WO2013114981A1 - 光学部材、その製造方法および該光学部材を備えた物品 - Google Patents

光学部材、その製造方法および該光学部材を備えた物品 Download PDF

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WO2013114981A1
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unit
optical member
etfe
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ethylene
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大輔 田口
真和 安宅
一夫 浜崎
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旭硝子株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F214/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
    • C08F214/18—Monomers containing fluorine
    • C08F214/26—Tetrafluoroethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08J2327/18—Homopolymers or copolymers of tetrafluoroethylene

Definitions

  • the present invention relates to an optical member, a manufacturing method thereof, and an article provided with the optical member.
  • Electronic parts, electronic devices, and the like may include optical members (optical films, optical lenses, light emitting diode sealing materials, and the like).
  • the optical member may be required to use a resin material for the following reason (i).
  • a resin material is preferable because the optical member can be easily processed in a small size.
  • the optical member may be required to have heat resistance and light resistance for the following reasons (ii) and (iii).
  • the optical member may be mounted on the circuit board by a solder reflow method. In the solder reflow method, it is desired to use lead-free solder from the viewpoint of dealing with environmental problems. Therefore, the optical member is required to have heat resistance capable of maintaining its shape without melting even at a reflow temperature (about 260 ° C.) of lead-free solder.
  • the sealing material is required to have further heat resistance and light resistance.
  • ETFE ethylene / tetrafluoroethylene copolymer
  • ETFE tetrafluoroethylene
  • E ethylene
  • C CH 2 ⁇ CHC n F 2n + 1 (where n is 2 to 10)
  • TFE tetrafluoroethylene
  • E ethylene
  • C CH 2 ⁇ CHC n F 2n + 1 (where n is 2 to 10)
  • C CH 2 ⁇ CHC n F 2n + 1 (where n is 2 to 10)
  • C CH 2 ⁇ CHC n F 2n + 1 (where n is 2 to 10.
  • the present invention provides an optical member that is superior in transparency, heat resistance and light resistance as compared with a conventional molded body made of ETFE, a manufacturing method thereof, and an article provided with the optical member.
  • the optical member of the present invention is characterized by comprising a molded body containing the following crosslinked ETFE.
  • ETFE crosslinked ETFE
  • a unit (A) based on TFE, a unit (B) based on E, and a unit (C) based on CH 2 CHC n F 2n + 1 (where n is an integer of 2 to 10)
  • the molar ratio (A) / (B) between A) and the unit (B) is 50/50 to 66/34
  • the (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ is preferably 4.0 / 100 to 7.5 / 100.
  • the optical transmittance of the optical member of the present invention at a wavelength of 400 nm is preferably 90.0% or more in an optical member having a thickness of 220 ⁇ m.
  • the shrinkage rate when the optical member of the present invention is heated at 280 ° C. for 5 minutes is preferably within 5% in both the vertical direction and the horizontal direction in the optical member having a thickness of 500 ⁇ m.
  • the method for producing an optical member of the present invention is a method for producing the optical member of the present invention, wherein the ETFE is cross-linked by irradiating a molded body of a resin material containing the ETFE with radiation. .
  • the radiation dose is preferably 1 to 10 Mrad.
  • the radiation is preferably an electron beam.
  • the article of the present invention is provided with the optical member of the present invention.
  • the optical member of the present invention is superior in transparency and heat resistance and has good light resistance as compared with a conventional molded body made of ETFE. According to the method for producing an optical member of the present invention, it is possible to produce an optical member having improved transparency as compared with conventional ETFE and having excellent heat resistance and light resistance.
  • the article of the present invention is provided with an optical member having improved transparency as compared with conventional ETFE and excellent in heat resistance and light resistance.
  • the “unit” in the present specification means a repeating unit derived from the monomer formed by polymerization of the monomer.
  • the unit may be a unit directly formed by polymerization, or may be a unit in which a part of the unit is converted into another structure by treating the polymer.
  • the “monomer” in the present specification means a compound having a polymerizable unsaturated group.
  • (meth) acrylate” in the present specification means acrylate or methacrylate.
  • radiation in the present invention means ionizing radiation such as ⁇ -rays, electron beams, and X-rays.
  • the optical member of the present invention comprises a molded product containing a specific ETFE cross-linked product.
  • the crosslinked product of ETFE is formed by irradiating ETFE with radiation to crosslink ETFE.
  • the molar ratio of unit (A) to unit (B) is 50/50 to 66/34, preferably 53/47 to 65/35, 56/44 to 60 / 40 is more preferable. If (A) / (B) is within this range, the balance of transparency, heat resistance, light resistance, weather resistance, chemical resistance, gas barrier properties, fuel barrier, mechanical strength, moldability, etc. will be good. .
  • the molar ratio ((C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ ) between the unit (C) and the sum of the units (A) and (B) is 4.0 / 100 to 10/100, 0.0 / 100 to 7.5 / 100 is preferable, 4.5 / 100 to 7.5 / 100 is more preferable, and 4.6 / 100 to 7.5 / 100 is even more preferable.
  • (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ is 4.0 / 100 or more, transparency is increased. If (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ is 10/100 or less, the production of ETFE is easy.
  • N in CH 2 ⁇ CHC n F 2n + 1 is an integer of 2 to 10, preferably 2 to 8, and more preferably 2 to 6.
  • n is 2 or more, the obtained ETFE is excellent in physical properties such as stress crack resistance.
  • CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 2 F, CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 3 F, CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 4 F, CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 5 F, or CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 6 F is more preferable.
  • ETFE in the present invention may have a unit (D) based on another monomer in addition to the unit (A), the unit (B) and the unit (C).
  • Other monomers include hydrocarbon olefins (propylene, butene, etc.), fluoroolefins having hydrogen atoms in unsaturated groups (vinylidene fluoride, vinyl fluoride, trifluoroethylene, etc.), hydrogen atoms in unsaturated groups Fluoroolefin (hexafluoropropylene, chlorotrifluoroethylene, etc., excluding TFE), perfluoro (alkyl vinyl ether) (perfluoro (propyl vinyl ether), etc.), vinyl ether (alkyl vinyl ether, (fluoroalkyl) vinyl ether, glycidyl Vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, methylvinyloxybutyl carbonate, etc.), vinyl esters (vinyl acetate, vinyl chloroacetate, vinyl but
  • the ETFE in the present invention has the unit (D)
  • the proportion of the unit (D) is preferably 0.01 to 20 mol%, preferably 0.01 to 10 mol, of all units (100 mol%) in ETFE. % Is more preferable, 0.05 to 5 mol% is more preferable, and 0.1 to 3 mol% is particularly preferable.
  • ETFE in the present invention ETFE composed only of the unit (A), the unit (B) and the unit (C) is preferable from the viewpoint of excellent physical properties such as heat resistance and easy production.
  • volume flow rate of the ETFE in the present invention Is preferably 1 ⁇ 1000 mm 3 / sec, more preferably 5 ⁇ 500 mm 3 / sec, more preferably 5 ⁇ 200 mm 3 / sec.
  • the Q value is an index representing the melt fluidity of ETFE and is a measure of molecular weight. A large Q value indicates a low molecular weight, and a small Q value indicates a high molecular weight.
  • the Q value of ETFE in the present invention is the value of ETFE when extruded into an orifice having a diameter of 2.1 mm and a length of 8 mm under a temperature of 297 ° C., a load of 7 kg, using a flow tester manufactured by Shimadzu Corporation. Extrusion speed.
  • ETFE can be produced, for example, by the method described in JP-A-2004-238405.
  • the manufacturing method of ETFE is not limited to this method.
  • a polymerization method using a normal radical polymerization initiator is used.
  • Polymerization methods include bulk polymerization methods, solution polymerization methods using organic solvents (fluorinated hydrocarbons, chlorinated hydrocarbons, fluorinated chlorinated hydrocarbons, alcohols, hydrocarbons, etc.), aqueous media, and appropriate organic solvents as necessary.
  • suspension polymerization using an aqueous medium, and emulsion polymerization using an aqueous medium and an emulsifier A solution polymerization method or a suspension polymerization method is preferable because impurities such as an emulsifier do not remain in ETFE.
  • the radical polymerization initiator is preferably one having a half-life of 10 hours from 0 ° C. to 100 ° C., more preferably 20 to 90 ° C. from the viewpoint of polymerization temperature.
  • radical polymerization initiators include azo compounds (azobisisobutyronitrile, etc.), non-fluorinated diacyl peroxides (diisobutyryl peroxide, dioctanoyl peroxide, dibenzoyl peroxide, dilauroyl peroxide, etc.), peroxydi Carbonate (diisopropylperoxydicarbonate, etc.), peroxyester (tert-butylperoxypivalate, tert-butylperoxyisobutyrate, tert-butylperoxyacetate, etc.), fluorine-containing diacyl peroxide ((Z (CF 2 ) p COO) 2 (Wherein Z is a hydrogen atom, a fluorine atom or flu
  • Chain transfer agents include alcohol (methanol, ethanol, etc.), chlorofluorohydrocarbon (1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane, 3,3-dichloro-1,1,1 , 2,2-pentafluoropropane, 1,1-dichloro-1-fluoroethane, etc.), hydrocarbons (pentane, hexane, cyclopentane, cyclohexane, etc.).
  • a chain transfer having a functional group (ester group, carbonate group, hydroxyl group, carboxyl group, carbonyl fluoride group, etc.)
  • An agent may be used.
  • the chain transfer agent include acetic acid, methyl acetate, ethylene glycol, propylene glycol and the like.
  • the polymerization temperature is preferably from 0 ° C to 100 ° C, more preferably from 20 to 90 ° C.
  • the polymerization pressure is preferably from 0.1 to 10 MPa, more preferably from 0.5 to 3 MPa.
  • the polymerization time is preferably 1 to 30 hours, more preferably 2 to 20 hours, and even more preferably 2 to 10 hours.
  • too much radical polymerization initiator is added, it has been confirmed that the radical polymerization initiator remaining in ETFE foams during thermoforming, and it is necessary to set the polymerization time within a range where foaming does not occur.
  • the optical member of the present invention may contain a thermal stabilizer from the viewpoint of excellent thermal stability.
  • the heat stabilizer is preferably one or more selected from the group consisting of copper compounds, tin compounds, iron compounds, lead compounds, titanium compounds and aluminum compounds. Specific examples include copper oxide, copper iodide, alumina, tin sulfate, germanium sulfate, basic lead sulfate, tin sulfite, barium phosphate, tin pyrophosphate and the like, and copper oxide or copper iodide is preferred.
  • the content of the heat stabilizer in the optical member is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 8 to 5 mass%, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 7 to 2 mass%, and further preferably 5 ⁇ 10 ⁇ 7 to 1 mass%.
  • the optical member of the present invention may contain other compounding agents depending on applications and purposes.
  • other compounding agents include various additives, fillers, and other synthetic resins. 80 mass% or less is preferable, as for the total content of a heat stabilizer and another compounding agent, 50 mass% or less is more preferable, and 20 mass% or less is more preferable.
  • the light transmittance at a wavelength of 400 nm of the optical member of the present invention is preferably 90.0% or more, more preferably 90.5% or more, and further preferably 90.9% or more at a thickness of 220 ⁇ m.
  • the light transmittance is measured as follows. A resin material containing ETFE is press-molded in the range of melting point + 50 ° C. ⁇ 20 ° C. (for example, 280 ° C. to 320 ° C. when the melting point is 250 ° C.) to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m. A sample is obtained by irradiating the ETFE film with radiation. About this sample, the light transmittance in wavelength 400nm is measured using a spectrophotometer.
  • the shrinkage ratio when the optical member of the present invention is heated at 280 ° C. for 5 minutes is preferably within 5% in both the vertical and horizontal directions, more preferably within 3%, and even more preferably within 2%.
  • the shrinkage rate is measured after a 500 ⁇ m-thick film prepared by press-forming ETFE is cut into 50 mm ⁇ 50 mm and heated at 280 ° C. for 5 minutes.
  • the optical member of the present invention is produced by irradiating a molded body of a resin material containing specific ETFE with radiation to crosslink the ETFE.
  • the resin material may contain the heat stabilizer and other compounding agents in addition to ETFE.
  • the molded body is obtained by molding a resin material. Examples of the molding method include known molding methods (extrusion molding method, injection molding method, press molding method, etc.).
  • the crosslinking conditions of ETFE are appropriately set according to the shape, thickness, etc. of the molded body.
  • the optical member can be obtained by irradiating the molded body with ionizing radiation such as ⁇ -ray, electron beam, X-ray or the like.
  • the crosslinking conditions depend on the shape, thickness, etc. of the molded product, and thus cannot be generally stated.
  • the radiation is preferably an electron beam from the viewpoint of equipment.
  • the electron beam irradiation is performed at least once in a temperature atmosphere below the melting point of the fluororesin, preferably a temperature atmosphere below the glass transition point, and at least once in a temperature atmosphere above the melting point of the fluororesin.
  • the cross-linked product refers to a product in which the Q value of the fluororesin is 0 mm 3 / sec and the melt moldability is lost.
  • the radiation dose is usually 1 to 20 Mrad, preferably 3 to 10 Mrad.
  • a cross-linked ETFE containing unit (C) based on CH 2 CHC n F 2n + 1 (where n is an integer of 2 to 10) in a specific ratio. Therefore, it is excellent in transparency as compared with a conventional uncrosslinked molded body made of ETFE. It has been conventionally known that the transparency of the molded body is improved by increasing the proportion of the unit (C) in ETFE. In the present invention, however, radiation is added to ETFE having a relatively large proportion of the unit (C). Is irradiated to cross-link ETFE to further improve the transparency of the molded body.
  • the optical member of the present invention described above is formed of a molded body containing a crosslinked product of ETFE, it is superior in heat resistance as compared to a conventional uncrosslinked molded body of ETFE. Moreover, in the optical member of the present invention described above, ETFE having good light resistance is originally used, so that the light resistance is good.
  • the optical member of the present invention has high transparency that can be applied to an optical member while maintaining the properties of conventional ETFE such as light resistance, weather resistance, chemical resistance, and gas barrier properties.
  • the optical member of the present invention has high heat resistance that can be applied to solder reflow using lead-free solder.
  • the article of the present invention comprises the optical member of the present invention.
  • the optical member of the present invention is an optical film (light guide plate, light diffusion sheet, light collecting sheet, etc.), optical lens (pickup lens, camera lens, microarray lens, projector lens, Fresnel lens, etc.), etc.
  • electronic devices such as mobile phones, notebook computers, digital cameras, and liquid crystal televisions mounted as above, and light-emitting diodes that include the optical member of the present invention as a sealing material.
  • the melting point of ETFE was determined from an endothermic peak when ETFE was heated at 10 ° C./min using a differential scanning calorimeter (manufactured by SII, EXSTAR DSC7020).
  • ETFE Light transmittance before cross-linking ETFE
  • the ETFE film was measured for light transmittance at a wavelength of 400 nm using UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation.
  • ETFE Light transmittance after cross-linking ETFE
  • ETFE was press molded in the range of melting point + 50 ° C. ⁇ 20 ° C. to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m.
  • the ETFE film was irradiated with radiation to obtain a sample.
  • the sample was measured for light transmittance at a wavelength of 400 nm using UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the shrinkage was measured after a 500 ⁇ m thick film produced by press molding was cut into 50 mm ⁇ 50 mm and heated at 280 ° C. for 5 minutes. A case where the shrinkage rate was within 5% in both the vertical direction and the horizontal direction was evaluated as ⁇ (good), and a case where the shrinkage rate was greater than 5% in either the vertical direction or the horizontal direction was evaluated as x (bad). .
  • AK225cb 1-hydrotridecafluorohexane, 1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane
  • a mixed gas of TFE / E 60/40 (molar ratio) so that the pressure becomes 1.5 MPaG and an amount of CH 2 ⁇ CH (CF equivalent to 7.0 mol% with respect to the mixed gas. 2 ) 4 F was continuously added, and 7.19 kg of a TFE / E mixed gas was charged, then the autoclave was cooled, the residual gas was purged, and the polymerization was terminated. The time required for the polymerization was 333 minutes.
  • ETFE1 The obtained ETFE slurry was transferred to a 220 L granulation tank, and 77 L of water was added and heated while stirring to remove the polymerization solvent and residual monomers, thereby obtaining 7.2 kg of ETFE1.
  • Table 1 shows (A) / (B), (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ , melting point, and Q value.
  • ETFE1 was press-molded at 250 ° C. to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m.
  • a sample was obtained by irradiating the ETFE film with radiation (electron beam) so that the dose was 5 Mrad.
  • the light transmittance of the sample at a wavelength of 400 nm is shown in Table 1. Further, when the heat resistance of the sample at 280 ° C. was evaluated, no deformation was observed. There was no problem with light resistance.
  • Example 2 A polymerization tank equipped with a stirrer with an internal volume of 1.3 L was degassed, and 118.2 g of 1-hydrotridecafluorohexane, 104.2 g of AK225cb, and 32.8 g of CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 4 F were obtained. First, 182.7 g of TFE and 6.3 g of E were injected, the inside of the polymerization tank was heated to 66 ° C., and 2.5% by mass of tert-butyl peroxypivalate 1-hydrotrivalent was used as a radical polymerization initiator. 15.4 mL of decafluorohexane solution was charged to initiate polymerization.
  • a mixed gas of TFE / E 60/40 (molar ratio) is continuously charged so that the pressure is constant, and CH 2 ⁇ CH so as to be 5.0 mol% with respect to the mixed gas. (CF 2 ) 4 F was continuously charged. 239 minutes after the start of polymerization, when 100 g of the mixed gas was charged, the inside of the polymerization tank was cooled to room temperature and purged to normal pressure.
  • ETFE2 The obtained ETFE slurry was suction filtered with a glass filter and dried at 150 ° C. for 15 hours to obtain 107 g of ETFE2.
  • Table 1 shows (A) / (B), (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ , melting point, and Q value.
  • ETFE2 was press-molded at 270 ° C. to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m.
  • a sample was obtained by irradiating the ETFE film with radiation (electron beam) so that the dose was 5 Mrad.
  • the light transmittance of the sample at a wavelength of 400 nm is shown in Table 1. Further, when the heat resistance of the sample at 280 ° C. was evaluated, no deformation was observed. There was no problem with light resistance.
  • Example 3 A polymerization tank equipped with a stirrer with an internal volume of 1.3 L was degassed, and 1156.5 g of 1-hydrotridecafluorohexane, 142.9 g of AK225cb, and 22.7 g of CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 4 F were added. First, 187.6 g of TFE and 6.5 g of E were injected, the temperature in the polymerization tank was raised to 66 ° C., and 2.5% by mass of tert-butyl peroxypivalate 1-hydrotrivalent was used as a radical polymerization initiator. 10.6 mL of decafluorohexane solution was charged and polymerization was started.
  • a mixed gas of TFE / E 60/40 (molar ratio) is continuously charged so that the pressure is constant, and CH 2 ⁇ CH so as to be 4.0 mol% with respect to the mixed gas. (CF 2 ) 4 F was continuously charged. 196 minutes after the start of polymerization, when 100 g of the mixed gas was charged, the temperature in the polymerization tank was lowered to room temperature and purged to normal pressure.
  • ETFE3 The obtained ETFE slurry was suction filtered with a glass filter and dried at 150 ° C. for 15 hours to obtain 96 g of ETFE3.
  • Table 1 shows (A) / (B), (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ , melting point, and Q value.
  • ETFE3 was press-molded at 270 ° C. to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m.
  • a sample was obtained by irradiating the ETFE film with radiation (electron beam) so that the dose was 5 Mrad.
  • the light transmittance of the sample at a wavelength of 400 nm is shown in Table 1. Further, when the heat resistance of the sample at 280 ° C. was evaluated, no deformation was observed. There was no problem with light resistance.
  • Example 4 A polymerization tank equipped with a stirrer with an internal volume of 1.3 L was degassed, and 1179.4 g of 1-hydrotridecafluorohexane, 167.4 g of AK225cb, and 15.5 g of CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 2 F were added. First, 187.6 g of TFE and 6.5 g of E were injected, the temperature in the polymerization tank was raised to 66 ° C., and 2.5% by mass of tert-butyl peroxypivalate 1-hydrotrivalent was used as a radical polymerization initiator. 10.6 mL of decafluorohexane solution was charged and polymerization was started.
  • a mixed gas of TFE / E 60/40 (molar ratio) is continuously charged so that the pressure is constant, and CH 2 ⁇ CH so as to be 4.0 mol% with respect to the mixed gas. (CF 2 ) 2 F was continuously charged. 200 minutes after the start of polymerization, when 100 g of the mixed gas was charged, the temperature in the polymerization tank was lowered to room temperature and purged to normal pressure.
  • ETFE4 The obtained ETFE slurry was suction filtered with a glass filter and dried at 150 ° C. for 15 hours to obtain 98 g of ETFE4.
  • Table 1 shows (A) / (B), (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ , melting point, and Q value.
  • ETFE4 was press-molded at 270 ° C. to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m.
  • a sample was obtained by irradiating the ETFE film with radiation (electron beam) so that the dose was 5 Mrad.
  • the light transmittance of the sample at a wavelength of 400 nm is shown in Table 1. Further, when the heat resistance of the sample at 280 ° C. was evaluated, no deformation was observed. There was no problem with light resistance.
  • Example 5 A polymerization tank equipped with a stirrer with an internal volume of 1.3 L was degassed, and 1194.5 g of 1-hydrotridecafluorohexane, 153.4 g of AK225cb, and 33.0 g of CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 6 F were obtained. First, 187.6 g of TFE and 6.5 g of E were injected, the temperature in the polymerization tank was raised to 66 ° C., and 2.5% by mass of tert-butyl peroxypivalate 1-hydrotrivalent was used as a radical polymerization initiator. 10.6 mL of decafluorohexane solution was charged and polymerization was started.
  • a mixed gas of TFE / E 60/40 (molar ratio) is continuously charged so that the pressure is constant, and CH 2 ⁇ CH so as to be 4.0 mol% with respect to the mixed gas. (CF 2 ) 6 F was continuously charged. 193 minutes after the start of polymerization, when 100 g of the mixed gas was charged, the temperature in the polymerization tank was lowered to room temperature and purged to normal pressure.
  • ETFE5 The obtained ETFE slurry was suction filtered with a glass filter and dried at 150 ° C. for 15 hours to obtain 99 g of ETFE5.
  • Table 1 shows (A) / (B), (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ , melting point, and Q value.
  • ETFE5 was press-molded at 270 ° C. to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m.
  • a sample was obtained by irradiating the ETFE film with radiation (electron beam) so that the dose was 5 Mrad.
  • the light transmittance of the sample at a wavelength of 400 nm is shown in Table 1. Further, when the heat resistance of the sample at 280 ° C. was evaluated, no deformation was observed. There was no problem with light resistance.
  • Example 6 A polymerization tank equipped with a stirrer with an internal volume of 1.3 L was degassed, and 118.8 g of 1-hydrotridecafluorohexane, 168.7 g of AK225cb, and 20.2 g of CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 4 F were added. First, 187.6 g of TFE and 6.5 g of E were injected, the temperature in the polymerization tank was raised to 66 ° C., and 2.5% by mass of tert-butyl peroxypivalate 1-hydrotrivalent was used as a radical polymerization initiator. 10.6 mL of decafluorohexane solution was charged and polymerization was started.
  • a mixed gas of TFE / E 60/40 (molar ratio) is continuously charged so that the pressure is constant, and CH 2 ⁇ CH so as to be 4.0 mol% with respect to the mixed gas. (CF 2 ) 4 F was continuously charged. 175 minutes after the start of polymerization, when 100 g of the mixed gas was charged, the temperature in the polymerization tank was lowered to room temperature and purged to normal pressure.
  • ETFE6 The obtained ETFE slurry was suction filtered with a glass filter and dried at 150 ° C. for 15 hours to obtain 98 g of ETFE6.
  • Table 1 shows (A) / (B), (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ , melting point, and Q value.
  • ETFE6 was press-molded at 270 ° C. to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m.
  • a sample was obtained by irradiating the ETFE film with radiation (electron beam) so that the dose was 5 Mrad.
  • the light transmittance of the sample at a wavelength of 400 nm is shown in Table 1. Further, when the heat resistance of the sample at 280 ° C. was evaluated, no deformation was observed. There was no problem with light resistance.
  • Example 7 Degas the polymerization tank equipped with a stirrer with an internal volume of 1.3 L, and add 1217.0 g of 1-hydrotridecafluorohexane, 12.3 g of methanol, and 24.5 g of CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 4 F. First, 209.1 g of TFE and 7.4 g of E were injected, the temperature in the polymerization tank was raised to 35 ° C., and 30% by mass of 1-hydrotrideca diisopropylpyperoxydicarbonate as a radical polymerization initiator. 30.8 mL of a fluorohexane solution was charged to initiate polymerization.
  • a mixed gas of TFE / E 60/40 (molar ratio) is continuously charged so that the pressure is constant, and CH 2 ⁇ CH so as to be 4.0 mol% with respect to the mixed gas. (CF 2 ) 4 F was continuously charged. 187 minutes after the start of polymerization, when 100 g of the mixed gas was charged, the temperature in the polymerization tank was lowered to room temperature and purged to normal pressure.
  • ETFE7 The obtained ETFE slurry was suction filtered with a glass filter and dried at 150 ° C. for 15 hours to obtain 93.8 g of ETFE7.
  • Table 1 shows (A) / (B), (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ , melting point, and Q value.
  • ETFE7 was press-molded at 270 ° C. to obtain an ETFE film having a thickness of 220 ⁇ m.
  • a sample was obtained by irradiating the ETFE film with radiation (electron beam) so that the dose was 5 Mrad.
  • the light transmittance of the sample at a wavelength of 400 nm is shown in Table 1. Further, when the heat resistance of the sample at 280 ° C. was evaluated, no deformation was observed. There was no problem with light resistance.
  • Example 8 The light transmittance of the uncrosslinked ETFE film of Example 1 is shown in Table 2. Moreover, when the heat resistance in 280 degreeC was evaluated about this film, it melted.
  • Example 9 The light transmittance of the uncrosslinked ETFE film of Example 4 is shown in Table 2. Moreover, when the heat resistance in 280 degreeC was evaluated about this film, it melted.
  • Example 10 The light transmittance of the uncrosslinked ETFE film of Example 5 is shown in Table 2. Moreover, when the heat resistance in 280 degreeC was evaluated about this film, it melted.
  • Example 11 The light transmittance of the uncrosslinked ETFE film of Example 7 is shown in Table 2. Moreover, when the heat resistance in 280 degreeC was evaluated about this film, it melted.
  • Example 12 Degas the polymerization tank equipped with a stirrer with an internal volume of 1.3 L, and add 1274.3 g of 1-hydrotridecafluorohexane, 23.4 g of methanol, and 8.1 g of CH 2 ⁇ CH (CF 2 ) 4 F. First, 183.5 g of TFE and 11.0 g of E were injected, the inside of the polymerization tank was heated to 35 ° C., and 1-hydrotrideca of 15% by mass of diisopropyl-peroxydicarbonate as a radical polymerization initiator. 15.4 mL of a fluorohexane solution was charged to initiate polymerization.
  • a mixed gas of TFE / E 54/46 (molar ratio) is continuously charged so that the pressure is constant, and CH 2 ⁇ CH so as to be 1.4 mol% with respect to the mixed gas. (CF 2 ) 4 F was continuously charged. 300 minutes after the start of polymerization, when 90 g of the mixed gas was charged, the inside of the polymerization tank was cooled to room temperature and purged to normal pressure.
  • ETFE8 The obtained ETFE slurry was suction filtered with a glass filter and dried at 150 ° C. for 15 hours to obtain 95.8 g of ETFE8.
  • Table 2 shows (A) / (B), (C) / ⁇ (A) + (B) ⁇ , melting point, and Q value.
  • ETFE8 was press-molded at 310 ° C. to obtain a 220 ⁇ m thick ETFE film.
  • the light transmittance of the film is shown in Table 2. Moreover, when the heat resistance in 280 degreeC was evaluated about this film, it fuse
  • Example 13 A sample was obtained by irradiating the ETFE film of Example 12 with radiation (electron beam) so that the dose was 5 Mrad.
  • Table 2 shows the light transmittance of the sample at a wavelength of 400 nm. Further, when the heat resistance of the sample at 280 ° C. was evaluated, no deformation was observed.
  • the optical member of the present invention is excellent in transparency, it is suitably used for an optical film, an optical lens, a light emitting diode sealing material, and the like. Since the optical member of the present invention is excellent in transparency and heat resistance, it can be applied to mounting applications by a solder reflow method using lead-free solder on a circuit board or the like.

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Abstract

　従来のエチレン／テトラフルオロエチレン共重合体からなる成形体に比べ透明性、耐熱性に優れ、かつ耐光性が良好である光学部材、その製造方法および該光学部材を備えた物品を提供する。　テトラフルオロエチレンに基づく単位（Ａ）、エチレンに基づく単位（Ｂ）およびＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１（ただし、ｎは２～１０の整数である。）に基づく単位（Ｃ）を有し、前記単位（Ａ）と前記単位（Ｂ）とのモル比（（Ａ）／（Ｂ））が、５０／５０～６６／３４であり、前記単位（Ｃ）と前記単位（Ａ）および前記単位（Ｂ）の合計とのモル比（（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝）が、４．０／１００～１０／１００であるエチレン／テトラフルオロエチレン共重合体の架橋物を含む成形体からなる光学部材。

Description

光学部材、その製造方法および該光学部材を備えた物品
　本発明は、光学部材、その製造方法および該光学部材を備えた物品に関する。
　電子部品、電子機器等は、光学部材（光学フィルム、光学レンズ、発光ダイオードの封止材等）を備えている場合がある。
　該光学部材には、下記（ｉ）の理由等から、樹脂材料を用いることが求められることがある。
　（ｉ）電子部品、電子機器等の小型化、高集積化、高性能化等に伴い、光学部材にも小型化が求められている。該光学部材の材料としては、光学部材を小型に加工しやすい点から、樹脂材料が好適である。
　また、該光学部材には、下記（ｉｉ）、（ｉｉｉ）の理由等から、耐熱性、耐光性が求められることがある。
　（ｉｉ）ハンダリフロー法によって光学部材を回路基板に実装することがある。ハンダリフロー法においては、環境問題への対応の点から、鉛フリーハンダを用いることが望まれている。そのため、光学部材には、鉛フリーハンダのリフロー温度（約２６０℃）でも溶融せずに形状を維持できる耐熱性が求められる。
　（ｉｉｉ）発光ダイオードの高輝度化に伴い、封止材には、さらなる耐熱性、耐光性が求められる。
　耐熱性、耐光性に優れる樹脂材料としては、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥと記す。）が知られている。しかし、通常のＥＴＦＥは、結晶性が高いため、透明性が低く、光学部材用の樹脂材料には適さない。
　透明性が改善されたＥＴＦＥとしては、下記のＥＴＦＥが提案されている。
　テトラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥと記す。）に基づく単位（Ａ）、エチレン（以下、Ｅと記す。）に基づく単位（Ｂ）およびＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１（ただし、ｎは２～１０の整数である。）に基づく単位（Ｃ）からなり、単位（Ａ）と単位（Ｂ）とのモル比（（Ａ）／（Ｂ））が、５０／５０～６０／４０であり、単位（Ｃ）の含有量が、２～７モル％であるＥＴＦＥ（特許文献１）。
日本特許第３４２４２７０号公報
　光学部材の樹脂材料としては、透明性はできるだけ高いことが望ましい。よって、特許文献１に記載のＥＴＦＥよりもさらに透明性の高いＥＴＦＥが求められている。
　本発明は、従来のＥＴＦＥからなる成形体に比べ透明性、耐熱性に優れ、かつ耐光性が良好である光学部材、その製造方法および該光学部材を備えた物品を提供する。
　本発明の光学部材は、下記ＥＴＦＥの架橋物を含む成形体からなることを特徴とする。
　（ＥＴＦＥ）
　ＴＦＥに基づく単位（Ａ）、Ｅに基づく単位（Ｂ）およびＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１（ただし、ｎは２～１０の整数である。）に基づく単位（Ｃ）を有し、前記単位（Ａ）と前記単位（Ｂ）とのモル比（（Ａ）／（Ｂ））が、５０／５０～６６／３４であり、前記単位（Ｃ）と前記単位（Ａ）および前記単位（Ｂ）の合計とのモル比（（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝）が、４．０／１００～１０／１００であるＥＴＦＥ。
　前記（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝は、４．０／１００～７．５／１００であることが好ましい。
　本発明の光学部材の波長４００ｎｍにおける光線透過率は、厚さ２２０μｍの光学部材において９０．０％以上であることが好ましい。
　本発明の光学部材を、２８０℃で５分間加熱した際の収縮率は、厚さ５００μｍの光学部材において縦方向および横方向のいずれも５％以内であることが好ましい。
　本発明の光学部材の製造方法は、本発明の光学部材を製造する方法であって、前記ＥＴＦＥを含む樹脂材料の成形体に放射線を照射することによって、前記ＥＴＦＥを架橋させることを特徴とする。
　本発明の光学部材の製造方法は、放射線の線量が１～１０Ｍｒａｄであることが好ましい。
　本発明の光学部材の製造方法は、放射線が電子線であることが好ましい。
　本発明の物品は、本発明の光学部材を備えたものであることを特徴とする。
　本発明の光学部材は、従来のＥＴＦＥからなる成形体に比べ透明性、耐熱性に優れ、かつ耐光性が良好である。
　本発明の光学部材の製造方法によれば、従来のＥＴＦＥに比べ透明性が改善され、かつ耐熱性、耐光性に優れる光学部材を製造できる。
　本発明の物品は、従来のＥＴＦＥに比べ透明性が改善され、かつ耐熱性、耐光性に優れる光学部材を備えたものとなる。
　本明細書における「単位」は、単量体が重合することによって形成された該単量体に由来する繰返し単位を意味する。単位は、重合によって直接形成された単位であってもよく、重合体を処理することによって該単位の一部が別の構造に変換された単位であってもよい。
　また、本明細書における「単量体」は、重合性不飽和基を有する化合物を意味する。
　また、本明細書における「（メタ）アクリレート」は、アクリレートまたはメタクリレートを意味する。
　また、本発明における「放射線」は、γ線、電子線、Ｘ線等の電離性放射線を意味する。
＜光学部材＞
　本発明の光学部材は、特定のＥＴＦＥの架橋物を含む成形体からなるものである。ＥＴＦＥの架橋物は、ＥＴＦＥに放射線を照射してＥＴＦＥを架橋させることによって形成されたものである。
（ＥＴＦＥ）
　本発明におけるＥＴＦＥは、ＴＦＥに基づく単位（Ａ）、Ｅに基づく単位（Ｂ）およびＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１（ただし、ｎは２～１０の整数である。）に基づく単位（Ｃ）を有する。
　単位（Ａ）と単位（Ｂ）とのモル比（（Ａ）／（Ｂ））は、５０／５０～６６／３４であり、５３／４７～６５／３５が好ましく、５６／４４～６０／４０がより好ましい。（Ａ）／（Ｂ）が該範囲内であれば、透明性、耐熱性、耐光性、耐候性、耐薬品性、ガスバリア性、燃料バリア、機械的強度、成形性等のバランスが良好となる。
　単位（Ｃ）と単位（Ａ）および単位（Ｂ）の合計とのモル比（（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝）は、４．０／１００～１０／１００であり、４．０／１００～７．５／１００が好ましく、４．５／１００～７．５／１００がより好ましく、４．６／１００～７．５／１００がさらに好ましい。（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝が４．０／１００以上であれば、透明性が高くなる。（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝が１０／１００以下であれば、ＥＴＦＥの製造が容易である。
　ＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１におけるｎは、２～１０の整数であり、２～８が好ましく、２～６がより好ましい。ｎが２以上であれば、得られるＥＴＦＥが耐ストレスクラック等の物性に優れる。ｎが１０以下であれば、ＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１の製造が容易で、重合性に優れる。
　ＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１の具体例としては、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）２Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）３Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）５Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）６Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）７Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）８Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）９Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）１０Ｆ等が挙げられる。
　ＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１としては、重合性に優れ、ＥＴＦＥが物性に優れることから、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）２Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）３Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）５Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）６Ｆ、またはＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）７Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）８Ｆが好ましく、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）２Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）３Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）５Ｆ、またはＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）６Ｆがより好ましい。
　ＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　本発明におけるＥＴＦＥは、単位（Ａ）、単位（Ｂ）および単位（Ｃ）以外に、その他の単量体に基づく単位（Ｄ）を有していてもよい。
　その他の単量体としては、炭化水素系オレフィン（プロピレン、ブテン等）、不飽和基に水素原子を有するフルオロオレフィン（フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、トリフルオロエチレン等）、不飽和基に水素原子を有しないフルオロオレフィン（ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン等。ただし、ＴＦＥを除く。）、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）等）、ビニルエーテル（アルキルビニルエーテル、（フルオロアルキル）ビニルエーテル、グリシジルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、メチルビニロキシブチルカーボネート等）、ビニルエステル（酢酸ビニル、クロロ酢酸ビニル、ブタン酸ビニル、ピバル酸ビニル、安息香酸ビニル、クロトン酸ビニル等）、（メタ）アクリレート（（ポリフルオロアルキル）アクリレート、（ポリフルオロアルキル）メタクリレート等）、酸無水物（無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物等）等が挙げられる。
　その他の単量体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　本発明におけるＥＴＦＥが単位（Ｄ）を有する場合、単位（Ｄ）の割合は、ＥＴＦＥ中の全単位（１００モル％）のうち、０．０１～２０モル％が好ましく、０．０１～１０モル％がより好ましく、０．０５～５モル％がさらに好ましく、０．１～３モル％が特に好ましい。
　本発明におけるＥＴＦＥとしては、耐熱性等の物性に優れ、製造が容易である点から、単位（Ａ）、単位（Ｂ）および単位（Ｃ）のみからなるＥＴＦＥが好ましい。
　本発明におけるＥＴＦＥの容量流速（以下、Ｑ値と記す。）は、１～１０００ｍｍ３／秒が好ましく、５～５００ｍｍ３／秒がより好ましく、５～２００ｍｍ３／秒がさらに好ましい。Ｑ値は、ＥＴＦＥの溶融流動性を表す指標であり、分子量の目安となる。Ｑ値が大きいと分子量が低く、小さいと分子量が高いことを示す。本発明におけるＥＴＦＥのＱ値は、島津製作所社製のフローテスタを用いて、温度：２９７℃、荷重：７ｋｇ下に直径：２．１ｍｍ、長さ：８ｍｍのオリフィス中に押出すときのＥＴＦＥの押出し速度である。
（ＥＴＦＥの製造方法）
　ＥＴＦＥは、たとえば、特開２００４－２３８４０５号公報に記載された方法等によって製造できる。ＥＴＦＥの製造方法は、該方法に限定されない。
　ＥＴＦＥの製造方法においては、通常のラジカル重合開始剤を用いる重合法が用いられる。重合法としては、塊状重合法、有機溶媒（フッ化炭化水素、塩化炭化水素、フッ化塩化炭化水素、アルコール、炭化水素等）を用いる溶液重合法、水性媒体および必要に応じて適当な有機溶媒を用いる懸濁重合法、水性媒体および乳化剤を用いる乳化重合法が挙げられる。ＥＴＦＥ中に乳化剤等の不純物が残留しないことから、溶液重合法または懸濁重合法が好ましい。
　ラジカル重合開始剤としては、重合温度の観点から、半減期が１０時間となる温度が０℃～１００℃のものが好ましく、２０～９０℃のものがより好ましい。
　ラジカル重合開始剤の具体例としては、アゾ化合物（アゾビスイソブチロニトリル等）、非フッ素系ジアシルペルオキシド（ジイソブチリルペルオキシド、ジオクタノイルペルオキシド、ジベンゾイルペルオキシド、ジラウロイルペルオキシド等）、ペルオキシジカーボネート（ジイソプロピルペルオキシジカーボネート等）、ペルオキシエステル（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシピバレート、ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシイソブチレート、ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシアセテート等）、含フッ素ジアシルペルオキシド（（Ｚ（ＣＦ２）ｐＣＯＯ）２（ただし、Ｚは水素原子、フッ素原子または塩素原子であり、ｐは１～１０の整数である。）で表される化合物等）、無機過酸化物（過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等）等が挙げられる。
　溶液重合法においては、ＥＴＦＥの容量流速を制御するために、連鎖移動剤を用いることが好ましい。連鎖移動剤としては、アルコール（メタノール、エタノール等）、クロロフルオロハイドロカーボン（１，３－ジクロロ－１，１，２，２，３－ペンタフルオロプロパン、３，３－ジクロロ－１，１，１，２，２－ペンタフルオロプロパン、１，１－ジクロロ－１－フルオロエタン等）、ハイドロカーボン（ペンタン、ヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン等）等が挙げられる。また、基材（ポリアミド等）との接着性に優れる官能基をＥＴＦＥの末端に導入するために、官能基（エステル基、カーボネート基、水酸基、カルボキシル基、カルボニルフルオリド基等）を有する連鎖移動剤を用いてもよい。該連鎖移動剤としては、酢酸、酢酸メチル、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。
　重合温度は、０℃～１００℃が好ましく、２０～９０℃がより好ましい。
　重合圧力は、０．１～１０ＭＰａが好ましく、０．５～３ＭＰａがより好ましい。
　重合時間は、１～３０時間が好ましく、２～２０時間がより好ましく、２～１０時間がさらに好ましい。なお、ラジカル重合開始剤を多く入れすぎると、ＥＴＦＥ中に残存するラジカル重合開始剤が加熱成形時に発泡することが確認されており、発泡しない範囲での重合時間とする必要がある。
（他の成分）
　本発明の光学部材は、熱安定性に優れる点から、熱安定剤を含んでいてもよい。熱安定剤としては、銅化合物、錫化合物、鉄化合物、鉛化合物、チタン化合物およびアルミニウム化合物からなる群から選ばれる１種以上が好ましい。具体例としては、酸化銅、ヨウ化銅、アルミナ、硫酸錫、硫酸ゲルマニウム、塩基性硫酸鉛、亜硫酸錫、燐酸バリウム、ピロリン酸錫等が挙げられ、酸化銅、またはヨウ化銅が好ましい。熱安定剤の含有量は、光学部材中、１×１０－８～５質量％が好ましく、１×１０－７～２質量％がより好ましく、５×１０－７～１質量％がさらに好ましい。
　本発明の光学部材は、用途、目的に応じて、その他の配合剤を含んでいてもよい。その他の配合剤としては、各種の添加剤、フィラー、他の合成樹脂等が挙げられる。熱安定剤およびその他の配合剤の合計の含有量は、８０質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
（透明性）
　本発明の光学部材の波長４００ｎｍにおける光線透過率は、厚さ２２０μｍにおいて９０．０％以上が好ましく、９０．５％以上がより好ましく、９０．９％以上がさらに好ましい。
　光線透過率は、以下のようにして測定する。
　ＥＴＦＥを含む樹脂材料を融点＋５０℃±２０℃の範囲（たとえば、融点２５０℃の場合は２８０℃～３２０℃）でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得る。該ＥＴＦＥフィルムに放射線を照射してサンプルを得る。該サンプルについて、分光光度計を用いて波長４００ｎｍにおける光線透過率を測定する。
（耐熱性）
　本発明の光学部材の２８０℃で５分間加熱した際の収縮率は、縦方向および横方向のいずれも５％以内が好ましく、３％以内がより好ましく、２％以内がさらに好ましい。
　収縮率は、ＥＴＦＥをプレス成形して作製した厚さ５００μｍのフィルムを５０ｍｍ×５０ｍｍに切り出し、２８０℃で５分間加熱した後、測定する。
（耐光性）
　通常、サンシャインウェザーメーター（スガ試験機）を使用し、ブラックパネル温度は６３℃で１００時間照射後の透明性を評価し、透明性に変化がないことを確認する。
（光学部材の製造方法）
　本発明の光学部材は、特定のＥＴＦＥを含む樹脂材料の成形体に放射線を照射し、該ＥＴＦＥを架橋させることによって製造される。
　樹脂材料は、ＥＴＦＥの他に、前記熱安定剤、その他の配合剤を含んでいてもよい。
　成形体は、樹脂材料を成形することによって得られる。成形法としては、公知の成形法（押出成形法、射出成形法、プレス成形法等）が挙げられる。
　ＥＴＦＥの架橋条件は、成形体の形状、厚さ等に応じて適宜設定される。
　光学部材は、前記成形体にγ線、電子線、Ｘ線等の電離性放射線を照射することによって得られる。架橋条件は、成形体の形状、厚さ等にもよるため一概には言えないが、放射線としては、設備の点から電子線が好ましい。
　電子線の照射は、フッ素樹脂の融点未満の温度雰囲気、好ましくはガラス転移点以下の温度雰囲気で少なくとも１回以上、及び、フッ素樹脂の融点以上の温度雰囲気で少なくとも１回以上行われる。フッ素樹脂の融点未満の温度雰囲気で電子線が照射され架橋が施されることで、成形体を、２回目の照射を行う際にフッ素樹脂の融点以上に加熱しても、溶融や変形が見られず成形体の形状が維持される。このように、架橋物とは、フッ素樹脂のＱ値が０ｍｍ３／秒で、溶融成形性を失ったものをいう。
　放射線の線量は、通常、１～２０Ｍｒａｄであり、３～１０Ｍｒａｄが好ましい。
（作用効果）
　以上説明した本発明の光学部材にあっては、ＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１（ただし、ｎは２～１０の整数である。）に基づく単位（Ｃ）を特定の割合で含むＥＴＦＥの架橋物を含む成形体からなるため、従来のＥＴＦＥからなる未架橋の成形体に比べ透明性に優れる。ＥＴＦＥにおける単位（Ｃ）の割合を増やすことによって、成形体の透明性が改善されることは従来から知られていたが、本発明においては、単位（Ｃ）の割合が比較的多いＥＴＦＥに放射線を照射し、ＥＴＦＥを架橋させることによって、成形体の透明性をさらに改善している。
　また、以上説明した本発明の光学部材にあっては、ＥＴＦＥの架橋物を含む成形体からなるため、従来のＥＴＦＥからなる未架橋の成形体に比べ耐熱性に優れる。
　また、以上説明した本発明の光学部材にあっては、もともと耐光性のよいＥＴＦＥを用いているため、耐光性が良好である。
　本発明の光学部材は、従来のＥＴＦＥの耐光性、耐候性、耐薬品性、ガスバリア性等の特性を維持しつつ、光学部材に適用し得る高い透明性を有する。
　また、本発明の光学部材は、鉛フリーハンダを用いたハンダリフローに適用し得る高い耐熱性を有する。
＜光学部材を備えた物品＞
　本発明の物品は、本発明の光学部材を備えたものである。
　本発明の物品としては、本発明の光学部材を光学フィルム（導光板、光拡散シート、集光シート等）、光学レンズ（ピックアップレンズ、カメラレンズ、マイクロアレーレンズ、プロジェクターレンズ、フレネルレンズ等）等として実装した電子機器（携帯電話機、ノートパソコン、デジタルカメラ、液晶テレビ等）、本発明の光学部材を封止材として備えた発光ダイオード等が挙げられる。
　以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。
　例１～７は実施例であり、例８～１３は比較例である。
（各単位の割合）
　ＥＴＦＥにおける各単位の割合は、全フッ素量測定および溶融１９Ｆ－ＮＭＲ測定の結果から算出した。
（融点）
　ＥＴＦＥの融点は、示差走査熱量計（ＳＩＩ社製、ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０）を用いて、ＥＴＦＥを１０℃／分で加熱した際の吸熱ピークから求めた。
（Ｑ値）
　島津製作所社製のフローテスタを用いて、温度：２９７℃、荷重：７ｋｇ下に直径：２．１ｍｍ、長さ：８ｍｍのオリフィス中に押出すときのＥＴＦＥの押出し速度（ｍｍ３／秒）をＱ値とした。
（ＥＴＦＥを架橋する前の光線透過率）
　ＥＴＦＥを融点＋５０℃±２０℃の範囲でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムについて、島津製作所社製、ＵＶ－３６００を用いて波長４００ｎｍにおける光線透過率を測定した。
（ＥＴＦＥを架橋した後の光線透過率）
　ＥＴＦＥを融点＋５０℃±２０℃の範囲でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムに放射線を照射してサンプルを得た。該サンプルについて、島津製作所社製、ＵＶ－３６００を用いて波長４００ｎｍにおける光線透過率を測定した。
（耐熱性）
　収縮率は、プレス成形して作製した厚さ５００μｍのフィルムを５０ｍｍ×５０ｍｍに切り出し、２８０℃で５分間加熱した後、測定した。収縮率が縦方向および横方向のいずれも５％以内の場合を○（良）、収縮率が縦方向および横方向のいずれか一方または両方が５％を超える場合を×（不良）と評価した。
〔例１〕
　真空脱気した９４Ｌのステンレス鋼製オートクレーブに、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの８７．３ｋｇ、１，３－ジクロロ－１，１，２，２，３－ペンタフルオロプロパン（旭硝子社製、ＡＫ２２５ｃｂ。以下、ＡＫ２２５ｃｂと記す。）の４．２１ｋｇ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆの２．１３ｋｇを仕込み、撹拌しながら６６℃まで昇温し、ＴＦＥ／Ｅ＝８９／１１（モル比）の混合ガスを１．５ＭＰａＧになるまで導入し、５０質量％のｔｅｒｔ－ブチルペルオキシピバレートのＡＫ２２５ｃｂ溶液の６０．４ｇを仕込んで重合を開始した。重合中は、圧力が１．５ＭＰａＧとなるようにＴＦＥ／Ｅ＝６０／４０（モル比）の混合ガスおよび該混合ガスに対して７．０モル％に相当する量のＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆを連続的に添加し、ＴＦＥ／Ｅ混合ガスの７．１９ｋｇを仕込んだ後にオートクレーブを冷却し、残留ガスをパージし、重合を終了させた。重合に要した時間は３３３分であった。
　得られたＥＴＦＥのスラリを２２０Ｌの造粒槽へ移し、７７Ｌの水を加えて撹拌しながら加熱し、重合溶媒および残留モノマーを除去し、７．２ｋｇのＥＴＦＥ１を得た。ＥＴＦＥ１における各単位の割合は、単位（Ａ）／単位（Ｂ）／単位（Ｃ）＝５４．５／３９．０／６．５（モル比）であった。（Ａ）／（Ｂ）、（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝、融点、Ｑ値を表１に示す。
　ＥＴＦＥ１を２５０℃でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムに放射線（電子線）を、線量が５Ｍｒａｄとなるように照射してサンプルを得た。該サンプルの波長４００ｎｍにおける光線透過率を表１に示す。また、該サンプルについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、変形は見られなかった。耐光性も問題がなかった。
〔例２〕
　内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気し、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの１１９８．２ｇ、ＡＫ２２５ｃｂの１０４．２ｇ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆの３２．８ｇを仕込み、ＴＦＥの１８２．７ｇ、Ｅの６．３ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、ラジカル重合開始剤として２．５質量％のｔｅｒｔ－ブチルペルオキシピバレートの１－ヒドロトリデカフルオロヘキサン溶液の１５．４ｍＬを仕込み、重合を開始した。重合中は、圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝６０／４０（モル比）の混合ガスを連続的に仕込み、該混合ガスに対して５．０モル％となるようにＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆを連続的に仕込んだ。重合開始から２３９分後、混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内を室温まで降温するとともに常圧までパージした。
　得られたＥＴＦＥのスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、１５０℃で１５時間乾燥することによって、１０７ｇのＥＴＦＥ２を得た。ＥＴＦＥ２における各単位の割合は、単位（Ａ）／単位（Ｂ）／単位（Ｃ）＝５３．０／４１．４／５．６（モル比）であった。（Ａ）／（Ｂ）、（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝、融点、Ｑ値を表１に示す。
　ＥＴＦＥ２を２７０℃でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムに放射線（電子線）を、線量が５Ｍｒａｄとなるように照射してサンプルを得た。該サンプルの波長４００ｎｍにおける光線透過率を表１に示す。また、該サンプルについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、変形は見られなかった。耐光性も問題がなかった。
〔例３〕
　内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気し、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの１１５６．５ｇ、ＡＫ２２５ｃｂの１４２．９ｇ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆの２２．７ｇを仕込み、ＴＦＥの１８７．６ｇ、Ｅの６．５ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、ラジカル重合開始剤として２．５質量％のｔｅｒｔ－ブチルペルオキシピバレートの１－ヒドロトリデカフルオロヘキサン溶液の１０．６ｍＬを仕込み、重合を開始した。重合中は、圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝６０／４０（モル比）の混合ガスを連続的に仕込み、該混合ガスに対して４．０モル％となるようにＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆを連続的に仕込んだ。重合開始から１９６分後、混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内を室温まで降温するとともに常圧までパージした。
　得られたＥＴＦＥのスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、１５０℃で１５時間乾燥することによって、９６ｇのＥＴＦＥ３を得た。ＥＴＦＥ３における各単位の割合は、単位（Ａ）／単位（Ｂ）／単位（Ｃ）＝５４．３／４１．３／４．４（モル比）であった。（Ａ）／（Ｂ）、（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝、融点、Ｑ値を表１に示す。
　ＥＴＦＥ３を２７０℃でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムに放射線（電子線）を、線量が５Ｍｒａｄとなるように照射してサンプルを得た。該サンプルの波長４００ｎｍにおける光線透過率を表１に示す。また、該サンプルについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、変形は見られなかった。耐光性も問題がなかった。
〔例４〕
　内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気し、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの１１７９．４ｇ、ＡＫ２２５ｃｂの１６７．４ｇ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）２Ｆの１５．５ｇを仕込み、ＴＦＥの１８７．６ｇ、Ｅの６．５ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、ラジカル重合開始剤として２．５質量％のｔｅｒｔ－ブチルペルオキシピバレートの１－ヒドロトリデカフルオロヘキサン溶液の１０．６ｍＬを仕込み、重合を開始した。重合中は、圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝６０／４０（モル比）の混合ガスを連続的に仕込み、該混合ガスに対して４．０モル％となるようにＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）２Ｆを連続的に仕込んだ。重合開始から２００分後、混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内を室温まで降温するとともに常圧までパージした。
　得られたＥＴＦＥのスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、１５０℃で１５時間乾燥することによって、９８ｇのＥＴＦＥ４を得た。ＥＴＦＥ４における各単位の割合は、単位（Ａ）／単位（Ｂ）／単位（Ｃ）＝５４．２／４１．３／４．５（モル比）であった。（Ａ）／（Ｂ）、（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝、融点、Ｑ値を表１に示す。
　ＥＴＦＥ４を２７０℃でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムに放射線（電子線）を、線量が５Ｍｒａｄとなるように照射してサンプルを得た。該サンプルの波長４００ｎｍにおける光線透過率を表１に示す。また、該サンプルについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、変形は見られなかった。耐光性も問題がなかった。
〔例５〕
　内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気し、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの１１９４．５ｇ、ＡＫ２２５ｃｂの１５３．４ｇ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）６Ｆの３３．０ｇを仕込み、ＴＦＥの１８７．６ｇ、Ｅの６．５ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、ラジカル重合開始剤として２．５質量％のｔｅｒｔ－ブチルペルオキシピバレートの１－ヒドロトリデカフルオロヘキサン溶液の１０．６ｍＬを仕込み、重合を開始した。重合中は、圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝６０／４０（モル比）の混合ガスを連続的に仕込み、該混合ガスに対して４．０モル％となるようにＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）６Ｆを連続的に仕込んだ。重合開始から１９３分後、混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内を室温まで降温するとともに常圧までパージした。
　得られたＥＴＦＥのスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、１５０℃で１５時間乾燥することによって、９９ｇのＥＴＦＥ５を得た。ＥＴＦＥ５における各単位の割合は、単位（Ａ）／単位（Ｂ）／単位（Ｃ）＝５４．４／４１．３／４．３（モル比）であった。（Ａ）／（Ｂ）、（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝、融点、Ｑ値を表１に示す。
　ＥＴＦＥ５を２７０℃でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムに放射線（電子線）を、線量が５Ｍｒａｄとなるように照射してサンプルを得た。該サンプルの波長４００ｎｍにおける光線透過率を表１に示す。また、該サンプルについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、変形は見られなかった。耐光性も問題がなかった。
〔例６〕
　内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気し、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの１１２８．８ｇ、ＡＫ２２５ｃｂの１６８．７ｇ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆの２０．２ｇを仕込み、ＴＦＥの１８７．６ｇ、Ｅの６．５ｇを圧入し、重合槽内を６６℃に昇温し、ラジカル重合開始剤として２．５質量％のｔｅｒｔ－ブチルペルオキシピバレートの１－ヒドロトリデカフルオロヘキサン溶液の１０．６ｍＬを仕込み、重合を開始した。重合中は、圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝６０／４０（モル比）の混合ガスを連続的に仕込み、該混合ガスに対して４．０モル％となるようにＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆを連続的に仕込んだ。重合開始から１７５分後、混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内を室温まで降温するとともに常圧までパージした。
　得られたＥＴＦＥのスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、１５０℃で１５時間乾燥することによって、９８ｇのＥＴＦＥ６を得た。ＥＴＦＥ６における各単位の割合は、単位（Ａ）／単位（Ｂ）／単位（Ｃ）＝５６．４／３９．６／４．０（モル比）であった。（Ａ）／（Ｂ）、（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝、融点、Ｑ値を表１に示す。
　ＥＴＦＥ６を２７０℃でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムに放射線（電子線）を、線量が５Ｍｒａｄとなるように照射してサンプルを得た。該サンプルの波長４００ｎｍにおける光線透過率を表１に示す。また、該サンプルについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、変形は見られなかった。耐光性も問題がなかった。
〔例７〕
　内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気し、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの１２１７．０ｇ、メタノールの１２．３ｇ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆの２４．５ｇを仕込み、ＴＦＥの２０９．１ｇ、Ｅの７．４ｇを圧入し、重合槽内を３５℃に昇温し、ラジカル重合開始剤として３０質量％のジイソピロピルペルオキシジカーボネートの１－ヒドロトリデカフルオロヘキサン溶液の３０．８ｍＬを仕込み、重合を開始した。重合中は、圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝６０／４０（モル比）の混合ガスを連続的に仕込み、該混合ガスに対して４．０モル％となるようにＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆを連続的に仕込んだ。重合開始から１８７分後、混合ガスの１００ｇを仕込んだ時点で、重合槽内を室温まで降温するとともに常圧までパージした。
　得られたＥＴＦＥのスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、１５０℃で１５時間乾燥することによって、９３．８ｇのＥＴＦＥ７を得た。ＥＴＦＥ７における各単位の割合は、単位（Ａ）／単位（Ｂ）／単位（Ｃ）＝５４．３／４１．６／４．１（モル比）であった。（Ａ）／（Ｂ）、（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝、融点、Ｑ値を表１に示す。
　ＥＴＦＥ７を２７０℃でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。該ＥＴＦＥフィルムに放射線（電子線）を、線量が５Ｍｒａｄとなるように照射してサンプルを得た。該サンプルの波長４００ｎｍにおける光線透過率を表１に示す。また、該サンプルについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、変形は見られなかった。耐光性も問題がなかった。
〔例８〕
　例１の未架橋のＥＴＦＥフィルムの光線透過率を表２に示す。また、該フィルムについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、溶融してしまった。
〔例９〕
　例４の未架橋のＥＴＦＥフィルムの光線透過率を表２に示す。また、該フィルムについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、溶融してしまった。
〔例１０〕
　例５の未架橋のＥＴＦＥフィルムの光線透過率を表２に示す。また、該フィルムについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、溶融してしまった。
〔例１１〕
　例７の未架橋のＥＴＦＥフィルムの光線透過率を表２に示す。また、該フィルムについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、溶融してしまった。
〔例１２〕
　内容積が１．３Ｌの撹拌機付き重合槽を脱気し、１－ヒドロトリデカフルオロヘキサンの１２７４．３ｇ、メタノールの２３．４ｇ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆの８．１ｇを仕込み、ＴＦＥの１８３．５ｇ、Ｅの１１．０ｇを圧入し、重合槽内を３５℃に昇温し、ラジカル重合開始剤として１５質量％のジイソピロピルペルオキシジカーボネートの１－ヒドロトリデカフルオロヘキサン溶液の１５．４ｍＬを仕込み、重合を開始した。重合中は、圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝５４／４６（モル比）の混合ガスを連続的に仕込み、該混合ガスに対して１．４モル％となるようにＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）４Ｆを連続的に仕込んだ。重合開始から３００分後、混合ガスの９０ｇを仕込んだ時点で、重合槽内を室温まで降温するとともに常圧までパージした。
　得られたＥＴＦＥのスラリをガラスフィルタで吸引ろ過し、１５０℃で１５時間乾燥することによって、９５．８ｇのＥＴＦＥ８を得た。ＥＴＦＥ８における各単位の割合は、単位（Ａ）／単位（Ｂ）／単位（Ｃ）＝５２．２／４６．３／１．５（モル比）であった。（Ａ）／（Ｂ）、（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝、融点、Ｑ値を表２に示す。
　ＥＴＦＥ８を３１０℃でプレス成形して厚さ２２０μｍのＥＴＦＥフィルムを得た。フィルムの光線透過率を表２に示す。また、該フィルムについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、溶融した。
〔例１３〕
　例１２のＥＴＦＥフィルムに放射線（電子線）を、線量が５Ｍｒａｄとなるように照射してサンプルを得た。該サンプルの波長４００ｎｍにおける光線透過率を表２に示す。また、該サンプルについて２８０℃における耐熱性を評価したところ、変形は見られなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本発明の光学部材は、透明性に優れることから、光学フィルム、光学レンズ、発光ダイオードの封止材等に好適に用いられる。本発明の光学部材は、透明性に優れ、かつ耐熱性にも優れることから、回路基板等へ鉛フリーハンダを用いたハンダリフロー法による実装用途等に適用できる。
　なお、２０１２年１月３０日に出願された日本特許出願２０１２－０１６４７７号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (8)

  1. 　下記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体の架橋物を含む成形体からなることを特徴とする光学部材。
    　（エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体）
    　テトラフルオロエチレンに基づく単位（Ａ）、エチレンに基づく単位（Ｂ）およびＣＨ２＝ＣＨＣｎＦ２ｎ＋１（ただし、ｎは２～１０の整数である。）に基づく単位（Ｃ）を有し、前記単位（Ａ）と前記単位（Ｂ）とのモル比（（Ａ）／（Ｂ））が、５０／５０～６６／３４であり、前記単位（Ｃ）と前記単位（Ａ）および前記単位（Ｂ）の合計とのモル比（（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝）が、４．０／１００～１０／１００であるエチレン／テトラフルオロエチレン共重合体。
  2. 　前記（Ｃ）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝が、４．０／１００～７．５／１００である、請求項１に記載の光学部材。
  3. 　波長４００ｎｍにおける光線透過率が、厚さ２２０μｍの光学部材において９０．０％以上である、請求項１または２に記載の光学部材。
  4. 　２８０℃で５分間加熱した際の収縮率が、厚さ５００μｍの光学部材において、縦方向および横方向のいずれも５％以内である請求項１～３のいずれか一項に記載の光学部材。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の光学部材を製造する方法であって、
    　前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体を含む樹脂材料の成形体に放射線を照射することによって、前記エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体を架橋させる、光学部材の製造方法。
  6. 　放射線の線量が１～１０Ｍｒａｄである請求項５に記載の製造方法。
  7. 　放射線が電子線である請求項５または６に記載の製造方法。
  8. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の光学部材を備えた、物品。
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