TWI755012B - 製造像素化陣列之方法 - Google Patents

製造像素化陣列之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI755012B
TWI755012B TW109126187A TW109126187A TWI755012B TW I755012 B TWI755012 B TW I755012B TW 109126187 A TW109126187 A TW 109126187A TW 109126187 A TW109126187 A TW 109126187A TW I755012 B TWI755012 B TW I755012B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
carrier layer
wavelength
wavelength converting
section
Prior art date
Application number
TW109126187A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202118038A (zh
Inventor
健太郎 清水
久志 增井
于甄 沈
丹尼爾 盧賽爾 錢柏林
彼得 喬瑟夫 史考密
Original Assignee
美商亮銳公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商亮銳公司 filed Critical 美商亮銳公司
Publication of TW202118038A publication Critical patent/TW202118038A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI755012B publication Critical patent/TWI755012B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

一波長轉換層經部分切割以產生一第一波長轉換層區段及第二波長轉換層區段且允許該第一區段與該第二區段之間之部分隔離，使得該等波長轉換層區段藉由一連接波長轉換層連接。該第一波長轉換層區段及該第二波長轉換層區段分別附接至一第一發光裝置及第二發光裝置以產生一第一像素及第二像素。移除該連接波長轉換層區段以允許該第一像素與該第二像素之間之完全隔離。一光學隔離材料經施覆至該第一像素及該第二像素之曝露表面且從背離該第一發光裝置之一表面移除該等波長轉換層區段之一犧牲部分及附接至該犧牲部分之光學隔離材料以曝露該第一波長轉換層區段之一發射表面。

Description

製造像素化陣列之方法
精度控制照明應用可能需要生產及製造小的可定址發光二極體(LED)像素系統。歸因於像素之小尺寸及系統之間之小道(lane)空間，製造此等LED像素系統可能需要材料之精確沈積。包含LED、諧振腔發光二極體(RCLED)、垂直腔雷射二極體(VCSEL)及邊緣發射雷射之半導體發光裝置躋身當前可用之最有效光源。當前在能夠跨可見光譜操作之高亮度發光裝置之製造中所關注之材料系統包含Ⅲ-Ⅴ族半導體，特別地鎵、鋁、銦及氮(亦被稱為Ⅲ族氮化物材料)之二元、三元及四元合金。典型地，藉由憑藉金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)或其他磊晶技術在一藍寶石、碳化矽、Ⅲ族氮化物、複合材料或其他適合基板上磊晶地生長不同組合物及摻雜物濃度之半導體層之一堆疊而製造Ⅲ族氮化物發光裝置。堆疊往往包含基板上方形成之摻雜有(舉例而言) Si之一或多個n型層、該或該等n型層上方形成之一作用區中之一或多個發光層、及作用區上方形成之摻雜有(舉例而言) Mg之一或多個p型層。n型區及p型區上形成電氣接觸件。
Ⅲ族氮化物裝置往往形成為倒轉或覆晶裝置，其中在半導體結構之相同側上形成n接觸件及p接觸件兩者，且從半導體結構之與接觸件相對之側提取大部分光。
一波長轉換層經部分切割以產生一第一波長轉換層區段及第二波長轉換層區段且允許該第一區段與該第二區段之間之部分隔離，使得該等波長轉換層區段藉由一連接波長轉換層連接。第一波長轉換層區段及第二波長轉換層區段分別附接至一第一發光裝置及第二發光裝置以產生一第一像素及第二像素。移除連接波長轉換層區段以允許第一像素與第二像素之間之完全隔離。一光學隔離材料經施覆至第一像素及第二像素之曝露表面且從背離第一發光裝置之一表面移除波長轉換層區段之一犧牲部分及附接至犧牲部分之光學隔離材料以曝露第一波長轉換層區段之一發射表面。
下文將參考隨附圖式更充分地描述不同光照明系統及/或發光二極體(「LED」)實施方案之實例。此等實例並不互斥，且在一個實例中發現之特徵可與在一或多個其他實例中發現之特徵組合以達成額外實施方案。因此，將瞭解，在隨附圖式中展示之實例僅經提供用於闡釋性目的且其等不意欲以任何方式限制本發明。通篇，相同元件符號指代相同元件。
將瞭解，儘管本文中可使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件，然此等元件不應受此等術語限制。此等術語可用來區分一個元件與另一元件。舉例而言，在不脫離本發明之範疇之情況下，一第一元件可被稱為一第二元件且一第二元件可被稱為一第一元件。如本文中使用，術語「及/或」可包含關聯列出項目之一或多者之任何及全部組合。
將瞭解，當諸如一層、區或基板之一元件被稱為「在」另一元件「上」或延伸「至」另一元件「上」時，其可直接在該另一元件上或直接延伸至該另一元件上，或亦可存在中介元件。相比之下，當一元件被稱為「直接在」另一元件「上」或「直接」延伸至另一元件「上」時，可能不存在中介元件。亦將瞭解，當一元件被稱為「連接」或「耦合」至另一元件時，其可直接連接或耦合至該另一元件及/或經由一或多個中介元件連接或耦合至該另一元件。相比之下，當一元件被稱為「直接連接」或「直接耦合」至另一元件時，該元件與該另一元件之間不存在中介元件。將瞭解，此等術語亦意欲涵蓋元件之除圖中描繪之任何定向以外之不同定向。
本文中可使用諸如「在…下方」、「在…上方」、「上」、「下」、「水平」或「垂直」之相對術語來描述如圖中圖解說明之一個元件、層或區與另一元件、層或區之一關係。將瞭解，此等術語亦意欲涵蓋裝置之除圖中描繪之定向以外之不同定向。
半導體發光裝置(LED)或光功率發射裝置(諸如發射紫外(UV)或紅外(IR)光功率之裝置)躋身當前可用之最有效光源。此等裝置(下文「LED」)可包含發光二極體、諧振腔發光二極體、垂直腔雷射二極體、邊緣發射雷射或類似者。歸因於其等緊湊大小及較低功率要求，舉例而言，LED可係許多不同應用之有吸引力的候選者。舉例而言，其等可用作手持式電池供電裝置(諸如相機及行動電話)之光源(例如，手電筒及相機閃光燈)。其等亦可用於(舉例而言)汽車照明、抬頭顯示器(HUD)照明、園藝照明、街道照明、用於視訊之手電筒、普通照明(例如，家庭、商店、辦公室及工作室照明、劇院/舞台照明及建築照明)、擴增實境(AR)照明、虛擬實境(VR)照明、作為顯示器之背光及IR光譜。一單個LED可提供不如一白熾光源明亮之光，且因此多接面裝置或LED陣列(諸如單片LED陣列、微型LED陣列等)可用於其中期望或需要更大亮度之應用。
根據所揭示標的之實施例，LED陣列(例如，微型LED陣列)可包含如圖1A、圖1B及/或圖1C中展示之一像素陣列。LED陣列可用於任何應用，諸如要求LED陣列區段之精度控制之彼等應用。一LED陣列中之像素可能可個別定址，可能可以群組/子集形式定址，或可能無法定址。在圖1A中，展示具有像素111之一LED陣列110之一俯視圖。圖1A中亦展示LED陣列110之一3×3部分之一分解視圖。如3×3部分分解視圖中展示，LED陣列110可包含具有約100 μm或更小(例如，40 μm)之一寬度w1 之像素111。像素之間之道113可分離達約20 μm或更小(例如，5 μm)之一寬度w2 。道113可在像素之間提供一氣隙或可含有其他材料，如圖1B及圖1C中展示且在本文中進一步揭示。從一個像素111之中心至一鄰近像素111之中心之距離d1 可係約120 μm或更小(例如，45 μm)。將瞭解，本文中提供之寬度及距離僅係實例，且實際寬度及/或尺寸可改變。
將瞭解，儘管圖1A、圖1B及圖1C中展示配置成一對稱矩陣之矩形像素，然任何形狀及配置之像素可應用於本文中揭示之實施例。舉例而言，圖1A之LED陣列110可包含呈任何適用配置之超過10,000個像素，諸如一100×100矩陣、一200×50矩陣、一對稱矩陣、一非對稱矩陣或類似者。亦將瞭解，多組像素、矩陣及/或板可配置成任何適用格式以實施本文中揭示之實施例。
圖1B展示一例示性LED陣列1000之一橫截面視圖。如展示，像素1010、1020及1030對應於一LED陣列內之三個不同像素，使得分離段1041及/或n型接觸件1040將像素彼此分離。根據一實施例，像素之間之空間可被一氣隙佔用。如展示，像素1010包含一磊晶層1011，該磊晶層1011可生長於諸如(舉例而言)一藍寶石基板之任何適用基板上，該基板可從磊晶層1011移除。遠離接觸件1015之生長層之一表面可係實質上平坦的或可經圖案化。一p型區1012可定位成緊鄰一p接觸件1017。一作用區1021可安置成鄰近n型區及一p型區1012。替代地，作用區1021可介於一半導體層或n型區與p型區1012之間且可接收一電流，使得作用區1021發射光束。p接觸件1017可與SiO2層1013及1014以及鍍金屬(例如，鍍銅)層1016接觸。n型接觸件1040可包含一適用金屬，諸如Cu。金屬層1016可與一接觸件1015接觸，接觸件1015可係反射的。
值得注意的，如圖1B中展示，n型接觸件1040可沈積至像素1010、1020與1030之間產生之溝槽1130中且可延伸超過磊晶層。分離段1041可分離一轉換器材料1050之全部(如展示)或部分。將瞭解，可在無此等分離段1041之情況下實施一LED陣列或分離段1041可對應於一氣隙。分離段1041可係n型接觸件1040之延伸，使得分離段1041由與n型接觸件1040相同之材料(例如，銅)形成。替代地，分離段1041可由不同於n型接觸件1040之一材料形成。根據一實施例，分離段1041可包含反射材料。分離段1041及/或n型接觸件1040中之材料可以任何適用方式沈積，諸如(舉例而言)藉由應用包含或允許n型接觸件1040及/或分離段1041之沈積之一網格結構。如本文中所述，一或多個額外層可塗佈分離段1041。此一層可係一反射層、一散射層、一吸收層或任何其他適用層。一或多個鈍化層1019可將n接觸件1040與磊晶層1011完全或部分分離。
磊晶層1011可由用以在被激發時發射光子之任何適用材料形成，包含藍寶石、SiC、GaN、聚矽氧，且更明確言之可由以下各者形成：一Ⅲ-Ⅴ族半導體，包含(但不限於) AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb；Ⅱ-Ⅵ族半導體，包含(但不限於) ZnS、ZnSe、CdSe、CdTe；Ⅳ族半導體，包含(但不限於) Ge、Si、SiC；及其等之混合物或合金。此等例示性半導體在其中存在其等之LED的典型發射波長下具有在自約2.4至約4.1之範圍內的折射率。舉例而言，諸如GaN之Ⅲ族氮化物半導體在500 nm下可具有約2.4之折射率，且諸如InGaP之Ⅲ族磷化物半導體在600 nm下可具有約3.7之折射率。耦合至像素1010、1020與1030之接觸件可由諸如AuSn、AuGa、AuSi或SAC焊料之一焊料形成。
n型區可生長於一生長基板上且可包含半導體材料之一或多個層，該或該等層包含不同組合物及摻雜物濃度，包含(舉例而言)製備層(諸如緩衝層或成核層)及/或經設計以促成生長基板的移除之層。此等層可經n型摻雜或未經有意摻雜，或甚至可係p型裝置層。可針對發光區所期望之特定光學、材料或電氣性質來設計該等層以有效率地發射光。類似地，p型區1012可包含具不同組合物、厚度及摻雜物濃度之多個層，包含未經有意摻雜之層或n型層。可導致一電流流動通過p-n接面(例如，經由接觸件)且像素可產生至少部分藉由材料之帶隙能量判定之一第一波長之光。一像素可直接發射光(例如，正規或直接發射LED)或可將光發射至一波長轉換層1050 (例如，磷光體轉換LED(「PCLED」)等)中，該波長轉換層1050作用以進一步修改發射光之波長以輸出一第二波長之光。
儘管圖1B展示具有呈一例示性配置之像素1010、1020及1030之一例示性LED陣列1000，然將瞭解，可以若干配置之任一者提供一LED陣列中之像素。舉例而言，像素可在一覆晶結構、一垂直注入薄膜(VTF)結構、一多接面結構、一薄膜覆晶(TFFC)、橫向裝置等中。舉例而言，一橫向LED像素可能類似於一覆晶LED像素但不可能上下翻轉以將電極直接連接至一基板或封裝。一TFFC亦可能類似於一覆晶LED像素但可能移除生長基板(使薄膜半導體層無支撐)。相比之下，可包含生長基板或其他基板作為一覆晶LED之部分。
波長轉換層1050可在由作用區1021發射之光之路徑中，使得由作用區1021發射之光可橫穿一或多個中間層(例如，一光子層)。根據諸實施例，波長轉換層1050可存在或可不存在於LED陣列1000中。波長轉換層1050可包含任何發光材料，諸如(舉例而言)一透明或半透明黏結劑或基質中之磷光體粒子或一陶瓷磷光體元素，其吸收一個波長之光且發射一不同波長之光。可基於所使用材料或針對其配置LED陣列1000或個別像素1010、1020及1030之應用/波長來判定一波長轉換層1050之厚度。舉例而言，一波長轉換層1050可係約20 μm、50 μm或200 μm。波長轉換層1050可提供在各個別像素上(如展示)，或可被放置於一整個LED陣列1000上方。
主光學器件1022可在一或多個像素1010、1020及/或1030上或上方且可允許光從作用區1021及/或波長轉換層1050穿過主光學器件。通常可基於一朗伯(Lambertian)分佈型樣發射經由主光學器件之光，使得經由主光學器件1022發射之光之發光強度在從一理想漫射輻射器觀察時與介於入射光之方向與表面法線之間之角度之餘弦成正比。應瞭解，可修改主光學器件1022之一或多個性質以產生不同於朗伯分佈型樣之一光分佈型樣。
包含透鏡1064及波導1062之一或兩者之二次光學器件1060可具備像素1010、1020及/或1030。應瞭解，儘管二次光學器件根據圖1B中展示之實例論述成具有多個像素，然二次光學器件可針對單個像素提供。二次光學器件可用來擴散傳入光(發射光學器件)，或將傳入光聚集成一準直光束(準直光學器件)。波導1062可用一介電材料、一金屬化層或類似者塗佈且可經提供以反射或重新導向入射光。在替代實施例中，一照明系統可不包含以下各者之一或多者：波長轉換層1050、主光學器件1022、波導1062及透鏡1064。
透鏡1064可由任何適用透明材料形成，諸如(但不限於) SiC、氧化鋁、金剛石或類似者或其等之一組合。可使用透鏡1064來修改待輸入至透鏡1064中之一束光，使得來自透鏡1064之一輸出光束將有效率地符合一所要光度規格。此外，透鏡1064可諸如藉由判定多個像素1010、1020與1030之一照亮及/或未照亮外觀而用於一或多個美學目的。
圖1C展示一LED陣列1100之一三維視圖之一橫截面。如展示，可藉由經填充以形成n接觸件1140之溝槽分離LED陣列1100中之像素。像素可生長於一基板1114上且可包含一p接觸件1113、一p-GaN半導體層1112、一作用區1111及一n-GaN半導體層1110。將瞭解，此結構僅提供為一實例且可添加、移除、或部分添加或移除一或多個半導體或其他適用層以實施本文中提供之揭示內容。一轉換器材料1117可沈積於半導體層1110 (或其他適用層)上。
可在溝槽1130內形成鈍化層1115且n接觸件1140 (例如，銅接觸件)可沈積於溝槽1130內，如展示。鈍化層1115可將n接觸件1140之至少一部分與半導體之一或多個層分離。根據一實施方案，溝槽內之n接觸件1140或其他適用材料可延伸至轉換器材料1117中，使得n接觸件1140或其他適用材料在像素之間提供完全或部分光學隔離。
本文中揭示之技術包含切割及/或晶圓級分割，其可包含產生或提供一經生長或其他方式製造LED組件，諸如(但不限於)一半導體層、n型材料、p型材料、轉換器材料、晶粒、載體材料、或類似者或其等之一組合。組件可經固化或可運用一基於溫度之處理、化學處理或其他處理進行處理。組件可經切割使得組件之兩個或兩個以上區段源自切割程序。區段可彼此完全隔離或彼此部分隔離。區段可包含一實質上均勻材料或可包含多個材料。區段可經歷額外處理/程序且可透過一(舉例而言)化學、超音波或其他適用清潔程序進行清潔。
本文中揭示之標的可應用於產生具有亞500微米像素及亞100微米組件之陣列。可使用本文中揭示之技術來產生具有藉由光學隔離材料覆蓋之側壁之LED陣列中之像素。
如本文中使用，切割(dice、dicing或diced)可對應於或指代任何適用方式之分割、劃分、分配、切片、分隔或類似者，或藉由如此項技術中理解之切割。可藉由諸如鋸切、蝕刻、將一遮罩應用於晶粒、使用一或多個雷射、化學處理或類似者之任何適用方式切割一組件。
圖1D展示根據本文中揭示之標的之用於產生一LED陣列中之像素之一方法1200。此一LED陣列中之像素可係亞500微米大的，諸如(舉例而言)具有約100微米之一寬度。一波長轉換層可附接至一載體層，且在步驟1220，可切割兩個附接層，使得其等被劃分成藉由區段之間之間隙分離之多個區段。可從區段之間之空間移除波長轉換層，使得間隙中不存在波長轉換層。可在各間隙區域內移除載體層之部分且可以一連續方式保留載體層之部分，使得藉由在分割期間未移除之載體層之連續部分連接區段。在步驟1230，區段可與發光裝置對準且附接至發光裝置以產生像素。在步驟1240，可移除連接兩個或兩個以上區段之載體層之部分，使得區段不再經由載體層連接。在步驟1250，一光學隔離材料可施覆至像素之曝露表面。在步驟1260，可移除載體層及附接至載體層之表面之任何對應光學隔離材料，從而導致包含發光裝置及波長轉換層連同在發光裝置及波長轉換層之側壁上之光學隔離材料的一像素。
一波長轉換層可含有經組態以轉換光之一或多個性質之材料，如本文中揭示。波長轉換層可轉換光之一性質，諸如(但不限於)其波長、其相位或類似者。
一載體層可含有(但不限於)具有實質上與波長轉換層之熱膨脹係數(CTE)匹配的一CTE之任何材料。此外，一載體層可含有能夠經歷一原子層沈積(ALD)程序之溫度要求之材料。載體層之軟化溫度可能高於波長轉換層之軟化溫度。作為非限制實例，載體層可係一鋁矽酸鹽玻璃且可具有具827℃之一軟化溫度之8.7 ppm/K之一CTE，或替代地，載體層可係一玻璃且具有具724℃之一軟化溫度之9.4 ppm/K之一CTE。載體層可係一玻璃層、一陶瓷層或類似者。
一光學隔離材料可係任何適用光學改質材料，諸如一(若干)分佈式布拉格反射器(distributed Bragg reflector；DBR)層、反射材料、吸收材料或類似者。作為特定實例，光學隔離材料可包含不鏽鋼或鋁。DBR層可包含(但不限於)以下層：SiO2 及TiO2 ；SiO2 及ZrO2 ；SiC及MgO；SiC及矽石；GaAs及AlAs；ITO或類似者。
如圖1E中在(a)處展示，一載體層1320可附接至一波長轉換層1310。載體層1320可經由包含經由一黏著材料之附接的任何適用技術附接至波長轉換層1310。
根據圖1D之步驟1220，如圖1E中在(b)處展示，可切割附接至波長轉換層1310之載體層1320以在區段之間產生間隙1315。如圖1E中在(b)處展示，區段之間之間隙1315可不含有波長轉換層1310且可延伸至載體層1320中。為清楚起見，一第一區段之波長轉換層1310可由一第二區段之波長轉換層1310完全隔離，使得在第一區段之波長轉換層1310與第二區段之波長轉換層1310之間提供間隙。載體層1320之一連續部分可保留且可連接區段。
根據圖1D之步驟1230，如圖1E中在(c)處展示，分段載體層1320及波長轉換層1310可與發光裝置1330對準且附接至發光裝置1330。分段層之間之間隙1315可對應於發光裝置1330之間之所需間隔，使得分段層可與發光裝置1330對準且附接至發光裝置1330。發光裝置1330可含有一作用發光層且亦可含有使電流能夠啟動作用發光層之n接觸件及p接觸件。載體層1320、波長轉換層1310及發光裝置1330可經由諸如基於溫度之固化、基於聚合物之固化、基於UV之固化或類似者之任何適用技術固化。
根據圖1D之步驟1240，如圖1E中在(d)處展示，可移除載體層1320之一部分，使得至少移除連接區段之載體層1320之連續部分。可使用包含經由鋸切、蝕刻、將一遮罩應用於晶粒、使用一或多個雷射、化學處理、或類似者、或藉由如此項技術中理解之切割之任何適用技術來移除載體層1320之部分。切割可能導致含有發光裝置1330、波長轉換層1320及載體層1320之一部分之個別像素，使得像素未經由載體層1320連接。
如圖1E中在(d)處展示，發光裝置1330與分段波長轉換層1310及載體層1320 (統稱為像素)可放置於可經組態以限制氣體粒子之洩漏之一帶1335上。作為一實例，帶1335可係一kapton帶。根據圖1D之步驟1250，一光學隔離材料1340可施覆至像素。可經由一原子層沈積(ALD)程序施覆光學隔離材料。ALD係一材料可憑藉其以一自限制方式沈積至一表面上，使得材料之一薄塗層或層沈積至表面中的一技術。如圖1E中在(d)處展示，一光學隔離材料1340可沈積至像素之曝露表面上，包含發光裝置1330之側壁、波長轉換層1310之側壁及載體層1320之側壁及頂部表面。
如圖1E中在(e)處展示，像素可沈積至經組態以支援組件移除技術之一帶1345上。根據一實施方案，帶1335及1345可係相同帶。根據圖1D之步驟1260，可移除載體層1320以及載體層1320之頂部表面及側壁上之光學隔離材料1340。可經由鋸切、蝕刻、將一遮罩應用於晶粒、使用一或多個雷射、化學處理、或類似者、或如此項技術中理解之切割來進行移除。所得像素可含有在其等側壁上具有光學隔離材料之發光裝置1330及在其等側壁上具有光學隔離材料之波長轉換層1310。如展示，與發光裝置1330相對之波長轉換層1310之表面不含有光學隔離材料且像素可經組態以透過此表面發射光。
根據所揭示標的之一實施方案，如圖1F中在步驟1410及圖1G中在(b)處展示，圖1G (a)之一波長轉換層1510可經部分切割以將波長轉換層1510分段成多個區段。切割可導致區段之間之間隙1515。如圖1G中在(b)處展示，區段之間之間隙1315可不含有波長轉換層1510。波長轉換層1510之一連續部分可保留且可連接區段，使得切割導致藉由波長轉換層之一連接區段連接之多個區段之間之部分隔離。
根據圖1F之步驟1420，如圖1G中在(c)處展示，分段波長轉換層1510可與發光裝置1530對準且附接至發光裝置1530。分段波長轉換層之間之間隙1515可對應於發光裝置1530之間之間隔，使得分段波長轉換層可與發光裝置1530對準且附接至發光裝置1530。發光裝置1530可含有一作用發光層且亦可含有使電流能夠啟動作用發光層之n接觸件及p接觸件。波長轉換層1510及發光裝置1530可經由諸如基於溫度之固化、基於聚合物之固化、基於UV之固化或類似者之任何適用技術固化。
根據圖1F之步驟1430，如圖1G中在(d)處展示，可移除連接分段波長轉換層之波長轉換層1510之連續部分。可使用包含經由鋸切、蝕刻、將一遮罩應用於晶粒、使用一或多個雷射、化學處理、或類似者、或藉由如此項技術中理解之切割之任何適用技術來移除波長轉換層1510之部分。切割可能導致含有發光裝置1530及波長轉換層1510之個別像素，使得像素未經由波長轉換層1510連接。
如圖1G中在(d)處展示，發光裝置1530與分段波長轉換層1510 (統稱為像素)可放置於可經組態以限制氣體粒子之洩漏之一帶1535上。作為一實例，帶1535可係一kapton帶。根據圖1G之步驟1440，一光學隔離材料1540可施覆至像素。可經由一原子層沈積(ALD)程序施覆光學隔離材料。ALD係一材料可憑藉其以一自限制方式沈積至一表面上，使得材料之一薄塗層或層沈積至表面中的一技術。如圖1G中在(d)處展示，一光學隔離材料1540可沈積至像素之曝露表面上，包含發光裝置1530之側壁、波長轉換層1510之側壁。
如圖1G中在(e)處展示，像素可沈積至經組態以支援組件移除技術之一帶1545上。根據一實施方案，帶1535及1545可係相同帶。根據圖1F之步驟1450，可移除遠離各自發光裝置1530之波長轉換層1510之犧牲部分1540以及波長轉換層之犧牲部分1540之頂部表面及側壁上之光學隔離材料1540。波長轉換層之犧牲部分1540可係波長轉換層1510之任何子集且可係(舉例而言)波長轉換層1510之約1%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%或99%。可經由鋸切、蝕刻、將一遮罩應用於晶粒、使用一或多個雷射、化學處理、或類似者、或如此項技術中理解之切割來進行移除。所得像素可含有在其等側壁上具有光學隔離材料之發光裝置1530及在其等側壁上具有光學隔離材料之波長轉換層1510。如展示，與發光裝置1350相對之波長轉換層1510之表面不含有光學隔離材料且像素可經組態以透過此表面發射光。
如圖1H中展示，波長轉換層1720可附接至一LED陣列1700之發光裝置1770以產生像素1775。波長轉換層1720可能與圖1E之波長轉換層1310及/或圖1G之波長轉換層1510相同或類似。發光裝置1770可能與圖1E之發光裝置1330及/或圖1G之發光裝置1530相同或類似。在圖1N中，發光裝置1770可包含GaN層1750、作用區1790、接觸件1780、圖案化藍寶石基板(PSS) 1760及波長轉換層1720。根據本文中之揭示內容，波長轉換層1720展示為包含在波長轉換層1720之側壁上但不在發光裝置1770遠端之表面上之光學隔離材料1730，此係因為此遠端表面上之任何光學隔離材料可隨同各自波長轉換層之一犧牲部分之移除而被移除。更明確言之，像素之間產生之間隔可對應於在切割期間產生之間隙，如圖1D至圖1G中揭示。
如圖1H中展示，側壁材料1730可施覆至波長轉換層1720。波長轉換層1720可安裝於GaN層1750上方且圖案化藍寶石基板(PSS)圖案1760可定位在GaN層1750與波長轉換層之間。作用區1790可經組態以至少部分朝向波長轉換層1720發射光且發光裝置1770可包含接觸件1780。光學隔離器材料1740可施覆至GaN層1750之側壁。
作為一實例，圖1H之像素1775可對應於圖1A至圖1C之像素111。明確言之，如圖1A中展示，在將波長轉換層1720安裝至發光裝置1770上之後，像素111可對應於圖1N之像素1775。當啟動像素111或1775時，發射器之各自作用區1790可產生光。光可穿過波長轉換層1720且可能實質上從像素1775之表面發射且到達波長轉換層1720之側壁之光可能歸因於側壁材料1730而不會從側壁逸出且可能歸因於側壁材料1730而在其與側壁交會時被反射。
圖1H之像素1775可能類似於圖1A之像素111，及圖1B之像素1010、1020及1030。圖1H之像素1775可係圖2A之一LED陣列410之部分，如本文中進一步揭示。
圖2A係在一項實施例中具有在LED裝置附接區318處附接至一基板之一LED陣列410之一電子板之一俯視圖。電子板與LED陣列410一起表示一LED系統400A。此外，電源模組312接收Vin 497處之一電壓輸入且經由跡線418B從連接能力及控制模組316接收控制信號，且經由跡線418A將驅動信號提供至LED陣列410。經由來自電源模組312之驅動信號開啟及關閉LED陣列410。在圖2A中展示之實施例中，連接能力及控制模組316經由跡線418C從感測器模組314接收感測器信號。
圖2B圖解說明具有安裝於一電路板499之兩個表面上之電子組件之一雙通道整合LED照明系統之一項實施例。如圖2B中展示，一LED照明系統400B包含一第一表面445A，該第一表面445A具有用以接收調光器信號及AC電力信號之輸入及安裝於其上之一AC/DC轉換器電路412。LED系統400B包含一第二表面445B，該第二表面445B具有調光器介面電路415、DC-DC轉換器電路440A及440B、具有一微控制器472之一連接能力及控制模組416 (在此實例中一無線模組)及安裝於其上之一LED陣列410。藉由兩個獨立通道411A及411B驅動LED陣列410。在替代實施例中，可使用一單個通道來將驅動信號提供至一LED陣列，或可使用任何數目個多通道來將驅動信號提供至一LED陣列。
LED陣列410可包含兩個LED裝置群組。在一例示性實施例中，群組A之LED裝置電耦合至一第一通道411A且群組B之LED裝置電耦合至一第二通道411B。兩個DC-DC轉換器440A及440B之各者可分別經由單個通道411A及411B提供一各自驅動電流用於驅動LED陣列410中之一各自LED群組A及B。LED群組之一者中之LED可經組態以發射具有與第二LED群組中之LED不同之一色點的光。可藉由控制由個別DC/DC轉換器電流440A及440B分別經由一單個通道411A及411B施加之電流及/或工作週期而在一範圍內調諧對由LED陣列410發射之光之複合色點之控制。儘管圖2B中展示之實施例不包含一感測器模組(如圖2A中描述)，然一替代實施例可包含一感測器模組。
圖解說明之LED照明系統400B係一整合系統，其中LED陣列410及用於操作LED陣列410之電路提供在一單個電子板上。電路板499之相同表面上之模組之間之連接可經電耦合以藉由表面或次表面互連(諸如跡線431、432、433、434及435或金屬化(未展示))交換(舉例而言)模組之間之電壓、電流及控制信號。電路板499之相對表面上之模組之間之連接可藉由貫穿板互連(諸如通孔及金屬化(未展示))電耦合。
根據實施例，可提供LED系統，其中一LED陣列在與驅動器及控制電路分離之一電子板上。根據其他實施例，一LED系統可使LED陣列與一些電子器件一起處於與驅動器電路分離之一電子板上。舉例而言，一LED系統可包含定位在與LED陣列分離之一電路板上的一功率轉換模組及一LED模組。
根據實施例，一LED系統可包含一多通道LED驅動器電路。舉例而言，一LED模組可包含嵌入式LED校準及設定資料及(舉例而言)三個LED群組。此項技術之一般技術者將認識到，可使用與一或多個應用一致之任何數目個LED群組。可串聯或並聯配置各群組內之個別LED且可提供具有不同色點之光。舉例而言，可由一第一LED群組提供暖白光，可由一第二LED群組提供一冷白光，且可由一第三群組提供一中性白光。
圖2C展示一例示性車輛頭燈系統300，其包含一車輛電源302，該車輛電源302包含一資料匯流排304。一感測器模組314可連接至資料匯流排304以提供與環境狀況(例如，周圍光狀況、溫度、時間、雨、霧等)、車輛狀況(停放、運動中、速度、方向)、其他車輛之存在/位置、行人、物件或類似者有關之資料。感測器模組314可能類似於圖2A之感測器模組314或與其相同。AC/DC轉換器312可連接至車輛電源302。
圖2C之AC/DC轉換器312可能與圖2B之AC/DC轉換器412相同或類似於圖2B之AC/DC轉換器412且可從車輛電源302接收AC電力。其可將AC電力轉換成DC電力，如圖2B中針對AC-DC轉換器412描述。車輛頭燈系統300可包含一作用頭燈330，該作用頭燈330接收由AC/DC轉換器312、連接能力及控制模組316及/或感測器模組314提供或基於其等之一或多個輸入。作為一實例，感測器模組314可偵測一行人的存在，使得行人未被充分照亮，此可能降低一駕駛者看見行人的可能性。基於此感測器輸入，連接能力及控制模組316可使用從AC/DC轉換器312提供之電力將資料輸出至作用頭燈330，使得輸出資料啟動含於作用頭燈330內之一LED陣列中之一LED子集。LED陣列中之LED子集在啟動時可沿感測器模組314感測行人的存在之方向發射光。在感測器模組207提供確認行人不再處於包含車輛頭燈系統之車輛之一路徑中之經更新資料之後，此等LED子集可撤銷啟動或可以其他方式修改其等光束方向。
圖3展示一例示性系統550，其包含一應用平台560、LED系統552及556、及光學器件554及558。LED系統552產生箭頭561a與561b之間展示之光束561。LED系統556可在箭頭562a與562b之間產生光束562。在圖3中展示之實施例中，從LED系統552發射之光穿過二次光學器件554，且從LED系統556發射之光穿過二次光學器件558。在替代實施例中，光束561及562未穿過任何二次光學器件。二次光學器件可係或可包含一或多個光導。一或多個光導可係邊緣照亮或可具有界定光導之一內邊緣之一內部開口。LED系統552及/或556可插入一或多個光導之內部開口中，使得其等將光注入至一或多個光導之內邊緣(內部開口光導)或外邊緣(邊緣照亮光導)中。LED系統552及/或556中之LED可圍繞作為光導之部分之一基底之圓周配置。根據一實施方案，基底可係導熱的。根據一實施方案，基底可耦合至安置於光導上方之一散熱元件。散熱元件可經配置以經由導熱基底接收由LED產生之熱量且消散所接收熱量。一或多個光導可允許由LED系統552及556發射之光以一所要方式塑形，諸如(舉例而言)具有一梯度、一倒角分佈、一窄分佈、一寬分佈、一角度分佈或類似者。
在例示性實施例中，系統550可係一相機閃光燈系統之一行動電話、室內住宅或商業照明、室外燈(諸如街道照明)、一汽車、一醫療裝置、AR/VR裝置及機器人裝置。在例示性實施例中，圖2A中展示之LED系統400A及圖2C中展示之車輛頭燈系統300圖解說明LED系統552及556。
應用平台560可經由線565或其他適用輸入經由一電源匯流排將電力提供至LED系統552及/或556，如本文中論述。此外，應用平台560可經由線565提供輸入信號用於LED系統552及LED系統556之操作，該輸入可基於一使用者輸入/偏好、一經感測讀取、一預程式化或自主判定輸出或類似者。一或多個感測器可在應用平台560之外殼之內部或外部。替代地或另外，如圖2A之LED系統400中展示，各LED系統552及556可包含其自己的感測器模組、連接能力及控制模組、電源模組、及/或LED裝置。
在實施例中，應用平台560感測器及/或LED系統552及/或556感測器可收集資料，諸如視覺資料(例如，LIDAR資料、IR資料、經由一相機收集之資料等)、音頻資料、基於距離之資料、移動資料、環境資料、或類似者或其等之一組合。資料可能與一實體項目或實體(諸如物件、個人、車輛等)有關。舉例而言，感測設備可收集一基於ADAS/AV之應用之物件近接資料，此可基於一實體項目或實體之偵測而確定偵測及隨後動作之優先級。可基於藉由(舉例而言) LED系統552及/或556發射一光學信號(諸如一IR信號)且基於發射之光學信號收集資料而收集資料。可藉由與發射用於資料收集之光學信號之組件不同的一組件收集資料。繼續實例，感測設備可定位於一汽車上且可使用一垂直腔表面發射雷射(VCSEL)來發射一光束。一或多個感測器可感測對於發射光束或任何其他適用輸入之一回應。
在例示性實施例中，應用平台560可表示一汽車且LED系統552及LED系統556可表示汽車頭燈。在各項實施例中，系統550可表示具有可操縱光束之一汽車，其中LED可選擇性地啟動以提供可操縱光。舉例而言，可使用一LED陣列來定義或投射一形狀或圖案或僅照明一道路之選定段。在一例示性實施例中，LED系統552及/或556內之紅外相機或偵測器像素可係識別需要照明之一場景(道路、人行橫道等)之部分之感測器(例如，類似於圖2A之感測器模組314及圖2C之感測器模組314)。
已詳細描述實施例，熟習此項技術者將明白，在本描述之情況下，可對本文中描述之實施例進行修改而不脫離發明概念之精神。因此，本發明之範疇並不意欲限制於圖解說明且描述之特定實施例。儘管上文中以特定組合描述特徵及元件，然此項技術之一般技術者將明白，各特徵或元件可單獨或以與其他特徵及元件之任何組合使用。另外，可在併入一電腦可讀媒體中以由一電腦或處理器執行之一電腦程式、軟體或韌體中實施本文中描述之方法。電腦可讀媒體之實例包含電子信號(經由有線或無線連接傳輸)及電腦可讀儲存媒體。電腦可讀儲存媒體之實例包含(但不限於)一唯讀記憶體(ROM)、一隨機存取記憶體(RAM)、一暫存器、快取記憶體、半導體記憶體裝置、磁性媒體(諸如內置硬碟及可移除磁碟)、磁光媒體、及光學媒體(諸如CD-ROM光碟及數位多功能光碟(DVD))。
110:發光二極體(LED)陣列 111:像素 113:道 200:LED裝置 200B:LED裝置 205:波長轉換層 300:車輛頭燈系統 302:車輛電源 304:資料匯流排 305:AC/DC轉換器 306:連接能力及控制模組 307:感測器模組 312:功率模組/AC/DC轉換器 314:感測器模組 316:連接能力及控制模組 318:發光二極體(LED)裝置附接區 330:作用頭燈 400A:發光二極體(LED)系統 400B:LED照明系統 410:發光二極體(LED)陣列 411A:第一通道 411B:第二通道 412:AC/DC轉換器電路/AC/DC轉換器 415:調光器介面電路 416:連接能力及控制模組 418A:跡線 418B:跡線 418C:跡線 431:跡線 432:跡線 433:跡線 434:跡線 435:跡線 440A:DC-DC轉換器電路 440B:DC-DC轉換器電路 445A:第一表面 445B:第二表面 472:微控制器 499:電路板 550:系統 552:發光二極體(LED)系統 554:二次光學器件 556:發光二極體(LED)系統 558:二次光學器件 560:應用平台 561:光束 561a:箭頭 561b:箭頭 562:光束 562a:箭頭 562b:箭頭 565:線 1000:發光二極體(LED)陣列 1010:像素 1011:磊晶層 1012:p型區 1013:SiO2層 1014:SiO2層 1015:接觸件 1016:鍍金屬(鍍銅)層 1017:p接觸件 1019:鈍化層 1020:像素 1021:作用區 1022:主光學器件 1030:像素 1040:n型接觸件 1041:分離段 1050:轉換器材料/波長轉換層 1060:二次光學器件 1062:波導 1064:透鏡 1100:發光二極體(LED)陣列 1110:n-GaN半導體層 1111:作用區 1112:p-GaN半導體層 1113:p接觸件 1114:基板 1115:鈍化層 1117:轉換器材料 1130:溝槽 1140:n接觸件 1200:方法 1220:步驟 1230:步驟 1240:步驟 1250:步驟 1260:步驟 1310:波長轉換層 1315:間隙 1320:載體層 1330:發光裝置 1335:帶 1340:光學隔離材料 1345:帶 1410:步驟 1420:步驟 1430:步驟 1440:步驟 1450:步驟 1510:波長轉換層 1515:間隙 1530:發光裝置 1535:帶 1540:光學隔離材料 1545:帶 1700:發光二極體(LED)陣列 1710:可膨脹膜 1720:波長轉換層 1730:光學隔離材料 1740:光學隔離器材料 1750:GaN層 1760:圖案化藍寶石基板(PSS) 1770:發光裝置 1775:像素 1780:接觸件 1790:作用區 w1 :寬度 w2 :寬度
可從藉由結合隨附圖式之實例給出之以下描述得到一更詳細理解，其中：
圖1A係具有一分解部分之一LED陣列之一俯視圖圖解；
圖1B係具有溝槽之一LED陣列之一橫截面圖解；
圖1C係具有溝槽之另一LED陣列之一透視圖解；
圖1D係用於產生一LED陣列中之像素之一流程圖；
圖1E係產生一LED陣列中之像素之一橫截面視圖圖式；
圖1F係產生一LED陣列中之像素之一程序之另一流程圖；
圖1G係產生一LED陣列中之像素之另一橫截面視圖圖式；
圖1H係一LED陣列之一橫截面視圖圖式。
圖2A係在一項實施例中具有在LED裝置附接區處附接至基板之LED陣列之電子板之一俯視圖；
圖2B係具有安裝於一電路板之兩個表面上之電子組件之一雙通道整合LED照明系統之一項實施例之一圖式；
圖2C係一例示性車輛頭燈系統；及
圖3展示一例示性照明系統。
1310:波長轉換層
1315:間隙
1320:載體層
1330:發光裝置
1335:帶
1340:光學隔離材料
1345:帶

Claims (20)

  1. 一種製造波長轉換發光裝置之一像素化陣列之方法，其包括：提供一波長轉換結構，其包括具有一第一表面之一波長轉換層及具有一第一表面及相對定位之一第二表面之一載體層，該波長轉換層之該第一表面經安置於該載體層之該第一表面上，及切割該波長轉換結構以形成完全地延伸穿過該波長轉換層且部分地延伸穿過該載體層之間隙，以限定具有相對於該載體層之該第一表面之一第一區段表面之該波長轉換結構之至少一個第一區段及具有相對於該載體層之該第一表面之一第二區段表面之該波長轉換結構之至少一個第二區段。
  2. 如請求項1之方法，其中提供該波長轉換結構包括將該載體層附接至該波長轉換層。
  3. 如請求項2之方法，其中該載體層藉由一黏著劑(adhesive)附接至該波長轉換層。
  4. 如請求項1之方法，其中切割該波長轉換結構包括鋸切(sawing)、蝕刻、遮罩圖案化(mask patterning)、雷射、化學處理該波長轉換結構中之至少一者。
  5. 如請求項1之方法，其中該波長轉換層選自玻璃中之一磷光體、聚矽 氧中之一磷光體及一磷光體陶瓷。
  6. 如請求項1之方法，其中該載體層之一熱膨脹係數(CTE)實質上與該波長轉換層之一CTE匹配。
  7. 如請求項1之方法，其中該載體層之一軟化溫度(softening temperature)高於該波長轉換層之一軟化溫度。
  8. 如請求項1之方法，其中該載體層係一陶瓷層。
  9. 如請求項1之方法，其中該載體層係一玻璃層。
  10. 如請求項1之方法，其中該第一區段小於500微米寬。
  11. 如請求項1之方法，其中該等間隙等於或小於20微米寬。
  12. 如請求項1之方法，其中該等間隙垂直於該載體層之該第一表面及完全地延伸穿過該波長轉換層且部分地延伸穿過該載體層。
  13. 如請求項1之方法，其進一步包括在提供該波長轉換結構之後將一第一發光裝置附接至該第一區段之該第一區段表面及將一第二發光裝置附接至該第二區段之該第二區段表面。
  14. 如請求項13之方法，其進一步包括自該載體層之該第二表面開始移除該載體層之一部分以打開該等間隙之端部(end)，以限定至少自該第一區段之一第一像素及該第一發光裝置以及自該第二區段之一第二像素及該第二發光裝置。
  15. 一種製造波長轉換發光裝置之一像素化陣列(pixelated array)之方法，其包括：提供一波長轉換結構，其包括經安置於一載體層上之一波長轉換層，該波長轉換結構包括完全地延伸穿過該波長轉換層且部分地延伸穿過該載體層以限定該波長轉換結構之區段之間隙；在提供該波長轉換結構之後將一發光裝置附接至該等區段之每一者；及移除該載體層的一部分以打開(open)間隙的端部以限定彼此間隔開之像素，每個像素包括該發光裝置及該等區段中之各自一者(respective one)。
  16. 如請求項15之方法，其進一步包括在移除該載體層之該部分之前固化(curing)該等像素。
  17. 如請求項15之方法，其中該第一區段小於500微米寬。
  18. 如請求項15之方法，其進一步包括：將一光學隔離材料安置於該等像素之每一者之暴露表面上；及 自該等像素移除該載體層之其餘部分及經安置於該載體層之該等其餘部分上之該光學隔離材料之部分。
  19. 如請求項12之方法，其進一步包括在安置該光學隔離材料之前將該等像素轉移至一kapton帶或一研磨帶之至少一者上。
  20. 一種製造波長轉換發光裝置之一像素化陣列之方法，其包括：提供一波長轉換結構，其包括具有一第一表面之一波長轉換層及具有一第一表面及相對定位之一第二表面之一載體層，該波長轉換層之該第一表面經安置於該載體層之該第一表面上，該波長轉換結構包括間隙，該等間隙垂直於該載體層之該第一表面及完全地延伸穿過該波長轉換層且部分地延伸穿過該載體層以限定具有相對於該載體層之該第一表面之一第一區段表面之該波長轉換結構之至少一個第一區段及具有相對於該載體層之該第一表面之一第二區段表面之該波長轉換結構之至少一個第二區段；在提供該波長轉換結構之後將一第一發光裝置附接至該第一區段之該第一區段表面及將一第二發光裝置附接至該第二區段之該第二區段表面；自該載體層之該第二表面開始移除該載體層之一部分以打開該等間隙之端部(end)，以限定至少自該第一區段之一第一像素及該第一發光裝置以及自該第二區段之一第二像素及該第二發光裝置；將包括TiO2之一光學隔離材料安置該等間隙之至少一者中，該等間隙之該一者具有在該第一像素及該第二像素之間之20微米或更小之一寬度；及 自該第一像素及該第二像素移除該載體層之其餘部分及經安置於該載體層之該等其餘部分上之該光學隔離材料之部分。
TW109126187A 2017-12-20 2018-12-20 製造像素化陣列之方法 TWI755012B (zh)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762608521P 2017-12-20 2017-12-20
US62/608,521 2017-12-20
EP18159224 2018-02-28
EP18159224.7 2018-02-28
US16/226,608 US11335835B2 (en) 2017-12-20 2018-12-19 Converter fill for LED array
US16/226,607 2018-12-19
US16/226,607 US10854794B2 (en) 2017-12-20 2018-12-19 Monolithic LED array structure
US16/226,608 2018-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202118038A TW202118038A (zh) 2021-05-01
TWI755012B true TWI755012B (zh) 2022-02-11

Family

ID=66814762

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109128798A TWI824172B (zh) 2017-12-20 2018-12-20 波長轉換結構及製造發光裝置之方法
TW107146250A TWI703718B (zh) 2017-12-20 2018-12-20 製造像素化陣列之方法
TW109126187A TWI755012B (zh) 2017-12-20 2018-12-20 製造像素化陣列之方法
TW107146265A TWI705583B (zh) 2017-12-20 2018-12-20 用於led陣列之轉換器填充

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109128798A TWI824172B (zh) 2017-12-20 2018-12-20 波長轉換結構及製造發光裝置之方法
TW107146250A TWI703718B (zh) 2017-12-20 2018-12-20 製造像素化陣列之方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107146265A TWI705583B (zh) 2017-12-20 2018-12-20 用於led陣列之轉換器填充

Country Status (7)

Country Link
US (5) US11335835B2 (zh)
EP (2) EP3729522B1 (zh)
JP (2) JP7145950B2 (zh)
KR (3) KR102504848B1 (zh)
CN (2) CN111712917A (zh)
TW (4) TWI824172B (zh)
WO (2) WO2019126588A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11335835B2 (en) 2017-12-20 2022-05-17 Lumileds Llc Converter fill for LED array
US11296262B2 (en) * 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
US10796627B2 (en) * 2018-07-27 2020-10-06 Shaoher Pan Integrated laser arrays based devices
US10910433B2 (en) 2018-12-31 2021-02-02 Lumileds Llc Pixelated LED array with optical elements
US20200411491A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays having microgrooves or wells
CN116171495A (zh) * 2020-09-22 2023-05-26 苏州晶湛半导体有限公司 半导体结构的制作方法
KR20220094991A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 삼성전자주식회사 발광 소자 및 운송 수단용 헤드 램프
CN112786762B (zh) * 2021-01-04 2022-05-17 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管外延片及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201143165A (en) * 2010-02-18 2011-12-01 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device package and lighting system
US20120052608A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Yoo Cheol-Jun Phosphor film, method of forming the same, and method of coating phosphor layer on led chips
WO2013175338A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Koninklijke Philips N.V. Phosphor coating process for discrete light emitting devices
TW201628227A (zh) * 2015-01-26 2016-08-01 財團法人工業技術研究院 發光元件
US20170133562A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Achrolux Inc. Package structure and method for fabricating the same
JP6157178B2 (ja) * 2013-04-01 2017-07-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
CN107210315A (zh) * 2014-11-18 2017-09-26 欧库勒斯虚拟现实有限责任公司 集成彩色led微显示器
TWI603508B (zh) * 2013-05-14 2017-10-21 蘋果公司 具有波長轉換層之微發光二極體
US9806240B2 (en) * 2014-03-10 2017-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821799B2 (en) * 2002-06-13 2004-11-23 University Of Cincinnati Method of fabricating a multi-color light emissive display
KR20100110389A (ko) * 2008-02-08 2010-10-12 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광학 소자 및 그 제조 방법
US8262257B2 (en) * 2008-05-07 2012-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with LED with a self-supporting grid containing luminescent material and method of making the self-supporting grid
US7888691B2 (en) * 2008-08-29 2011-02-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter
TWI386970B (zh) 2008-11-18 2013-02-21 Ind Tech Res Inst 應用氣態硫化物之發光裝置
US8993358B2 (en) 2011-12-28 2015-03-31 Ledengin, Inc. Deposition of phosphor on die top by stencil printing
US8232117B2 (en) 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
US8795817B2 (en) 2010-08-25 2014-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor film, method of manufacturing the same, coating method of phosphor layer, method of manufacturing LED package, and LED package manufactured thereby
US8581287B2 (en) * 2011-01-24 2013-11-12 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing
EP2482350A1 (en) 2011-02-01 2012-08-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED assembly comprising a light scattering layer
JP5535114B2 (ja) * 2011-03-25 2014-07-02 株式会社東芝 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
JP5110229B1 (ja) 2011-06-07 2012-12-26 東レ株式会社 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きｌｅｄチップの製造方法
US8686429B2 (en) 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
US8900892B2 (en) 2011-12-28 2014-12-02 Ledengin, Inc. Printing phosphor on LED wafer using dry film lithography
US8906713B2 (en) 2012-03-30 2014-12-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. LED lamp using blue and cyan LEDs and a phosphor
EP2831009B1 (en) 2012-03-30 2017-05-03 Corning Incorporated Bismuth borate glass encapsulant for led phosphors
WO2013152234A1 (en) * 2012-04-04 2013-10-10 Axlen, Inc. Optically efficient solid-state lighting device packaging
CN104321888B (zh) 2012-06-28 2017-06-30 东丽株式会社 树脂片材层合体及使用其的半导体发光元件的制造方法
JPWO2014006987A1 (ja) 2012-07-04 2016-06-02 シャープ株式会社 蛍光材料、蛍光塗料、蛍光体基板、電子機器およびｌｅｄパッケージ
JP2015181140A (ja) 2012-07-27 2015-10-15 三菱化学株式会社 半導体発光装置用の波長変換コンポーネント、その製造方法、および、熱硬化性シリコーン組成物
EP2917938B1 (en) 2012-11-07 2020-05-06 Lumileds Holding B.V. Wavelength converted light emitting device
WO2014091914A1 (ja) 2012-12-10 2014-06-19 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
DE102013202906A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR20160032221A (ko) * 2013-07-18 2016-03-23 코닌클리케 필립스 엔.브이. 발광 디바이스들의 웨이퍼의 다이싱
CN105684171B (zh) 2013-10-29 2018-09-07 欧司朗光电半导体有限公司 波长转换元件、制造方法和具有波长转换元件的发光半导体部件
CN105874617A (zh) * 2014-01-07 2016-08-17 皇家飞利浦有限公司 具有磷光体转换器的无胶发光器件
JP6398323B2 (ja) 2014-05-25 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP6459354B2 (ja) * 2014-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
US9865772B2 (en) 2015-01-06 2018-01-09 Apple Inc. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination
JP6537891B2 (ja) 2015-05-25 2019-07-03 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102316325B1 (ko) 2015-07-06 2021-10-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP6500255B2 (ja) 2015-10-15 2019-04-17 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US10304813B2 (en) * 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
DE102016106841B3 (de) 2015-12-18 2017-03-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Konverter zur Erzeugung eines Sekundärlichts aus einem Primärlicht, Leuchtmittel, die solche Konverter enthalten, sowie Verfahren zur Herstellung der Konverter und Leuchtmittel
KR102591388B1 (ko) 2016-01-18 2023-10-19 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
JP7080010B2 (ja) * 2016-02-04 2022-06-03 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光素子及びその製造方法
JP6536540B2 (ja) 2016-02-24 2019-07-03 日亜化学工業株式会社 蛍光体含有部材の製造方法
KR102263041B1 (ko) * 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
JP6414104B2 (ja) 2016-02-29 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN106025040B (zh) 2016-07-13 2019-02-01 扬州中科半导体照明有限公司 一种单面出光的发光元器件及其生产方法
TWI705581B (zh) * 2016-09-09 2020-09-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
US10222681B2 (en) 2016-11-07 2019-03-05 Limileds LLC Segmented light or optical power emitting device with fully converting wavelength converting material and methods of operation
KR102650341B1 (ko) 2016-11-25 2024-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN107272317B (zh) 2017-05-31 2019-10-25 深圳光峰科技股份有限公司 荧光芯片及其波长转换装置的制备方法以及显示系统
CN107731864B (zh) 2017-11-20 2020-06-12 开发晶照明（厦门）有限公司 微发光二极管显示器和制作方法
US11335835B2 (en) 2017-12-20 2022-05-17 Lumileds Llc Converter fill for LED array
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201143165A (en) * 2010-02-18 2011-12-01 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device package and lighting system
US20120052608A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Yoo Cheol-Jun Phosphor film, method of forming the same, and method of coating phosphor layer on led chips
WO2013175338A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Koninklijke Philips N.V. Phosphor coating process for discrete light emitting devices
JP6157178B2 (ja) * 2013-04-01 2017-07-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
TWI603508B (zh) * 2013-05-14 2017-10-21 蘋果公司 具有波長轉換層之微發光二極體
US9806240B2 (en) * 2014-03-10 2017-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element
CN107210315A (zh) * 2014-11-18 2017-09-26 欧库勒斯虚拟现实有限责任公司 集成彩色led微显示器
TW201628227A (zh) * 2015-01-26 2016-08-01 財團法人工業技術研究院 發光元件
US20170133562A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Achrolux Inc. Package structure and method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW202118038A (zh) 2021-05-01
JP7049460B2 (ja) 2022-04-06
TW201937717A (zh) 2019-09-16
US20200403128A1 (en) 2020-12-24
KR102407151B1 (ko) 2022-06-13
CN111742420A (zh) 2020-10-02
KR20200096842A (ko) 2020-08-13
TWI824172B (zh) 2023-12-01
US11335835B2 (en) 2022-05-17
WO2019126582A1 (en) 2019-06-27
TWI705583B (zh) 2020-09-21
US10854794B2 (en) 2020-12-01
KR20220029769A (ko) 2022-03-08
US11973169B2 (en) 2024-04-30
KR102504848B1 (ko) 2023-03-02
CN111742420B (zh) 2023-11-10
KR102368655B1 (ko) 2022-03-03
TW202119655A (zh) 2021-05-16
JP2021508845A (ja) 2021-03-11
KR20230035426A (ko) 2023-03-13
EP3729522B1 (en) 2021-06-23
US20220359799A1 (en) 2022-11-10
US20190189865A1 (en) 2019-06-20
WO2019126588A1 (en) 2019-06-27
CN111712917A (zh) 2020-09-25
EP3729505A1 (en) 2020-10-28
EP3729522A1 (en) 2020-10-28
TWI703718B (zh) 2020-09-01
US20190189684A1 (en) 2019-06-20
US11411147B2 (en) 2022-08-09
JP7145950B2 (ja) 2022-10-03
TW201939769A (zh) 2019-10-01
US20200335672A1 (en) 2020-10-22
KR20200101952A (ko) 2020-08-28
JP2021508171A (ja) 2021-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI755012B (zh) 製造像素化陣列之方法
TWI745644B (zh) 具島狀磊晶生長之單體分段式發光二極體陣列架構
TWI721350B (zh) 發光裝置
US11652134B2 (en) Monolithic segmented LED array architecture
KR102681517B1 (ko) 세그먼트화된 led 어레이 구조물