KR20110130853A - 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법 - Google Patents

발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110130853A
KR20110130853A KR1020100050384A KR20100050384A KR20110130853A KR 20110130853 A KR20110130853 A KR 20110130853A KR 1020100050384 A KR1020100050384 A KR 1020100050384A KR 20100050384 A KR20100050384 A KR 20100050384A KR 20110130853 A KR20110130853 A KR 20110130853A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
imprint
pattern
substrate
Prior art date
Application number
KR1020100050384A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101653684B1 (ko
Inventor
김유식
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100050384A priority Critical patent/KR101653684B1/ko
Priority to US13/118,924 priority patent/US8628368B2/en
Publication of KR20110130853A publication Critical patent/KR20110130853A/ko
Priority to US14/103,562 priority patent/US9157600B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101653684B1 publication Critical patent/KR101653684B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/141—Light emitting diodes [LED]
    • F21S41/151—Light emitting diodes [LED] arranged in one or more lines
    • F21S41/153—Light emitting diodes [LED] arranged in one or more lines arranged in a matrix
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/141—Light emitting diodes [LED]
    • F21S41/143—Light emitting diodes [LED] the main emission direction of the LED being parallel to the optical axis of the illuminating device
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/20—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by refractors, transparent cover plates, light guides or filters
    • F21S41/285—Refractors, transparent cover plates, light guides or filters not provided in groups F21S41/24-F21S41/28
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/10—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source
    • F21S43/13—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S43/14—Light emitting diodes [LED]
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/20—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by refractors, transparent cover plates, light guides or filters
    • F21S43/26—Refractors, transparent cover plates, light guides or filters not provided in groups F21S43/235 - F21S43/255
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00—Refractors for light sources
    • F21V5/007—Array of lenses or refractors for a cluster of light sources, e.g. for arrangement of multiple light sources in one plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/60—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by a variable light distribution
    • F21S41/63—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by a variable light distribution by acting on refractors, filters or transparent cover plates
    • F21S41/64—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by a variable light distribution by acting on refractors, filters or transparent cover plates by changing their light transmissivity, e.g. by liquid crystal or electrochromic devices
    • F21S41/645—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by a variable light distribution by acting on refractors, filters or transparent cover plates by changing their light transmissivity, e.g. by liquid crystal or electrochromic devices by electro-optic means, e.g. liquid crystal or electrochromic devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S8/00—Lighting devices intended for fixed installation
    • F21S8/08—Lighting devices intended for fixed installation with a standard
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
    • F21W2131/00—Use or application of lighting devices or systems not provided for in codes F21W2102/00-F21W2121/00
    • F21W2131/10—Outdoor lighting
    • F21W2131/103—Outdoor lighting of streets or roads
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

광 분산 특성이 향상되고 제조 비용이 감소된 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법이 제공된다. 발광 장치는, 기판의 일면 상에 배치된 적어도 하나의 발광 소자와, 발광 소자를 덮도록 기판의 일면 상에 형성된 절연막과, 각 발광 소자 상부의 절연막에 서로 이격되어 형성된 복수의 요철 패턴을 포함하는 발광 장치로서, 복수의 요철 패턴은 전부 볼록 패턴이거나 전부 오목 패턴이고, 각 요철 패턴의 단면은 곡면 형상을 가진다.

Description

발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법{Light emitting device, Light emitting system comprising the same, and method of fabricating thereof}
본 발명은 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법 에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 분산 특성이 향상되고 제조 비용이 감소된 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode)와 같은 발광 소자는, 전자와 홀의 결합에 의해 광을 발산한다. 이러한 발광 소자는 소비 전력이 적고, 수명이 길고, 협소한 공간에서도 설치 가능하며, 진동에 강한 특성을 지닌다.
LED 발광 장치는 기판 위에 발광 소자를 실장하고, 발광 소자 상부를 투명 수지층으로 덮어 발광 소자를 보호하는 한편 발광 소자로부터 추출된 광이 외부로 용이하게 추출되도록 한다. 이 경우 하나의 투명 수지층은 하나의 발광 소자 덮는 볼록 돔(dome) 형상으로 제공되어 왔다.
한편, LED 발광 장치는 주로 조명용 또는 디스플레이용으로 사용될 수 있다. 또한, 조명용 LED 발광 장치도 광을 넓은 범위로 골고루 분산시키는 역할이 요구되는 실내외 조명용 LED 발광 장치와, 광의 직진성이 요구되는 운송 수단용 LED 발광 장치 등으로 구분되며, 각각의 목적에 맞는 LED 발광 장치를 사용하는 것이 바람직하다.
그러나, 종래의 볼록 돔 형상의 LED는 광을 한 곳으로 수렴시키는 역할을 하여 광 분산 특성이 요구되는 실내외 조명용 LED에는 적합하지 않았다.
이에, 기판 상에 형성된 홈에 발광 소자를 배치하고, 홈 내에 유동성을 가지는 절연막을 충전한 다음, 오목 패턴 및 볼록 패턴이 혼재하는 압착 기구를 이용하여 발광 소자 상부의 절연막을 압착함으로써 발광 장치에 볼록 패턴 및 오목 패턴이 혼재된 렌즈 패턴을 형성하는 방법이 연구되고 있다.
그러나, 이 방법도 오목 패턴과 볼록 패턴이 혼재되어 있어 광이 분산되는 한편 수렴하기도 하여 발광 장치의 용도가 불분명하며, 유동성을 가지는 절연막을 가두어 두기 위한 홈이 필수적으로 요구되어 제조가 용이하지 않다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 광 분산 특성이 향상되고 제조 비용이 감소된 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 상기 발광 장치를 포함하는 발광 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 광 분산 특성이 향상되고 제조 비용이 감소된 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 발광 장치의 제조 방법을 포함하는 발광 시스템의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 기판의 일면 상에 배치된 적어도 하나의 발광 소자와, 상기 발광 소자를 덮도록 상기 기판의 일면 상에 형성된 절연막과, 상기 각 발광 소자 상부의 상기 절연막에 서로 이격되어 형성된 복수의 요철 패턴을 포함하고, 상기 복수의 요철 패턴은 전부 볼록 패턴이거나 전부 오목 패턴이고, 상기 각 요철 패턴의 단면은 곡면 형상을 가진다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 시스템은, 상기 발광 장치를 포함한다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 상기 기판의 일면 상에 적어도 하나의 발광 소자를 배치하고, 상기 발광 소자를 덮도록 상기 기판의 일면 상에 절연막을 형성하고, 상기 각 발광 소자 상부의 상기 절연막에 서로 이격되도록 복수의 요철 패턴을 형성하는 것을 포함하고, 상기 복수의 요철 패턴은 전부 볼록 패턴이거나 전부 오목 패턴이고, 상기 각 요철 패턴의 단면은 곡면 형상을 가진다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 일면 상에 발광 소자, 상기 발광 소자를 덮는 절연막, 상기 절연막을 덮는 포토 레지스트막이 순차적으로 형성된 기판, 및 복수의 임프린트 요철 패턴이 형성된 임프린트 기판을 제공하고, 상기 임프린트 기판을 상기 포토 레지스트막에 압착하여 상기 포토 레지스트막에 상기 복수의 임프린트 요철 패턴과 페어(pair)를 이루는 복수의 포토 레지스트 요철 패턴을 전사시키고, 상기 복수의 포토 레지스트 요철 패턴 및 상기 절연막을 건식 식각하여 상기 발광 소자 상부의 상기 절연막에 상기 복수의 임프린트 요철 패턴과 페어를 이루는 복수의 요철 패턴을 형성하는 것을 포함한다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 시스템의 제조 방법은, 상기 발광 장치의 제조 방법을 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대하여 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이다.
도 3은 도 1의 A-A'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 데 사용되는 임프린트 기판의 사시도이다.
도 5는 도 4의 C-C'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 데 사용되는 임프린트 기판의 단면도이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 데 사용되는 임프린트 기판의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 11 내지 도 19는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 순서대로 나타낸 단면도이다.
도 20은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 21은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 22는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 23은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 24는 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 사시도이다.
도 25는 도 24의 D 영역을 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 26은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
도 27은 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
도 28은 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 사시도이다.
도 29는 도 28의 E 영역을 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 30은 도 28의 F-F'선을 따라 자른 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 31 내지 도 33은 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 데 사용되는 임프린트 기판의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 34 및 도 35는 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 순서대로 나타낸 단면도이다.
도 36은 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 37은 본 발명의 제11 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
도 38은 본 발명의 제12 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
도 39는 본 발명의 제13 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
도 40 내지 도 44는 본 발명의 제14 실시예 내지 제18 실시예에 따른 발광 시스템을 설명하기 위한 개략도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 A 영역을 확대하여 나타낸 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 사시도이다. 도 3은 도 1의 A-A'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치(1)는 기판(10) 상에 배치된 발광 소자(100), 발광 소자(100)를 덮는 절연막(210), 발광 소자(100) 상부의 절연막(210)에 형성된 요철 패턴(220)을 포함한다. 발광 장치(1)는 기판(10) 내에 내장된 제너 다이오드(20), 그루브(35), 전극(50, 55)을 더 포함할 수 있다.
기판(10)은 예를 들어 유리 기판, 사파이어(sapphire) 기판, 실리콘(Si) 기판, 실리콘 카바이드(SiC) 기판, 상부에 질화갈륨이 형성되어 있는 사파이어 기판, 상부에 질화갈륨이 형성되어 있는 실리콘 기판, 상부에 질화갈륨이 형성되어 있는 실리콘 카바이드 기판일 수 있다.
기판(10)은 불순물이 도핑(doping)되지 않은 미도핑(undoped) 기판일 수 있다.
기판(10)은 일면과 타면을 포함할 수 있으며, 발광 소자(100)가 실장되는 기판(10)의 일면은 전체적으로 실질적 평면일 수 있다. 본 명세서에서 기판(10)이 전체적으로 실질적 평면이라는 의미는 기판(10)의 연장부가 기판(10)의 일면 상부로 돌출되어 돌출된 구조물에 의해 홈 등을 형성하는 것을 배제하는 것을 의미한다. 그러나, 기판(10)이 전체적으로 평면이라는 의미가 기판(10)의 일면과 타면 사이에 관통홀(도 14의 30 참조) 등이 형성되거나 기판(10)의 일면 상에 일면 전극(50) 등이 형성되는 것을 배제하는 것은 아니다.
기판(10)은 복수의 발광 소자 실장 영역(I) 및 서로 인접한 복수의 발광 소자 실장 영역(I) 사이에 배치된 분리 영역(II)을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 기판(10)은 하나의 발광 소자 실장 영역(I)을 의미하는 것으로 사용될 수도 있다.
제너 다이오드(zener diode)(20)는 기판(10) 내에 내장(embed)되어 있을 수 있다. 구체적으로 제너 다이오드(20)는 기판(10)의 타면측에 내장되어 있을 수 있다.
제너 다이오드(20)는 기판(10)내에 형성된 제1 형 반도체 영역(21)과 제2 형 반도체 영역(22)을 포함할 수 있다. 제1 형 반도체 영역(21)은 제1 형 불순물, 예를 들어 P형 불순물로 이루어질 수 있다. 제1 형 반도체 영역(21)은 제1 타면 전극(55a)과 제2 타면 전극(55b) 모두와 오버랩될 수 있다. 제1 형 반도체 영역(21) 상에는 제1 형 반도체 영역(21)과 접촉하도록 제1 형 불순물과 반대 도전형을 가지는 제2 형 불순물로 이루어진 제2 형 반도체 영역(22)이 형성된다. 제2 형 불순물은 예를 들어 N 형 불순물일 수 있으며, 제2 형 반도체 영역(22)은 제1 타면 전극(55a)과 제2 타면 전극(55b)과 각각 오버랩되도록 2 이상 형성될 수 있다. 이러한 제1 형 반도체 영역(21)과 제2 형 반도체 영역(22)은 PN 접합을 형성하며 제너 다이오드(20)를 구성한다.
본 실시예와 같이 도핑되지 않은 기판(10)에 제1 형 불순물 및 제2 형 불순물을 각각 이온 주입하여 제너 다이오드(20)를 형성함으로써 각 불순물의 농도를 용이하게 조절할 수 있다. 이 경우 제1 형 불순물은 상대적으로 낮은 농도로 형성하고, 제2 형 불순물은 상대적으로 높은 농도로 형성할 수 있다. 예를 들어 제1 형 불순물의 농도는 5 × 1016/ ㎤ 이상 1 × 1018㎤ 이하일 수 있고, 제2 형 불순물의 농도는 이보다 높아야 한다.
제너 다이오드(20)는 후술하는 정전기 등에 의해 발광 소자(100)에 과전압이 인가되는 경우 바이패스(by-pass) 전류를 형성하여 발광 소자(100)의 손상을 방지하는 역할을 한다.
기판(10)에는 기판(10)의 타면측에서 일면측으로 갈수록 그루브(35)의 단면 형상이 점점 작아지는 피라미드 형상의 그루브(35)가 형성된다. 그루브(35)의 단면 형상은 “역 V자”일 수 있다. 그루브(35)는 서로 인접한 복수의 발광 소자 실장 영역(I) 사이에 적어도 하나 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 서로 인접한 복수의 발광 소자 실장 영역(I) 사이에 2개의 그루브(35)가 형성되어 있는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 그루브(35)의 말단에 관통홀(30)이 형성될 수 있다.
기판(10)의 일면과 타면 및 그루브(35)와 관통홀(30)의 내면에는 보호막(40)이 형성되어 있을 수 있다.
기판(10)의 일면측에는 일면 전극(50)이 형성되어 있고, 기판(10)의 타면측 및 그루브(35)의 내면에는 타면 전극(55)이 형성되어 있다.
일면 전극(50)은 서로 이격된 제1 일면 전극(50a)과 제2 일면 전극(50b)으로 이루어진다. 타면 전극(55)은 제1 타면 전극(55a)과 제2 타면 전극(55b)으로 이루어진다. 기판(10)의 타면측에 형성된 타면 전극(55)은 관통홀(30)을 통해서 일면 전극(50)과 서로 접촉할 수 있다. 구체적으로 제1 타면 전극(55a)은 제1 일면 전극(50a)과 직접 접촉하고, 제2 타면 전극(55b)은 제2 일면 전극(50b)과 직접 접촉할 수 있다.
일면 전극(50)과 타면 전극(55)은 도전성이 우수하고 보호막(40)과 접착성이 있는 물질, 예를 들어 Ti, Pt, Au, Cr, Ni, Cu, Ag로 이루어진 단일막 또는 다중막이 이용될 수 있다.
복수의 발광 소자 실장 영역(I)의 일면 전극(50) 상에는 발광 소자(100)가 실장된다. 발광 소자(100)는 각 발광 소자 실장 영역(I)에 적어도 하나씩 배치될 수 있으며, 하나의 발광 소자 실장 영역(I)에 2 이상의 발광 소자(100)가 실장될 수도 있다. 이하, 각 발광 소자 실장 영역(I)에 발광 소자(100)가 하나씩 배치된 경우를 예로 들어 설명한다. 이 경우 발광 소자 실장 영역(I)이 기판(10) 내에 복수개 위치하므로 발광 소자(100)는 발광 소자(100) 어레이를 구성한다.
발광 소자(100)는 발광 소자 지지 기판(110) 상에 순차적으로 적층된 제1 도전형의 제1 도전 패턴(111), 발광 패턴(112), 제2 도전형의 제2 도전 패턴(113)을 포함한다.
각 층에 대해서 구체적으로 설명하면, 제1 도전 패턴(111)은 제1 도전형(예를 들어, n형)이고, 제2 도전 패턴(113)은 제2 도전형(예를 들어, p형)일 수 있으나, 설계 방식에 따라서 제1 도전 패턴(111)이 제2 도전형(p형)이고, 제2 도전 패턴(113)이 제1 도전형(n형)일 수 있다.
발광 패턴(112)은 제1 도전 패턴(111)의 캐리어(예를 들어, 전자)와 제2 도전 패턴(113)의 캐리어(예를 들어, 홀)가 결합하면서 광을 발생하는 영역이다.
도면으로 정확하게 도시하지는 않았으나, 발광 패턴(112)은 우물층과 장벽층으로 이루어질 수 있는데, 우물층은 장벽층보다 밴드갭이 작기 때문에, 우물층에 캐리어(전자, 홀)가 모여 결합하게 된다. 이러한 발광 패턴(112)은 우물층의 개수에 따라 단일 양자 우물(Single Quantum Well; SQW) 구조, 다중 양자 우물(Multiple Quantum Well; MQW) 구조로 구분할 수 있다. 단일 양자 우물 구조는 하나의 우물층을 포함하고, 다중 양자 우물 구조는 다층의 우물층을 포함한다. 발광 특성을 조절하기 위해서, 우물층, 장벽층 중 적어도 어느 한 곳에, B, P, Si, Mg, Zn, Se, Al 중 적어도 하나를 도핑할 수 있다.
도시 하지는 않았으나, 제1 도전 패턴(111) 상에는 제1 전극(미도시)이 형성될 수 있다. 제1 전극은 투명 또는 불투명 금속으로 이루어질 수 있다. 제1 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 바나듐(V), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 도전 패턴(113) 상에는 제2 전극(미도시)이 형성될 수 있다. 제2 전극은 반사율이 높은 물질, 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
본 실시예의 발광 소자(100)는 예를 들어 플립칩(flip chip) 방식으로 기판(10) 상의 일면 전극(50)에 실장될 수 있다. 발광 소자(100)는 솔더(121, 123)를 이용하여 기판(10)에 실장될 수 있다. 솔더(121, 123)로는 예를 들어 AgSn, PbSn, 또는 AuSn을 이용할 수 있다. 제1 도전 패턴(111)에 연결된 제1 솔더(121)는 제2 일면 전극(50b)에 연결되고, 제2 도전 패턴(113)에 연결된 제2 솔더(123)는 제1 일면 전극(50a)에 연결될 수 있다. 그러나, 각 발광 소자(100)별로 제1 도전 패턴(111)과 제2 도전 패턴(113)이 각각 다른 일면 전극(50)에 연결될 수도 있다. 이와 같이 형성된 발광 소자(100)는 청색 발광 소자, 적색 발광 소자, 또는 녹색 발광 소자 중 어느 하나 일 수 있다.
절연막(210)은 기판(10)의 일면 상에 형성되어 발광 소자(100)를 덮는다. 기판(10)은 전체적으로 실질적 평면이어서, 기판(10)의 일면 상부로 돌출된 구조물이 없으므로 절연막(210)의 측면은 외부로 노출되어 있다. 따라서, 절연막(210)은 기판(10)에 도포 시 흘러내리지 않을 정도의 점성이 있는 물질로 이루어질 수 있다. 절연막(210)은 예를 들어 실리콘 수지(silicone resin)으로 이루어질 수 있으며 발광 소자(100)를 보호하는 역할을 하고, 절연막(210)에 요철 패턴(220)이 형성된다.
한편, 절연막(210)에는 형광체(150)가 포함되어 있을 수 있다. 본 실시예의 형광체(150)는 침전되어 절연막(210) 하부에 편재되고, 발광 소자(100)의 상면과 측면 및 기판(10)의 상면을 덮도록 배치되므로 발광 소자(100)에서 출사된 광은 형광체(150)를 거쳐 대기로 방출된다.
여기서, 형광체(150)는 청색광의 일부를 파장 변환하여 적색광을 발생시키는 적색 형광체, 청색광의 일부를 파장 변환하여 황색광을 발생시키는 황색 형광체 또는 청색광의 일부를 파장 변환하여 녹색광을 발생시키는 녹색 형광체를 포함할 수 있다.
형광체(150)는 예를 들어, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 질화물계/산질화물계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 활력을 받는 알칼리토류 할로겐 애퍼타이트 형광체, 알칼리토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리토류 규산염, 알칼리토류 유화물, 알칼리토류 티오갈레이트, 알칼리토류 질화 규소, 게르만산염, 또는 Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 유기 및 유기 착체 등에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. 구체적인 예로서 아래와 같은 형광체를 사용할 수가 있지만 이에 한정되지 않는다.
Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 질화물계 형광체는 M2Si5N8：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다. 또, M2Si5N8：Eu 외, MSi7N10：Eu, M1 .8Si5O0 .2N8：Eu, M0 .9Si7O0 .1N10：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등도 있다.
Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 산질화물계 형광체는 MSi2O2N2：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다.
Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 활력을 받는 알칼리토류 할로겐 애퍼타이트 형광체에는 M5(PO4)3 X：R(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나, R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 적어도 하나) 등이 있다.
알칼리토류 금속 붕산 할로겐 형광체에는 M2B5O9X：R(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나, R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 적어도 하나) 등이 있다.
알칼리토류 금속 알루민산염 형광체에는 SrAl2O4：R, Sr4Al14O25：R, CaAl2O4：R, BaMg2Al16O27：R, BaMg2Al16O12：R, BaMgAl10O17：R(R는 Eu, Mn, Eu에서 선택된 어느 하나) 등이 있다.
알칼리토류 유화물 형광체에는 La2O2S：Eu, Y2O2S：Eu, Gd2O2S：Eu 등이 있다.
Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활력을 받는 희토류 알루민산염 형광체에는 Y3Al5O12：Ce, (Y0 .8Gd0 .2)3Al5O12：Ce, Y3(Al0 .8Ga0 .2)5 O12：Ce, (Y, Gd)3 (Al, Ga)5 O12의 조성식에서 나타내어지는 YAG계 형광체 등이 있다. 또한, Y의 일부 혹은 전부를 Tb, Lu 등으로 치환한 Tb3Al5O12：Ce, Lu3Al5O12：Ce 등도 있다.
알칼리토류 규산염 형광체에는 실리케이트(silicate)로 구성될 수있으며, 대표적인 형광체로 (SrBa)2SiO4:Eu 등이 있다.
그 외의 형광체에는 ZnS：Eu, Zn2GeO4：Mn, MGa2S4：Eu(M는 Sr, Ca, Ba, Mg, Zn에서 선택되는 적어도 하나, X는 F, Cl, Br, I에서 선택되는 적어도 하나) 등이 있다.
전술한 형광체는 희망하는 바에 따라 Eu에 대신하거나 또는 Eu에 더하여 Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti에서 선택되는 1종 이상을 함유시킬 수도 있다.
또한, 전술한 형광체 이외의 형광체로서, 동일한 성능, 효과를 갖는 형광체도 사용할 수 있다.
각 발광 소자 실장 영역(I) 상부의 절연막(210)에는 복수의 요철 패턴(220)이 형성되어 있다. 구체적으로 복수의 요철 패턴(220)은 절연막(210)의 표면에 형성될 수 있다. 복수의 요철 패턴(220)은 서로 이격되어 형성된다. 이에 따라, 발광 소자 실장 영역(I) 상의 절연막(210)의 표면은 서로 이격된 복수의 요철 패턴(220)을 서로 연결하는 제1 평면 연결 패턴(230)으로 이루어진다. 분리 영역(II) 상의 절연막(210) 표면은 제2 평면 연결 패턴(240)만으로 이루어지며 요철 패턴(220)을 포함하지 않을 수 있다.
본 실시예의 복수의 요철 패턴(220)은 광 분산 효과를 극대화 하기 위하여 전부 오목 패턴으로 이루어지며, 각 요철 패턴(220)의 단면은 곡면 형상을 가진다. 구체적으로 본 실시예의 각 요철 패턴은 반구 형상을 가질 수 있고, 복수의 요철 패턴은 도트 형상(dot type)으로 배치될 수 있다. 복수의 요철 패턴(220)이 전부 오목 패턴으로만 이루어지므로 발광 소자(100)로부터 출사된 광의 분산 효과가 향상될 수 있다.
한편, 각 요철 패턴(220)의 최대 직경(D)은 30 ~ 100㎛일 수 있다. 각 요철 패턴(220)의 최대 깊이(h)는 30 ~ 50㎛일 수 있다. 복수의 요철 패턴(220)은 대체로 동일한 직경(D)과 깊이(h)로 형성될 수 있다. 요철 패턴(220)의 최대 직경(D)이나 최대 깊이(h)가 상기 범위보다 크거나 작은 경우 광 분산 효과가 저하될 수 있다.
서로 인접한 복수의 요철 패턴(220) 사이의 이격 폭(w)은 5 ~ 20㎛일 수 있다. 포토 레지스트의 해상도의 한계로 인해 요철 패턴(220)의 이격 폭(w)을 5㎛보다 작게 형성하기 어려우며, 요철 패턴(220)의 이격 폭(w)이 20㎛보다 큰 경우 하나의 발광 소자(100)에 배치되는 요철 패턴(220)의 수가 적어져 광 분산 효과가 저하될 수 있다.
본 실시예는 상술한 바와 같이 요철 패턴(220)이 오목 패턴만으로 이루어져 광 분산 효과가 향상된다. 본 실시예의 발광 장치와 같이 요철 패턴(220)이 오목 패턴만으로 이루어진 발광 장치는 광 분산 효과가 요구되는 실내외 조명에 이용될 수 있다.
또한, 본 실시예의 절연막(210)이 발광 소자 실장 영역(I) 및 분리 영역(II)을 포함하는 기판(10) 전체에 배치되어 있어 절연막(210)을 패터닝하기 위한 별도의 공정이 요구되지 않으므로 제조 공정이 간소화될 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 19를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 이하의 실시예에서는 이전의 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 설명을 생략하거나 간략화한다. 본 실시예에서는 임프린트 기판의 임프린트 요철 패턴을 포토 레지스트 막에 압착하고 포토 레지스트 패턴 및 기판의 절연막을 식각하여 본 실시예에 따른 발광 장치에 오목 형상의 요철 패턴을 형성한다.
먼저, 도 4 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조방법에 이용되는 임프린트 기판에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 데 사용되는 임프린트 기판의 사시도이다. 도 5는 도 4의 C-C'선을 따라 자른 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 데 사용되는 임프린트 기판의 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예의 임프린트 기판(1100) 상부에 임프린트용 절연막(1210)이 형성되어 있다.
임프린트 기판(1100)은 발광 소자(도 3의 100 참조)가 실장된 유리 기판(도 3의 10 참조)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
임프린트용 절연막(1210)은 질화 규소 또는 산화 규소로 이루어질 수 있다. 임프린트용 절연막(1210) 상에는 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)이 형성되어 있다. 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)은 서로 이격되어 있으며, 인접한 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)은 제1 임프린트 평면 연결 패턴(1230)에 의해 연결되어 있다. 임프린트 요철 패턴(1220)의 단면은 곡면 형상을 가진다. 따라서, 일군의 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)이 형성된 영역은 임프린트 요철 패턴(1220)의 곡면 형상과 제1 임프린트 평면 연결 패턴(1230)의 평면 형상이 주기적으로 나타난다. 한편, 일군의 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)이 형성된 영역과 타군의 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)이 형성된 영역 사이는 제2 임프린트 평면 연결 패턴(1240)에 의해 연결된다.
본 실시예의 임프린트 요철 패턴(1220)은 볼록 패턴으로 이루어져 있다. 임프린트 요철 패턴(1220)의 볼록 패턴 형상은 발광 장치(1)의 오목 패턴 형상과 페어(pair)를 이룬다. 즉, 임프린트 요철 패턴(1220)의 볼록 패턴 형상과 발광 장치(1)의 오목 패턴 형상은 서로 반대 방향으로 형성되어 있을 뿐 동일한 직경과 높이를 가진다.
도 5 내지 도 10을 참조하여, 본 실시예에 사용되는 임프린트 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 6 내지 도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 데 사용되는 임프린트 기판의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
먼저, 도 6을 참조하면, 임프린트 기판(1100) 상에 임프린트용 절연막(1200) 및 임프린트용 포토 레지스트막(1300)을 순차 형성한다. 여기서, 임프린트용 포토 레지스트막(1300)은 포지티브형 포토레지스트로 이루어질 수 있다.
이어서, 도 7을 참조하면, 마스크 기판(1410) 상에 형성된 복수의 차광 영역(1420)과 복수의 차광 영역(1420) 사이에 형성된 투광 영역(1430)을 포함하는 마스크(1400)를 임프린트 기판(1100) 상부에 정렬한다.
이어서, 마스크(1400)를 통해 임프린트용 포토 레지스트막(1300)에 노광(exposure)한다. 노광 결과 광이 조사된 부위의 포지티브형 임프린트용 포토 레지스트막(1300)은 연화(soften)된다.
이어서, 도 8을 참조하면, 임프린트용 포토 레지스트막(1300)을 현상(develop)하여 임프린트용 포토 레지스트막(1300)의 연화된 부분을 제거하여 서로 이격된 복수의 임프린트용 포토 레지스트 제1 요철 패턴(1310)을 형성한다. 임프린트용 포토 레지스트 제1 요철 패턴(1310)은 마스크(도 7의 1400 참조)의 차광 영역(1420)에 상응하는 위치 마다 형성되고, 임프린트용 포토 레지스트 제1 요철 패턴(1310)이 형성되지 않은 영역에는 임프린트용 절연막(1200)이 노출된다. 임프린트용 포토 레지스트 제1 요철 패턴(1310)은 대체로 원통 기둥 형상을 가질 수 있다.
이어서, 도 9를 참조하면, 임프린트용 포토 레지스트 제1 요철 패턴(1310)을 하드 경화(hard curing)한다. 이 경우 임프린트용 포토 레지스트 제1 요철 패턴(1310)에 가해진 열에 의해 포토 레지스트 물질이 녹는다. 이 경우 가해진 열은 약 130 내지 140℃이고, 임프린트용 포토 레지스트 제1 요철 패턴(1310)은 표면 장력에 의해 반구 형상의 임프린트용 포토 레지스트 제2 요철 패턴(1320)으로 변화되고 굳어진다.
이어서, 도 10을 참조하면, 반구 형상의 임프린트용 포토 레지스트 제2 요철 패턴(1320)을 마스크로 이용하여 임프린트용 절연막(1200)을 건식 식각(dray etch)한다. 식각 가스로는 예를 들어 산소 가스를 사용할 수 있으며, CF4 등을 더 포함할 수 있다. 이 경우 임프린트용 포토 레지스트 제2 요철 패턴(1320)도 조금씩 식각되어 제거되며, 임프린트용 포토 레지스트 제2 요철 패턴(1320)의 두께차에 따라 임프린트용 절연막(1200)이 식각 가스에 노출되는 시간이 달라지므로 임프린트용 절연막(1200)에는 임프린트용 포토 레지스트 제2 요철 패턴(1320)의 형상이 그대로 전사(transcribe)되어 도 5와 같은 임프린트용 포토 레지스트 제2 요철 패턴(1320)과 상응하는 볼록 형상의 임프린트 요철 패턴(1220)을 가지는 임프린트 기판(1100)이 완성된다.
임프린트 요철 패턴(1220)을 가지는 하나의 임프린트 기판(1100)을 이용하여 여러 개의 발광 장치에 요철 패턴(도 3의 220 참조)을 전사할 수 있으므로 요철 패턴을 형성하는 비용이 절감될 수 있다.
이하, 도 11 내지 도 19를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 11 내지 도 19는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 순서대로 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 11을 참조하면, 기판(10) 내에 제너 다이오드(20)를 내장한다. 이를 위해 타면 측 기판(10) 내에 제1 형 불순물을 예를 들어 이온 주입(implant), 열확산(thermal diffusion), 또는 플라즈마 도핑하여 제1 형 반도체 영역(21)을 형성한다. 이어서, 제1 형 반도체 영역(21) 상에는 제1 형 반도체 영역(21)과 접촉하도록 제1 형 분순물과 반대 도전형을 가지는 제2 형 불순물을 이온 주입, 열확산, 또는 플라즈마 도핑하여 제2 형 반도체 영역(22)을 형성한다.
이어서, 도 12를 참조하면, 기판(10)의 타면에 보호 패턴(900)을, 기판(10)의 타면, 즉 상면에 보호막(910)을 각각 형성한다. 이를 위해 기판(10)의 양면에 보호막(910)을 형성한다. 한편, 기판(10)의 타면, 즉 하면의 보호막(미도시) 상에 그루브용 포토레지스트 패턴(920)을 형성하고 그루브용 포토레지스트 패턴(920)을 식각 마스크로 이용하여 보호막(미도시)을 식각함으로써 보호 패턴(900)을 형성한다. 여기서, 그루브용 포토레지스트 패턴(920) 및 보호 패턴(900)은 발광 소자 실장 영역(도 13의 I 참조) 및 분리 영역(도 13의 II 참조)이 형성될 영역에 형성하고, 그루브(groove)(35) 및 관통홀(30)이 형성될 영역을 노출시킨다.
기판(10)의 일면, 즉 상면에 보호막(910)이 형성된 이유는 그루브(35) 식각 공정에서 KOH 용액에 기판(10) 상면이 손상을 받지 않도록 하기 위함이고, 그루브용 포토레지스트 패턴(920)과 기판(10)의 타면 사이에 보호 패턴(900)이 형성되는 이유는 그루브용 포토레지스트 패턴(920)과 동일한 패턴을 형성하여 KOH 용액을 이용하여 그루브(35) 식각 공정 시 보호 패턴(900)을 이용하여 식각 공정을 진행하기 위함이다. 이러한 보호 패턴(900) 및 보호막(900)은 예를 들어 질화 규소 또는 산화 규소로 이루어질 수 있다.
이어서, 도 12 및 도 13을 참조하면, 보호 패턴(900)을 식각 마스크로 이용하여 기판(10)의 타면을 식각하여 복수의 발광 소자 실장 영역(I), 분리 영역(II), 및 복수의 발광 소자 실장 영역(I) 사이의 적어도 하나의 그루브(35) 및 관통홀(30)을 형성한다.
기판(10)의 식각은 예를 들어 습식 식각법을 이용하여 수행할 수 있다. 습식 식각은 예를 들어 KOH 용액과 같은 이방성 습식 식각액을 이용하여 수행할 수 있다. 이에 따라 습식 식각액에 노출된 기판(10)에는 기판(10)의 타면측에서 일면측으로 갈수록 그루브(35)의 단면 형상이 점점 작아지는 피라미드 형상의 그루브(35)가 형성된다.
습식 식각액에 대한 기판(10)의 노출 시간을 조절하면 그루브(35)의 말단에 관통홀(30)이 형성될 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 기판(10)의 일면에 보호막(910)이 형성되어 있기 때문에 습식 식각액에 의해 그루브(35)가 형성되다가 기판(10) 일면의 보호막(910)에 의해 식각이 정지될 수도 있다.
이러한 그루브(35) 및 관통홀(30) 형성 이후, 잔류하는 보호 패턴(900) 및 보호막(910)은 예를 들어 BOE(Buffered Oxide Echant), HF에 의해 제거될 수 있다.
이어서, 도 14를 참조하면, 예를 들어 열산화(thermal oxidation)법을 이용하여 노출된 기판(10) 표면에 산화막으로 이루어진 보호막(40)을 형성한다.
이어서, 도 15를 참조하면, 예를 들어 스퍼터링(sputtering)법 또는 전기 도금(electroplating)법을 이용하여 기판(10)의 일면과 타면에 도전성 물질을 형성하고 증착하여 기판(10)의 일면측에 일면 전극(50)을 형성하고, 기판(10)의 타면측에 타면 전극(55)을 형성한다. 일면 전극(50)과 타면 전극(55)의 형성 순서는 뒤바뀔 수 있다.
이어서, 도 16을 참조하면, 일면 전극(50) 상에 발광 소자(100)를 실장한다.
이어서, 도 17을 참조하면, 기판(10)의 일면 상에 발광 소자(100) 및 일면 전극(50)을 덮는 절연막(200)을 형성한다.
절연막(200)은 예를 들어 스핀 코팅(spin coating)법, 드롭(drop)법, 스프레이 코팅(spray coating)법을 이용하여 형성할 수 있다. 한편, 절연막(200)에는 형광체(150)가 포함되어 있을 수 있다. 형광체(150)는 절연막(200)을 이루는 실리콘 수지 등에 혼합되어 스핀 코팅법, 드롭법, 스프레이 코팅법에 의해 기판(10) 상에 도포된다.
본 실시예에서는 형광체(150)가 침전될 때까지 기다렸다가, 실리콘 수지를 경화(curing)시켜 절연막(210)을 형성한다.
이어서, 절연막(200) 상에 포토 레지스트막(300)을 균일한 두께로 형성한다.
이상, 도 4 내지 도 17을 참조하여, 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)이 형성된 임프린트 기판(1100)을 먼저 제공하고, 일면 상에 발광 소자(100), 발광 소자(100)를 덮는 절연막(200), 절연막(200)을 덮는 포토 레지스트막(300)이 순차적으로 형성된 기판(10)을 나중에 제공하는 것처럼 설명하였으나, 이들의 제공 순서는 바뀔 수도 있고 동시에 제공될 수도 있다.
이어서, 도 18을 참조하면, 임프린트 요철 패턴(1220)과 포토 레지스트막(300)이 대향하도록 임프린트 기판(1100)을 기판(10) 상에 정렬한다.
이어서, 임프린트 기판(1100)을 포토 레지스트막(300)에 압착시켜 포토 레지스트막(300)에 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)과 페어를 이루는 복수의 포토 레지스트 요철 패턴(도 19의 320 참조)을 전사시킨다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 포토 레지스트막(300)에는 복수의 임프린트 요철 패턴(1220), 제1 임프린트 평면 연결 패턴(1230), 및 제2 임프린트 평면 연결 패턴(1240) 형상과 페어를 이루는 복수의 포토 레지스트 요철 패턴(320), 포토 레지스트 요철 패턴(320)을 연결하는 제1 포토 레지스트 평면 연결 패턴(330), 및 제2 포토 레지스트 평면 연결 패턴(340)을 포함하는 포토 레지스트 패턴(310)이 형성된다. 이 경우 임프린트 요철 패턴(1220)이 볼록 패턴이므로 포토 레지스트 요철 패턴(320)은 이와 페어를 이루도록 오목 패턴으로 형성된다.
이어서, 포토 레지스트 패턴(310)을 마스크로 이용하여 절연막(200)을 건식 식각한다. 이 경우 식각 가스에 의해 포토 레지스트 패턴(310)도 식각되며 포토 레지스트 패턴(310)의 두께차에 따라 절연막이 식각 가스에 노출되는 시간이 달라지게 된다. 따라서, 도 3에 도시한 바와 같이 복수의 포토 레지스트 요철 패턴(320), 포토 레지스트 요철 패턴(320)을 연결하는 제1 포토 레지스트 평면 연결 패턴(330), 및 제2 포토 레지스트 평면 연결 패턴(340)에 상응하는 요철 패턴(220), 요철 패턴(220)을 서로 연결하는 제1 평면 연결 패턴(230), 및 분리 영역(II)에 형성된 제2 평면 연결 패턴(240)이 절연막(210)에 형성된다. 결과적으로 절연막(210)에는 오목 형상의 복수의 요철 패턴(220)이 형성되며, 이는 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)과 페어를 이룬다. 절연막(210)은 전체적을 식각되므로 절연막(210)의 두께는 식각 이전보다 전체적으로 감소한다.
본 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은 임프린트 요철 패턴이 형성된 하나의 임프린트 기판을 이용하여 여러 개의 기판에 요철 패턴을 형성할 수 있어 발광 장치의 제조 공정이 단순하고 대량 생산에 유리하다. 또한, 임프린트 요철 패턴은 기판의 포토 레지스트막에 전사되고 기판의 절연막에 임프린트 요철 패턴이 직접 접촉하는 것이 아니므로 절연막의 유동성을 가질 필요가 없다. 따라서, 유동성을 가지는 절연막이 흘러내리지 않도록 기판의 일면 상부로 돌출되어 돌출된 구조물을 이용하여 별도의 홈을 형성하고 절연막을 가두어 둘 필요가 없으며 기판은 전체적으로 실질적 평면일 수 있으므로 기판 제조 공정이 단순화될 수 있다.
이하, 도 20을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 20은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 20을 참조하면, 본 실시예의 발광 소자(101)는 수직형(vertical type)으로 배치될 수 있다. 즉, 본 실시예의 발광 소자(101)는 순차적으로 적층된 제1 도전형의 제1 도전 패턴(114), 발광 패턴(115), 제2 도전형의 제2 도전 패턴(116)을 포함한다. 본 실시예의 발광 소자(101)의 제1 도전 패턴(114)은 제1 전면 전극(50a)에 직접 연결되고 제2 도전 패턴(116)은 와이어(wire)(126)에 의해 제2 전면 전극(50b)에 연결될 수 있다. 제1 도전 패턴(114)과 제2 도전 패턴(116)은 각 발광 소자(100)별로 서로 다른 전면 전극(50)에 연결될 수도 있다.
본 실시예의 발광 장치의 절연막(211)은 발광 소자 실장 영역(I)에만 위치하고, 분리 영역(II)에는 위치하지 않는다. 이에 따라 본 실시예의 발광 장치를 각 발광 소자 실장 영역(I)별로 분리하기 용이해진다.
이하, 도 21을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 21은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 21을 참조하면, 본 실시예의 발광 소자(102)는 수평형(lateral type)으로 배치될 수 있다. 본 실시예의 발광 소자(102)는 순차적으로 적층된 제1 도전형의 제1 도전 패턴(117), 발광 패턴(118), 제2 도전형의 제2 도전 패턴(119)을 포함한다. 본 실시예의 발광 소자(102)는 제1 도전 패턴(117)은 제1 와이어(127)에 의해 제2 전면 전극(50b)에 연결되고, 제2 도전 패턴(119)은 제2 와이어(129)에 의해 제1 전면 전극(50a)에 연결될 수 있다. 제1 도전 패턴(117)과 제2 도전 패턴(119)은 각 발광 소자(100)별로 서로 다른 전면 전극(50)에 연결될 수도 있다.
본 실시예의 발광 장치의 절연막(211)도 발광 소자 실장 영역(I)에만 위치하고, 분리 영역(II)에는 위치하지 않는다. 이에 따라 본 실시예의 발광 장치를 각 발광 소자 실장 영역(I)별로 분리하기 용이해진다.
이하, 도 22를 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 22는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 22를 참조하면, 본 실시예는 절연막(211)이 발광 소자 실장 영역(I)에만 위치한다는 점과 형광체(150)가 절연막(211) 하부에만 편재되어 있지 않고 절연막(211) 내부에 골고루 분포되어 있다는 점을 제외하고는 본 발명의 제1 실시예와 동일하다.
이하, 도 23을 참조하여, 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 23은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 23을 참조하면, 형광체(150)가 절연막(210) 표면에 편재되어 있다는 점을 제외하고는 본 발명의 제1 실시예와 동일하다. 즉, 본 실시예의 형광체(150)는 발광 소자 실장 영역(I)의 요철 패턴(220)의 표면 및 요철 패턴(220)을 서로 연결하는 제1 평면 연결 패턴(230) 상에 위치하고, 분리 영역(II) 상의 제2 평면 연결 패턴(240) 상에도 위치한다.
이하, 도 24 및 도 25를 참조하여, 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 24는 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 사시도이다. 도 25는 도 24의 D 영역을 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 24 및 도 25를 참조하면, 본 실시예의 요철 패턴(221)은 이전 실시예와 마찬가지로 절연막(210) 표면으로부터 절연막(210) 내부로 함몰된 오목 패턴이지만, 이전 실시예들과 달리 그 입체 형상이 반원 기둥 형상이다.
하나의 발광 소자 실장 영역(I)에는 복수개의 반원 기둥 형상의 요철 패턴(221)이 나란히 배열되어 있다. 즉, 본 실시예의 복수개의 요철 패턴(221)은 스트라이프 형상(stripe type)으로 배열되어 있다. 이에 따라 복수의 요철 패턴(221)을 서로 연결하는 제1 평면 연결 패턴(231)도 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 분리 영역(II)에는 요철 패턴(221)을 포함하지 않는 제2 평면 연결 패턴(240)만이 위치한다.
이하, 도 26을 참조하여, 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 26은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
본 실시예는 복수의 요철 패턴(222) 및 제1 평면 연결 패턴(232)이 도트 형상으로 배치되었다는 점을 제외하고는 본 발명의 제6 실시예와 동일하다.
이하, 도 27을 참조하여, 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 27은 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
본 실시예는 복수의 요철 패턴(223) 및 제1 평면 연결 패턴(233)이 메시 형상(mesh type)으로 배치되었다는 점을 제외하고는 본 발명의 제6 실시예와 동일하다.
이하, 도 28 내지 도 30을 참조하여, 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 28은 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 사시도이다. 도 29는 도 28의 E 영역을 확대하여 나타낸 사시도이다. 도 30은 도 28의 F-F'선을 따라 자른 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다.
본 실시예의 발광 장치는 복수의 요철 패턴(224)이 전부 볼록 패턴인 점이 본 발명의 제1 실시예와 상이하다. 즉, 본 실시예의 발광 소자 실장 영역(I)에는 볼록 형상의 복수의 요철 패턴(224)이 서로 이격되어 형성되어 있고, 서로 인접한 복수의 요철 패턴(224)은 제1 평면 연결 패턴(234)에 의해 서로 연결되어 있다. 분리 영역(II) 상의 절연막(210) 표면은 제2 평면 연결 패턴(240)만으로 이루어지며 요철 패턴(224)이 위치하지 않는 점도 동일하다.
요철 패턴(224)은 절연막(210) 표면에서 외부로 돌출되어 있는 점을 제외하고는 그 형상 및 사이즈 등이 본 발명의 제1 실시예와 동일하다.
본 실시예는 요철 패턴(224)이 볼록 패턴으로만 이루어져 있어 광의 직진성을 향상시킬 수 있으므로 자동차 헤드라이트와 같은 운송 수단용으로 사용될 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 10 및 도 30 내지 도 35를 참조하여, 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 본 실시예에서는 임프린트 기판의 임프린트 요철 패턴이 오목 형상이며, 임프린트 요철 패턴을 발광 장치 상의 포토 레지스트 막에 압착하여 발광 장치에 볼록 형상의 요철 패턴이 형성된다.
먼저, 도 4 내지 도 17 및 도 31 내지 33을 참조하여, 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 제조방법에 이용되는 임프린트 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 31 내지 도 33은 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 데 사용되는 임프린트 기판의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
먼저 도 4 내지 도 10를 참조하여, 주형 기판(1100) 상의 주형용 절연막(1210)상에 복수의 주형 요철 패턴(1220), 제1 주형 평면 연결 패턴(1230), 및 제2 주형 평면 연결 패턴(1240)을 형성한다. 본 실시예의 주형 기판(1100), 주형용 절연막(1210), 주형 요철 패턴(1220), 제1 주형 평면 연결 패턴(1230), 및 제2 주형 평면 연결 패턴(1240)은 본 발명의 제1 실시예의 임프린트 기판(1100), 임프린트용 절연막(1210), 임프린트 요철 패턴(1220), 제1 임프린트 평면 연결 패턴(1230), 및 제2 임프린트 평면 연결 패턴(1240)에 상응한다.
이어서, 도 31을 참조하면, 주형용 절연막(1210), 주형 요철 패턴(1220), 제1 주형 평면 연결 패턴(1230), 및 제2 주형 평면 연결 패턴(1240) 상에 씨드 금속층(seed metal)(1400)을 균일한 두께로 형성한다. 여기서 씨드 금속층은 구리, 은, 백금 등으로 이루어질 수 있으며 특별히 제한이 있는 것은 아니다.
이어서, 도 32를 참조하면, 씨드 금속층 상에 임프린트 금속을 전기 도금(electroplate)하여 임프린트 기판(1001)을 형성한다. 여기서, 임프린트 금속도 씨드 금속은 구리, 은, 백금 등으로 이루어질 수 있으며, 전기 도금이 가능하고 강성을 가진 물질이면 특히 한정되지 않는다.
임프린트 기판(1001)은 주형 요철 패턴(1220), 제1 주형 평면 연결 패턴(1230), 및 제2 주형 평면 연결 패턴(1240)의 형상과 페어를 이루도록 임프린트 요철 패턴(1520), 제1 임프린트 평면 연결 패턴(1530), 및 제2 임프린트 평면 연결 패턴(1540)을 포함한다.
이어서, 도 33을 참조하면, 주형 기판(1100)을 임프린트 기판(1001)으로부터 분리한다.
이하, 도 11 내지 도 17, 및 도 34 내지 도 35를 참조하여, 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 34 내지 도 35는 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 순서대로 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 11 내지 도 17에서 설명한 바와 같이 일면 상에 발광 소자(100), 발광 소자(100)를 덮는 절연막(200), 절연막(200)을 덮는 포토 레지스트막(300)이 순차적으로 형성된 기판(10)을 제공한다. 임프린트 기판1001)과 기판(10)의 제공 순서는 서로 뒤바뀔 수도 있고 동시에 제공될 수도 있다.
도 34를 참조하면, 임프린트 요철 패턴(1520)과 포토 레지스트막(300)이 대향하도록 임프린트 기판(1101)을 기판(10) 상에 정렬한다.
이어서, 임프린트 기판(1101)을 포토 레지스트막(300)에 압착시켜 포토 레지스트막(300)에 복수의 임프린트 요철 패턴(1220)과 페어를 이루는 복수의 포토 레지스트 요철 패턴(도 35의 324 참조)을 전사시킨다.
도 34 및 도 35를 참조하면, 포토 레지스트막(300)에는 복수의 임프린트 요철 패턴(1520), 제1 임프린트 평면 연결 패턴(1530), 및 제2 임프린트 평면 연결 패턴(1540) 형상과 페어를 이루는 복수의 포토 레지스트 요철 패턴(324), 포토 레지스트 요철 패턴(324)을 연결하는 제1 포토 레지스트 평면 연결 패턴(334), 및 제2 포토 레지스트 평면 연결 패턴(340)을 포함하는 포토 레지스트 패턴(314)이 형성된다. 이 경우 임프린트 요철 패턴(1520)이 오목 패턴이므로 포토 레지스트 요철 패턴(324)은 이와 페어를 루도록 볼록 패턴으로 형성된다.
이어서, 포토 레지스트 패턴(314)을 마스크로 이용하여 절연막(200)을 건식 식각한다. 이에 따라 복수의 포토 레지스트 요철 패턴(324), 포토 레지스트 요철 패턴(324)을 연결하는 제1 포토 레지스트 평면 연결 패턴(334), 및 제2 포토 레지스트 평면 연결 패턴(340)에 상응하는 요철 패턴(224), 요철 패턴(224)을 서로 연결하는 제1 평면 연결 패턴(234), 및 분리 영역(II)에 형성된 제2 평면 연결 패턴(240)이 절연막(210)에 형성된다. 결과적으로 절연막(210)에는 볼록 형상의 복수의 요철 패턴(224)이 형성되며, 이는 복수의 임프린트 요철 패턴(1520)과 페어를 이룬다. 절연막(210)은 전체적으로 식각되므로 절연막(210)의 두께는 식각 이전보다 전체적으로 감소한다.
이어서, 도 36을 참조하여, 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 36은 본 발명의 제10 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따른 발광 장치는 요철 패턴(224)이 볼록 형상이고, 복수의 요철 패턴(224)은 제1 평면 연결 패턴(234)에 의해 연결된 점을 제외하고는 본 발명의 제5 실시예와 동일하다.
이어서, 도 37을 참조하여, 본 발명의 제11 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 37은 본 발명의 제11 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
본 실시예에 따른 발광 장치는 요철 패턴(225)이 볼록 형상이고, 복수의 요철 패턴(225)은 제1 평면 연결 패턴(235)에 의해 연결된 점을 제외하고는 본 발명의 제6 실시예와 동일하다.
이어서, 도 38을 참조하여, 본 발명의 제12 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 38은 본 발명의 제12 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
본 실시예에 따른 발광 장치는 요철 패턴(226)이 볼록 형상이고, 복수의 요철 패턴(226)은 제1 평면 연결 패턴(236)에 의해 연결된 점을 제외하고는 본 발명의 제7 실시예와 동일하다.
이어서, 도 39를 참조하여, 본 발명의 제13 실시예에 따른 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 39는 본 발명의 제13 실시예에 따른 발광 장치의 일부를 확대하여 나타낸 일부 사시도이다.
본 실시예에 따른 발광 장치는 요철 패턴(227)이 볼록 형상이고, 복수의 요철 패턴(227)은 제1 평면 연결 패턴(237)에 의해 연결된 점을 제외하고는 본 발명의 제8 실시예와 동일하다.
이어서, 도 40 내지 도 44를 참조하여, 본 발명의 제14 실시예에 따른 발광 시스템에 대하여 설명한다. 도 40 내지 도 44는 본 발명의 제14 실시예 내지 제18 실시예에 따른 발광 시스템을 설명하기 위한 개략도이다.
도 40을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 시스템은 조명 장치, 표시 장치, 모바일 장치(휴대폰, MP3 플레이어, 내비게이션(Navigation) 등)과 같은 여러 가지 장치에 적용될 수 있다. 도 40에 도시된 예시적 시스템은 액정 표시 장치(LCD)에서 사용하는 에지형(edge type) 백라이트 유닛(Back Light Unit; BLU)이다. 액정 표시 장치는 자체 광원이 없기 때문에, 백라이트 유닛이 광원으로 사용되고, 백라이트 유닛은 주로 액정 패널의 후방에서 조명하게 된다.
도 40을 참조하면, 백라이트 유닛은 발광 장치(1), 도광판(410), 반사판(412), 확산 시트(414), 한쌍의 프리즘 시트(416), 및 광원 커버(400)를 포함한다.
발광 장치(1)는 광을 제공하는 역할을 한다. 여기서, 사용되는 발광 장치(1)는 사이드뷰 타입일 수 있다.
도광판(410)은 액정 패널(450)로 제공되는 광을 안내하는 역할을 한다. 도광판(410)은 아크릴과 같은 플라스틱 계열의 투명한 물질의 패널로 형성되어, 발광 장치로부터 발생한 광을 도광판(410) 상부에 배치된 액정 패널(450) 쪽으로 진행하게 한다. 따라서, 도광판(410)의 배면에는 도광판(410) 내부로 입사한 광의 진행 방향을 액정 패널(450) 쪽으로 변환시키기 위한 각종 패턴(412a)이 인쇄되어 있다.
반사판(412)은 도광판(410)의 하부면에 설치되어 도광판(410)의 하부로 방출되는 빛을 상부로 반사한다. 반사판(412)은 도광판(410) 배면의 각종 패턴(412a)에 의해 반사되지 않은 광을 다시 도광판(410)의 출사면 쪽으로 반사시킨다. 이와 같이 함으로써, 광손실을 줄임과 동시에 도광판(410)의 출사면으로 투과되는 광의 균일도를 향상시킨다.
확산 시트(414)는 도광판(410)에서 나온 광을 분산시킴으로써 광이 부분적으로 밀집되는 것을 방지한다.
프리즘 시트(416) 상부면에 삼각기둥 모양의 프리즘이 일정한 배열을 갖고 형성되어 있으며, 통상 2장의 시트로 구성되어 각각의 프리즘 배열이 서로 소정의 각도로 엇갈리도록 배치되어 확산 시트(414)에서 확산된 광을 액정 패널(450)에 수직한 방향으로 진행하도록 한다.
도 41 내지 도 44에서 도시된 것은, 전술하였던 발광 장치가 적용된 예시적인 발광 시스템(최종 제품, end product)이다. 도 41은 프로젝터를, 도 42는 자동차의 헤드라이트를, 도 43은 가로등을, 도 44는 조명등을 도시하였다. 도 42 내지 도 44에서 사용되는 발광 장치(1)는 탑뷰 타입일 수 있다.
도 40 내지 도 44의 발광 시스템은 상술한 실시예들에 따른 발광 장치의 제조 방법을 이용하여 제조할 수 있으므로 이들 발광 시스템의 제조 방법에 대한 설명은 생략한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판 20: 제너 다이오드
30: 관통홀 35: 그루브
40: 보호막 50: 상부 전극
55: 하부 전극
220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227: 요철 패턴
230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237: 평면 연결 패턴
1100: 임프린트 기판 1220, 1520: 임프린트 요철 패턴

Claims (30)

  1. 기판의 일면 상에 배치된 적어도 하나의 발광 소자;
    상기 발광 소자를 덮도록 상기 기판의 일면 상에 형성된 절연막; 및
    상기 각 발광 소자 상부의 상기 절연막에 서로 이격되어 형성된 복수의 요철 패턴을 포함하는 발광 장치로서,
    상기 복수의 요철 패턴은 전부 볼록 패턴이거나 전부 오목 패턴이고, 상기 각 요철 패턴의 단면은 곡면 형상을 가지는 발광 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 일면은 전체적으로 평면인 발광 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 절연막의 측면은 외부로 노출되어 있는 발광 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 요철 패턴은 상기 절연막의 표면에 형성되고,
    상기 절연막의 표면은 서로 이격된 복수의 상기 요철 패턴과 상기 요철 패턴을 서로 연결하는 제1 평면 연결 패턴으로 이루어진 발광 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 각 요철 패턴은 반구 형상 또는 반원 기둥 형상을 가지는 발광 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 요철 패턴은 도트 형상, 스트라이프 형상, 메시 형상 중 어느 하나로 배치되어 있는 발광 장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 각 요철 패턴의 최대 직경은 30 ~ 100㎛인 발광 장치.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 각 요철 패턴의 최대 높이 또는 최대 깊이는 30 ~ 50㎛인 발광 장치.
  9. 제 5항에 있어서,
    서로 인접한 상기 각 복수의 요철 패턴 사이의 이격 폭은 5 ~ 20㎛인 발광 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 절연막 하부 또는 상기 절연막 표면에 편재되거나, 상기 절연막 내부에 골고루 분포된 형광체를 더 포함하는 발광 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 타면측에 형성된 제너 다이오드를 더 포함하는 발광 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 복수의 발광 소자 실장 영역 및 서로 인접한 상기 복수의 발광 소자 실장 영역 사이에 배치된 분리 영역을 포함하고,
    상기 발광 소자는 상기 각 발광 소자 실장 영역마다 적어도 하나씩 배치되고,
    상기 요철 패턴은 상기 각 발광 소자 실장 영역마다 복수개씩 배치되는 발광 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 요철 패턴은 상기 절연막의 표면에 형성되고,
    상기 복수의 발광 소자 실장 영역 상의 상기 절연막의 표면은 서로 이격된 복수의 상기 요철 패턴과 상기 요철 패턴을 서로 연결하는 제1 평면 연결 패턴으로 이루어지고,
    상기 복수의 분리 영역 상의 상기 절연막 표면은 제2 평면 연결 패턴만으로 이루어진 발광 장치.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 기판의 일면 상에 형성된 일면 전극, 및 상기 기판의 타면 상에 형성되어 상기 일면 전극과 연결되는 타면 전극을 더 포함하고,
    상기 발광 소자는 상기 일면 전극에 플립칩 형, 수직형, 수평형 중 어느 하나로 배치되는 발광 장치.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 분리 영역을 제외한 상기 발광 소자 실장 영역에만 위치하는 발광 장치.
  16. 제1 내지 제15항 중 어느 하나의 발광 장치를 포함하는 발광 시스템.
  17. 상기 기판의 일면 상에 적어도 하나의 발광 소자를 배치하고,
    상기 발광 소자를 덮도록 상기 기판의 일면 상에 절연막을 형성하고,
    상기 각 발광 소자 상부의 상기 절연막에 서로 이격되도록 복수의 요철 패턴을 형성하는 것을 포함하는 발광 장치의 제조 방법으로서,
    상기 복수의 요철 패턴은 전부 볼록 패턴이거나 전부 오목 패턴이고, 상기 각 요철 패턴의 단면은 곡면 형상을 가지는 발광 장치의 제조 방법.
  18. 상기 복수의 요철 패턴을 형성하는 것은 상기 절연막을 식각하여 형성하는 발광 장치의 제조 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 복수의 요철 패턴을 형성하는 것은,
    상기 절연막 상에 상기 복수의 요철 패턴과 상응하는 형상의 복수의 포토 레지스트 요철 패턴을 형성하고,
    상기 복수의 포토 레지스트 요철 패턴 및 상기 절연막을 건식 식각하는 것을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 복수의 포토 레지스트 요철 패턴을 형성하는 것은,
    상기 절연막 상에 포토 레지스트막을 형성하고,
    복수의 임프린트 요철 패턴이 형성된 임프린트 기판을 상기 포토 레지스트막에 압착하여 상기 포토 레지스트막에 상기 복수의 임프린트 요철 패턴과 페어(pair)를 이루는 복수의 포토 레지스트 요철 패턴을 전사시키는 것을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  21. 제 17항에 있어서,
    상기 기판은 복수의 발광 소자 실장 영역 및 서로 인접한 상기 복수의 발광 소자 실장 영역 사이에 배치된 분리 영역을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 발광 소자는 상기 각 발광 소자 실장 영역마다 적어도 하나씩 배치되고,
    상기 요철 패턴은 상기 각 발광 소자 실장 영역마다 복수개씩 배치되는 발광 장치의 제조 방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 발광 소자를 배치하기 이전에 상기 기판을 관통하는 관통홀을 형성하여 상기 발광 소자 실장 영역과 상기 분리 영역을 구분하고,
    상기 기판의 일면 상에 일면 전극, 및 상기 기판의 타면 상에 상기 관통홀을 통하여 상기 일면 전극과 연결되도록 타면 전극을 형성하는 것을 더 포함하고,
    상기 발광 소자는 상기 일면 전극에 플립칩 형, 수직형, 수평형 중 어느 하나로 배치하는 발광 장치의 제조 방법.
  23. 일면 상에 발광 소자, 상기 발광 소자를 덮는 절연막, 상기 절연막을 덮는 포토 레지스트막이 순차적으로 형성된 기판, 및 복수의 임프린트 요철 패턴이 형성된 임프린트 기판을 제공하고,
    상기 임프린트 기판을 상기 포토 레지스트막에 압착하여 상기 포토 레지스트막에 상기 복수의 임프린트 요철 패턴과 페어(pair)를 이루는 복수의 포토 레지스트 요철 패턴을 전사시키고,
    상기 복수의 포토 레지스트 요철 패턴 및 상기 절연막을 건식 식각하여 상기 발광 소자 상부의 상기 절연막에 상기 복수의 임프린트 요철 패턴과 페어를 이루는 복수의 요철 패턴을 형성하는 것을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 각 요철 패턴은 오목 패턴이고,
    상기 각 임프린트 요철 패턴은 상기 각 요철 패턴의 오목 패턴과 페어인 볼록 패턴이며,
    상기 복수의 임프린트 요철 패턴을 형성하는 것은 상기 임프린트 기판 상에 형성된 임프린트용 절연막을 식각하여 형성하는 것을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 복수의 임프린트 요철 패턴을 형성하는 것은,
    상기 임프린트 기판 상에 임프린트용 절연막을 형성하고,
    상기 임프린트용 절연막 상에 임프린트용 포토 레지스트막을 형성하고,
    상기 임프린트용 포토 레지스트막을 패터닝하여 복수의 임프린트용 포토 레지스트 요철 패턴을 형성하고,
    상기 임프린트용 포토 레지스트 요철 패턴 및 상기 임프린트용 절연막을 건식 식각하여 상기 복수의 임프린트용 포토 레지스트 요철 패턴과 상응하는 상기 복수의 임프린트 요철 패턴을 형성하는 것을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  26. 제 23항에 있어서,
    상기 각 요철 패턴은 볼록 패턴이고,
    상기 각 임프린트 요철 패턴은 상기 요철 패턴의 볼록 패턴과 페어인 오목 패턴이며,
    상기 복수의 임프린트 요철 패턴을 형성하는 것은 상기 각 요철 패턴과 상응하는 주형 요철 패턴을 가지는 주형 기판 상에 임프린트용 금속을 전기 도금하여 형성하는 것을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  27. 제 26항에 있어서,
    상기 임프린트용 금속을 전기 도금하기 이전에 상기 주형 패턴을 가지는 주형 기판 상에 씨드 금속층을 균일한 두께로 형성하고,
    상기 임프린트용 금속은 상기 씨드 금속층 상에 전기 도금되는 발광 장치의 제조 방법.
  28. 제 23항에 있어서,
    상기 복수의 요철 패턴은 상기 절연막의 표면에 서로 이격되어 형성되고,
    상기 절연막의 표면은 서로 이격된 복수의 상기 요철 패턴과 상기 요철 패턴을 서로 연결하는 제1 평면 연결 패턴으로 이루어진 발광 장치의 제조 방법.
  29. 제 23항에 있어서,
    상기 복수의 요철 패턴은 전부 볼록 패턴이거나 전부 오목 패턴이고,
    상기 각 요철 패턴의 단면은 곡면 형상을 가지는 발광 장치의 제조 방법.
  30. 제 23항 내지 제 29항 중 어느 하나의 발광 장치의 제조 방법을 포함하는 발광 시스템의 제조 방법.
KR1020100050384A 2010-05-28 2010-05-28 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법 KR101653684B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100050384A KR101653684B1 (ko) 2010-05-28 2010-05-28 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
US13/118,924 US8628368B2 (en) 2010-05-28 2011-05-31 Light-emitting device, light emitting system including the same, and fabricating method thereof
US14/103,562 US9157600B2 (en) 2010-05-28 2013-12-11 Light-emitting device and light-emitting system including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100050384A KR101653684B1 (ko) 2010-05-28 2010-05-28 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110130853A true KR20110130853A (ko) 2011-12-06
KR101653684B1 KR101653684B1 (ko) 2016-09-02

Family

ID=45022512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100050384A KR101653684B1 (ko) 2010-05-28 2010-05-28 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8628368B2 (ko)
KR (1) KR101653684B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019112206A1 (ko) * 2017-12-04 2019-06-13 주식회사 루멘스 엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR20190085746A (ko) * 2018-01-11 2019-07-19 주식회사 루멘스 엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조방법
WO2020149516A1 (ko) * 2019-01-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI470829B (zh) * 2011-04-27 2015-01-21 Sino American Silicon Prod Inc 磊晶基板的製作方法、發光二極體，及其製作方法
KR20150008417A (ko) * 2012-06-12 2015-01-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 발광 장치
US20140023430A1 (en) * 2012-07-19 2014-01-23 Apple Inc. Attachment Techniques
US20160155901A1 (en) * 2013-07-18 2016-06-02 Koninklijke Philips N.V. Highly reflective flip chip led die
JP2015056608A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 半導体パッケージおよび半導体装置
TWI707484B (zh) * 2013-11-14 2020-10-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP6484982B2 (ja) 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
USD762596S1 (en) * 2015-04-02 2016-08-02 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode package substrate
JP6459769B2 (ja) * 2015-05-15 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
KR102030542B1 (ko) 2016-03-16 2019-11-18 루미리즈 홀딩 비.브이. Led 모듈을 제조하는 방법
CN107990243B (zh) * 2017-11-29 2020-11-06 深圳大学 一种多维度复合配光路灯
TW202404125A (zh) * 2018-08-01 2024-01-16 晶元光電股份有限公司 發光元件
WO2020081318A1 (en) * 2018-10-19 2020-04-23 Corning Incorporated Device including vias and method and material for fabricating vias

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050050238A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 알티전자 주식회사 발광 효율이 증대된 실장형 엘이디 소자 및 그 제조방법
JP2007123446A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子の製造方法
KR20080004931A (ko) * 2006-07-07 2008-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20090076327A (ko) * 2008-01-08 2009-07-13 엘지전자 주식회사 나노 임프린트 공정을 위한 스탬프 및 이를 이용한 발광소자 제조방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08166502A (ja) * 1994-12-13 1996-06-25 Hoya Corp マイクロレンズアレイ及びその製造方法
JP2001201609A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd 平板状マイクロレンズの製造方法及びこの方法で製造された平板状マイクロレンズ
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
US6610598B2 (en) * 2001-11-14 2003-08-26 Solidlite Corporation Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens
JP2004235337A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
DE102004001312B4 (de) * 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2005166941A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびその製造方法、並びにその発光装置を用いた照明モジュールと照明装置
KR100703217B1 (ko) * 2006-02-22 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
KR100793333B1 (ko) * 2006-04-21 2008-01-11 삼성전기주식회사 표면실장형 발광 다이오드 소자의 제조방법
KR101258396B1 (ko) 2006-09-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 제조방법
KR100890741B1 (ko) 2007-03-13 2009-03-26 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100896282B1 (ko) * 2007-11-01 2009-05-08 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050050238A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 알티전자 주식회사 발광 효율이 증대된 실장형 엘이디 소자 및 그 제조방법
JP2007123446A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子の製造方法
KR20080004931A (ko) * 2006-07-07 2008-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20090076327A (ko) * 2008-01-08 2009-07-13 엘지전자 주식회사 나노 임프린트 공정을 위한 스탬프 및 이를 이용한 발광소자 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019112206A1 (ko) * 2017-12-04 2019-06-13 주식회사 루멘스 엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR20190085746A (ko) * 2018-01-11 2019-07-19 주식회사 루멘스 엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조방법
WO2020149516A1 (ko) * 2019-01-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8628368B2 (en) 2014-01-14
US9157600B2 (en) 2015-10-13
US20110294389A1 (en) 2011-12-01
US20140098533A1 (en) 2014-04-10
KR101653684B1 (ko) 2016-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101653684B1 (ko) 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
KR101530876B1 (ko) 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
CN109643724B (zh) 高密度像素化的led和器件及其方法
KR101497953B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8704260B2 (en) Light emitting device and light-emitting system including the same
TWI443860B (zh) 發光元件、發光裝置、製造發光元件之方法，以及製造發光裝置之方法
KR101809472B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 장치
US7960196B2 (en) Light-emitting device, light-emitting element and method of manufacturing same
KR101539246B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치
CN102237479B (zh) 发光器件封装和具有发光器件封装的发光系统
KR20100024231A (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8053261B2 (en) Method of fabricating light emitting device
KR20100003321A (ko) 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및발광 장치의 제조 방법
KR20100016901A (ko) 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
JP2020507201A (ja) フォトレジストのフォトルミネッセンスパッドを含む光電子デバイスの製造方法
KR20100054197A (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
KR20110008558A (ko) 발광 패키지 및 그 제조 방법
KR20100109212A (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190731

Year of fee payment: 4