３のチッ
プキャリア６０１、６０２、６０３が共通の樹脂基板３
上に実装されている。
【００５８】第１４の実施形態によれば、共に化合物半
導体チップ１からなる変調器デバイス７、高周波増幅器
デバイス８及び発光デバイス９と、共通の樹脂基板３の
熱膨張係数の差による熱応力を第１、第２、第３のチッ
プキャリア６０１、６０２、６０３に吸収させることに
より、破損やクラックの発生を防止することができる。
【００５９】＜第１５の実施形態＞図１５は第１５の実
施形態として、共に化合物半導体チップ１からなる受光
デバイス４０００及び復調器デバイス５０００と２つの
チップキャリア６０１、６０２により光受信機を構成し
た光高周波回路を示している。受光デバイス４０００の
電極４００１が接続部４１により第１のチップキャリア
６０１の上面に形成された電極６１に対して接続部４１
により電気的及び機械的に接続されることにより、受光
デバイス４０００が第１のチップキャリア６０１上にフ
リップチップ実装されている。
【００６０】同様に、復調器デバイス５０００の下面に
形成された電極５００１が第２のチップキャリア６０２
の上面に形成された電極６２に対して接続部４２により
電気的及び機械的に接続されることにより、復調器デバ
イス５０００が第２のチップキャリア６０２上にフリッ
プチップ実装されている。そして、第１、第２のチップ
キャリア６０１、６０２の下面にそれぞれ形成された電
極６１、６２が共通の樹脂基板３の上面に形成された電
極３１に対して接続部５１、５２により電気的及び機械
的に接続されることにより、第１、第２のチップキャリ
ア６０１、６０２が共通の樹脂基板３上に実装されてい
る。
【００６１】第１５の実施形態によれば、共に化合物半
導体チップ１からなる受光デバイス４０００及び復調器
デバイス５０００と共通の樹脂基板３の熱膨張係数の差
による熱応力を第１、第２のチップキャリア６０１、６
０２に吸収させることにより、破損やクラックの発生を
防止することができる。
【００６２】＜第１６の実施形態＞図１６は第１６の実
施形態として、共に化合物半導体チップ１からなる受光
デバイス４０００、高周波増幅器デバイス８及び復調器
デバイス５０００と３つのチップキャリア６０１、６０
２、６０３により光受信機を構成した光高周波回路を示
している。受光デバイス４０００の電極４００１が接続
部４１により第１のチップキャリア６０１の上面に形成
された電極６１に対して接続部４１により電気的及び機
械的に接続されることにより、受光デバイス４０００が
第１のチップキャリア６０１上にフリップチップ実装さ
れている。
【００６３】同様に、高周波増幅器デバイス８の下面に
形成された電極８１が第２のチップキャリア６０２の上
面に形成された電極６２に対して接続部４２により電気
的及び機械的に接続されることにより、高周波増幅器デ
バイス８が第２のチップキャリア６０２上にフリップチ
ップ実装され、さらに復調器デバイス５０００の下面に
形成された電極５００１が第３のチップキャリア６０３
の上面に形成された電極６３に対して接続部４３により
電気的及び機械的に接続されることにより、復調器デバ
イス５０００が第３のチップキャリア６０３上にフリッ
プチップ実装されている。そして、第１、第２、第３の
チップキャリア６０１、６０２、６０３の下面にそれぞ
れ形成された電極６１、６２、６３が共通の樹脂基板３
の上面に形成された電極３１に対して接続部５１、５
２、５３により電気的及び機械的に接続されることによ
り、第１、第２、第３のチップキャリア６０１、６０
２、６０３が共通の樹脂基板３上に実装されている。
【００６４】第１６の実施形態によれば、共に化合物半
導体チップ１からなる受光デバイス４０００、高周波増
幅器デバイス８及び復調器デバイス５０００と、共通の
樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力を第１、第
２、第３のチップキャリア６０１、６０２、６０３に吸
収させることにより、破損やクラックの発生を防止する
ことができる。
【００６５】＜第１７の実施形態＞図１７は第１７の実
施形態として、チップサイズパッケージ２０１とチップ
キャリア６０１を混在して上記の光送信機や光受信機を
構成した光高周波回路を示している。すなわち第１の化
合物半導体チップ１０１の電極１１がチップサイズパッ
ケージ２０１の電極２１に接続部４１を介して電気的及
び機械的に接続されることにより、第１の化合物半導体
チップ１０１がチップサイズパッケージ２０１上にフリ
ップチップ実装されている。
【００６６】また、第２の化合物半導体チップ１０２の
下面に形成された電極１２がチップキャリア６０１の上
面に形成された電極６１に対して接続部４２を介して電
気的及び機械的に接続されることにより、第２の化合物
半導体チップ１０２がチップキャリア６０１上にフリッ
プチップ実装されている。そして、チップサイズパッケ
ージ２０１とチップキャリア６０１の下面にそれぞれ形
成された電極２１、６１が共通の樹脂基板３の上面に形
成された電極３１に対して接続部５１、５２を介して電
気的及び機械的に接続されることにより、チップサイズ
パッケージ２０１とチップキャリア６０１が共通の樹脂
基板３上に実装されている。
【００６７】第１７の実施形態によれば、第１の化合物
半導体チップ１０１及び第２の化合物半導体チップ１０
２と共通の樹脂基板３の熱膨張係数の差による熱応力を
チップサイズパッケージ２０１とチップキャリア６０１
に吸収させることにより、破損やクラックの発生を防止
することができる。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、化
合物半導体チップをチップサイズパッケージやチップキ
ャリアを介して樹脂基板上に実装するようにしたので、
コストが高い、基板が割れ易い、基板が反る、メーカー
が少ないことにより調達が困難であるという欠点を持つ
セラミック基板を用いなくても高周波回路を構成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光高周波回路の第１の実施形態を
示す側面図
【図２】第２の実施形態の光高周波回路を示す側面図
【図３】第３の実施形態の光高周波回路を示す側面図
【図４】第４の実施形態の光高周波回路を示す側面図
【図５】第５の実施形態の光高周波回路を示す側面図
【図６】第６の実施形態の光高周波回路を示す側面図
【図７】第７の実施形態の光高周波回路を示す側面図
【図８】第８の実施形態の光高周波回路を示す側面図
【図９】第９の実施形態の光高周波回路を示す側面図
【図１０】第１０の実施形態の光高周波回路を示す側面
図
【図１１】第１１の実施形態の光高周波回路を示す側面
図
【図１２】第１２の実施形態の光高周波回路を示す側面
図
【図１３】第１３の実施形態の光高周波回路を示す側面
図
【図１４】第１４の実施形態の光高周波回路を示す側面
図
【図１５】第１５の実施形態の光高周波回路を示す側面
図
【図１６】第１６の実施形態の光高周波回路を示す側面
図
【図１７】第１７の実施形態の光高周波回路を示す側面
図
【図１８】従来の光高周波回路を示す側面図
【符号の説明】
１，１０１，１０２ 化合物半導体チップ ２，２０１，２０２，２０３ チップサイズパッケージ ３ 樹脂基板 ６，６０１，６０２，６０３ チップキャリア ７ 変調器デバイス ８ 高周波増幅器デバイス ９ 発光デバイス ４０００ 受光デバイス ５０００ 復調器デバイス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｈ０１Ｌ 25/08 Ｚ 31/02 23/12 Ｌ 33/00 23/14 Ｒ Ｈ０１Ｓ 5/022 31/02 Ｂ Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｆターム(参考） 2H079 FA03 JA09 KA18 KA20 5E336 AA04 AA13 BB15 CC31 GG30 5F041 AA40 AA44 DA03 DA09 DA13 5F073 AB28 BA01 CA02 FA15 5F088 AA03 AA05 BA16 BB01 EA16 JA03 JA09 KA02

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化合物半導体チップと、チップサイズパ
    ッケージと樹脂基板を有し、前記化合物半導体チップが
    前記チップサイズパッケージ上に実装され、更に前記チ
    ップサイズパッケージが前記樹脂基板上に実装されてい
    る光高周波回路。
  2. 【請求項２】 化合物半導体チップと、チップキャリア
    と樹脂基板を有し、前記化合物半導体チップが前記チッ
    プキャリアに実装され、更に前記チップキャリアが前記
    樹脂基板上に実装されている光高周波回路。
  3. 【請求項３】 ２以上の化合物半導体チップと、２以上
    のチップサイズパッケージと共通の樹脂基板を有し、前
    記２以上の化合物半導体チップが前記２以上のチップサ
    イズパッケージ上のそれぞれに実装され、更に前記２以
    上のチップサイズパッケージが前記共通の樹脂基板上に
    実装されている光高周波回路。
  4. 【請求項４】 ２以上の化合物半導体チップと、少なく
    とも１つのチップサイズパッケージと共通の樹脂基板を
    有し、前記２以上の化合物半導体チップが前記少なくと
    も１つのチップサイズパッケージの内の共通のチップサ
    イズパッケージ上に実装され、更に前記少なくとも１つ
    のチップサイズパッケージが前記共通の樹脂基板に実装
    されている光高周波回路。
  5. 【請求項５】 ２以上の化合物半導体チップと、２以上
    のチップキャリアと共通の樹脂基板を有し、前記２以上
    の化合物半導体チップが前記２以上のチップキャリアの
    それぞれに実装され、更に前記２以上のチップキャリア
    が前記共通の樹脂基板に実装されている光高周波回路。
  6. 【請求項６】 ２以上の化合物半導体チップと、少なく
    とも１つのチップキャリアと共通の樹脂基板を有し、前
    記２以上の化合物半導体チップが前記少なくとも１つの
    チップキャリアの内の共通のチップチップキャリアに実
    装され、更に前記少なくとも１つのチップキャリアが前
    記共通の樹脂基板に実装されている光高周波回路。
  7. 【請求項７】 化合物半導体からなる変調器デバイス
    と、化合物半導体からなる発光デバイスと、第１及び第
    ２のチップサイズパッケージと共通の樹脂基板を有し、
    前記変調器デバイスが前記第１のチップサイズパッケー
    ジ上に実装され、前記発光デバイスが前記第２のチップ
    サイズパッケージ上に実装され、更に前記第１及び第２
    のチップサイズパッケージが前記共通の樹脂基板上に実
    装されて光送信機を構成する光高周波回路。
  8. 【請求項８】 化合物半導体からなる変調器デバイス
    と、化合物半導体からなる発光デバイスと、化合物半導
    体からなる高周波増幅器デバイスと、第１、第２及び第
    ３のチップサイズパッケージと共通の樹脂基板を有し、
    前記変調器デバイスが前記第１のチップサイズパッケー
    ジ上に実装され、前記発光デバイスが前記第２のチップ
    サイズパッケージ上に実装され、前記高周波増幅器デバ
    イスが前記第３のチップサイズパッケージ上に実装さ
    れ、更に前記第１、第２及び第３のチップサイズパッケ
    ージが前記共通の樹脂基板上に実装されて光送信機を構
    成する光高周波回路。
  9. 【請求項９】 化合物半導体からなる受光デバイスと、
    化合物半導体からなる復調器デバイスと、第１及び第２
    のチップサイズパッケージと共通の樹脂基板を有し、前
    記受光デバイスが前記第１のチップサイズパッケージ上
    に実装され、前記復調器デバイスが前記第２のチップサ
    イズパッケージ上に実装され、更に前記第１、第２のチ
    ップサイズパッケージが前記共通の樹脂基板上に実装さ
    れて光受信機を構成する光高周波回路。
  10. 【請求項１０】 化合物半導体からなる受光デバイス
    と、化合物半導体からなる復調器デバイスと、化合物半
    導体からなる高周波増幅器デバイスと、第１、第２及び
    第３のチップサイズパッケージと共通の樹脂基板を有
    し、前記発光デバイスが前記第１のチップサイズパッケ
    ージ上に実装され、前記復調器デバイスが前記第２のチ
    ップサイズパッケージ上に実装され、前記高周波増幅器
    デバイスが前記第３のチップサイズパッケージ上に実装
    され、更に前記第１、第２及び第３のチップサイズパッ
    ケージが前記共通の樹脂基板上に実装されて光受信機を
    構成する光高周波回路。
  11. 【請求項１１】 化合物半導体からなる変調器デバイス
    と、化合物半導体からなる発光デバイスと、第１及び第
    ２のチップキャリアと共通の樹脂基板を有し、前記変調
    器デバイスが前記第１のチップキャリアに実装され、前
    記発光デバイスが前記第２のチップキャリアに実装さ
    れ、更に前記第１、第２のチップキャリアが前記共通の
    樹脂基板上に実装されて光送信機を構成する光高周波回
    路。
  12. 【請求項１２】 化合物半導体からなる変調器デバイス
    と、化合物半導体からなる発光デバイスと、化合物半導
    体からなる高周波増幅器デバイスと、第１、第２及び第
    ３のチップキャリアと共通の樹脂基板を有し、前記変調
    器デバイスが前記第１のチップキャリアに実装され、前
    記発光デバイスが前記第２のチップキャリアに実装さ
    れ、前記高周波増幅器デバイスが前記第３のチップキャ
    リアに実装され、更に前記第１、第２及び第３のチップ
    キャリアが前記共通の樹脂基板上に実装されて光送信機
    を構成する光高周波回路。
  13. 【請求項１３】 化合物半導体からなる受光デバイス
    と、化合物半導体からなる復調器デバイスと、第１及び
    第２のチップキャリアと共通の樹脂基板を有し、前記受
    光デバイスが前記第１のチップキャリアに実装され、前
    記復調器デバイスが前記第２のチップキャリアに実装さ
    れ、更に前記第１、第２のチップキャリアが前記共通の
    樹脂基板上に実装されて光受信機を構成する光高周波回
    路。
  14. 【請求項１４】 化合物半導体からなる受光デバイス
    と、化合物半導体からなる復調器デバイスと、化合物半
    導体からなる高周波増幅器デバイスと、第１、第２及び
    第３のチップキャリアと共通の樹脂基板を有し、前記発
    光デバイスが前記第１のチップキャリアに実装され、前
    記復調器デバイスが前記第２のチップキャリアに実装さ
    れ、前記高周波増幅器デバイスが前記第３のキャリアに
    実装され、更に前記第１、第２及び第３のチップキャリ
    アが前記共通の樹脂基板上に実装されて光受信機を構成
    する光高周波回路。
  15. 【請求項１５】 前記チップサイズパッケージ及び前記
    チップキャリアが混在して前記共通の樹脂基板に実装さ
    れることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１
    つに記載の光高周波回路。
  16. 【請求項１６】 前記化合物半導体チップと、チップキ
    ャリアと樹脂基板が平行に配置されていることを特徴と
    する請求項２、５、６、１１ないし１５のいずれか１つ
    に記載の光高周波回路。
  17. 【請求項１７】 前記化合物半導体チップが前記チップ
    キャリアの垂直側面に実装されていることを特徴とする
    請求項２、５、６、１１ないし１５のいずれか１つに記
    載の光高周波回路。
  18. 【請求項１８】 前記化合物半導体チップが前記チップ
    キャリアの斜め側面に実装されていることを特徴とする
    請求項２、５、６、１１ないし１５のいずれか１つに記
    載の光高周波回路。
  19. 【請求項１９】 前記化合物半導体チップと、前記チッ
    プサイズパッケージまたはチップキャリアと樹脂基板が
    マイクロ波領域を含む高周波信号を伝送することを特徴
    とする請求項１ないし１８のいずれか１つに記載の光高
    周波回路。
  20. 【請求項２０】 前記化合物半導体チップを構成する化
    合物半導体が、発光ダイオード、レーザダイオードなど
    を構成する発光化合物半導体であることを特徴とする請
    求項１ないし１９のいずれか１つに記載の光高周波回
    路。
  21. 【請求項２１】 前記化合物半導体チップを構成する化
    合物半導体が、p-i-nフォトダイオード、アバランシェ
    フォトダイオードなどを構成する受光化合物半導体であ
    ることを特徴とする請求項１ないし１９のいずれか１つ
    に記載の光高周波回路。
  22. 【請求項２２】 前記樹脂基板が、紙フェノール、紙エ
    ポキシ、ガラス布、ガラスエポキシ、ガラスフッ素、テ
    フロン、ポリイミド、テフロン（登録商標）織布のいず
    れか、もしくはその混成物であることを特徴とする請求
    項１から２１のいずれか１つに記載の光高周波回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311783A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Fuji Xerox Co Ltd 光検出装置、及びその実装方法
JP2012146898A (ja) * 2011-01-14 2012-08-02 Toshiba Corp 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
JP2012204614A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toshiba Corp 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
CN113376767A (zh) * 2021-05-28 2021-09-10 上海曦智科技有限公司 芯片封装结构以及光计算设备

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