JPH11349711A - 改質フッ素樹脂の製造方法 - Google Patents
改質フッ素樹脂の製造方法Info
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- JPH11349711A JPH11349711A JP16219298A JP16219298A JPH11349711A JP H11349711 A JPH11349711 A JP H11349711A JP 16219298 A JP16219298 A JP 16219298A JP 16219298 A JP16219298 A JP 16219298A JP H11349711 A JPH11349711 A JP H11349711A
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- Japan
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- kgy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線環境下での工業材料や放射線滅菌が可
能な医療用具として使用可能な改質フッ素樹脂を簡便か
つ短時間に製造する方法を提供する。 【解決手段】 フッ素樹脂に、該樹脂を予め加熱するこ
となく、粒子加速器から１００kＧy/sec 以上の高線量
率の電離性放射線を照射線量２００kＧy〜１０ＭＧy の
範囲で照射することによって該樹脂を架橋させる。
能な医療用具として使用可能な改質フッ素樹脂を簡便か
つ短時間に製造する方法を提供する。 【解決手段】 フッ素樹脂に、該樹脂を予め加熱するこ
となく、粒子加速器から１００kＧy/sec 以上の高線量
率の電離性放射線を照射線量２００kＧy〜１０ＭＧy の
範囲で照射することによって該樹脂を架橋させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性と耐薬品性
に優れ、力学特性、熱特性および光学特性が改善された
フッ素樹脂の製造方法に関する。
に優れ、力学特性、熱特性および光学特性が改善された
フッ素樹脂の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フッ素樹脂は耐熱性と耐薬品性に優れた
特性を有し、産業用および民生用の樹脂として広く利用
されている。しかしフッ素樹脂は放射線に対して典型的
な崩壊型高分子であり、放射線を照射することによって
分子鎖の切断が進行し、照射線量が５０kＧyを超えると
機械特性が低下する。そのため原子力施設や宇宙空間な
どの放射線環境下では利用することができなかった。こ
の問題を従来の熱化学反応等の方法によって解決するこ
とが試みられてきたが、不首尾に終わっている。
特性を有し、産業用および民生用の樹脂として広く利用
されている。しかしフッ素樹脂は放射線に対して典型的
な崩壊型高分子であり、放射線を照射することによって
分子鎖の切断が進行し、照射線量が５０kＧyを超えると
機械特性が低下する。そのため原子力施設や宇宙空間な
どの放射線環境下では利用することができなかった。こ
の問題を従来の熱化学反応等の方法によって解決するこ
とが試みられてきたが、不首尾に終わっている。
【０００３】本発明者らは、フッ素樹脂の特性向上を目
指して鋭意研究した結果、フッ素樹脂に電離性放射線を
樹脂の結晶融点以上の温度で且つ酸素不存在下において
照射することによって架橋が起き、その特性が大きく変
化することを見いだした（特開平７−１１８４２３号、
特願平９−２０６１４４号）。
指して鋭意研究した結果、フッ素樹脂に電離性放射線を
樹脂の結晶融点以上の温度で且つ酸素不存在下において
照射することによって架橋が起き、その特性が大きく変
化することを見いだした（特開平７−１１８４２３号、
特願平９−２０６１４４号）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、フッ素樹脂に
その結晶融点以上に加熱した状態で電離性放射線を照射
する方法は、照射装置以外の外部の熱源を必要とする。
また、樹脂の内部までその温度を結晶融点以上に加熱す
る必要があり、装置が大規模になるだけでなく、照射前
に長い時間を必要とする。また、樹脂内部の温度に温度
分布が生じるため、表面と内部では架橋の密度が異なる
場合がある。さらに、照射雰囲気に酸素が存在しないよ
うにするために雰囲気の管理も必要となる。従って、こ
の方法は必ずしも満足のいくものではなかった。
その結晶融点以上に加熱した状態で電離性放射線を照射
する方法は、照射装置以外の外部の熱源を必要とする。
また、樹脂の内部までその温度を結晶融点以上に加熱す
る必要があり、装置が大規模になるだけでなく、照射前
に長い時間を必要とする。また、樹脂内部の温度に温度
分布が生じるため、表面と内部では架橋の密度が異なる
場合がある。さらに、照射雰囲気に酸素が存在しないよ
うにするために雰囲気の管理も必要となる。従って、こ
の方法は必ずしも満足のいくものではなかった。
【０００５】上記課題に鑑み、本発明は、フッ素樹脂に
電離性放射線を照射するにあたって、外部熱源を用いて
樹脂を予め加熱することなく、照射雰囲気中の酸素の影
響を無視できる条件にして、簡便かつ短時間に改質フッ
素樹脂を製造することを目的とする。
電離性放射線を照射するにあたって、外部熱源を用いて
樹脂を予め加熱することなく、照射雰囲気中の酸素の影
響を無視できる条件にして、簡便かつ短時間に改質フッ
素樹脂を製造することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、フッ素樹脂に、該樹脂を予め加熱
することなく、粒子加速器から１００kＧy/sec 以上の
高線量率の電離性放射線を照射線量２００kＧy〜１０Ｍ
Ｇyの範囲で照射することによって該樹脂を架橋させる
ことを特徴とする方法が提供される。なお本発明におい
て、線量率とは、［試料台上を一定の速度で移動する試
料が受ける照射線量］を［照射範囲を試料が通過する時
間］で割った値をいう。
に、本発明によれば、フッ素樹脂に、該樹脂を予め加熱
することなく、粒子加速器から１００kＧy/sec 以上の
高線量率の電離性放射線を照射線量２００kＧy〜１０Ｍ
Ｇyの範囲で照射することによって該樹脂を架橋させる
ことを特徴とする方法が提供される。なお本発明におい
て、線量率とは、［試料台上を一定の速度で移動する試
料が受ける照射線量］を［照射範囲を試料が通過する時
間］で割った値をいう。
【０００７】
【発明の実施の形態】フッ素樹脂に高線量率の電離性放
射線（電子線、Ｘ線、中性子線、高エネルギーイオン
等）を照射することによって、様々な種類のフッ素樹脂
は、外部の熱源を用いて加熱することなく、各々の結晶
融点以上の温度に均一に昇温され、架橋すると考えられ
る。線量率の高いことが重要な条件であり、放熱に勝っ
て試料を結晶融点以上の温度にするために、線量率は１
００kＧy/sec 以上にする必要がある。ただし、一般的
な電子線加速器の性能を考慮すると、線量率は１４０〜
２００kＧy/sec の範囲が好ましい。
射線（電子線、Ｘ線、中性子線、高エネルギーイオン
等）を照射することによって、様々な種類のフッ素樹脂
は、外部の熱源を用いて加熱することなく、各々の結晶
融点以上の温度に均一に昇温され、架橋すると考えられ
る。線量率の高いことが重要な条件であり、放熱に勝っ
て試料を結晶融点以上の温度にするために、線量率は１
００kＧy/sec 以上にする必要がある。ただし、一般的
な電子線加速器の性能を考慮すると、線量率は１４０〜
２００kＧy/sec の範囲が好ましい。
【０００８】また線量率が高いことによって、試料を照
射する時間は１０秒足らずで済む。放射線照射による高
分子材料の劣化は酸化によって起こるが、本発明の方法
においては処理時間が短いため、試料を酸化する酸素が
雰囲気ガス（主として空気）中から供給されて試料内部
まで拡散する前に照射処理が完了する。よって、照射の
初期においては、試料の周辺に存在していた酸素によっ
て試料表面において酸化が起こるが、その酸素が酸化反
応によって消費された後は酸素の無い状況下において試
料が照射される。その結果、分子鎖の架橋によって樹脂
が改質される。
射する時間は１０秒足らずで済む。放射線照射による高
分子材料の劣化は酸化によって起こるが、本発明の方法
においては処理時間が短いため、試料を酸化する酸素が
雰囲気ガス（主として空気）中から供給されて試料内部
まで拡散する前に照射処理が完了する。よって、照射の
初期においては、試料の周辺に存在していた酸素によっ
て試料表面において酸化が起こるが、その酸素が酸化反
応によって消費された後は酸素の無い状況下において試
料が照射される。その結果、分子鎖の架橋によって樹脂
が改質される。
【０００９】樹脂を結晶融点以上まで加熱するためには
約２００kＧyの線量を照射する必要がある。一方、照射
線量が１０ＭＧyを超えると、得られるフッ素樹脂の特
性はほとんど変化しなくなる。従って、照射線量は２０
０kＧy〜１０ＭＧyの範囲とする。より好ましい照射線
量の範囲は３００kＧy〜５ＭＧyである。
約２００kＧyの線量を照射する必要がある。一方、照射
線量が１０ＭＧyを超えると、得られるフッ素樹脂の特
性はほとんど変化しなくなる。従って、照射線量は２０
０kＧy〜１０ＭＧyの範囲とする。より好ましい照射線
量の範囲は３００kＧy〜５ＭＧyである。
【００１０】本発明の方法は大部分のフッ素樹脂に適用
することができるが、特に適しているフッ素樹脂はポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロ
エチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥ
Ｐ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキル
ビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、およびエチレン・
テトラフルオロエチレン系共重合体（ＥＴＦＥまたはＰ
ＶｄＦ（ポリビニリデンフルオライド））である。
することができるが、特に適しているフッ素樹脂はポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロ
エチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥ
Ｐ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキル
ビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、およびエチレン・
テトラフルオロエチレン系共重合体（ＥＴＦＥまたはＰ
ＶｄＦ（ポリビニリデンフルオライド））である。
【００１１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。もっとも本発明はこれらに限定されない。実施例１ 厚さ０.２ｍｍ、幅３００×３００ｍｍの市販のＰＴＦ
Ｅシート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＴＦＥ）
に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギ
ー電子加速器を用いて、線量率１９０kＧy/sec の高線
量率で４５０kＧy照射した。照射後、シートの熱分析
（ＤＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約２０℃低下す
るとともに、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体
からなる加熱体を用いて３４０℃に昇温し、加速電圧２
ＭＶの電子加速器を用いて電子線を２００kＧy照射した
場合と同等の値を示した。
する。もっとも本発明はこれらに限定されない。実施例１ 厚さ０.２ｍｍ、幅３００×３００ｍｍの市販のＰＴＦ
Ｅシート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＴＦＥ）
に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギ
ー電子加速器を用いて、線量率１９０kＧy/sec の高線
量率で４５０kＧy照射した。照射後、シートの熱分析
（ＤＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約２０℃低下す
るとともに、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体
からなる加熱体を用いて３４０℃に昇温し、加速電圧２
ＭＶの電子加速器を用いて電子線を２００kＧy照射した
場合と同等の値を示した。
【００１２】実施例２ 厚さ０.２ｍｍ、幅５００×５００ｍｍの市販のＰＴＦ
Ｅシート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＴＦＥ）
に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギ
ー電子加速器を用いて、線量率１９０kＧy/sec の高線
量率で９００kＧy照射した。照射後、シートの熱分析
（ＤＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約４０℃低下す
るとともに、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体
からなる加熱体を用いて３４０℃に昇温し、加速電圧２
ＭＶの電子加速器を用いて電子線を５００kＧy照射した
場合と同等の値を示した。
Ｅシート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＴＦＥ）
に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギ
ー電子加速器を用いて、線量率１９０kＧy/sec の高線
量率で９００kＧy照射した。照射後、シートの熱分析
（ＤＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約４０℃低下す
るとともに、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体
からなる加熱体を用いて３４０℃に昇温し、加速電圧２
ＭＶの電子加速器を用いて電子線を５００kＧy照射した
場合と同等の値を示した。
【００１３】実施例３ 厚さ０.２ｍｍ、幅３００×３００ｍｍの市販のＰＴＦ
Ｅシート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＴＦＥ）
に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギ
ー電子加速器を用いて、線量率１９０kＧy/sec の高線
量率で１.８ＭＧy照射した。照射後、シートの熱分析
（ＤＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約５５℃低下す
るとともに、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体
からなる加熱体を用いて３４０℃に昇温し、加速電圧２
ＭＶの電子加速器を用いて電子線を１ＭＧy照射した場
合と同等の値を示した。
Ｅシート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＴＦＥ）
に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギ
ー電子加速器を用いて、線量率１９０kＧy/sec の高線
量率で１.８ＭＧy照射した。照射後、シートの熱分析
（ＤＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約５５℃低下す
るとともに、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体
からなる加熱体を用いて３４０℃に昇温し、加速電圧２
ＭＶの電子加速器を用いて電子線を１ＭＧy照射した場
合と同等の値を示した。
【００１４】実施例４ 厚さ０.２ｍｍ、幅３００×３００ｍｍの市販のＰＴＦ
Ｅシート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＴＦＥ）
に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギ
ー電子加速器を用いて、線量率１９０kＧy/sec の高線
量率で９.９ＭＧy照射した。照射後、シートの熱分析
（ＤＳＣ）を行った結果、結晶に起因するシグナルが無
くなった。これは、結晶が完全に消滅し、試料全体が非
晶化したことを示す。このことは、予め電気抵抗体から
なる加熱体を用いて樹脂を３４０℃に昇温し、加速電圧
２ＭＶの電子加速器を用いて電子線を５ＭＧy照射した
場合と同様の結果である。
Ｅシート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＴＦＥ）
に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギ
ー電子加速器を用いて、線量率１９０kＧy/sec の高線
量率で９.９ＭＧy照射した。照射後、シートの熱分析
（ＤＳＣ）を行った結果、結晶に起因するシグナルが無
くなった。これは、結晶が完全に消滅し、試料全体が非
晶化したことを示す。このことは、予め電気抵抗体から
なる加熱体を用いて樹脂を３４０℃に昇温し、加速電圧
２ＭＶの電子加速器を用いて電子線を５ＭＧy照射した
場合と同様の結果である。
【００１５】実施例５ 厚さ０.１ｍｍ、幅５００×５００ｍｍの市販のＦＥＰ
シート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＦＥＰ）に
電子線を、室温下で加速電圧２５０kＶの低エネルギー
電子加速器を用いて、線量率１４５kＧy/sec の高線量
率で３５０kＧy照射した。照射後、シートの熱分析（Ｄ
ＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約１０℃低下すると
ともに、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体から
なる加熱体を用いて２８０℃に昇温し、加速電圧２ＭＶ
の電子加速器を用いて電子線を１００kＧy照射した場合
と同等の値を示した。
シート（ダイキン工業（株）製、ネオフロンＦＥＰ）に
電子線を、室温下で加速電圧２５０kＶの低エネルギー
電子加速器を用いて、線量率１４５kＧy/sec の高線量
率で３５０kＧy照射した。照射後、シートの熱分析（Ｄ
ＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約１０℃低下すると
ともに、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体から
なる加熱体を用いて２８０℃に昇温し、加速電圧２ＭＶ
の電子加速器を用いて電子線を１００kＧy照射した場合
と同等の値を示した。
【００１６】実施例６ 厚さ０.１ｍｍ、幅５００×５００ｍｍの市販のＥＴＦ
Ｅシート（旭硝子（株）製、アフロンＣＯＰ）に電子線
を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギー電子加
速器を用いて、線量率１２５kＧy/sec の高線量率で３
００kＧy照射した。照射後、シートの熱分析（ＤＳＣ）
を行った結果、結晶化温度が約１０℃低下するととも
に、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体からなる
加熱体を用いて２８０℃に昇温し、加速電圧２ＭＶの電
子加速器を用いて電子線を２００kＧy照射した場合と同
等の値を示した。
Ｅシート（旭硝子（株）製、アフロンＣＯＰ）に電子線
を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギー電子加
速器を用いて、線量率１２５kＧy/sec の高線量率で３
００kＧy照射した。照射後、シートの熱分析（ＤＳＣ）
を行った結果、結晶化温度が約１０℃低下するととも
に、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体からなる
加熱体を用いて２８０℃に昇温し、加速電圧２ＭＶの電
子加速器を用いて電子線を２００kＧy照射した場合と同
等の値を示した。
【００１７】実施例７ 厚さ０.２ｍｍ、幅５００×５００ｍｍの市販のＰＦＡ
シート（三井・デュポンフロロケミカル（株）製、テフ
ロンＰＦＡ）に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶ
の低エネルギー電子加速器を用いて、線量率１７０kＧy
/sec の高線量率で４００kＧy照射した。照射後、シー
トの熱分析（ＤＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約２
０℃低下するとともに、結晶化熱量が小さくなり、予め
電気抵抗体からなる加熱体を用いて３２５℃に昇温し、
加速電圧２ＭＶの電子加速器を用いて電子線を２００k
Ｇy照射した場合と同等の値を示した。
シート（三井・デュポンフロロケミカル（株）製、テフ
ロンＰＦＡ）に電子線を、室温下で加速電圧３００kＶ
の低エネルギー電子加速器を用いて、線量率１７０kＧy
/sec の高線量率で４００kＧy照射した。照射後、シー
トの熱分析（ＤＳＣ）を行った結果、結晶化温度が約２
０℃低下するとともに、結晶化熱量が小さくなり、予め
電気抵抗体からなる加熱体を用いて３２５℃に昇温し、
加速電圧２ＭＶの電子加速器を用いて電子線を２００k
Ｇy照射した場合と同等の値を示した。
【００１８】実施例８ 厚さ０.１ｍｍ、幅５００×５００ｍｍの市販のＰＶdＦ
シート（呉羽化学工業（株）製、ＫＦシート）に電子線
を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギー電子加
速器を用いて、線量率１２５kＧy/sec の高線量率で３
００kＧy照射した。照射後、シートの熱分析（ＤＳＣ）
を行った結果、結晶化温度が約１０℃低下するととも
に、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体からなる
加熱体を用いて１６０℃に昇温し、加速電圧２ＭＶの電
子加速器を用いて電子線を２００kＧy照射した場合と同
等の値を示した。
シート（呉羽化学工業（株）製、ＫＦシート）に電子線
を、室温下で加速電圧３００kＶの低エネルギー電子加
速器を用いて、線量率１２５kＧy/sec の高線量率で３
００kＧy照射した。照射後、シートの熱分析（ＤＳＣ）
を行った結果、結晶化温度が約１０℃低下するととも
に、結晶化熱量が小さくなり、予め電気抵抗体からなる
加熱体を用いて１６０℃に昇温し、加速電圧２ＭＶの電
子加速器を用いて電子線を２００kＧy照射した場合と同
等の値を示した。
【００１９】実施例９ 粉体粒径０.１ｍｍ以下の市販のＰＴＦＥ粉体（三井・
デュポンフロロケミカル（株）製、テフロンＴＦＥ ７
０-Ｊ）３０グラムに電子線を実施例１と同様の条件で
照射したところ、実施例１と同様の結果が得られた。
デュポンフロロケミカル（株）製、テフロンＴＦＥ ７
０-Ｊ）３０グラムに電子線を実施例１と同様の条件で
照射したところ、実施例１と同様の結果が得られた。
【００２０】実施例１０ 粉体粒径０.１ｍｍ以下の市販のＦＥＰ粉体（ダイキン
工業（株）製、ネオフロンＦＥＰ）３０グラムに電子線
を実施例５と同様の条件で照射したところ、実施例５と
同様の結果が得られた。
工業（株）製、ネオフロンＦＥＰ）３０グラムに電子線
を実施例５と同様の条件で照射したところ、実施例５と
同様の結果が得られた。
【００２１】実施例１１ 粉体粒径０.１ｍｍ以下の市販のＥＴＦＥ粉体（旭硝子
（株）製、アフロンＣＯＰ）３０グラムに電子線を実施
例６と同様の条件で照射したところ、実施例６と同様の
結果が得られた。
（株）製、アフロンＣＯＰ）３０グラムに電子線を実施
例６と同様の条件で照射したところ、実施例６と同様の
結果が得られた。
【００２２】実施例１２ 粉体粒径０.１ｍｍ以下の市販のＥＴＦＥ粉体（三井・
デュポンフロロケミカル（株）製、テフロンＭＰパウダ
ー）３０グラムに電子線を実施例７と同様の条件で照射
したところ、実施例７と同様の結果が得られた。
デュポンフロロケミカル（株）製、テフロンＭＰパウダ
ー）３０グラムに電子線を実施例７と同様の条件で照射
したところ、実施例７と同様の結果が得られた。
【００２３】実施例１３ 粉体粒径０.２ｍｍ以下の市販のＰＶdＦ粉体（呉羽化学
工業（株）製、ＫＦ＃１０００ＣＣ）３０グラムに電子
線を実施例８と同様の条件で照射したところ、実施例８
と同様の結果が得られた。
工業（株）製、ＫＦ＃１０００ＣＣ）３０グラムに電子
線を実施例８と同様の条件で照射したところ、実施例８
と同様の結果が得られた。
【００２４】
【発明の効果】本発明の方法によれば、簡便かつ短時間
に改質フッ素樹脂を製造することができる。このフッ素
樹脂は、耐熱、耐薬品性が要求される機器類のシール材
料やパッキング材料に適している。特に、これまで使用
が不可能であった放射線環境下での工業材料としての利
用が可能になる。また、フッ素樹脂からなる医療用具は
放射線滅菌を行うと強度が低下してしまうため、蒸気や
ガスを用いて滅菌を行っているが、本発明によって放射
線滅菌を行うことが可能になり、より確実な滅菌を達成
することができる。また、放射線照射による架橋によっ
て結晶の成長が阻害されて樹脂が非晶化して透明になる
ことから、ラミネート材料としても有用である。
に改質フッ素樹脂を製造することができる。このフッ素
樹脂は、耐熱、耐薬品性が要求される機器類のシール材
料やパッキング材料に適している。特に、これまで使用
が不可能であった放射線環境下での工業材料としての利
用が可能になる。また、フッ素樹脂からなる医療用具は
放射線滅菌を行うと強度が低下してしまうため、蒸気や
ガスを用いて滅菌を行っているが、本発明によって放射
線滅菌を行うことが可能になり、より確実な滅菌を達成
することができる。また、放射線照射による架橋によっ
て結晶の成長が阻害されて樹脂が非晶化して透明になる
ことから、ラミネート材料としても有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｂ２９Ｌ 7:00 Ｃ０８Ｌ 27:12
Claims (6)
- 【請求項１】 フッ素樹脂に、該樹脂を予め加熱するこ
となく、粒子加速器から１００kＧy/sec 以上の高線量
率の電離性放射線を照射線量２００kＧy〜１０ＭＧy の
範囲で照射することによって該樹脂を架橋させることを
特徴とする、改質フッ素樹脂の製造方法。 - 【請求項２】 前記フッ素樹脂が、ポリテトラフルオロ
エチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキ
サフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフル
オロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共
重合体（ＰＦＡ）、エチレン・テトラフルオロエチレン
系共重合体（ＥＴＦＥまたはＰＶｄＦ）である、請求項
１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記フッ素樹脂がフッ素樹脂からなる成
形体である、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記成形体がシート状物である、請求項
３に記載の方法。 - 【請求項５】 前記フッ素樹脂が粉体である、請求項１
または２に記載の方法。 - 【請求項６】 前記粒子加速器が電子加速器である、請
求項１から５のいずれかに記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16219298A JP3836255B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 改質フッ素樹脂の製造方法 |
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