CN114335302B - 紫外发光装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种紫外发光装置,包括紫外发光组件、固定架组件和透镜;紫外发光组件包括紫外LED芯片和电连接件,电连接件用于将紫外LED芯片电连接于外部电路;固定架组件包括固定台和围坝,围坝围设于固定台的四周边缘,并与固定台共同形成容置槽,紫外LED芯片和电连接件均设置于容置槽内并固定于固定台的表面;透镜的底面覆盖于容置槽的开口处,且透镜的底面的四周边缘固定于围坝;透镜的底面与紫外LED芯片之间具有间隙,间隙内填充氟基树脂层。该紫外发光装置的封装胶能够更好的抵抗紫外线的照射,且该紫外发光装置的发光效率较高。

Description

紫外发光装置
技术领域
本申请涉及发光半导体技术领域,尤其涉及一种紫外发光装置。
背景技术
紫外光依据波段通常可以划分为:UVA波段(波长范围320-400nm)、UVB波段(波长范围280-320nm)、UVC波段(波长范围200-280nm)以及真空紫外VUV(波长范围10-200nm)。例如基于三族氮化物(Ⅲ-nitride)材料的紫外LED(UV LED)在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景。相比较传统紫外光源汞灯,具备环保、小巧便携、低功耗、低电压等诸多众所周知的优点,近年来受到越来越多的关注。但由于紫外线的波长较短,光子能量高,在很多材料中都有严重的吸收,此外在照射大多数有机材料时,会破坏材料的化学键,使材料发生黄化、开裂等现象,导致材料性能劣化。因此在紫外LED芯片的封装中,无法用传统的硅胶或者环氧树脂填充在支架内包覆芯片的方式进行封装。
目前常用的解决方式是将透镜用粘接胶或者共晶焊的方式粘接在支架上,形成一个支架内部中空的封装体。即不采用灌封胶填充支架,仅采用少量有机胶或者共晶焊粘接透镜的封装方式,称为无机封装或者半无机封装。
然而,上述封装方式虽然避免了紫外线在传统封装材料中的吸收以及紫外线长期照射对封装材料的劣化,但由于支架内部为中空结构,紫外LED芯片的界面材料三氧化二铝及氮化铝镓都是折射率较高的材料,紫外LED芯片发出的光在穿过紫外LED芯片与空腔内部的空气的界面时,由于折射率差,在界面上存在严重的全反射现象,导致光线无法逸出,进而致使紫外LED芯片的辐射效率降低,自身发热问题较为严重,严重影响了产品的使用寿命。
发明内容
本申请提供了一种紫外发光装置,该紫外发光装置的封装胶能够更好的抵抗紫外线的照射,同时能够保证该紫外发光装置较高的发光效率。
本申请提供的紫外发光装置,包括紫外发光组件、固定架组件和透镜;紫外发光组件包括紫外LED芯片和电连接件,电连接件用于将紫外LED芯片电连接于外部电路;固定架组件包括固定台和围坝,围坝围设于固定台的四周边缘,并与固定台共同形成容置槽,紫外LED芯片和电连接件均设置于容置槽内并固定于固定台的表面;透镜的底面覆盖于容置槽的开口处,且透镜的底面的四周边缘固定于围坝;透镜的底面与紫外LED芯片之间具有间隙,间隙内填充氟基树脂层。
作为一种可能的实施方式,氟基树脂层同时覆盖于紫外LED芯片面向透镜的一侧表面及紫外LED芯片的周向侧壁。
作为一种可能的实施方式,覆盖于紫外LED芯片的周向侧壁的氟基树脂层与围坝的内壁之间具有间隔。
作为一种可能的实施方式,氟基树脂层的厚度小于或等于100um。
作为一种可能的实施方式,氟基树脂层的材质为全氟基树脂。
作为一种可能的实施方式,围坝的高度高于紫外LED芯片的厚度。
作为一种可能的实施方式,紫外LED芯片的厚度为20~600um。
作为一种可能的实施方式,围坝的表面与透镜相接触的区域形成向下凹陷的固定槽,固定槽的槽底贴合于透镜的底面的边缘,且固定槽的侧壁抵靠于透镜的侧缘。
作为一种可能的实施方式,透镜为平面透镜或半球形凸透镜,围坝的轮廓与透镜的边缘形状相适应。
作为一种可能的实施方式,透镜的底面镀有MgF2介质膜。
本申请提供了一种紫外发光装置,包括紫外发光组件、固定架组件、透镜;紫外发光组件包括紫外LED芯片和电连接件,电连接件用于将紫外LED芯片电连接于外部电路;固定架组件包括固定台和围坝,围坝围设于固定台的四周边缘以与固定台共同形成容置槽,紫外LED芯片和电连接件均设置于容置槽内并固定于固定台的表面;透镜的底面覆盖于容置槽的开口处,且透镜的底面的四周边缘固定于围坝;透镜的底面与紫外LED芯片之间具有间隙,间隙内填充氟基树脂层。该紫外发光装置的封装胶能够更好的抵抗紫外线的照射,且该紫外发光装置的发光效率较高。
除了上面所描述的本申请实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外,本申请提供的紫外发光装置所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果,将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种紫外发光装置的整体结构示意图;
图2为本申请实施例提供的第一种紫外发光装置的俯视图;
图3为本申请实施例提供的第一种紫外发光装置的对照样品的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的第二种紫外发光装置的整体结构示意图;
图5为本申请实施例提供的第二种紫外发光装置的俯视图;
图6为本申请实施例提供的第二种紫外发光装置的另一种整体结构示意图;
图7为本申请实施例提供的第二种对照样品的结构示意图。
附图标记说明:
100a,100b-紫外发光装置;100c,100d-封装体;
110-紫外发光组件;111-紫外LED芯片;112-电连接件;1121-焊盘;1122-引脚;
120-固定架组件;121-固定台;122a,122b-围坝;1221-固定槽;123-容置槽;
130-透镜;130a-半球形凸透镜;130b-平面透镜;
140-氟基树脂层。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。
首先,本领域技术人员应当理解的是,这些实施方式仅仅用于解释本申请的技术原理,并非旨在限制本申请的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其作出调整,以便适应具体的应用场合。
其次,需要说明的是,在本申请的描述中,术语“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系,这仅仅是为了便于描述,而不是指示或暗示装置或构件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,还需要说明的是,在本申请的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是两个构件内部的连通。对于本领域技术人员而言,可根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是:在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。其中,“上”、“下”等的用语,是用于描述各个结构在附图中的相对位置关系,仅为便于叙述的明了,而非用以限定本发明可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当亦视为本发明可实施的范畴。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
目前,紫外LED发光装置在在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景。但由于紫外线的波长较短,光子能量高,因此在紫外LED芯片的封装中,紫外光线的照射会导致封装材料发生黄化、开裂等现象,从而导致材料性能劣化,无法用传统的硅胶或者环氧树脂填充在支架内包覆芯片的方式进行封装。为了解决该问题,目前常采用的方式是将透镜用粘接胶或者共晶焊的方式粘接在支架上,形成一个支架内部中空的封装体,即不采用灌封胶填充支架,仅采用少量有机胶或者共晶焊粘接透镜的封装方式。然而,此种封装方式虽然避免了紫外线长期照射对封装材料的劣化,但由于支架内部为中空结构,紫外LED芯片发出的光在穿过紫外LED芯片与空腔内部的空气的界面时存在严重的全反射现象,进而致使紫外LED芯片的辐射效率降低。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案以及本发明的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。需要说明的是,下面这几个具体的实施例可以相互结合,对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图,对本发明的实施例进行描述。
图1为本申请实施例提供的第一种紫外发光装置的整体结构示意图;图2为本申请实施例提供的第一种紫外发光装置的俯视图;图3为本申请实施例提供的第一种紫外发光装置的对照样品的结构示意图;图4为本申请实施例提供的第二种紫外发光装置的整体结构示意图;图5为本申请实施例提供的第二种紫外发光装置的俯视图;图6为本申请实施例提供的第二种紫外发光装置的另一种整体结构示意图;图7为本申请实施例提供的第二种对照样品的结构示意图。
鉴于上述问题,本申请提供了一种紫外发光装置,如图1-图2所示,包括紫外发光组件110、固定架组件120和透镜130。紫外发光组件110包括紫外LED芯片111和电连接件112,电连接件112用于将紫外LED芯片111电连接于外部电路。具体的,该电连接件112包括焊盘1121和引脚1122,紫外LED芯片111通过芯片电极与焊盘1121形成电连接,并通过引脚1122与外部电路(例如插座等)电连接。
固定架组件120包括固定台121和围坝122,围坝122围设于固定台121的四周边缘,并与固定台121共同形成容置槽123,紫外LED芯片111和电连接件112均设置于容置槽123内并固定于固定台121的表面,预置电路可以布设于固定台121的内部;透镜130的底面覆盖于容置槽123的开口处,且透镜130的底面的四周边缘固定于围坝122。可以理解的是,围坝122的功能是用于支撑透镜130,从而将透镜130固定于紫外LED芯片111的上方。而透镜130和围坝122共同起到密封紫外LED芯片111的作用。
透镜130的底面与紫外LED芯片111之间具有间隙,间隙内填充氟基树脂层140。氟基树脂层140的作用是占据透镜130的底面与紫外LED芯片111的之间的间隙,以挤出间隙中空气。需要说明的是,氟基树脂层140应当无缝填满整个间隙。
值得注意的是,若间隙内无氟基树脂层140填充,则间隙内具有空气层,由紫外LED芯片111发射出的紫外光的传播路径为紫外LED芯片111-空气-透镜130-空气(可参考图3),紫外光线由芯片进入空气介质层时容易发生全反射,导致紫外光线无法射出,大大降低紫外发光装置100的光萃取率。光提取效率是指在LED内部,由电能激发的产生光子没有全部发射出去,只有部分光子通过折射离开器件,其他光子在内部不断反射,最终被吸收。实际发出的光能与产生的光能的比值即为光萃取效率。
而若在间隙中填充氟基树脂层140,由紫外LED芯片111发射出的紫外光的传播路径为紫外LED芯片111-氟基树脂层140-透镜130-空气,相比较于空气,氟基树脂的折射率约为1.35,氟基树脂在紫外波段有高的透射率,因而氟基树脂层140更有利于紫外线由紫外LED芯片111的表面逸出。
另一方面,氟基树脂层140的作用是固定透镜130与紫外LED芯片111,以达到更好的密封效果。且与传统的环氧树脂相比较,氟基树脂层140在紫外光线的照射下不容易发生黄化、开裂等现象,密封可靠性更强。
本实施方式提供的紫外发光装置100,通过设置透镜130和围坝122的组合结构,并在透镜130与紫外LED芯片111之间填充氟基树脂层140,实现对紫外LED芯片111更为可靠的密封效果,同时,有助于提高紫外发光装置100的光萃取效率。
在一种可选的实施方式中,如图1-图2所示,氟基树脂层140同时覆盖于紫外LED芯片111面向透镜130的一侧表面及紫外LED芯片111的周向侧壁。需要说明的是,紫外LED芯片111的不仅在顶部具有出光面,其周向侧壁同样可以作为出光面,为了进一步提升紫外LED芯片111的光萃取效率,可以考虑在紫外LED芯片111的周向侧壁同样覆盖氟基树脂层140,以利于侧面的紫外光线溢出。另一方面,氟基树脂层140包覆于紫外LED芯片111的整个表面,能够紫外LED芯片111起到较好的密封作用,能够更好地保护紫外LED芯片111。
可选的,如图1所示,覆盖于紫外LED芯片111的周向侧壁的氟基树脂层140与围坝122的内壁之间具有间隔,是指氟基树脂层140的厚度具有一定的限制,并未将容置槽123全部填充满,这样一方面可以减少氟基树脂的用量降低成本,另一方面由于氟基树脂容易收缩脱离透镜130,控制氟基树脂层140的厚度可以尽量避免其收缩脱落的问题。
此外,氟基树脂层140的厚度小于或等于100um。需要说明的是,紫外LED芯片111和透镜130底面之间的间隙的距离在0~100um。若间隙的距离太宽,则不方便氟基树脂层140的填充,但若间隙太窄,不容易挤掉其中的空气,因而该间隙主要控制在一定的范围内,综合考虑到固定架组件120、芯片的尺寸及加工难度,较佳的距离在10um~50um之间。相应的,氟基树脂的厚度应当与此范围相适应,以保证氟基树脂能够无缝填充于该间隙之中。
可能的,氟基树脂层140的材质为全氟基树脂,即全氟(1-丁烯基乙烯醚)聚合物(perfluoro(1-butenyl vinyl ether)polymer,CYTOP)。全氟基树脂是一种非结晶高透明的含氟聚合物,其光谱透过率较高,光色散弱,在室温下具有良好的溶解性和成膜性能。全氟基树脂溶解于特定溶剂后可采用旋转涂布、浸渍涂布、喷涂、挤压涂布等方式涂覆在基材上。此种材料能够较好地抵抗紫外线的照射,且能够提升紫外发光装置100的发光效率。
在其中一种实施方式中,如图1所示,围坝122的高度高于紫外LED芯片111的厚度。可以理解的是,围坝122的一方面作用是支撑透镜130和保护紫外LED芯片111,另一方面可以通过调节围坝122相对于紫外LED芯片111的高度,调节透镜130与紫外LED芯片111之间的间隙宽度。如前面所述,若透镜130与紫外LED芯片111的距离太近,则不便于排出间隙内的空气,因而若设置透镜130与紫外LED芯片111之间具有一定距离,则可以通过设置围坝122的高度高于LED芯片的厚度来实现。
相应的,综合考虑整个装置的稳定性即工艺的难度,可选择紫外LED芯片111的厚度为20~600um。较佳的可以选择厚度为80~400um的紫外LED芯片111。
紫外LED芯片111的个数可以为一个,也可以为多个。且可以选择倒装紫外LED芯片111,因为倒装紫外LED芯片111没有焊线,减少占据的空间,从而方便控制芯片和透镜130之间的间隙的宽度。
对于围坝122与透镜130的固定方式,示例性的,如图1所示,围坝122的表面与透镜130相接触的区域形成向下凹陷的固定槽1221,固定槽1221的槽底贴合于透镜130底面的边缘,且固定槽1221的侧壁抵靠于透镜130的侧缘。可以理解的是,固定槽1221对透镜130的边缘起到限位作用,固定槽1221的侧壁与侧缘相抵接,使得透镜130固定的更加牢靠,且使得围坝122与固定槽1221的密封效果更好。
上述固定槽1221的具体形状可以为台阶状,如图1所示,台阶的端部朝向容置槽123的一侧敞开设置,台阶的侧壁抵靠于透镜130的侧缘。上述固定槽1221还可以设置为U型凹槽,透镜130的底部边缘相应可以设置固定凸部,该固定凸部伸入固定槽1221内以实现透镜130的固定。
透镜130与固定槽1221之间可以通过固定胶进行密封,因为此处紫外光照射的相对较弱,例如可以选择硅基树脂作为密封胶层,以降低成本。
可选的,如图1和图4所示,透镜130为平面透镜130b或半球形凸透镜130a,围坝122的轮廓与透镜130的边缘形状相适应。
需要说明的是,若透镜130为平面透镜130b,则可以起到密封并保护芯片的作用,防尘防水。而若透镜130为半球形凸透镜130a,则由于半球形凸透镜130可以调节紫外LED芯片111出射的紫外光的角度,起到对紫外光的汇聚作用,因而可以提高光萃取效率,提升紫外发光装置100的出光效率。而围坝122的轮廓与透镜130的边缘形状相适应可以达到较好的密封效果。
为了增加透镜130的强度,放置透镜130遭遇磕碰时容易发生损坏,可以选择透镜130为蓝宝石或者石英材质,这类材质强度较大,不容易破坏。
进一步的,由于氟基材料的表面能较低,与其他材料的粘接力不足,可以在透镜130的底面上蒸镀介质膜如MgF2镀层,如此设置一方面可以增加透镜130与氟基树脂层140的结合力,另一方面可以提高紫外光的出光效率。
此外,固定台121和围坝122的材质可以选择氮化铝或氧化铝陶瓷,还可以选择环氧塑封料EMC、聚对苯二甲酸环己撑二亚甲基酯树脂PCT、聚邻苯二甲酰胺PPA塑料。
以下将通过两个具体的示例对本申请提供的紫外发光装置100的结构及性能进行详细说明。
在第一种示例中,如图1-图2所示为本申请提供的一种紫外发光装置100a,其透镜130为半球形凸透镜130a,且半球形凸透镜130a的平整的底面朝向紫外LED芯片111,围坝122a的轮廓与半球形凸透镜130a的形状相适应。固定台121上设置有两个焊盘1121,芯片通过焊盘1121与固定台121上的预置电路形成电连接。半球形凸透镜130a的底面与紫外LED芯片111的上表面之间的间隙内填充有氟基树脂层140,且氟基树脂层140同时覆盖紫外LED芯片111的侧壁。
本示例中,选择尺寸为3.9mmX3.9mm的陶瓷氮化铝固定架组件120,围坝122a的高度选择设置为400um。紫外LED芯片111采用长宽1mmX1mm,厚度为360um的倒装芯片。透镜130采用发光角度约为30°的石英半球形凸透镜130a,半球形凸透镜130a底部中心位置蒸镀MgF2介质膜,用以提高结合力。半球形凸透镜130a与紫外LED芯片111之间填充氟基树脂层140的厚度可以由芯片厚度和围坝122a高度进行确定,本示例中填充的氟基树脂层140厚度约为40um。
本示例中提供的紫外发光装置100a的制作工艺步骤如下:
1)制作固定架组件120。通过光刻、电镀、腐蚀、通孔等工艺,在固定台121表面形成两个焊盘1121,并在固定台121表面的四周边缘上制作围坝122a。
2)固晶。用固晶机探针蘸助焊剂点在链两个焊盘1121上;用吸嘴将紫外LED芯片111依然放置在固定台121上,并将紫外LED芯片111正负电极与第一、第二焊盘1121对齐;将放置完紫外LED芯片111的固定台121通过回流炉,在温度作用下,紫外LED芯片111正负极与分别两个焊盘1121形成共晶,将紫外LED芯片111固定于固定台121的焊盘1121完成电路电性连接。
3)点填充胶。用点胶机在紫外LED芯片111上点氟基树脂,利用重力和胶水流动性,覆盖于紫外LED芯片111正面和侧面。完成粘接和密封。
4)点围坝胶,安装半球形凸透镜130a。用点胶机在围坝122a上点硅基树脂,然后将石英半球形凸透镜130a放置在围坝122a上。通过吸嘴压力和时间设置,使半球形凸透镜130a、硅胶、围坝122a良好连接,并挤压氟基树脂,使半球形凸透镜130a与紫外芯片之间充满氟基树脂。
5)固化。将完成步骤(1)至(4)的固定台121放入烤箱中,在60℃烘烤2小时,再放入130℃烘烤8小时,将硅基树脂和氟基树脂层140完全固化,将半球形凸透镜130a固定在固定台121上。
需要说明的是,不同温度分段固话可以避免胶水收缩太快造成与被固定结构的脱离。
另外,为了表征本示例中提供的紫外发光装置100a的性能优势,图3中示出了本示例的对比例。需要说明的是图3中对比例的材料和工艺方法与图1中本示例完全一致,区别仅在于,对比例中在紫外LED芯片111和半球形凸透镜130a之间的间隙内未填充氟基树脂。
按照示例一的尺寸制作尺寸为3.9mmX3.9mm的对比例封装体100c,如图3所示,在350mA直流电点亮,并将点亮的封装体100c放入积分球测试系统中测试辐射通量,测试数据对比如下:
从上表中可以看出,示例一与对比例相比,紫外光萃取效率提高了约40%。
同时为了验证本方案的可靠性,将示例一和对比例同时采用350mA点亮,进行寿命测试。经过1000H后,观察示例一的样品,氟基树脂无开裂、变色和分层现象。测试辐射通量光衰与对比例无明显差别。由此证明采用氟基树脂对紫外发光装置100a的出光效率的提升和寿命的延长具有明显的效果。
在第二种示例中,如图4-图6所示,示例二提供的紫外发光装置100b与示例一的区别仅在于采用平面透镜130b,同时围坝122b的轮廓与平面透镜130b的形状相适应。其它结构不再赘述。
需要说明的是,图4和图6的区别是氟基树脂层140的注入方向不同,导致其成膜的形状出现差异,其中图6中的氟基树脂层140与平面透镜130b的粘结面更大,与平面透镜130b之间具有更好的固定效果。
本示例中,选择尺寸为3.5mmX3.5mm的陶瓷氮化铝固定架组件120,围坝122b的高度选择设置为200um。紫外LED芯片111采用长宽0.25mmX0.5mm,厚度为180um的倒装芯片。平面透镜130b采用发光角度约为平面的石英平面透镜130b,平面透镜130b底部中心位置蒸镀MgF2介质膜,用以提高结合力。平面透镜130b与紫外LED芯片111之间填充氟基树脂层140的厚度可以由芯片厚度和围坝122b高度进行确定,本示例中填充的氟基树脂层140厚度约为20um。
示例二提供的紫外发光装置100b的制作工艺步骤与示例一类似,仅在制作过程中注意调整不同的结构参数即可,在此不再赘述。
另外,如图7所示,同样按照示例二的尺寸制作尺寸为3.5mmX3.5mm的对比例封装体100d,测试方式和测试结论与示例一类似,在此不再详细列举。
本申请提供了一种紫外发光装置100,包括紫外发光组件110、固定架组件120和透镜130;紫外发光组件110包括紫外LED芯片111和电连接件112,电连接件112用于将紫外LED芯片111电连接于外部电路;固定架组件120包括固定台121和围坝122,围坝122围设于固定台121的四周边缘,并与固定台121共同形成容置槽123,紫外LED芯片111和电连接件112均设置于容置槽123内并固定于固定台121的表面;透镜130的底面覆盖于容置槽123的开口处,且透镜130的底面的四周边缘固定于围坝122;透镜130的底面与紫外LED芯片111之间具有间隙,间隙内填充氟基树脂层140。该紫外发光装置100的封装胶能够更好的抵抗紫外线的照射,且该紫外发光装置的发光效率较高。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种紫外发光装置,其特征在于,包括紫外发光组件、固定架组件和透镜;所述紫外发光组件包括紫外LED芯片和电连接件,所述电连接件用于将所述紫外LED芯片电连接于外部电路;所述固定架组件包括固定台和围坝,所述围坝围设于所述固定台的四周边缘,并与所述固定台共同形成容置槽,所述紫外LED芯片和所述电连接件均设置于所述容置槽内并固定于所述固定台的表面;所述透镜的底面覆盖于所述容置槽的开口处,且所述透镜的底面的四周边缘固定于所述围坝;
所述透镜的底面与所述紫外LED芯片之间具有间隙,所述间隙内填充氟基树脂层,所述透镜的底面镀有MgF2介质膜;
所述氟基树脂层呈固态,所述氟基树脂层同时覆盖于所述紫外LED芯片面向所述透镜的一侧表面及所述紫外LED芯片的周向侧壁;
覆盖于所述紫外LED芯片的周向侧壁的所述氟基树脂层与所述围坝的内壁之间具有间隔,该间隔在10um~50um之间;
其中紫外发光装置的制作步骤如下:
(1)制作固定架组件,在固定台表面形成两个焊盘,并在固定台表面的四周边缘上制作围坝;
(2)固晶,将紫外LED芯片放置在固定台上,并通过回流炉,在温度作用下,紫外LED芯片的正负极分别与两个焊盘形成共晶,将紫外LED芯片固定于固定台的焊盘上,完成电路电性连接;
(3)点填充胶,在紫外LED芯片上点氟基树脂,覆盖于紫外LED芯片正面和侧面,完成粘接和密封;
(4)点围坝胶,在围坝上点硅基树脂,然后将透镜放置在围坝上,使透镜、硅胶、围坝之间形成连接,并挤压氟基树脂,使半球形凸透镜与紫外芯片之间的缝隙内充满氟基树脂;
(5)固化,将上述固定台放入烤箱中,在60℃烘烤2小时,再放入130℃
烘烤8小时,硅基树脂和氟基树脂层完全固化后,将透镜固定在固定台上。
2.根据权利要求1所述的紫外发光装置,其特征在于,所述氟基树脂层的厚度小于或等于100um。
3.根据权利要求1或2所述的紫外发光装置,其特征在于,所述氟基树脂层的材质为全氟基树脂。
4.根据权利要求1所述的紫外发光装置,其特征在于,所述围坝的高度高于所述紫外LED芯片的厚度。
5.根据权利要求4所述的紫外发光装置,其特征在于,所述紫外LED芯片的厚度为20~600um。
6.根据权利要求5所述的紫外发光装置,其特征在于,所述围坝的表面与所述透镜相接触的区域形成向下凹陷的固定槽,所述固定槽的槽底贴合于所述透镜的底面的边缘,且所述固定槽的侧壁抵靠于所述透镜的侧缘。
7.根据权利要求4-6任一项所述的紫外发光装置,其特征在于,所述透镜为平面透镜或半球形凸透镜,所述围坝的轮廓与所述透镜的边缘形状相适应。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101079464A (zh) * 2006-05-22 2007-11-28 优志旺电机株式会社 紫外线发光元件封装
KR20180129719A (ko) * 2018-11-27 2018-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
CN110915006A (zh) * 2018-11-19 2020-03-24 泉州三安半导体科技有限公司 一种紫外光源封装元件
CN211605189U (zh) * 2020-04-30 2020-09-29 厦门市信达光电科技有限公司 一种紫外led封装结构
WO2021049291A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 豊田合成株式会社 紫外光照射装置
CN112670388A (zh) * 2020-12-24 2021-04-16 江西省晶能半导体有限公司 Uvcled灯珠及其制备方法
CN113193098A (zh) * 2021-05-27 2021-07-30 深圳市芯晶宇净化科技有限责任公司 一种紫外led封装结构及其制作方法
CN215266358U (zh) * 2021-06-30 2021-12-21 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 一种深紫外发光二极管

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101079464A (zh) * 2006-05-22 2007-11-28 优志旺电机株式会社 紫外线发光元件封装
CN110915006A (zh) * 2018-11-19 2020-03-24 泉州三安半导体科技有限公司 一种紫外光源封装元件
KR20180129719A (ko) * 2018-11-27 2018-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
WO2021049291A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 豊田合成株式会社 紫外光照射装置
CN211605189U (zh) * 2020-04-30 2020-09-29 厦门市信达光电科技有限公司 一种紫外led封装结构
CN112670388A (zh) * 2020-12-24 2021-04-16 江西省晶能半导体有限公司 Uvcled灯珠及其制备方法
CN113193098A (zh) * 2021-05-27 2021-07-30 深圳市芯晶宇净化科技有限责任公司 一种紫外led封装结构及其制作方法
CN215266358U (zh) * 2021-06-30 2021-12-21 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 一种深紫外发光二极管

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