JP2020507201A - フォトレジストのフォトルミネッセンスパッドを含む光電子デバイスの製造方法 - Google Patents

フォトレジストのフォトルミネッセンスパッドを含む光電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Abstract

発光ダイオード（４）のマトリックスアレイと、それぞれ少なくとも前記発光ダイオード（４）のいくつかに対向配置されている複数のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３・・・）と、を含む光電子デバイス（１）の製造方法であって、—フォトレジストが支持面（３；３'）上に予め堆積されており、フォトルミネッセンス粒子を含む少なくとも１つの前記フォトレジスト（５１、５２、５３・・・）からフォトリソグラフィによって前記複数のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３・・・）を形成するステップと、—横側面上の少なくとも１つの薄層部（９１、９２、９３・・・）の堆積によって前記フォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３・・・）の横側面（８１、８２、８３・・・）を被覆する反射壁（１０１、１０２、１０３・・・）を形成するステップと、を備える光電子デバイスの製造方法。【選択図】図１Ｆ

Description

本発明は、フォトレジストのフォトルミネッセンスパッドを含む光電子デバイスの製造方法に関する。本発明は、特に、画像を投影するためのディスプレイスクリーンまたはシステムに適用可能である。
発光面を有する発光ダイオードのマトリックスアレイを含む様々な光電子デバイスが存在し、この発光面は、少なくとも部分的にフォトルミネッセンスパッドによって被覆されている。そのような光電子デバイスは、様々な色の発光画素のマトリックスアレイを含む、ディスプレイスクリーン又はシステムを形成することができる。
発光ダイオードは、周期表のＩＩＩ族及びＶ族からの元素を含む半導体（ＩＩＩ−Ｖ族化合物等）、特に窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）をベースとすることができる。それらは、発光ダイオードによって発光された光放射が透過される発光面を有する発光ダイオードのマトリックスアレイを形成するように配置される。
ディスプレイスクリーン又は画像投影システムの場合、光電子デバイスは、発光画素のマトリックスアレイを含むことができ、それぞれの発光画素は、１又は１以上の発光ダイオードを含む。例えば青色、緑色、又は赤色等の様々な色の発光に適した発光画素を得る目的で、発光ダイオードが青色光を発するように設計されてもよく、特定の発光画素が少なくとも部分的に発光ダイオードによって発された青色光を吸収し、それに応じて緑色又は赤色光を発するのに適したフォトルミネッセンスパッドを含んでいてもよい。フォトルミネッセンスパッドは、従来、セリウムドープイットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）のようなフォトルミネッセンス材料の粒子を含む結合マトリックスから形成される。
一般的に、コントラストを最適化しつつ解像度を増加することができる光電子デバイスを製造する方法を提供する必要がある。
本発明の目的は、発光ダイオードとフォトルミネッセンスパッドとを含む光電子デバイスの製造方法を提供することであり、当該方法は、高解像度かつ高コントラストの光電子デバイスを得ることが可能である。
この目的のため、本発明の一態様は、発光ダイオードのマトリックスアレイと、それぞれ少なくとも前記発光ダイオードのいくつかに対向配置されている複数のフォトルミネッセンスパッドと、を含む光電子デバイスの製造方法であって、
―フォトレジストが支持面上に予め堆積されており、フォトルミネッセンス粒子を含む少なくとも１つの前記フォトレジストからフォトリソグラフィによって前記複数のフォトルミネッセンスパッドを形成するステップと、
―横側面上の少なくとも１つの薄層部の堆積によって前記フォトルミネッセンスパッドの横側面を被覆する反射壁を形成するステップと、
を備える。
以下は、この方法の好ましいが非限定的な特定の態様である。
反射壁を形成するステップが、フォトルミネッセンスパッドを被覆するように反射材料から作られた少なくとも１つの薄層をコンフォーマルに堆積するステップと、次いで、フォトルミネッセンスパッドの上面と呼ばれるものを解放するために堆積された薄層を局所的にエッチングするステップと、を含んでいてもよく、前記上面が前記支持面の反対側に位置する。
複数のフォトルミネッセンスパッドを形成するステップ及び反射壁を形成するステップが、
―第１のフォトレジストが前記支持面上に予め堆積されており、第１のフォトルミネッセンス粒子を含有する前記第１のフォトレジストからフォトリソグラフィによって複数の第１のフォトルミネッセンスパッドを形成するステップと、
―前記第１のフォトルミネッセンスパッド上の薄層をコンフォーマルに堆積することによって前記第１のフォトルミネッセンスパッドの横側面を被覆する第１の反射壁を形成し、次いで、第１のフォトルミネッセンスパッドの上面を解放するために局所的にエッチングするステップと、
―第２のフォトレジストが前記支持面上に予め堆積されており、第２のフォトルミネッセンス粒子が第１のフォトルミネッセンス粒子と異なり、前記第２のフォトルミネッセンス粒子を含有する第２のフォトレジストからフォトリソグラフィによって複数の第２のフォトルミネッセンスパッドを形成するステップと、
を含んでいてもよい。
複数の第２のフォトルミネッセンスパッドを形成するステップに続いて、
―第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド上の薄層をコンフォーマルに堆積することによって前記第２のフォトルミネッセンスパッドの横側面を被覆する第２の反射壁を形成し、次いで、第１及び第２のフォトルミネッセンスパッドの上面を解放するために局所的にエッチングするステップと、
を含んでいてもよい。
各第２のフォトルミネッセンスパッドが少なくとも１つの第１の反射壁と好ましくは接触する。
各第１の反射壁が、好ましくは１０ｎｍから５００ｎｍまでの厚みを有する。
複数のフォトルミネッセンスパッドを形成するステップが、少なくとも第１のフォトルミネッセンス粒子を含有する複数の第１のフォトルミネッセンスパッドを形成するステップと、次いで第１のフォトルミネッセンス粒子と異なる第２のフォトルミネッセンス粒子を含有する複数の第２のフォトルミネッセンスパッドを形成するステップと、を含んでいてもよく、反射壁を形成するステップが、少なくとも第１及び第２のフォトルミネッセンスパッドを形成した後に行われる。
反射壁が、好ましくは電着によって形成される。
フォトルミネッセンス粒子が、好ましくは平均サイズが５００ｎｍ以下である。
フォトルミネッセンス粒子が、好ましくは、量子ドットであり、平均サイズが５０ｎｍ以下である。
フォトルミネッセンスパッドが、好ましくは平均高さが３０μｍ以下である。
発光ダイオードが、支持層の主面に対して実質的に直交して長手方向に延びた細長い三次元構成要素であってもよい。
発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置され、少なくともいくつかのパッドがフォトルミネッセンス粒子を含むフォトルミネッセンスパッドであってもよい。
フォトルミネッセンスパッドが、好ましくは、透過面と呼ばれる支持面に載置され、前記支持面が発光ダイオードを被覆するスペーサー層によって形成される。
本発明の他の態様は、光電子デバイスであって、
―支持層上に載置された発光ダイオードのマトリックスアレイと、
―それぞれ少なくともいくつかの前記発光ダイオードに対向配置されており、それぞれ第１のフォトルミネッセンス粒子を含む第１のフォトレジストから形成され、前記第１のフォトルミネッセンスパッドが第１の反射壁を形成する堆積された薄層部によって被覆された横側面を有する、複数の第１のフォトルミネッセンスパッドと、
―それぞれ少なくともいくつかの前記発光ダイオードに対向配置されており、それぞれ第１のフォトルミネッセンス粒子と異なる第２のフォトルミネッセンス粒子を含む第２のフォトレジストから形成され、前記第２のフォトルミネッセンスパッドが第２の反射壁を形成する堆積された薄層部によって被覆された横側面を有する、複数の第２のフォトルミネッセンスパッドと、
を含む。
それぞれの第２のフォトルミネッセンスパッドが、好ましくは第１の反射壁と接触する。
発光ダイオードが、好ましくは、支持層に対して実質的に直交する長手方向の軸に沿って延びた細長い三次元構成要素である。
発光ダイオードが、好ましくはフォトレジストパッドの内側に配置されている。
発光ダイオードが、好ましくはメサ構造を有する。
本発明の他の態様、目的、利点および特徴は、好ましい実施形態に係る以下の詳細な説明を読むことによってより明らかになり、以下の説明は、添付の図面を参照しつつ、非限定的な例示として提供されるものである。
図１Ａは、第１の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第１の実施形態では、フォトルミネッセンスパッドがフォトルミネッセンス粒子を含有する様々なフォトレジストから製造される。 図１Ｂは、第１の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第１の実施形態では、フォトルミネッセンスパッドがフォトルミネッセンス粒子を含有する様々なフォトレジストから製造される。 図１Ｃは、第１の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第１の実施形態では、フォトルミネッセンスパッドがフォトルミネッセンス粒子を含有する様々なフォトレジストから製造される。 図１Ｄは、第１の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第１の実施形態では、フォトルミネッセンスパッドがフォトルミネッセンス粒子を含有する様々なフォトレジストから製造される。 図１Ｅは、第１の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第１の実施形態では、フォトルミネッセンスパッドがフォトルミネッセンス粒子を含有する様々なフォトレジストから製造される。 図１Ｆは、第１の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第１の実施形態では、フォトルミネッセンスパッドがフォトルミネッセンス粒子を含有する様々なフォトレジストから製造される。 図２Ａは、第２の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、画素の解像度が、第１の実施形態に係る方法を使用して得られるものに比較して増加する。 図２Ｂは、第２の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、画素の解像度が、第１の実施形態に係る方法を使用して得られるものに比較して増加する。 図２Ｃは、第２の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、画素の解像度が、第１の実施形態に係る方法を使用して得られるものに比較して増加する。 図２Ｄは、第２の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、画素の解像度が、第１の実施形態に係る方法を使用して得られるものに比較して増加する。 図２Ｅは、第２の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、画素の解像度が、第１の実施形態に係る方法を使用して得られるものに比較して増加する。 図２Ｆは、第２の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、画素の解像度が、第１の実施形態に係る方法を使用して得られるものに比較して増加する。 図２Ｇは、第２の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、画素の解像度が、第１の実施形態に係る方法を使用して得られるものに比較して増加する。 図２Ｈは、第２の実施形態に係る製造方法の様々なステップの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、画素の解像度が、第１の実施形態に係る方法を使用して得られるものに比較して増加する。 図３Ａは、第２の実施形態に係る製造方法の一変形例の上からの部分概略断面図であり、本変形例では、それぞれの第２のフォトルミネッセンスパッドが第１の反射壁（ここではそれはバイヤーマトリックスの例である）に接触している。 図３Ｂは、第２の実施形態に係る製造方法の他の変形例を使用して得られた光電子デバイスの部分概略断面図であり、本変形例では、反射壁が傾斜している。 図４Ａは、第２の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であり、第２の実施形態では、発光ダイオードがワイヤー発光ダイオードである。 図４Ｂは、コア／シェル形状のワイヤー発光ダイオードの一例を詳細に示す図である。 図４Ｃは、軸形状のワイヤー発光ダイオードの他の一例を詳細に示す図である。 図５は、第２の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第２の実施形態では、発光ダイオードがメサダイオードである、 図６Ａは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図６Ｂは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図６Ｃは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図６Ｄは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図６Ｅは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図６Ｆは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図６Ｇは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図６Ｈは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図６Ｉは、第３の実施形態に係る製造方法によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、第３の実施形態では、発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されている。 図７は、第２の実施形態に係る製造方法の一変形例によって得られた光電子デバイスの部分概略断面図であって、本変形例では、２つの隣り合うフォトルミネッセンスパッドの反射壁が互いに接触している。
図面及び以下の説明では、同一又は類似の構成要素に、同じ参照番号が付されている。加えて、様々な構成要素は、図面を明確にするために、一定の縮尺で示されてはいない。さらに、様々な実施形態及び変形例は、互いに排他的でなく、共に組み合わされてもよい。他に指示が無い限り、用語「実質的に」、「約」、及び「程度」は、１０％以内を意味する。
本発明は、発光ダイオードとフォトルミネッセンスパッドとを含む光電子デバイスの製造方法に関する。より正確には、光電子デバイスは、様々な発光画素に分配された発光ダイオードのマトリックスアレイを含み、フォトルミネッセンスパッドは、それぞれ少なくともいくつかの発光ダイオード対向配置されている。対向配置とは、フォトルミネッセンスパッドが発光ダイオードの真向かいに配置されており、かつ、発光ダイオードから離間して又は後者と接触していることを意味する。
詳細を後述する一実施形態によると、フォトルミネッセンスパッドは、発光ダイオードに対向配置され、かつ、スペーサー層によって後者から離間されてもよい。換言すると、フォトルミネッセンスパッドは、発光ダイオードと接触しない。それらは、スペーサー層の光透過面と称される支持面上に載置されてもよい。透過面は、フォトルミネッセンスパッドの方向に発光ダイオードによって発される、励起放射と称される光放射が透過するスペーサー層の表面である。変形例として、透過面は、その上にフォトルミネッセンスパッドが予め製造されている透明板の表面であってもよく、透明板は、発光ダイオードのマトリックスアレイ、例えばスペーサー層上に追加されて固定される。
詳細を後述する他の実施形態によると、フォトルミネッセンスパッドは、発光ダイオードに対向配置され、かつ、後者と接触するように配置されてもよい。換言すると、発光画素において、発光ダイオードは、対応するフォトルミネッセンスパッドの内側に配置されて接触している。フォトルミネッセンスパッドは、それぞれに対応する発光ダイオードを囲む。発光ダイオード及びフォトルミネッセンスパッドは、支持層と称されるものの同一の支持面に載置される。この実施形態は、より詳細にはワイヤー発光ダイオードに関する。
フォトルミネッセンスパッドは、発光ダイオードによって発された励起光放射を少なくとも部分的に異なる波長のルミネッセンス光放射と称されるものに変換するのに適している。それぞれのフォトルミネッセンスパッドは、結合マトリックスを含み、それは、励起光及びルミネッセンス光放射に対して透明であり、その中にフォトルミネッセンス粒子が分散されている。フォトルミネッセンスパッドは、支持面、例えば発光ダイオードもまた載置される支持層の表面、又は発光ダイオードを覆う透明スペーサー層の表面、又は追加された透明板の表面にさえ、載置される。各フォトルミネッセンスパッドは、支持面とは反対側に、ルミネッセンス光放射を透過させることを意図した上面と称されるもの、及び上面から支持面まで延びてパッドを横方向に境界付ける横側面と、を有する。
フォトルミネッセンスパッドの結合マトリックスは、ここではフォトレジストである。フォトレジストとは、ここでは所与の光放射の影響下において、ここではフォトリソグラフィ工程において、現像剤の溶解度が変化する材料を意味する。それは、ポジ型又はネガ型レジストから選択可能であり、フォトレジストのこれらのカテゴリーは、当業者に知られている。それぞれのフォトルミネッセンスパッドは、フォトレジストから形成され、それは、フォトルミネッセンス粒子を含んでパッドごとに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
フォトレジストは、透明であり、かつ、発光ダイオード及びフォトルミネッセンス粒子によって発される光放射に対して光学的に不活性である。このように、レジストは、発光ダイオードによる光放射、及びフォトルミネッセンス粒子による光放射の少なくとも５０％、好ましくは少なくとも８０％を透過させ、そして、それはこの光の吸収に応答して発光しない。それは、シリコーン、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等のポリシロキサン、レジストＳＵ−８、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のような熱可塑性ポリマー、ポリイミド、又は他の適切なフォトレジストから選択される。
フォトルミネッセンス粒子は、励起光をより長い波長のルミネッセンス光に少なくとも部分的に変換するのに適した少なくとも１つのフォトルミネッセンス材料の粒子である。例として、それらは、青色光、すなわちその波長が４４０ｎｍから４９０ｎｍの間に含まれる光を吸収し、そして緑色、すなわち４９５ｎｍから５６０ｎｍまでの間に含まれる波長、又は赤色、すなわち６００ｎｍから６５０ｎｍまでの間に含まれる波長で発光するのに適している。波長は、ここでは、発光スペクトルの強度ピークの波長を意味する。単なる例示的な例として、発光ダイオードは、その強度ピークが３８０ｎｍから４９０ｎｍまでの間に位置する発光スペクトルを持っていてもよい。
フォトルミネッセンス粒子は、互いに分離されており、任意の形状、例えば球形、角形、偏平状、細長状、又は任意の他の形状であってよい。粒子のサイズは、ここでは粒子の最小の寸法であり、平均サイズは、粒子のサイズの算術平均である。フォトルミネッセンス粒子は、０．２ｎｍから１０００ｎｍまでの間に含まれる平均サイズを有していてもよく、例えば５００ｎｍ未満、例えば１００ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ未満である。
好ましくは、フォトルミネッセンス粒子は、量子ドットの形態、すなわちその量子閉じ込めが実質的に三次元である半導体ナノ結晶の形態をとる。量子ドットの平均サイズは、０．２ｎｍから５０ｎｍまでの間に含まれていてもよく、例えば１ｎｍから３０ｎｍまでの間に含まれる。量子ドットは、少なくとも１つの半導体化合物から形成され、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、リン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化亜鉛カドミウム（ＣｄＺｎＳｅ）、例えば銅又はマンガンでドープされたセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、グラフェン又は他の適当な半導体から選択される。量子ドットは、また、コア／シェル構造を有していてもよく、コア／シェル構造は、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＰｂＳｅ／ＰｂＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳｅ、ＣｄＳｅ／ＺｎＴｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳ等のような材料の組み合わせから成る。フォトルミネッセンス粒子のサイズ及び／又は組成は、ルミネッセンスに望ましい波長に応じて選択される。
フォトルミネッセンスパッドは、それぞれフォトレジストのブロックの形態をとり、その厚さは、それが載置される表面に直交する軸に沿った最大寸法として定義される。それらが載っている前記表面に平行な平面におけるパッドの断面は、様々な形状であり、例えば円形、楕円形、多角形、及び例えば三角形、正方形、長方形、さらには六角形であってもよい。ここで、パッドの幅は、パッドの断面の横寸法と定義される。局所幅は、その所与の高さにおけるパッドの幅である。平均幅は、パッドの厚さの全部の局所幅の平均（例えば算術平均）である。
フォトルミネッセンスパッドの厚みは、０．１μｍから５０μｍまでの間に含まれていてもよく、好ましくは１μｍから３０μｍまでの間に含まれており、例えば約２０μｍに等しい。フォトルミネッセンスパッドの幅は、発光画素のそれ、したがって光電子デバイスの用途に依る。それは、０．５μｍから１００μｍまでの間に含まれていてもよく、例えば１μｍから２０μｍまでの間に含まれており、そして例えばディスプレイスクリーン又は投影システムの場合には約１０μｍに等しい。さらに、フォトレジスト中のフォトルミネッセンス粒子の単位重量当たりの割合は、１０％から７０％までの間に含まれていてもよく、好ましくは２５％から６０％までの間に含まれていてもよく、例えば３０％に等しくてもよい。それは、特に、フォトリソグラフィ工程においてフォトレジストの厚さ全体に露光できるように、フォトルミネッセンスパッドの厚みに依る。
図１Ａから１Ｆは、第１の実施形態に係る発光ダイオードを含む光電子デバイスを製造する方法を示す。
平面（Ｘ，Ｙ）が実質的に光電子チップ２の主面に平行であり、かつ、Ｚ軸がＸＹ平面に直交する方向を向いている直接三次元座標系（direct three-dimensional coordinate system）（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、ここで定義され、残りの説明において参照される。
図１Ａは、透過面３を有する発光ダイオードのマトリックスアレイの準備、及び第１のフォトルミネッセンス粒子を含む第１のフォトレジスト５１の堆積を示す。
発光ダイオード（不図示）のマトリックスアレイは、ここで光電子チップ２内に形成され、発光画素Ｐのマトリックスアレイを定義する。光電子チップ２の１表面は、発光ダイオードのマトリックスアレイの透過面３を形成する。透過面３は、ここで実質的に平面であるが、光抽出を改善することを可能にする微細構造がそこにオプションとして存在してもよい。
発光ダイオードは、ここでは１つの同じ半導体化合物、例えばＧａＮのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物をベースとする。ベースとするとは、発光ダイオードが主に前記半導体化合物から成ることを意味する。以下に詳述するように、各発光ダイオードは、第１及び第２のドープ半導体部分のスタックを含み、活性部分は、それらの部分の間に位置する。活性部分は、光放射が発生する、発光ダイオードの部分である。発光ダイオードは、ワイヤー又はメタ構造のような様々な構造を有していてもよく、その例は、図４Ｂ及び４Ｃ並びに図５をそれぞれ参照して以下に説明される。この例において、発光ダイオードは、青色光、すなわち４４０ｎｍから４９０ｎｍまでの間に含まれる波長で強度ピークを有する発光スペクトルの光を放射するように設計されている。
第１のフォトレジスト５１は、発光ダイオード上に堆積されており、ここで後者と接触していない。より正確には、それは、発光ダイオードに対向して配置されるように、支持面、ここでは光電子チップ２の透過面３、上に堆積される。第１のフォトレジスト５１は、発光ダイオードによって発された青色光を赤色光、緑色光、又は他の色の光、ここでは例えば赤色光、に少なくとも部分的に変換するのに適した第１のフォトルミネッセンス粒子、ここでは量子ドット、を含む。フォトレジスト５１は、透過面３を完全に覆うように堆積されていてもよい。それは、当業者に知られている従来の技術、例えばスピンコーティング、スプレーコーティング、グラビア印刷、スクリーン印刷等、を使用して堆積されてもよい。
フォトレジスト５１は、透過面３上のどこでも実質的に一定の局所厚さを有し、好ましくは０．１μｍから５０μｍまでの間に含まれ、より好ましくは１μｍから４０μｍまでの間に含まれ、例えば約２０μｍに等しい、平均厚さを有する。
この例において、それは、発光ダイオードによって発された青色光を赤色光に少なくとも部分的に変換するのに適したフォトルミネッセンス粒子、ここでは量子ドット、を含む。例として、平均サイズが３ｎｍから１２ｎｍまでの間に含まれるＣｄＳｅ半導体ナノ結晶から形成される量子ドットは、青色光を赤色光に変換するのに適している。第１のフォトレジスト５１は、単位重量当たりの割合が、１０％から７０％までの間に含まれていてもよく、好ましくは２５％から６０％までの間に含まれており、例えば３０％に等しい、量子ドットを含む。
図１Ｂは、第１のフォトレジスト５１からフォトリソグラフィによって第１のフォトルミネッセンスパッド６１を形成する工程を示す。第１のパッド６１は、互いに分離され、赤色光を発するように画素ＰＲの透過面３上に位置取られる。
この例において、全ての第１のフォトルミネッセンスパッド６１は、互いに実質的に同一の寸法を有する。それらは、ここでＸＹ平面内に実質的に正方形又は長方形の断面を有する第１のフォトレジスト５１のブロックから形成される。それぞれの第１のフォトルミネッセンスパッド６１は、透過面３とは反対側のいわゆる上面７１と、上面７１から透過面３まで延びる横側面８１と、を有する。換言すると、発光ダイオードは、光電子チップの支持層（不図示）上に載っており、フォトルミネッセンスパッドの上面は、Ｚ軸に沿った支持層と反対側のパッドの表面である。第１のパッド６１の厚さは、ここで実質的に２０μｍに等しく、その平均幅は、画素のサイズに実質的に等しく、ここでは例えば約１０μｍに等しい。
図１Ｃは、透過面３上の第２のフォトレジスト５２を堆積する工程を示す。このフォトレジストは、フォトルミネッセンスパッド６１で被覆されていない透過面３を覆うように、上述の技術のうちの１つを用いて堆積されてもよい。このように、それは、第１のフォトルミネッセンスパッド６１の横側面８１と接触する。この例において、それは、実質的に第１のフォトルミネッセンスパッド６１のそれに等しい厚さであるが、異なる厚さであってもよく、例えばより厚い厚さを有していてもよい。
この例において、第２のフォトレジスト５２は、発光ダイオードによって発される青色光を、第１のフォトルミネッセンス粒子によって発された光と異なる光、例えば緑色光、に少なくとも部分的に変換するのに適した第２のフォトルミネッセンス粒子、ここでは量子ドット、を含む。例として、平均サイズが約１．３ｎｍに等しいＣｄＳｅ半導体ナノ結晶から形成される量子ドットは、青色光を緑色光に変換するのに適している。第２のフォトレジスト５２は、第１のフォトレジスト５１のそれと同一又は異なる量子ドットの単位重量当たりの割合を含んでいてもよい。第２のフォトルミネッセンス粒子は、第１のフォトルミネッセンス粒子と異なり、第２のフォトレジスト５２を形成する結合マトリックスは、第１のフォトレジスト５１を形成するものと同一であってもよい。
図１Ｄは、第２のフォトレジスト５２からフォトリソグラフィによって第２のフォトルミネッセンスパッド６２を形成する工程を示す。第２のパッド６２は、互いに分離されており、互いに接触しない限り第１のパッド６１からも分離されている。それらは、緑色光を発するように意図された画素ＰＧの透過面３上に位置取られている。
第２のフォトルミネッセンスパッド６２は、次の１つの第２のパッド６２と同一又は異なる寸法、及び第１のパッド６１のそれらと同一又は異なる寸法を有していてもよい。この例において、全ての様々なパッド６１、６２は、実質的に、互いに同一な寸法を有する。第２のフォトルミネッセンスパッド６２は、ＸＹ平面内に実質的に正方形又は長方形の断面を有する第２のフォトレジスト５２のブロックから形成される。第１のパッドと同様に、それぞれの第２のフォトルミネッセンスパッド６２は、透過面３とは反対側のいわゆる上面７２と、上面７２から透過面３まで延びる横側面８２と、を有する。
ＸＹ平面における、それぞれのフォトルミネッセンスパッド６１、６２を隣接するパッド６１、６２から分離する最短距離は、フォトルミネッセンスパッド６１、６２の横側面８１、８２を覆うように反射壁１０１、１０２を形成することを可能とするように適合される。この距離は、数百ナノメートルから数ミクロン又はそれ以上のオーダーであってもよい。
この例において、透過面３は、フォトルミネッセンスパッド６１、６２によって被覆されていないゾーンを含み、そのゾーンは、１つ又はそれ以上の発光ダイオードに対向配置されており、青色光を発するように発光画素ＰＢを定義する。これらの画素ＰＢは、フォトルミネッセンスパッド６１、６２が含む発光画素ＰＧ、ＰＲのそれらと実質的に等しいサイズを有していてもよい。変形例として、青色画素を形成することを意図したゾーンは、フォトルミネッセンス粒子がダイオードによって発された青色光のそれと異なる波長の青色光を発するのに適したフォトルミネッセンスパッドを含んでいてもよい。例として、ダイオードが約４５０ｎｍの波長で発し、フォトルミネッセンス粒子が約４８０ｎｍの波長で発してもよい。
図１Ｅは、少なくとも１つの反射材料、例えば少なくとも１つの金属から成る薄層９をコンフォーマルに堆積する工程を示す。薄層９は、化学蒸着法によって（例えば原子層蒸着法によって）又は物理蒸着法によって（例えば電子ビーム物理蒸着法又はカソードスパッタリングによって）堆積されてもよい。コンフォーマルな堆積とは、薄層が、それが覆う表面に対して局所的に実質的に平行に延びるような方向にフォトルミネッセンスパッド６上に堆積されることを意味する。コンフォーマルに堆積された薄層は、実質的に均一な厚さを有する。しかしながら、その局所的な厚さは、例えばＸＹ平面に実質的に直交する表面における最小値と、例えばＸＹ平面に実質的に平行な表面における最大値と、の間で変化してもよい。単なる例示として、厚さ２００ｎｍでコンフォーマルに堆積された薄層の場合、薄層の厚さは、パッド６の横側面８上の１００ｎｍの値と、透過面３及びパッド６の上面７上の２００ｎｍの値と、の間で変化してもよい。
薄層９は、ただ１つの反射材料又は互いに堆積した複数の様々な材料から形成されてもよい。反射材料は、アルミニウム、銀、プラチナ、又は他の任意の適切な材料から選択される。薄層９は、実質的に均一な平均厚さを有し、これは１０ｎｍから５００ｎｍ、までの間、好ましくは５０ｎｍから３００ｎｍまでの間に含まれていてもよく、例えばパッド６の横側面８上で約１００ｎｍに等しくてもよい。
薄層９は、様々なフォトルミネッセンスパッド６１、６２及びパッド６１、６２で被覆されない透過面３を覆う。それは、第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド６１、６２の横側面８１、８２及び上面７１、７２、及び、フォトルミネッセンスブロック、すなわちここでは緑色画素ＰＧ及び赤色画素ＰＲ、及びフォトルミネッセンスパッド、すなわちここでは青色画素ＰＢを含まない発光画素を含む２つの隣接する発光画素の間に位置する透過面３を覆う。
図１Ｆは、薄層９を局所的にエッチングすることによってフォトルミネッセンスパッド６１、６２の横側面８１、８２を覆う反射壁１０１、１０２を形成する工程を示す。
このように、フォトルミネッセンスパッド６１、６２の横側面８１、８２に接触していない薄反射層９のこれらの部分は、エッチングされる。このように、フォトルミネッセンスパッド６１、６２の上面７１、７２を覆う薄層９の部分が除去され、青色画素ＰＢを定義する透過面３のゾーンを覆う薄層９の部分もまた除去される。このように、薄層９によって覆われた上面７１、７２及び透過面３は、解放される。解放するとは、表面が層によって覆われていないことを意味する。フォトルミネッセンスブロックを含む隣接する２つの発光画素ＰＧ、ＰＲの間の透過面３上に位置する薄層９のこれらの部分もまた除去される。このように、パッド６の横側面８は、反射壁１０によって覆われる。換言すると、反射壁１０は、横側面上に置かれて、接触しながらそれらを連続的に覆う。
このエッチング工程は、ドライエッチングの工程、例えばプラズマエッチング（ＲＩＥ、ＩＣＰ等）であってもよい。ドライエッチングは高異方性であるため、フォトルミネッセンスパッド６１、６２の横側面８１、８２を覆う薄反射層９の部分のみが残り、ＸＹ平面に平行な面においてフォトルミネッセンスパッド６１、６２を取り囲む反射壁１０１、１０２を形成する。
透過面３の層は、金属のドライエッチングのためのエッチストップとして作用してもよく、発光ダイオードの完全性を維持することができる。それは、有機又は無機材料から成る平坦化層、又は誘電材料、例えば酸化シリコン（例えばＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）から成る不動態化層、の面であってもよい。
このように、第１の実施形態に係る製造方法は、高解像度及び高コントラストを有する光電子デバイスを得ることを可能にする。具体的には、フォトルミネッセンス粒子及び有利には量子ドットを含むフォトレジストを使用して、フォトリソグラフィによって直接フォトルミネッセンスパッドを形成することが可能である。このように、フォトルミネッセンス粒子を含む液滴の局所的な堆積のような代替技術に頼ることを避けつつ、高解像度のフォトルミネッセンスパッドのマトリックスアレイを得ることができる。そのような技術は、液滴のサイズの制御、発光画素に対する液滴分注ヘッドの位置合わせ等に特に関連する欠点を有し、それは、所望の解像度が得られることを妨げ得る。加えて、コンフォーマルな堆積と局所的なエッチングとによる反射壁の形成は、画素に関する光放射が隣の画素のフォトルミネッセンスブロックに到達できない限り、高コントラストを得ることができる。
図２Ａ〜２Ｈは、第２の実施形態に係る発光ダイオードを含む光電子デバイス１を製造する方法を示す。
図２Ａは、発光ダイオードのマトリックスアレイを提供する工程及び第１のフォトルミネッセンス粒子を含む第１のフォトレジスト５１を堆積する工程を示す。工程は、図１Ａを参照して説明したこれらと同一又は類似であり、さらに詳細には説明しない。
図２Ｂは、第１のフォトレジスト５１からフォトリソグラフィによって第１のフォトルミネッセンスパッド６１を形成する工程を示す。この工程もまた図１Ｂを参照して説明されたものに類似又は同一である。
図２Ｃは、少なくとも１つの反射材料から第１の薄層９１をコンフォーマルに堆積する工程を示す。第１の実施形態とは対照的に、第１の薄反射層９１は、第２のフォトルミネッセンスパッド６２が形成される前に堆積される。
第１の薄層９１は、前述の技術のうちの１つによって堆積されてもよい。それは、１つ及びただ１つの反射材料から形成され、又は互いに堆積された複数の様々な材料から形成されてもよく、実質的に一定の厚さ、例えば約１００ｎｍに等しい厚さを有する。
それは、第１のフォトルミネッセンスパッド６１及び第１のパッド６１によって被覆されていない透過面３を覆う。このように、それは、第１のフォトルミネッセンスパッド６１の横側面８１及び上面７１、及び、他の発光画素、すなわち緑色画素ＰＧ及び青色画素ＰＢを形成することを意図された透過面３のそれらのソーン、を連続的に覆う。
図２Ｄは、第１の薄層９１の局所的なエッチングによって、第１のフォトルミネッセンスパッド６１の横側面８１を覆う第１の反射壁１０１を形成する工程を示す。
このように、第１のフォトルミネッセンスパッド６１の横側面８１に接触して位置されている薄層９１のこれらの部分は、エッチングされる。このように、第１のフォトルミネッセンスパッド６１の上面７１を覆う薄層９の部分は除去され、緑色画素ＰＧ及び青色画素ＰＢを定義する透過面３のゾーンを覆う部分もまた除去される。
このエッチング工程は、ドライエッチングの工程であってもよく、例えば前述の技術のうちの１つが実施される工程であってもよい。ドライエッチングは高異方性であるため、第１のフォトルミネッセンスパッド６１の横側面８１を覆う薄層９１の部分のみが残り、ＸＹ平面に平行な面において第１のフォトルミネッセンスパッド６１を取り囲む第１の反射壁１０１を形成する。
図２Ｅは、透過面３上の第２のフォトレジスト５２を堆積する工程を示す。それは、第１のフォトルミネッセンスパッド６１で被覆されていない透過面３を覆うように前述の技術のうちの１つを使用して堆積されてもよい。それは、第１のパッド６１、この例において、第１のフォトルミネッセンスパッド６１のそれを実質的に等しい厚さを有する、の反射壁１０１に接触している。第２のフォトレジスト５２は、第２のフォトルミネッセンス粒子、ここでは量子ドット、を含み、これは、第１の実施形態において説明したそれらと類似又は同一である。
図２Ｆは、第２のフォトレジスト５２からフォトリソグラフィによって第２のフォトルミネッセンスパッド６２を形成する工程を示す。この例において、それらは、緑色光を発するように意図された画素ＰＧの透過面３上に位置取られる。
第１の実施形態とは対照的に、少なくとも１つの第２のフォトルミネッセンスパッド６２、ここではそれぞれの第２のフォトルミネッセンスパッド６２、は、対応する第１の反射壁１０１に接触するように、第１のフォトルミネッセンスパッド６１の反対に配置される。ここで、前記パッドは、少なくとも１つの第１の反射壁１０１に接触し、さらに、少なくとも１つの横側面部分８２、すなわち第１の反射壁１０１に接触していない部分、を含む。
第２のフォトルミネッセンスパッド６２は、互いに分離され、第１のフォトルミネッセンスパッド６１からも分離されている。それぞれの第２のパッド６２は、さらに光学的及び構造的に、第１の反射壁１０１によって反対に配置される第１のパッド６１から分離される。このように、第１のフォトルミネッセンス粒子によって発されるルミネッセンス光放射が隣接する第２のフォトルミネッセンスパッド６２を透過することも、第２のフォトルミネッセンス粒子のそれが隣接する第１のフォトルミネッセンスパッド６１を透過することもできない。
図２Ｇは、反射材料から成る第２の薄層９２を堆積する工程を示す。第２の薄層９２は、第１の薄層９１のそれと同一な１つ又はそれ以上の材料から形成されてもよい。好ましくは、第２の薄層９２は、材料及び厚さの観点から、第１の薄層９１と同一である。
第２の薄層９２は、第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド６１、６２、及びフォトルミネッセンスパッド６１、６２で覆われていない透過面３を覆うように堆積されている。このように、それは、第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド６１、６２の上面７１、７２、第２のフォトルミネッセンスパッド６２の横側面８２、及び第１のフォトルミネッセンスパッド６１の第１の反射壁１０１を連続的に覆う。それは、青色画素ＰＢを形成するように意図された透過面３のそれらのゾーンも覆う。
図２Ｈは、第２の薄層９２の局所的なエッチングによって、第１の反射壁１０１に接触していない第２のフォトルミネッセンスパッド６２の横側面８２を覆う第２の反射壁１０２を形成する工程を示す。このように、第２のフォトルミネッセンスパッド６２の横側面８２に接触するように配置されていない第２の薄層９２のそれらの部分は、エッチングされる。このように、第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド６１、６２の上面７１、７２を覆う薄層９２の部分は除去され、青色画素ＰＢを定義する透過面３のゾーンを覆う部分もまた除去される。
このエッチング工程は、ドライエッチングの工程であってもよく、例えば前述の技術のうちの１つが実施される工程であってもよい。ドライエッチングは高異方性であるため、第２のフォトルミネッセンスパッド６２の横側面８２を覆う第２の薄層９２の部分のみが残り、第２の反射壁１０２を形成する。それぞれの第１の反射壁１０１は、ＸＹ平面に平行な面内で、対応する第１のフォトルミネッセンスパッド６１を連続的に取り囲んでいるが、それぞれの第２の反射壁１０２は、対応する第２のフォトルミネッセンスパッド６２の横側面８２の１部分のみに接触している。第１の反射壁１０１の１部分が第２の反射壁１０２の１部分で覆われ、これが反射材料の居所的な厚さの増加させることは、明らかに分かるだろう。
このように、第２の実施形態に係る方法は、互いに隣接する第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド６１、６２が、その厚さが５００ｎｍより小さく、例えば１００ｎｍ又はそれ以下に等しい、単一の反射壁によってのみ互いに分離されている限り、さらに高い解像度を有する光電子デバイスを得ることができる。それは、画素間における高コントラストを維持しつつ、光電子デバイスの解像度を増加させることができる。
図３Ａに示された１つの変形例によると、発光画素はベイヤーマトリックスを形成するように、すなわち異なる波長、例えば２つの画素ＰＧ、１つの赤色画素ＰＲ及び１つの青色画素ＰＢ、において発するのに適した発光画素の複数のセットの幾何学的繰り返しを形成するように配置され、これらの画素は、対になって隣接して配置されている。
この例において、所与の緑色画素ＰＧは、４つの異なる赤色画素ＰＲに隣接している。より正確には、青色励起光を緑色光に変換するのに適した所与の第２のフォトルミネッセンスパッド６２は、互いに分離され、青色励起光を赤色に変換するのに適した４つの第１のフォトルミネッセンスパッド６１によって境界付けられる。それぞれの第２のパッド６２は、４つの隣接する第１のパッド６１の第１の反射壁１０１に接触している。
このように、第２の実施形態に係る方法のこの変形例は、第２のパッド６２の横側面８２を覆う第２の反射壁１０２を形成する工程を含まない。具体的には、第２のフォトレジスト５２を堆積している間に、後者が第１のフォトルミネッセンスパッド６１間に形成された空間、より正確には、互いに対向する第１の反射壁１０１間に形成された空間、を充填する。第２のフォトレジスト５２は、フォトリソグラフィによって発光画素ＰＢを形成することが意図されたゾーンから除去される。したがって、このように形成された第２のフォトルミネッセンスパッド６２は、隣の第１のフォトルミネッセンスパッド６１の複数の反射壁１０１に接触している。そのため、それらは、ＸＹ平面内において、第１の反射壁１０１によって横方向に境界付けられる。
発光画素の他の配置は、もちろん可能である。図３Ｂの例では、Ｘ軸に沿って、第１のフォトルミネッセンスパッド６１は、第２のフォトルミネッセンスパッド６２によって又は青色画素ＰＢを形成することが意図された透過面３のゾーンによって、対をなして離間される。
図３Ｂに示す他の変形例によると、反射壁１０１は、ＸＹ平面に対して傾斜している。傾斜しているとは、反射壁１０１が、ＸＹ平面に対して９０°以外の傾斜角を有することを意味する。この傾斜角は、厳密には９０°より小さく、傾斜の０以外の最大値より大きい又は等しい、例えば約２０°に等しい。これらの壁は、ここで実質的に平面状であり、実質的に一定の局所傾斜角を有する。好ましくは励起光を赤に変換するのに適した第１のフォトルミネッセンスパッド６１は、角錐台形状を有し、すなわち上面７１によって占められる面積が透過面３に接触するパッドの底面によって占められる面積よりも小さい。
対照的に、好ましくは励起光を緑に変換するのに適した第２のフォトルミネッセンスパッド６２は、上面７２によって占められる面積がフレア形状を有する。それらは、倒立角錐台形状を有する。第２のフォトルミネッセンスパッド６２が外側に広がる形状を有するという事実は、ルミネッセンス光放射の抽出を改善することを可能にする。特に、同じフォトルミネッセンス粒子による光放射の再吸収は、このように制限されていてもよく、これは、後者が緑でルミネッセンス光を発するのに適しているときに、特に有利である。
変形例として、反射壁１０１、１０２は、平面状である必要はないが、特に第１のフォトルミネッセンスパッド６１が実質的にカーブした横側面８１を有するときには、カーブ形状を有する。カーブしたとは、平らなゾーンがない、又は対になって傾斜した一連の平面状ゾーンから形成される表面であることを特に意味する。光の抽出を最適化し、第２のフォトルミネッセンスパッド６２のルミネッセンス光の再吸収を制限しつつ、薄反射層９１、９２のドライエッチング工程において、反射壁１０１、１０２の局所的なエッチングを制御することができる。
一般的に、発光ダイオードは、様々なタイプの構造を有していてもよい。図４Ａ及び４Ｂは、ここではコアシェル構造と呼ばれるワイヤータイプの発光ダイオード４の例を示す。
図４Ａを参照すると、光電子デバイスは、光電子チップ２を含み、その中に発光ダイオード４のマトリックスアレイが配置される。それぞれの発光画素は、複数のワイヤー発光ダイオード４を含む。発光ダイオード４は、それぞれの発光画素内に一様に分布され、互いに電気的に分離されたダイオードのセットを形成してもよい。このように、それぞれのダイオードのセットは、１つの発光画素に属し、それは他のダイオードのセットとは独立して動作されてもよい。所与のセットにおいて、発光ダイオード４は、対応する画素が動作されているときに同時に発されるように並列に接続されている。
発光ダイオード４は、支持層２５、例えば成長用基板、上に載っている。成長用基板２５が電気的に絶縁性である場合、電線（不図示）は、発光ダイオード４の様々な画素にバイアスをかけるために、基板２５の内部に存在してもよい。導電性成長用基板２５、例えばシリコンベースのものの場合、トレンチ隔離（不図示）は、互いに電気的に隔離するためにトレンチ隔離を設けてもよい。さらに、支持層２５は、光電子デバイスの電気的制御を確実にするのに適した制御チップ（不図示）に固定されて電気的に接続されてもよい。
発光ダイオード４は、少なくとも１つのスペーサー層１２で被覆されており、その支持層と反対側の面は、透過面３を形成する。スペーサー層１２は、発光ダイオード４によって発される光放射に対して透明である。それは、郵電材料から、及びオプションで平坦化層から、製造されたパッシベーション層によって形成されてもよい。誘電材料は、酸化物、窒化物、又は酸窒化シリコンから選択されてもよい。他の材料もまた好適であり得る。平坦化層は、シリコーン又はＰＭＭＡのような有機又は無機材料から形成されてもよい。スペーサー層は、それらを均一に覆うように、Ｚ軸に沿った、発光ダイオード４の長手方向の寸法よりも大きな厚さを有する。
図４Ａは、所与の発光画素に属する例示的な発光ダイオード４を示しており、その対オードは、コア／シェル構造のワイヤーダイオードである。発光ダイオード４は、細長い三次元形状を有し、Ｚ軸に平行な軸に沿って長手方向に延びている。この例において、それは、第１のドープ部２１を含み、それは、例えばｎドープであり、成長用基板２５の前側上に載っている核生成パッド２４から長手方向に延びるワイヤーの形態をとる。誘電材料から成る成長用マスク２６は、基板２５の前側を覆い、核生成パッド２４上に開く開口部を含む。核生成パッド２４は、互いに分離され、又は所与の薄い連続層の様々なソーンのパッドであってもよい。第１のドープ部２１の上部は、その上部境界及びその横方向境界において、少なくとも１つの量子ウェルを含む活性ゾーン２３を形成する１つ又はそれ以上の層によって、覆われる。活性ゾーン２３それ自体は、ｐドープされた第２のドープ部２２を形成する層によって覆われている。発光ダイオード４は、ここでコア／シェル構造のナノワイヤー又はマイクロワイヤーであり、ドープ部２１及びドープ部２２は、ワイヤーのコア及びシェルをそれぞれ形成する。
所与の発光画素の発光ダイオード４は、ここで電気的に並列に接続されている。基板２５の後側は、ここでは導電性であり、第１のバイアス電極２７で被覆され、ドープ部２２は、第２のバイアス電極２８を形成する連続的な層で覆われている。最後に、スペーサー層１２は、発光ダイオード４を全体的に覆っている。前記層は、ここで、発光ダイオード４のマトリックスアレイの透過面３を形成する、実質的に平坦な上面を有する。
図４Ｃは、所与の発光画素に属する他の例示的な発光ダイオード４を示しており、そのダイオードは、軸方向の構成のワイヤーダイコードである。この例において、ワイヤーは、第１のドープ部２１、活性ゾーン２３、及び第２のドープ部２２のスタックによって形成され、Ｚ軸に平行な長手方向軸に沿って延びる。コア／シェル構造とは対照的に、活性ゾーン２３は、実質的にドープ部２１の上部境界のみを覆い、ドープ部２２は、実質的に活性ゾーン２３の上部境界のみを覆う。上記のように、ワイヤーは、成長用基板２５の前側上に載っている核生成パッド２４から長手方向に延びる。成長用マスク２６は、基板２５の前側のみを覆い、核生成パッド２４上に開く開口部を含む。スペーサー層は、ワイヤーの横方向境界を覆い、第２のドープ部２２の上部境界と接触する第２のバイアス電極２８を通過する。スペーサー層１２は、透過面３を形成する上面を有する。
単なる例示として、発光ダイオード４は、ＧａＮをベースとして、青色に励起放射を発するのに適していてもよい。それらは、１０ｎｍから１０μｍまでの間に含まれる、例えば１００ｎｍから５μｍまでの間に含まれる、横寸法を有していてもよい。それらの高さは、それらの横寸法よりも大きく、例えば、２倍、５倍、好ましくは少なくとも１０倍大きく、そして約１０μｍに等しい。
図５は、発光ダイオード４がメサ構造を有する光電子デバイスを示している。この例において、それぞれの発光画素は、他のダイオード４とは無関係に活性化され得る単一の発光ダイオード４を含む。
発光ダイオード４は、ここではｎ型の第１のドープ部３１、及びここではｐ側の第２のドープ部３２のスタックによって、それぞれ形成され、それらの部分の間には、活性ゾーン３３が配置されている。それらは、互いに実質的に同一平面であるメサ構造を形成する。発光ダイオード４のこの構造は、欧州特許公開ＥＰ２９６０９４０に記載されているものと類似又は同一であり、その本文は、本明細書に一体的に組み込まれるものと考えられる。メサ構造とは、エッチング工程後に成長用基板上に突出する半導体部分３１、３２、３３のスタックから形成された構造を意味する。メサ構造は、発光ダイオード４の第１のドープ部３１がそれぞれ同一平面である限り、実質的に同一平面である。同じことが活性ゾーン３３及び第２のドープ部３２にも当てはまる。
それぞれの発光ダイオード４は、第１のドープ部３１を有し、その表面は活性ゾーン３３とは反対側の表面であり、それを介して発光ダイオード４の光放射は発せられる。第１のドープ部３１及び第２のドープ部３２の横側面、及び活性ゾーン３３のそれらは、第１のドープ部３１のブレークアウト表面３５を除いて、誘電層３４で覆われている。
発光ダイオード４は、ダイオード間でＺ軸に沿って延びる横方向電気接続構成要素３６によって、互いに分離されている。それぞれの発光ダイオード４は、このように第１のドープ部３１のブレークアウト表面３５と電気的に接触する横方向接続構成要素３６と関連付けられ、第１のドープ部３１に所定の電位を印加することを可能にする。しかしながら、この横方向接続構成要素３６は、誘電層３４によって隣接するダイオード４から電気的に絶縁されている。
この例において、光電子チップ２は、支持層を形成する電気接続層と呼ばれる層３７を含み、層３７は、制御チップ（不図示）と、ｉ）横方向電気接続構成要素３６及びｉｉ）第２のドープ部３２と接触して配置された電気接続部３８と、の間に電気的接触を可能にする。接続層３７は、誘電材料によって互いに電気的に絶縁された接続パッド３９を含む。このように、制御チップは、発光ダイオード４のうち任意の１つに電位を印加し、互いに独立してそれらを活性化することができる。
スペーサー層１２は、ここでは横方向接続構成要素３６と発光ダイオード４の第１のドープ部３１の発光面とを覆う誘電材料から成るパッシベーション層を含み、前記スペーサー層は、オプションにより平坦化で完成する。発光ダイオード４に対向するスペーサー層１２の正面は、ダイオードマトリックスアレイの透過面３を形成する。
単なる例示として、発光ダイオード４は、ＧａＮをベースとし、青色の光放射を発するのに適していてもよい。それらは、１００ｎｍから５０μｍまでの間に含まれる厚さを有し、それらの横方向寸法は、５００ｎｍから数百ミクロンまでの間に含まれていてもよく、好ましくは５０μｍ未満、好ましくは３０μｍ未満、１０μｍに等しく、あるいは５μｍである。
第１及び第２の実施形態の変形例として、その実施形態において、フォトルミネッセンスパッド６は、発光ダイオードのマトリックスアレイの透過面３上に直接製造され、フォトルミネッセンスパッド６及び反射壁１０を形成する工程は、発光ダイオードによって発された光放射に対して透明である板の支持面と呼ばれるものの上で実行されてもよく、次に透明板が加えられて発光ダイオードのマトリックスアレイ及び例えばスペーサー層に固定される。この変形例に係る方法は、上述の第１及び第２の実施形態のそれと類似であり、透過面３は、透明板の表面である。透明板は、ガラス、特にパイレックスのようなホウケイ酸ガラス、又はサファイア、又は他の任意の適した材料から製造される。それは、それが取り扱われてそしてダイオードに加えられることが可能な厚さを有する。透明板は、任意の手段によって、例えばダイオードによって発される光放射に対して透明な接着剤を使用して接着結合することによって、発光ダイオードのマトリックスアレイ及び例えば上述のスペーサー層に固定されてもよい。発光ダイオードのマトリックスアレイに透明板を加える工程の後、フォトルミネッセンスパッドは、それぞれ少なくとも１つの発光ダイオードに面して配置されている。
図６Ａから６Ｉは、第３の実施形態に係る発光ダイオードを含む光電子デバイス１を製造する方法を示し、この実施形態は、ダイオードがワイヤーダイコードであり、フォトレジストパッドの内側に配置されている点で、第１及び第２の実施形態と異なり、特定の又は全てのものがフォトルミネッセンスである。内側に配置されるとは、フォトレジストパッドＸＹ平面内で対応する発光ダイオードのそれぞれを取り囲み、Ｚ軸に沿って覆うことを意味する。したがって、発光ダイオードは、パッドのフォトレジストに接触し、第１及び第２の実施形態のように、スペーサー層によってそれらから離間していない。
図６Ａは、好ましくはコア／シェル構造を有するワイヤー発光ダイオードのマトリックスアレイを提供する工程を示す。ここで、発光ダイオード４は、スペーサー層１２を除いて図４Ｂに示したものに同一又は類似の構造を有する。それらは、支持層、例えば成長用基板２５、の表面からＺ軸に平行な長手方向軸に沿って延びる細長い３次元構造の形態を取る。
発光ダイオード４は、発光ダイオードのセット内の支持層２５上に配置されており、そのセットは、様々な発光色の発光画素を形成することが意図されており、例えば青色画素ＰＢ、赤色画素ＰＲ、及び緑色画素ＰＧである。このように、好ましくは、所与のダイオード、及び所与の発光画素のそれらは、電気的に並列で接続され、それぞれのダイオードのセットは、他のセットから電気的に独立している。例示として、発光ダイオード４は、約１０μｍに等しい高さを有していてもよい。この例において、それらは、ＧａＮをベースとし、青色励起光を発するのに適している。
図６Ｂは、支持面３'、ここでは支持層２５の表面上に、第１のフォトルミネッセンス粒子を含む第１のフォトレジスト５１を堆積する工程を示す。フォトレジスト５１は、支持層２５の表面３'に接触して覆い、その発光面上でそれぞれの発光ダイオード４に接触して覆う。それは、ＸＹ平面に対して平行な面において、それぞれの発光ダイオード４の間に延び、発光ダイオード４の高さよりも大きな厚さを有する。例示として、第１のフォトレジスト５１は、約２０μｍに等しい厚さを有していてもよい。第１のフォトルミネッセンス粒子は、発光ダイオード４によって発された青色励起光を赤色光に変換するのに適している。それらは、ここでは量子ドットであり、その平均サイズは５０ｎｍ未満である。
図６Ｃは、第１のフォトレジスト５１からフォトリソグラフィによって第１のフォトルミネッセンスパッド６１を形成する工程を示す。第１のフォトルミネッセンスパッド６１は、赤色発光画素ＰＲを形成するように意図されたゾーンの内側に局在化されている。このように、それぞれの第１のパッド６１は、対応する画素ＰＲの発光ダイオード４を覆い、その間に延びる。換言すると、画素ＰＲのダイオード４は、第１のパッド６１の内側に配置され、第１及び第２の実施形態で説明したように、そこから離れて配置されていない。例示として、第１のパッド６１は、実質的に２０μｍに等しい厚さと実質的に１０μｍに等しい幅とを有している。第１のフォトルミネッセンスパッド６１は、それぞれの第１のパッド６１が対応する発光画素ＰＲ上に延び、他の色の隣り合う発光画素ＰＢ及びＰＧを形成することを意図したゾーンを超えて延びていないような幅を有する。他の色の発光画素、例えばここでは青色画素ＰＢ及び緑色画素ＰＧ、を形成することが意図されたゾーンは、第１のフォトルミネッセンスパッド６１を含まない。
図６Ｄは、第２のフォトルミネッセンス粒子を含む第２のフォトレジスト５２を堆積する工程を示す。後者は、それらの発光スペクトルが第１のフォトルミネッセンス粒子のそれと異なる限り、第１のフォトルミネッセンス粒子とは異なる。この例において、それらは、発光ダイオード４によって発される青色励起光を緑色光に変換するのに適している。それらは、ここでは量子ドットであり、その平均サイズは、５０ｎｍ未満である。第２のレジスト５２は、支持層２５の表面３'に接触して覆い、第１のパッド６１内に配置されていない発光ダイオード４のそれぞれに接触して覆っている。それは、ＸＹ平面に平行な面内で、青色発光画素ＰＢ及び緑色発光画素ＰＧを形成することが意図されたゾーンの内側に配置された発光ダイオード４の間に延び、発光ダイオード４の高さよりも大きな厚さを有する。例示として、第２のフォトレジスト５２は、実質的に約２０μｍに等しい厚さを有していてもよい。
図６Ｅは、第２のフォトレジスト５２からフォトリソグラフィによって第２のフォトルミネッセンスパッド６２を形成する工程を示す。第２のパッド６２は、緑色発光画素ＰＧを形成することが意図されたゾーンの内側に局在化されている。それぞれの第２のパッド６２は、対応する画素ＰＧの発光ダイオード４を覆い、それらと接触しつつダイオード４の間に延びる。換言すると、画素ＰＧのダイオード４は、第２のパッド６２の内側に配置される。例示として、第２のパッド６２は、実質的に２０μｍに等しい厚さを有しており、実質的に１０μｍに等しい幅を有する。第２のパッド６２は、それぞれの第２のパッド６２が、対応する画素ＰＧ内に延び、他の色の隣り合う発光画素ＰＢを形成することを意図したゾーンを超えて延びていないような幅を有する。青色画素ＰＢを形成することが意図されたゾーンは、第２のフォトルミネッセンスパッド６２を含まない。
図６Ｆは、青色画素ＰＢを形成することが意図されたゾーンに配置されたダイオードを覆うように、第３のフォトレジスト５３を堆積する工程を示す。それは、支持層２５の表面３'に接触して覆う。第３のフォトレジスト５３は、第１及び第２のフォトルミネッセンス粒子と異なる第３のフォトルミネッセンス粒子を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。それがフォトルミネッセンス粒子を含まない場合、発光画素ＰＢは、そのスペクトルが発光ダイオードのそれに対応する光を発するのに適している。この例において、それは、第３のフォトルミネッセンス粒子、ここでは量子ドットを含み、その平均サイズは、５０ｎｍ未満であり、発光ダイオード４によって発された青色励起光を他の波長の青色光に変換するのに適している。例示として、ダイオードは、４５０ｎｍの波長で発光してもよく、第３の粒子は、４８０ｎｍでルミネッセンス光を発するのに適していてもよい。第３のレジスト５３は、支持層の表面に接触して覆い、第１及び第２のパッド６１及び６２内に配置されていないダイオード４のそれぞれに接触して覆う。それは、ＸＹ平面に平行な面内において、青色発光画素ＰＢを形成することが意図されたゾーン内に配置された発光ダイオード４の間に延び、発光ダイオード４の高さよりも大きな厚さを有する。例示として、第３のフォトレジスト５３は、実質的に約２０μｍに等しい厚さを有していてもよい。
図６Ｇは、第３のフォトレジスト５３からフォトリソグラフィによって第３のパッド６３、ここではフォトルミネッセンスパッドを形成する工程を示す。第３のパッド６３は、青色発光画素ＰＢを形成することが意図されたゾーンに局在化されている。それぞれの第３のパッド６３は、それらに接触しながら、対応する画素ＰＢのダイオード４の間を覆って延びている。換言すると、画素ＰＢのダイオード４は、第３のパッド６３の内側に配置されている。例示として、第３のパッド６３は、実質的に２０μｍに等しい厚さ及び実質的に１０μｍに等しい幅を有する。第３のパッド６３は、第３のパッド６３が対応する青色発光画素ＰＢ内に延びるような幅を有する。
図６Ｈは、第１、第２、第３のパッド６１、６２、６３を覆うように、少なくとも１つの反射材料及び例えば少なくとも１つの金属から成る薄層９をコンフォーマルに堆積する工程を示す。薄層は、上面７１、７２、７３及びパッド６１、６２、６３の横側面８１、８２、８３を連続的に被覆する。それは、パッド６の横側面８上において、実質的に同一の厚さ、例えば約１００ｎｍに等しい厚さを有していてもよい。
図６Ｉは、薄層９の局所的なエッチングによって、横側面８１、８２、８３を覆う反射壁１０１、１０２、１０３を形成する工程を示す。このように、上面７１、７２、７３を覆う薄層９の部分はエッチングされ、ここではドライエッチングされる。支持層２５の表面３'上に載せられた薄層９の部分もまたエッチングされる。
このように、第３の実施形態に係る製造方法を用いて、そのワイヤー型発光ダイオードがフォトレジストパッドの内側に配置されており、その少なくともいくつかがフォトルミネッセンスである、光電子デバイスを得ることができる。高解像度は、フォトレジストパッドがフォトリソグラフィによって製造され、フォトルミネッセンス粒子が量子ドットであるため、得られる。
図７は、第３の実施形態に係る方法の変形例を示し、薄反射層９は、パッド６１、６２、６３の横側面８１、８２、８３上のその厚さが、ＸＹ平面において隣り合う２つのパッドを分離する距離の半分より大きくなるように堆積される。このように、薄層９を堆積する工程において、隣り合う２つのパッド６の互いに対向する反射壁１０の間に接触が得られる。
図７及び上述の第３の実施形態の変形例として、反射壁１０は、電着によって形成されてもよい。より正確には、図６Ａ〜６Ｇに示されるように、フォトレジストパッド６は、製造され、支持層２５の表面３'上に載せられる。薄成長用トラックは、少なくとも１つの金属、例えばチタン、同、又はアルミニウム、から製造され、支持層２５の表面３'上に配置され、それぞれのパッド６を取り囲むように、対になっている隣り合うパッド６の間に延びる。次に、図６Ｈ及び６Ｉの変形例として、反射壁１０は、金属、例えばニッケル、アルミニウム、又は銀、のような反射材料の電着によって製造される。金属は、薄成長用層から成長し、互いに対向する横側面８によって囲まれた空間を埋める。金属は、パッド６の横側面を覆い、反射壁を形成する。光電子デバイス１は、反射壁１０が隣り合うパッド６の間に形成された空間を埋めるという意味で、図７に示されたものと同様である。例示として、２つの隣り合うパッド６の間の距離は、０．５μｍから５μｍまでの間に含まれてもよい。
上述の第３の実施形態に係る方法の変形例として、第１、第２、及び第３のフォトルミネッセンスパッド６、及び対応する反射壁１０は、連続して製造されてもよい。より正確には、第２の実施形態と同様に、第１のフォトルミネッセンスパッド６１が形成され、そして第１の反射壁１０１が形成され、そして第２のフォトルミネッセンスパッド６２が形成され、そして第２の反射壁１０２が形成される。
特定の実施形態は、説明された。様々な変形例及び修正は、当業者に明らかであると思われる。このように、発光ダイオードは、青色以外の励起光を発するのに適していてもよく、様々なフォトルミネッセンスパッドは、励起光を赤色及び緑色以外の色に変換するのに適していてもよい。加えて、パッドは、フォトルミネッセンス粒子を含んでいなくてもよい。さらに、一般的に、フォトルミネッセンスパッド６は、互いに異なる厚さ寸法及び／又は幅寸法を有していてもよい。

Claims (17)

  1. 発光ダイオード（４）のマトリックスアレイと、それぞれ少なくとも前記発光ダイオード（４）のいくつかに対向配置されている複数のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３・・・）と、を含む光電子デバイス（１）の製造方法であって、
    〇フォトレジストが支持面（３；３'）上に予め堆積されており、フォトルミネッセンス粒子を含む少なくとも１つの前記フォトレジスト（５１、５２、５３・・・）からフォトリソグラフィによって前記複数のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３・・・）を形成するステップと、
    〇横側面（８１、８２、８３・・・）上の少なくとも１つの薄層部（９１、９２、９３・・・）の堆積によって前記フォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３・・・）の横側面（８１、８２、８３・・・）を被覆する反射壁（１０１、１０２、１０３・・・）を形成するステップと、
    を備える光電子デバイスの製造方法。
  2. 反射壁（１０１、１０２、１０３・・・）を形成するステップが、フォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３・・・）を被覆するように反射材料から作られた少なくとも１つの薄層（９１、９２、９３・・・）をコンフォーマルに堆積するステップと、次いで、フォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３・・・）の上面（７１、７２、７３・・・）と呼ばれるものを解放するために堆積された薄層（９１、９２、９３・・・）を局所的にエッチングするステップと、を含み、前記上面が前記支持面（３；３'）の反対側に位置する、請求項１に記載の光電子デバイスの製造方法。
  3. 複数のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２）を形成するステップ及び反射壁（１０１、１０２）を形成するステップが、
    〇第１のフォトレジストが前記支持面（３；３'）上に予め堆積されており、第１のフォトルミネッセンス粒子を含有する前記第１のフォトレジスト（５１）からフォトリソグラフィによって複数の第１のフォトルミネッセンスパッド（６１）を形成するステップと、
    〇前記第１のフォトルミネッセンスパッド（６１）上の薄層（９１）をコンフォーマルに堆積することによって前記第１のフォトルミネッセンスパッド（６１）の横側面（８１）を被覆する第１の反射壁（１０１）を形成し、次いで、第１のフォトルミネッセンスパッド（６１）の上面（７１）を解放するために局所的にエッチングするステップと、
    〇第２のフォトレジストが前記支持面（３；３'）上に予め堆積されており、第２のフォトルミネッセンス粒子が第１のフォトルミネッセンス粒子と異なり、前記第２のフォトルミネッセンス粒子を含有する第２のフォトレジスト（５２）からフォトリソグラフィによって複数の第２のフォトルミネッセンスパッド（６２）を形成するステップと、
    を含む、請求項２に記載の光電子デバイスの製造方法。
  4. 複数の第２のフォトルミネッセンスパッド（６２）を形成するステップに続いて、
    〇第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２）上の薄層（９２）をコンフォーマルに堆積することによって前記第２のフォトルミネッセンスパッド（６２）の横側面（８２）を被覆する第２の反射壁（１０２）を形成し、次いで、第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２）の上面（７１、７２）を解放するために局所的にエッチングするステップと、
    を含む、請求項３に記載の光電子デバイスの製造方法。
  5. 各第２のフォトルミネッセンスパッド（６２）が少なくとも１つの第１の反射壁（１０１）と接触する、請求項３又は４に記載の光電子デバイスの製造方法。
  6. 各第１の反射壁（１０１）が、１０ｎｍから５００ｎｍまでの厚みを有する、請求項２〜５のいずれか一項に記載の光電子デバイスの製造方法。
  7. 複数のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３）を形成するステップが、少なくとも第１のフォトルミネッセンス粒子を含有する複数の第１のフォトルミネッセンスパッド（６１）を形成するステップと、次いで第１のフォトルミネッセンス粒子と異なる第２のフォトルミネッセンス粒子を含有する複数の第２のフォトルミネッセンスパッド（６２）を形成するステップと、を含み、反射壁（１０１、１０２、１０３）を形成するステップが、少なくとも第１及び第２のフォトルミネッセンスパッド（６１、６２）を形成した後に行われる、請求項１に記載の光電子デバイスの製造方法。
  8. 反射壁（１０１、１０２、１０３）が電着によって形成される、請求項７に記載の光電子デバイスの製造方法。
  9. フォトルミネッセンス粒子が、量子ドットであり、平均サイズが５０ｎｍ以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光電子デバイスの製造方法。
  10. 発光ダイオード（４）が、支持層（２５、３７）の主面に対して実質的に直交して長手方向に延びた細長い三次元構成要素である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光電子デバイスの製造方法。
  11. 発光ダイオード（４）がフォトレジストパッド（６１、６２、６３）の内側に配置され、少なくともいくつかのフォトレジストパッド（６１、６２、６３）がフォトルミネッセンス粒子を含むフォトルミネッセンスパッドである、請求項１０に記載の光電子デバイスの製造方法。
  12. フォトルミネッセンスパッド（６１、６２、６３）が、透過面と呼ばれる支持面（３）に載置され、前記支持面が発光ダイオード（４）を被覆するスペーサー層（１２）によって形成される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光電子デバイスの製造方法。
  13. 〇支持層上に載置された発光ダイオード（４）のマトリックスアレイと、
    〇それぞれ少なくともいくつかの前記発光ダイオード（４）に対向配置されており、それぞれ第１のフォトルミネッセンス粒子を含む第１のフォトレジスト（５１）から形成され、第１のフォトルミネッセンスパッドが第１の反射壁（１０１）を形成する堆積された薄層部によって被覆された横側面（８１）を有する、複数の第１のフォトルミネッセンスパッド（６１）と、
    〇それぞれ少なくともいくつかの前記発光ダイオード（４）に対向配置されており、それぞれ第１のフォトルミネッセンス粒子と異なる第２のフォトルミネッセンス粒子を含む第２のフォトレジスト（５２）から形成され、第２のフォトルミネッセンスパッドが第２の反射壁（１０２）を形成する堆積された薄層部によって被覆された横側面（８２）を有する、複数の第２のフォトルミネッセンスパッド（６２）と、
    を含む、光電子デバイス（１）。
  14. それぞれの第２のフォトルミネッセンスパッド（６２）が、第１の反射壁（１０１）と接触する、請求項１３に記載の光電子デバイス（１）。
  15. 発光ダイオード（４）が、支持層（２５、３７）に対して実質的に直交する長手方向の軸に沿って延びた細長い三次元構成要素である、請求項１３又は１４に記載の光電子デバイス（１）。
  16. 発光ダイオード（４）が、フォトレジストパッド（６１、６２）の内側に配置されている、請求項１５に記載の光電子デバイス（１）。
  17. 発光ダイオード（４）が、メサ構造を有する、請求項１４に記載の光電子デバイス（１）。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022074751A1 (ja) * 2020-10-07 2022-04-14 シャープ株式会社 発光素子の製造方法および発光素子

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017113741A1 (de) 2017-06-21 2018-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
FR3075468B1 (fr) * 2017-12-19 2019-12-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique par report d'une structure de conversion sur une structure d'emission
KR102170470B1 (ko) * 2018-04-06 2020-10-28 상명대학교 천안산학협력단 그래핀 양자점 광증폭 발광소자 및 그의 제작방법
US11100844B2 (en) 2018-04-25 2021-08-24 Raxium, Inc. Architecture for light emitting elements in a light field display
FR3083370B1 (fr) * 2018-06-28 2021-10-15 Aledia Dispositif émetteur, écran d'affichage associé et procédé de fabrication d'un dispositif émetteur
US11201267B2 (en) * 2018-12-21 2021-12-14 Lumileds Llc Photoresist patterning process supporting two step phosphor-deposition to form an LED matrix array
EP3903355A1 (en) * 2018-12-26 2021-11-03 Lumileds LLC Two step phosphor deposition to make a matrix array
US10930825B2 (en) * 2018-12-26 2021-02-23 Lumileds Llc Two step phosphor deposition to make a matrix array
CN113826215A (zh) * 2019-05-28 2021-12-21 维耶尔公司 垂直固态器件
US11588078B2 (en) * 2020-07-17 2023-02-21 Lextar Electronics Corporation Light emitting device and module
US11527684B2 (en) * 2020-12-04 2022-12-13 Lumileds Llc Patterned downconverter and adhesive film for micro-LED, mini-LED downconverter mass transfer
WO2023028688A1 (en) * 2021-09-01 2023-03-09 Nyoka Design Corp. Reusable photoluminescent apparatus, methods, and systems
CN116344686A (zh) * 2023-05-31 2023-06-27 季华实验室 全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010509752A (ja) * 2006-11-06 2010-03-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 反射エッジを備える波長変換要素
JP2012204614A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toshiba Corp 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
JP2012238774A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Fujifilm Corp 撮像装置
US20160141469A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-19 Commissariat â l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Optoelectronic device with light-emitting diodes
WO2016079505A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-26 Mled Limited Integrated colour led micro-display
JP2016100457A (ja) * 2014-11-21 2016-05-30 スタンレー電気株式会社 発光装置
WO2016108021A1 (fr) * 2014-12-30 2016-07-07 Aledia Dispositif optoélectronique a diodes électroluminescentes
JP2016178307A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ 発光ダイオードを備えた光電子デバイス
WO2016166514A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Mled Limited Colour converting structure for led arrays

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2388236A (en) * 2002-05-01 2003-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Display and driver circuits
JP4197109B2 (ja) * 2002-08-06 2008-12-17 静雄 藤田 照明装置
JP2005292407A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nec Corp 液晶パネルおよびその製造方法及び液晶パネルを搭載した電子機器
DE102004053116A1 (de) * 2004-11-03 2006-05-04 Tridonic Optoelectronics Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material
US20080278063A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
JP2009177117A (ja) * 2007-12-25 2009-08-06 Toshiba Lighting & Technology Corp 表示装置
US8273589B2 (en) * 2010-03-19 2012-09-25 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
US8496353B2 (en) * 2010-09-14 2013-07-30 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light-emitting diode (LED) module with light sensor configurations for optical feedback
FR2973941B1 (fr) * 2011-04-11 2013-05-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation.
TW201318215A (zh) * 2011-10-18 2013-05-01 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體及其製造方法
KR101452768B1 (ko) * 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
FR3003403B1 (fr) * 2013-03-14 2016-11-04 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de diodes electroluminescentes
CN103227189B (zh) * 2013-04-09 2015-12-02 北京京东方光电科技有限公司 一种量子点发光二极管显示器件及显示装置
EP2984685B1 (en) * 2013-04-11 2018-12-19 Lumileds Holding B.V. Fabrication method for top emitting semiconductor light emitting devices
FR3011381B1 (fr) * 2013-09-30 2017-12-08 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
FR3011388B1 (fr) * 2013-09-30 2016-11-25 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
US9518215B2 (en) * 2014-02-28 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
FR3023061B1 (fr) 2014-06-27 2017-12-15 Commissariat Energie Atomique Diode de structure mesa a surface de contact sensiblement plane
CN105374918B (zh) * 2014-08-26 2018-05-01 清华大学 发光装置以及采用该发光装置的显示装置
TWI543394B (zh) * 2014-12-05 2016-07-21 Electroluminescence and Photoluminescence Multiband White Light Emitting Diodes
CN107851586B (zh) * 2015-01-23 2021-07-06 维耶尔公司 到受体衬底的选择性微型器件转移
US10374134B2 (en) * 2015-05-29 2019-08-06 Nichia Corporation Light emitting device, method of manufacturing covering member, and method of manufacturing light emitting device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010509752A (ja) * 2006-11-06 2010-03-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 反射エッジを備える波長変換要素
JP2012204614A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toshiba Corp 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
JP2012238774A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Fujifilm Corp 撮像装置
US20160141469A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-19 Commissariat â l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Optoelectronic device with light-emitting diodes
WO2016079505A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-26 Mled Limited Integrated colour led micro-display
JP2016100457A (ja) * 2014-11-21 2016-05-30 スタンレー電気株式会社 発光装置
WO2016108021A1 (fr) * 2014-12-30 2016-07-07 Aledia Dispositif optoélectronique a diodes électroluminescentes
JP2016178307A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ 発光ダイオードを備えた光電子デバイス
WO2016166514A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Mled Limited Colour converting structure for led arrays

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022074751A1 (ja) * 2020-10-07 2022-04-14 シャープ株式会社 発光素子の製造方法および発光素子

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