JPH11172065A - 高カットスルー抵抗性ふっ素樹脂成形体及び絶縁電線並びにホース - Google Patents
高カットスルー抵抗性ふっ素樹脂成形体及び絶縁電線並びにホースInfo
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- JPH11172065A JPH11172065A JP34090197A JP34090197A JPH11172065A JP H11172065 A JPH11172065 A JP H11172065A JP 34090197 A JP34090197 A JP 34090197A JP 34090197 A JP34090197 A JP 34090197A JP H11172065 A JPH11172065 A JP H11172065A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れたカットスルー抵抗性を有し、しかも、ふ
っ素樹脂本来の良好な耐薬品性、電気特性を有するふっ
素樹脂成形品の提供。 【解決手段】融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂単独
又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂と
の混合樹脂からなり、２００℃でのカットスルー抵抗が
１０Ｎ以上であることを特徴とする高カットスルー抵抗
性ふっ素樹脂成形体。
っ素樹脂本来の良好な耐薬品性、電気特性を有するふっ
素樹脂成形品の提供。 【解決手段】融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂単独
又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂と
の混合樹脂からなり、２００℃でのカットスルー抵抗が
１０Ｎ以上であることを特徴とする高カットスルー抵抗
性ふっ素樹脂成形体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ふっ素樹脂からな
る高いカットスルー抵抗を有する成形体、特に絶縁電線
の被覆層やホース（チューブ、パイプを含む）等の成形
体に関するものである。
る高いカットスルー抵抗を有する成形体、特に絶縁電線
の被覆層やホース（チューブ、パイプを含む）等の成形
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ふっ素樹脂は、耐薬品性、耐磨耗性、耐
摩擦性及び耐荷重性に優れてた特徴を有しているが、ふ
っ素樹脂で高いカットスルー抵抗を実現することは困難
である。ふっ素樹脂のカットスルー抵抗性を改善する方
法として、ふっ素樹脂にカーボン繊維や硝子繊維等の充
填剤を加える方法をあげることができる。
摩擦性及び耐荷重性に優れてた特徴を有しているが、ふ
っ素樹脂で高いカットスルー抵抗を実現することは困難
である。ふっ素樹脂のカットスルー抵抗性を改善する方
法として、ふっ素樹脂にカーボン繊維や硝子繊維等の充
填剤を加える方法をあげることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ふっ素樹脂に
カーボン繊維や硝子繊維等の充填剤を加えた場合、ふっ
素樹脂が本来有する優れた耐薬品性や電気特性を低下さ
せることになる。特に、電線等の絶縁材料用途において
充填剤を加えると誘電率が著しく悪化する。また、充填
剤の摩損がその接触系を汚染するという問題がある。
カーボン繊維や硝子繊維等の充填剤を加えた場合、ふっ
素樹脂が本来有する優れた耐薬品性や電気特性を低下さ
せることになる。特に、電線等の絶縁材料用途において
充填剤を加えると誘電率が著しく悪化する。また、充填
剤の摩損がその接触系を汚染するという問題がある。
【０００４】従って、本発明の目的は、優れたカットス
ルー抵抗性を有し、しかも、ふっ素樹脂本来の良好な耐
薬品性、電気特性を有するふっ素樹脂成形品を提供する
ことにある。
ルー抵抗性を有し、しかも、ふっ素樹脂本来の良好な耐
薬品性、電気特性を有するふっ素樹脂成形品を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂単独
又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂と
の混合樹脂からなり、２００℃でのカットスルー抵抗が
１０Ｎ以上であることを特徴とする高カットスルー抵抗
性ふっ素樹脂成形体を提供するものである。
成するため、融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂単独
又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂と
の混合樹脂からなり、２００℃でのカットスルー抵抗が
１０Ｎ以上であることを特徴とする高カットスルー抵抗
性ふっ素樹脂成形体を提供するものである。
【０００６】また、本発明は、融点が３２５℃以下の改
質ふっ素樹脂単独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素
樹脂以外の樹脂との混合樹脂からなる被覆層を導体外周
に有し、該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が１
０Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線を提供するも
のである。
質ふっ素樹脂単独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素
樹脂以外の樹脂との混合樹脂からなる被覆層を導体外周
に有し、該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が１
０Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線を提供するも
のである。
【０００７】更に、本発明は、融点が３２５℃以下の改
質ふっ素樹脂単独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素
樹脂以外の樹脂との混合樹脂からなる層を有し、該層の
２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上であること
を特徴とするホース、チューブ、パイプを提供するもの
である。
質ふっ素樹脂単独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素
樹脂以外の樹脂との混合樹脂からなる層を有し、該層の
２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上であること
を特徴とするホース、チューブ、パイプを提供するもの
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に使用されるふっ素樹脂と
しては、テトラフルオロエチレン系重合体（以下ＰＴＦ
Ｅという）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロ
（アルキルビニルエーテル）系共重合体（以下ＰＦＡと
いう）、あるいはテトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン系共重合体（以下ＦＥＰという）が挙げ
られる。
しては、テトラフルオロエチレン系重合体（以下ＰＴＦ
Ｅという）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロ
（アルキルビニルエーテル）系共重合体（以下ＰＦＡと
いう）、あるいはテトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン系共重合体（以下ＦＥＰという）が挙げ
られる。
【０００９】上記ＰＴＦＥの中には、パーフルオロ（ア
ルキルビニルエーテル）、ヘキサフルオロプロピレン、
（パーフルオロアルキル）エチレン、あるいはクロロト
リフルオロエチレン等の共重合性モノマーに基づく重合
単位を１モル％以下含有するものも含まれる。また、上
記共重合体形式のふっ素樹脂の場合、その分子構造の中
に少量の第３成分を含むことは有り得る。
ルキルビニルエーテル）、ヘキサフルオロプロピレン、
（パーフルオロアルキル）エチレン、あるいはクロロト
リフルオロエチレン等の共重合性モノマーに基づく重合
単位を１モル％以下含有するものも含まれる。また、上
記共重合体形式のふっ素樹脂の場合、その分子構造の中
に少量の第３成分を含むことは有り得る。
【００１０】本発明においては、改質ふっ素樹脂の物性
を融点が３２５℃以下と規定しているが、融点が上記値
を越えると、十分なカットスルー抵抗を得ることができ
ないためである。なお、ふっ素樹脂がＰＦＡのときは、
融点が３０５℃以下であり、ＦＥＰのときは融点が２７
５℃以下である。
を融点が３２５℃以下と規定しているが、融点が上記値
を越えると、十分なカットスルー抵抗を得ることができ
ないためである。なお、ふっ素樹脂がＰＦＡのときは、
融点が３０５℃以下であり、ＦＥＰのときは融点が２７
５℃以下である。
【００１１】本発明の改質ふっ素樹脂は、ふっ素樹脂に
酸素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且
つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射
線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射することにより
製造することができる。この場合、改質ふっ素樹脂は、
シート、ブロック又はその他の形状のふっ素樹脂成形体
に電離性放射線を照射した後機械的に粉砕したものであ
ってもよく、又、ふっ素樹脂粉体に電離性放射線を照射
し、必要に応じ照射後機械的に粉砕したものであっても
よい。いずれの場合にも、照射後の粉体粒径は成形性、
加工性、他樹脂への添加性等を考慮すると、１mm以下で
あることが好ましい。又、単独のふっ素樹脂に対して電
離性放射線を照射してもよく、２種又は２種以上のふっ
素樹脂混合物に電離性放射線を照射してもよい。
酸素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且
つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射
線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射することにより
製造することができる。この場合、改質ふっ素樹脂は、
シート、ブロック又はその他の形状のふっ素樹脂成形体
に電離性放射線を照射した後機械的に粉砕したものであ
ってもよく、又、ふっ素樹脂粉体に電離性放射線を照射
し、必要に応じ照射後機械的に粉砕したものであっても
よい。いずれの場合にも、照射後の粉体粒径は成形性、
加工性、他樹脂への添加性等を考慮すると、１mm以下で
あることが好ましい。又、単独のふっ素樹脂に対して電
離性放射線を照射してもよく、２種又は２種以上のふっ
素樹脂混合物に電離性放射線を照射してもよい。
【００１２】ふっ素樹脂を改質するときの電離性放射線
の照射は、酸素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲
気下で行い、また、その照射線量は１ｋＧｙ〜１０ＭＧ
ｙの範囲内が望ましい。更に、カットスルー抵抗特性を
改善する観点からすると、好ましい照射線量は１０ｋＧ
ｙ〜５００ｋＧｙの範囲が望ましい。本発明において
は、電離性放射線としては、γ線、電子線、Ｘ線、中性
子線、あるいは高エネルギーイオン等が使用される。
の照射は、酸素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲
気下で行い、また、その照射線量は１ｋＧｙ〜１０ＭＧ
ｙの範囲内が望ましい。更に、カットスルー抵抗特性を
改善する観点からすると、好ましい照射線量は１０ｋＧ
ｙ〜５００ｋＧｙの範囲が望ましい。本発明において
は、電離性放射線としては、γ線、電子線、Ｘ線、中性
子線、あるいは高エネルギーイオン等が使用される。
【００１３】また、電離性放射線の照射を行うに際して
は、ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱しておくこと
が望ましい。すなわち、例えばふっ素樹脂としてＰＴＦ
Ｅを使用する場合には、この材料の結晶融点である３２
７℃よりも高い温度にふっ素樹脂を加熱した状態で電離
性放射線を照射することが望ましく、あるいはまた、Ｐ
ＦＡやＦＥＰを適用する場合には、前者が３１０℃、後
者が２７５℃に特定される結晶融点よりも高い温度に加
熱して、放射線を照射することが望ましい。ふっ素樹脂
をその結晶融点以上に加熱することは、ふっ素樹脂を構
成する主鎖の分子運動を活発化させることになり、その
結果、分子間の架橋反応を効率良く促進させることが可
能となる。但し、過度の加熱は、逆に分子主鎖の切断と
分解を招くようになるので、このような解重合現象の発
生を抑制する意味合いから、加熱温度はふっ素樹脂の結
晶融点よりも１０〜３０℃高い範囲内に抑えるべきであ
る。また、粉体を照射する場合、加熱温度を融点以上に
上げることから、その上昇とともに、流動性が増し、照
射後に粉砕することが困難になることから、加熱温度は
ふっ素樹脂の結晶融点より１０〜３０℃高い範囲内に抑
えるべきである。
は、ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱しておくこと
が望ましい。すなわち、例えばふっ素樹脂としてＰＴＦ
Ｅを使用する場合には、この材料の結晶融点である３２
７℃よりも高い温度にふっ素樹脂を加熱した状態で電離
性放射線を照射することが望ましく、あるいはまた、Ｐ
ＦＡやＦＥＰを適用する場合には、前者が３１０℃、後
者が２７５℃に特定される結晶融点よりも高い温度に加
熱して、放射線を照射することが望ましい。ふっ素樹脂
をその結晶融点以上に加熱することは、ふっ素樹脂を構
成する主鎖の分子運動を活発化させることになり、その
結果、分子間の架橋反応を効率良く促進させることが可
能となる。但し、過度の加熱は、逆に分子主鎖の切断と
分解を招くようになるので、このような解重合現象の発
生を抑制する意味合いから、加熱温度はふっ素樹脂の結
晶融点よりも１０〜３０℃高い範囲内に抑えるべきであ
る。また、粉体を照射する場合、加熱温度を融点以上に
上げることから、その上昇とともに、流動性が増し、照
射後に粉砕することが困難になることから、加熱温度は
ふっ素樹脂の結晶融点より１０〜３０℃高い範囲内に抑
えるべきである。
【００１４】本発明においては、上記改質ふっ素樹脂で
成形体を構成することができるが、上記改質ふっ素樹脂
に高カットスルー抵抗材料を加えた混合樹脂で成形体を
構成することもできる。このような高カットスルー抵抗
材料としては、酸素不存在下において３００℃以上の高
温に耐えられるものであることが好ましく、具体的に
は、エチレン−テトラフルオロエチレン系共重合体、エ
チレン−クロロトリフルオロエチレン系共重合体、プロ
ピレン−テトラフルオロエチレン系共重合体、ビニリデ
ンフロライド−ヘキサフルオロプロピレン−テトラフル
オロエチレン系共重合体等の含ふっ素共重合体、あるい
はポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリアリーレンスル
フィド、芳香族ポリエステル等をあげることができる。
また、他の高カットスルー抵抗材料として、無機材料を
適宜使用してもよい。
成形体を構成することができるが、上記改質ふっ素樹脂
に高カットスルー抵抗材料を加えた混合樹脂で成形体を
構成することもできる。このような高カットスルー抵抗
材料としては、酸素不存在下において３００℃以上の高
温に耐えられるものであることが好ましく、具体的に
は、エチレン−テトラフルオロエチレン系共重合体、エ
チレン−クロロトリフルオロエチレン系共重合体、プロ
ピレン−テトラフルオロエチレン系共重合体、ビニリデ
ンフロライド−ヘキサフルオロプロピレン−テトラフル
オロエチレン系共重合体等の含ふっ素共重合体、あるい
はポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリアリーレンスル
フィド、芳香族ポリエステル等をあげることができる。
また、他の高カットスルー抵抗材料として、無機材料を
適宜使用してもよい。
【００１５】本発明の改質ふっ素樹脂を得るためのより
具体的方法としては、ＰＴＦＥ系のふっ素樹脂の場合
は、所定形状に予備成形品を製造し、これを焼成した後
電離性放射線を照射する方法が多くの場合に採用される
が、予め電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末と未照
射のふっ素樹脂粉末を混合し、成形後焼成する方法も採
用可能である。後者の場合、電離性放射線を照射したふ
っ素樹脂粉末の混合量が３０重量％を越えるときは、焼
成後の冷却時に加圧する（ホットコイニング）ことが好
ましく、本発明の高カットスルー抵抗製品を実現するた
めには、電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末の混合
量は、大凡６０〜９０重量％が適切である。
具体的方法としては、ＰＴＦＥ系のふっ素樹脂の場合
は、所定形状に予備成形品を製造し、これを焼成した後
電離性放射線を照射する方法が多くの場合に採用される
が、予め電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末と未照
射のふっ素樹脂粉末を混合し、成形後焼成する方法も採
用可能である。後者の場合、電離性放射線を照射したふ
っ素樹脂粉末の混合量が３０重量％を越えるときは、焼
成後の冷却時に加圧する（ホットコイニング）ことが好
ましく、本発明の高カットスルー抵抗製品を実現するた
めには、電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末の混合
量は、大凡６０〜９０重量％が適切である。
【００１６】本発明においては、成形体の肉厚によって
電離性放射線の照射条件が適宜選択されるが、一般に、
肉厚２０mm以下の場合にはγ線照射、電子線照射のいず
れも実質的に採用可能であり、肉厚２０mm以上、特に３
０mmを越えるときは、γ線もしくは電子線を線源とする
二次放射線のＸ線が実効的である。更に、大型肉厚品の
場合、表層から傾斜的に電子線照射線量で処理する方法
も採用できる。この場合、前記した全ての電離性放射線
を採用できるが、工業的にはγ線、電子線が実際的であ
る。
電離性放射線の照射条件が適宜選択されるが、一般に、
肉厚２０mm以下の場合にはγ線照射、電子線照射のいず
れも実質的に採用可能であり、肉厚２０mm以上、特に３
０mmを越えるときは、γ線もしくは電子線を線源とする
二次放射線のＸ線が実効的である。更に、大型肉厚品の
場合、表層から傾斜的に電子線照射線量で処理する方法
も採用できる。この場合、前記した全ての電離性放射線
を採用できるが、工業的にはγ線、電子線が実際的であ
る。
【００１７】ＰＦＡ、ＦＥＰ等の熱溶融系ふっ素樹脂の
場合は通常、射出成形で成形体を得るが、本発明の高カ
ットスルー抵抗製品は、係る成形体の表面加熱、表層の
電離性放射線処理技術が実際的に応用され得られるもの
である。表層の電子線照射処理厚みは成形体の肉厚と相
関するが、一般的に２０mm以下の場合は１０mm程度、２
０mm以上の場合は肉厚の約１／３程度が適当である。熱
溶融系ふっ素樹脂の場合も予め原料粉末（３mmφ以下の
不定形、球形、粉末状、ビーズ状、ペレット状等）に所
定の条件下で電離性放射線を照射したものが、未照射の
原料粉末に６０〜９０重量％含まれるように混合し、融
点以上で加圧成形する方法も適宜採用できる。この方法
は、実際的には経済的な理由から肉厚が大で多品種少量
製品に適するものと考えられる。
場合は通常、射出成形で成形体を得るが、本発明の高カ
ットスルー抵抗製品は、係る成形体の表面加熱、表層の
電離性放射線処理技術が実際的に応用され得られるもの
である。表層の電子線照射処理厚みは成形体の肉厚と相
関するが、一般的に２０mm以下の場合は１０mm程度、２
０mm以上の場合は肉厚の約１／３程度が適当である。熱
溶融系ふっ素樹脂の場合も予め原料粉末（３mmφ以下の
不定形、球形、粉末状、ビーズ状、ペレット状等）に所
定の条件下で電離性放射線を照射したものが、未照射の
原料粉末に６０〜９０重量％含まれるように混合し、融
点以上で加圧成形する方法も適宜採用できる。この方法
は、実際的には経済的な理由から肉厚が大で多品種少量
製品に適するものと考えられる。
【００１８】前記の各種方法で得られた成形体は、加熱
された状態でのサイジング（寸法矯正）あるいはエージ
ング（樹脂融点よりも１０℃程度低い温度）後の機械加
工により寸法精度を向上させ、最終製品となる。
された状態でのサイジング（寸法矯正）あるいはエージ
ング（樹脂融点よりも１０℃程度低い温度）後の機械加
工により寸法精度を向上させ、最終製品となる。
【００１９】
【実施例】［実施例１〜４］ＰＴＦＥファインパウダー
（ダイキン製、商品名：ポリフロンＦ１０４）を用い、
助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２
０重量％加え、常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷ
Ｇ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５
mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成
して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１
０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもと
で電子線を照射線量２０ｋＧｙ（実施例１）、５０ｋＧ
ｙ（実施例２）、１００ｋＧｙ（実施例３）、２００ｋ
Ｇｙ（実施例４）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作
製した。
（ダイキン製、商品名：ポリフロンＦ１０４）を用い、
助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２
０重量％加え、常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷ
Ｇ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５
mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成
して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１
０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもと
で電子線を照射線量２０ｋＧｙ（実施例１）、５０ｋＧ
ｙ（実施例２）、１００ｋＧｙ（実施例３）、２００ｋ
Ｇｙ（実施例４）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作
製した。
【００２０】［比較例１］実施例１〜４において、電子
線未照射の絶縁電線を比較例１とした。
線未照射の絶縁電線を比較例１とした。
【００２１】［実施例５、６］実施例１〜４において、
銅線のない状態でチューブ押出を行い、内径０．４８mm
φ、外径１．５mmφのチューブを作製し、このチューブ
に実施例１〜４と同様の条件でもって電子線を照射線量
１００ｋＧｙ（実施例５）、２００ｋＧｙ（実施例６）
照射し、改質ふっ素樹脂チューブを作製した。
銅線のない状態でチューブ押出を行い、内径０．４８mm
φ、外径１．５mmφのチューブを作製し、このチューブ
に実施例１〜４と同様の条件でもって電子線を照射線量
１００ｋＧｙ（実施例５）、２００ｋＧｙ（実施例６）
照射し、改質ふっ素樹脂チューブを作製した。
【００２２】［実施例７〜９］ＰＦＡペレット（デュポ
ン製、テフロン３５０Ｊ）を用い、Ｌ／Ｄ＝２０／１、
圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプのスクリュ
ーを用い、３６０℃で押出成形を行い、２６ＡＷＧ銀め
っき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押
出し被覆して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸
素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３２０℃の加熱温
度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施例７）、
１００ｋＧｙ（実施例８）及び３００ｋＧｙ（実施例
９）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
ン製、テフロン３５０Ｊ）を用い、Ｌ／Ｄ＝２０／１、
圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプのスクリュ
ーを用い、３６０℃で押出成形を行い、２６ＡＷＧ銀め
っき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押
出し被覆して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸
素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３２０℃の加熱温
度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施例７）、
１００ｋＧｙ（実施例８）及び３００ｋＧｙ（実施例
９）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２３】［比較例２］実施例７〜９において、電子
線未照射の絶縁電線を比較例２とした。
線未照射の絶縁電線を比較例２とした。
【００２４】［実施例１０〜１２］ＦＥＰペレット（デ
ュポン製、テフロンＦＥＰ１００）を用い、Ｌ／Ｄ＝２
０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプの
スクリューを用い、３５０℃で押出成形を行い、２６Ａ
ＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．
５mmで押出し被覆して絶縁電線を作製した。この絶縁電
線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、２８０℃
の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施
例１０）、１００ｋＧｙ（実施例１１）及び３００ｋＧ
ｙ（実施例１２）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作
製した。
ュポン製、テフロンＦＥＰ１００）を用い、Ｌ／Ｄ＝２
０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプの
スクリューを用い、３５０℃で押出成形を行い、２６Ａ
ＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．
５mmで押出し被覆して絶縁電線を作製した。この絶縁電
線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、２８０℃
の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施
例１０）、１００ｋＧｙ（実施例１１）及び３００ｋＧ
ｙ（実施例１２）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作
製した。
【００２５】［比較例３］実施例１０〜１２において、
電子線未照射の絶縁電線を比較例３とした。
電子線未照射の絶縁電線を比較例３とした。
【００２６】［実施例１３］実施例１〜４で使用したと
同じＰＴＦＥファインパウダーに対し、酸素濃度１０-5
mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電
子線を照射線量１００ｋＧｙ照射した後、約２０μｍの
平均粒径になるまでジェットミルで粉砕し、次いで３０
０℃で１２時間熱処理し、高揮発成分（約０．１重量
％）を除去することにより改質ふっ素樹脂粉体を得た。
この改質ふっ素樹脂粉体を未照射のふっ素樹脂粉体（上
記と同じＰＴＦＥファインパウダ）中に６０重量％含ま
れるよう混合してふっ素樹脂混合粉体を調整し、混合粉
体８０重量部に助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シ
ェル化学）を２０重量％加え、常温でペースト押出しを
行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）
上に厚さ０．５mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、
３８０℃で焼成して改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製し
た。
同じＰＴＦＥファインパウダーに対し、酸素濃度１０-5
mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電
子線を照射線量１００ｋＧｙ照射した後、約２０μｍの
平均粒径になるまでジェットミルで粉砕し、次いで３０
０℃で１２時間熱処理し、高揮発成分（約０．１重量
％）を除去することにより改質ふっ素樹脂粉体を得た。
この改質ふっ素樹脂粉体を未照射のふっ素樹脂粉体（上
記と同じＰＴＦＥファインパウダ）中に６０重量％含ま
れるよう混合してふっ素樹脂混合粉体を調整し、混合粉
体８０重量部に助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シ
ェル化学）を２０重量％加え、常温でペースト押出しを
行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）
上に厚さ０．５mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、
３８０℃で焼成して改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製し
た。
【００２７】［実施例１４］実施例７〜９で使用したと
同じＰＦＡペレットに対して、酸素濃度１０-5mol/ｇ、
窒素雰囲気下、３２０℃の加熱温度のもとで電子線を照
射線量５０ｋＧｙ照射した後、摩砕式粉砕機で粉砕し、
平均粒径約５０μｍの改質ふっ素樹脂粉砕物を得た。こ
の改質ふっ素樹脂粉砕物を未照射のＰＦＡペレット（上
記と同じＰＦＡ）中に５０重量％含まれるように混合し
て混合ペレットを得た。この混合ペレットをＬ／Ｄ＝２
０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプの
スクリューを用い、３６０℃で押出成形を行い、２６Ａ
ＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．
５mmで押出し被覆して改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製し
た。
同じＰＦＡペレットに対して、酸素濃度１０-5mol/ｇ、
窒素雰囲気下、３２０℃の加熱温度のもとで電子線を照
射線量５０ｋＧｙ照射した後、摩砕式粉砕機で粉砕し、
平均粒径約５０μｍの改質ふっ素樹脂粉砕物を得た。こ
の改質ふっ素樹脂粉砕物を未照射のＰＦＡペレット（上
記と同じＰＦＡ）中に５０重量％含まれるように混合し
て混合ペレットを得た。この混合ペレットをＬ／Ｄ＝２
０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプの
スクリューを用い、３６０℃で押出成形を行い、２６Ａ
ＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．
５mmで押出し被覆して改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製し
た。
【００２８】［比較例４］実施例７〜９で使用したＰＦ
Ａペレット（未照射）を実施例１４と同様にして粉砕
し、実施例７〜９と同様にして絶縁電線（未照射）を作
製した。
Ａペレット（未照射）を実施例１４と同様にして粉砕
し、実施例７〜９と同様にして絶縁電線（未照射）を作
製した。
【００２９】［比較例５、６］実施例１〜４の絶縁電線
（未照射）に対して、空気中で３４０℃の加熱温度のも
とで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（比較例５）及び１０
０ｋＧｙ（比較例６）照射した絶縁電線を作製した。
（未照射）に対して、空気中で３４０℃の加熱温度のも
とで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（比較例５）及び１０
０ｋＧｙ（比較例６）照射した絶縁電線を作製した。
【００３０】［比較例７、８］実施例１〜４の絶縁電線
（未照射）に対して、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲
気下、室温（２４℃）のもとで電子線を照射線量５０ｋ
Ｇｙ（比較例７）及び１００ｋＧｙ（比較例８）照射し
た絶縁電線を作製した。
（未照射）に対して、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲
気下、室温（２４℃）のもとで電子線を照射線量５０ｋ
Ｇｙ（比較例７）及び１００ｋＧｙ（比較例８）照射し
た絶縁電線を作製した。
【００３１】［実施例１５〜１７］ＰＴＦＥファインパ
ウダー（デュポン製、テフロン６Ｊ）に助剤としてスー
パーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２０重量％加え、
常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅
線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆
し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成して絶縁電線を
作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒
素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射
線量５０ｋＧｙ（実施例１５）、５０ＫＧｙ（実施例１
６）、２００ｋＧｙ（実施例１７）及び２００ｋＧｙ
（実施例１８）を照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作
製した。
ウダー（デュポン製、テフロン６Ｊ）に助剤としてスー
パーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２０重量％加え、
常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅
線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆
し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成して絶縁電線を
作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒
素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射
線量５０ｋＧｙ（実施例１５）、５０ＫＧｙ（実施例１
６）、２００ｋＧｙ（実施例１７）及び２００ｋＧｙ
（実施例１８）を照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作
製した。
【００３２】［比較例９］実施例１５〜１７において、
電子線未照射の絶縁電線を比較例９とした。
電子線未照射の絶縁電線を比較例９とした。
【００３３】実施例１〜１７及び比較例１〜９の絶縁電
線及びチューブについて融点およびカットスルー抵抗を
測定した結果を表１に示した。なお、カットスル―抵抗
の測定方法は、図１に示すように、絶縁電線１またはチ
ューブ（チューブの場合には０．４８mmφの軟銅線を挿
入）の下部に断面三角形状の金属２を配置した状態で上
部から荷重３をかけ、導体と下部の金属２が通電したと
きの荷重値を抵抗値（Ｎ）とした。なお、ここでの測定
は温度２００℃で行った。
線及びチューブについて融点およびカットスルー抵抗を
測定した結果を表１に示した。なお、カットスル―抵抗
の測定方法は、図１に示すように、絶縁電線１またはチ
ューブ（チューブの場合には０．４８mmφの軟銅線を挿
入）の下部に断面三角形状の金属２を配置した状態で上
部から荷重３をかけ、導体と下部の金属２が通電したと
きの荷重値を抵抗値（Ｎ）とした。なお、ここでの測定
は温度２００℃で行った。
【００３４】また、ふっ素樹脂の融点の測定は、示差走
査熱量計（パーキンエルマー社製ＤＳＣ７）を用いて行
い、試料約１０mgをサンプリングし、５０〜３６０℃の
間で１０℃／min の昇・降温スピードにより昇温、降温
を２サイクル繰り返し、２回目の昇温時のＤＳＣ曲線の
吸熱ピーク温度を融点とした。
査熱量計（パーキンエルマー社製ＤＳＣ７）を用いて行
い、試料約１０mgをサンプリングし、５０〜３６０℃の
間で１０℃／min の昇・降温スピードにより昇温、降温
を２サイクル繰り返し、２回目の昇温時のＤＳＣ曲線の
吸熱ピーク温度を融点とした。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】以上説明してきた本発明によれば、実施
例と比較例との対比からも明らかなように、カットスル
ー抵抗が大幅に向上したふっ素樹脂絶縁電線及びふっ素
樹脂パイプ等の成形体を実現することが可能となり、こ
のことは、ふっ素樹脂の応用範囲を広げる上で大きく貢
献するものである。
例と比較例との対比からも明らかなように、カットスル
ー抵抗が大幅に向上したふっ素樹脂絶縁電線及びふっ素
樹脂パイプ等の成形体を実現することが可能となり、こ
のことは、ふっ素樹脂の応用範囲を広げる上で大きく貢
献するものである。
【図１】カットスルー抵抗の測定方法の説明図である。
１ 絶縁電線（チューブ） ２ 金属 ３ 荷重
Claims (19)
- 【請求項１】融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂単独
又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂と
の混合樹脂からなり、２００℃でのカットスルー抵抗が
１０Ｎ以上であることを特徴とする高カットスルー抵抗
性ふっ素樹脂成形体。 - 【請求項２】前記改質ふっ素樹脂の含有量が１重量％以
上である請求項１記載の高カットスルー抵抗性ふっ素樹
脂成形体。 - 【請求項３】前記改質ふっ素樹脂は、改質テトラフルオ
ロエチレン系重合体からなる請求項１記載の高カットス
ルー抵抗性ふっ素樹脂成形体。 - 【請求項４】前記混合樹脂は、改質テトラフルオロエチ
レン系重合体と未改質テトラフルオロエチレン系重合体
を含有する請求項１記載の高カットスルー抵抗性ふっ素
樹脂成形体。 - 【請求項５】融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂単独
又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂と
の混合樹脂からなり、２００℃でのカットスルー抵抗が
１５Ｎ以上であることを特徴とする高カットスルー抵抗
性ふっ素樹脂成形体。 - 【請求項６】前記改質ふっ素樹脂の含有量が１重量％以
上である請求項５記載の高カットスルー抵抗性ふっ素樹
脂成形体。 - 【請求項７】前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロエ
チレン−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）系共
重合体からなる請求項５記載の高カットスルー抵抗性ふ
っ素樹脂成形体。 - 【請求項８】前記混合樹脂は、改質テトラフルオロエチ
レン−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）系共重
合体と未改質テトラフルオロエチレン−パーフルオロ
（アルキルビニルエーテル）系共重合体を含有する請求
項５記載の高カットスルー抵抗性ふっ素樹脂成形体。 - 【請求項９】融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂単独
又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂と
の混合樹脂からなり、２００℃でのカットスルー抵抗が
８Ｎ以上であることを特徴とする高カットスルー抵抗性
ふっ素樹脂成形体。 - 【請求項１０】前記改質ふっ素樹脂の含有量が１重量％
以上である請求項９記載の高カットスルー抵抗性ふっ素
樹脂成形体。 - 【請求項１１】前記改質ふっ素樹脂は、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン系共重合体からな
る請求項９記載の高カットスルー抵抗性ふっ素樹脂成形
体。 - 【請求項１２】前記混合樹脂は、改質テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレン系共重合体と未改質
テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン系
共重合体を含有する請求項９記載の高カットスルー抵抗
性ふっ素樹脂成形体。 - 【請求項１３】前記改質ふっ素樹脂は、ふっ素樹脂に酸
素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つ
その融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線
量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射したものである請
求項１、請求項５又は請求項９記載の高カットスルー抵
抗性ふっ素樹脂成形体。 - 【請求項１４】融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂単
独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂
との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆
層の２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上である
ことを特徴とする絶縁電線。 - 【請求項１５】融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂単
独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂
との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆
層の２００℃でのカットスルー抵抗が１５Ｎ以上である
ことを特徴とする絶縁電線。 - 【請求項１６】融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂単
独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂
との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆
層の２００℃でのカットスルー抵抗が８Ｎ以上であるこ
とを特徴とする絶縁電線。 - 【請求項１７】融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂単
独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂
との混合樹脂からなる層を有し、該層の２００℃でのカ
ットスルー抵抗が１０Ｎ以上であることを特徴とするホ
ース。 - 【請求項１８】融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂単
独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂
との混合樹脂からなる層を有し、該層の２００℃でのカ
ットスルー抵抗が１５Ｎ以上であることを特徴とするホ
ース。 - 【請求項１９】融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂単
独又は該改質ふっ素樹脂と該改質ふっ素樹脂以外の樹脂
との混合樹脂からなる層を有し、該層の２００℃でのカ
ットスルー抵抗が８Ｎ以上であることを特徴とするホー
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34090197A JP3750326B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 絶縁電線及びホース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34090197A JP3750326B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 絶縁電線及びホース |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172065A true JPH11172065A (ja) | 1999-06-29 |
| JP3750326B2 JP3750326B2 (ja) | 2006-03-01 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34090197A Expired - Fee Related JP3750326B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 絶縁電線及びホース |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3750326B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001357729A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Daikin Ind Ltd | 高周波信号伝送用製品の絶縁用ポリテトラフルオロエチレン混合粉末およびそれを用いた高周波信号伝送用製品 |
| JP2001357730A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Daikin Ind Ltd | 高周波信号伝送用製品およびその製法 |
| JP2005511846A (ja) * | 2001-12-11 | 2005-04-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 押出可能なフルオロポリマーブレンド |
| WO2008099954A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Daikin Industries, Ltd. | フッ素樹脂組成物、フッ素樹脂成形品及びその製造方法 |
| JP2010037357A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Hitachi Cable Ltd | 改質ふっ素樹脂組成物及び改質ふっ素樹脂成形体 |
| JP2013209670A (ja) * | 2007-06-20 | 2013-10-10 | Sumitomo Electric Fine Polymer Inc | フッ素樹脂チューブの製造方法、フッ素樹脂チューブおよびフッ素樹脂複合材 |
| CN113563613A (zh) * | 2016-08-04 | 2021-10-29 | 大金工业株式会社 | 低分子量聚四氟乙烯的制造方法 |
-
1997
- 1997-12-11 JP JP34090197A patent/JP3750326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2008099954A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Daikin Industries, Ltd. | フッ素樹脂組成物、フッ素樹脂成形品及びその製造方法 |
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| US9776289B2 (en) | 2007-06-20 | 2017-10-03 | Sumitomo Electric Fine Polymer, Inc. | Fluorocarbon resin composite, cookware, cooker, roller for office automation equipment, belt for office automation equipment, and method for producing them |
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| US11814490B2 (en) | 2016-08-04 | 2023-11-14 | Daikin Industries, Ltd. | Method for producing low molecular weight polytetrafluoroethylene, low molecular weight polytetrafluoroethylene, and powder |
| US12006407B2 (en) | 2016-08-04 | 2024-06-11 | Daikin Industries, Ltd. | Method for producing low molecular weight polytetrafluoroethylene, low molecular weight polytetrafluoroethylene, and powder |
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