CN110915006A - 一种紫外光源封装元件 - Google Patents

Abstract

一种紫外光源封装元件，包括：基架、光学元件和LED芯片；所述基架中央具有凹槽，所述凹槽内的底部固定所述LED芯片；含氟树脂填充所述的光学元件下方的凹槽部分，并通过所述的光学元件上的贯通孔结构或光学元件边缘与凹槽内侧壁之间形成的空隙填充至覆盖光学元件的部分上表面。通过所述的光学元件上的贯通孔结构或光学元件边缘与凹槽内侧壁之间形成的空隙填充至覆盖光学元件的部分上表面，一方面含氟树脂以液态形式填充至封装体中，固化过程中所产生的气体能够通过贯通孔和空隙排放出去，尽量避免气泡的残留，另外一方面，含氟树脂覆盖光学元件部分外表面形成卡扣作用，提高可靠性。

Description

一种紫外光源封装元件

技术领域

本发明涉及一种紫外光源封装元件，具体地为一种紫外LED光源封装元件。

背景技术

发光二极管（英文简称LED），是一种固体半导体发光器件。随着LED 技术的发展，LED 的模组波段逐渐往近紫外甚至深紫外方向发展。众所周之，紫外LED作为新一代绿色光源，具有光效高、寿命长、节能、环保等众多优点，其应用领域越来越广泛，如室内外消毒、背光源、UV打印、医疗、餐饮、植物生长等。但是当前的紫外（UV）LED封装结构，特别是深紫外（DUV）LED封装结构一般采用全无机封装，此种封装结构的光从芯片出射后进入到空气，然后再经过石英玻璃等材质的光学元件透射到外界。整个光路有多次反复的光密介质到光疏介质，而且界面是平面结构，因此存在非常大的全反射现象，对出光效率造成了很大的影响。

为了克服上述技术的不足，如专利文献CN108134007A所提及，现有技术包括从芯片辐射的光经过一折射率比空气高的填充介质，然后经过光学元件透射到外界，通过该设计可以改善全反射造成的影响，提高出光率。

另外目前有一种无定形的氟树脂封装材料，其折射率一般为1.3~1.6，紫外光透射率高，可靠性好，非常有前景的深紫外LED封装材料。然而如CN108134007A提及的封装结构，如图1(a)和1(b)所示，在封装结构中填充的材料为液态，会产生气泡无法排除的问题，该气泡存在密闭的封装结构中，会影响出光效率，且上述结构还存在光学元件在回流焊过程中发生变形的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供如下一种紫外光源封装元件，包括：基架、光学元件和LED芯片；所述基架中央具有凹槽，所述凹槽内的底部固定所述LED芯片；封装胶体填充所述的光学元件下方的凹槽部分，并通过所述的光学元件上的贯通孔结构或光学元件边缘与凹槽内侧壁之间形成的空隙填充至覆盖光学元件的部分上表面。

优选的，所述的封装胶体为含氟树脂；含氟树脂的耐热性以及耐紫外性能优异；更优选的，所述的非氟树脂为非晶型含氟树脂，以提高对紫外的透光性。

优选地，所述的紫外光源LED芯片发光峰值波长为290nm以下。

优选的，所述凹槽内沿着内侧壁形成多个彼此相互分离且等高的台阶或连续的环状的台阶，所述的光学元件的边缘置于所述的台阶上。

优选的，所述的光学元件置于台阶上，台阶与光学元件之间形成一层或多层粘接层；所述的粘接层的粘附力高于含氟树脂。

优选的，所述的光学元件的部分边缘置于台阶上以及部分边缘未置于台阶上，通过未置于台阶上的部分边缘与凹槽内侧壁之间形成的空隙所述含氟树脂填充至覆盖光学元件的部分上表面。

优选的，所述的台阶高于芯片出光面，低于凹槽内侧壁的顶部。

优选的，所述的相互分离的台阶为四个。

优选的，所述的孔为多个。

优选的，所述的孔位于凹槽上，并且所述孔靠近所述的光学元件的边缘；所述的孔结构尺寸为20μm以上，优选的为100μm到1mm之间；所述的尺寸为孔的最大直径；优选的，所述空隙的尺寸为20μm以上，优选的为100μm到1mm之间，所述的尺寸为凹槽侧壁的面到光学元件的边缘之间最大的水平距离，所述的孔的内侧壁具有粗糙度，优选具有粗糙度至少为≥0.2μm。

优选的，所述的光学元件的边缘置于基架顶部的边缘，所述的光学元件与基架顶部的边缘之间形成粘合层。

优选的，所述的光学元件的外表面为弧形的透镜。

优选的，所述的透镜底面为平面，球面球心与LED芯片出光面中心的连线垂直于LED芯片出光面。

优选的，所述的透镜边缘具有平台，优选地所述的平台至少部分上表面或下表面或边缘侧边被粗化处理，具有粗糙度至少为粗糙度≥0.2μm。

优选的，所述的含氟树脂为非晶型含氟树脂，结晶度小于等于10%；优选的，所述的氟树脂的复折射率的虚部小于0.001@300nm。

优选的，所述含氟树脂为全氟基含氧杂环与全氟基烯烃的共聚物。

优选的，所述的含氟树脂的结构单元为含有五元环，且环中含有1或者2个氧；所述的含氟树脂为如下式的结构：

，其中n/(n+m)%的比值介于40-60%之间。

优选的，所述的LED辐射波长为275nm-285nm；所述的基架本体由氮化铝绝缘材料制成。

根据本发明的紫外芯片封装结构，相对于现有技术可以获得以下有益效果：

1、液态的含氟树脂填充到封装体后在固化过程中所包含的空气或产生的气体能够通过孔结构或空隙被有效排除；所述的孔结构或空隙为一个或多个，其中一个孔结构或空隙的尺寸大于20μm；并且通过该结构，能够实现含氟树脂无缝隙地、完全充满芯片光学元件之间，无空气残留，提高出光效果；

2、同时通过光学元件的孔结构或光学元件与凹槽内侧壁之间形成的空隙，实现含氟树脂填充的高度高于光学元件的底面边缘，并覆盖到部分外表面，刚性的含氟树脂在光学元件的边缘与氟树脂之间形成卡扣作用，可以有效提高光学元件在基架表面的固定作用；从而解决光学元件与基架间粘结的问题，增加器件的可靠性，减少全反射，并增加光取出；该结构设计可有效利用在紫外尤其是深紫外UVC发光区域的封装结构上，缓解粘接剂在长期使用中或紫外光照射下发生的老化粘附性变弱导致光学元件容易脱落的问题；

3、基架凹槽内沿着侧壁设置有独立或延续的台阶，台阶的高度高于芯片的高度低于基架的高度，光学元件的边缘可以放在台阶之上，并较佳地设置粘接层在台阶与光学元件之间，以形成对光学元件的支撑。

在本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

附图1(a)和1（b） 为背景技术中提到的一类现有的紫外封装结构示意图；

附图2 为实施例1的紫外封装结构示意图；

附图3-4为实施例1中基架上安装有芯片和光学元件的俯视图；

附图5为实施例1中基架内安装有芯片的结构示意图；

附图6为实施例1中基架内安装有芯片和光学元件的结构示意图；

附图7为实施例2的改进的紫外封装结构的结构示意图；

附图8为实施例3的紫外封装结构示意图；

附图9为实施例4的紫外封装结构示意图；

附图10为实施例1的紫外封装结构中使用的含氟树脂透光率随波长分布曲线图。

附图标记说明：

1.基架；2.正负电极；3.台阶；4.LED芯片;5.含氟树脂;6.光学元件；7.空隙；8.孔。

具体实施方式

下面结合示意图对本发明的紫外LED封装结构进行详细的描述，在进一步介绍本发明之前，应当理解，由于可以对特定的实施例进行改造，因此，本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解，由于本发明的范围只由所附权利要求限定，因此所采用的实施例只是介绍性的，而不是限制性的。除非另有说明，否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。

实施例1

请参考附图2，本实施例提供一种紫外LED封装结构，其包括：基架1、光学元件6和LED芯片4；所述基架1中央具有凹槽，所述凹槽内的底部固定所述LED芯片4；其中所述基架凹槽内填充有含氟树脂5，所述的光学元件6落入凹槽内并位于LED芯片4上方，所述光学元件6的边缘与凹槽的内侧壁之间具有空隙，空隙内填充有含氟树脂5，光学元件6的边缘与凹槽的内侧壁之间具有的空隙实现气泡的排除，含氟树脂5通过空隙覆盖至光学元件的部分上表面以形成卡扣作用。

具体地，所述基架1优选为陶瓷材料一体形成或为底面陶瓷、侧面为金属的组合型结构。为了保证高散热性，可以选择包括诸如陶瓷材料的绝缘材料。陶瓷材料包括被同时共烧的低温共烧陶瓷(LTCC)或者高温共烧陶瓷(HTCC)。支架10的主体材料可以是AIN，并且可以是由具有140 W/(m·K)或者更高的导热性的金属氮化物形成。其中所述的基架1包括中央的凹槽部分，凹槽底部安装有紫外LED芯片结构，紫外LED芯片4为一颗或多颗，凹槽的底部设置有正负电极，LED芯片正负电极通过打线或焊晶的方式连接至凹槽底部的正负电极，正负电极延伸至外部实现电性连接的正负电极。LED芯片4可以是正装或倒装或垂直芯片；LED芯片4为紫外芯片，所述LED芯片置于支架之上，其波长介于200~380nm之间，具体来说可以是长波(代号UVA，波长315~380nm)、中波(UVB，280~315nm)、短波(UVC，200~280nm)，发光波长可以根据实际用途的需要选择，比如用于表面杀菌、表面固化等；紫外LED芯片4的数目可以根据功率需求等因素选择，也可以根据不同的用途在同一个紫外LED封装结构中选择不同波长的紫外LED芯片4，或者搭配至少一个紫外LED芯片4以及其他波长芯片。

所述的光学元件6为外表面弧形，底面平面的透镜结构，如石英玻璃材质，透镜落入凹槽内，并且与凹槽内侧壁之间形成空隙。

所述的含氟树脂5填充至覆盖LED芯片4、凹槽内的底部表面以及至少部分侧表面，且覆盖在所述透镜的边缘以及至少外表面弧形至少部分。优选的所述的弧形透镜的顶面为球形的一部分形成的弧形，弧形的球心位置最好与芯片发光面上的中心点之间的连线垂直于芯片的发光面，以保证光线能够各个角度均匀的从光学元件散射出去。弧形透镜的尺寸相对于芯片的尺寸越大越好，以保证芯片的位置能够更加地接近与球心的位置，芯片辐射出的光线依次到达含氟树脂与弧形透镜、弧形透镜与空气之间的出光界面能够尽量小的角度发射出去，降低反射几率。

所述的含氟树脂为高于空气的折射率，为介于1.3~1.6之间，由于含氟树脂的折射率介于LED芯片外延结构的折射率以及玻璃折射率之间，可以有效降低不同材料界面产生的全反射，提高直接出光率。

所述的含氟树脂为稳定的耐UV辐射且高透光率的树脂，其中所述的稳定的耐UV辐射且高透光率的含氟树脂，更优选为非晶型的含氟树脂。更优选的，所述的含氟树脂可以为单聚物或共聚物，具体地如全氟化烷乙烯基醚共聚物、全氟化烷乙烯基醚共聚物、聚全氟化乙丙烯、乙烯与四氟乙烯共聚物。所构成单聚物或共聚物的结构单元具有含氟脂肪族环结构单元，含氟脂肪族环结构单元更有利于非晶化，透明度高。

所述的含氟树脂的单聚物或共聚物具有含氟脂肪族环结构单元，优选，基于环状含氟单体的单元或通过二烯系含氟单体的环化聚合而形成的单元。具体地，环状含氟单体的单元可以为构成含氟脂肪族环的碳原子间具有聚合性双键的单体或者在构成含氟脂肪族环的碳原子与含氟脂肪族环外的碳原子之间具有聚合性双键的单体。该含氟脂肪族环在其环骨架中也可以具有醚性氧原子(-O-)。此时，含氟脂肪族环中的醚性氧原子的数量优选为1或2。也可以是上述环状含氟单体与此外的其它单体的共聚物。环状含氟单体的比例相对于构成该共聚物的全部重复单元的合计优选为 20摩尔％以上、更优选为40摩尔％以上，也可以是100摩尔％。其它单体可以具体举出后述的二烯系含氟单体、四氟乙烯、三氟氯乙烯、全氟(甲基乙烯基 醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、全氟(丙基乙烯基醚)等。所述二烯系含氟单体是具有2个聚合性双键和氟原子的单体。作为该聚合性双键优选为乙烯基、烯丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基等。作为二烯系含氟单体，优选为下述的化合物。

CF2＝CF-Q-CF＝CF2

式中，Q是可以具有醚性氧原子且氟原子的一部分可以被氟原子以外的卤素原子替换的碳原子数为1～3的全氟亚烷基。

非晶氟树脂既可以是仅二烯系含氟单体由构成的聚合物，也可以是具有上述二烯系含氟单体和此外的其它单体的共聚物。二烯系含氟单体比例相对于构成该共聚物的全部重复单元的合计优选为50摩尔％以上、更优选为80摩尔％以上、最优选为100摩尔％。第一类型的非晶氟树脂的平均分子量优选为3000～1000000、更优选为10000～300000、进一步优选为100000～250000。需要说明的是，作为上述单体的环化聚合方法、均聚方法和共聚方法。

本实施例采用如下一种非晶型含氟树脂：

，其结晶度10%以下,含氟树脂的复折射率的虚部小于0.001@300nm，以保证在紫外甚至深紫外的光源照射下具有更高的透光率，具体地能够保证200nm以上具有90%的透光率，甚至是275-285nm的光源照射下透光率高于95%，且优选n/n+m的比值为40~60%。该类聚合物表现出高温稳定性，疏水性好以及耐化学性，能够在氟化溶剂中具有高溶解度、低溶液粘度的特点。以n/n+m的比值60%为例，其折射率为1.327，玻璃化温度为125℃。图9为该含氟树脂在200nm-800nm之间的透光率测试，可以看出其具有明显高的紫外穿透性，尤其在200nm以上的波长范围内达到90%以上的透光率，在典型的280nm紫外的透光率达到95%以上。

所述的凹槽底部靠着侧壁设置有多个彼此分离且等高的台阶3，所述的台阶3为相同或不同于所述的基架的材料。光学元件6的边缘置于台阶3之上，所述的台阶3高度为大于芯片高度，小于侧壁的高度，所述的台阶3高度调整可以控制芯片与光学元件之间的距离，从而控制光线尽量能够以接近垂直的角度辐射出去。当所述的凹槽为方形时，所述相互分离的台阶数量优选为4个，并且高度等同，即各个方向的凹槽侧壁都有台阶以固定所述的光学元件。所述的光学元件覆盖在台阶上对凹槽内部并没有形成全密闭的空间，而是具有空隙的设置，即光学元件边缘与凹槽的内侧壁之间形成空隙。所述的台阶侧壁可以与基架的材料一致，如氮化铝，也可以是制作为具有比氮化铝更高的反射率的材料制成，如金属。

为了提高牢固性，也可以在所述的光学元件6与台阶3之间形成粘接层，粘接层的粘附性优选高于含氟树脂。此处的粘接层可以为一层或多层材料制成，优选的为一层材料制成，附着力优选大于或等于2MPa，厚度优选分别不超过5μm，优选附着力高于含氟树脂。

更优选的，为了增加光学元件6与氟树脂之间的附着力，防止透镜因震动而脱落的情况，如图3从光学元件外表面侧俯视的封装结构示意图，所述的弧形透镜的边缘具有平台，透镜的部分平台置于台阶3上，增加附着面积；透镜的部分平台未置于台阶3上，在台阶3之间形成悬空的状态，并且此部分平台与凹槽侧壁形成空隙，空隙内填充有含氟树脂，含氟树脂填充至包覆此部分透镜平台与至少部分外表面，以利于透镜下方的含氟树脂的气泡能够通过空隙排至空气中，以及形成卡扣结构。其中图3的虚线区域中的部分即为透镜的平台与凹槽的侧壁之间形成的空隙部分。透镜的平台边缘与凹槽侧壁所在面之间的水平距离最大值至少大于20μm。

更优选的，所述的平台至少部分上表面或下表面或边缘侧边被粗化处理，具有粗糙度至少为粗糙度≥0.2μm，所述粗化处理至少位于平台与台阶之间以提高粘附面积或位于平台与含氟树脂结合的位置，以提高卡扣作用。

更优选的，如图3所示，所述的透镜的平台边缘整体为与透镜弧形形状一致，或如图4所示，所述的透镜的平台边缘为与凹槽的形状相适应，如图4所示意的为方形。

为了获得本实施例的一种封装结构，如图5所示，首先将切割完成的紫外LED芯片4安装在基架1凹槽内底座的金属正负电极2上，其中优选紫外LED芯片为倒装芯片。

接着如图6所示，将顶面为弧形，底面为平面的透镜安装在凹槽侧壁的台阶3上，台阶3与透镜之间通过粘接层粘接。粘接层为常规的粘接树脂做成，且粘接层的粘附性会比含氟树脂的粘附性高。透镜的部分边缘未置于台阶上，以形成透镜与凹槽侧壁之间的空隙7（空隙7如图5虚线圆圈部分所示），以实现未完全密封下方的凹槽部分。

然后，通过透镜与凹槽之间的空隙，将含氟溶剂、优选为非质子性含氟溶剂中溶解上述的非晶氟树脂后的涂布液注入基架凹槽内，以覆盖透镜下方的LED芯片4、底座的金属正负电极2、凹槽空间以及透镜边缘，并且可以覆盖到透镜的弧形部分外表面。一边逐渐对涂布液进行加热一边使溶剂挥发。溶剂的挥发时，为了使树脂内尽量不残留气泡，重要的是从溶剂沸点以下的低温区域(例如室温附近)缓缓加热至溶剂沸点以上的高温区域(例如200℃附近)，使溶剂挥发。

所使用的含氟溶剂的分子量过大时，不仅使涂布液的粘度上升，而且第一类型的非晶氟树脂的溶解性也下降，因此优选为1000以下。另外，为了提高第一类型的非晶氟树脂的溶解性，溶剂的氟含量优选为60～80重量％。

作为非质子性含氟溶剂，可以举出聚氟芳香族化合物、聚氟三烷基胺、 聚氟链烷烃、聚氟环状醚、氢氟醚(HFE)等。这些非质子性含氟溶剂可以单独使用也可以混合使用。

高温固化使溶剂挥发后，冷却至室温，获得的含氟树脂为刚性的状态填充在光学元件下方的空间内，并且通过空隙填充至覆盖光学元件部分上表面，刚性的氟树脂与光学元件的边缘形成卡扣作用，有利于固定光学元件，防止滑动，缓解光学元件因粘接剂老化导致的脱落问题，提高可靠性，光学元件的边缘具有的平台更有利于卡扣作用的牢固性。

实施例2

作为实施例1的变形，如图7所示所述的凹槽底部靠着侧壁设置有连续的环形的台阶3，所述的环形台阶3高度一致，光学元件6的部分边缘置于台阶3之上，所述的台阶3高度为大于芯片高度，低于凹槽侧壁的高度，通过所述的台阶高度的设置，可以有效控制芯片与光学元件之间的距离，从而有效控制出光角尽量能够以接近垂直的角度辐射出去。所述的光学元件与台阶之间形成粘接层，粘接层的材料与含氟树脂材料相同或不同，或粘接层的粘覆性高于含氟树脂。此处的粘接层可以为一层或多层材料制成。所述的光学元件部分边缘未置于台阶上，以对光学元件下方的凹槽内部并没有形成全密闭的空间，即光学元件部分未置于台阶上的边缘与凹槽的内侧壁之间形成空隙7。含氟树脂填充在光学元件下方的凹槽内，并覆盖至光学元件的顶面弧形侧壁上或边缘具有平台的情况，即至少覆盖边缘平台。

实施例3

本实施例提供不同于前面实施例的一种紫外光源封装元件，如图8所示，包括：基架1、光学元件6和LED芯片4；所述基架1中央具有凹槽，所述凹槽内的底部固定所述LED芯片4；所述的光学元件6边缘放置在基架凹槽内的台阶上，所述的光学元件优选边缘具有平台，平台置于台阶上，平台与台阶之间设置有粘接层，粘接层的粘附力优选高于含氟树脂，所述含氟树脂5填充基架凹槽内,所述的光学元件具有孔8，所述含氟树脂填充孔并覆盖孔周围的外表面。通过所述的含氟树脂溢出孔，可以有效地形成光学元件与含氟树脂之间的卡扣作用，以利于光学元件的固定作用；所述的台阶的高度高于芯片的出光面，低于基架顶部的高度；

所述的孔8位于凹槽上方，所述的含氟树脂充满光学元件与芯片之间；

所述的孔8为至少2个，均匀地或非均匀地分布在光学元件上，所述的孔也可以相对地分布于芯片上方的两侧，所述的孔的位置偏离光学元件中心,更靠近光学元件的边缘位置；所述的孔8为圆形或椭圆形或多边形；所述的孔8结构尺寸为大于20μm，优选的为100μm到1mm之间，所述的光学元件6为弧形透镜。所述光学元件的平台与台阶之间接触的位置可以进行粗化以提高结合面积。所述的孔的内侧可以进行粗化处理，具有粗糙度至少为粗糙度≥0.2μm，以提高光学元件与含氟树脂之间的卡扣作用。

实施例4

作为实施例3的一种替代方案，如图9所示，所述的凹槽内侧壁无用于放置光学元件边缘的台阶，所述的光学元件6放置在基架的边缘上，光学元件与基架边缘之间形成粘接层，所述的粘接层可为一层或多层。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (20)

1.一种紫外光源封装元件，包括：基架、光学元件和LED芯片；所述基架中央具有凹槽，所述凹槽内的底部固定所述LED芯片；其特征在于：含氟树脂填充所述的光学元件下方的凹槽部分，并通过所述的光学元件上的贯通孔结构或光学元件边缘与凹槽内侧壁之间形成的空隙填充至覆盖光学元件的部分上表面。

2.根据权利要求1所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的紫外光源LED芯片发光峰值波长为290nm以下。

3.根据权利要求1所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述凹槽内沿着内侧壁形成多个彼此相互分离且等高或环形的台阶，所述光学元件的边缘置于所述的台阶上。

4.根据权利要求3所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的光学元件置于台阶上，台阶与光学元件之间形成一层或多层粘接层。

5.根据权利要求4所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的粘接层的粘附力高于含氟树脂。

6.根据权利要求3或4所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的光学元件的部分边缘置于台阶上以及部分边缘未置于台阶上，通过未置于台阶上的部分边缘与凹槽内侧壁之间形成的空隙所述含氟树脂填充至覆盖光学元件的部分上表面。

7.根据权利要求3所述的一种紫外封装元件，其特征在于，所述的台阶高于芯片出光面，低于凹槽内侧壁的顶部。

8.根据权利要求3所述的一种紫外封装元件，其特征在于，所述的相互分离的台阶为四个。

9.根据权利要求1所述的一种紫外封装元件，其特征在于，所述的孔为多个。

10.根据权利要求1所述的一种紫外封装元件，其特征在于，所述的孔位于凹槽上方，并且所述孔靠近所述的光学元件的边缘。

11.根据权利要求1所述的一种紫外封装元件，其特征在于，所述的孔结构尺寸至少为20μm，孔的内侧壁具有粗化面，优选具有粗糙度至少为≥0.2μm。

12.根据权利要求1所述的一种紫外封装元件，其特征在于，所述的光学元件的边缘置于基架顶部的边缘，所述的光学元件与基架顶部的边缘之间形成粘合层。

13.根据权利要求1所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的光学元件是外表面为弧形的透镜。

14.根据权利要求13所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的透镜底面为平面，球面球心与LED芯片出光面中心的连线垂直于LED芯片出光面。

15.根据权利要求13所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的透镜边缘具有平台，所述的光学元件的部分边缘平台置于台阶上以及部分边缘平台未置于台阶上，通过未置于台阶上的部分边缘与凹槽内侧壁之间形成的空隙所述含氟树脂填充至覆盖光学元件的部分上表面,优选地所述的平台至少部分上表面或下表面或边缘侧边被粗化处理，具有粗糙度至少为粗糙度≥0.2μm。

16.根据权利要求1所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的含氟树脂为非晶型含氟树脂，结晶度小于等于10%。

17.根据权利要求1所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的含氟树脂为全氟基含氧杂环与全氟基烯烃的共聚物。

18.根据权利要求1所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的含氟树脂的复折射率的虚部小于0.001@300nm。

19.根据权利要求1所述的一种紫外光源封装元件，其特征在于，所述的含氟树脂为如下式结构的聚合物：

，其中n/(n+m)%的比值介于40-60%之间。

20.根据权利要求1所述的一种紫外封装元件，其特征在于，所述的LED辐射波长为275nm-285nm。

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