TW201828504A

TW201828504A - 可提供預定視角的發光二極體封裝結構、發光二極體封裝模組、及其成形方法

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Publication number: TW201828504A
Application number: TW106102156A
Authority: TW
Inventors: 簡伊辰; 徐世昌
Original assignee: 光寶光電（常州）有限公司; 光寶科技股份有限公司
Priority date: 2017-01-20
Filing date: 2017-01-20
Publication date: 2018-08-01
Also published as: TWI624968B

Abstract

一種可提供預定視角的發光二極體封裝結構的成形方法，包括至少下列步驟：放置一覆晶式晶片於一承載基板上；填入底膠於所述覆晶式晶片的電極間的空隙以支撐所述覆晶式晶片；雷射剝離所述覆晶式晶片的一成長基板而形成一薄型化晶片，並且外露出的所述薄型化晶片的一磊晶結構；粗化所述薄型化晶片外露的所述磊晶結構；提供一視角調整結構於所述薄型化晶片；以及選定一預定的視角，依據線性迴歸分析的算式調整所述視角調整結構以達成所述預定的視角。

Description

可提供預定視角的發光二極體封裝結構、發光二極體封裝模組、及其成形方法

本發明涉及一種可提供預定視角的發光二極體封裝結構、發光二極體封裝模組、及其成形方法，特別是指一種發光二極體封裝結構具有視角調整結構，以依據線性迴歸分析的算式調整所述視角調整結構以達成所述預定的視角。

一般車用及閃光燈等發光二極體(LED)應用，常需要較小的視角以搭配二次光學透鏡，達到所需的光形及最佳的光利用率。目前多以透鏡的光學設計來調整LED的視角大小，產品通常有薄型化的需求，例如手機閃光燈會使用較薄的菲涅爾透鏡。除了較小的視角外，為符合不同應用的需求，常需要特定的視角用以搭配特定設計的二次光學透鏡。二次光學透鏡在設計上與製造上均增加成本。

塑料電極晶片載體(PLCC)LED或燈泡形(Lamp type)LED是以碗杯設計或封裝體結構設計來控制視角，若要調整視角便需要開發相關的模具，期間花費的時間、設備與成本較高。

模塑成型(Molding type)的LED，透過透鏡的設計或是LED的形狀，可以調整視角。一般為了達到縮小視角的效果，會於LED外圍增加反射牆結構，但反射牆會吸收晶片的側向光，造成亮度下降。

本發明所要解決的技術問題，在於提供一種可提供預定視角的發光二極體封裝結構的成形方法及發光二極體結構，藉由調整視角調整結構的波長轉換層整體厚度、反射牆的反射率及二者相對應的高度，而達成所述預定的視角，使得光學設計的彈性空間更大。

為了能更進一步瞭解本發明為達成既定目的所採取之技術、方法及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明、圖式，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得以深入且具體之瞭解，然而所附圖式與附件僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

100‧‧‧覆晶式晶片

100a‧‧‧第一表面

100b‧‧‧第二表面

10‧‧‧磊晶結構

11‧‧‧緩衝層

12‧‧‧N型半導體層

121‧‧‧上表面

1211‧‧‧角錐

13‧‧‧發光層

14‧‧‧N型接觸墊

15‧‧‧P型半導體層

17‧‧‧P型接觸墊

S‧‧‧空隙

20‧‧‧成長基板

30‧‧‧承載基板

31、32‧‧‧電路結構

40‧‧‧填充層

50、50a、50b‧‧‧波長轉換層

70‧‧‧反射牆

200、200a、200b‧‧‧發光晶片二極體結構

400‧‧‧發光二極體封裝結構

500‧‧‧發光二極體封裝模組

H0‧‧‧磊晶結構厚度

H1‧‧‧波長轉換層頂面至磊晶結構頂面的厚度

圖1為本發明之發光二極體結構的晶片接合示意圖。

圖1A為本發明之覆晶式晶片一種覆晶結構實施例的示意圖。

圖2為本發明之覆晶式晶片黏貼於承載基板的示意圖。

圖3為本發明的覆晶式晶片的剝離流程示意圖。

圖4為本發明的薄型化晶片的粗化磊晶結構的示意圖。

圖4A為本發明圖4中A部分的局部放大示意圖。

圖5為本發明的薄型化晶片貼合波長轉換層的示意圖。

圖5A為本發明的薄型化晶片貼合波長轉換層另一實施例的示意圖。

圖5B為本發明的薄型化晶片貼合波長轉換層又一實施例的示意圖。

圖5C為本發明的薄型化晶片貼合波長轉換層再一實施例的示意圖。

圖6為本發明第一實驗例數據的座標圖。

圖7為本發明依圖4未貼附波長轉換層的0度視角的光形圖。

圖8為本發明具有反射牆的發光二極體封裝結構的示意圖。

圖8A為本發明具有另一種反射牆的發光二極體封裝結構的示意圖。

圖8B為本發明配合圖5C加上反射牆的發光二極體封裝結構的示意圖。

圖9為本發明依據圖8配合反射牆反射率100%的光形圖。

圖10為本發明不同反射牆材料與光線波長的反射率的曲線圖。

圖10A為本發明依第二實驗例實驗數據的座標分佈圖。

圖10B為本發明依第三實驗例實驗數據的座標分佈圖。

圖11為本發明的發光二極體封裝模組的俯視圖。

請參考圖1，為本發明之發光二極體結構的晶片接合示意圖。本發明提供一種發光二極體結構的製造方法，首先，第一步驟是提供一覆晶式晶片100。該覆晶式晶片100具有一成長基板20、以及一形成於該成長基板20上的磊晶結構10、以及至少一對晶片金屬墊14、17形成於該磊晶結構10上，該對晶片金屬墊14、17具有一間隔空隙S。

本實施例的成長基板20可以是藍寶石基板(Sapphire substrate)。覆晶式晶片100具有彼此相對地的一第一表面100a(如圖1的上側)及一第二表面100b(如圖1的下側)，第一表面側為生長基板20，第二表面側具有至少一P型接觸墊(P-contact pad)17及至少一N型接觸墊(N-contact pad)14作為電極，且該兩接觸墊(14，17)之間具有間隔空隙S。

請參閱圖1A，每一覆晶式晶片100的磊晶結構10形成在成長基板20上表面，磊晶結構10包含有緩衝層11、N型半導體層12、發光層13、及P型半導體層15。其中緩衝層11可以是未摻雜的氮化鎵(undoped-GaN)，N型半導體層12可以是N型的氮化鎵，發光層13可以是多層量子井(MQW,multiple quantum well)的半導體結構；P型半導體層15可以是P型的氮化鎵。N型接觸墊(N-contact pad)14連接N型半導體層12，P型接觸墊(P-contact pad)17連接P型半導體層15。更進一步的說，該相隔的空隙S亦延伸至相對應的P型半導體層15與N型半導體層12之間。

上述磊晶結構10的層狀結構僅為一舉例說明。本發明不限制於上述磊晶結構10的層狀結構，例如，可以省略緩衝層11，直接將N型半導體層12形成於成長基板20上。此外，P型半導體層15可以額外再形成一金屬層、或透明電極層…等，然後再形成上述P型接觸墊17。

請再參閱圖1，將本發明的覆晶式晶片100接合於一承載基板30，承載基板30具有電路結構31、32，作為電極的N型接觸墊14與P型接觸墊17接觸於電路結構31、32。然後再將底膠材料填入N型接觸墊14與P型接觸墊17之間的空隙S。電路結構31、32可以依據設計需要，延伸至承載基板30的底面或其他位置。

如圖2所示，為本發明之覆晶式晶片接合於基板的示意圖。本實施例的底膠材料填入於覆晶式晶片100與承載基板30之間的空隙S，而形成一填充層40。

其中，要注意的是，本實施例的填充層40除填入N型接觸墊14與P型接觸墊17之間的空隙S外，較佳的亦填入覆晶式晶片100的第二表面100b與承載基板30之間所有空間，以期達到覆晶式晶片100藉由填充層40能有效地獲得承載基板30支撐。換言之，填充層40需接觸覆晶式晶片100的第二表面100b以及承載基板30的上表面，且環繞N型接觸墊14、P型接觸墊17以及電路結構31、32外圍。再者，填充層40亦可延伸至磊晶結構10的位置。

如圖3所示，為本發明的覆晶式晶片的剝離流程示意圖。本發明第二流程，對該覆晶式晶片100的成長基板20進行雷射剝離(laser lift off,LLO)，也就是形成本發明之無成長基板20的一薄型化晶片，亦可稱為薄膜覆晶式晶片。較佳是以晶片等級進行雷射剝離，可避免晶圓等級的雷射剝離所產生的過大的應力，其使整片晶圓嚴重翹曲。舉例而言，本實施例可以使用紫外光雷射，如波長248nm的氪氟準分子雷射(KrF excimer laser)。其優點在於氮化鎵(GaN)對248nm氪氟準分子雷射的吸收係數較高，雷射能量大多在界面就被吸收完畢。相較之下，氮化鎵(GaN)對波長355nm的摻釹釔鋁石榴石固態雷射(Nd：YAG laser)的吸收係數較小，雷射穿透深度深，導致大多缺陷都在材料內部形成。

上述雷射剝離流程，具體舉例如下，當成長基板20為藍寶石基板時，首先，聚焦於緩衝層11，本實施例為氮化鎵層，以適當的雷射能量剝離藍寶石基板，如750至1100mJ(微焦耳)。以45密耳(Mil)覆晶式晶片為例，950mJ(微焦耳)即能完全剝離。能量不足會使藍寶石基板剝離不完全導致發光層破損。再者，雷射光束大小須略大於欲剝除的覆晶式晶片尺寸，較佳的，邊長範圍比覆晶式晶片多40微米(um)以上。以45密耳(Mil)的覆晶式晶片為例，邊長1143微米(um)，每邊預留60微米(um)左右，雷射束大小可為1260微米(um)，確保樣品完全受雷射輻照。補充說明，由於雷射光源之能量呈高斯分布，若有能量不均，可能造成晶片破損，因此可依情況調整光源位置。

如圖4及圖4A所示，為本發明的薄型化晶片的粗化磊晶結構的示意圖，圖4A為圖4中A部分的放大圖。本發明第三流程，.為粗化因剝離成長基板20後外露的磊晶結構10的一半導體層；其中上述半導體層為N型半導體層12，本實施例為N型氮化鎵層。粗化半導體層的流程，包括下列步驟：以鹼性氫氧化物進行濕式蝕刻，直到半導體層的上表面121生成的角錐1211佔表面積20%以上。必要時，其中上述濕式蝕刻的流程還包括以紫外光或熱能輔助蝕刻，以增加形成角錐。

本實施例，舉例說明，其中上述濕式蝕刻的流程包括下列步驟，浸泡已移除成長基板20的覆晶式晶片100於3M(體積莫耳濃度mol/L)的氫氧化鉀(KOH)的溶液中10分鐘以上，以氫氧離子粗化N型半導體層12的表面。然後，取出該覆晶式晶片100，並以去離子水超音波震盪一預定時間，例如10分鐘。若有殘餘的鎵金屬粒子，可被濃度更高的氫氧化鉀(KOH)或酸類，例如鹽酸(HCl)清除。

請參閱圖5，為本發明的薄型化晶片的貼合波長轉換層的示意圖。本發明第四流程，為接合一可透光的波長轉換層50於上述薄型化晶片的磊晶結構10。依圖1A的實施例，也就是位於磊晶結構10頂面的N型半導體層12。因而形成一發光二極體封裝結構200。本實施例的波長轉換層50為一具有波長轉換材料的透光層，如螢光粉片。本發明的波長轉換層50可以是螢光粉片或包含波長轉換材料的膠材。

舉例而言，上述接合該波長轉換層50的流程包括以螢光粉片貼合於該磊晶結構10上，也就是說，螢光粉片貼合於如圖1A所示的該磊晶結構10的N型半導體層12上，一種較佳實施例，其中螢光粉片可以是螢光粉末與膠體、陶瓷或玻璃製成混合的片狀，螢光粉片固化後硬度大於蕭氏(Shore)硬度D40，厚度可控制於60微米(μm)至350微米(μm)之間。尺寸可大於或等於薄型化晶片的磊晶結構10。一種實際的作法，以固晶機台貼片，約120g輕壓薄型化晶片(由覆晶式晶片100移除成長基板20)確保完整貼合。

舉例而言，就膠材而言，其中上述黏貼該波長轉換層的流程包括以膠材直接覆蓋於該磊晶結構10上。一種實際的作法，可以將具有波長轉換材料的膠材覆蓋薄型化晶片(亦即已移除成長基板20的覆晶式晶片)所有外露表面，包含磊晶結構10的上表面121及其四個側面。如圖5A所示，波長轉換層50a延伸至磊晶結構10的兩側，完全蓋住磊晶結構10，而形成發光晶片二極體結構 200a。此外，因膠材會直接接觸覆晶式晶片100，需要使用耐熱與耐光的膠材，如折射率1.4的矽膠。

請參閱圖5B，為本發明的覆晶式晶片貼合波長轉換層又一實施例的示意圖。與上述實施例不同之處在於，發光晶片二極體結構200b的波長轉換層50b的寬度大致等於磊晶結構10的寬度。請再參閱圖5C，為本發明的覆晶式晶片貼合波長轉換層再一實施例的示意圖。本實施例的發光晶片二極體結構200b的波長轉換層50b的寬度大致等於磊晶結構10的寬度，另外，填充層40進一步延伸大致覆蓋於上述磊晶結構10的側邊。此外，本實施例的填充層40較佳的是不透明的底膠材料，框住薄型化晶片的發光層。不透明的底膠材料可以縮小整體視角，具有控制視角的功能，膠材可使用矽膠或環氧樹脂，較佳為白色底膠材料可維持亮度。綜上各種實施例，本發明的波長轉換層的寬度可以大於或等於磊晶結構10的寬度。

本實施例經過移除成長基板20，以Epistar 45密耳(mil)覆晶式晶片為例，藍光晶片本身的視角約為130度，若移除成長基板20，厚度可減少約140μm，減少光的折射與散射，磊晶結構10也就是晶片的發光層厚度(參圖5A的H0)僅約8~10μm，視角可達約117度。另外，由於厚度小於10μm，藍光幾乎只剩正向發光，大部分藍光皆可被波長轉換層轉換為白光。此外，移除成長基板20後，具有波長轉換材料的波長轉換層50,50a,50b可加強整體結構，並且可藉由控制可透光的波長轉換層的寬度避免發光層13的藍光漏出。

本實施例的特點之一在於，藉由利用控制上述波長轉換層50的厚度，進而改變發光二極體封裝結構200的整體視角。進一步根據預期的視角製造所需要視角的發光二極體封裝結構200。上述波長轉換層可視為視角調整結構。

本實施例依圖5A的結構進行實驗，以EPISTAR(晶元光電公司)45密耳(mil)覆晶式晶片經過雷射剝離成長基板為例，其中H0代表移除成長基板20後的磊晶結構10厚度，約10μm；H1代表波長轉換層頂面至磊晶結構10頂面的厚度。其中H0+H1的厚度，以H表示波長轉換層整體厚度，等於由波長轉換層50a頂面至磊晶結構10的底面的厚度。請參下列第一實驗例的表1：

由上述表1，隨著波長轉換層的厚度增加，視角跟著增大。波長轉換層整體厚度由350μm調整至60μm時，視角可由133.7度達到120.4度。上述視角的量測是依光形圖最大的光強度的50%的範圍，其中對照例，為依圖4未貼附波長轉換層的0度視角光形圖參圖7。如圖6所示，為本發明依上述表1畫出第一實驗例數據的座標圖，可分析視角(View angle)與波長轉換層整體厚度之間的關係大致呈線性關係。本發明依據線性迴歸分析(linear regression)，根據自變數X(波長轉換層整體厚度)和因變數Y(視角)的相關關係，建立X與Y的線性迴歸方程進行預測的方法，可以整理得著下列關係式：算式一：視角=117°+0.05×波長轉換層整體厚度(H)

綜上，本發明可以依據上述線性迴歸方程，依據發光二極體封裝結構的產品所需要的視角，貼附相對應的波長轉換層的厚度在磊晶結構10，即可達成。藉此可以避免多餘的試驗。

請參閱圖8，為本發明具有反射牆的發光二極體封裝結構的示意圖。此流程，可稱為白牆成型流程。除了上面實施例的波長轉換層50，本實施例以與磊晶結構10等大的波長轉換層50、及反射牆70形成發光二極體封裝結構400。反射牆70包覆磊晶結構10與波長轉換層50，反射牆70與波長轉換層50頂面等高或略高10~50μm，可覆蓋或不覆蓋波長轉換層50頂面。一種實施的方法，例如，將白色樹脂以模塑方式包覆磊晶結構10與波長轉換層50的周圍，減小視角。其優點在於，白色樹脂可作為反射杯，且因晶片的發光層只剩10μm，反射杯結構對側向光影響甚小，能在亮度不減的結構下縮小視角。上述波長轉換層50及反射牆70可視為視角調整結構。

本實施例的優點之一在於利用反射牆70的不同反射率，以調整發光二極體封裝結構400的整體視角。具體的實驗如下：控制反射牆的反射率可調整整體的視角大小，以0%反射率至100%反射率為例，分別以四種反射牆材料攙入不同比例的反射顆粒，而形成編號矽樹脂1-4的試驗樣本。

本發明的第二實驗例，以反射牆70與波長轉換層50頂面等高(如圖8所示)；本發明的第三實驗例，以反射牆70高於波長轉換層50頂面(如圖8A或圖8B所示，其中圖8A是配合圖5的結構，圖8B是配合圖5C的結構)，其中反射牆70高於波長轉換層50頂面10~50μm即可縮小視角；反射牆的反射率越高時(大於70%)，影響越明顯。

本發明依據圖8配合反射牆反射率100%，經過量測後，視角可由142.0度縮小至115.3度，其中115.3度請參圖9的光形圖。整理成下列表2，具有反射牆的發光二極體封裝結構的視角實驗表格。

上述表2中反射牆材料的顏色、以及對於光線波長449nm的反射率各自如下：矽樹脂1顏色為透明(transparent)、反射率0%；矽樹脂2顏色為灰白(gray-white)、反射率74.7%；矽樹脂3顏色為類白(off-white)、反射率89.1%；矽樹脂4顏色為白色(white)、反射率100%。

請參閱圖10，上述反射牆70的反射率，本實施例的編號矽樹脂2~4為板狀厚度0.5mm的實驗樣品，選擇光線波長449nm。實際上可以適用於大於波長425nm以上，即有明顯的差異。波長大於450nm光線，矽樹脂3~4的反射率開始降低。

請參閱圖10A，為本發明依第二實驗例實驗數據的座標分佈圖。由第二實驗例的座標圖，可分析視角與反射牆的反射率之間的關係大致呈線性關係。本發明依據線性迴歸分析，根據自變數X(反射牆的反射率，R)和因變數Y(視角)的相關關係，建立X與Y的線性迴歸方程進行預測的方法，可以整理得著下列關係式：算式二：視角=141.8-0.2709×反射牆的反射率%

再者，請參閱圖10B，為本發明依第三實驗例實驗數據的座標分佈圖。反射牆70高於波長轉換層50頂面20μm。由第三實驗例的座標圖，可分析視角與反射牆的反射率之間的關係大致呈線性關係。本發明依據線性迴歸分析，根據自變數X(反射牆的反射率)和因變數Y(視角)的相關關係，建立X與Y的線性迴歸方程進行預測的方法，可以整理得著下列關係式：算式三：視角=141.9-0.2809×反射牆的反射率%

由表2，反射牆70的反射率100%時，反射牆與波長轉換層頂面的高度差20μm可減少視角1.2至1.3度。反射牆70的反射率愈高，視角減少愈明顯。本發明另外測試，高度差50μm時減少約2度，兩者之間相差約0.7至0.8。為使反射牆達到最佳的縮小視角效果，略高的反射牆70結構需緊鄰波長轉換層50頂面。

綜上，本發明可以依據上述線性迴歸分析所獲得算式進行預測，依據發光二極體封裝結構的產品所需要的視角，以相符合的反射率的反射牆圍繞在磊晶結構10及波長轉換層50，即可達成。藉此可以避免多餘的試驗。

本實施例該覆晶式晶片100經過雷射剝離該成長基板後，或稱薄型化晶片，其包含磊晶結構10及作為電極的接觸墊。因厚度減薄，側向光驟減，光形更為集中。分別以不同應用所需的光照角度做為比較基準，例如投影機應用只需±10度的光，臉部辨識需±40度內的光，照明應用需±60度內的光。以藍光晶片為例，移除成長基板後即可於±10度內有3%光強度(luminous intensity,candlepower,I)增加。光強度的單位為坎德拉(candela,cd)=lm/sr(立體角內之光通量[lm]/立體角Ω[sr])

以封裝後的白光元件為例，移除成長基板之後的光強也有增加，而略高反射牆結構可使光形更為集中。較薄的厚度也有助於光形的集中。以不同反射率的反射牆做比較，反射率高的反射牆於小角度時有較高的光強，證明高反射率的反射牆可使光形更為集中。依據第一實驗例的表1，量測不同光照角度的光強度(%)如下表3，第一實驗例的光強度表。

此外，依據第二及第三實驗例的表2，量測不同光照角度的光強度(%)如下表4，光強度表。

此外，依據第二及第三實驗例的表2，量測不同光照角度的光強度(%)如下表5，光強度表。以不同反射率的反射牆做比較，反射率高的反射牆於小角度時有較高的光強，證明高反射率反射牆可使光形更為集中。

再者，依據上述實施例，積分視角內的光強度面積為分母，±40度以內為分子，比值越大表示其光形越集中於±40度以內。顯示本發明的發光二極體結構相當具有實用性。

為量化其集中度，定義±10度的光強度佔23~27%，10~40度內的光強度佔50~53%。因此可見，本發明的發光二極體封裝結構發出的光在光照角度±40度的光強度總和與在視角角度以內的光強面積比值大於0.7；其中0~10度，比值0.23~0.27；其中10~40度，比值0.50~0.53。

請再參閱圖11，為本發明的發光二極體封裝模組的俯視圖。本發明還可應用於一種發光二極體封裝模組的成形方法，與上述實施例的差異在於，將數個覆晶式晶片以陣列的方式放置於一承載基板30上，例如圖示2x2的陣列，但數量不限於此。先將該些數個覆晶式晶片的電極分別與承載基板30上的相對應電路結構接合，之後類似於上述發光二極體封裝結構的成形方法，經過填入底膠、雷射剝離、粗化磊晶結構的步驟，然後再個別將可透光的波長轉換層50置於上述薄型化晶片的磊晶結構。最後，形成反射牆70以環繞每一所述波長轉換層50與每一所述薄型化晶片，而形成一發光二極體封裝模組500。

必要時，可以沿著圖11中的虛線切割上述發光二極體封裝模組500，而形成多個發光二極體封裝結構400(如圖8、8A、8B所示)。

本發明的特點及功能在於，藉由控制波長轉換層的厚度，進而改變發光二極體封裝結構的整體視角根據期望的視角，依線性迴歸分析所獲得算式進行預測，製造所需要視角的發光二極體封裝結構。此外，藉由控制反射牆的反射率，可調整發光二極體封裝結構的整體的視角大小。本發明在LED本身的視角與厚度上加以調整，可使光學設計的彈性空間更大。

以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

Claims

一種可提供預定視角的發光二極體封裝結構的成形方法，包括：放置一覆晶式晶片於一承載基板上；填入底膠於所述覆晶式晶片的電極間的空隙以支撐所述覆晶式晶片；雷射剝離所述覆晶式晶片的一成長基板而形成一薄型化晶片，並且外露出所述薄型化晶片的一磊晶結構；粗化所述薄型化晶片外露的所述磊晶結構；提供一視角調整結構於所述薄型化晶片；以及選定一預定的視角，依據下列其中一算式調整所述視角調整結構以達成所述預定的視角；算式一：視角=117°+0.05×波長轉換層整體厚度；其中所述視角調整結構包括一波長轉換層，所述波長轉換層貼附於所述磊晶結構；其中所述波長轉換層整體厚度是由波長轉換層頂面至所述磊晶結構的底面的厚度；或算式二：視角=141.8-0.2709×反射牆的反射率%；其中視角調整結構包括一波長轉換層及一反射牆，所述反射牆包覆所述磊晶結構與所述波長轉換層；其中反射牆與波長轉換層頂面等高；或算式三：視角=141.9-0.2809×反射牆的反射率%；其中視角調整結構包括一波長轉換層及一反射牆，所述反射牆包覆所述磊晶結構與所述波長轉換層；其中反射牆高於波長轉換層的頂面。
如請求項1所述的可提供預定視角的發光二極體封裝結構的成形方法，其中依據算式一，所述波長轉換層延伸至所述磊晶結構的兩側，完全所述蓋住所述磊晶結構。
如請求項1所述的可提供預定視角的發光二極體封裝結構的成形方法，其中所述波長轉換層的寬度大於或等於所述磊晶結構的寬度。
如請求項1所述的可提供預定視角的發光二極體封裝結構的成形方法，其中依據算式三，所述反射牆超過所述波長轉換層的頂面10~50μm。
如請求項1所述的可提供預定視角的發光二極體封裝結構的成形方法，其中所述承載基板具有電路結構，所述覆晶式晶片的所述電極電性接觸於所述承載基板的所述電路結構。
一種可提供預定視角的發光二極體封裝結構，其係利用請求項1方式所形成。
一種發光二極體封裝結構，包含：一承載基板，具有電路結構；一薄型化晶片位於所述承載基板上，所述薄型化晶片具有一磊晶結構、及位於其底面的成對電極，所述電極接觸於所述電路結構；一底膠，位於所述薄型化晶片的所述電極間的空隙以支撐所述薄型化晶片；一波長轉換層，至少覆蓋於所述薄型化晶片的所述磊晶結構上；以及一反射牆，環繞所述波長轉換層與所述薄型化晶片，其中該反射牆的反射率大於70%，並且高於所述波長轉換層頂面10~50μm。
如請求項7所述的發光二極體封裝結構，其中所述底膠為一不透光材料。
如請求項7所述的發光二極體封裝結構，其中上述發光二極體結構發出的光在光照角度±40度的光強度總和與在視角角度以內的光強面積比值需大於0.7；其中0~10度，比值0.23~0.27；其中10~40度，比值0.50~0.53。
一種可提供預定視角的發光二極體封裝模組的成形方法，包括：放置數個覆晶式晶片於一承載基板上；填入底膠於每一所述覆晶式晶片的電極間的空隙以支撐所述覆晶式晶片；雷射剝離每一所述覆晶式晶片的一成長基板而形成一薄型化晶片，並且外露出每一所述薄型化晶片的一磊晶結構；粗化每一所述薄型化晶片外露的所述磊晶結構；提供一視角調整結構於每一所述薄型化晶片；以及選定一預定的視角，依據下列其中一算式調整所述視角調整結構以達成所述預定的視角；算式一：視角=117°+0.05×波長轉換層整體厚度；其中所述視角調整結構包括一波長轉換層，所述波長轉換層貼附於所述磊晶結構；其中所述波長轉換層整體厚度是由波長轉換層頂面至所述磊晶結構的底面的厚度；或算式二：視角=141.8-0.2709×反射牆的反射率%；其中視角調整結構包括一波長轉換層及一反射牆，所述反射牆包覆所述磊晶結構與所述波長轉換層；其中反射牆與波長轉換層頂面等高；或算式三：視角=141.9-0.2809×反射牆的反射率%；其中視角調整結構包括一波長轉換層及一反射牆，所述反射牆包覆所述磊晶結構與所述波長轉換層；其中反射牆高於波長轉換層的頂面。
一種發光二極體封裝模組，包括：一承載基板，具有電路結構；數個薄型化晶片置於所述承載基板上，每一所述薄型化晶片具有一磊晶結構、及位於其底面的成對電極，所述電極接觸於所述電路結構；一底膠，位於每一所述薄型化晶片的所述電極間的空隙以支撐所述薄型化晶片；一波長轉換層，至少覆蓋於每一所述薄型化晶片的所述磊晶結構上；以及一反射牆，環繞每一所述波長轉換層與每一所述薄型化晶片，其中該反射牆的反射率大於70%，並且高於所述波長轉換層頂面10~50μm。
如請求項11所述的發光二極體封裝模組，其中所述波長轉換層的寬度大於或等於所述磊晶結構的寬度。