TW202043389A - 電子零件及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種氟樹脂密封構件的耐熱變形性良好的電子零件的製造方法。藉由具有如下步驟的方法來製造電子零件：利用氟樹脂覆蓋裝配於配線基材的電子元件的步驟；以及對覆蓋電子元件的所述氟樹脂照射放射線的步驟。所述氟樹脂較佳為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。所述放射線較佳為電子束。所述電子束的加速電壓較佳為50 kV以上。所述電子束的照射能量較佳為以吸收線量計為20 kGy以上。

Description

電子零件及其製造方法

本發明是有關於一種電子零件與其製造方法。

於包括發光二極體（Light Emitting Diode，LED）等電子元件的電子零件中，為了防止電子元件的劣化，大多利用環氧樹脂或矽酮樹脂對該電子元件進行密封，亦有利用氟樹脂進行密封的例子。

例如，非專利文獻1中記載有：具有CF₃ 末端的全氟(4-乙烯基氧基-1-丁烯)（perfluoro(4-vinyloxy-1-butene)，BVE）系聚合物對於深紫外線的耐久性優異，因此可用於深紫外AlGaN系LED的密封中。另外，專利文獻1中揭示有：利用非晶質氟樹脂密封紫外線發光元件而成的紫外線發光裝置。專利文獻2中揭示有：於LED元件的密封中使用至少包含四氟乙烯（Tetrafluoroethylene，TFE）、六氟丙烯（Hexafluoropropylene，HFP）及偏二氟乙烯（Vinylidene Fluoride，VdF）的氟聚合物（THV）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2014/178288號 [專利文獻2]日本專利特開2009-51876號公報 [非專利文獻]

[非專利文獻1]永井晶子等人，「具有使用藉由詳細可行性研究來選擇的樹脂的半球形密封結構的高耐久AlGaN系深紫外LED多晶片陣列的發展」，「日本應用物理學期刊」（Shoko Nagai et al., “Development of highly durable deep-ultraviolet AlGaN-based LED multichip array with hemispherical encapsulated structures using a selected resin through a detailed feasibility study”, Japanese Journal of Applied Physics）（2016年，55卷，082101）

[發明所欲解決之課題] 且說，電子元件有時根據其種類或使用狀態而發熱，作為其一例，已知有發出深紫外線的LED元件。另一方面，密封劑中使用的氟樹脂通常為熱塑性樹脂，存在因自元件發出的熱而變形的情況。因此，本發明的目的在於提供一種氟樹脂密封構件的耐熱變形性良好的電子零件。 [解決課題之手段]

可解決所述課題的本發明的電子零件及其製造方法包含以下構成。 [1]一種電子零件的製造方法，具有：利用氟樹脂覆蓋裝配於配線基材的電子元件的步驟；以及 對覆蓋電子元件的所述氟樹脂照射放射線的步驟。 [2]如[1]所述的製造方法，其中所述氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。 [3]如[1]或[2]所述的製造方法，其中所述放射線為電子束。 [4]如[3]所述的製造方法，其中所述電子束的加速電壓為50 kV以上。 [5]如[3]或[4]所述的製造方法，其中所述電子束的照射能量以吸收線量計為20 kGy以上。 [6]一種電子零件，其為具有配線基材、以及作為密封部而填充到該配線基材的氟樹脂的電子零件， 於將所述電子零件以所填充的氟樹脂與空氣的界面為下的狀態在溫度150℃下保持60小時時，由下述式（1）算出的平均變形率V小於1.30， 平均變形率V=（R_S ×R_d ）^1/2 （1） （式中，R_S 表示將密封部的每單位正面投影面積中的自配線基材突出的氟樹脂的側面投影面積設為標準化面積時，保持後的該標準化面積相對於保持前的該標準化面積的比，R_d 表示將密封部的每單位正面投影面積中的自配線基材突出的氟樹脂的高度設為標準化高度時，保持後的該標準化高度相對於保持前的該標準化高度的比；將電子零件的電子元件安裝面或電子元件安裝預定面稱為電子零件的正面，將與該電子元件安裝面或電子元件安裝預定面正交的面稱為側面）。 [7]如[6]所述的電子零件，其中所述氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種氟樹脂密封構件的耐熱變形性良好的電子零件。

本發明是有關於一種電子零件的製造方法，具有：利用氟樹脂覆蓋裝配於配線基材的電子元件的步驟；以及對覆蓋電子元件的所述氟樹脂照射放射線的步驟。 （1）電子元件 作為所述電子元件，通常為半導體，可列舉電晶體、二極體等，較佳為半導體二極體。作為半導體二極體，較佳為發光二極體，特佳為紫外線發光二極體（以下，亦存在稱為紫外線發光元件的情況）。若利用環氧樹脂或矽酮樹脂對紫外線發光二極體進行密封，則因紫外線而樹脂的劣化加劇，相對於此，若利用氟樹脂進行密封，則可抑制樹脂的劣化。另外，紫外線發光二極體的發熱劇烈，有密封部產生熱變形的擔憂，但根據本發明，可使密封部的耐熱變形性良好。

圖1是表示所述紫外線發光元件的一例的概略剖面圖。作為電子元件的紫外線發光元件2為覆晶型（flip chip type）元件，於下側表面的一部分包括陽極側的p電極10，於該p電極10上形成有p層12。進而，於紫外線發光元件2的下側表面的另一部分包括陰極側的n電極11，於n電極11上形成有n層14。該些n電極11與n層14較所述p電極10與p層12而言更向上方偏移地形成，在存在於上方的n層14與存在於下方的p層12之間形成有活性層13。此外，在較存在於上方的n層14更靠上而存在元件基板15。

紫外線發光元件2中的n層14例如可列舉含Si的AlGaN層。p層12例如可列舉含Mg的GaN層。該p層12視需要亦可與電子阻擋層等形成積層結構。活性層13例如可列舉AlGaN層。

藉由自p電極10、p層12朝向n層14、n電極11流通前向電流，而產生與活性層13中的能帶隙能量（band gap energy）相應的發光。藉由調整活性層13的例如AlN莫耳分率，可於GaN與AlN可取得的能帶隙能量（約3.4 eV與約6.2 eV）的範圍內控制能帶隙能量，可獲得發光波長為約200 nm至約365 nm的紫外線發光。

再者，元件基板15可使用藍寶石基板、氮化鋁基板等。作為p電極10的原材料，可使用Ni/Au，作為n電極11的原材料，可使用Ti/Al/Ti/Au等。另外，為了防止短路，p電極10與n電極11之間的露出面亦可由SiO₂ 等保護絕緣膜（未圖示）被覆。

紫外線發光元件2的發光峰值波長可於200 nm～365 nm的範圍內適宜設定，較佳為300 nm以下。藉由發光峰值波長為300 nm以下，容易發揮殺菌效果，因此可於殺菌用的發光裝置中使用紫外線發光元件2。發光峰值波長更佳為280 nm以下。

（2）配線基材 配線基材為於表面形成有電極配線的基材，有時稱為封裝體。該配線基材可為表面安裝型、晶片板（chip on board）型的任一種，較佳為於安裝電子元件的面形成有凸塊。配線基材的基材可使用氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al₂ O₃ ）等陶瓷。

圖2是表示於表面安裝型配線基材安裝有圖1的紫外線發光元件的狀態的概略剖面圖。圖2的紫外線發光元件安裝配線基材6中，經由金屬製的凸塊5，將紫外線發光元件2的p電極10、n電極11與基材4上的未圖示的配線以可分別電連接的方式加以固定。再者，如上所述，本發明中亦可使用晶片板型的配線基材，並不限定於圖示例。

（3）氟樹脂 於本發明中，如上所述，藉由利用氟樹脂覆蓋裝配於配線基材的電子元件而密封電子元件。本說明書中，所謂「氟樹脂」，是指包含氟的烯烴的聚合物或其改質物，所述改質物例如包含在主鏈末端鍵結有-OH或-COOH等極性基的物質。作為氟樹脂，就維持電子零件的性能的觀點而言，較佳為於側鏈不具有-SO₃ H基等極性基的氟樹脂，例如可列舉：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物（tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer，PFA）、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物（tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer，FEP）、氯三氟乙烯聚合物（PCTFE（聚氯三氟乙烯，polychlorotrifluoroethylene））、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer，THV）等結晶性氟樹脂；特氟隆（Teflon）AF（商標；三井-科慕氟產品（Mitsui-Chemours Fluoroproducts）公司製造）、賽托譜（CYTOP）（商標；AGC公司製造）等非晶質氟樹脂等，該些氟樹脂可使用一種，亦可併用兩種以上。作為所述氟樹脂，更佳為結晶性氟樹脂，進而佳為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV）。結晶性氟樹脂、尤其是四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV樹脂）對於基材或電子元件的密接性優異。

作為所述THV樹脂，較佳為包含源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V，且構成單元T相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（T）為0.25以上，構成單元V相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（V）為0.60以下的樹脂。藉此，可提高對於紫外線發光元件的發熱的耐熱性、以及對於紫外線發光裝置的基材等的密接性。

構成單元T相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（T）較佳為0.25以上。藉此，有密接性提高的傾向。因此，構成單元T的莫耳比（T）的下限更佳為0.28以上，進而佳為0.30以上。另一方面，就透明性的觀點而言，構成單元T的莫耳比（T）的上限較佳為0.75以下，更佳為0.60以下，進而佳為0.50以下。

構成單元V相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（V）較佳為0.60以下。藉此，有密接性提高的傾向。因此，構成單元V的莫耳比（V）的上限較佳為0.58以下，更佳為0.56以下。另一方面，構成單元V的莫耳比（V）的下限較佳為0.20以上。藉此，對於有機溶媒的溶解性提高，因此於對紫外線發光元件進行密封時，可減少樹脂組成物的塗佈次數。因此，構成單元V的莫耳比（V）的下限更佳為0.30以上，進而佳為0.40以上，進而更佳為0.50以上。

構成單元H相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（H）較佳為0.05以上且0.50以下。就溶解性的觀點而言，構成單元H的莫耳比（H）的下限更佳為0.07以上，進而佳為0.09以上。另一方面，就耐熱性的觀點而言，構成單元B的莫耳比（H）的上限更佳為0.40以下，進而佳為0.30以下，進而更佳為0.20以下。

莫耳比（V）相對於莫耳比（T）的比（莫耳比（V）/莫耳比（T））較佳為0.20以上且3.50以下。藉由將莫耳比（V）/莫耳比（T）控制為所述範圍，而有密接性提高的傾向。另外，可防止高溫加熱時的樹脂的著色。莫耳比（V）/莫耳比（T）的下限更佳為0.50以上，進而佳為1.00以上，進而更佳為1.30以上。另一方面，莫耳比（V）/莫耳比（T）的上限更佳為3.00以下，進而佳為2.50以下，進而更佳為2.00以下。

莫耳比（H）相對於莫耳比（T）的比（莫耳比（H）/莫耳比（T））較佳為0.10以上且0.80以下。藉由將莫耳比（H）/莫耳比（T）控制為所述範圍，而有密接性提高的傾向。莫耳比（H）/莫耳比（T）的下限更佳為0.20以上，進而佳為0.24以上，進而更佳為0.28以上。另一方面，莫耳比（H）/莫耳比（T）的上限更佳為0.60以下，進而佳為0.50以下，進而更佳為0.40以下。

氟樹脂的各構成單元的莫耳比可藉由後述實施例中記載的核磁共振（Nuclear Magnetic Resonance，NMR）測定來求出。於算出莫耳比時，例如可參照：埃里克B.吐溫等人，「源自偏二氟乙烯（VDF）-六氟丙烯（HFP）-四氟乙烯（TFE）的三元共聚物的多維19F NMR分析」，「大分子」（Eric B. Twum et al., “Multidimensional 19F NMR Analyses of Terpolymers from Vinylidene Fluoride (VDF)-Hexafluoropropylene (HFP)-Tetrafluoroethylene (TFE)”, Macromolecules）（2015年，48卷，11號，p.3563-3576）。

所述THV樹脂亦可為包含構成單元T、構成單元H、以及構成單元V以外的其他構成單元的樹脂。作為其他構成單元，例如可列舉：源自乙烯的構成單元、源自全氟烷基乙烯基醚的構成單元、源自氯三氟乙烯的構成單元等。

相對於所述THV樹脂的所有構成單元的、構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計莫耳比較佳為0.70以上，更佳為0.80以上，進而佳為0.90以上，特佳為0.95以上，最佳為1。即，最佳為並未改質的THV樹脂。藉此，可容易提高耐熱變形性。

所述氟樹脂（較佳為所述THV樹脂）的重量平均分子量較佳為50,000以上且1,000,000以下。藉由將重量平均分子量設為50,000以上，可提高熔解時的黏度，因此可抑制LED點燈時的密封樹脂的形狀變化。所述氟樹脂（較佳為所述THV樹脂）的重量平均分子量的下限更佳為100,000以上，進而佳為200,000以上，進而更佳為250,000以上，特佳為300,000以上。另一方面，藉由將所述氟樹脂（較佳為所述THV樹脂）的重量平均分子量設為1,000,000以下，溶解性變良好。所述氟樹脂（較佳為所述THV樹脂）的重量平均分子量的上限更佳為800,000以下，進而佳為500,000以下，進而更佳為450,000以下，特佳為400,000以下。再者，重量平均分子量為標準聚苯乙烯換算值。

於所述氟樹脂為共聚物的情況下，該共聚物可為無規共聚物、或嵌段共聚物的任一種，較佳為無規共聚物。尤其是，藉由將THV樹脂設為無規共聚物樹脂，可抑制構成單元T或構成單元V的結晶度，容易確保透明性。

所述氟樹脂的折射率較佳為超過1.34，更佳為1.35以上，進而佳為1.36以上。藉此，可減小後述的發光元件（較佳為紫外線發光元件）與密封部的折射率的差，可減少發光元件與密封部的界面處的全反射，提高光取出效率。再者，所謂光取出效率，為將發光元件中所產生的光取出至發光元件的外部的效率。另一方面，氟樹脂的折射率的上限例如可為1.45以下，較佳為1.40以下。折射率可使用目錄值或通常的物性表中記載的數值，亦可利用阿貝（Abbe）折射率計、橢圓儀等進行測定。

所述氟樹脂的加熱變形溫度較佳為90℃以上且278℃以下。藉由加熱變形溫度為90℃以上，可防止因電子元件的發熱而導致的密封構件的熔融、變形，另外，容易藉由放射線照射來提高耐熱變形性。氟樹脂的加熱變形溫度的下限更佳為100℃以上，進而佳為110℃以上，進而更佳為115℃以上。另一方面，由於作為通常的焊料材料的Au-Sn（20質量%）的熔點為278℃，因此藉由樹脂的加熱變形溫度為278℃以下，可容易進行基於氟樹脂的加熱熔融的電子元件的密封。另外，可防止藉由加熱熔融進行密封時的後述的凸塊的熔融。氟樹脂的加熱變形溫度的上限更佳為200℃以下，進而佳為170℃以下，進而更佳為150℃以下，特佳為130℃以下。此處，所謂加熱變形溫度，於結晶性樹脂的情況下為熔點，於非晶性樹脂的情況下為玻璃轉移點。於基於加熱熔融的電子元件的密封中，在結晶性樹脂的比例為50質量%以上的樹脂片的情況下，較佳為將樹脂片加熱到熔點以上，在非晶性樹脂的比例多於50質量%的樹脂片的情況下，較佳為將樹脂片加熱到玻璃轉移點以上。本發明的氟樹脂的熔點或玻璃轉移點可藉由如下方式來求出：使用示差掃描熱量計（DSC，日立高科技科學（Hitachi High-Tech Science）股份有限公司製造），以10℃/分鐘的升溫速度自-50℃變化至200℃的溫度，並根據藉此獲得的DSC（示差掃描量熱法（differential scanning calorimetry））曲線（於熔點的情況下為熔解曲線）測定中間玻璃溫度或熔解峰值溫度（Tm）。例如，作為結晶性樹脂的3M公司製造的「THV500GZ」的加熱變形溫度（熔點）為165℃左右，3M公司製造的「THV221AZ」的加熱變形溫度（熔點）為115℃左右，作為非晶性樹脂的AGC公司製造的「賽托譜（CYTOP）（註冊商標）」的加熱變形溫度（玻璃轉移點溫度）為108℃左右。另外，本發明中適宜地使用的結晶性氟樹脂在室溫下為固體，密封後的表面並無黏性，硬度亦充分，進而藉由加熱至加熱變形溫度（熔點）以上可顯現出適度的流動性，因此，非常有效的是於電子元件的密封中應用。

所述氟樹脂視需要可製成包含填料、以及其他成分的樹脂組成物。藉由氟樹脂組成物含有填料，可防止氟樹脂的熱分解。再者，樹脂組成物中，氟樹脂較佳為基質成分或主成分，樹脂組成物中的氟樹脂的含量例如為40質量%以上，較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而佳為70質量%以上，亦可為100質量%。

作為填料，例如可列舉：金屬、金屬氟化物、金屬氧化物、金屬磷酸鹽、金屬碳酸鹽、金屬磺酸鹽、金屬硝酸鹽、金屬氮化物、氮化硼等無機填料。填料可使用一種，亦可併用兩種以上。較佳的填料為金屬氟化物。金屬氟化物與氟樹脂的折射率差小，對發光元件進行密封時，可提高光的取出效率。

作為金屬氟化物，可列舉：氟化鈣、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鎂、氟化鈉、冰晶石等，較佳為氟化鎂。該些金屬氟化物可使用一種，亦可併用兩種以上。

無機填料的粒徑較佳為300 μm以下。藉由無機填料為300 μm以下，可減少氟樹脂的伴隨溫度上升的變色。無機填料的粒徑更佳為200 μm以下，進而佳為100 μm以下，進而更佳為50 μm以下，進而尤佳為30 μm以下，特佳為20 μm以下。另一方面，無機填料的粒徑較佳為0.5 μm以上。藉由將無機填料的粒徑設為0.5 μm以上，可抑制樹脂與填料間的光的散射，樹脂的透明性優異。無機填料的粒徑的下限更佳為1 μm以上，進而佳為5 μm以上。所謂該無機填料的粒徑，為利用雷射繞射法而獲得的體積累計頻率為50%的粒子徑D₅₀ 。

本發明的氟樹脂與無機填料的折射率的差較佳為0.05以下。藉由如此減少折射率的差，可抑制無機填料的表面（組成物中的無機填料的表面與氟樹脂的界面）中的光的散射，因此可提高光取出效率。本發明的氟樹脂與無機填料的折射率的差更佳為0.04以下，進而佳為0.03以下。另一方面，本發明的氟樹脂與無機填料的折射率的差的下限並無特別限定，例如可為0.001以上。本發明的無機填料的折射率可使用目錄值或通常的物性表中記載的數值，亦可利用阿貝折射率計、橢圓儀等進行測定。

於氟樹脂含有填料的情況下，相對於氟樹脂以及填料的合計100質量份的填料的量較佳為1質量份以上且60質量份以下。藉由填料的量為1質量份以上，可容易防止氟樹脂的熱分解。填料的量的下限更佳為10質量份以上，進而佳為15質量份以上。另一方面，藉由填料的量為60質量份以下，容易發揮氟樹脂的密接性。填料的量的上限更佳為50質量份以下，進而佳為45質量份以下。

含有填料的氟樹脂組成物可藉由將氟樹脂與無機填料混合來製備。作為製備方法，例如有如下方法等：將熔融狀態的氟樹脂與填料混合並進行冷卻的方法；在溶解或分散氟樹脂的溶媒的存在下將氟樹脂與無機填料混合的方法；於所述溶媒存在下的混合後，藉由過濾、濃縮等去除溶媒的方法。

作為溶媒，可列舉：乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、丙酸乙酯、對二醇醚加成乙酸基而成的二醇酯等酯系溶媒；丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶媒；二乙基醚、二丙基醚、丁基醚、二醇醚、四氫呋喃等醚類系溶媒；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二丁基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶媒；N-甲基-2-吡咯啶酮等內醯胺系溶媒等。其中，較佳為酯系溶媒、酮系溶媒、醚系溶媒，更佳為酯系溶媒。該些有機溶媒可使用一種，亦可併用兩種以上。

於在混合中使用溶媒的情況下，相對於氟樹脂100質量份的溶媒的量較佳為100質量份以上且5000質量份以下。藉由為100質量份以上，可容易溶解或分散本發明的氟樹脂。溶媒的量更佳為200質量份以上，進而佳為400質量份以上，進而更佳為600質量份以上。另一方面，藉由為5000質量份以下，可減少將紫外線發光裝置密封時的塗佈次數。溶媒的量更佳為2000質量份以下，進而佳為1200質量份以下，進而更佳為1000質量份以下。

於在混合後去除溶媒的情況下，相對於氟樹脂100質量份，去除後的溶媒的殘存量較佳為200質量份以下，更佳為100質量份以下，進而佳為50質量份以下，進而更佳為20質量份以下。

於氟樹脂使用四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物或其改質物（THV樹脂）的較佳形態中，氟樹脂組成物亦可含有THV樹脂以外的氟樹脂（以下，存在稱為氟樹脂X的情況）。

作為氟樹脂X，可列舉結晶性氟樹脂，具體可列舉：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物（PFA）、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物（FEP）、氯三氟乙烯（PCTFE）等。該些氟樹脂X可使用一種，亦可併用兩種以上。

於併用THV樹脂與氟樹脂X的情況下，相對於THV 100質量份的氟樹脂X的量較佳為10質量份以下，更佳為5質量份以下，進而佳為2質量份以下，特佳為1質量份以下，最佳為0質量份。即，最佳為本發明的樹脂組成物中所含的氟樹脂是由THV樹脂構成。藉此，可減少樹脂間的折射率差而提高光取出效率。

相對於樹脂組成物（固體成分）的總質量的氟樹脂以及無機填料的合計含量較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，進而佳為97質量%以上，特佳為99質量%以上。藉此，容易發揮氟樹脂的密接性與無機填料的導熱性，並且氟樹脂構件的耐熱變形性變良好。

（4）密封 利用氟樹脂進行的密封只要可固定所述電子元件則並無特別限定，於電子元件為發光元件的情況下，較佳為可將活性層與外部的氧或水分隔斷，更佳為可將發光元件整體與外部的氧或水分隔斷。圖3、圖4、圖5、圖6是表示將圖2的紫外線發光元件安裝配線基材6密封而製成電子零件的例子的概略剖面圖。

圖3的電子零件1a可藉由如下方式來形成：利用氟樹脂自圖2所示的紫外線發光元件安裝配線基材6的紫外線發光元件2的下表面（電極10、電極11）起進行被覆直至上表面（直至元件基板15）為止而製成密封部3a。再者，於具有紫外線發光元件的電子零件中，只要氟樹脂密封紫外線發光元件2，則可採取各種形狀，例如，較佳為將其上表面設為凸狀的曲面而作為聚光透鏡使用。圖4的電子零件1b為由氟樹脂形成的密封部3b自身向上表面隆起而形成凸狀的曲面的例子。圖5的電子零件1c為在上表面平坦的密封部3a的上部積層具有凸狀的曲面的聚光透鏡7a而成的例子。圖6的電子零件1d為在紫外線發光元件2的上表面積層聚光透鏡7b，並自該聚光透鏡7b的中途起向下利用密封部3d進行密封的例子。另外，雖未圖示，亦可於晶片板型的配線基材安裝電子元件且進行密封。

利用氟樹脂進行的密封例如可藉由以下的a）～c）的方法進行。就作業效率的觀點而言，較佳為b）的熔融密封法。尤其是，如圖4的電子零件1b般，於將密封部的上表面製成呈凸狀隆起的形狀的情況下，較佳為熔融密封法。 a）將如下步驟、即塗佈將氟樹脂與適當的溶媒混合而獲得的漿料或溶液（以下，存在稱為塗佈液的情況）並進行乾燥的步驟重覆進行1次以上的方法（以下，存在稱為塗佈法的情況）。 b）將氟樹脂視需要成形為片狀後，將氟樹脂或其片積層於配線基材的電子元件安裝側後，將氟樹脂或其片加熱至加熱變形溫度（熔點或玻璃轉移點）以上並加以熔融，進行冷卻的方法（以下，存在稱為熔融密封法的情況）。 c）將所述塗佈法與熔融密封法適宜組合而成的方法。

作為所述塗佈液的製備中可使用的溶媒，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮等酮系溶媒，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶媒，四氫呋喃等環狀醚，N-甲基-2-吡咯啶酮等內醯胺類。

塗佈液中的氟樹脂的濃度例如為1質量%以上。越提高濃度，越可減少塗佈次數。較佳的濃度為5質量%以上，更佳為7質量%以上。另外，所述濃度例如為50質量%以下。越降低濃度，越可防止塗佈液的黏性提高，越可提高處理精度。較佳的濃度為40質量%以下，更佳為30質量%以下。

進行熔融密封法時的氟樹脂的加熱溫度較佳為比氟樹脂的加熱變形溫度（熔點或玻璃轉移點）高10℃以上的溫度，更佳為比加熱變形溫度（熔點或玻璃轉移點）高20℃以上的溫度。加熱溫度的上限例如為278℃，更佳為250℃，進而佳為200℃，特佳為150℃。若為所述加熱溫度，則可抑制因熱而導致的配線基材的劣化等。

氟樹脂的加熱可於大氣中等含氧環境下進行，較佳為於氮氣環境中、氬氣環境中等惰性氣體環境下進行。進而，氟樹脂的加熱亦可於大氣壓下進行，亦較佳為於真空中等減壓下進行。若於減壓下對氟樹脂進行加熱，則密封後的樹脂中所殘存的氣泡減少，透明性提高。

（5）放射線照射 如上所述，利用氟樹脂進行密封後，對該氟樹脂照射放射線。若對氟樹脂照射放射線，則可使氟樹脂表面（密封部表面）硬化，即便自電子元件的發熱劇烈，亦可抑制密封部產生熱變形。因此，例如，於使用發光元件作為電子元件的情況下，光的配向不會發生變化，可長期取出同等的光。尤其是，於進行熔融密封的情況下，有時使用熱流動性良好的氟樹脂、例如結晶性樹脂、尤其是THV樹脂，若利用此種氟樹脂進行密封，則存在密封後的耐熱變形性不充分的情況。因此，於進行熔融密封的情況下、或者於使用熱流動性良好的氟樹脂的情況下，尤其有效的是進行放射線照射來提高密封後的耐熱變形性。

作為放射線，可列舉：紫外線、X射線、γ射線、電子束、離子束等，較佳為電子束。電子束於控制硬化深度的方面優異，不會對密封部整體的特性造成不良影響，容易提高耐熱變形性。

電子束照射中的加速電壓例如為50 kV以上，較佳為70 kV以上，更佳為120 kV以上。越增大加速電壓，越可增大硬化深度。另外，加速電壓例如為1000 kV以下，較佳為500 kV以下，更佳為300 kV以下。藉由防止過剩的加速電壓，可防止氟樹脂的分解。

基於電子束的照射能量的吸收線量例如為20 kGy以上，較佳為30 kGy以上，更佳為40 kGy以上。尤其是於加速電壓小於120 kV時，較佳為將吸收線量設為40 kGy以上，於加速電壓為120 kV以上時，較佳為將吸收線量設為20 kGy以上。藉由增大吸收線量，可提高硬化硬度。另外，吸收線量例如為300 kGy以下，較佳為200 kGy以下，更佳為150 kGy以下。

將電子束的加速電壓（kV）與基於電子束的照射能量的吸收線量（kGy）相乘而得的值（積）例如為1000以上，較佳為3000以上，更佳為4000以上。越增大所述積，越可使硬化深度及硬化硬度的至少一者、較佳為該兩者良好。另外，所述積例如為100000以下，較佳為40000以下，更佳為30000以下。藉由減小積，可防止氟樹脂的分解，提高耐熱變形性。

於照射放射線、例如電子束的情況下，亦可將由氟樹脂形成的密封部加熱或冷卻至適當的溫度。藉由對密封部的溫度進行控制，可適當地控制密封部的表面硬化。密封部的溫度例如為0℃以上，較佳為10℃以上，更佳為20℃以上，且為約100℃以下，較佳為約80℃以下，更佳為約60℃以下。

本發明的電子零件中，由於氟樹脂藉由放射線照射而硬化，因此密封部的耐熱變形性良好。因此，於對電子零件進行以下耐熱試驗時，可減小氟樹脂的平均變形率V。若使用平均變形率V小的電子零件、尤其是發光電子零件，則可防止光的配向變化，可長期取出同等的光。平均變形率V例如小於1.30，較佳為小於1.20，更佳為小於1.15，進而佳為小於1.10。

耐熱試驗可藉由如下方法來進行：將具有配線基材、以及作為密封部而填充到該配線基材的氟樹脂的電子零件以所填充的氟樹脂與空氣的界面為下的狀態在溫度150℃下保持60小時。

平均變形率V是對電子零件進行所述耐熱試驗並藉由下述式（1）來算出。式中，R_S 表示將密封部的每單位正面投影面積中的自配線基材突出的氟樹脂的側面投影面積設為標準化面積時，耐熱試驗後（亦簡稱為保持後）的該標準化面積相對於耐熱試驗前（亦簡稱為保持前）的該標準化面積的比。另外，R_d 表示將密封部的每單位正面投影面積中的自配線基材突出的氟樹脂的高度設為標準化高度時，保持後的該標準化高度相對於保持前的該標準化高度的比。於保持前後，所謂氟樹脂的高度，為自配線基材突出的氟樹脂的距配線基材的表面的最大高度。將電子零件的電子元件安裝面或電子元件安裝預定面（p電極用配線形成面、n電極用配線形成面等）稱為電子零件的正面，將與該電子元件安裝面或電子元件安裝預定面正交的面稱為側面。 平均變形率V=（R_S ×R_d ）^1/2 （1）

平均變形率V可對具有配線基材、電子元件以及密封電子元件的氟樹脂的電子零件進行耐熱試驗來算出，亦可對評價模型進行耐熱試驗來算出。作為評價模型，可使用具有配線基材以及填充到該配線基材的氟樹脂的電子零件。以下，記載使用評價模型算出平均變形率V的方法，但使用電子零件的情況亦可與使用評價模型的情況同樣地算出平均變形率V。

參照圖7的（a）、圖7的（b）～圖9的（a）、圖9的（b）對評價模型及使用其的耐熱試驗進行說明。圖7的（a）是評價模型中所使用的一例的配線基材21的正面圖，圖7的（b）是所述配線基材21的側面圖。該配線基材21於基材的內側具有凹部21b，且於凹部21b的內側的底面（基材的表面）形成有p電極用配線23與n電極用配線24。凹部21b具有內徑ID、外徑OD、以及與凹部21b的側面相當的側部22。於後述實施例中，使用具有內徑ID為2.00 mm、外徑OD為3.04 mm的凹部且配線基材的高度h為0.80 mm的配線基材。再者，圖7的（a）、圖7的（b）所圖示的側部22成為相對於凹部21b的開口面歪斜的側面（所謂的斜面），但評價模型中使用的配線基材的凹部亦可如圖2的配線基材4的凹部21c般，具有與凹部開口面正交的側面（所謂的壁面）22c。另外，側部22可為配線基材的一部分，亦可為配置於配線基材的凹部的構件。於配線基材21為LED用配線基材的情況下，有時亦將側部22稱為反光面（reflector）。

圖8的（a）是利用氟樹脂26對圖7的（a）的配線基材21的所述凹部21b內進行填充而成的評價模型25的正面圖。氟樹脂的填充較佳為以氟樹脂不會自所述凹部21b的外框（亦稱為側部22的外框）溢出到配線基材21上的方式進行。再者，關於式（1）中的R_S 及R_d ，於耐熱試驗前，是使用自配線基材21的上表面（為具有側部22的外框的基材的表面、且為圖7的（a）、圖7的（b）的21a所表示的面；相當於正面）觀察時的由氟樹脂覆蓋的部分的投影面積S_2b 來算出。於以不會自側部22的外框溢出到配線基材21上的方式填充氟樹脂的情況下，評價模型通常為圖8的（a）般的形狀，因此該投影面積S_2b 為由側部22的外框包圍的面積（圖8的（a）中以射線表示的部分的面積S_2b ）。

如圖8的（b）的評價模型25的側面圖所示般，所述耐熱試驗是以評價模型25中的氟樹脂與空氣的界面為下的狀態（即，評價模型25的正面朝下的狀態）保持評價模型來進行。圖9的（a）是對評價模型25進行耐熱試驗後的正面圖，圖9的（b）是側面圖，如圖示般，氟樹脂因耐熱試驗而變形。關於式（1）中的R_S 及R_d ，於耐熱試驗後，是使用自配線基材21的上表面（為具有側部22的外框的基材的表面、且為圖7的（a）、圖7的（b）的21a所表示的面；相當於正面）觀察時的由氟樹脂覆蓋的部分的投影面積S_2a 來算出。

平均變形率V是使用如下值來算出，所述值是如所述式（1）般利用正面圖中氟樹脂所覆蓋的投影面積S_2a 、S_2b 對耐熱試驗前後的自配線基材突出的氟樹脂的側面投影面積（圖8的（b）的射線部S_b 、圖9的（b）的射線部S_a ）進行標準化而得。再者，更具體而言，所述投影面積S_2a 、S_2b 、S_a 、S_b 可使用將耐熱試驗前後的評價模型的正面圖及側面圖加以電子化而成的資料並使用市售的圖像分析軟體來決定，或者可藉由使用印刷有所述正面圖及側面圖的紙並測定對象部分的質量來決定。此處，經電子資料化或經印刷的正面圖及側面圖例如可列舉使用光學顯微鏡等進行拍攝而得的顯微鏡圖像等，正面圖可使用自與配線基材的上表面21a正對的方向進行拍攝而得的圖，側面圖可使用自正側方拍攝所述上表面21a而得的圖（自與上表面21a平行的方向進行拍攝而得的圖），該側面圖可使用自多個方向對配線基材的側面進行拍攝而得的全部圖像（該情況下，將計算結果加以平均），但於確保作為代表值所需的精度的情況下，亦可自一個方向對配線基材進行拍攝。

另一方面，於自與上表面21a正對的方向拍攝相當於正面圖的顯微鏡圖像的情況下，使自配線基材突出的氟樹脂的與空氣的界面朝上並自正上方對其進行拍攝。以下，有時將自側面拍攝評價模型而得的顯微鏡圖像稱為側面顯微鏡圖像，將自正面拍攝評價模型而得的顯微鏡圖像稱為正面顯微鏡圖像。

於使用耐熱試驗前後的評價模型的側面顯微鏡圖像與評價模型的上表面顯微鏡圖像的情況下，式（1）中的R_S 及R_d 是由下述式子算出。 平均變形率V=（R_S ×R_d ）^1/2 （1） R_S =Sn_a /Sn_b Sn_a =S_a /S_2a Sn_b =S_b /S_2b R_d =dn_a /dn_b dn_a =d_a /S_2a dn_b =d_b /S_2b

所述式子中，S_a 表示耐熱試驗後（保持後）的評價模型的側面顯微鏡圖像中的自配線基材突出的部分的氟樹脂的面積。S_b 表示耐熱試驗前（保持前）的評價模型的側面顯微鏡圖像中的自配線基材突出的部分的氟樹脂的面積。S_2a 表示耐熱試驗後（保持後）的評價模型的正面顯微鏡圖像的配線基材的正面中氟樹脂所覆蓋的部分的面積。S_2b 表示耐熱試驗前（保持前）的評價模型的正面顯微鏡圖像的配線基材的正面中氟樹脂所覆蓋的面積。Sn_a 是S_a 相對於S_2a 的比，表示保持後的密封部的每單位正面面積中的自配線基材突出的氟樹脂的側面面積（保持後的標準化面積）。Sn_b 是S_b 相對於S_2b 的比，表示保持前的密封部的每單位正面面積中的自配線基材突出的氟樹脂的側面面積（保持前的標準化面積）。

另外，於所述式子中，d_a 表示耐熱試驗後（保持後）的評價模型的側面顯微鏡圖像中的自配線基材突出的部分的氟樹脂的高度。d_b 表示耐熱試驗前（保持前）的評價模型的側面顯微鏡圖像中的自配線基材突出的部分的氟樹脂的高度。dn_a 是d_a 相對於S_2a 的比，表示保持後的密封部的每單位面積中的自配線基材突出的氟樹脂的高度（保持後的標準化高度）。dn_b 是d_b 相對於S_2b 的比，表示保持前的密封部的每單位面積中的自配線基材突出的氟樹脂的高度（保持前的標準化高度）。

（6）聚光透鏡 本發明的電子零件可如圖4、圖5、圖6般具有聚光透鏡，於具有聚光透鏡的情況下，亦可如圖5、圖6所示般裝配聚光透鏡零件7a、聚光透鏡零件7b。聚光透鏡零件7a、聚光透鏡零件7b例如包含二氧化矽玻璃、硼矽酸玻璃等。

（7）電子零件 作為本發明的電子零件，較佳為包括發光元件的電子零件，更佳為包括紫外線發光元件的電子零件。包括紫外線發光元件的電子零件例如可於分析設備、光觸媒裝置、光治療裝置、紙幣鑑定裝置、空氣/水殺菌淨化裝置、紫外線（Ultraviolet，UV）樹脂硬化裝置等中利用。 [實施例]

以下，列舉實施例對本發明更具體地進行說明，但本發明根本不受下述實施例的限制，當然亦能夠於可適合於前後記述的主旨的範圍內適當地施加變更來實施，該些均包含於本發明的技術範圍內。

（1）氟樹脂組成 再者，以下實施例中，使用四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV）。藉由以下的NMR測定來求出THV中的源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V、各自的莫耳比。 測定裝置：JEOL ECZ-400 試樣：約60 mg/0.8 ml ACT-d6 IS：4-氯三氟甲苯 0.01 mL 測定模式：¹ H、¹⁹ F 弛豫時間：¹ H 30秒、¹⁹ F 20秒 構成單元H的單元數：用¹⁹ F-NMR中的CF₃ 的積分比除以3來算出（CF₃ 積分比/3） 構成單元V的單元數：用¹ H-NMR中的CH₂ 的積分比除以2來算出（CH₂ 積分比/2） 構成單元T的單元數：用自¹⁹ F-NMR中的CF₂ 的合計積分比減去源自構成單元H的CF₂ 與源自構成單元V的CF₂ 而得的值除以4來算出（CF₂ 合計積分比-構成單元V的單元數×2-構成單元H的單元數×2）/4 實施例中所使用的氟樹脂（商品名：代尼翁（Dyneon）THV221AZ；3M公司製造）中，構成單元T的莫耳比為0.35，構成單元H的莫耳比為0.11，構成單元V的莫耳比為0.54。

實施例1 將氟樹脂（商品名「THV221AZ」）3.5 g放入直徑48 mm的PFA（四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物）製的淺底盤中，於溫度200℃下加熱3小時，藉此製作氟樹脂片，利用切割刀切出大小為3.0 mm×3.0 mm的四邊形的片。

於LED用封裝體（KD-LA9R48，京瓷（kyocera）公司製造）上設置所述片，在溫度200℃下加熱3小時，藉此使氟樹脂熔融，利用氟樹脂對封裝體內進行填充（密封），藉此獲得電子零件（評價模型）。再者，LED用封裝體（KD-LA9R48，京瓷（kyocera）公司製造）的形狀如圖7的（a）、圖7的（b）及圖8的（a）、圖8的（b）所示般，密封後的形狀大致如圖9的（a）、圖9的（b）所示般。

對於所述獲得的評價模型，使用電子束裝置（CB250/30/20 mA，岩崎電氣公司製造）的裝置，以搬送速度10 m/min供給所述獲得的評價模型，對氟樹脂部分（密封部分）照射電子束。電子束的加速電壓是於100 kV～250 kV的範圍中設定，吸收線量是於25 kGy～100 kGy的範圍中設定。 將利用電子束使氟樹脂硬化後的評價模型的密封氟樹脂面設為下側，進行於溫度150℃下保持60小時的耐熱試驗，調查平均變形率V。平均變形率V是藉由如下方式來求出：將評價模型的正面圖以及側面圖印刷於紙面上，根據其質量算出對象部分的面積。基於平均變形率V，依照下述基準評價耐熱變形性。將結果示於表1中。若平均變形率V小於1.30，則可謂耐熱變形性良好。 A：平均變形率V小於1.10。 B：平均變形率V為1.10以上且小於1.15。 C：平均變形率V為1.15以上且小於1.30。 D：平均變形率V為1.30以上。

[表1]

	加速電壓 （kV）	吸收線量 （kGy）	加速電壓（kV） ×吸收線量（kGy）	耐熱變形性
比較	0	0	0	D
操作（run）1	100	25	2500	C
操作2	100	50	5000	A
操作3	100	100	10000	A
操作4	150	25	3750	B
操作5	150	50	7500	A
操作6	150	100	15000	A
操作7	250	25	6250	A
操作8	250	50	12500	A
操作9	250	100	25000	A

[產業上的可利用性]

本發明可於包括電子元件的電子零件的製造中利用，可於包括較佳為發光元件、更佳為紫外線發光元件的電子零件中利用。

1a、1b、1c、1d、25:電子零件 2:電子元件（紫外線發光元件） 3a、3b、3d:密封部 4:配線基材/基材 5:金屬製的凸塊 6:紫外線發光元件安裝配線基材 7a、7b:聚光透鏡零件/聚光透鏡 10:p電極 11:n電極 12:p層 13:活性層 14:n層 15:元件基板 21:配線基材 21a:配線基材的正面（上表面） 21b、21c:配線基材的凹部 22:配線基材中的凹部的側部 22c:配線基材中的凹部的側面 23:p電極用配線 24:n電極用配線 25:評價模型 26:氟樹脂 h:配線基材的高度 ID:內徑 OD:外徑 S_a、S_b:自配線基材突出的氟樹脂的側面投影面積 S_2a、S_2b:自配線基材的正面觀察時的由氟樹脂覆蓋的部分的投影面積 d_a、d_b:自配線基材突出的部分的氟樹脂的高度

圖1是表示現有的電子元件的一例的概略剖面圖。 圖2是表示安裝有現有的電子元件的配線基材的一例的概略剖面圖。 圖3是表示本發明的電子零件的一例的概略剖面圖。 圖4是表示本發明的電子零件的另一例的概略剖面圖。 圖5是表示本發明的電子零件的又一例的概略剖面圖。 圖6是表示本發明的電子零件的再一例的概略剖面圖。 圖7的（a）、圖7的（b）是表示現有的配線基材的一例的概略圖。 圖8的（a）、圖8的（b）是用於說明本發明的電子零件的試驗狀況的概略圖。 圖9的（a）、圖9的（b）是用於說明本發明的電子零件的試驗狀況的另一概略圖。

1a:電子零件

2:電子元件(紫外線發光元件)

3a:密封部

4:配線基材/基材

5:金屬製的凸塊

10:p電極

11:n電極

Claims (7)

1. 一種電子零件的製造方法，具有：利用氟樹脂覆蓋裝配於配線基材的電子元件的步驟；以及 對覆蓋電子元件的所述氟樹脂照射放射線的步驟。
2. 如請求項1所述的電子零件的製造方法，其中所述氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。
3. 如請求項1或請求項2所述的電子零件的製造方法，其中所述放射線為電子束。
4. 如請求項3所述的電子零件的製造方法，其中所述電子束的加速電壓為50 kV以上。
5. 如請求項3或請求項4所述的電子零件的製造方法，其中所述電子束的照射能量以吸收線量計為20 kGy以上。
6. 一種電子零件，其為具有配線基材、以及作為密封部而填充到所述配線基材的氟樹脂的電子零件， 於以所填充的氟樹脂與空氣的界面為下的狀態將所述電子零件在溫度150℃下保持60小時時，由下述式（1）算出的平均變形率V小於1.30， 平均變形率V=（R_S ×R_d ）^1/2 （1） （式中，R_S 表示將密封部的每單位正面投影面積中的自配線基材突出的氟樹脂的側面投影面積設為標準化面積時，保持後的所述標準化面積相對於保持前的所述標準化面積的比，R_d 表示將密封部的每單位正面投影面積中的自配線基材突出的氟樹脂的高度設為標準化高度時，保持後的所述標準化高度相對於保持前的所述標準化高度的比；將電子零件的電子元件安裝面或電子元件安裝預定面稱為電子零件的正面，將與所述電子元件安裝面或電子元件安裝預定面正交的面稱為側面）。
7. 如請求項6所述的電子零件，其中所述氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。

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