JP7145950B2 - モノリシックｌｅｄアレイ構造体 - Google Patents

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Description

精密制御照明アプリケーションは、小型でアドレス可能な発光ダイオード（LED）画素（pixel）システムの生産および製造を必要とし得る。そうしたLED画素システムの製造は、画素のサイズが小さく、システム間のレーン間隔が小さいため、材料の正確なデポジション（deposition）を必要とし得る。LED、共振キャビティ発光ダイオード（RCLED）、垂直キャビティレーザダイオード（VCSEL）、およびエッジ発光レーザ、を含む半導体発光デバイスは、現在利用可能な最も効率的な光源の一つである。可視スペクトルにわたり動作可能な高輝度発光デバイスの製造において現在関心のある材料系は、III-V族半導体を含み、特には、III族窒化物材料としても参照される、ガリウム、アルミニウム、インジウム、および窒素の二元、三元、および四元合金を含んでいる。典型的に、III族窒化物発光デバイスは、サファイア、炭化ケイ素、III族窒化物、複合材料（composite）、または他の適切な基板上に、有機金属化学気相成長法（MOCVD）、分子線エピタキシー法（MBE）、または他のエピタキシャル技術によって、異なる組成およびドーパント濃度の半導体層のスタックをエピタキシャル成長させることによって製造される。スタックは、しばしば、基板上に形成され、例えば、ケイ素（Si）でドープされた１つまたはそれ以上のn型層、n型層の上に形成された活性領域内の１つまたはそれ以上の発光層、および、活性領域の上に形成され、例えば、マグネシウム（Mg）でドープされた１つまたはそれ以上のp型層を含む。電気接点が、n型およびp型領域上に形成されている。
III族窒化物デバイスは、しばしば、反転又はフリップチップデバイスとして形成される。ここで、n接点およびp接点の両方は、半導体構造の同じ側に形成され、そして、大部分の光は、接点とは反対の半導体構造の側から抽出される。
波長変換層が部分的にダイシングされて（diced）、第１波長変換層セグメントおよび第２波長変換層セグメントを生成し、そして、波長変換層セグメントが接続波長変換層によって接続されるように、第１セグメントと第２セグメントとの間の部分的な分離を可能にする。第１および第２波長変換層セグメントは、第１および第２発光デバイスに取り付けられ、それぞれに第１および第２画素を作成する。接続波長変換層セグメントは、第１画素と第２画素との間の完全な分離を可能にするために除去される。光学的アイソレーション材料（optical isolation material）が、第１画素および第２画素の露出された面に適用され、そして、波長変換層セグメントの犠牲部分および犠牲部分に取り付けられた光学的アイソレーション材料が、第１発光デバイスに背を向ける（facing away from）表面から除去されて、第１波長変換層セグメントの発光面を露出させる。
添付の図面と共に例示として与えられる、以下の説明から、より詳細な理解を得ることができるだろう。
図1Aは、拡大された部分を伴うLEDアレイの平面図である。 図1Bは、トレンチを有するLEDアレイの断面図である。 図1Cは、トレンチを有する別のLEDアレイの斜視図である。 図1Dは、LEDアレイ内の画素を生成するためのフローチャートである。 図1Eは、LEDアレイ内の画素を生成する断面図である。 図1Fは、LEDアレイ内の画素を生成するプロセスの別のフローチャートである。 図1Gは、LEDアレイ内の画素を生成する別の断面図である。 図1Hは、LEDアレイの断面図である。 図2Aは、一つの実施形態において、LEDデバイス取付け領域で基板に取り付けられたLEDアレイを有する電子回路基板の上面図である。 図2Bは、回路基板の２つの表面上に取り付けられた電子部品を有する２チャンネル統合LED照明システムの一つの実施形態の図である。 図2Cは、車両ヘッドランプシステムの一つの例である。 図3は、照明システムの一つの例を示している。
添付の図面を参照して、異なる光照明システム及び／又は発光ダイオード（“LED”）の実施例が、さらに詳細に以降で説明される。これらの実施例は、相互に排他的ではなく、そして、一つの実施例において見出される特徴は、追加の実装を達成するように、１つまたはそれ以上の他の実施例において見出される特徴と組み合わされてよい。従って、添付の図面において示される実施例は、例示目的のためだけに提供されており、そして、本開示を決して限定するように意図されたものではないことが理解されるだろう。同じ参照符号は、全体を通して同じ要素を参照している。
ここにおいては、第１、第２、第３、等の用語が種々の要素を説明するために使用され得るが、これらの要素は、これらの用語によって限定されるべきではないことが理解されるだろう。これらの用語は、１つの要素を別の要素から区別するために使用され得る。例えば、本発明の範囲から逸脱することなく、第１要素を第２要素と称し、そして、第２要素を第１要素と称することができる。ここにおいて使用されるように、用語「及び／又は（“and/or”）」は、関連するリストされたアイテムのうち１つまたはそれ以上の任意および全ての組み合わせを含み得る。
層（layer）、領域（region）、または基板（substrate）、といった要素が、別の要素の「上（“on”）」にある、または、「上へ（“onto”）」延在していることは、他の要素の上に直接的に存在し、または、直接的に延在してよく、もしくは、介在要素が、また、存在してもよいことが理解されるだろう。対照的に、要素が、別の要素の「直接的に上（“directly on”）」にある、または、「直接的に上へ（“directly onto”）」延在しているものとして参照される場合には、介在要素が存在し得ないことが理解されるだろう。要素が、別の要素に対して「接続された（“connected”）」または「結合された（“coupled”）」ものとして参照される場合に、要素は、他の要素に対して直接的に接続または結合されてよく、かつ／代替的に、１つまたはそれ以上の介在要素を介して他の要素に対して接続または結合されてよいことが理解されるだろう。対照的に、要素が、他の要素に対して「直接的に接続された（“directly connected”）」または「直接的に結合された（“directly coupled”）」ものとして参照される場合に、要素と他の要素との間に介在要素は存在しない。これらの用語は、図中に示される任意の方向に加えて、要素の異なる方向を包含するように意図されていることが理解されるだろう。
「下（“below”）」、「上（“above”）」、「上方（“upper”）」、「下方（“lower”）」、「水平（“horizontal”）」、または「垂直（“vertical”）」といった、相対的な用語は、ここにおいて、図に示されるように、ある要素、層、または領域の別の要素、層、または領域に対する関係を説明するために使用され得る。これらの用語は、図に示される方向に加えて、デバイスの異なる方向を包含するように意図されていることが理解されるだろう。
半導体発光デバイス(LED)、もしくは、紫外線（UV）または赤外線（IR）光パワーを発するデバイスといった、光パワー発光デバイス（optical power emitting devices）は、現在利用可能な最も効率的な光源の一つである。これらのデバイス(以降「LED」という)は、発光ダイオード、共振キャビティ発光ダイオード、垂直キャビティレーザダイオード、エッジ発光レーザ、等を含み得る。それらのコンパクトなサイズ及びより低い電力要求のために、例えば、LEDは、多くの異なるアプリケーションについて魅力的な候補であり得る。例えば、それらは、カメラおよび携帯電話といった、ハンドヘルドなバッテリ駆動デバイスのための光源(例えば、フラッシュライトおよびカメラのフラッシュ)として使用され得る。それらは、また、例えば、自動車照明、ヘッドアップディスプレイ（HUD）照明、園芸照明、街路照明、ビデオ照明（torch for video）、一般照明（住宅、商店、オフィス、およびスタジオ照明、劇場/ステージ照明、および建築照明）、拡張現実（AR）照明、仮想現実（VR）照明、ディスプレイのバックライトとして、およびIR分光にも使用することができる。単一のLEDは、白熱光源よりも明るくない光を提供することがあり、そして、従って、より多くの明るさが望まれ、または必要とされるアプリケーションについては、マルチ接合デバイスまたはLEDのアレイ(モノリシックLEDアレイ、マイクロLEDアレイ、等といったもの)が使用され得る。
開示される技術的事項（subject matter）の実施形態に従って、LEDアレイ(例えば、マイクロLEDアレイ)は、図1A、図1B、及び／又は図1Cに示されるような画素のアレイを含んでよい。LEDアレイは、LEDアレイセグメントの精密な制御を必要とするものといった、任意のアプリケーションについて使用され得る。LEDアレイ内の画素は、個々にアドレス可能（addressable）であってよく、グループ／サブセットでアドレス可能であってよく、または、アドレス不能であってもよい。図1Aでは、画素111を有するLEDアレイ110の上面図が示されている。LEDアレイ110の３×３の拡大図も、また、図1Aに示されている。３×３の拡大図に示されるように、LEDアレイ110は、概ね100μm以下(例えば、40μm)の幅ｗ１を有する画素111を含んでよい。画素間のレーン（lanes）113は、概ね約20μm以下(例えば、5μm)の幅ｗ２によって隔てることができる。レーン113は、図1Bおよび図1Cに示され、かつ、ここにおいてさらに開示されるように、画素間にエアギャップを備えてよく、または、他の材料を含んでよい。１つの画素111の中心から隣接する画素111の中心までの距離ｄ１は、概ね120μm以下(例えば、45μm)であり得る。ここにおいて提供される幅および距離は単なる例示であり、そして、実際の幅及び／又は寸法は変動してよいことが理解されるだろう。
矩形画素が、図1A、図B、および図Cに示されるように対称行列に配置されているが、任意の形状および配置の画素が、ここにおいて開示される実施形態に適用され得ることが理解されるだろう。例えば、図1AのLEDアレイ110は、１００×１００のマトリクス、２００×５０のマトリクス、対称マトリクス、非対称マトリクスといった、任意の適用可能な配置において１００００個を超える画素を含んでよい。また、画素、マトリクス、及び／又は基板の複数のセットは、また、ここにおいて開示される実施形態を実装するために、任意の適用可能なフォーマットで配列され得ることも理解されるだろう。
図1Bは、例示的なLEDアレイ1000の断面図を示している。示されるように、画素1010、1020、および1030は、分離セクション1041及び／又はn型接点1040が画素を相互に分離するように、LEDアレイ内の３つの異なる画素に対応している。一つの実施形態に従って、画素間の空間は、エアギャップによって占有されてよい。示されるように、画素1010は、エピタキシャル層1011から除去され得る、例えば、サファイア基板といった、任意の適用可能な基板上に成長され得る、エピタキシャル層1011を含んでいる。接点1015から遠位の成長層の表面は、実質的に平面であるか、または、パターン化されてよい。p型領域1012は、p接点1017に近接して配置され得る。活性領域1021は、n型領域およびp型領域1012に隣接して配置され得る。代替的に、活性領域1021は、半導体層またはn型領域とp型領域1012との間にあってよく、そして、活性領域1021が光ビームを放射するように電流を受け取ることができる。p接点1017は、めっき金属(例えば、めっき銅)層1016と同様に、SiO2層1013および1014と接触してよい。n型接点1040は、銅（Cu）といった適用可能な金属を含んでよい。金属層1016は、反射性であり得る、接点1015と接触してよい。
特に、図1Bに示されるように、n型接点1040は、画素1010、1020、および1030の間に形成されるトレンチ（trench）1130の中に内にデポジションされてよく、そして、エピタキシャル層を越えて延在し得る。分離セクション1041は、変換器材料（converter material）1050の全てまたは一部分を（示されるように）分離し得る。LEDアレイは、そうした分離セクション1041を伴わずに実装されてよく、または、分離セクション1041は、エアギャップに対応し得ることが理解されるだろう。分離セクション1041は、n型接点1040の延長であってもよく、そうして、分離セクション1041は、n型接点1040と同じ材料(例えば、銅)から形成されている。代替的に、分離セクション1041は、n型接点1040とは異なる材料から形成されてよい。一つの実施形態に従って、分離セクション1041は、反射性材料を含み得る。分離セクション1041及び／又はn型接点1040内の材料は、任意の適用可能な方法でデポジションされてもよい。例えば、n型接点1040及び／又は分離セクション1041のデポジションを含むか、または可能にするメッシュ構造を適用すること、といったものである。変換器材料1050は、図2Aの波長変換層205と類似した特徴／特性を有し得る。ここにおいて記載されるように、１つまたはそれ以上の追加の層が、分離セクション1041をコーティングし得る。そうした層は、反射層、散乱層、吸収層、または任意の他の適用可能な層であってよい。１つまたはそれ以上のパッシベーション層1019は、完全に又は部分的に、n接点1040をエピタキシャル層1011から分離し得る。
エピタキシャル層1011は、励起されたときに光子（photons）を放射するように、サファイア、SiC、GaN、シリコーン（Silicone）を含む任意の適用可能な材料から形成され得る。そして、より特定的には、これらに限定されるわけではないが、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、を含む、III-V族半導体、これらに限定されるわけではないが、ZnS、ZnSe、CdSe、CdTeを含む、II-VI族半導体、これらに限定されるわけではないが、Ge、Si、SiC、を含む、IV族半導体、および、それらの混合物または合金から形成されてよい。これらの例示的な半導体は、それらが存在するLEDの典型的な発光波長において、約2.4から約4.1までの範囲の屈折率を有し得る。例えば、GaNといった、III-窒化物半導体は、500nmにおいて約2.4の屈折率を有し、InGaPといった、III-リン酸化物半導体は、600nmにおいて約3.7の屈折率を有し得る。LEDデバイス200に結合される接点は、AuSn、AuGa、AuSi、またはSAC半田といった、半田から形成されてよい。
n型領域は、成長基板上で成長させることができ、そして、異なる組成およびドーパント濃度を含む半導体材料の１つまたはそれ以上の層を含むことができる。例えば、バッファまたは核形成層といった、調製層（preparation layers）、及び／又は、成長基板の除去を促進するために設計された層を含んでいる。これらの層は、n型であっても、または、意図的にドープされていなくてもよく、もしくは、p型デバイス層であってよい。層は、発光領域が効率的に光を放射するために望ましい特定の光学的、材料的、または電気的特性について設計され得る。同様に、p型領域1012は、異なる組成、厚さ、およびドーパント濃度の複数の層を含んでよく、意図的にドープされていない層、または、n型層を含んでいる。電流は、p-n接合を通じて(例えば、接点を介して)流れるようにされ、そして、画素は、材料のバンドギャップエネルギーによって少なくとも部分的に決定される第１波長の光を発生し得る。画素は、直接的に光を放射することができ(例えば、標準または直接発光LED)、または、放射された光の波長をさらに修正して第２波長の光を出力するように動作する波長変換層1050(例えば、蛍光体変換LED、「PCLED」、等)の中へ光を放射してよい。
図1Bは、例示的な構成において画素1010、1020、および1030を有する例示的なLEDアレイ1000を示しているが、LEDアレイ内の画素は、多数の構成のうち任意の１つで提供され得ることが理解されるだろう。例えば、画素は、フリップチップ構造、垂直注入薄膜(vertical injection thin film、VTF)構造、多接合構造、薄膜フリップチップ(thin film flip chip、TFFC)、横方向デバイス（lateral device）、等であってよい。例えば、横方向LED画素は、フリップチップLED画素と類似してよいが、電極を基板またはパッケージに対して直接的に接続するために上下逆さフリップ（flipped）され得ない。TFFCは、また、フリップチップLED画素と類似していてよいが、成長基板を除去させ得る(薄膜半導体層を支持されないままにする)。対照的に、成長基板または他の基板は、フリップチップLEDの一部として含まれてよい。
波長変換層1050は、活性領域1021によって放射された光が１つまたはそれ以上の中間層(例えば、フォトニック層)を通過し得るように、活性領域1021によって放射された光の経路内に存在してよい。実施形態に従って、波長変換層1050は、もしくは、LEDアレイ1000内に存在しなくてもよい。波長変換層1050は、１つの波長の光を吸収して、異なる波長の光を放射する、例えば、透明または半透明のバインダまたはマトリクスにおける蛍光体粒子（phosphor particles）、またはセラミック蛍光体エレメントといった、任意の発光材料を含んでよい。波長変換層1050の厚さは、使用される材料、もしくは、LEDアレイ1000または個々の画素1010、1020、および1030が配列されているアプリケーション／波長に基づいて決定されてよい。例えば、波長変換層1050は、概ね20μm、50μm、200μmであってよい。波長変換層1050は、図示されるように、それぞれ個々の画素上で提供されてよく、または、LEDアレイ1000全体の上に配置されてよい。
一次光学系1022は、１つまたはそれ以上の画素1010、1020、及び／又は1030上にあってよく、そして、光が、活性領域101及び／又は波長変換層1050から一次光学系を通過することを可能にし得る。一次光学系を介した光は、一般的に、一次光学系1022を介して放射される光の光度（luminous intensity）が、理想的な拡散ラジエータから観察された場合に、入射光の方向と表面法線との間の角度のコサイン（cosine）に直接的に比例するように、ランベルト分布（Lambertia distribution）パターンに基づいて放射され得る。一次光学系1022の１つまたはそれ以上の特性は、ランベルト分布パターンとは異なる光分布パターンを生成するように修正され得ることが理解されるだろう。
レンズ1065および導波路（waveguide）1062のうち一方または両方を含む二次光学系は、画素1010、1020、及び／又は1030を備え得る。二次光学系が、複数の画素を有する図1Bに示される実施例に従って説明されているが、二次光学系は、単一画素に対して提供され得ることが理解されるだろう。二次光学系は、入射光を拡散するため(発散光学系)、または、入射光を平行ビームへと集めるため(コリメート光学系)に使用され得る。導波路1062は、誘電体材料、メタライゼーション層、等を用いてコーティングされてよく、そして、入射光を反射または再方向付け（redirect）するように提供されてよい。代替的な実施形態において、照明システムは、波長変換層1050、一次光学系1022、導波路1062、およびレンズ1065のうち１つまたはそれ以上を含まなくてもよい。
レンズ1065は、これらに限定されるわけではないが、SiC、酸化アルミニウム、ダイヤモンド、等、または、それらの組み合わせといった、任意の適用可能な透明材料から形成されてよい。レンズ1065は、レンズ1065からの出力ビームが所望の測光仕様（photometric specification）を効率的に満たすように、レンズ1065へと入力される光ビームを修正するために使用され得る。加えて、レンズ1065は、１つまたはそれ以上の美的目的を果たすことができる。複数のLEDデバイス200Bの点灯（lit）及び／又は非点灯（unlit）の外観を決定することによる、といったものである。
図1Cは、LEDアレイ1100の三次元ビューの断面図を示している。図示されるように、LEDアレイ1100内の画素は、n接点1140を形成するように充填されているトレンチによって分離され得る。画素は、基板1114上で成長されてよく、そして、p接点1113、p-GaN半導体層1112、活性領域1111、およびn-Gan半導体層1110を含んでよい。この構造は、一つの例としてだけ提供されるものであり、そして、ここにおいて提供される開示を実施するために、１つまたはそれ以上の半導体層または他の適用可能な層が追加、除去され、もしくは、部分的に追加または除去され得ることが理解されるだろう。変換器材料1117は、半導体層1110(または他の適用可能な層)上にデポジションされてよい。
パッシベーション層1115は、トレンチ1130内に形成されてよく、そして、n接点1140(例えば、銅接点)が、図示されるように、トレンチ1130内にデポジションされ得る。パッシベーション層1115は、半導体の１つまたはそれ以上の層からn接点1140の少なくとも一部を分離し得る。実装形態に従って、n-接点1140、または他の適用可能な材料が、画素間で完全または部分的な光学的アイソレーションを提供するように、トレンチ内のn-接点1140、または他の適用可能な材料は、変換器材料1117の中へに延伸してよい。
ここにおいて開示される技術は、ダイシング（dicing）及び／又はウェハレベル分離（segmentation）を含み、それは、これらに限定されるわけではないが、半導体層、n型材料、p型材料、コンバータ材料、ダイ（die）、キャリア材料、等、またはこれらの組み合わせといった、成長させたLEDコンポーネントを生成または提供すること、またはその他のLEDコンポーネントを製造することを含み得る。コンポーネントは、硬化され、または、温度ベースの処理、化学的処理、または他の処理を用いて処理され得る。コンポーネントは、コンポーネントの２つまたはそれ以上のセグメントがダイシング工程から結果として生じるようにダイシングされ得る。セグメントは、完全に隔離され、または、相互に部分的に隔離されてよい。セグメントは、実質的に均一な材料を含み、または、複数の材料を含んでよい。セグメントは、追加的な処理／工程を受け、そして、例えば、化学的、超音波、または他の適用可能な洗浄プロセスを介して洗浄され得る。
ここにおいて開示される技術的事項（subject matter）は、500ミクロン未満の画素および100ミクロン未満のコンポーネントを有するアレイを生成するために適用され得る。光学的アイソレーション材料によってカバーされた側壁を有するLEDアレイ内の画素は、ここにおいて開示される技術を使用して生成され得る。
ここにおいて使用されるように、ダイシング（dice、dicing、またはdiced）は、セグメント化、分割、配分、スライシング、コンパートメント化、等、の任意の適用可能な方法、または、当技術分野で理解されるダイシングによる方法に対応し、または、参照することができる。コンポーネントは、ソーイング（sawing）、エッチング、ダイシングへのマスクの適用、１つまたはそれ以上のレーザ、化学処理、等といった、任意の適用可能な方法によってダイシングされ得る。
図1Dは、ここにおいて開示された技術的事項に従った、LEDアレイ内の画素を生成するための方法1200を示している。そうしたLEDアレイ内の画素は、例えば、概ね100ミクロンの幅を有しているといった、500ミクロン未満の大きさであってよい。波長変換層がキャリア層に取り付けられ、そして、ステップ1220において、取り付けられた２つの層は、セグメント間のギャップによって分離された複数のセグメントへとそれらが分割されるようにダイシングされ得る。波長変換層は、ギャップ内に波長変換層が存在しないように、セグメント間のスペースから除去され得る。キャリア層の一部は、各ギャップ領域内で除去され、そして、キャリア層の一部は、セグメント化の最中に除去されていないキャリア層の連続した（contiguous）部分によって接続されるように、連続した態様で残ってよい。ステップ1230において、セグメントは、発光デバイスと整列され、そして、画素を生成するように発光デバイスに取り付けられ得る。ステップ1240において、２つまたはそれ以上のセグメントを接続しているキャリア層の部分は、セグメントがキャリア層を介してもはや接続されないように、除去され得る。ステップ1250においては、光学的アイソレーション材料が、画素の露出された表面に適用され得る。ステップ1260において、キャリア層およびキャリア層の表面に取り付けられた任意の対応する光学的アイソレーション材料が除去され、発光デバイスと波長変換層の側壁上の光学的アイソレーション材料と共に、発光デバイス、および、波長変換層を含む画素を結果として生じている。
波長変換層は、ここにおいて開示されるように、光の１つまたはそれ以上の特性を変換するように構成された材料を含み得る。波長変換層は、これらに限定されるわけではないが、その波長、その位相、等といった、光の特性を変換することができる。
キャリア層は、これらに限定されるわけではないが、波長変換層の熱膨張係数（CTE）と実質的に一致する熱膨張係数を有する任意の材料を含み得る。加えて、キャリア層は、原子層デポジション（ALD）工程の温度要件を受けることができる材料を含み得る。キャリア層の軟化温度は、波長変換層の軟化温度よりも高くてよい。非限定的な例として、キャリア層は、アルモシリケートガラス（alumosilicate glass）であってよく、827℃の軟化温度で8.7ppm/KのCTEを有してよく、または、代替的に、キャリア層は、ガラスであってよく、724℃の軟化温度で9.4ppm/KのCTEを有し得る。キャリア層は、ガラス層、セラミック層、等であってよい。
光学的アイソレーション材料は、分布ブラッグ反射体（DBR）層、反射材料、吸収材料、等といった、任意の適用可能な光学的変更材料であってよい。具体例として、光学的アイソレーション材料は、ステンレス鋼またはアルミニウムを含み得る。DBR層は、これらに限定されるわけではないが、SiO2とTiO2、SiO2とZrO2、SiCとMgO、SiCとSilica、GaAsとAlAs、ITO等を含み得る。
図1Eにおける(a)に示されるように、キャリア層1320は、波長変換層1310に取り付けられ得る。キャリア層1320は、接着材料を介した付着を含む任意の適用可能な技術によって、波長変換層1310に取り付けられてよい。
図1Dのステップ1220に従って、図1Eにおける(b)に示されるように、波長変換層1310に取り付けられたキャリア層1320は、セグメント間にギャップ1315を生成するようにダイシングされ得る。図1Eにおける(b)に示されるように、セグメント間のギャップ1315は、波長変換層1310を含まなくてよく、そして、キャリア層320の中へ延在し得る。明確化のために、第１セグメントの波長変換層1310は、第１セグメントの波長変換層1310と第２セグメントの波長変換層1310との間にギャップが設けられるように、第２セグメントの波長変換層1310によって完全に分離され得る。キャリア層1320の連続した部分は、残ってよく、そして、セグメントを接続し得る。
図1Dのステップ1230に従って、図1Eにおける(c)に示されるように、セグメント化されたキャリア層1320および波長変換層1310は、発光デバイス1330と整列され、そして、取り付けられ得る。セグメント化された層の間のギャップ1315は、セグメント化された層が発光デバイス1330と整列され、そして、取り付けられるように、発光デバイス1330の間で必要とされる間隔に対応することができる。発光デバイス1330は、活性発光層を含み、そして、電流が活性発光層を活性化するのを可能にするn接点およびp接点も、また、含み得る。キャリア層1320、波長変換層1310、および発光デバイス1330は、温度ベースの硬化（curing）、ポリマーベースの硬化、UVベースの硬化、等といった、任意の適用可能な技術を介して硬化され得る。
図1Dのステップ1240に従って、図1Eにおける(d)に示されるように、キャリア層1320の一部は、セグメントを接続するキャリア層1320の少なくとも連続した部分が除去されるように、除去され得る。キャリア層1320の部分は、ソーイング、エッチング、ダイシングへのマスクの適用、１つまたはそれ以上のレーザの使用、化学処理、等といった、任意の適用可能な方法を使用して、または、当技術分野で理解されるようなダイシングによって除去され得る。ダイシングは、画素がキャリア層1320を介して接続されないように、発光デバイス1330、波長変換層1320、およびキャリア層1320の一部を含む個々の画素を結果として生じ得る。
図1Eにおける(d)に示されるように、セグメント化された波長変換層1310およびキャリア層1320を有する発光デバイス1330(集合的に、画素)は、ガス粒子の漏れを制限するように構成され得るテープ1335の上に配置され得る。一つの例として、テープ1335はカプトン（kapton）テープであってよい。図1Dのステップ1250に従って、光学的アイソレーション材料1340が、画素に適用され得る。光学的アイソレーション材料は、原子層デポジション(ALD)工程を介して適用され得る。ALDは、材料の薄いコーティングまたは層が表面の中へデポジションされるように、自己限定的な方法（self-limiting manner）で、材料が表面の上にデポジションされ得る技術である。図1Eにおいて(d)に示されるように、光学的アイソレーション材料1340は、発光デバイス1330の側壁、波長変換層1310の側壁、およびキャリア層1320の側壁と上面を含む、画素の露出された表面の上にデポジションされ得る。
図1Eにおいて(e)に示されるように、画素は、コンポーネント除去技術をサポートするように構成されたテープ1345の上にデポジションされ得る。実装に従って、テープ1335および1345は、同じテープであってもよい。図1Dのステップ1260に従って、キャリア層1320、並びにキャリア層1320の上面および側壁上の光学的アイソレーション材料1340が、除去され得る。除去は、ソーイング、エッチング、ダイシングへのマスクの適用、１つまたはそれ以上のレーザの使用、化学処理、等といった、任意の適用可能な方法、または、当技術分野で理解されるようなダイシングを介して行われ得る。結果として生じる画素は、側壁上に光学的アイソレーション材料を有する発光デバイス1330、および、側壁上に光学的アイソレーション材料を有する波長変換層1310を含み得る。示されるように、発光デバイス1330の反対側の波長変換層1310の表面は、光学的アイソレーション材料を含まず、そして、画素は、この表面を通して光を放射するように構成され得る。
開示された技術的事項の実施に従って、図1Fにおけるステップ1410および図1Gにおける(b)に示されるように、図1G (a)の波長変換層1510は、波長変換層1510を複数のセグメントへとセグメント化するように、部分的にダイシングされ得る。ダイシングは、セグメント間にギャップ1515を結果として生じ得る。図1Gにおいて(b)に示されるように、セグメント間のギャップ1315は、波長変換層1510を含まなくてよい。波長変換層1510の連続した部分は、残ってよく、そして、ダイシングが、波長変換層の接続セグメント（connecting segment）によって接続されている複数のセグメント間に部分的な分離を結果として生じるように、セグメントを接続し得る。
図1Fのステップ1420に従って、図1Gにおける(c)に示されるように、セグメント化された波長変換層1510は、発光デバイス1530と整列され、そして、取り付けられ得る。セグメント化された波長変換層間のギャップ1515は、セグメント化された波長変換層が発光デバイス1530と整列され、そして、取り付けられるように、発光デバイス1530間の間隔に対応し得る。発光デバイス1530は、活性発光層を含み、そして、また、電流が活性発光層を活性化するのを可能にするn接点およびp接点を含んでもよい。波長変換層1510および発光デバイス1530は、温度ベースの硬化、ポリマーベースの硬化、UVベースの硬化、等といった、任意の適用可能な技術を介して硬化され得る。
図1Fのステップ1430に従って、図1Gにおいて(d)に示されるように、セグメント化された波長変換層を接続する波長変換層1510の連続した部分は、除去されてよい。波長変換層1510の部分は、ソーイング、エッチング、ダイシングへのマスクの適用、１つまたはそれ以上のレーザの使用、化学処理、等といった、任意の適用可能な方法を使用して、または、当技術分野で理解されるようなダイシングによって除去され得る。ダイシングは、画素が波長変換層1510を介して接続されないように、発光デバイス1530、および波長変換層1530を含む個々の画素を結果として生じ得る。
図1Gにおける(d)に示されるように、セグメント化された波長変換層1510を有する発光デバイス1530(集合的に、画素)は、ガス粒子の漏れを制限するように構成され得るテープ1535の上に配置され得る。一つの例として、テープ1535はカプトンテープであってよい。図1Gのステップ1440に従って、光学的アイソレーション材料1540が、画素に適用され得る。光学的アイソレーション材料は、原子層デポジション(ALD)工程を介して適用され得る。ALDは、材料の薄いコーティングまたは層が表面の中へデポジションされるように、自己限定的な方法で、材料が表面の上にデポジションされ得る技術である。図1Gにおいて(d)に示されるように、光学的アイソレーション材料1540は、発光デバイス1530の側壁、波長変換層1510の側壁を含む、画素の露出された表面の上にデポジションされ得る。
図1Gにおいて(e)に示されるように、画素は、コンポーネント除去技術をサポートするように構成されたテープ1545の上にデポジションされ得る。実装に従って、テープ1535および1545は、同じテープであってよい。図1Fのステップ1450に従って、各発光デバイス1530から遠位の波長変換層1510の犠牲部分（sacrificial portion）1540、並びに、波長変換層の犠牲部分1540の上面および側壁の上の光学的アイソレーション材料1540は、除去されてよい。波長変換層の犠牲部分1540は、波長変換層1510の任意のサブセットであってよく、そして、例えば、波長変換層1510の概ね1%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、または99%であってよい。除去は、ソーイング、エッチング、ダイシングへのマスクの適用、１つまたはそれ以上のレーザの使用、化学処理、等、または、当技術分野で理解されるようなダイシングによって行われ得る。結果として生じる画素は、側壁に光学的アイソレーション材料を有する発光デバイス1530、および、側壁に光学的アイソレーション材料を有する波長変換層1510を含み得る。示されるように、発光デバイス1350の反対側の波長変換層1510の表面は、光学的アイソレーション材料を含まず、そして、画素は、この表面を通して光を放射するように構成され得る。
図1Hに示されるように、波長変換層1720は、画素1775を生成するように、LEDアレイ1700の発光デバイス1770に取り付けられ得る。波長変換層1720は、図1Eの波長変換層1310及び／又は図1Gの波長変換層1510と同一または類似であり得る。発光デバイス1770は、図1Eの発光デバイス1330及び／又は図1Gの発光デバイス1530と同一または類似であってもよい。図1Hにおいて、発光デバイス1770は、GaN層1750、活性領域1790、接点1780、パターンサファイア基板（PSS）1760、および波長変換層1720を含み得る。波長変換層1720は、波長変換層1720の側壁に光学的アイソレーション材料1730を含むが、発光デバイス1770に対して遠位の表面には含まないように示されている。ここにおける開示に従って、この遠位の表面上の任意の光学的アイソレーション材料は、それぞれの波長変換層の犠牲部分の除去と共に除去され得るためである。より具体的には、画素間に生成された間隔は、図1D－図1Gに開示されているように、ダイシングの最中に生成されるギャップに対応し得る。
図1Hに示されるように、側壁材料1730が、波長変換層1720に適用され得る。波長変換層1720は、GaN層1750の上にマウントされてよく、そして、パターンサファイア基板（PSS）パターン1760が、GaN層1750と波長変換層との間に配置され得る。活性領域1790は、波長変換層1720に向かって少なくとも部分的に光を放射するように構成されてよく、そして、発光デバイス1770は、接点1780を含み得る。光学的アイソレーション材料1740が、GaN層1750の側壁に適用され得る。膨張性フィルム（expandable film）1710は、例えば、波長変換層1720が発光デバイス1770に取り付けられた後に、波長変換層1720から除去され得る。
一つの例として、図1Hの画素1775は、図1A－図1Cの画素111に対応し得る。具体的には、図1Aに示されるように、画素111は、波長変換層1720が発光デバイス1770の上へマウントされた後で、図1Hの画素1775に対応し得る。画素111または画素1775が活性化されると、エミッタのそれぞれの活性領域1790は、光を生成することができる。光は、波長変換層1720を通過してよく、そして、画素1775の表面から実質的に放射され得る。そして、波長変換層1720の側壁に到達する光は、側壁材料1730のせいで側壁から逃げられず、かつ、側壁と交差するときに、側壁材料1730のせいで反射され得る。
図1Hの画素1775は、図1Aの画素111、そして、図1Bの画素1010、1020、および1030と類似していてよい。図1Hの画素1775は、ここにおいてさらに開示されるように、図2AのLEDアレイ410の一部であり得る。
図2Aは、一つの実施形態において、LEDデバイス取付け領域318で基板に取り付けられたLEDアレイ410を有する電子回路基板の上面図である。電子回路基板は、LEDアレイ410と一緒にLEDシステム400Aを表している。加えて、電源モジュール312は、Vinの電圧入力497を受け取り、かつ、接続性および制御モジュール316からの制御信号をトレース418B上で受け取り、そして、トレース418上でLEDアレイ410に対して駆動信号を提供する。LEDアレイ410は、電源モジュール312からの駆動信号を介してオンおよびオフされる。図2Aに示される実施形態において、接続性および制御モジュール316は、トレース418C上でセンサモジュール314からセンサ信号を受け取る。
図2Bは、回路基板499の２つの表面上に実装された電子部品を有する２チャンネル統合LED照明システムの一つの実施形態を示している。図2Bに示されるように、LED照明システム400Bは、調光信号（dimmer signal）およびAC電力信号を受け取るための入力を有している第１表面445A、および、その上にマウントされたAC/DCコンバータ回路412を含んでいる。LEDシステム400Bは、調光インターフェイス回路415、DC-DCコンバータ回路440Aおよび440B、マイクロコントローラ472を有している接続性および制御モジュール416(この例においては無線モジュール)、および、その上にマウントされたLEDアレイ410を有する、第２表面445Bを含む。LEDアレイ410は、２つの独立したチャネル411Aおよび411Bによって駆動される。代替的な実施形態においては、LEDアレイに対して駆動信号を提供するために単一チャネルを使用することができ、または、LEDアレイに対して駆動信号を提供するために任意の数の複数チャネルを使用することができる。
LEDアレイ410は、２つのグループのLEDデバイスを含み得る。一つの例示的な実施形態において、グループAのLEDデバイスは第１チャネル411Aに電気的に結合されており、そして、グループBのLEDデバイスは第２チャネル411Bに電気的に結合されている。２つのDC-DCコンバータ440Aおよび440Bそれぞれは、LEDアレイ410内のLED AおよびBそれぞれのグループを駆動するために、それぞれに、単一のチャネル411Aおよび411Bを介してそれぞれの駆動電流を提供することができる。LEDの１つのグループ内のLEDは、LEDの第２グループ内のLEDとは異なる色点（color point）を有する光を放射するように構成され得る。LEDアレイ410によって放射される光の合成色点の制御は、個々のDC/DCコンバータ回路440Aおよび440Bによって単一のチャネル411Aおよび411Bを介して、それぞれに、適用される電流及び／又はデューティサイクルを制御することによって、ある範囲内に調整され得る。図2Bに示される実施形態は、(図2Aに記載されるように)センサモジュールを含まないが、代替的な実施形態は、センサモジュールを含んでよい。
説明されるLED照明システム400Bは、LEDアレイ410およびLEDアレイ410を動作させるための回路が単一の電子回路基板上に設けられた統合システムである。回路基板499の同じ表面上のモジュール間の接続は、例えば、モジュール間で電圧、電流、および、制御信号を交換するために、トレース431、432、433、434、および435といった、表面または表面下（sub-surface）の相互接続、または、メタライゼーション(図示せず)によって、電気的に結合され得る。回路基板499の対向する表面上のモジュール間の接続は、ビアおよびメタライゼーション(図示なし)といった、基板相互接続を通じて電気的に結合され得る。
実施形態に従って、駆動および制御回路とは分離した電子回路基板上にLEDアレイがある、LEDシステムが提供され得る。他の実施形態に従って、LEDシステムは、駆動回路とは分離した電子回路基板上のいくつかの電子機器と一緒にLEDアレイを有し得る。例えば、LEDシステムは、LEDアレイとは別の電子回路基板上に配置された電力変換モジュールおよびLEDモジュールを含み得る。
実施形態に従って、LEDシステムは、マルチチャネルLEDドライバ回路を含み得る。例えば、LEDモジュールは、埋め込まれたLED較正および設定データ、並びに、例えば、３つのグループのLEDを含み得る。当業者であれば、任意の数のLEDのグループが、１つまたはそれ以上のアプリケーションと一貫して使用され得ることを認識するだろう。各グループ内の個々のLEDは、直列または並列に配置されてよく、そして、異なる色点を有する光が提供され得る。例えば、第１グループのLEDによって暖白色光が提供され、第２グループのLEDによって冷白色光が提供され、そして、第３グループによって、昼白色（neutral white light）光が提供され得る。
図2Cは、データバス304を含む車両電源302を含んでいる車両ヘッドランプシステム300の一つの例を示している。センサモジュール307は、環境条件(例えば、周囲の光条件、温度、時間、雨、霧、等)、車両条件(駐車中、動作中、速度、方向)、他の車両、歩行者、オブジェクト、等の存在／位置、に関するデータを提供するように、データバス304に接続され得る。センサモジュール307は、図2Aのセンサモジュール314と類似または同一であってよい。AC/DCコンバータ305は、車両電源302に接続され得る。
図2CのAC/DCコンバータ312は、図2BのAC/DCコンバータ412と同一または類似であってよく、そして、車両電源（vehicle power）302からAC電力を受け取ることができる。それは、AC-DCコンバータ412について図2Bで説明されたように、AC電力をDC電力へ変換することができる。車両ヘッドランプシステム300は、AC/DCコンバータ305、接続性および制御モジュール306、及び／又はセンサモジュール307、によって提供されるか、または、それらに基づく１つまたはそれ以上の入力を受信する、アクティブヘッドランプ330を含み得る。一つの例として、センサモジュール307は、歩行者が良好に照明されないように、歩行者の存在を検出することができ、それは、運転者が歩行者を見る可能性を低減させ得る。そうしたセンサ入力に基づいて、接続性および制御モジュール306は、出力データがアクティブヘッドランプ330の中に収容されたLEDアレイ内のLEDのサブセットを動作化するように、AC/DCコンバータ305から供給される電力を使用して、アクティブヘッドランプ330に対してデータを出力することができる。LEDアレイ内のLEDのサブセットは、動作化されると、センサモジュール307が歩行者の存在を感知した方向に光を放射することができる。LEDのこれらのサブセットは、センサモジュール207が、歩行者がもはや車両ヘッドランプシステムを含む車両の経路内に存在しないことを確認する更新データを提供した後で、非動作化され、または、そうでなければ、それらの光ビーム方向が変更され得る。
図3は、アプリケーションプラットフォーム560、LEDシステム552および556、並びに、光学系554および558を含む、一つの例示的なシステム550を示している。LEDシステム552は、矢印561aと561bとの間に示される光ビーム561を生成する。LEDシステム556は、矢印562aと562bとの間に光ビーム562を生成し得る。図3に示される実施形態において、LEDシステム552から放射された光は、二次光学系554を通過し、そして、LEDシステム556から放射された光は、二次光学系558を通過する。代替的な実施形態において、光ビーム561および562は、あらゆる二次光学系を通過しない。二次光学系は、１つまたはそれ以上の光ガイド（light guide）であるか、または、含み得る。１つまたはそれ以上の光ガイドは、エッジリット（edge lit）であってよく、または、光ガイドの内部エッジを画定する内部開口部を有し得る。LEDシステム552及び／又は556は、１つまたはそれ以上の光ガイドの内部エッジ(内部開口光ガイド)または外部エッジ(エッジリット光ガイド)の中へ光を注入するように、１つまたはそれ以上の光ガイドの内部開口部に挿入され得る。LEDシステム552及び／又は556におけるLEDは、光ガイドの一部であるベースの周囲に配置されてよい。一つの実装形態に従って、ベースは熱伝導性であってよい。一つの実装形態に従って、ベースは、光ガイド上に配置された熱放散（heat-dissipating）要素に結合されてよい。熱放散要素は、熱伝導性ベースを介してLEDによって生成された熱を受け取り、そして、受け取った熱を放散するように構成され得る。１つまたはそれ以上の光ガイドにより、LEDシステム552および556によって放射される光は、例えば、勾配（with a gradient）、面取り分布、狭い分布、広い分布、角度分布、等といった、所望の方法で成形され得る。
例示的な実施形態において、システム550は、カメラフラッシュシステムに係る移動電話、屋内または商業照明、街路照明といった屋外照明、自動車、医療装置、AR/VR装置、およびロボット装置であってよい。図2Aにおいて示されるLEDシステム400Aおよび図2Cにおいて示される車両ヘッドランプシステム300は、例示的実施形態におけるLEDシステム552および556を示している。
アプリケーションプラットフォーム560は、ここにおいて説明されるように、ライン565または他の適用可能な入力を介し、電力バスを介してLEDシステム552及び／又は556に電力を提供することができる。さらに、アプリケーションプラットフォーム560は、LEDシステム552およびLEDシステム556の動作のために、ライン565を介して入力信号を提供することができ、この入力は、ユーザ入力／プリファレンス、検知された読み、予めプログラムされるか、または自律的に決定された出力、等に基づくことができる。１つまたはそれ以上のセンサは、アプリケーションプラットフォーム560のハウジングの内部または外部にあってよい。代替的または追加的に、図2AのLEDシステム400に示されるように、各LEDシステム552および556は、それ自体のセンサモジュール、接続性および制御モジュール、電源モジュール、及び／又は、LEDデバイスを含んでよい。
実施形態において、アプリケーションプラットフォーム560センサ、及び／又は、LEDシステム552及び／又は556センサは、視覚データ(例えば、LIDARデータ、IRデータ、カメラを介して収集されたデータ、等)、音声データ、距離ベースのデータ、移動データ、環境データ、等、またはそれらの組み合わせといった、データを収集することができる。データは、オブジェクト、個人、車両、等といった、物理的アイテムまたはエンティティと関連付けされ得る。例えば、検出装置は、ADAS/AVベースのアプリケーションについてオブジェクト近接データを収集することができ、これは、物理的なアイテムまたはエンティティの検出に基づいて、検出および後続の動作を優先順位付けすることができる。データは、例えば、IR信号といった、LEDシステム552及び／又は556によって光信号を放射することに基づいて収集されてよく、そして、放射された光信号に基づいてデータを収集することであってよい。データは、データ収集のために光信号を放射するコンポーネントとは異なるコンポーネントによって収集されてよい。実施例を続けると、検知装置は、自動車上に配置され、そして、垂直共振器表面発光レーザ（VCSEL）を使用してビームを放射することができる。１つまたはそれ以上のセンサは、放射されたビーム又はあらゆる他の適用可能な入力に対するレスポンスを感知することができる。
例示的な実施形態において、アプリケーションプラットフォーム560は、自動車を表し、そして、LEDシステム552およびLEDシステム556は、自動車ヘッドライトを表すことができる。様々な実施形態において、システム550は、操作可能（steerable）な光を提供するようにLEDが選択的に活性化される、操作可能な光ビームを有する自動車を表すことができる。例えば、LEDのアレイは、形状またはパターンを画定または投影するため、または、道路の選択された部分だけを照明するために使用され得る。一つの例示的な実施形態において、LEDシステム552及び／又は556の中の赤外線カメラまたは検出器画素は、照明を必要とするシーンの部分(道路、歩行者の横断、等)を識別するセンサ(例えば、図2Aのセンサモジュール314および図2Cの307と類似)であってよい。
実施形態を詳細に説明してきたが、当業者であれば、本説明が与えられると、本発明の概念の精神から逸脱することなく、ここにおいて説明された実施形態に対して修正をなし得ることを正しく理解するだろう。従って、本発明の範囲は、図示および説明された特定の実施形態に限定されることを意図するものではない。特徴および要素は、特定の組み合わせにおいて上述されているが、当業者であれば、各特徴または要素は、単独で、または、他の特徴および要素との任意の組み合わせにおいて使用され得ることを正しく理解するだろう。加えて、ここにおいて説明された方法は、コンピュータまたはプロセッサによる実行のためにコンピュータで読取り可能な媒体に組み込まれたコンピュータプログラム、ソフトウェア、またはファームウェアにおいて実装され得る。コンピュータで読取り可能な媒体の例は、(有線または無線接続を介して送信される)電子信号、および、コンピュータで読取り可能な記憶媒体を含んでいる。コンピュータで読取り可能な記憶媒体の例は、これらに限定されるわけではないが、読出し専用メモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、レジスタ、キャッシュメモリ、半導体メモリデバイス、内部ハードディスクおよびリムーバブルディスクといった、磁気媒体、光磁気媒体、そして、CD-ROMディスクといった、光媒体、および、デジタル多用途ディスクを含んでいる。

Claims (20)

  1. 波長変換発光デバイスの画素化されたアレイを作成するための方法であって、
    第１表面を有する波長変換層と、第１表面および反対側に位置する第２表面を有するキャリア層とを含む、波長変換構造を備えるステップであり、
    前記波長変換層の前記第１表面は、前記キャリア層の前記第１表面上に配置されており、
    前記波長変換構造は、前記波長変換層を完全に貫通し、かつ、前記キャリア層を通じて部分的に延在するギャップを含み、前記キャリア層の前記第１表面とは反対の第１表面を有する前記波長変換構造の第１セグメントと、前記キャリア層の前記第１表面とは反対の第１表面を有する前記波長変換構造の第２セグメントとを、少なくとも画定する、
    ステップと、
    波長変換構造を備える前記ステップの後で、第１発光デバイスを前記第１セグメントの前記第１表面に取り付け、かつ、第２発光デバイスを前記第２セグメントの前記第１表面に取り付けるステップと、
    前記キャリア層の前記第２表面から始まり前記ギャップの解放端までの前記キャリア層の一部を除去するステップであり、前記第１セグメントと前記第１発光デバイスから第１画素、および、前記第２セグメントと前記第２発光デバイスから第２画素を画定する、ステップと、
    前記第１画素および前記第２画素それぞれの露出された表面上に光学的アイソレーション材料を配置するステップであり、前記表面は、発光デバイスの側壁、波長変換層の側壁、および、キャリア層の側壁と上面である、ステップと、
    前記キャリア層の残りの部分に配置された前記光学的アイソレーション材料の部分と共に、第１画素および第２画素から前記キャリア層の残りの部分を除去するステップと、
    を含む、方法。
  2. 波長変換構造を備える前記ステップは、前記ギャップを形成するように、前記波長変換層および前記キャリア層をダイシングするステップ、を含む、
    請求項１に記載の方法。
  3. 前記方法は、さらに、
    前記キャリア層の前記部分を除去するステップの前に、前記第１画素および前記第２画素を硬化させるステップ、を含む、
    請求項１に記載の方法。
  4. 前記方法は、さらに、
    光学的アイソレーション材料を配置する前記ステップの前に、前記第１画素および前記第２画素をカプトンテープまたは研磨テープのうち少なくとも１つの上に転写するステップ、を含む、
    請求項１に記載の方法。
  5. 前記波長変換層は、ガラス中の蛍光体、シリコーン中の蛍光体、および蛍光体セラミックから選択される、
    請求項１に記載の方法。
  6. 前記光学的アイソレーション材料は、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ)、反射材料、および吸収材料から選択されるものである、
    請求項１に記載の方法。
  7. 前記キャリア層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、前記波長変換層のＣＴＥと実質的に一致する、
    請求項１に記載の方法。
  8. 前記光学的アイソレーション材料は、原子層蒸着（ＡＬＤ）技術を使用して配置される、
    請求項１に記載の方法。
  9. 前記第１画素の幅は、５００ミクロン未満である、
    請求項１に記載の方法。
  10. 波長変換構造を備える前記ステップは、さらに、前記波長変換層および前記キャリア層をダイシングする前記ステップの前に、前記波長変換層を前記キャリア層に取り付けるステップ、を含む、
    請求項２に記載の方法。
  11. 前記ギャップは、前記キャリア層の前記第１表面に対して垂直に延在する、
    請求項１に記載の方法。
  12. 波長変換発光デバイスの画素化されたアレイを作成するための方法であって、
    第２表面を有する波長変換層を含む波長変換構造を備えるステップであり、
    前記波長変換構造は、前記波長変換層の前記第２表面に対して垂直に前記波長変換層を通じて部分的に延在するギャップを含み、前記波長変換層の前記第２表面とは反対の第１表面を有する前記波長変換構造の第１セグメントと、前記波長変換層の前記第２表面とは反対の第１表面を有する前記波長変換構造の第２セグメントとを、少なくとも画定する、
    ステップと、
    波長変換構造を備える前記ステップの後で、第１発光デバイスを前記第１セグメントの前記第１表面に取り付け、かつ、第２発光デバイスを前記第２セグメントの前記第１表面に取り付けるステップと、
    前記波長変換層の前記第２表面から始まり前記ギャップの解放端までの前記波長変換層の一部を除去するステップであり、前記第１セグメントと前記第１発光デバイスから第１画素、および、前記第２セグメントと前記第２発光デバイスから第２画素を画定する、ステップと、
    前記第１画素および前記第２画素それぞれの露出された表面上に光学的アイソレーション材料を配置するステップであり、前記表面は、発光デバイスの側壁、波長変換層の側壁、および、波長変換層の犠牲部分の上面および側壁である、ステップと、
    前記波長変換層の犠牲部分に配置された前記光学的アイソレーション材料の部分と共に、第１画素および第２画素から前記波長変換層の犠牲部分を除去するステップであり、前記波長変換層および前記光学的アイソレーション材料の一部が、前記第１画素および前記第２画素に残る、ステップと、
    を含む、方法。
  13. 波長変換構造を備える前記ステップは、前記ギャップを形成するように、前記波長変換層をダイシングするステップ、を含む、
    請求項１２に記載の方法。
  14. 前記方法は、さらに、
    前記波長変換層の一部を前記ギャップの解放端まで除去するステップの前に、前記第１画素および前記第２画素を硬化させるステップ、を含む、
    請求項１２に記載の方法。
  15. 前記方法は、さらに、
    光学的アイソレーション材料を配置する前記ステップの前に、前記第１画素および前記第２画素をカプトンテープまたは研磨テープのうち少なくとも１つの上に転写するステップ、を含む、
    請求項１２に記載の方法。
  16. 前記波長変換層は、ガラス中の蛍光体、シリコーン中の蛍光体、および蛍光体セラミックから選択される、
    請求項１２に記載の方法。
  17. 前記光学的アイソレーション材料は、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ)、反射材料、および吸収材料から選択されるものである、
    請求項１２に記載の方法。
  18. 前記光学的アイソレーション材料は、原子層蒸着（ＡＬＤ）技術を使用して配置される、
    請求項１２に記載の方法。
  19. 前記第１画素の幅は、５００ミクロン未満である、
    請求項１２に記載の方法。
  20. 前記ギャップは、前記波長変換層の前記第２表面に対して垂直に延在する、
    請求項１２に記載の方法。
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