JP5447407B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5447407B2 JP5447407B2 JP2011038174A JP2011038174A JP5447407B2 JP 5447407 B2 JP5447407 B2 JP 5447407B2 JP 2011038174 A JP2011038174 A JP 2011038174A JP 2011038174 A JP2011038174 A JP 2011038174A JP 5447407 B2 JP5447407 B2 JP 5447407B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- phosphor
- lens
- light
- sealing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
(1)封止樹脂を樹脂成形によってレンズ状に成形。
(2)封止樹脂を平板状に形成した後、機械加工によってレンズ状に成形。
(3)別に成形されたレンズを封止樹脂の表面に接着。
(4)キャスティングケースによる方法
以下、圧縮成形法を用いて発光装置1を製造する方法について詳細に説明する。
1.パッケージアッセンブリの準備
本実施の形態では、複数の発光装置を一括して製造できるように、封止樹脂層を硬化させるまでは複数の発光装置が集合したパッケージアッセンブリを用いる。図3に示すように、このパッケージアッセンブリ12においては、大面積の絶縁基板2上に発光ダイオード8の実装領域がマトリックス状に配置されている。また、図4に示すように、各発光ダイオード8の実装領域を両側から挟むように、負電極4及び正電極6が形成されている。各負電極4上に発光ダイオード8がダイボンディングされ、負電極4及び正電極6と発光ダイオード8とがワイヤ10により配線されている。1組の発光ダイオード8、負電極4及び正電極6が1つのパッケージを構成する。また、各列のパッケージは、互いの負電極4同士及び正電極6同士がつながっている。すなわち、各列の負電極4及び正電極6は、各々、1本の連続した電極となっている。絶縁性基板2は、例えば厚さが0.06mm〜2.0mmの樹脂積層品等からなり、厚さ方向に貫通する複数のスルーホール(図示せず)が形成されている。負電極4と正電極6は、このスルーホールを介して、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極とつながっている。
次に、図5Aに示すように、所定の温度に加温された下金型22上に、パッケージアッセンブリ12を設置する。ここで下金型22は、塗布する封止樹脂14の1次硬化温度に加温しておくことが好ましい。次に、図5Bに示すように、蛍光体16を均一に混練した液状の熱硬化性樹脂をディスペンサ26等によってパッケージアッセンブリ12の上面に適量塗布する。これによって、発光ダイオード8、負電極4及び正電極6は、蛍光体16を均一に分散した封止樹脂層14によって均一な厚さで覆われる。このとき封止樹脂14は、金型によって圧縮した際に所望のレンズを形成するのに十分な量を塗布する。また、少なくともワイヤ10が完全に埋設される厚さに形成することが好ましい。
次に、図5C及びDに示すように、塗布した封止樹脂層14の上から上金型24を閉じ、所定の圧力を加えて封止樹脂層14を圧縮する。上金型24には、半円柱状のレンズ型が形成されている。そして、上金型24によって圧縮した状態で所定時間保持し、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂層14を1次硬化させる。ここで封止樹脂層14を構成する熱硬化性樹脂としては、温度上昇と共に一旦粘度が下がり、再び粘度が上昇するものが好ましい。例えば、硬質シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。これによって、図5Eに示すように、金型22及び24中で封止樹脂14を加熱する間に、封止樹脂14内の蛍光体16を沈降させることができる。金型22及び24における加熱温度及び加熱時間は、蛍光体16が十分に沈降すると共に、封止樹脂14が所定の形状を保持できるだけの十分な硬度に達するような条件に設定することが好ましい。例えば、1次硬化温度を100〜170℃、より好ましくは約120〜150℃にすることが望ましい。また、硬化時間は、200sec〜900sec、より好ましくは250sec〜600secにすることが好ましい。
次に、封止樹脂層14を1次硬化させたパッケージアッセンブリ12を金型から取り出し、所定の条件で加熱して封止樹脂14を2次硬化させる。2次硬化の条件は、封止樹脂14の硬化が完全に進行するように設定することが好ましい。例えば、2次硬化の温度は1次硬化と同等以上にし、2次硬化の時間を1次硬化よりも長時間に設定することが好ましい。エポキシ樹脂、硬質シリコーンの場合、2次硬化の時間を3〜5時間、より好ましくは3.5〜4.5時間程度にすることが望ましい。2次硬化をこのような条件で行えば、封止樹脂14内に未反応の硬化成分が残り、発光ダイオード8の信頼性に悪影響を与えることを防止できる。また、金型22及び24から取り出した後に2次硬化を行うことにより、工程のスループットを高めることができる。
次に、図5Fに示すように、パッケージアセンブリ12を2方向からダイシングし、所定幅と所定長さで発光装置を切り出すことによって、発光装置が完成する。すなわち、まずレンズに平行な方向にダイシングし、半円柱状のレンズが形成されたパッケージアッセンブリ12の列を切り出す。そして、切り出された各列のパッケージアッセンブリを、さらに長手方向に垂直にダイシングすることによって、個々の発光装置1を得る。
次に、本実施の形態に係る発光装置の実装及び色補正について説明する。
図6は、図1及び図2に示した発光装置1をサイドビュー型発光装置として実装基板上に実装した様子を示す斜視図である。ここでサイドビュー型とは、表面実装型の1種であり、実装面に略垂直な側面から発光するタイプの発光装置である。半円柱状(=カマボコ型)の発光装置1は、半円柱の平らな底面を実装面として、実装基板3の上に実装されている。このとき発光面である封止樹脂層の上面14bは、実装基板3に対して略垂直となる。実装基板3の表面には、正及び負のリード電極18及び20が形成されており、発光装置1の絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極(図示せず)と半田22によって接続されている。
ステップ1では、封止樹脂層14を硬化させた後の発光装置の色度を全数測定する(初期色度測定工程)。
ステップ2では、ステップ1で測定された色度に基づいて、前記測定された色度と目標色度との差があらかじめ設定された範囲内にあるものをそれぞれ1つのグループとすることにより色度範囲ごとに分類する(グループ化工程)。分類するグループ数は、調整後の色度バラツキを小さくするためには多い程よいが、要求される色度の範囲(規格)及び製造効率を考慮して適当な分類数とする。
最後に、ステップ3で、各グループごとに、目標色度との差に基づいて設定された量だけ封止樹脂層の側面を研磨する(研磨工程)。すなわち、同一のグループに属する発光素子は、同じ研磨量(グループごとに設定された値)だけ研磨される。以上のような調整方法によれば、グループごとに一括して色度を調整できるので、効率よく色度を調整でき、かつ色度バラツキを小さくできる。尚、研磨は実装面と逆側の側面で行うことが好ましい。実装面の平坦性を損なわないためである。
(封止樹脂14)
絶縁基板2は、適当な機械的強度と絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、BTレジン、ガラスエポキシ等を用いることができる。また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものでも良い。また、絶縁基板2に形成する負及び正電極4,6は、Cuを主成分とする金属層とすることが好ましい。例えば、負及び正電極4,6は、Cu/Ni/Agによって構成することができる。
発光ダイオード8と蛍光体16は、発光ダイオード8の一部又は全部の発光を蛍光体16が波長変換できるような組合せであれば特に限定されない。例として、現在最も需要の多い白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオード8と蛍光体16の組合せについて説明する。
−発光ダイオード8
白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオードとして、窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)から成る発光ダイオードを用いることができる。この発光ダイオードは、InxGa1-xN(0<x<1)を発光層とすれば、その混晶度によって発光波長を約365nmから650nmで任意に変えることができる。
蛍光物質は、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi2O2N2:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、M2B5O9X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Euなどがある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa2S4:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
本実施例では、図1に示す構造の発光装置を以下の方法で作製した。
まず、エポキシ系樹脂シートを張り合わせた基板シート上にCu/Ni/Agから成る正及び負電極を複数組形成し、各電極ペアに対して発光波長450nmのInGaN系青色LEDを実装した。LEDと電極の接続は金線を用いたワイヤボンディングによって行った。
比較例として、以下の方法で発光装置を作成した。
まず、基板シートにLEDを実装するまでは実施例1と同様に行った。その後、150℃に加温されたトランスファーモールド成形機の金型内に基板シートを搭載し、YAG:Ce蛍光体を混ぜたトランスファーモールド用エポキシ樹脂を注入し、300secの間保持した。そして、金型取り出し後、150℃で4時間硬化し、図1に示すような半円柱状のレンズを持つ発光装置を得た。
実施例1及び比較例1の発光装置について、実装面に平行な0°方向(図6中のx方向)の配光特性を図7Aに、実装面に垂直な90°方向(図6中のy方向)の配光特性を図7Bに示す。図7A及び7Bに示すように、特に90°方向において本件発明の実施例の方が比較例よりも指向性に優れ、正面方向の光度が高いことがわかる。これは、比較例では封止樹脂層の全体に蛍光体が分散されているため、蛍光体の光散乱によって光が広がっているため、と推定される。本件発明の実施例では、封止樹脂層のレンズを形成した部分には蛍光体が実質的に含まれていないため、指向性が高く、正面方向の光度が高くなっている。
また、実施例1及び比較例1の発光装置について、観察方向による色度変化を調べた。色度座標xの観察方向による変化を図8A及び図8Bに、色度座標yの観察方向による変化を図9A及び図9Bに示す。尚、図8A及び図9Aは、実装面に平行な0°方向における色度変化のグラフであり、図8B及び9Bは、実装面に垂直な90°方向における色度変化のグラフである。図8A、図8B、図9A及び図9Bに示すように、特に90°方向において本件発明の実施例の方が比較例よりも色度の変化が少なく、観察方向による色ムラが抑制されているのがわかる。これは、比較例では封止樹脂層の全体に蛍光体が分散されているため、観察方向によって蛍光体の量が変化してしまうため、と推定される。これに対し、本件発明の実施例では、発光ダイオード8の近傍に蛍光体が分布しているため、観察方向による色ムラが少ない。
Claims (8)
- 基板上に複数の発光ダイオードが実装されたパッケージアッセンブリを準備する工程と、
前記複数の発光ダイオードの上に、前記発光ダイオードの発光の少なくとも一部を吸収して長波長に変換する蛍光体を含有する熱硬化性樹脂を塗布し、金型によって前記熱硬化性樹脂に所定の圧力を加えながら、前記熱硬化性樹脂を硬化させることにより、少なくとも一方の断面において凸レンズを構成するレンズ状部分と該レンズ状部分の両横に形成された平坦部とを持ち、前記平坦部にも前記蛍光体を有する封止樹脂層を形成する工程と、
前記蛍光体を有する前記平坦部において前記パッケージアッセンブリと前記封止樹脂層とを切断して、前記パッケージアッセンブリから個々の発光装置を切り出すことにより、前記レンズ状部分と前記平坦部とを有する前記封止樹脂層を備えた発光装置を得る工程と、
を有する発光装置の製造方法。 - 前記熱硬化性樹脂が、硬質シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及び変成シリコーンから成る群の少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記レンズ状部分に前記蛍光体が実質的に分布しないように、前記封止樹脂層を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光ダイオードの表面近傍における前記蛍光体の密度が、前記封止樹脂層の表面近傍における前記蛍光体の密度の20倍以上となるように、前記封止樹脂層を形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記レンズ状部分が、略半球状であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光ダイオードが、窒化物半導体から成る紫外又は青色発光層を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体が、単独で、又は前記発光ダイオードの発光と混色することにより、白色を発光可能であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記複数の発光ダイオードが、前記基板上にフリップチップボンディングされていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011038174A JP5447407B2 (ja) | 2011-02-24 | 2011-02-24 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011038174A JP5447407B2 (ja) | 2011-02-24 | 2011-02-24 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005042533A Division JP4953578B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011101066A JP2011101066A (ja) | 2011-05-19 |
JP2011101066A5 JP2011101066A5 (ja) | 2012-07-05 |
JP5447407B2 true JP5447407B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=44191920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011038174A Active JP5447407B2 (ja) | 2011-02-24 | 2011-02-24 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5447407B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170136158A (ko) * | 2016-06-01 | 2017-12-11 | 주식회사 라이트전자 | Uv 플립칩 led 면광원 모듈 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2994219B2 (ja) * | 1994-05-24 | 1999-12-27 | シャープ株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP3349109B2 (ja) * | 1999-03-04 | 2002-11-20 | 株式会社シチズン電子 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP3656623B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2005-06-08 | 松下電工株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4292794B2 (ja) * | 2002-12-04 | 2009-07-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法 |
-
2011
- 2011-02-24 JP JP2011038174A patent/JP5447407B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170136158A (ko) * | 2016-06-01 | 2017-12-11 | 주식회사 라이트전자 | Uv 플립칩 led 면광원 모듈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011101066A (ja) | 2011-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4953578B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI419375B (zh) | 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置 | |
US10608155B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device having fluorescent and light scattering light-transmissive member | |
JP5123466B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4956977B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100983428B1 (ko) | 발광 장치 | |
US10569487B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP2007227791A (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
JP2006269778A (ja) | 光学装置 | |
US8933475B2 (en) | Light emitting device | |
JP2007234968A (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
TW201705548A (zh) | 發光裝置 | |
JP4617761B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP7108171B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5447407B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7389333B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5205773B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7011196B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7007606B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP5309749B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110309 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5447407 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |